KR101471778B1 - 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그 및 이를 이용하는 실제 접촉 위치 검출 방법 - Google Patents

프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그 및 이를 이용하는 실제 접촉 위치 검출 방법 Download PDF

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Abstract

프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그와 이를 이용하는 방법에 있어서, 상기 지그는 지그 기판과 상기 지그 기판의 하부면에 구비되며 웨이퍼의 검사를 위한 프로브 카드의 탐침과 동일한 높이를 갖는 한 쌍의 지그용 탐침 및 상기 지그용 탐침과 전기적으로 연결되며 상기 지그용 탐침이 웨이퍼 척의 상부면에 접촉되는 경우 접촉 신호를 발생시키는 신호 발생부를 포함한다. 상기 지그는 상기 프로브 카드를 대신하여 프로브 카드 홀더에 장착되며, 이어서 상기 웨이퍼 척을 상승시키면서 상기 접촉 신호가 발생되는 시점이 검출된다. 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치는 상기 접촉 신호의 발생 시점과 대응하는 상기 웨이퍼 척의 위치와 상기 웨이퍼의 두께를 이용하여 산출된다.

Description

프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그 및 이를 이용하는 실제 접촉 위치 검출 방법{Jig for detecting actual contact position between needles of probe card and wafer and method of detecting the actual contact position using the same}
본 발명의 실시예들은 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그와 이를 이용하는 실제 접촉 위치 검출 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼에 대한 검사 공정에서 프로브 카드의 탐침과 상기 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그와 이를 이용하여 실제 접촉 위치를 검출하는 방법에 관한 것이다.
집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 일반적으로 반도체 웨이퍼 상에 일련의 처리 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 막을 형성하는 증착 공정, 상기 막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 상기 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 상기 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 상기 반도체 소자들이 상기 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.
상기와 같이 반도체 소자들이 형성된 후 상기 반도체 소자들의 전기적인 특성들을 검사하기 위한 전기적인 검사 공정이 수행될 수 있다. 상기 검사 공정은 다수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 프로브 스테이션과 전기적인 신호를 제공하기 위하여 상기 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.
상기 프로브 스테이션은 공정 챔버와 상기 공정 챔버 내에 배치되어 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척과 상기 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자들과 접촉하도록 구성된 다수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함할 수 있다. 상기 프로브 카드는 상기 공정 챔버 내에 배치되는 프로브 카드 홀더에 장착될 수 있으며, 상기 웨이퍼 척은 상기 프로브 카드의 탐침들과 상기 웨이퍼가 접촉되도록 상기 웨이퍼를 수직 방향으로 이동시킬 수 있다.
한편, 상기 프로브 카드의 탐침들과 상기 웨이퍼를 접촉시키는 단계는 상기 탐침들과 상기 웨이퍼 사이의 거리에 기초하여 상기 탐침들과 웨이퍼가 접촉되는 상기 웨이퍼 척의 상승 높이를 설정하고, 이어서 상기 웨이퍼 척의 오버 드라이브 값을 설정할 수 있다.
상기 웨이퍼 척의 오버 드라이브는 상기 프로브 카드의 탐침들이 상기 웨이퍼의 전극 패드들 상의 자연 산화막에 의해 상기 전극 패드들과 안정적인 접촉되지 못하는 것을 제거하기 위하여 수행되는 것으로, 상기 웨이퍼 척을 상기 접촉 위치보다 더 상승시키는 것을 의미한다. 일 예로서, 대한민국 등록특허공보 제10-1059603호에는 탑재대의 현재 오버 드라이브 량을 측정하는 거리 측정기를 이용하여 현재 오버 드라이브 량과 설정된 오버 드라이브 량을 비교하여 현재의 오버 드라이브 량을 보정하는 기술이 개시되어 있다.
한편, 상기 프로브 스테이션은 상기 웨이퍼 척을 수직 방향으로 이동시키는 구동부를 구비할 수 있으며, 상기 접촉 위치와 오버 드라이브 값의 설정은 상기 구동부에 의한 상기 웨이퍼 척의 수직 방향 이동 거리를 조절하는 것이나, 상기 구동부의 기계적인 오차에 의해 상기 설정된 값과 실제 이동 거리에 차이가 발생될 수 있다.
상기 대한민국 등록특허공보 제10-1059603호에 개시된 콘택트 위치 보정 방법의 경우에도 상기와 같은 구동부의 기계적인 오차에 의해 발생되는 접촉 불량을 개선하기 위한 것이나, 상기 오버 드라이브 값의 설정 및 프로브 카드의 탐침들과 웨이퍼 사이의 접촉이 먼저 수행된 후 상기 오버 드라이브 값을 보정하는 것이므로 기 설정된 오버 드라이브 값이 과도한 경우 전극 패드들의 손상을 방지하기 어려운 문제점이 있다.
또한, 비접촉식 거리 측정기를 사용하여 오버 드라이브 값을 보정하므로 거리 측정기 자체의 오차 또는 측정 오류 등에 의해 정확한 오버 드라이브 값의 설정이 어려울 수 있다.
본 발명의 실시예들은 프로브 카드의 탐침들과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 정확하게 검출할 수 있는 지그와 이를 이용하여 프로브 카드의 탐침들과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그는, 지그 기판과, 상기 지그 기판의 하부면에 구비되며 웨이퍼의 검사를 위한 프로브 카드의 탐침과 동일한 높이를 갖는 한 쌍의 지그용 탐침과, 상기 지그용 탐침들과 전기적으로 연결되며 상기 지그용 탐침들이 웨이퍼 척의 상부면에 접촉되는 경우 접촉 신호를 발생시키는 신호 발생부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 신호 발생부는 광신호를 발생시키는 광 발생부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지그는 상기 신호 발생부 및 상기 지그용 탐침들과 연결되는 전원 소스를 더 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 지그 기판, 상기 지그 기판의 하부면에 구비되며 웨이퍼의 검사를 위한 프로브 카드의 탐침과 동일한 높이를 갖는 한 쌍의 지그용 탐침, 및 상기 지그용 탐침과 전기적으로 연결되며 상기 지그용 탐침이 웨이퍼 척의 상부면에 접촉되는 경우 접촉 신호를 발생시키는 신호 발생부를 포함하는 지그를 이용하여 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법에 있어서, 상기 방법은 상기 프로브 카드를 대신하여 프로브 카드 홀더에 상기 지그를 장착하는 단계와, 상기 웨이퍼 척을 상승시키면서 상기 접촉 신호가 발생되는 시점을 검출하는 단계와, 상기 접촉 신호의 발생 시점과 대응하는 상기 웨이퍼 척의 위치와 상기 웨이퍼의 두께를 이용하여 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 산출하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 접촉 신호가 발생된 후 상기 웨이퍼 척의 상승이 중단될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 웨이퍼 척은 기 설정된 높이만큼 단계적으로 상승될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 산출된 실제 접촉 위치에 근거하여 상기 웨이퍼의 검사 공정에서 상기 웨이퍼 척의 오버 드라이브 값을 설정할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지그는 상기 신호 발생부 및 상기 지그용 탐침들과 연결되는 전원 소스를 더 포함할 수 있으며, 상기 웨이퍼 척의 상부 표면 부위는 상기 지그용 탐침들이 상기 웨이퍼 척의 상부면에 접촉되는 경우 상기 신호 발생부와 상기 지그용 탐침들 및 상기 전원 소스가 직렬 연결되도록 전도성 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 웨이퍼 척 상에는 기 설정된 두께를 갖는 전도성 기판이 배치될 수 있으며, 상기 접촉 신호는 상기 지그용 탐침들이 상기 전도성 기판에 접촉되는 시점에서 발생될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 웨이퍼에 대한 검사 공정을 수행하기 이전에 위치 검출용 지그를 이용하여 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하고, 이에 기초하여 웨이퍼 척의 오버 드라이브 값을 설정할 수 있으므로, 상기 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 전기적인 접촉이 안정적으로 이루어질 수 있다.
특히, 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이에서 실제 접촉이 이루어진 후 오버 드라이브 값을 보정하는 종래 기술과 비교하여 웨이퍼의 전극 패드 손상의 우려가 없으며, 또한 지그용 탐침과 웨이퍼 척의 실제 접촉에 의해 웨이퍼 척의 높이를 검출하므로 종래 기술에서 사용되는 비접촉식 거리 측정기의 경우와 비교하여 오차 범위를 크게 감소시킬 수 있다.
도 1은 반도체 웨이퍼에 대한 전기적인 검사 공정을 수행하는 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 위치 검출용 지그가 도 1에 도시된 프로브 스테이션에 장착된 상태를 보여주는 개략적인 구성도이다.
도 4는 도 2에 도시된 위치 검출용 지그를 이용하여 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 반도체 웨이퍼에 대한 전기적인 검사 공정을 수행하는 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 프로브 스테이션(100)은 반도체 웨이퍼(10) 상에 형성된 반도체 소자들(미도시)에 대한 전기적인 검사 공정을 수행하기 위하여 사용될 수 있다.
상기 프로브 스테이션(100)은 상기 전기적 검사 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 챔버(102)를 포함할 수 있다. 상기 공정 챔버(102) 내에는 상기 웨이퍼(10)를 지지하기 위한 웨이퍼 척(110)이 배치되며 상기 웨이퍼 척(110)의 상부에는 상기 반도체 소자들을 전기적으로 검사하기 위한 프로브 카드(120)가 배치될 수 있다. 상기 프로브 카드(120)는 프로브 카드 홀더(130)에 장착될 수 있으며 도시되지는 않았으나 전기적인 신호 인가 및 검사를 수행하는 테스터(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 웨이퍼 척(110)은 구동부(140)에 의해 수평 및 수직 방향으로 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 상기 프로브 카드(120)는 상기 반도체 소자들과 접촉하여 상기 반도체 소자들에 전기적인 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들(122)을 가질 수 있다. 상기 구동부(140)는 상기 탐침들(122)이 상기 반도체 소자들에 접촉되도록 상기 척(110)을 수직 방향으로 이동시킬 수 있다.
상기 구동부(140)의 동작은 제어부(150)에 의해 제어될 수 있으며, 상기 제어부(150)는 기 설정된 오버 드라이브 값에 따라 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 상기 웨이퍼(10)가 접촉되도록 상기 웨이퍼 척(110)을 상승시킬 수 있다.
한편, 상기 구동부(140)의 기계적인 오차에 의해 상기 제어부(150)에 의해 제어되는 상기 웨이퍼 척(110)의 이동 거리와 실제 이동 거리가 다를 수 있으며 이에 의해 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 웨이퍼(10) 사이의 전기적인 접촉이 불안정하게 이루어질 수 있으며, 또한 상기 웨이퍼(10)의 전극 패드들이 손상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 상기 웨이퍼(10) 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그(200; 도 2 참조)가 사용될 수 있으며, 이를 통하여 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 웨이퍼(10) 사이의 실제 접촉 위치 검출 및 이를 이용한 오버 드라이브 값의 정확한 설정이 이루어질 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그를 설명하기 위한 개략적인 구성도이며, 도 3은 도 2에 도시된 지그가 도 1에 도시된 프로브 스테이션에 장착된 상태를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 웨이퍼(10) 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그(200)는 지그 기판(210)과 상기 지그 기판(210)의 하부면에 구비되는 한 쌍의 지그용 탐침(220)과 상기 지그용 탐침들(220)과 전기적으로 연결되는 신호 발생부(230)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 지그 기판(210)은 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 웨이퍼(10) 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위하여 상기 프로브 카드(120)를 대신하여 상기 프로브 카드 홀더(130)에 장착될 수 있으며, 상기 지그용 탐침들(220)은 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 동일한 높이를 가질 수 있다. 여기서 상기 지그용 탐침들(220)의 높이는 상기 지그(200)가 프로브 카드 홀더(130)에 장착된 경우 상기 지그용 탐침들(220)의 하단부 높이를 의미하며, 이는 상기 프로브 카드(120)가 상기 프로브 카드 홀더(130)에 장착된 경우 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122) 하단부 높이와 동일하게 구성될 수 있다.
상기 신호 발생부(230)는 상기 지그용 탐침들(220)과 전기적으로 연결될 수 있으며 상기 지그용 탐침들(220)이 상기 웨이퍼 척(110)의 상부면에 접촉되는 경우 접촉 신호를 발생시킬 수 있다. 일 예로서, 상기 신호 발생부(230)는 광신호를 발생시키는 광 발생부를 포함할 수 있으며, 상기 광 발생부로는 발광 다이오드가 사용될 수 있다. 또한, 상기 신호 발생부(230)는 상기 제어부(150)와 연결될 수 있으며, 상기 접촉 신호를 상기 제어부(150)로 전송할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 지그(200)는 상기 신호 발생부(230) 및 상기 지그용 탐침들(220)과 연결되는 전원 소스(240)를 포함할 수 있다. 일 예로서, 상기 지그 기판(210)의 상부면에는 상기 신호 발생부(230)와 상기 전원 소스(240)가 장착될 수 있으며, 상기 전원 소스(240)로는 일반적인 건전지가 사용될 수 있다. 또한, 상기 지그 기판(210) 상에는 상기 전원 소스(240)와 연결되며 상기 지그(200)의 동작 개시 및 중단을 위한 스위치 모듈(250)이 구비될 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 웨이퍼(10) 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법을 상세하게 설명하기로 한다.
도 4는 도 2에 도시된 지그를 이용하여 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 먼저 S100 단계에서, 상기 프로브 카드(120)를 대신하여 프로브 카드 홀더(130)에 상기 위치 검출용 지그(200)를 장착한다.
이어서, S110 단계에서 상기 웨이퍼 척(110)을 상승시키면서 상기 신호 발생부(230)에 의해 접촉 신호가 발생되는 시점을 검출한다. 상기 접촉 신호의 발생 시점은 상기 광 발생부에 의한 광 발생을 통해 작업자가 인지할 수도 있으며, 상기 신호 발생부(230)로부터 전기적인 신호가 상기 제어부(150)로 전송될 수도 있다.
한편, 상기 제어부(150)는 상기 웨이퍼 척(110)을 상승시키도록 구동부(140)를 제어할 수 있으며 상기 구동부(140)의 상승은 기 설정된 높이만큼 단계적으로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 구동부(140)는 상승 시간을 단축시키기 위하여 소정 구간 연속적으로 상승될 수 있으며, 상기 구동부(140)가 기 설정된 접촉 가능 영역에 도달된 후 기 설정된 단위, 예를 들면, 1 마이크로미터씩 단계적으로 상승될 수 있다. 특히, 상기 제어부(150)는 상기 접촉 신호가 발생된 후 상기 웨이퍼 척(110)의 상승을 중단시키도록 상기 구동부(140)의 동작을 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 척(110)의 상부 표면 부위는 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 특히, 상기 지그용 탐침들(220)이 상기 웨이퍼 척(110)의 상부면에 접촉되는 경우 상기 신호 발생부(230)와 상기 지그용 탐침들(220) 및 상기 전원 소스(240)가 전기적으로 직렬 연결될 수 있으며 이에 따라 상기 신호 발생부(230)에 의해 접촉 신호가 발생될 수 있다.
계속해서, 단계 S120에서 상기 접촉 신호가 발생된 시점과 대응하는 상기 웨이퍼 척(110)의 위치와 상기 웨이퍼(10)의 두께를 이용하여 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 상기 웨이퍼(10) 사이의 실제 접촉 위치를 산출한다.
구체적으로, 상기 제어부(150)는 상기 접촉 신호가 발생된 시점과 대응하는 상기 웨이퍼 척(110)의 위치를 검출하고, 상기 웨이퍼 척(110)의 위치에 상기 웨이퍼(10)의 두께를 가산하여 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 상기 웨이퍼(10) 사이의 실제 접촉 위치를 산출할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 척(110) 상에는 전도성 물질로 이루어지고 기 설정된 두께를 갖는 전도성 기판(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 지그용 탐침들(220)이 상기 전도성 기판의 상부 표면에 접촉되는 경우 상기 신호 발생부(230)에 의해 상기 접촉 신호가 발생될 수도 있다. 이 경우 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 상기 웨이퍼(10)의 실제 접촉 위치는 상기 접촉 신호의 발생 시점에서의 상기 웨이퍼 척(110)의 위치와 상기 전도성 기판의 두께 및 상기 웨이퍼(10)의 두께를 이용하여 산출될 수 있다.
상기와 같이 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 상기 웨이퍼(10) 사이의 실제 접촉 위치가 산출된 후 상기 실제 접촉 위치에 근거하여 상기 웨이퍼 검사 공정에서 상기 웨이퍼 척(110)의 오버 드라이브 값이 설정될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 웨이퍼(10)에 대한 검사 공정을 수행하기 이전에 위치 검출용 지그(200)를 이용하여 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 웨이퍼(10) 사이의 실제 접촉 위치를 검출하고, 이에 기초하여 웨이퍼 척(110)의 오버 드라이브 값을 설정할 수 있으므로, 상기 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 웨이퍼(10) 사이의 전기적인 접촉이 안정적으로 이루어질 수 있다.
특히, 프로브 카드(120)의 탐침(122)과 웨이퍼(10) 사이에서 실제 접촉이 이루어진 후 오버 드라이브 값을 보정하는 종래 기술과 비교하여 웨이퍼(10)의 전극 패드 손상의 우려가 없으며, 또한 지그용 탐침(220)과 웨이퍼 척(110)의 실제 접촉에 의해 웨이퍼 척(110)의 높이를 검출하므로 종래 기술에서 사용되는 비접촉식 거리 측정기의 경우와 비교하여 오차 범위를 크게 감소시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 웨이퍼 100 : 프로브 스테이션
102 : 공정 챔버 110 : 웨이퍼 척
120 : 프로브 카드 122 : 탐침
130 : 프로브 카드 홀더 140 : 구동부
150 : 제어부 200 : 지그
210 : 지그 기판 220 : 지그용 탐침
230 : 신호 발생부 240 : 전원 소스
250 : 스위치

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 지그 기판, 상기 지그 기판의 하부면에 구비되며 웨이퍼의 검사를 위한 프로브 카드의 탐침과 동일한 높이를 갖는 한 쌍의 지그용 탐침, 및 상기 지그용 탐침과 전기적으로 연결되며 상기 지그용 탐침이 웨이퍼 척의 상부면에 접촉되는 경우 접촉 신호를 발생시키는 신호 발생부를 포함하는 지그를 이용하여 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법에 있어서,
    상기 프로브 카드를 대신하여 프로브 카드 홀더에 상기 지그를 장착하는 단계;
    상기 웨이퍼 척을 상승시키면서 상기 접촉 신호가 발생되는 시점을 검출하는 단계; 및
    상기 접촉 신호의 발생 시점과 대응하는 상기 웨이퍼 척의 위치와 상기 웨이퍼의 두께를 이용하여 상기 프로브 카드의 탐침과 상기 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 산출하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 접촉 신호가 발생된 후 상기 웨이퍼 척의 상승을 중단시키는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼 척은 기 설정된 높이만큼 단계적으로 상승되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 산출된 실제 접촉 위치에 근거하여 상기 웨이퍼의 검사 공정에서 상기 웨이퍼 척의 오버 드라이브 값을 설정하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 지그는 상기 신호 발생부 및 상기 지그용 탐침들과 연결되는 전원 소스를 더 포함하며,
    상기 웨이퍼 척의 상부 표면 부위는 상기 지그용 탐침들이 상기 웨이퍼 척의 상부면에 접촉되는 경우 상기 신호 발생부와 상기 지그용 탐침들 및 상기 전원 소스가 직렬 연결되도록 전도성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼 척 상에 기 설정된 두께를 갖는 전도성 기판을 배치하고 상기 접촉 신호는 상기 지그용 탐침들이 상기 전도성 기판에 접촉되는 시점에서 발생되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하는 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06308155A (ja) * 1993-04-27 1994-11-04 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
KR19980032057A (ko) * 1996-10-04 1998-07-25 기타오카 다카시 프로브 카드 및 그것을 이용한 시험장치
JP2000329788A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Advantest Corp プローブカード及び試験装置
JP2007095938A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd テスタ、プローバ、ウエハテストシステム及び電気的接触位置検出方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06308155A (ja) * 1993-04-27 1994-11-04 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
KR19980032057A (ko) * 1996-10-04 1998-07-25 기타오카 다카시 프로브 카드 및 그것을 이용한 시험장치
JP2000329788A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Advantest Corp プローブカード及び試験装置
JP2007095938A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd テスタ、プローバ、ウエハテストシステム及び電気的接触位置検出方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102119189B1 (ko) 2019-01-25 2020-06-08 주식회사 쎄믹스 웨이퍼 프로버

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