-
Die Erfindung betrifft eine Anordnung
zum elektrischen Kontaktieren eines Substrats, wobei die Anordnung
ein Substrat, das eine integrierte Schaltung mit offenliegenden,
elektrisch kontaktierbaren Kontakten aufweist, und eine Kontaktiereinrichtung aufweist,
wobei die Kontaktiereinrichtung elektrische Gegenkontakte und eine
Kontaktierplatte, die die Gegenkontakte trägt, aufweist und wobei die
Gegenkontakte auf der Kontaktierplatte so angeordnet sind, daß die Abstände der
Gegenkontakte voneinander im wesentlichen den Abständen der
Kontakte voneinander entsprechen.
-
Eine solche Anordnung kommt bei der Durchführung eines
elektrischen Funktionstests integrierter Halbleiterschaltungen auf
einem Substrat zum Einsatz, wobei ein Kontaktkopf mit einer Vielzahl von
Testnadeln, die jeweils einen offenliegenden elektrischen Kontakt
der integrierten Halbleiterschaltung kontaktieren, auf die Halbleiterschaltung
aufgesetzt wird, um deren Schaltverhalten zu überprüfen. Wegen der Vielzahl zu
kontaktierender Kontakte der Halbleiterschaltung sind sämtliche
Testnadeln in einem Testkopf der Kontaktiereinrichtung integriert. Um
die kleinen Kontaktflächen
sicher kontaktieren zu können,
müssen
die Abstände
der Gegenkontakte (d. h. Testnadeln) der Kontaktiereinrichtung untereinander
den Abständen
der Kontakte des Substrats untereinander entsprechen. Angesichts
der Größen heutiger
Kontaktflächen
im Bereich von 100 nm und weniger führen bereits kleine Abweichungen
der lateralen Position der Gegenkontakte zu einem seitlichen Verfehlen
des zu kontaktierenden Kontakts; der betreffende Chip kann nicht
sinnvoll getestet werden.
-
Probleme bereiten die bei der Halbleiterfertigung
auftretenden Temperaturschwankungen, die Größenordnungen von einigen hundert
Grad Celsius erreichen. Auch unter Berücksichtigung von Abkühlungsvorgängen können Resttemperaturunterschiede
von einigen zehn Grad Celsius zu versehentlichen Fehlkontaktierungen
führen,
da heutige Strukturgrößen entsprechend
der erzielbaren optischen Auflösungsgrenze
immer kleiner werden und zudem die Chipfläche, d. h. der Chipdurchmesser,
zunimmt. Insbesondere bei Halbleitersubstraten mit 20 oder 30 cm
Durchmesser sind aufgrund des hohen Risikos von Fehlkontaktierungen
elektrische Funktionstests gleichzeitig nur auf Teilgebieten der
Substratfläche, beispielsweise über einer
Gruppe von Chipschaltungen, durchführbar.
-
Es ist die Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, eine Anordnung zum elektrischen Kontaktieren eines Substrats
bereitzustellen, mit der eine möglichst
große
Vielzahl von Kontakten des Substrats gleichzeitig und mit höherer Zuverlässigkeit
kontaktiert werden kann. Insbesondere soll die gleichzeitige Kontaktierung
auf einem möglichst
großen
Substratflächenbereich
zuverlässig
vorgenommen werden können.
-
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch
gelöst,
daß die
Kontaktierplatte aus einem Material besteht, das denselben thermischen
Längenausdehnungskoeffizienten
wie das Substrat besitzt, wodurch die Kontaktierplatte eine temperaturstabile Lagejustierung
der Gegenkontakte bewirkt, bei der die Abstände der Gegenkontakte voneinander
auch bei veränderbarer
Temperatur des Substrats und der Kontaktierplatte mit den Abständen der
Kontakte voneinander übereinstimmen.
-
Erfindungsgemäß wird eine dünne Kontaktierplatte
aus einem Material mit gleichem Ausdehnungskoeffizienten wie demjenigen
des Materials des Substrats auf einem massiven Bauteil der Kontaktiereinrichtung
montiert, und die Gegenkontakte werden auf der montierten Kontaktierplatte
angeordnet. Während
herkömmlich
die genaue Einhaltung einer vorgegebenen Temperatur des Substrats
und der Kontaktierplatte zum elektrischen Testen des Substrats erforderlich
ist, ermöglicht
die Erfindung ein lateral über
eine viel größere Waferfläche justiertes Kontaktieren
bei schwankenden Temperaturen, weil die Kontaktierplatte sich in
gleicher Weise wie der zu testende Wafer ausdehnt bzw. zusammenzieht;
bei gleicher Temperatur des Substrats und der Kontaktierplatte ist,
unabhängig
von der exakten Höhe
der Temperatur, ein maßgenaues
Kontaktieren auch über eine
längere
Zeitdauer ohne Gefahr einer nachträglichen, wärmebedingten Verschiebung der
Gegenkontakte auf den offenliegenden Kontakten durchführbar. Insbesondere
können
größere Substratflächen als bisher
gleichzeitig kontaktiert werden; im günstigsten Fall können alle
Chips eines Wafers gleichzeitig elektrisch getestet werden.
-
Vorzugsweise ist vorgesehen, daß die Kontaktierplatte
und das zu kontaktierende Substrat aus dem gleichen Material bestehen.
Dementsprechend ist auf dem Kontaktierkopf eine Kontaktierplatte
aus einem Material wie beispielsweise Silizium oder einem typischen
III-V-Halbleiter angeordnet, d.h. aus einem Material, das als Baumaterial
für einen
Meßkopf
bisher nicht üblich
ist und auch aus fertigungstechnischer Sieht, etwa hinsichtlich
der Bearbeitungseigenschaften, üblicherweise
nicht in Betracht gezogen wird. Insbesondere können die Kontaktierplatte und
das Halbleitersubstrat aus dem gleichen Grundmaterial gebildet sein,
jedoch unterschiedliche Beimischungen und/oder Dotierungen aufweisen.
-
Vorzugsweise ist vorgesehen, daß die Kontaktierplatte
an einem Träger
befestigt ist, wobei rückseitige
Zwischenkontakte der Kontaktierplatte mit Zwischenkontakten des
Trägers
verbunden sind. Insbesondere ist vorgesehen, daß die Gegenkontakte durch leitende
Verbindungen, die die Kontaktierplatte durchdringen, mit den rückseitigen
Zwischenkontakten verbunden sind. Das erfindungsgemäße Vorsehen
einer aus Substratmaterial gebildeten Kontaktierplatte erfordert
eine weitere Kontaktierungsebene zwischen der Kontaktierplatte und
dem massiven Kopf, der die Kontaktierplatte trägt. Dazu sind entsprechende
Zwischenkontakte auf der Rückseite der
Kontaktierplatte und einer Auflagefläche des Trägers vorgesehen und paarweise
miteinander verbunden. Die elektrischen Verbindungen zwischen den rückseitigen
Zwischenkontakten der Kontaktierplatte und den Gegenkontakten auf
ihrer Vorderseite werden vorzugsweise durch die Kontaktierplatte
hindurchgeführt.
Es kann eine Umverdrahtung zwischen diesen sich durch die Kontaktierplatte
hindurch erstreckenden leitenden Verbindungen einerseits und den
Zwischenkontakten des Trägers
andererseits vorgesehen sein. Eine solche, höhergelegene Umverdrahtung ist
sogar vorteilhaft, um in dem Träger und
im Kontaktierkopf die Leitungszuführung zu optimieren.
-
Hinsichtlich der leitenden Verbindungen
und der Gegenkontakte ist vorzugsweise vorgesehen, daß die Gegenkontakte
Füllungen
von Bohrungen oder von geätzten,
lasergebrannten oder auf andere Weise erzeugten Öffnungen in der Kontaktierplatte sind.
Gegenkontakte und leitende Verbindungen bilden in diesem Fall eine
Einheit, die durch herkömmliche
lithographische Prozeßschritte
herstellbar ist.
-
Vorzugsweise ist zwischen der rückseitigen Fläche der
Kontaktierplatte und der Auflagefläche des Trägers eine Schicht aus einem
nicht-spröden, temperaturbedingten
mechanischen Spannungen nachgebenden Material angeordnet. Dieses
Material ermöglicht
eine Wärmeausdehnung
der Kontaktierplatte unabhängig
vom Kontaktierkopf und kann aus wärme-isolierenden Materialien
hergestellt sein. Dadurch wird die bei Wärmeunterschieden zwischen der
Kontaktierplatte und dem Träger
bestehenden Wärmeunterschieden
erreichbare Kontaktierzeit, während
der keine seitlichen Verschiebungen der Gegenkontakte relativ zu
den substratseitigen Kontakten bestehen, verlängert und ein elektrischer
Test erleichtert. Die angesprochenen Umverdrahtungen können in
Form von Leiterbahnen in oder an dieser Schicht vorgesehen sein.
-
Eine Weiterbildung der Erfindung
sieht vor, daß die
Kontaktierplatte ablösbar
am Träger
befestigt ist und daß die
rückseitigen
Zwischenkontakte durch Lötverbindungen
mit den Zwi schenkontakten des Trägers
verbunden sind. Hierbei wird der Träger als Basiseinheit für eine Vielzahl
verschieden ausgebildeter Kontaktierplatten eingesetzt, welche wahlweise alternativ
zueinander auf dem Träger
befestigt werden können,
um unterschiedliche Substrate mit unterschiedlichen integrierten
Halbleiterschaltungen elektrisch zu testen. Insbesondere die elektrischen Verbindungen
zwischen den Zwischenkontakten des Trägers und der Kontaktierplatte
werden zu diesem Zweck als Lötverbindungen
ausgebildet, welche nachträglich
wieder entfernbar sind, wenn eine andere Kontaktierplatte an dem
Träger
befestigt werden soll.
-
Vorzugsweise ist vorgesehen, daß das Substrat
ein Halbleitersubstrat ist. Insbesondere ist vorgesehen, daß das Material
der Kontaktierplatte und des Substrats Silizium ist.
-
Ferner ist vorgesehen, daß eine Außenfläche der
Kontaktierplatte dieselbe Größe wie eine
Vorderfläche
des Substrats besitzt. Die Kontaktierplatte in gleicher Größe wie das
zu testende Substrat ist somit für
den gleichseitigen Test aller auf dem Substrat angeordneten Chips
bzw. integrierten Schaltungen einsetzbar.
-
Vorzugsweise ist vorgesehen, daß die Anordnung
ferner mindestens ein zweites Substrat mit anders angeordneten elektrischen
Kontakten und eine zweite Kontaktierplatte mit anders angeordneten
elektrischen Gegenkontakten aufweist, wobei die Abstände der
Gegenkontakte der zweiten Kontaktierplatte voneinander mit den Abständen der
Kontakte des zweiten Substrats voneinander übereinstimmen. Dementsprechend
ist ein zweiter Satz aus einer Kontaktierplatte und einem ihr zugeordneten
Substrat vorgesehen, deren Kontakte und Gegenkontakte an einander
entsprechenden Positionen des Substrats und der Kontaktierplatte
angeordnet sind. Die Kontaktierplatte dieses Satzes ist gegen die
erste Kontaktierplatte austauschbar, so daß der Träger bei gleicher Leitungsführung auf
oder in dem Träger
für verschieden
strukturierte Substrate genutzt werden kann; eine Kontaktierplatte
mit entsprechend angepaßten,
d. h. auf der Kontaktierplattenfläche verteilten und angeordneten
Gegenkontakten ist jeweils auf den Träger aufbringbar und nach dem
elektrischen Test gegen andere Kontaktierplatten, zumindest gegen
eine zweite Kontaktierplatte austauschbar.
-
Die oben beschriebene Anordnung kann
vorzugsweise zum gleichzeitigen Kontaktieren einer Vielzahl elektrischer
Kontakte auf einem Substrat verwendet werden. Die Anordnung eignet
sich insbesondere dazu, einen elektrischen Funktionstest vieler integrierter
Schaltungen auf einem Substrat gleichzeitig zu ermöglichen.
-
Die Erfindung wird nachstehend mit
Bezug auf die Figuren beschrieben. Es zeigen:
-
1 eine
herkömmliche
Anordnung aus einem Substrat und einer Kontaktiereinrichtung,
-
2 die
herkömmliche
Anordnung im Falle einer seitlichen Dejustierung der Gegenkontakte
bei wechselnden Temperaturbedingungen,
-
2A eine
Ausschnittvergrößerung aus 2,
-
3 eine
erfindungsgemäße Anordnung,
-
4 die
erfindungsgemäße Anordnung
bei schwankenden Temperaturbedingungen und
-
5A und 5B eine erweiterte erfindungsgemäße Anordnung
mit zwei verschiedenen Substraten und Kontaktierplatten.
-
1 zeigt
ein Substrat 10 und eine darauf angeordnete Kontaktierplatte 20 einer
herkömmlichen
Anordnung, bei der , die Kontaktierplatte 20 nicht aus
dem gleichen Material wie das Substrat 10 besteht. Das
Substrat 10, vorzugsweise ein Halbleitersubstrat und insbesondere
ein Siliziumsubstrat, besitzt auf seiner Oberseite eine integrierte
Schaltung 11, die stellvertretend für eine Vielzahl kleinerer integrierter
Schaltungen einer Vielzahl von Chips des Substrats steht. Die Gliederung
der Schicht 11 in viele separate integrierte Schaltungen
ist daher in den Figuren nicht bildlich dargestellt; sie ist dem
Fachmann jedoch bekannt. Jede einem Halbleiterchip entsprechende
integrierte Schaltung 11 besitzt eine Vielzahl von Kontakten 12,
die offenliegen und von außen
kontaktierbar sind, um das Schaltverhalten des jeweiligen Chips
elektrisch zu überprüfen. Zu
diesem Zweck wird eine Kontaktiereinrichtung 20 mit einer Vielzahl
elektrischer Gegenkontakte 22 auf das Substrat aufgesetzt
und ein elektrischer Funktionstest durchgeführt, der Aufschluß über Herstellungsfehler geben
soll. Die Kontaktierplatte besteht aus einem massiven Material,
welches kein Halbleitermaterial ist. Die Gegenkontakte 22 sind
durch nicht näher
beschriebene Leitungen 32 mit äußeren Anschlüssen 31 der
Kontaktiereinrichtung verbunden.
-
2 zeigt
die Auswirkungen, die schwankende Temperaturen auf die Durchführung eines elektrischen
Funktionstests haben. In 2 entspricht
die Temperatur des Substrats und der Kontaktiereinrichtung, d. h.
die Umgebungstemperatur, nicht dem exakten Temperaturwert, der bei
der Konstruktion der Kontaktiereinrichtung zugrundegelegt und festgelegt
wurde, um ein möglichst
zuverlässiges Kontaktieren
aller Kontakte gleichzeitig zu ermöglichen. Infolge unterschiedlicher
Wärmeausdehnung des
Substrats und der Kontaktiereinrichtung treten seitliche Dejustierungen
der Gegenkontakte gegenüber
den substratseitigen Kontakten auf, und es werden einige Kontakte
schlecht und andere Kontakte gar nicht kontaktiert, so daß der Funktionstest
fehlschlägt.
-
2A zeigt
eine Ausschnittvergrößerung aus 2. Es ist zu erkennen, daß der zweite
Gegenkontakt von links in 2 nicht
mehr mittig über dem
Substratkontakt 12 angeordnet ist, sondern gegenüber diesem
nach links verschoben ist, so daß der Substratkontakt 12 wie
abgebildet am rechten Rand des Gegenkontakts 22 verbunden
ist. Eine zuverlässige
Kontaktierung ist hierbei nicht mehr möglich, der in 2 ganz links befindliche Gegenkontakt erreicht
den zugehörigen
Substratkontakt 12 nicht mehr.
-
3 zeigt
eine erfindungsgemäße Anordnung
aus einer Kontaktiereinrichtung 30, welche eine Kontaktierplatte 20,
die aus demselben Material besteht wie das Substrat 10,
und einen Träger 15 aufweist.
Der Träger 15 ist ähnlich wie
die herkömmliche Kontaktiereinrichtung 30 selbst
(1) ausgebildet; auf
ihm ist jedoch erfindungsgemäß eine zusätzliche Platte 20,
die denselben Längenausdehnungskoeffizienten α wie das
Substrat 10 besitzt, angeordnet, um auch bei schwankenden
Temperaturen eine zuverlässige
Kontaktierung sämtlicher
Kontakte des Substrats zu erzielen. Die Gegenkontakte 22,
die unmittelbar die Substratkontakte 12 kontaktieren, sind statt
auf dem Träger
auf der aus Substratmaterial gebildeten Kontaktierplatte ausgebildet
und durch elektrische Verbindungen 16 mit rückseitigen,
oberen Zwischenkontakten 13 der Kontaktierplatte 20 verbunden.
Die leitenden Verbindungen 16 sind beispielsweise Füllungen
von Bohrungen 18 oder Füllungen
von geätzten,
lasergebrannten oder auf andere Weise erzeugten Öffnungen 18 in der
Kontaktierplatte 20. Die rückseitigen Zwischenkontakte 13 sind durch
elektrische Verbindungen 33, welche vorzugsweise Lötverbindungen 33 sind,
mit entsprechenden Zwischenkontakten 14 des Trägers 15 verbunden, von
wo aus sie wie in herkömmlicher
Weise durch Leitungen 32 mit äußeren Anschlüssen 31 verbunden
sind. Die Lötverbindungen 33 sind
von einer Schicht 17 aus einem wieder von dem Träger 15 ablösbaren Material
umgeben. Dieses Material ist vorzugsweise so gewählt, daß es die Wärmeleitung zwischen der Kontaktierplatte 20 und
dem Träger 15 so weit
wie möglich
reduziert. Zudem ist dieses Material ein nicht-sprödes, temperaturbedingten
mechanischen Spannungen nachgebendes Material, wel ches auch bei
schwankenden Temperaturen die Kontaktierplatte 20 zuverlässig mit
dem Träger 15 verbindet.
-
Auf der dem Substrat 10 zugewandten
Seite der Kontaktiereinrichtung 30 besteht somit eine aus Substratmaterial
bestehende Schicht 20, die sich in gleicher Weise wie das
Substrat 10 ausdehnt oder zusammenzieht. Die in 2a auftretende seitliche Dejustierung
der Gegenkontakte relativ zu den Kontakten des Substrats 10 treten
daher nicht mehr oder nur in geringerem Ausmaß auf.
-
4 zeigt
die erfindungsgemäße Anordnung
bei einer Temperatur T, die nicht mit der zum elektrischen Test
vorgesehenen Temperatur T0 übereinstimmt,
beispielsweise um einige zehn Grad, wenn möglich auch einige hundert Grad
von der Solltemperatur abweicht. Zwar dehnen sich die Kontaktierplatte 20 und
der Träger 15 auf
unterschiedliche Weise aus, jedoch ist die Ausdehnung der Kontaktierplatte 20 praktisch
identisch mit derjenigen des Substrats 10, so daß sämtliche
Gegenkontakte 22 zu den Substratkontakten 12 justiert
sind. Innerhalb der Außenfläche 20b der
Kontaktierplatte 20 und der Oberseite bzw. Oberfläche 10a des
Substrats 10 liegen somit die Kontakte 12 und
ihre Gegenkontakte 22 mittig aufeinander.
-
Auf der Rückseite 20a der Kontaktierplatte 20 kommt
es zu seitlichen Lageverschiebungen zwischen den rückseitigen
Zwischenkontakten 13 der Kontaktierplatte 20 und
den Zwischenkontakten 14 des Trägers 15, welche durch
eine geeignete Materialwahl und gegebenenfalls auch Umverdrahtung
der elektrischen Verbindungen 33 zwischen ihnen kompensiert
werden. Die innerhalb von Toleranzbereichen liegenden Verformungen
dieser elektrischen Verbindungen 33 sind am Beispiel der äußersten
linken und rechten elektrischen Verbindung 34 in 4 nur schematisch dargestellt. Ein verformbares
und bei Wärmeeinwirkung
nachgebendes Material der Schicht 17 sorgt für einen
Ausgleich der auftretenden thermischen Verspannungen. Aufgrund der
massiven Schicht der aus Substratmaterial bestehen den Kontaktierplatte 20 können jedoch
im unteren Bereich der Kontaktiereinrichtung 30 keine größeren lateralen,
d. h. in Richtung der Substratränder
auftretenden Verschiebungen mehr auftreten, wodurch erfindungsgemäß eine zuverlässige gleichzeitige
Kontaktierung aller Kontakte 12 ermöglicht wird.
-
Die 5A und 5B zeigen eine erweiterte Anordnung
mit zwei verschiedenen Substraten und Kontaktierplatten. Beide 5A und 5B zeigen jeweils denselben Träger 15 der
Kontaktiereinrichtung 30, jedoch in 5B verbunden mit einer ersten Kontaktierplatte 20 und
in 5A verbunden mit
einer zweiten Kontaktierplatte 25. Die erste Kontaktierplatte 20 besitzt
elektrische Gegenkontakte 22, die den Positionen elektrischer
Kontakte 12 eines ersten Substrats 10 entsprechen.
Dieses erste Substrat 10 ist in 5B anders ausgebildet als in den 1 bis 4 beschrieben; die dazugehörige Kontaktierplatte 20 zeigt
beispielhaft eine Umverdrahtung 19, die auf der Rückseite
der Kontaktierplatte 20 vorgesehen ist, um die veränderten
Positionen der Gegenkontakte 22 gegenüber beispielsweise in einem
Raster angeordneten Zwischenkontakten 14 des Trägers 15 anzupassen.
Bei dieser Ausführungsform
brauchen in der Zwischenschicht 17 in Höhe der elektrischen Verbindungen 34 keine
Umverdrahtungen in Form von Lötverbindungen
vorgesehen sein, was das elektrische Verbinden der Kontaktierplatte 20 mit
dem Träger 15 mittels
herkömmlicher
Lötverbindungstechniken
erleichtert.
-
Eine zweite Kontaktierplatte 25 ist
in 5A abgebildet; sie
ist auf gleiche Weise wie in den 3 und 4 mit dem Träger 15 verbunden.
Sie besitzt jedoch eine andere seitliche Verteilung von Gegenkontakten 27 als
die erste Kontaktierplatte 20. Insbesondere sind die elektrischen
Gegenkontakte 27 der zweiten Kontaktierplatte 25 so
angeordnet, daß mit ihnen
Substratkontakte 7 eines weiteren Halbleitersubstrats 5 kontaktiert
werden können.
In den 5A und 5B sind sowohl die Substrate 5, 10 als auch
die Kontaktierplatten 25, 20 gegeneinander ausgetauscht,
jedoch ist der Träger 15 in beiden
Fällen
identisch. Dadurch wird ein massiver Kontaktierkopf 15 für eine Vielzahl
unterschiedlich ausgebildeter integrierter Schaltungen, die elektrisch
zu testen sind, einsetzbar. Wie ein Vergleich der 5A und 5B zeigt,
weichen die seitlichen Anordnungen und Verteilungen der Kontakte 7, 12 beider
Substrate und der Gegenkontakte 27, 22 beider
Kontaktierplatten voneinander ab.
-
Mit der vorliegenden Erfindung wird
auch bei einer Vielzahl verschiedener Substrate eine seitliche Dejustierung
vermieden, sowohl die Substrate 5, 10 als auch
die dazugehörigen
Kontaktierplatten 25, 20 besitzen über einen
gewissen Temperaturbereich T, der einige zehn oder auch einige hundert
Grad Celsius umfassen kann, denselben thermischen Längenausdehnungskoeffizienten α, so daß sämtliche
Gegenkontakte lagerichtig die zugehörigen Substratkontakte kontaktieren.
-
Die vorliegende Erfindung ermöglicht einen Voll-Wafer-Kontakt, bei dem
nicht nur begrenzte Gebiete von beispielsweise wenigen Chips gleichzeitig kontaktiert
und elektrisch getestet werden können, sondern
sämtliche
Chips eines Wafers. Erfindungsgemäß wird die Kontaktierplatte
nicht als massiver Kontaktierkopf gefertigt, sondern als Interface
zwischen einem Kontaktierkopf oder Träger und dem zu testenden Substrat,
wobei die Kontaktierplatte aus dem gleichen Material wie das zu
kontaktierende Substrat besteht. Insbesondere kann auch vorgesehen
sein, daß verschiedene
Kontaktierplatten 25, 20 – entsprechend unterschiedlichen
Materialien der zu testenden Substrate 5, 10 – aus verschiedenen
Materialien bestehen, beispielsweise aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien.
Die Gegenkontakte können
Via-Bohrungen sein; die weitere Zwischenkontaktierung kann in Form
einer flexiblen Verbindung als Umverdrahtung ausgeführt sein.
Die erfindungsgemäß als Interface
ausgebildete Kontaktierplatte ist austauschbar, der Träger jedoch
für verschiedene Substrate
weiterverwendbar, die getestet werden müssen. Dabei wird eine erste
Kontaktierplatte (Interface 25) gegen eine zweite Kontaktierplatte
(In terface 20) ausgetauscht; ein thermisch mechanisch flexibles
Füllmaterial
für die
Schicht 17 und Lötverbindungen
als elektrische Verbindungen zwischen den Zwischenkontakten des
Trägers
und der jeweiligen Kontaktierplatte ermöglichen eine provisorische
Befestigung der jeweiligen Kontaktierplatte an dem universell einsetzbaren
Träger.
Schließlich
kann die Kontaktierplatte selbst ein gedünnter Wafer sein, dessen Schichtdicke
so weit reduziert worden ist, daß er eventuellen Biegebelastungen
in Richtung senkrecht zur Substratoberfläche standhält, die infolge unterschiedlicher
thermischer Ausdehnung des Trägers
und der Kontaktierplatte entstehen. Die beispielsweise über Mikrobohrungen
eingebrachten Gegenkontakte der Kontaktierplatte, die leitenden
Verbindungen zu den rückseitigen
Zwischenkontakten und die rückseitigen
Zwischenkontakte selbst können
mit den gleichen Techniken hergestellt und strukturiert werden,
welche bei der Fertigung integrierter Schaltkreise auf Halbleitersubstraten
eingesetzt werden.
-
- 5,
10
- Substrat
- 7,
12
- Kontakte
- 10a
- Substratvorderseite
- 11
- integrierte
Schaltung
- 13
- rückseitige
Zwischenkontakte
- 14
- Zwischenkontakte
des Trägers
- 15
- Träger
- 15a
- Auf
lagefläche
- 16
- elektrische
Verbindung
- 17
- Zwischenschicht
- 18
- Bohrung
oder Öffnung
- 20,
25
- Kontaktierplatte
- 20a
- rückseitige
Fläche
- 20b
- Außenfläche
- 22,
27
- Gegenkontakte
- 30
- Kontaktiereinrichtung
- 31
- Außenanschluß
- 32
- Leitung
- 33
- Lötverbindung
- 34
- verformte
Lötverbindung
- T,
T0
- Temperaturen
- α
- Längenausdehnungskoeffizient