KR20140053203A - 캐리어 장치, 캐리어 장치를 포함하는 전기 장치 및 이들의 제조 방법 - Google Patents

캐리어 장치, 캐리어 장치를 포함하는 전기 장치 및 이들의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전기 소자용 캐리어 장치에 관한 것으로, 전기 절연층(10)을 포함하는 캐리어(1)와 전기 절연층(10) 상에 전기 콘택층(2)을 포함하고, 전기 콘택층(2)은 적어도 하나의 브리지형 콘택 영역(20)을 포함하고, 적어도 하나의 리세스(3)는 절연층(10) 내에서 적어도 브리지형 콘택 영역(20)의 측면(21)에 배치되고 및/또는 브리지형 콘택 영역(20)은 절연층(10)을 향해 감소하는 브리지 폭을 갖는다. 또한, 본 발명은 캐리어 장치와 전기 소자를 포함하는 전기 장치 및 캐리어 장치와 전기 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

캐리어 장치, 캐리어 장치를 포함하는 전기 장치 및 이들의 제조 방법{CARRIER DEVICE, ELECTRICAL DEVICE HAVING A CARRIER DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME}
본 발명은 캐리어 장치, 캐리어 장치를 포함하는 전기 장치 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 칩들을 기판에 실장하기 위한 하측면 마다 배치된 전기 접속부를 가진 반도체 칩들이 공지되어 있다. 예를 들어 하나의 측면에만 있는 전기 접속 영역에 의해 전기 접속될 수 있는 발광 반도체 칩들이 공지되어 있다. 나중에 캐리어 상에 실장을 위한 하측면으로 이용되는, 먼저 제조된 반도체 층 시퀀스의 상측면에 접속 영역이 제공되는 일반적인 제조- 및 후속하는 실장 방법에 근거하여 이러한 반도체 칩은 소위 "플립-칩(Flip-Chips)"이라고도 한다.
이러한 반도체 칩은, 전기 접속을 위해 예컨대 소위 본딩 와이어 형태의 와이어 콘택을 더 이상 필요로 하지 않는 장점을 제공한다.
특히 바람직하게 고전류로 작동되는 "파워칩(Powerchips)"의 경우에, 칩은 양호한 가열을 위해 기판에 납땜하는 것이 바람직하다. 납땜 연결의 특성은 기계적으로 높은 강성이다. 반도체 칩의 손상 또는 칩의 실장 연결부의 손상을 방지하기 위해, 기판 재료로서 바람직하게 반도체 칩에 맞게 조정된 열팽창 계수(CTE:"coefficient of thermal expansion")를 갖는 재료가 사용된다. 이러한 방법은 반도체 칩과 기판 사이의 경계면의 양호한 신뢰성을 제공한다. 조정된 CTE의 경우에, 즉 특히 동일한 또는 적어도 유사한 CTE의 경우에 반도체 칩과 기판 사이에 약간의 기계적 응력만이 형성된다. 열기계적 교번 응력 하에서도 양호한 신뢰성이 달성될 수 있는데, 그 이유는 CTE-미스매치(Mismatch), 즉 열팽창 계수의 차이에 의해 야기된 기계적 응력이 최소화될 수 있기 때문이다.
그러나 이러한 방법은 반도체 칩의 CTE에 맞게 조정된 CTE를 갖고 전기 절연성이고 열적으로 양호한 전도성인 적절한 기판 재료를 찾아야만 하는 단점을 갖는다. 발광 반도체 칩을 위한 일반적인 기판 재료는 4 내지 6 ppm/Kelvin의 CTE를 갖는다. 이러한 재료는 대개 예컨대 알루미나 또는 질화알루미늄으로 이루어진 기판인 세라믹 기판과 조합되고, 이 경우 예를 들어 AIN의 CTE는 6 내지 7 ppm/Kelvin이다. 그러나 이러한 재료는 매우 고가라는 단점을 갖는다.
또한, 기판이 대면적으로 형성되는 경우에, 즉 반도체 칩보다 구조적으로 더 큰 연장부를 갖는 경우에, CTE-미스매치의 문제점은 반도체 칩과 기판 사이의 경계면으로부터 기판과 기판이 배치된 실장면 사이의 경계면으로 옮겨진다. 실장면은 일반적으로 금속으로 이루어지고, 대개는 칩-기판-경계면보다 수배 크다. 따라서 적어도 기판과 실장면 사이의 경계면에서 CTE-미스매치가 마찬가지로 문제가 된다.
또한, 예를 들어 알루미나 또는 질화알루미늄과 같은 세라믹 기판 재료들은 대형 모듈에서 사용에 제한적으로만 적합하다. 이러한 재료들의 낮은 연성으로 인해 패널 파손과 같은 기계적인 문제들이 나타날 수 있다. 예컨대 질화알루미늄의 사용 시 높은 비용으로 인해 생산 비용이 증가하므로 경제성이 저하된다.
대안으로서 예를 들어 금속 코어 기판들이 제공된다. 상기 재료들은 유전체로 코팅된 금속 시트, 예를 들어 알루미늄을 포함할 수 있다. 유전체의 표면에 칩 실장면을 가진 배선 평면이 제공된다. 금속 코어 회로기판들(MCPCB: "metal core printed circuit board")은 금속 코어가 알루미늄인 경우에 일반적으로 대략 23 ppm/Kelvin의 CTE를 갖는다. 따라서 이러한 MCPCB의 CTE는 일반적인 반도체 칩 재료들의 CTE보다 팩터 4만큼 더 크다. 온도 변화 응력에서 이러한 CTE-미스매치에 의해 힘이 형성되고, 상기 힘은 가장 취성인 소자의 파손을 야기할 수 있다. 약간의 출력 손실만이 방출되어도 되는 경우에, 일반적으로 16 ppm/Kelvin의 열팽창 계수를 갖는 FR4-재료도 기판으로서 사용될 수 있다. 그러나 이러한 모든 경우에 반도체 칩과 기판의 CTE는 서로 매칭되지 않는다. 온도 변화 응력에서 반도체 칩의 및/또는 반도체 칩과 기판 사이의 경계면 또는 연결부의 손상을 야기할 수 있는 힘이 형성된다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 반도체 칩을 탄성 연결에 의해 상이한 CTE를 갖는 기판에 연결하는 것이 공지되어 있다. 이러한 방법에서 실장은 유기 재료, 예를 들어 도전성 접착제를 이용하여 이루어지고, 상기 접착제의 재료들은 반도체 칩과 기판 사이의 경계면의 탄성 변형을 가능하게 한다. 이로 인해 기계적 힘이 완충될 수 있지만, 일반적인 도전성 접착제는 대개 약 1.8 W/m·K 의 낮은 열 전도성을 가지므로, 통상적인 반도체 칩의 작동 중에 발생할 수 있는 손실 열이 효과적으로 방출될 수 없다.
이에 대한 대안으로서, 반도체 칩들이 소위 "볼 그리드 어레이(ball grid arrays)"-소자들의 구성 시 이용되는 기술과 유사하게 소위 "땜납 범프 어레이(solder bump arrays)"에 의해 접촉하는 것도 가능하다. 이러한 방법에서 다수의 작은 땜납 위치로 금속층이 분포됨으로써 반도체 칩과 기판 사이의 경계면의 기계적 유연성이 달성된다. 그러나 이로 인해 기판에 대한 반도체 칩의 표면 접속은 불가능하다. 땜납 볼들("solder bumps") 사이의 필수 간격으로 인해 접속면에서 상당한 손실이 발생한다. 이러한 접속을 통한 손실 열의 방출은 표면 접속에 비해 훨씬 저하된다.
본 발명의 적어도 하나의 과제는 전기 소자용 캐리어 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 과제는 캐리어 장치를 가진 전기 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 과제는 이러한 장치들의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제들은 하기 설명에 따른 특징들을 포함하는 대상 및 방법에 의해 해결된다.
특히, 대상 및 방법의 바람직한 실시예 및 개선예들은 종속 청구항에 특징화되고 하기 설명 및 도면에 제시된다.
적어도 하나의 실시예에 따라 전기 소자용 캐리어 장치는 캐리어를 포함한다. 캐리어는 특히 전기 절연층을 포함하고, 상기 절연층은 유전체 재료, 예를 들어 플라스틱 재료 또는 무기 충전 물질로 충전된 플라스틱 재료, 세라믹 재료, 산화 금속 또는 반금속, 유리, 유리 세라믹 또는 겔 기재 래커, 특히 무기 및 유기 성분들의 혼합물로 이루어지거나 또는 적어도 하나의 상기 재료를 포함한다. 예를 들어 전기 절연층은 플라스틱 재료를 포함할 수 있고, 상기 플라스틱 재료는 인쇄회로기판(PCB, "printed circuit board") 또는 금속 코어 기판(MCPCB)에 적합하다. 예를 들어 전기 절연층은 FR4를 포함할 수 있거나 이것으로 이루어질 수 있다. 또한, 전기 절연층은 양극 산화된 금속- 또는 반금속 필름으로, 예를 들어 양극 산화된 실리콘 또는 알루미늄으로 형성되는 것도 가능하다. 전기 절연층은 캐리어를 형성하는 층 복합체의 부분일 수 있다. 예를 들어 캐리어는 금속 코어 기판으로서 구현될 수 있고, 금속층 또는 금속 필름은 예를 들어, 플라스틱 재료로 커버 또는 코팅된 알루미늄 및/또는 구리로 이루어질 수 있다. 또한, 캐리어는 전기 절연층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어 캐리어는 이러한 경우에 세라믹 캐리어일 수 있다.
다른 실시예에 따라 캐리어 장치는 인쇄회로기판으로서, 금속 코어 기판으로서 또는 금속 코어를 가진 인쇄회로기판으로서 또는 양극 산화된 캐리어로서 형성된다.
다른 실시예에 따라 캐리어 위에 전기 콘택층이 배치된다. 특히 전기 콘택층은 전기 절연층 위에 배치된다. 다시 말해서 전기 절연층은 캐리어의 표면을 형성하고, 상기 표면에 전기 콘택층은 직접 접촉하도록 제공된다.
캐리어 장치의 제조를 위한 다른 실시예에 따라 적어도 하나의 전기 절연층을 포함하는 캐리어가 제공되고, 전기 콘택층은 금속층, 예를 들어 구리층의 형태로 마련된다. 이러한 마련은 캐리어의 전기 절연층 상에서 갈바니 전기적 마련 또는 적층에 의해 이루어질 수 있다. 이때 전기 콘택층은 먼저 캐리어 상에 적용된 포토마스크 또는 포토층에 의해 구조화되어 마련될 수 있다.
적어도 몇몇 실시예의 경우에, 60 ㎛보다 크거나 같은 두께를 가진 전기 콘택층이 마련되는 것이 바람직할 수 있다. 60 ㎛보다 크거나 같고 80 ㎛보다 작거나 같은 두께도 바람직한 것으로 입증되었다.
지금까지 및 하기에 설명되는 실시예와 특징들은 동일하게 캐리어 장치, 캐리어 장치의 제조 방법 및 캐리어 장치를 가진 전기 장치의 제조 방법과도 관련된다.
다른 실시예에 따라 전기 콘택층은 적어도 하나의 브리지형 콘택 영역을 포함한다. 예를 들어 금속 콘택층은 캐리어 장치의 제조 시 브리지형 콘택 영역과 함께 마련될 수 있다. 브리지형란 여기에서 및 하기에서 특히, 브리지형 콘택 영역이 브리지 연장 방향을 따라 이에 대해 수직인 폭보다 큰 길이를 갖는 것을 의미한다. 특히 길이는 수 배, 예를 들어 2배 이상 폭을 능가할 수 있다. 다른 실시예에 따라 브리지형 콘택 영역은 이동 가능하게 캐리어 상에 배치된다. 특히 브리지형 콘택 영역은 탄성에 의해 캐리어 상에서 이동 가능할 수 있다. 브리지형 콘택 영역은 특히 브리지 연장 방향에 대해 수직으로 이동 가능하고, 바람직하게 탄성적으로 이동 가능하다.
다른 실시예에 따라 전기 절연층은 적어도 브리지형 콘택 영역의 측면에 리세스를 갖는다. 리세스는 특히 홈에 의해 전기 절연층 내에 또는 전기 절연층을 통해 돌출한 개구에 의해 전기 절연층 내에 형성될 수 있다. 이 경우 및 하기에서 브리지형 콘택 영역의 브리지 연장 방향에 대해 바람직하게 평행하게 또는 적어도 실질적으로 평행하게 연장된 콘택 영역의 옆면은 브리지형 콘택 영역의 측면이라고 한다.
다른 실시예에 따라 브리지형 콘택 영역은 2개의 리세스 사이에 또는 하나의 리세스의 2개의 부분 영역 사이에 배치된다. 2개의 리세스 또는 하나의 리세스의 2개의 부분 영역은 특히 바람직하게 브리지형 콘택 영역의 2개의 측면에 인접하게 배치된다.
특히 바람직한 다른 실시예에 따라 브리지형 콘택 영역은 한 측면을 제외하고 모든 측면이 전기 절연층 내의 하나 이상의 리세스에 의해 둘러싸이고, 상기 절연층은 특히 바람직하게 브리지형 콘택 영역에 직접 인접한다. 다시 말해서 이는, 브리지형 콘택 영역이 반도 형태로 형성되는 것을 의미할 수 있다.
전기 절연층 내에 적어도 하나의 리세스가 형성됨으로써, 전기 콘택층의 브리지형 콘택 영역이 제공된 전기 절연층의 부분은 적어도 부분적으로 나머지 전기 절연층으로부터 적어도 브리지형 콘택 영역의 브리지 연장 방향에 대해 수직으로 기계적으로 디커플링된다. 이로 인해 측방향으로, 즉 브리지 길이 방향에 대해 수직으로 브리지형 콘택 영역 및 그 아래에 배치된, 전기 절연층의 브리지형의 영역의 이동이 가능해질 수 있다. 브리지형 콘택 영역의 길이에 비해 폭이 작을수록 그리고 리세스가 전기 절연층 내로 더 깊이 돌출할수록, 이동은 더 커질 수 있다.
다른 실시예에 따라 캐리어는 금속 코어 기판으로서 구현되고, 이 경우 리세스는 전기 절연층을 지나서 그 아래에 놓인 금속층까지 이른다.
다른 실시예에 따라 전기 콘택층은 2개의 브리지형 콘택 영역을 포함하고, 상기 콘택 영역들 사이에 전기 절연층 내의 리세스가 형성된다. 특히 브리지형의 2개의 콘택 영역들은 서로 정렬되어, 즉 다시 말해서 일렬로 배치될 수 있고, 평행한 브리지 연장 방향을 가질 수 있다. 특히 2개의 브리지형 콘택 영역들은 전기 콘택층의 다른 영역에 의해 서로 도전 접속될 수 있다.
다른 실시예에 따라 전기 콘택층은 접속 영역을 포함하고, 상기 접속 영역은 전기 콘택층의 다른 영역에 의해 하나 이상의 브리지형 콘택 영역에 도전 접속된다.
다른 실시예에 따라 전기 콘택층은 브리지형 콘택 영역으로부터 전기 절연된 추가 콘택 영역을 포함한다. 브리지형 콘택 영역과 상기 영역으로부터 전기 절연된 추가 콘택 영역은 2개의 접속부를 형성할 수 있고, 상기 접속부들에 의해 전기 소자, 특히 예를 들어 플립-칩이 전기 및 기계적으로 연결될 수 있다. 이로써, 브리지형 콘택 영역의 이동에 의해 브리지형 콘택 영역과 추가 콘택 영역 사이의 간격이 변동될 수 있다.
또한, 적어도 하나의 리세스는 전기 절연층 내에서 브리지형 콘택 영역과 상기 영역으로부터 절연된 추가 콘택 영역 사이에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 리세스는 특히 추가 콘택 영역을 향한 브리지형 콘택 영역의 측면에 인접하게 형성될 수 있다.
다른 실시예에 따라 추가 콘택 영역은 전기 소자를 위한 대면적 접속 패드로서 형성된다. 이로 인해 추가 콘택 영역은 전기 소자의 효과적인 방열부로서 이용될 수 있다. 이에 대한 대안으로서 추가 콘택 영역도 브리지형으로 형성될 수 있고, 예컨대 전술한 조치에 의해 예를 들어 이동 가능할 수도 있다.
다른 실시예에 따라 적어도 브리지형 콘택 영역의 측면에서 전기 절연층이 적어도 부분적으로 제거됨으로써 적어도 하나의 리세스가 전기 절연층내에 형성된다. 이를 위해 예를 들어 에칭 공정, 예컨대 습식 화학 에칭 또는 이온 에칭이 이용될 수 있다. 대안으로서 또는 추가로 적어도 하나의 리세스는 레이저 가공에 의해 및/또는 엠보싱에 의해 전기 절연층 내에 형성될 수 있다. 특히 에칭 공정의 경우에 적어도 하나의 리세스는 포토마스크 또는 상응하게 구조화된 포토층에 의해 형성될 수 있다.
다른 실시예에 따라 브리지형 콘택 영역은 전기 절연층을 향해 감소하는 브리지 폭을 갖는다. 감소하는 브리지 폭은 전술한 적어도 하나의 리세스에 추가로 또는 대안으로서 형성될 수 있다. 특히 캐리어 장치는 전술한 다른 특징들과 조합하여 전기 절연층 내의 적어도 하나의 리세스에 대안으로써 또는 추가로 전기 절연층을 향해 감소하는 브리지 폭을 갖는 브리지형 콘택 영역을 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따라 전기 절연층을 향해 감소하는 브리지형 콘택 영역의 브리지 폭을 형성하기 위해 브리지형 콘택 영역은 특히 적어도 하나의 그리고 바람직하게는 2개의 측면에서 에칭 또는 언더 에칭(underetching)된다. 측면의 에칭에 의해 브리지형 콘택 영역은 전기 절연층으로부터 떨어져 있는 그 상측면에 비해 넓지 않은 접촉면이 전기 절연층과 여전히 직접 접촉하도록 배치되는 것이 달성될 수 있다. 언더 에칭의 경우에, 브리지형 콘택 영역은 적어도 부분 영역에서 전기 절연층으로부터 분리되고 이로써 적어도 상기 부분 영역에서 자기 지지 방식으로 형성되는 것이 달성될 수 있다. 전기 절연층 내의 적어도 하나의 리세스와 관련해서 전술한 바와 같이, 절연층의 방향으로 감소하는 브리지형 콘택 영역의 브리지 폭에 의해 브리지 연장 방향에 대해 수직인 방향으로 브리지형 콘택 영역의 이동, 특히 탄성에 의한 이동이 이루어질 수 있다.
다른 실시예에 따라 절연층을 향해 감소하는 브리지형 콘택 영역의 브리지 폭의 형성을 위해 에칭 공정, 특히 습식 화학 에칭 또는 이온 에칭이 이용된다. 이에 대한 대안으로서 레이저 가공 및/또는 엠보싱이 실시될 수도 있다. 특히 에칭 공정과 관련해서 먼저 포토레지스트 또는 마스크를 형성하는 포토층이 마련될 수 있고, 상기 포토층은 브리지형 콘택 영역의 측면 영역에서 적어도 부분적으로 제거된다.
에칭 공정의 실행 시 적절한 조치에 의해, 전기 절연층을 향한 브리지형 콘택 영역의 하측면은 상기 영역의 상측면보다 더 많이 에칭되는 것이 달성된다. 예를 들어 이를 위해 에칭 공정 전에 경질 마스크, 예를 들어 갈바니 전기적으로 마련된 마스크가 전기 콘택층에 적용될 수 있다. 경질 마스크는 예를 들어 니켈, 니켈과 금 또는 니켈, 팔라듐 및 금을 가진 층을 포함할 수 있거나 또는 이것으로 이루어질 수 있다.
다른 실시예에 따라 전기 콘택층의 표면은 적어도 하나의 리세스의 형성 후에 및/또는 전기 절연층을 향해 감소하는 브리지 횡단면 또는 감소하는 브리지 폭의 형성 후에 하나 이상의 다른 금속층의 마련에 의해 정제된다. 예를 들어 하나 이상의 금속층은 무전류 전기도금 공정에 의해 마련될 수 있다. 특히 니켈과 금, 니켈, 팔라듐 및 금, 니켈과 은 또는 은을 포함하거나 이것으로 이루어진 하나 이상의 층이 마련될 수 있다.
다른 실시예에 따라 전기 장치는 전술한 실시예에 따른 캐리어 장치를 포함한다. 또한, 전기 장치에 전기 소자가 배치되고, 상기 전기 소자는 저어도 하나의 브리지형 콘택 영역에 전기 및 기계적으로 연결된다. 전기 및 기계적 접속부는 특히 납땜 연결에 의해 형성될 수 있고, 상기 납땜 연결은 높은 강성과 전기 소자로부터 콘택 영역으로 효과적인 방열을 가능하게 할 수 있다. 또한, 전기 및 기계적 접속부는 소결 연결에 의해 형성될 수 있고, 상기 소결 연결은 낮은 연성을 갖고 반도체 칩의 양호한 열 접속을 가능하게 한다. 특히 전기 장치용 캐리어 장치는 전술한 콘택 영역들을 포함할 수 있으므로, 추가 콘택 영역과 브리지형 콘택 영역은 전기 접촉 및 전기 소자의 실장을 위한 2개의 전기 접속부를 형성할 수 있다.
다른 실시예에 따라 전기 소자와 캐리어 장치는 상이한 열팽창 계수(CTE)를 갖는다. 예를 들어 캐리어 장치는 인쇄회로기판으로서, 금속 코어 기판으로서, 세라믹 기판으로서 또는 예컨대 규소 또는 알루미늄을 포함하는 양극 산화된 금속- 또는 반금속 필름으로서 형성될 수 있다. 캐리어 장치의 CTE는 캐리어로서 금속 코어 플레이트의 경우에 실질적으로 금속 코어의 CTE에 상응할 수 있다. 캐리어 장치는 예를 들어 전기 소자보다 큰 열팽창 계수를 가질 수 있다. 캐리어 장치 및/또는 전기 소자의 가열 및 이와 관련해서 이들의 불균일한 열팽창 시 열기계적 응력은 적어도 하나의 리세스로 인한 또는 절연층을 향해 감소하는 브리지형 콘택 영역의 브리지 폭으로 인한 브리지형 콘택 영역의 이동에 의해 보상될 수 있다. 이로써 특히 열기계적 교번 응력에서도 캐리어 장치에 대한 전기 소자의 전기 및 기계적 접속부의 높은 신뢰성이 달성될 수 있다. 전기 콘택층의 바람직하게 대면적의 추가 콘택 영역에 의해 캐리어 장치로 전기 소자의 양호한 열 처리 및 전기 소자의 효과적인 방열이 이루어질 수 있다. 여기에 설명된 전기 장치의 경우 캐리어 장치와 전기 소자의 CTE들은 동일하지 않아도 되기 때문에, 선행기술에 사용된 고가의 질화알루미늄 세라믹 기판 대신 예를 들어 금속 코어 기판과 같은 저렴한 기판 재료들이 사용될 수 있다.
다른 실시예에 따라 캐리어 장치 또는 전기 장치는 히트 싱크 상에 배치된다. 히트 싱크는 바람직하게 전기 콘택층과 전기 소자로부터 떨어져 있는 측면에 배치된다. 예를 들어 히트 싱크는 금속 히트 싱크일 수 있다. 여기에 설명된 캐리어 장치에 사용될 수 있는 캐리어 재료들에서 캐리어 장치와 히트 싱크 사이의 열팽창 계수의 차이는 작게 바람직하게는 거의 0으로 선택될 수 있으므로, 캐리어 장치와 추가 히트 싱크 사이에 작은 열기계적 응력만이 발생하거나 또는 열기계적 응력이 발생하지 않는다.
여기에 설명된 캐리어 재료들은 예를 들어 금속 코어로서 알루미늄층을 가진 금속 코어 기판의 경우에, 특히 기계적으로도 매우 강성일 수 있다. 예를 들어 나사 조임, 핀칭, 밴딩 또는 이와 유사한 기계적 응력에 의해 야기될 수 있는 것과 같은 기계적 응력 피크는 캐리어 장치의 소성 변형에 의해 감소할 수 있다. 이로써 패널 파손의 위험은 질화알루미늄 세라믹과 같은 세라믹 기판에 비해 수 배 더 작다.
다른 실시예에 따라 기계 장치는 다수의 전기 소자를 포함하고, 상기 소자들 중 캐리어 장치 상의 각각의 소자는 브리지형 콘택 영역에 그리고 또한 예를 들어 추가 콘택 영역에도 제공된다.
다른 실시예에 따라 전기 소자는 한측면으로 접촉 가능한 반도체 칩으로서 형성되고, 상기 반도체 칩은 실장면에, 즉 반도체 칩을 캐리어에 배치하기 위한 측면에 서로 분리된 적어도 2개의 접촉할 접속면을 갖는다. 예를 들어 한 측면으로 접촉 가능한 반도체 칩은 플립-칩으로서 형성될 수 있다. 특히 바람직하게 전기 소자는 발광 반도체 칩으로서, 특히 한 측면으로 접촉 가능한 발광 반도체 칩으로서, 예컨대 발광 플립-칩-반도체 칩으로 형성된다. 이러한 소자들은 당업자에게 공지되어 있으므로 여기에서 더 이상 설명되지 않는다. 전기 장치는 발광 반도체 칩의 경우에 특히 발광 장치로서 형성될 수 있다.
여기에 설명된 캐리어 장치에 의해, 적절한 기계적 구조를 이용해서, 특히 브리지형 콘택 영역과 전기 절연층 내의 적어도 하나의 리세스 및/또는 절연층을 향해 감소하는 브리지형 콘택 영역의 브리지 폭, 즉 캐리어 장치와 캐리어 장치에 실장된 전기 소자 사이의 경계면에서 발생하는 기계적 응력을 최소화하는 것이 가능하다. 이로 인해 열기계적 응력 시 파손 위험이 감소할 수 있다. 전술한 바와 같이, 이는 전기 절연층의 부품들이 의도대로 제거되고 및/또는 전기 콘택층 및 특히 브리지형 콘택층이 의도대로 에칭 또는 언더 에칭됨으로써 가능해지고, 이 경우 브리지형 콘택 영역은, 기계적 탄성이 적용되어 브리지형 콘택 영역이 유연하게 형성되도록 형상화된다.
본 발명의 다른 장점, 바람직한 실시예 및 개선예들은 하기에서 도면과 관련해서 설명된 실시예에 제시된다.
도 1은 실시예에 따른 캐리어 장치의 개략도.
도 2는 다른 실시예에 따른 전기 장치의 개략도.
도 3A 내지 도 3H는 다른 실시예에 따른 캐리어 장치의 제조를 위한 방법의 방법 단계들의 개략도.
도 4A 내지 도 4D는 콘택 영역의 다른 실시예들의 개략도.
실시예 및 도면에서 동일하거나 동일한 작용을 하는 구성부들에 각각 동일한 도면부호가 제공될 수 있다. 도면 및 도면에 도시된 소자들의 상호 크기 비율은 축척에 맞는 것으로 볼 수 없고, 오히려 개별 요소들, 예를 들어 층, 부품, 소자 및 영역들은 더 명확한 도시 및/또는 보다 나은 이해를 위해 과도하게 두껍게 또는 확대되어 도시될 수 있다.
도 1은 캐리어 장치(100)의 실시예를 도시한다. 캐리어 장치(100)는 캐리어(1)를 포함하고, 상기 캐리어는 도시된 실시예에서 플라스틱 재료, 예를 들어 기판 또는 인쇄회로기판용 플라스틱 재료로 형성된 전기 절연층(10)을 포함하고, 상기 절연층은 금속, 예를 들어 알루미늄 캐리어층 위에 배치된다. 예를 들어 전기 절연층(10)과 캐리어층(11)은 금속 코어 기판(MCPCB)의 부분일 수 있으므로, 캐리어(1)는 금속 코어 기판으로서 형성된다.
전기 절연층(10) 위에 전기 콘택층(2)이 제공되고, 상기 콘택층은 캐리어 장치(100)의 배선 평면을 형성한다. 하기에서 다른 실시예와 함께 도 3C 및 도 3D와 관련해서 설명된 바와 같이, 전기 콘택층(2)은 예를 들어 구조화될 수 있는 포토레지스트로 포토마스크에 의해 제조될 수 있다. 전기 콘택층은 예를 들어, 갈바니 전기적으로 또는 적층에 의해 마련되는 구리를 포함할 수 있거나 또는 구리로 이루어질 수 있다. 또한, 전기 콘택층은 전기 절연층(10)으로부터 떨어져 있는 표면에 또는 노출된 모든 표면에 경질 마스크 또는 정제부 형태의 다른 층, 예컨대 니켈, 니켈과 금, 니켈, 팔라듐 및 금, 니켈과 은 또는 은을 가진 층을 포함할 수 있다.
전기 콘택층은 도시된 실시예에서 브리지형 콘택 영역들(20)을 포함하고, 상기 콘택 영역들은 전기 콘택층(2)의 다른 영역에 의해 서로 및 접속 영역(23)에 전기 접속된다. 브리지형의 2개의 콘택 영역(20)을 포함하는 도시된 실시예에 대한 대안으로서 전기 콘택층(2)은 예를 들어 하나의 브리지형 콘택 영역 만을 또는 2개 이상의 브리지형 콘택 영역을 포함할 수도 있다.
또한, 전기 콘택층(2)은 추가 콘택 영역(22)을 포함하고, 상기 콘택 영역은 전기 콘택층(2)의 다른 영역에 의해 다른 접속 영역(24)에 연결된다. 계속해서 아래에 실시예와 관련해서 도 2에 도시된 바와 같이, 브리지형 콘택 영역(20) 과 추가 콘택 영역(22)은 서로 전기 절연되고, 전기 소자의 전기 접속 및 고정에 이용된다.
전기 절연층(10) 내에 홈 형태의 리세스(3)는 브리지형 콘택 영역(20)의 측면(21)에 인접하게 형성된다. 리세스는 전기 절연층의 두께보다 낮은 깊이를 갖는다. 이에 대한 대안으로서 리세스(3)는 개구로서 전기 절연층(10) 내에 형성될 수도 있고, 상기 개구는 캐리어층(11)까지 돌출한다. 도시된 실시예에서 홈(3)은 브리지형 콘택 영역(20)으로부터 추가 콘택 영역(22)까지 이른다.
서로 정렬되고 관련 브리지 연장 방향으로 일렬로 배치된 브리지형의 2개의 콘택 영역들(20)은 리세스(3)의 부분에 의해 서로 분리된다. 특히 브리지형의 2개의 콘택 영역들(20)은 한 측면을 제외하고 모든 측면이 각각 리세스(3)의 영역으로 둘러싸인다. 이로 인해 브리지형 콘택 영역들(20)은 다시 말해서 반도 형태로 또는 한 측면을 제외하고 각각 자기 지지 방식으로 형성된다. 브리지형 콘택 영역들(20)의 폭은 각각 관련 브리지 길이보다 수 배 작다. 리세스(3)에 의해 전기 콘택층(2)의 브리지형 콘택 영역(20) 아래의 전기 절연층(10)의 영역은 전기 절연층의 나머지 부분으로부터 기계적으로 분리되고, 전기 절연층(10)의 플라스틱 재료 및 브리지형 콘택 영역의 구조적 형상에 따라 이중 화살표(99) 방향으로 유연성, 특히 탄성적 유연성을 갖는다. 이로 인해 브리지형 콘택 영역(20)과 추가 콘택 영역(22) 사이의 간격은 브리지형 콘택 영역(20)의 이동 범위에서 변동될 수 있다. 브리지형 콘택 영역(20)이 좁고 길수록 그리고 리세스(3)가 깊게 형성될수록, 브리지형 콘택 영역(20)의 유연성은 커진다.
리세스(3)는 예를 들어 동일한 포토마스크를 이용하여 제조되고, 상기 포토 마스크에 의해 전기 콘택층(2)이 구조화되어 마련되고, 따라서 전기 콘택층(2)의 마련 후에 포토마스크는 리세스(3)가 형성되는 영역에서 제거되고, 노출된 전기 절연층은 에칭, 예를 들어 습식 화학 에칭 또는 이온 에칭 또는 레이저 가공에 의해서도 적어도 부분적으로 제거된다. 이에 대한 대안으로서 엠보싱도 가능하다.
도 2에는 도 1의 실시예에 따른 캐리어 장치(100)를 포함하는 전기 장치(200)의 실시예가 도시된다. 이에 대한 대안으로서 전기 장치(200)는 도 3A 내지 도 3H의 실시예와 관련해서 설명된 캐리어 장치(101)를 포함할 수도 있다.
전기 장치(200)는 먼저 도 1의 실시예의 캐리어 장치(100)와 관련해서 전술한 바와 같이, 전기 절연층(10) 위에 구조화된 콘택층(2)을 포함한다.
전기 콘택층(2) 위에 전기 소자(4)가 제공되고, 상기 전기 소자는 브리지형 콘택 영역(20) 및 추가 콘택 영역(22)에 전기 및 기계적으로 연결된다. 전기 소자는 브리지형 콘택 영역(20) 및 전기 콘택층(2)의 추가 콘택 영역(22) 위에 납땜된다. 접속 영역(23, 24)에 의해 전기 소자(4)는 외부 전원에 전기 접속될 수 있다.
전기 소자는 특히 플립-칩으로서 형성되고, 특히 바람직하게 플립-칩 구조 내의 발광 반도체 칩으로서 형성된다. 이로 인해 전기 장치(200)는 발광 장치로서 형성될 수도 있다.
금속 코어 기판으로서 형성된 캐리어(1)의 전기 절연 층(10) 내로 리세스(3)가 삽입됨으로써 브리지형 콘택 영역(20)에 의해 형성된 접속 금속층의 측방향 이동은 도 1에서 이중 화살표(99)로 도시된 바와 같이 확대된다. 전기 소자(4)는 예시적으로 발광 반도체 칩의 경우에 일반적인 대략 4 ppm/Kelvin의 열팽창 계수를 갖는 한편, 도시된 실시예에서 알루미늄으로 이루어진 캐리어층(11)은 23 ppm/Kelvin의 열팽창 계수를 갖는다. 접속 금속층의 전술한 측방향 이동으로 인해 전기 소자(4)와 캐리어 장치(100), 특히 캐리어(1), 그리고 특히 알루미늄 캐리어층(11)의 불균일한 열챙창 계수들(CTE-미스매치)에 의해 야기되는 힘이 감소한다. 이로써 예를 들어 작동 시 전기 소자(4)의 가열에 의해 발생할 수 있는 열기계적 응력에서 높은 신뢰성이 달성되는데, 그 이유는 전기 콘택층(2)과 전기 소자(4) 사이의 연결부 또는 경계면에 대한 응력이 최소화될 수 있기 때문이다.
일반 사항에서 설명된 바와 같이, 전기 장치(200)의 절연층(10)으로부터 떨어져 있는 캐리어(1)의 측면이 히트 싱크 상에, 예를 들어 금속 히트 싱크 상에 제공될 수 있다. 알루미늄 캐리어층(11)으로 인해 바람직하게 캐리어 장치(100)와 추가 히트 싱크 사이에 경미한 열기계적 응력만이 나타나거나 또는 전혀 나타나지 않는다.
추가 콘택 영역(22)의 대면적 형성으로 인해 그리고 납땜 연결에 의해 전기 콘택층에 전기 소자(4)의 접기 접속으로 인해 캐리어 장치(100)로 전기 소자(4)의 효과적인 방열이 보장될 수 있다.
도시된 실시예에 대한 대안으로서, 콘택 영역(22)을 브리지형으로 형성하고, 추가 콘택 영역의 측면에 있는 전기 절연층(10)에 상응하는 홈을 제공하는 것도 가능하므로, 전기 콘택층의 탄성이 더 높아질 수 있다.
하나의 전기 소자(4)만을 갖는 도시된 실시예에 대한 대안으로서 전기 장치(200)는 다수의 전기 소자(4)를 포함할 수도 있고, 상기 전기 소자들은 각각 상응하는 전기 콘택층(2)과 접촉한다.
도 3A 내지 도 3H에 캐리어 장치(101)의 제조를 위한 다른 실시예가 도시되고, 이 경우 특히 도 3A 내지 도 3E에서 설명된 방법 단계들은 도 1의 실시예에 따른 캐리어 장치(100)의 제조와 관련해서도 적합하다.
도 3A에 따른 제 1 방법 단계에서 캐리어(1)가 제공되고, 상기 캐리어는 도시된 실시예에서 세라믹 재료로 이루어진 전기 절연층(10)에 의해 형성된다. 이에 대한 대안으로서 전기 절연층(10)은 플라스틱 재료, 예를 들어 FR4-재료로 형성될 수도 있다. 이러한 재료는 예를 들어, 너무 많은 열량이 방출되지 않아도 되는 경우에 적합하다. 이에 대한 대안으로서 캐리어(1)는 도 1에 따른 실시예에서처럼 금속 코어 기판으로서 또는 이에 대한 대안으로서 인쇄회로기판, 유리 기판, 유리 세라믹 기판 또는 예컨대 양극 산화된 실리콘 또는 알루미늄으로 이루어진 양극 산화된 금속- 또는 반금속 시트로서 형성될 수도 있다.
도 3B에 따른 다른 방법 단계에서 캐리어(1)의 전기 절연층(10)에 포토레지스트가 적용된다. 도 3C에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(5)에는 구조화에 의해 개구(50)가 제공되고, 상기 개구에 도 3D에 도시된 바와 같이 전기 콘택층(2)이 마련된다. 상기 전기 콘택층은 예를 들어 전기 도금 공정 또는 적층에 의해 마련될 수 있다. 전기 콘택층은 도시된 실시예에서 구리로 이루어지고, 60 ㎛보다 크거나 같고 80 ㎛보다 작거나 같은 두께를 갖는다. 브리지형 콘택 영역들(20), 추가 콘택 영역(22) 및 접속 영역들(23, 24)을 갖는 전기 콘택층(2)의 구조적 형상은 도 1에 따른 실시예의 형상에 상응한다. 이에 대한 대안으로서 적어도 하나의 브리지형 콘택 영역(20)을 포함하는 다른 구조적 실시예도 가능하다.
도 3E에 따른 다른 방법 단계에서 전기 콘택층(2)의 마련된 구리층은 갈바니 전기적으로 마련되고 예를 들어 니켈, 니켈과 금 또는 니켈, 팔라듐 및 금을 포함하거나 이것으로 이루어진 경질 마스크로 보호된다.
도 3F에 따른 다른 방법 단계에서 층(5)은 전기 콘택층(5)의 브리지형 콘택 영역(20)의 범위에서 다른 개구(51)의 형성에 의해 부분적으로 제거된다. 이에 대한 대안으로서, 예를 들어 층(5)도 완전히 제거될 수 있고, 포토레지스트로 이루어진 다른 층이 마련될 수 있고, 도시된 범위에서 구조화될 수 있다.
도 3G에 따른 다른 방법 단계에서 에칭 공정, 예를 들어 습식 화학 에칭 또는 이온 에칭이 실시되고, 상기 에칭에 의해 브리지형 콘택 영역(20)의 개방된 측면들이 에칭되므로, 브리지형 콘택 영역들(20)은 캐리어(1)의 절연될 층(10)을 향해 감소하는 브리지 폭을 갖는다. 실시된 에칭 공정에 따라 측면들(21)이 에칭될 수 있으므로, 브리지형 콘택 영역(20)과 절연층(10) 사이의 콘택이 유지되거나 또는 언더 에칭되므로 브리지형 콘택 영역들은 포토마스크(5)의 개구(51) 영역에서 자기 지지된다.
도 3H에 따른 다른 방법 단계에서 포토레지스트 층(5)이 제거되고, 전기 콘택층(2)의 금속 표면은 무전해 도금에 의해 예를 들어 니켈과 금, 니켈, 팔라듐 및 금, 니켈과 은 또는 은으로 이루어진 하나 이상의 층이 마련됨으로써 커버되고 이로써 정제된다.
브리지형의 영역(20)의 노출된 측면(21)의 국부적으로 제한된 에칭에 의해 브리지형 콘택 영역(20)에서 전기 콘택층(2)의 재료 횡단면의 감소가 이루어진다. 좁고 긴 브리지형 콘택 영역들(20)의 이러한 에칭에 의해 그리고 바람직하게는 언더 에칭에 의해 브리지형 콘택 영역(20) 내의 전기 콘택층(2)은 유연하다. 캐리어(1)와 그 위에 배치된 전기 소자 사이의 열팽창 계수들의 차이에 의해 나타날 수 있는 기계적 힘은 이로 인해 최소화되고, 전달될 수 없다.
도 4A 내지 도 4D에는 전기 콘택층(2)의 콘택 영역들(20, 22)의 배치를 위한 다른 실시예들로서 전기 절연층(10)을 포함하는 캐리어(1)의 부분이 도시된다. 콘택 영역들(20, 22)은 전술한 방법에 의해 제조될 수 있고, 도 4A 내지 도 4D에 파선으로 도시된 리세스(3)를 포함한다. 대안으로서 또는 추가로 콘택 영역들(20, 22)은 파선 영역에서 각각 캐리어(1)를 향해 감소하는 브리지 폭을 갖도록 구현될 수 있다.
도 4A 내지 도 4C에 도시된 실시예에서, 기존의 각각의 브리지형 콘택 영역(20)에 추가하여 추가 콘택 영역들(22)이 제공되고, 상기 추가 콘택 영역들도 브리지형으로 형성된다.
도 4A의 실시예에 따른 콘택 영역들(20, 22)은 나란히 형성되고, 동일한 방향으로 연장되는 한편, 도 4B 및 도 4C의 실시예에서 브리지형 콘택 영역(20)과 추가 콘택 영역들(22)은 톱니 형태로 서로 결합한다. 도 4C의 실시예에 따른 추가 콘택 영역들(22)은 서로 결합되고, 공통의 접속 영역(도시되지 않음)에 대한 공통의 공급 라인을 포함한다.
도 4D의 실시예에 따라 캐리어(1)는 브리지형의 다수의 콘택 영역들(20)을 포함하고, 상기 콘택 영역들은 서로 전기 접속되고, 추가 콘택 영역(22) 둘레에 배치된다. 추가 콘택 영역(22)은 도시된 실시예에서 십자 형태로 형성되므로, 브리지형 콘택 영역들(20)은 추가 콘택 영역(22)에 대해서 바람직하게 서로 수직인 2개의 방향으로 유연하게 형성된다.
도시된 실시예에 대한 대안으로서 캐리어에 추가 콘택 영역들이 더 제공될 수 있고, 상기 콘택 영역들은 예를 들어 또한 브리지형으로 형성될 수도 있다. 특히 콘택 영역들(20, 22)은 실장될 반도체 칩의 콘택 면의 주어진 배치에 맞게 조정될 수 있다.
도면에 도시된 실시예들은 도입부에 설명된 실시예에 따른 다른 또는 대안 특징들을 포함할 수 있다. 또한, 도 1 내지 도 4D의 실시예와 관련해서 설명된 대상, 방법 및 관련 특징들을 조합하는 것도 가능하다.
본 발명은 실시예를 참고로 한 설명에 의해 제한되지 않는다. 오히려 청구범위에 포함된 특징들의 모든 조합을 포함하는 모든 새로운 특징 및 특징들의 모든 조합이 실시예 또는 청구범위에 명시적으로 제시되지 않더라도, 본 발명은 이러한 특징들 및 특징들의 모든 조합을 포함한다.
1 캐리어
2 콘택층
3 리세스
4 전기 소자
10 절연층
11 캐리어층
20 콘택 영역
22 콘택 영역
23 접속 영역
24 접속 영역
50 개구
100 캐리어 장치
200 전기 장치

Claims (15)

  1. 전기 소자용 캐리어 장치로서,
    - 전기 절연층을 포함하는 캐리어(1) 및
    - 전기 절연층(10) 상에 전기 콘택층(2)을 포함하고,
    - 상기 전기 콘택층(2)은 적어도 하나의 브리지형 콘택 영역(20)을 포함하고,
    - 적어도 하나의 리세스(3)가 전기 절연층(10) 내에서 적어도 브리지형 콘택 영역(20)의 측면(21)에 배치되고 및/또는 브리지형 콘택 영역(20)은 절연층(10)을 향해 감소하는 브리지 폭을 갖는 것인, 캐리어 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 브리지형 콘택 영역(20)은 2개의 리세스 사이에 또는 하나의 리세스(3)의 2개의 부분 영역 사이에 배치되고, 상기 부분 영역들은 상기 브리지형 콘택 영역(20)의 측면에 인접하는 것인, 캐리어 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 브리지형 콘택 영역(20)은 한 측면을 제외하고 모든 측면이 하나 이상의 리세스(3)에 의해 둘러싸이는 것인, 캐리어 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기 콘택층(2)은 2개의 브리지형 콘택 영역(20)을 포함하고, 상기 콘택 영역들은 서로 정렬되어 배치되고, 상기 영역들 사이에 상기 전기 절연층(10) 내의 상기 리세스(3)가 형성되는 것인, 캐리어 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기 콘택층(2)은 상기 브리지형 콘택 영역(20)으로부터 전기 절연된 추가 콘택 영역(22)을 포함하고, 상기 전기 절연층(10) 내의 상기 적어도 하나의 리세스(3)는 상기 브리지형 콘택 영역(20)과 추가 콘택 영역(22) 사이에 배치되는 것인, 캐리어 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 브리지형 콘택 영역(20)의 측면들(21)은 에칭 또는 언더 에칭(underetching)되는 것인, 캐리어 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐리어 장치는 인쇄회로기판으로서, 금속 코어를 가진 인쇄회로기판으로서, 세라믹 캐리어로서, 유리 캐리어로서, 유리 세라믹 캐리어로서 또는 양극 산화된 캐리어로서 형성되는 것인, 캐리어 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 캐리어 장치(100) 및 적어도 하나의 브리지형 콘택 영역(20)에 전기 및 기계적으로 연결된 전기 소자(4)를 포함하는, 전기 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 전기 소자(4)와 상기 캐리어 장치(100)는 상이한 열팽창 계수를 갖는 것인, 전기 장치.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 캐리어 장치(100)의 상기 전기 콘택층(2)은 상기 추가 콘택 영역(22)을 포함하고, 상기 추가 콘택 영역은 상기 브리지형 콘택 영역(20)으로부터 전기 절연되고, 상기 전기 절연층(10) 내의 상기 적어도 하나의 리세스(3)는 상기 브리지형 콘택 영역(20)과 상기 추가 콘택 영역(22) 사이에 배치되고, 상기 전기 소자(4)는 상기 추가 콘택 영역(22)에 전기 및 기계적으로 연결되는 것인, 전기 장치.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기 소자(4)는 플립 칩으로서 형성된 발광 반도체 칩이고, 상기 전기 장치는 발광 장치인 것인, 전기 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 캐리어 장치 또는 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 전기 장치의 제조 방법으로서, 하기 단계들 즉,
    A) 전기 절연층(10)을 포함하는 캐리어(1)를 제공하는 단계,
    B) 브리지형 콘택 영역(20)을 구비한 전기 콘택층(2)을 마련하는 단계,
    C) 적어도 상기 브리지형 콘택 영역(20)의 측면(21)에서 상기 전기 절연층(10)을 적어도 부분적으로 제거함으로써 상기 전기 절연층(10) 내에 적어도 하나의 리세스를 형성하는 단계 및/또는 상기 절연층(10)을 향해 감소하는 상기 브리지형 콘택 영역(20)의 브리지 폭을 형성하는 단계를 포함하는, 전기 장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 방법 단계 C)에서 에칭 공정, 특히 습식 화학 에칭 또는 이온 에칭이 실시되는 것인, 전기 장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 브리지형 콘택 영역(20)의 영역에서 상기 전기 콘택층(2)은 에칭되거나 또는 언더 에칭되는 것인, 전기 장치의 제조 방법.
  15. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법 단계 C)에서 레이저 가공 또는 엠보싱이 실시되는 것인, 전기 장치의 제조 방법.
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