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Die vorliegende Anmeldung betrifft eine Trägervorrichtung, eine elektrische Vorrichtung mit einer Trägervorrichtung und Verfahren zur Herstellung dieser.
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In der Patentschrift
US 5 983 492 A ist eine Trägervorrichtung für mikroelektronische Komponenten und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Trägervorrichtung beschrieben.
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In der Patentschrift
US 6 980 017 B1 ist eine Trägervorrichtung zum temporären elektrischen Kontaktieren von Halbleiterkomponenten angegeben und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Trägervorrichtung.
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In der Patentschrift
US 5 199 879 A ist eine Trägervorrichtung zum elektrischen Kontaktieren einer elektronischen Komponente beschrieben.
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Es sind Halbleiterchips bekannt, deren elektrische Anschlüsse alle auf der Unterseite angeordnet sind, über die die Halbleiterchips auf einem Substrat montiert werden. Beispielsweise sind lichtemittierende Halbleiterchips bekannt, die über elektrische Anschlussbereiche auf nur einer Seite elektrisch angeschlossen werden können. Aufgrund der üblichen Herstellungs- und anschließenden Montageweise, bei der die Anschlussbereiche auf der Oberseite von bereits zuvor hergestellten Halbleiterschichtenfolgen aufgebracht werden, die dann anschließend als Unterseite zur Montage auf einem Träger verwendet wird, werden solche Halbleiterchips auch als so genannte „Flip-Chips“ bezeichnet.
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Bei derartigen Halbleiterchips ergibt sich der Vorteil, dass für den elektrischen Anschluss beispielsweise keine Drahtkontakte, etwa in Form von so genannten Bonddrähten, mehr notwendig sind.
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Speziell bei so genannten „Powerchips“, die vorzugsweise mit hohen Strömen betrieben werden, ist es vorteilhaft, die Chips für eine gute Entwärmung auf ein Substrat aufzulöten. Eine charakteristische Eigenschaft von Lötverbindungen ist die mechanische hohe Steifigkeit. Um Schäden am Halbleiterchip oder der Montageverbindung des Chips zu vermeiden, werden als Substratmaterialien vorzugsweise Materialien mit einem an den Halbleiterchip angepassten thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE: „coefficient of thermal expansion“) eingesetzt. Ein solcher Ansatz führt zu einer guten Zuverlässigkeit der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip und dem Substrat. Bei angepasstem CTE, das bedeutet insbesondere gleichem oder zumindest vergleichbarem CTE, werden nur geringe mechanische Spannungen zwischen dem Halbleiterchip und dem Substrat aufgebaut. Auch unter thermomechanischer Wechselbeanspruchung kann so eine gute Zuverlässigkeit erreicht werden, da die durch einen CTE-Mismatch, also einen Unterschied in den thermischen Ausdehnungskoeffizienten, hervorgerufenen mechanischen Spannungen minimiert werden können.
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Jedoch weist dieser Ansatz den Nachteil auf, dass geeignete Substratmaterialien gefunden werden müssen, die einen an den CTE eines Halbleiterchips angepassten CTE aufweisen sowie elektrisch isolierend und thermisch gut leitfähig sind. Die gängigen Substratmaterialien für lichtemittierende Halbleiterchips weisen einen CTE im Bereich zwischen 4 bis 6 ppm/Kelvin auf. Diese werden oft mit keramischen Platinen als Substrate kombiniert, beispielsweise aus Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid, wobei beispielsweise der CTE von AlN im Bereich von 6 bis 7 ppm/Kelvin liegt. Ein derartiges Material hat jedoch den Nachteil, dass es sehr teuer ist.
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Ist das Substrat weiterhin großflächig ausgebildet, weist also eine geometrisch größere Ausdehnung als der Halbleiterchip auf, wird das CTE-Mismatch-Problem von der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip und dem Substrat zur Grenzfläche zwischen dem Substrat und einer Montagefläche, auf der das Substrat angeordnet wird, verlagert. Die Montagefläche besteht in aller Regel aus Metall und ist üblicherweise um ein Vielfaches größer als die Chip-Substrat-Grenzfläche. Damit ist der CTE-Mismatch zumindest an der Grenzfläche zwischen dem Substrat und der Montagefläche ebenfalls problematisch.
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Weiterhin sind keramische Substratmaterialien wie beispielsweise Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid für den Einsatz in größeren Modulen nur bedingt geeignet. Durch die geringe Duktilität dieser Materialien kann es zu mechanischen Problemen wie etwa einem Panel-Bruch kommen. Durch die hohen Kosten beispielsweise beim Einsatz von Aluminiumnitrid werden die Produktionskosten gesteigert und somit die Wirtschaftlichkeit gefährdet.
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Als Alternative bieten sich beispielsweise Metallkernplatinen an. Diese Materialien weisen ein Metallblech, beispielsweise aus Aluminium, auf, das mit einem Dielektrikum beschichtet ist. Auf der Oberfläche des Dielektrikums ist die eigentliche Verschaltungsebene mit den Chipmontageflächen aufgebracht. Metallkernplatinen (MCPCB: „metal core printed circuit board“) haben jedoch einen CTE von üblicherweise etwa 23 ppm/Kelvin im Fall von Aluminium als Metallkern. Damit ist der CTE eines solchen MCPCBs um etwa einen Faktor vier größer als der CTE gängiger Halbleiterchipmaterialien. Bei Temperaturwechselbeanspruchungen werden durch diesen CTE-Mismatch Kräfte aufgebaut, die zum Versagen des schwächsten Elements führen können. Für den Fall, dass nur geringe Verlustleistungen abgeführt werden müssen, können auch FR4-Materialien als Substrat eingesetzt werden, die typischerweise einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 16 ppm/Kelvin aufweisen. In allen diesen Fällen passen jedoch die CTEs von Halbleiterchip und Substrat nicht zusammen. Bei Temperaturwechselbeanspruchung werden Kräfte aufgebaut, die zur Beschädigung des Halbleiterchips und/oder der Grenzfläche beziehungsweise Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Substrat führen können.
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Um dieses Problem lösen zu können, ist es auch bekannt, einen Halbleiterchip mittels einer elastischen Verbindung an ein Substrat mit einem unterschiedlichen CTE anzubinden. Bei diesem Ansatz erfolgt die Montage mittels eines organischen Materials, beispielsweise eines Leitklebers, dessen Materialien eine elastische Verformung der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip und dem Substrat ermöglichen. Dadurch können zwar mechanische Kräfte abgepuffert werden, jedoch weisen typische Leitkleber eine geringe thermische Leitfähigkeit von üblicherweise etwa 1,8 W/m·K auf, so dass die Verlustwärme, die während des Betriebs von üblichen Halbleiterchips entstehen kann, nicht effektiv abgeführt werden kann.
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Alternativ dazu ist es auch möglich, Halbleiterchips mittels eines so genannten „solder bump arrays“ vergleichbar der Technik, wie sie beim Aufbau von so genannten „ball grid array“-Bauteilen eingesetzt wird, zu kontaktieren. Bei diesem Ansatz wird durch die Aufteilung der Metallisierung auf viele kleine Lötstellen eine mechanische Flexibilität der Grenzfläche zwischen Halbleiterchip und Substrat erreicht. Jedoch ist hierdurch keine flächige Anbindung eines Halbleiterchips an ein Substrat möglich. Durch den notwendigen Abstand zwischen den Lötkugeln („solder bumps“) kommt es zu erheblichen Verlusten in der Anbindungsfläche. Das Abführen der Verlustwärme durch diese Anbindung ist deutlich schlechter verglichen mit einer flächigen Anbindung.
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Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, eine Trägervorrichtung für ein elektrisches Bauelement anzugeben. Eine weitere Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, eine elektrische Vorrichtung mit einer Trägervorrichtung anzugeben. Weitere Aufgaben von bestimmten Ausführungsformen liegen darin, Verfahren zur Herstellung dieser anzugeben.
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Diese Aufgaben werden durch Gegenstände und Verfahren mit den Merkmalen gemäß der folgenden Beschreibung gelöst.
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Die Erfindung betrifft eine Trägervorrichtung gemäß Anspruch 1, eine elektrische Vorrichtung mit einer solchen Trägervorrichtung gemäß Anspruch 7 sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Trägervorrichtung gemäß Anspruch 11.
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Insbesondere sind vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Gegenstände und der Verfahren in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist eine Trägervorrichtung für ein elektrisches Bauelement einen Träger auf. Der Träger weist insbesondere eine elektrisch isolierende Schicht auf, die aus einem dielektrischen Material, beispielsweise einem Kunststoffmaterial oder einem mit anorganischen Füllstoffen gefüllten Kunststoffmaterial, einem Keramikmaterial, einem oxidierten Metall oder Halbmetall, einem Glas, einer Glaskeramik oder einem gelbasiertem Lack, insbesondere einem Hybrid aus anorganischen und organischen Bestandteilen, besteht oder zumindest ein solches Material aufweist. Beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht ein Kunststoffmaterial aufweisen, das für Leiterplatten (PCB, „printed circuit board“) oder für Metallkernplatinen (MCPCB) geeignet ist. Beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht FR4 aufweisen oder daraus sein. Es ist auch möglich, dass die elektrisch isolierende Schicht aus einer anodisch oxidierten Metall- oder Halbmetallfolie gebildet wird, beispielsweise aus anodisch oxidiertem Silizium oder Aluminium. Die elektrisch isolierende Schicht kann Teil eines Schichtverbunds sein, der den Träger bildet. Beispielsweise kann der Träger als Metallkernplatine ausgeführt sein und eine Metallschicht oder Metallfolie beispielsweise aus Aluminium und/oder Kupfer aufweisen, das mit einem Kunststoffmaterial umhüllt oder beschichtet ist. Weiterhin kann der Träger aus der elektrisch isolierenden Schicht bestehen. Beispielsweise kann der Träger in diesem Fall ein Keramikträger sein.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Trägervorrichtung als Leiterplatte, als Metallkernplatine beziehungsweise Leiterplatte mit Metallkern, als Keramikträger oder als anodisch oxidierter Träger ausgebildet.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist auf dem Träger eine elektrische Kontaktschicht angeordnet. Insbesondere ist die elektrische Kontaktschicht auf der elektrisch isolierenden Schicht angeordnet. Mit anderen Worten bildet die elektrisch isolierende Schicht eine Oberfläche des Trägers, auf der die elektrische Kontaktschicht in direktem Kontakt aufgebracht wird.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform zur Herstellung einer Trägervorrichtung wird ein Träger mit zumindest einer elektrisch isolierenden Schicht bereitgestellt und eine elektrische Kontaktschicht wird in Form einer Metallschicht, beispielsweise einer Kupferschicht, aufgebracht. Das aufbringen kann durch galvanisches Aufbringen oder durch Auflaminieren auf der elektrisch isolierenden Schicht des Trägers erfolgen. Dabei kann die elektrische Kontaktschicht mit Hilfe einer vorher auf den Träger aufgebrachten Fotomaske oder Fotoschicht strukturiert aufgebracht werden.
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Für zumindest einige Ausführungsformen kann es vorteilhaft sein, wenn die elektrische Kontaktschicht mit einer Dicke von größer oder gleich 60 µm aufgebracht wird. Als besonders geeignet hat sich auch eine Dicke von größer oder gleich 60 µm und kleiner oder gleich 80 µm erwiesen.
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Die hier und im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale beziehen sich gleichermaßen auf die Trägervorrichtung und auf Verfahren zur Herstellung einer Trägervorrichtung sowie auch auf Verfahren zur Herstellung von elektrischen Vorrichtungen mit der Trägervorrichtung.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktschicht zumindest einen stegförmigen Kontaktbereich auf. Beispielsweise kann die metallische Kontaktschicht bei der Herstellung einer Trägervorrichtung mit einem stegförmigen Kontaktbereich aufgebracht werden. Stegförmig bedeutet hier und im Folgenden vor allem, dass der stegförmige Kontaktbereich entlang einer Stegerstreckungsrichtung eine Länge aufweist, die größer als eine senkrecht zu dieser gerichtete Breite ist. Insbesondere kann die Länge um ein Mehrfaches, beispielsweise das Doppelte oder mehr, die Breite übersteigen. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der stegförmige Kontaktbereich bewegbar auf dem Träger angeordnet. Insbesondere kann der stegförmige Kontaktbereich elastisch auf dem Träger bewegbar sein. Der stegförmige Kontaktbereich kann insbesondere in einer Richtung senkrecht zur Stegerstreckungsrichtung bewegbar, bevorzugt elastisch bewegbar sein.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrisch isolierende Schicht zumindest an zwei Seitenflächen des stegförmigen Kontaktbereichs eine Aussparung auf. Die Aussparung kann jeweils insbesondere durch eine Vertiefung in der elektrisch isolierenden Schicht oder durch eine Öffnung, die durch die elektrisch isolierende Schicht hindurch ragt, in der elektrisch isolierenden Schicht gebildet werden. Als Seitenfläche des stegförmigen Kontaktbereichs wird hier und im Folgenden eine Randfläche des Kontaktbereichs bezeichnet, die bevorzugt parallel oder zumindest im Wesentlichen parallel zur Stegerstreckungsrichtung des stegförmigen Kontaktbereichs verläuft.
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Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel ist der stegförmige Kontaktbereich zwischen zwei Aussparungen angeordnet. Die zwei Aussparungen sind besonders bevorzugt angrenzend an den beiden Seitenflächen des stegförmigen Kontaktbereichs angeordnet.
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Gemäß einer weiteren besonders bevorzugten Ausführungsform ist der stegförmige Kontaktbereich bis auf eine Seite allseitig von einer oder mehreren Aussparungen in der elektrisch isolierenden Schicht umgeben, die besonders bevorzugt direkt an den stegförmigen Kontaktbereich angrenzen. Mit anderen Worten kann das bedeuten, dass der stegförmige Kontaktbereich halbinselförmig ausgebildet ist.
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Durch die Ausbildung der zumindest zwei Aussparungen in der elektrisch isolierenden Schicht wird der Teil der elektrisch isolierenden Schicht, auf dem der stegförmige Kontaktbereich der elektrischen Kontaktschicht aufgebracht wird, zumindest teilweise von der übrigen elektrisch isolierenden Schicht zumindest in einer Richtung senkrecht zur Stegerstreckungsrichtung des stegförmigen Kontaktbereichs mechanisch entkoppelt. Dadurch kann eine Beweglichkeit des stegförmigen Kontaktbereichs und des darunter liegenden stegförmigen Bereichs der elektrisch isolierenden Schicht in lateraler Richtung, also senkrecht zur Stegerstreckungsrichtung, ermöglicht werden. Die Beweglichkeit kann dabei umso größer sein, je kleiner die Breite im Vergleich zur Länge des stegförmigen Kontaktbereichs ist und je tiefer die Aussparung in die elektrisch isolierende Schicht hineinragt.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Träger als Metallkernplatine ausgeführt, wobei die Aussparung durch die elektrisch isolierende Schicht bis zur darunter liegenden Metallschicht reicht.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktschicht zwei stegförmige Kontaktbereiche auf, zwischen denen eine Aussparung in der elektrisch isolierenden Schicht ausgebildet ist. Insbesondere können die zwei stegförmigen Kontaktbereiche zueinander gerichtet, also mit anderen Worten entlang einer Linie, angeordnet sein und parallele Stegerstreckungsrichtungen aufweisen. Insbesondere können die zwei stegförmigen Kontaktbereiche elektrisch leitend über weitere Bereiche der elektrischen Kontaktschicht miteinander verbunden sein.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktschicht einen Anschlussbereich auf, der über weitere Bereiche der elektrischen Kontaktschicht mit dem einen oder mehreren stegförmigen Kontaktbereichen elektrisch leitend verbunden ist.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Kontaktschicht einen weiteren Kontaktbereich auf, der vom stegförmigen Kontaktbereich elektrisch isoliert ist. Der stegförmige Kontaktbereich und der weitere, von diesem elektrisch isolierte Kontaktbereich können zwei elektrische Anschlüsse bilden, mittels derer ein elektrisches Bauelement, insbesondere beispielsweise ein Flip-Chip, elektrisch und mechanisch angeschlossen werden kann. Dadurch kann es möglich sein, dass durch die Beweglichkeit des stegförmigen Kontaktbereichs der Abstand zwischen dem stegförmigen Kontaktbereich und dem weiteren Kontaktbereich variiert werden kann.
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Weiterhin kann zumindest eine der Aussparungen in der elektrisch isolierenden Schicht zwischen dem stegförmigen Kontaktbereich und dem weiteren von diesem isolierten Kontaktbereich angeordnet sein. Die zumindest eine Aussparung kann insbesondere angrenzend an die dem weiteren Kontaktbereich zugewandte Seitenfläche des stegförmigen Kontaktbereichs ausgebildet sein.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der weitere Kontaktbereich als großflächiges Anschlusspad für ein elektrisches Bauelement ausgebildet. Dadurch kann der weitere Kontaktbereich als effektive Wärmeableitung des elektrischen Bauelements dienen. Alternativ dazu kann der weitere Kontaktbereich ebenfalls stegförmig ausgebildet und, etwa durch die beschriebenen Maßnahmen, beispielsweise auch beweglich sein.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform werden die zumindest zwei Aussparungen in der elektrisch isolierenden Schicht durch zumindest teilweises Entfernen der elektrisch isolierenden Schicht zumindest an einer Seitenfläche des stegförmigen Kontaktbereichs ausgebildet. Hierzu kann beispielsweise ein Ätzverfahren verwendet werden, beispielsweise nasschemisches Ätzen oder Ionenätzen. Alternativ oder zusätzlich kann die zumindest eine Aussparung auch durch Laser bearbeiten und/oder Prägen in der elektrisch isolierenden Schicht ausgebildet werden. Insbesondere im Falle eines Ätzverfahrens kann die zumindest eine Aussparung mit Hilfe einer Fotomaske beziehungsweise einer Fotoschicht, die entsprechend strukturiert wird, ausgebildet werden.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der stegförmige Kontaktbereich eine sich zur elektrisch isolierenden Schicht hin verringernde Stegbreite auf. Die sich verringernde Stegbreite kann dabei zusätzlich oder alternativ zur vorab beschriebenen zumindest einen Aussparung ausgebildet sein. Insbesondere kann die Trägervorrichtung in Kombination mit den vorgenannten weiteren Merkmalen alternativ oder zusätzlich zur zumindest einen Aussparung in der elektrisch isolierenden Schicht einen stegförmigen Kontaktbereich mit einer sich zur elektrisch isolierenden Schicht verringernden Stegbreite aufweisen.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird zur Ausbildung der sich zur elektrisch isolierenden Schicht hin verringernden Stegbreite des stegförmigen Kontaktbereichs der stegförmige Kontaktbereich insbesondere an zumindest einer und bevorzugt an beiden Seitenflächen angeätzt oder unterätzt. Durch eine Anätzung der Seitenflächen kann erreicht werden, dass der stegförmige Kontaktbereich mit einer im Vergleich zu seiner der elektrisch isolierenden Schicht abgewandten Oberseite weniger breiten Grenzfläche immer noch in direktem Kontakt mit der elektrisch isolierenden Schicht angeordnet ist. Im Falle einer Unterätzung kann erreicht werden, dass der stegförmige Kontaktbereich zumindest in einem Teilbereich von der elektrisch isolierenden Schicht abgelöst ist und somit zumindest in diesem Teilbereich freitragend ausgebildet ist. Wie schon oben in Verbindung mit den Aussparungen in der elektrisch isolierenden Schicht beschrieben, kann durch die sich verringernde Stegbreite des stegförmigen Kontaktbereichs in eine Richtung zur isolierenden Schicht eine Beweglichkeit, besonderes bevorzugt eine elastische Beweglichkeit, des stegförmigen Kontaktbereichs in einer Richtung senkrecht zur Stegerstreckungsrichtung erreicht werden.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird ein Ätzverfahren, insbesondere nasschemisches Ätzen oder Ionenätzen, zur Ausbildung des sich zur isolierenden Schicht hin verringernden Stegbreite des stegförmigen Kontaktbereichs verwendet. Alternativ dazu kann auch ein Laserbearbeiten und/oder ein Prägen durchgeführt werden. Insbesondere in Verbindung mit einem Ätzverfahren kann zuvor ein Fotolack beziehungsweise eine eine Maske bildende Fotoschicht aufgebracht werden, die in Bereichen der Seitenflächen des stegförmigen Kontaktbereichs zumindest teilweise entfernt wird.
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Bei der Durchführung des Ätzverfahrens mittels geeigneter Maßnahmen erreicht werden, dass die der elektrisch isolierenden Schicht zugewandte Unterseite des stegförmigen Kontaktbereichs stärker als dessen Oberseite geätzt wird. Beispielsweise kann hierzu vor dem Ätzverfahren eine Hartmaske, beispielsweise eine galvanisch abgeschiedene Maske, auf der elektrischen Kontaktschicht aufgebracht werden. Die Hartmaske kann beispielsweise eine Schicht mit Nickel, mit Nickel und Gold oder mit Nickel, Palladium und Gold aufweisen oder daraus sein.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform werden die Oberflächen der elektrischen Kontaktschicht nach der Ausbildung der zumindest einen Aussparung und/oder nach der Ausbildung des sich zur elektrisch isolierenden Schicht hin verringernden Stegquerschnitts beziehungsweise der sich verringernden Stegbreite durch Aufbringen einer oder mehrerer weiterer Metallschichten veredelt. Beispielsweise können die eine oder mehreren Metallschichten durch ein stromloses Galvanikverfahren aufgebracht werden. Insbesondere können dabei eine oder mehrere Schichten aufgebracht werden, die Nickel und Gold, die Nickel, Palladium und Gold, die Nickel und Silber oder die Silber aufweisen oder daraus sind.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist eine elektrische Vorrichtung eine Trägervorrichtung gemäß den vorher beschriebenen Ausführungsformen auf. Weiterhin ist auf der elektrischen Vorrichtung ein elektrisches Bauelement angeordnet, dass an dem zumindest einen stegförmigen Kontaktbereich elektrisch und mechanisch angeschlossen ist. Der elektrische und mechanische Anschluss kann insbesondere durch eine Lötverbindung ausgebildet sein, die eine hohe Festigkeit und eine effiziente Wärmeableitung vom elektrischen Bauelement zur elektrischen Kontaktschicht ermöglichen kann. Weiterhin kann der elektrische und mechanische Anschluss durch eine Sinterverbindung ausgebildet sein, die eine geringe Duktilität aufweist und eine gute thermische Anbindung des Halbleiterchips ermöglicht. Insbesondere kann die Trägervorrichtung für die elektrische Vorrichtung die oben beschriebenen Kontaktbereiche aufweisen, so dass der weitere Kontaktbereich und der stegförmige Kontaktbereich zwei elektrische Anschlüsse zur elektrischen Kontaktierung und zur Montage des elektrischen Bauelements bilden können.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weisen das elektrische Bauelement und die Trägervorrichtung unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten (CTE) auf. Beispielsweise kann die Trägervorrichtung als Leiterplatte, Metallkernplatine, Keramikplatine oder anodisch oxidierte Metall- oder Halbmetallfolie, beispielsweise mit Silizium oder Aluminium, ausgebildet sein. Der CTE der Trägervorrichtung kann im Falle einer Metallkernplatine als Träger im Wesentlichen dem CTE des Metallkerns entsprechen. Die Trägervorrichtung kann beispielsweise einen größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als das elektrische Bauelement aufweisen. Im Falle einer Erwärmung der Trägervorrichtung und/oder des elektrischen Bauelements und einer damit verbundenen ungleichen thermischen Ausdehnung dieser können thermomechanische Spannungen durch die Beweglichkeit des stegförmigen Kontaktbereichs aufgrund der zumindest einen Aussparung oder der sich zu isolierenden Schicht hin verringernden Stegbreite des stegförmigen Kontaktbereichs kompensiert werden. Dadurch kann eine hohe Zuverlässigkeit des elektrischen und mechanischen Anschlusses des elektrischen Bauelements an der Trägervorrichtung erreicht werden, insbesondere auch bei thermomechanischer Wechselbeanspruchung. Durch einen vorzugsweise großflächigen weiteren Kontaktbereich der elektrischen Kontaktschicht können eine gute thermische Anwendung des elektrischen Bauelements an die Trägervorrichtung und damit eine effektive Entwärmung des elektrischen Bauelements erreicht werden. Da die CTE von Trägervorrichtung und elektrischem Bauelement bei der hier beschriebenen elektrischen Vorrichtung nicht gleich sein müssen, können kostengünstige Substratmaterialien wie beispielsweise Metallkernplatinen anstelle von im Stand der Technik verwendeten teuren Aluminiumnitridkeramiksubstraten verwendet werden.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die Trägervorrichtung oder die elektrische Vorrichtung auf einem Kühlkörper angeordnet. Der Kühlkörper wird vorzugsweise auf einer der elektrischen Kontaktschicht und dem elektrischen Bauelement abgewandten Seite angeordnet. Beispielsweise kann der Kühlkörper ein metallischer Kühlkörper sein. Bei den für die hier beschriebene Trägervorrichtung verwendbaren Trägermaterialien kann der Unterschied im thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Trägervorrichtung und dem Kühlkörper gering und im Idealfall gleich Null gewählt werden, so dass nur geringe oder keine thermomechanischen Spannungen zwischen der Trägervorrichtung und dem zusätzlichen Kühlkörper auftreten.
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Die hier beschriebenen Trägermaterialien können insbesondere auch mechanisch sehr robust sein, beispielsweise im Falle einer Metallkernplatine, beispielsweise mit einer Aluminiumschicht als Metallkern. Mechanische Spannungsspitzen, wie sie beispielsweise durch Verschraubungen, Quetschungen, Verbiegungen oder ähnliche mechanische Belastungen hervorgerufen werden können, können dann durch eine plastische Verformung der Trägervorrichtung abgebaut werden. Das Risiko eines Panel-Bruchs ist somit, verglichen zu einem keramischen Substrat wie einer Aluminiumnitridkeramik, um ein Vielfaches kleiner.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die elektrische Vorrichtung eine Vielzahl von elektrischen Bauelementen auf, von denen jedes auf der Trägervorrichtung auf jeweils einem stegförmigen Kontaktbereich und weiterhin beispielsweise auch auf einem weiteren Kontaktbereich aufgebracht ist.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das elektrische Bauelement als einseitig kontaktierbarer Halbleiterchip ausgebildet, der zumindest zwei getrennt voneinander zu kontaktierende Anschlussflächen auf der Montageseite aufweist, also der Seite, mit der der Halbleiterchip auf den Träger aufgesetzt wird. Beispielsweise kann der einseitig kontaktierbar Halbleiterchip als Flip-Chip ausgebildet sein. Besonders bevorzugt ist das elektrische Bauelement als lichtemittierender Halbleiterchip ausgebildet, insbesondere als einseitig kontaktierbarer Licht emittierender Halbleiterchip, etwa als ausgebildeter lichtemittierender Flip-Chip-Halbleiterchip. Derartige Bauelemente sind dem Fachmann bekannt und werden daher hier nicht weiter ausgeführt. Die elektrische Vorrichtung kann im Falle eines lichtemittierenden Halbleiterchips insbesondere als lichtemittierende Vorrichtung ausgebildet sein.
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Durch die hier beschriebene Trägervorrichtung ist es möglich, mittels geeigneter mechanischer Strukturen, insbesondere den stegförmigen Kontaktbereich und die zumindest eine Aussparung in der elektrisch isolierenden Schicht und/oder die sich zur isolierenden Schicht hin verringernde Stegbreite des stegförmigen Kontaktbereichs, die an den Grenzflächen zwischen der Trägervorrichtung und einem auf der Trägervorrichtung montierten elektrischen Bauelement auftretenden mechanischen Spannungen zu minimieren. Dadurch kann das Ausfallrisiko bei thermomechanischen Beanspruchungen reduziert werden. Wie vorab beschrieben, kann dies dadurch ermöglicht werden, dass Teile der elektrisch isolierenden Schicht gezielt entfernt werden und/oder dass die elektrische Kontaktschicht und insbesondere der stegförmige Kontaktbereich gezielt angeätzt oder unterätzt wird, wobei der stegförmige Kontaktbereich so ausgeformt ist, dass eine mechanische Elastizität eingebaut und so der stegförmige Kontaktbereich flexibel ausgebildet wird.
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Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Beispielen.
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Es zeigen:
- 1 eine schematische Darstellung einer Trägervorrichtung gemäß einem Beispiel,
- 2 eine schematische Darstellung einer elektrischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Beispiel,
- 3A bis 3H schematische Darstellungen von Verfahrensschritten eines Verfahrens zur Herstellung einer Trägervorrichtung gemäß einem weiteren Beispiel und
- 4A bis 4D schematische Darstellungen von weiteren Beispielen für Kontaktbereiche.
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In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein.
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In 1 ist ein Ausführungsbeispiel für eine Trägervorrichtung 100 gezeigt. Die Trägervorrichtung 100 weist einen Träger 1 auf, der im gezeigten Ausführungsbeispiel eine elektrisch isolierende Schicht 10, gebildet aus einem Kunststoffmaterial, beispielsweise einem Kunststoffmaterial für Platinen oder Leiterplatten, gebildet wird, die auf einer Trägerschicht aus einem Metall, beispielsweise Aluminium, angeordnet ist. Beispielsweise können die elektrisch isolierende Schicht 10 und die Trägerschicht 11 Teile einer Metallkernplatine (MCPCB) sein, so dass der Träger 1 als Metallkernplatine ausgebildet ist.
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Auf der elektrisch isolierenden Schicht 10 ist eine elektrische Kontaktschicht 2 aufgebracht, die eine Verschaltungsebene der Trägervorrichtung 100 bildet. Wie im Folgenden im Zusammenhang mit den 3C und 3D in Verbindung mit einem weiteren Ausführungsbeispiel beschrieben, kann die elektrische Kontaktschicht 2 beispielsweise mittels einer Fotomaske aus einem strukturierbaren Fotolack hergestellt werden. Die elektrische Kontaktschicht kann beispielsweise Kupfer aufweisen oder aus Kupfer sein, das galvanisch oder durch Auflaminieren aufgebracht wird. Weiterhin kann die elektrische Kontaktschicht weitere Schichten beispielsweise Schichten mit Nickel, Nickel und Gold, Nickel, Palladium und Gold, Nickel und Silber oder Silber in Form von einer Hartmaske oder einer Veredelung auf der der elektrisch isolierenden Schicht 10 abgewandten Oberfläche oder auf allen freiliegenden Oberflächen aufweisen.
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Die elektrische Kontaktschicht weist im gezeigten Ausführungsbeispiel stegförmige Kontaktbereiche 20 auf, die über weitere Bereiche der elektrischen Kontaktschicht 2 elektrisch miteinander und mit einem Anschlussbereich 23 verbunden sind. Alternativ zum gezeigten Ausführungsbeispiel mit den zwei stegförmigen Kontaktbereichen 20 kann die elektrische Kontaktschicht 2 beispielsweise auch nur einen stegförmigen Kontaktbereich oder mehr als zwei stegförmige Kontaktbereiche aufweisen.
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Weiterhin weist die elektrische Kontaktschicht 2 einen weiteren Kontaktbereich 22 auf, der über weitere Bereiche der elektrischen Kontaktschicht 2 mit einem weiteren Anschlussbereich 24 verbunden ist. Die stegförmigen Kontaktbereiche 20 und der weitere Kontaktbereich 22 sind voneinander elektrisch isoliert und dienen dem elektrischen Anschluss und der Befestigung eines elektrischen Bauelements, wie weiter unten in Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel in 2 gezeigt ist.
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In der elektrisch isolierenden Schicht 10 ist eine Aussparung 3 in Form einer Vertiefung, angrenzend an die Seitenflächen 21 der stegförmigen Kontaktbereiche 20 ausgebildet. Die Aussparung weist eine Tiefe auf, die geringer ist als die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht. Alternativ dazu kann die Aussparung 3 auch als Öffnung in der elektrisch isolierenden Schicht 10 ausgebildet sein, die bis zur Trägerschicht 11 hindurchragt. Im gezeigten Ausführungsbeispiel reicht die Vertiefung 3 von den stegförmigen Kontaktbereichen 20 bis zum weiteren Kontaktbereich 22.
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Die beiden stegförmigen Kontaktbereiche 20, die zueinander gerichtet und in einer Linie mit ihren jeweiligen Stegerstreckungsrichtungen angeordnet sind, sind durch einen Teil der Aussparung 3 voneinander getrennt. Insbesondere sind beide stegförmigen Kontaktbereiche 20 bis auf eine Seite jeweils allseitig von Bereichen der Aussparung 3 umgeben. Dadurch sind die stegförmigen Kontaktbereiche 20 mit anderen Worten halbinselartig beziehungsweise bis auf jeweils eine Seite freistehend ausgebildet. Die Breite der stegförmigen Kontaktbereiche 20 ist jeweils um ein Mehrfaches kleiner als die jeweilige Steglänge. Durch die Aussparung 3 ist der Bereich der elektrisch isolierenden Schicht 10 unterhalb der stegförmigen Kontaktbereiche 20 der elektrischen Kontaktschicht 2 mechanisch vom übrigen Teil der elektrisch isolierenden Schicht 10 getrennt und weist aufgrund des Kunststoffmaterials der elektrisch isolierenden Schicht 10 und der geometrischen Ausbildung der stegförmigen Kontaktbereiche eine Flexibilität, insbesondere eine elastische Flexibilität, in der mit dem Doppelpfeil 99 in Richtung auf. Dadurch kann der Abstand zwischen den stegförmigen Kontaktbereichen 20 und dem weiteren Kontaktbereich 22 im Rahmen der Beweglichkeit der stegförmigen Kontaktbereiche 20 variiert werden. Die Flexibilität der stegförmigen Kontaktbereiche 20 ist umso größer, je schmäler die stegförmigen Kontaktbereiche 20 sind und je tiefer die Aussparung 3 ausgebildet ist.
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Die Aussparung 3 kann beispielsweise unter Verwendung derselben Fotomaske, mittels derer die elektrische Kontaktschicht 2 strukturiert aufgebracht wird, hergestellt werden, in dem nach dem Aufbringen der elektrischen Kontaktschicht 2 die Fotomaske in den Bereichen, in denen die Aussparung 3 ausgebildet werden soll, entfernt wird und die so frei gelegte elektrisch isolierende Schicht durch Ätzen, beispielsweise nasschemisches Ätzen oder Ionenätzen oder auch Laserbearbeitung zumindest teilweise entfernt wird. Alternativ dazu ist auch ein Prägen möglich.
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In 2 ist ein Ausführungsbeispiel für eine elektrische Vorrichtung 200 gezeigt, die eine Trägervorrichtung 100 gemäß dem Ausführungsbeispiel in 1 aufweist. Alternativ dazu kann die elektrische Vorrichtung 200 auch eine Trägervorrichtung 101 aufweisen, wie sie in Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel der 3A bis 3H beschrieben ist.
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Die elektrische Vorrichtung 200 weist, wie vorab in Verbindung mit der Trägervorrichtung 100 des Ausführungsbeispiels in 1 beschrieben ist, auf der elektrisch isolierenden Schicht 10 eine strukturierte Kontaktschicht 2.
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Auf der elektrischen Kontaktschicht 2 ist ein elektrisches Bauelement 4 aufgebracht, das elektrisch und mechanisch sowohl an die stegförmigen Kontaktbereiche 20 als auch an den weiteren Kontaktbereich 22 elektrisch und mechanisch angeschlossen ist. Das elektrische Bauelement ist dabei auf den stegförmigen Kontaktbereichen 20 und dem weiteren Kontaktbereich 22 der elektrischen Kontaktschicht 2 aufgelötet. Über die Anschlussbereiche 23 und 24 kann das elektrische Bauelement 4 elektrisch an eine externe Strom- und Spannungsversorgung angeschlossen werden.
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Das elektrische Bauelement ist insbesondere als Flip-Chip, und besonders bevorzugt als lichtemittierender Halbleiterchip in Flip-Chip-Bauweise ausgebildet. Dadurch kann die elektrische Vorrichtung 200 auch als lichtemittierende Vorrichtung ausgebildet sein.
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Durch das Einbringen der Aussparung 3 in die elektrisch isolierende Schicht 10 des als Metallkernplatine ausgebildeten Trägers 1 wird die laterale Beweglichkeit der durch die stegförmigen Kontaktbereiche 20 gebildete Anschlussmetallisierung vergrößert, wie in 1 durch den Doppelpfeil 99 angedeutet ist. Das elektrische Bauelement 4 weist rein beispielhaft einen für lichtemittierende Halbleiterchips typischen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 4 ppm/Kelvin auf, während die Trägerschicht 11, die im gezeigten Ausführungsbeispiel aus Aluminium ist, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 23 ppm/Kelvin aufweist. Durch die beschriebene laterale Beweglichkeit der Anschlussmetallisierung werden die Kräfte vermindert, die durch die ungleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE-Mismatch) des elektrischen Bauelements 4 und der Trägervorrichtung 100, insbesondere also des Trägers 1 und dabei vor allem der Trägerschicht 11 aus Aluminium, verursacht werden. Bei thermomechanischen Belastungen, wie sie beispielsweise durch die Erwärmung des elektrischen Bauelements 4 im Betrieb entstehen können, werden somit hohe Zuverlässigkeiten erzielt, da die Belastungen auf die Verbindung beziehungsweise Grenzfläche zwischen der elektrischen Kontaktschicht 2 und dem elektrischen Bauelement 4 minimiert werden können.
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Wie im allgemeinen Teil beschrieben ist, kann die elektrische Vorrichtung 200 mit der der isolierenden Schicht 10 abgewandten Seite des Trägers 1 auf einem Kühlkörper, beispielsweise einem metallischen Kühlkörper, aufgebracht werden. Aufgrund der Trägerschicht 11 aus Aluminium treten vorzugsweise nur geringe oder keine thermomechanischen Belastungen zwischen der Trägervorrichtung 100 und dem zusätzlichen Kühlkörper auf.
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Durch die großflächige Ausbildung des weiteren Kontaktbereichs 22 und den elektrischen Anschluss des elektrischen Bauelements 4 an die elektrische Kontaktschicht 2 mittels einer Lötverbindung kann ein effektiver Wärmeabtransport vom elektrischen Bauelement 4 auf die Trägervorrichtung 100 gewährleistet werden.
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Alternativ zum gezeigten Ausführungsbeispiel ist es auch möglich, den Kontaktbereich 22 stegförmig auszubilden und die elektrisch isolierende Schicht 10 an den Seitenflächen des weiteren Kontaktbereichs mit einer entsprechenden Vertiefung zu versehen, um die Elastizität der elektrischen Kontaktschicht weiter zu erhöhen.
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Alternativ zum gezeigten Ausführungsbeispiel mit nur einem elektrischen Bauelement 4 kann die elektrische Vorrichtung 200 auch eine Mehrzahl von elektrischen Bauelementen 4 aufweisen, die jeweils mittels entsprechenden elektrischen Kontaktschichten 2 kontaktiert sind.
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In den 3A bis 3H ist ein weiteres Ausführungsbeispiel zur Herstellung einer Trägervorrichtung 101 gezeigt, wobei insbesondere die in den 3A bis 3E beschriebenen Verfahrensschritte auch Im Rahmen der Herstellung der Trägervorrichtung 100 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 geeignet sind.
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In einem ersten Verfahrensschritt gemäß der 3A wird ein Träger 1 bereitgestellt, der im gezeigten Ausführungsbeispiel durch eine elektrisch isolierende Schicht 10 aus einem Keramikmaterial gebildet ist. Alternativ dazu kann die elektrisch isolierende Schicht 10 auch aus einem Kunststoffmaterial, beispielsweise einem FR4-Material, gebildet sein. Ein solches Material ist beispielsweise geeignet, wenn nicht allzu große Wärmemengen abgeleitet werden müssen. Alternativ dazu kann der Träger 1 auch wie im Ausführungsbeispiel gemäß der 1 als Metallkernplatine oder alternativ dazu auch als Leiterplatte, Glassubstrat, Glaskeramiksubstrat oder anodisch oxidierte Metall- oder Halbmetallfolie, beispielsweise aus anodisch oxidiertem Silizium oder Aluminium, ausgebildet sein.
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In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß der 3B wird auf die elektrisch isolierende Schicht 10 des Trägers 1 eine Schicht 5 aus einem Fotolack aufgebracht. Wie in 3C gezeigt ist, wird der Fotolack 5 durch Strukturierung mit Öffnungen 50 versehen, in denen, wie in 3D gezeigt ist, eine elektrische Kontaktschicht 2 aufgebracht wird. Diese kann beispielsweise durch ein Galvanikverfahren oder durch Auflaminieren aufgebracht werden. Die elektrische Kontaktschicht ist im gezeigten Ausführungsbeispiel aus Kupfer und weist eine Dicke von größer oder gleich 60 µm und kleiner oder gleich 80 µm auf. Die geometrische Ausbildung der elektrischen Kontaktschicht 2 mit den stegförmigen Kontaktbereichen 20, dem weiteren Kontaktbereich 22 und den Anschlussbereichen 23 und 24 entspricht der des Ausführungsbeispiels gemäß 1. Alternativ dazu ist auch eine andere geometrische Ausführung mit zumindest einem stegförmigen Kontaktbereich 20 möglich.
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In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß der 3E wird die aufgebrachte Kupferschicht der elektrischen Kontaktschicht 2 mit einer Hartmaske, die galvanisch abgeschieden wird und die beispielsweise Nickel, Nickel und Gold oder Nickel, Palladium und Gold aufweist oder daraus ist, geschützt.
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In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 3F wird die Schicht 5 in einem Bereich der stegförmigen Kontaktbereiche 20 der elektrischen Kontaktschicht 2 unter Ausbildung einer weiteren Öffnung 51 lokal entfernt. Alternativ dazu können beispielsweise auch die Schicht 5 gänzlich entfernt und eine weitere Schicht aus einem Fotolack aufgebracht und im gezeigten Bereich strukturiert werden.
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In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß der 3G wird ein Ätzverfahren durchgeführt, beispielsweise ein nasschemisches Ätzen oder Ionenätzen, mittels dem die offen liegenden Seitenflächen 21 der stegförmigen Kontaktbereiche 20 angeätzt werden, so dass die stegförmigen Kontaktbereiche 20 eine sich zu isolierenden Schicht 10 des Trägers 1 hin verringernde Stegbreite aufweisen. Je nach durchgeführtem Ätzverfahren können die Seitenflächen 21 dabei angeätzt werden, so dass weiterhin ein Kontakt zwischen den stegförmigen Kontaktbereichen 20 und der isolierenden Schicht 10 bestehen bleibt, oder auch unterätzt werden, so dass die stegförmigen Kontaktbereiche im Bereich der Öffnung 51 der Fotomaske 5 frei tragend sind.
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In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß der 3H wird die Schicht 5 aus dem Fotolack entfernt und die Metalloberflächen der elektrischen Kontaktschicht 2 werden mittels stromloser Galvanik durch Aufbringen von einer oder mehreren Schichten, beispielsweise aus Nickel und Gold, aus Nickel, Palladium und Gold, aus Nickel und Silber oder aus Silber, bedeckt und dadurch veredelt.
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Durch das lokal begrenzte Abätzen der freiliegenden Seitenflächen 21 der stegförmigen Bereiche 20 wird eine Schwächung des Materialquerschnitts der elektrischen Kontaktschicht 2 im Bereich der stegförmigen Kontaktbereiche 20 erreicht. Durch diese Anätzung und bevorzugt durch eine Unterätzung der schmalen stegförmigen Kontaktbereiche 20 wird die elektrische Kontaktschicht 2 im Bereich der stegförmigen Kontaktbereiche 20 flexibel. Mechanische Kräfte, die durch Unterschiede in thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Träger 1 und einem darauf aufgebrachten elektrischen Bauelement auftreten können, werden dadurch minimiert und können nicht übertragen werden.
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In den 4A bis 4D sind Ausschnitte von Trägern 1 mit einer elektrisch isolierenden Schicht 10 mit weiteren Ausführungsbeispielen für Anordnungen von Kontaktbereichen 20, 22 einer elektrischen Kontaktschicht 2 gezeigt. Die Kontaktbereiche 20, 22 können dabei mittels eines der vorab beschriebenen Verfahren hergestellt werden, beispielsweise mit einer Aussparung 3, wie in den 4A bis 4D durch die gestrichelten Linien angedeutet ist. Alternativ oder zusätzlich können die Kontaktbereiche 20, 22 im gestrichelten Bereich jeweils mit einer sich zum Träger 1 hin verringernder Stegbreite ausgeführt sein.
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In den gezeigten Ausführungsbeispielen der 4A bis 4C sind zusätzlich zum jeweils vorhandenen stegförmigen Kontaktbereich 20 weitere Kontaktbereiche 22 vorgesehen, die ebenfalls stegförmig ausgebildet sind.
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Die Kontaktbereiche 20, 22 gemäß dem Ausführungsbeispiel in 4A sind nebeneinander ausgebildet und erstrecken sich in dieselbe Richtung, während der stegförmige Kontaktbereich 20 und die weiteren Kontaktbereiche 22 in den Ausführungsbeispielen der 4B und 4C zahnförmig ineinandergreifen. Die weiteren Kontaktbereiche 22 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4C sind dabei miteinander verbunden und weisen eine gemeinsame Zuleitung zu einem gemeinsamen Anschlussbereich (nicht gezeigt) auf.
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Gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4D weist der Träger 1 eine Mehrzahl von stegförmigen Kontaktbereichen 20 auf, die miteinander elektrisch verbunden sind und um einen weiteren Kontaktbereich 22 herum angeordnet sind. Der weitere Kontaktbereich 22 ist dabei im gezeigten Ausführungsbeispiel kreuzförmig ausgebildet, so dass die stegförmigen Kontaktbereiche 20 vorzugsweise in zwei senkrecht zueinander stehenden Richtungen relativ zum weiteren Kontaktbereich 22 flexibel ausgebildet sind.
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Alternativ zu den gezeigten Ausführungsbeispielen können auf dem Träger noch weitere Kontaktbereiche vorhanden sein, die beispielsweise auch stegförmig ausgebildet sein können. Insbesondere können die Kontaktbereiche 20, 22 an vorgegebene Anordnungen von Kontaktflächen von zu montierenden Halbleiterchips angepasst werden.
