KR102430476B1 - 프로브 카드 관리 방법 - Google Patents

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Abstract

베이스 기판과 베이스 기판의 하부면으로부터 하측으로 연장되어 전기적 특성을 검사하기 위한 복수의 탐침을 구비하는 프로브 카드를 관리하는 방법이 개시된다. 프로브 카드 관리 방법은, 먼저, 탐침들 중 적어도 어느 하나를 기준 탐침으로 선택한다. 이어, 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하고, 기준 탐침의 단부의 높이를 측정한다. 측정된 베이스 기판의 하부면의 높이와 기준 탐침의 단부의 높이 간의 차이 값에 근거하여 기준 탐침의 마모량을 산출한다. 이어, 기준 탐침의 마모량에 따라 프로브 카드의 교체 시기를 결정한다. 이와 같이, 프로브 카드 관리 방법은 베이스 기판의 하부면의 높이와 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하여 이들의 차이 값을 산출함으로써, 탐침들의 마모 정도를 정확하고 용이하게 파악할 수 있다.

Description

프로브 카드 관리 방법{Method of managing probe card}
본 발명의 실시예들은 프로브 카드 관리 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 프로브 카드에 구비된 탐침들의 마모 정도를 파악하여 프로브 카드를 관리하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 일련의 반도체 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 박막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 반도체 회로 소자들, 즉, 다이들이 기판 상에 형성될 수 있다.
이러한 일련의 공정들을 통해 다이들을 형성한 후 다이들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 검사 공정이 수행될 수 있다. 검사 공정은 복수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 프로브 스테이션과 전기적인 신호를 제공하기 위하여 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.
검사 챔버의 상부에는 프로브 카드가 장착될 수 있으며, 프로브 카드 아래에는 웨이퍼를 지지하는 스테이지가 배치될 수 있다. 스테이지는 다이들이 프로브 카드의 탐침들에 접촉되도록 수직 및 수평 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다. 검사 공정은, 먼저 프로브 카드의 탐침들을 웨이퍼에 접촉시킨 다음에 테스터로부터 출력된 검사 신호를 탐침들을 통해 웨이퍼에 인가한다.
이와 같이 프로브 카드의 탐침들은 검사 신호를 인가하기 위해 웨이퍼에 접촉되기 때문에, 웨이퍼와의 마찰에 의해 마모될 수 있다. 탐침들의 마모 정도가 심하면 검사 공정에 이용할 수 없으며, 프로브 카드를 교체해야 한다. 따라서, 프로브 카드의 교체 여부를 파악하기 위해 탐침들의 마모 정도를 관리해야 한다.
탐침들의 마모 정도를 파악하는 방법으로는 탐침들을 패드에 접촉시켜 패드에 찍힌 침흔을 이용하는 방법이 있다. 그러나 침흔이 매우 미세하기 때문에 침흔 이미지를 이용하여 프로브 카드의 교체 여부를 파악하기 어려운 문제점이 있다.
한국공개특허공보 제10-2007-0075589호 (2007.07.24.)
본 발명의 실시예들은 프로브 스테이션에서 프로브 카드의 탐침들에 대한 마모 정도를 정확하고 용이하게 파악할 수 있는 프로브 카드 관리 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 베이스 기판과 상기 베이스 기판의 하부면으로부터 하측으로 연장되어 전기적 특성을 검사하기 위한 복수의 탐침을 구비하는 프로브 카드를 관리하는 방법은, 먼저, 상기 탐침들 중 적어도 어느 하나를 기준 탐침으로 선택하는 단계, 상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계, 상기 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계, 측정된 상기 베이스 기판의 하부면의 높이와 상기 기준 탐침의 단부의 높이 간의 차이 값에 근거하여 상기 기준 탐침의 마모량을 산출하는 단계, 및 상기 기준 탐침의 마모량에 따라 상기 프로브 카드의 교체 시기를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계는, 상기 프로브 카드 아래에 배치된 하부 비전이 상기 베이스 기판의 하부면까지의 초점 거리를 측정하는 단계, 및 측정된 상기 베이스 기판의 하부면까지의 초점 거리를 상기 베이스 기판의 하부면의 높이로 설정하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계는, 상기 하부 비전이 상기 기준 탐침의 단부까지의 초점 거리를 측정하는 단계, 및 측정된 상기 기준 탐침의 단부까지의 초점 거리를 상기 기준 탐침의 단부 높이로 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 프로브 카드 관리 방법은, 상기 기준 탐침을 선택하는 단계 이전에, 상기 베이스 기판의 하부면에서 적어도 어느 한 지점을 상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하기 위한 측정 지점으로 설정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 기준 탐침을 선택하는 단계에서, 상기 기준 탐침은 상기 탐침들 중에서 상기 측정 지점과 인접하게 위치하는 탐침들 중 어느 하나가 선택될 수 있다. 더불어, 상기 베이스 기판의 하부면까지 초점 거리를 측정하는 단계에서, 상기 하부 비전은 상기 측정 지점 측으로 수평 이동하여 상기 측정 지점까지의 초점 거리를 측정할 수 있다. 또한, 상기 기준 탐침의 단부까지의 초점 거리를 측정하는 단계에서, 상기 하부 전전은 상기 기준 탐침 측으로 수평 이동하여 상기 기준 탐침의 단부까지의 초점 거리를 측정할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 측정 지점과 상기 기준 탐침은 복수로 설정될 수 있다. 또한, 상기 기준 탐침을 선택하는 단계에서, 기준 탐침들은 측정 지점들에 대응하여 선택될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 하부 비전은 서로 대응하는 측정 지점과 기준 탐침을 하나의 그룹으로 설정하여 그룹별로 상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계와 상기 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계를 연속적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계는 상기 측정 지점들 각각에 대해 실시되며, 상기 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계는 상기 기준 탐침들 각각에 대해 실시될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 기준 탐침의 마모량을 산출하는 단계는, 상기 기준 탐침의 단부의 높이와 상기 기준 탐침에 대응하는 측정 지점에서 측정된 상기 베이스 기판의 하부면의 높이 차에 근거하여 산출할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 측정 지점들은 상기 베이스 기판에서 상기 탐침들이 위치하는 검침 영역을 둘러싼 주변 영역에 설정될 수 있다. 또한, 상기 기준 탐침들은 상기 검침 영역의 최외곽에 위치하는 탐침들 중에서 선택되며 상기 베이스 기판의 중심점과의 거리가 서로 동일하고 한 쌍씩 대각선 방향으로 서로 대향하여 위치할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 프로브 카드 관리 방법은 베이스 기판의 하부면의 높이와 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하여 이들의 차이 값을 산출함으로써, 탐침들의 마모 정도를 정확하고 용이하게 파악할 수 있다. 특히, 베이스 기판의 하부면의 높이와 기준 탐침의 단부의 높이는 하부 비전에 의한 초점 거리 측정을 통해 쉽고 빠르게 측정할 수 있으므로, 침흔 이미지를 이용하여 프로브 카드의 불량을 파악하는 종래보다 마모량 측정이 용이하고 검사 시간을 단축할 수 있으며 프로브 카드를 효율적으로 관리할 수 있다.
또한, 프로브 카드 관리 방법은 별도의 모니터용 탐침을 구비하지 않고 프로브 카드의 탐침들 중에서 측정 지점과 인접한 어느 하나를 이용하므로, 모니터용 탐침의 위치를 파악하기 위해 검사 시간을 소비할 필요가 없다.
도 1은 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 프로브 카드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 관리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 도 3에 도시된 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 하부 비전이 베이스 기판과 기준 탐침의 높이를 측정하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 6은 도 3에 도시된 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 프로브 카드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 프로브 스테이션(100)은 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼(10)에 대하여 프로브 카드(20)를 이용해 전기적 특성 검사를 수행한다. 상기 프로브 스테이션(100)은 검사 챔버(110), 척(120), 및 수직 구동부(130), 척 스테이지(140), 수평 구동부(150), 하부 비전(160), 상부 비전(170), 및 제어부(180)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 검사 챔버(110)는 상기 웨이퍼(10)에 대하여 전기적 검사를 수행하기 위한 공정 공간을 제공하며, 상기 검사 챔버(110) 안에는 상기 프로브 카드(20)와 상기 척(120)이 배치될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 프로브 카드(20)는 베이스 기판(22)과 상기 베이스 기판(22)의 하부면에 구비된 복수의 탐침(24)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(22)은 상기 웨이퍼(10)와 마찬가지로 대체로 원판 형상을 가질 수 있으며, 검침 영역(DA)과 상기 검침 영역(DA)을 둘러싼 주변 영역(SA)으로 구획될 수 있다.
상기 탐침들(24)은 상기 검침 영역(DA)에 위치하며, 상기 베이스 기판(22)의 하부면으로부터 하측으로 연장된다. 상기 탐침들(24)은 상기 웨이퍼(10)의 전기적 특성 검사를 위한 검사 신호를 상기 웨이퍼(10)에 인가하기 위해 상기 웨이퍼(10)에 접촉될 수 있다. 여기서, 상기 프로브 스테이션(100)은 상기 웨이퍼(10)의 전기적 특성을 검사하기 위한 테스터(30)와 연결될 수 있다. 상기 테스터(30)는 상기 프로브 카드(20)를 통해 상기 검사 신호를 상기 웨이퍼(10)에 형성된 반도체 소자들에 인가하고, 상기 반도체 소자들로부터 출력되는 신호들을 통해 상기 웨이퍼(10)의 전기적인 특성을 검사할 수 있다.
상기 프로브 카드(20)의 아래에는 상기 척(120)이 배치될 수 있다. 상기 척(120)은 대체로 원 기둥 형상을 가지며, 상기 웨이퍼(10)을 지지하고, 회전 가능하게 구비될 수 있다.
상기 척(120)의 아래에는 상기 수직 구동부(130)가 배치될 수 있으며, 상기 수직 구동부(130)는 상기 척 스테이지(140)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 척 스테이지(140)는 상기 수평 구동부(180) 상에 배치될 수도 있다. 여기서, 상기 수직 구동부(160)와 상기 수평 구동부(180)의 배치 관계는 다양하게 변경 가능하므로, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않는다.
상기 척(120)은 상기 수직 구동부(130)에 의해 수직 방향으로 이동될 수 있으며, 상기 수평 구동부(150)에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다. 상기 수직 구동부(130) 및 상기 수평 구동부(150)는 상기 척(120)의 수직 및 수평 위치를 조절하여 상기 프로브 카드(20)와 상기 웨이퍼(10)를 정렬할 수 있다.
한편, 상기 척(120)의 일측에는 상기 하부 비전(160)이 배치될 수 있으며, 상기 프로브 카드(20)의 일측에는 상기 상부 비전(170)이 배치될 수 있다.
상기 하부 비전(160)은 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(24)에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 도면에는 상세히 도시하지 않았으나, 상기 상부 비전(160)은 브릿지 형태를 갖는 구동부에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다. 상기 상부 비전(170)은 상기 척(120)의 상측에 배치되어 상기 웨이퍼(10) 상의 패턴들에 대한 이미지를 획득할 수 있다.
상기 하부 비전(160)과 상기 상부 비전(170)은 획득한 이미지를 상기 제어부(180)에 제공할 수 있다. 상기 제어부(180)는 상기 하부 및 상부 비전(160, 170)으로부터 제공된 이미지들을 상기 웨이퍼(10)와 상기 프로브 카드(20)를 정렬하는 데 이용할 수 있다. 특히, 상기 제어부(180)는 상기 하부 비전(160)을 이용하여 상기 프로브 카드(20)를 관리할 수 있다. 즉, 상기 제어부(180)는 상기 하부 비전(160)을 이용하여 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(24)의 마모 정도를 파악하고, 상기 프로브 카드(20)의 교체 시기를 결정할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 상기 프로브 스테이션(100)에서 프로브 카드를 관리하는 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 관리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 프로브 카드 관리 방법은 먼저, 상기 제어부(180)는 상기 베이스 기판(22)의 하부면의 높이를 측정할 위치를 설정하기 위해 상기 베이스 기판(22)의 하부면에서 적어도 어느 한 지점을 측정 지점(DP1, DP2, DP3, DP4)으로 설정한다(단계 S110). 여기서, 상기 측정 지점(DP1, DP2, DP3, DP4)은 상기 베이스 기판(22)에서 주변 영역(SA)에 설정될 수 있다.
이어, 상기 제어부(180)는 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(24) 중 적어도 어느 하나를 단부의 높이를 측정하기 위한 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)으로 선택한다(단계 S120). 여기서, 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)은 상기 탐침들(24) 중 최외곽에 위치하는 탐침들 중에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 측정 지점(DP1, DP2, DP3, DP4)과 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)은 복수로 설정될 수 있으며, 상기 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D)은 상기 측정 지점들(DP1, DP2, DP3, DP4)에 일대일 대응하여 설정될 수 있다.
본 발명의 일례로, 상기 측정 지점들(DP1, DP2, DP3, DP4)과 상기 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D)은 각각 4개씩 설정될 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위해, 4개의 측정 지점들(DP1, DP2, DP3, DP4)을 제1 내지 제4 측정 지점들(DP1, DP2, DP3, DP4)이라 하고, 4개의 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D)을 제1 내지 제4 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D)이라 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 내지 제4 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D)은 상기 베이스 기판(22)의 중심점의 거리가 서로 동일하게 위치하며, 한 쌍씩 대각선 방향으로 서로 대향하여 위치할 수 있다. 또한, 상기 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D) 각각은 대응하는 측정 지점에 인접하여 위치할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 기준 탐침(24A)은 상기 제1 기준 탐침(24A)과 대응하는 상기 제1 측정 지점(DP1)에 인접하여 위치할 수 있다.
상기 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D)과 상기 측정 지점들(DP1, DP2, DP3, DP4)이 설정되면, 상기 하부 비전(160)이 상기 베이스 기판(22)의 하부면의 높이를 측정한다(단계 S130).
이어, 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)들 중 적어도 어느 하나의 단부의 높이를 측정한다(단계 S140).
이하, 도면을 참조하여 상기 베이스 기판(22)의 하부면의 높이를 측정하는 단계(S130)와 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)의 단부의 높이를 측정하는 단계(S140)에 대해 구체적으로 설명한다.
도 4는 도 3에 도시된 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계를 설명하기 위한 순서도이고, 도 5는 하부 비전이 베이스 기판과 기준 탐침의 높이를 측정하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2, 도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)의 높이를 측정하는 과정(S130)은, 먼저 상기 하부 비전(160)이 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)까지의 초점 거리(SH)를 측정한다(단계 S132). 구체적으로, 상기 하부 비전(160)은 상기 제1 내지 제4 측정 지점들(DP1, DP2, DP3, DP4) 중 어느 하나, 예컨대, 상기 제1 측정 지점(DP1) 측으로 수평 이동한 후에, 상기 제1 측정 지점(DP1)까지의 초점 거리(SH)를 측정한다. 이때, 상기 하부 비전(160)은 오토 포커싱 기능을 통해 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)까지의 초점 거리(SH)를 측정할 수 있다.
이어, 상기 제어부(180; 도 1 참조)는 상기 하부 비전(160)에 의해 측정된 상기 제1 측정 지점(DP1)까지의 초점 거리(SH)를 상기 제1 측정 지점(DP1)에 대응하는 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)의 높이(SH)로 설정한다(단계 S134).
도 6은 도 3에 도시된 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계를 설명하기 위한 순서도이다.
도 2, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)의 단부의 높이를 측정하는 과정(140)은, 먼저 상기 하부 비전(160)이 상기 제1 내지 제4 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D) 중 어느 하나의 단부까지의 초점 거리(PH)를 측정한다(단계 S142). 구체적으로, 상기 하부 비전(160)은 상기 제1 내지 제4 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D) 중 어느 하나, 예컨대, 상기 제1 기준 탐침(24A) 측으로 수평 이동한 후에, 상기 제1 기준 탐침(24A)의 단부까지의 초점 거리(PH)를 측정한다.
이어, 상기 제어부(180; 도 1 참조)는 상기 하부 지전(160)에 의해 측정된 상기 제1 기준 탐침(24A)의 단부까지의 초점 거리(PH)를 상기 제1 기준 탐침(24A)의 단부의 높이(PH)로 설정한다(단계 S144).
도 1 내지 도 3, 및 도 5를 참조하면, 단계 S140 이후에, 상기 제어부(180)는 단계 S130에서 측정된 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)의 높이(SH)와 단계 S140에서 측정된 기준 탐침의 단부의 높이(PH) 차에 근거하여 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)의 마모량을 산출한다(단계 S150). 이때, 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)의 마모량은 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)의 단부의 높이(PH)와 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)에 대응하는 측정 지점에서 측정된 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)의 높이(SH) 차에 근거하여 산출된다. 예컨대, 상기 제1 기준 탐침(24A)의 마모량은 상기 제1 측정 지점(DP1)에서 측정한 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)의 높이(SH)와 상기 제1 기준 탐침(24A)의 단부의 높이(PH) 차에 의해 산출될 수 있다.
이어, 상기 제어부(180)는 산출된 마모량에 근거하여 상기 프로브 카드(22)의 교체 시기를 결정한다(단계 S160). 즉, 상기 제어부(180)는 상기 마모량이 기 설정된 임계 마모량을 초과하면, 상기 프로브 카드(22)의 교체를 결정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 프로브 카드 관리 방법은 상기 제1 내지 제4 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D) 각각에 대해 마모량을 산출할 수도 있고, 이들 중 어느 하나를 선택하여 선택된 기준 탐침의 마모량만을 산출할 수도 있다.
상기 제1 내지 제4 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D) 각각에 대해 마모량을 산출할 경우, 상기 하부 비전(160)은 상기 제1 내지 제4 측정 지점들(DP1, DP2, DP3, DP4) 각각에서 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)까지의 초점 거리(SH)를 측정하고, 상기 제1 내지 제4 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D) 각각에 대해 초점 거리(PH)를 측정한다. 이때, 상기 하부 비젼(160)은 서로 대응하는 측정 지점과 기준 탐침을 하나의 그룹으로 설정하여 그룹별로 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)의 초점 거리(SH)를 측정하는 단계(S132)와 상기 기준 탐침(24A, 24B, 24C, 24D)의 초점 거리(PH)를 측정하는 단계(S142)를 연속적으로 수행할 수 있다.
반면, 상기 제1 내지 제4 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D) 중 어느 하나를 선택하여 선택된 기준 탐침의 마모량만을 산출할 경우, 상기 하부 비전(160)은 상기 제1 내지 제4 측정 지점들(DP1, DP2, DP3, DP4) 중 어느 하나만 선택하여 상기 베이스 기판(22)의 하부면(22A)까지의 초점 거리(SH)를 측정하고, 선택된 측정 지점에 대응하는 기준 탐침에 대해 초점 거리(PH)를 측정한다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드 관리 방법은 상기 하부 비전(160)에 의해 측정된 상기 베이스 기판(22)의 초점 거리(SH)와 상기 기준 탐침들(24A, 24B, 24C, 24D)의 초점 거리(PH)를 이용함으로써, 상기 탐침들(24)의 마모 정도를 용이하게 파악할 수 있다. 따라서, 상기 프로브 스테이션(100)은 상기 탐침들(24)의 마모 정도를 파악하기 위한 별도의 모니터용 탐침을 구비할 필요가 없으므로, 모니터용 탐침의 위치 파악을 위해 검사 시간을 소비할 필요가 없고, 이미지를 이용하여 마모 정도를 파악하는 종래에 비해 검사 시간을 단축할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 프로브 스테이션 110 : 검사 챔버
120 : 척 130 : 수직 구동부
140 : 척 스테이지 150 : 수평 구동부
160 : 하부 비전 170 : 상부 비전
180 : 제어부

Claims (8)

  1. 베이스 기판과 상기 베이스 기판의 하부면으로부터 하측으로 연장되어 전기적 특성을 검사하기 위한 복수의 탐침을 구비하는 프로브 카드를 관리하는 방법에 있어서,
    상기 탐침들 중 적어도 어느 하나를 기준 탐침으로 선택하는 단계;
    상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계;
    상기 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계;
    측정된 상기 베이스 기판의 하부면의 높이와 상기 기준 탐침의 단부의 높이 간의 차이 값에 근거하여 상기 기준 탐침의 마모량을 산출하는 단계; 및
    상기 기준 탐침의 마모량에 따라 상기 프로브 카드의 교체 시기를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 관리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계는,
    상기 프로브 카드 아래에 배치된 하부 비전이 상기 베이스 기판의 하부면까지의 초점 거리를 측정하는 단계; 및
    측정된 상기 베이스 기판의 하부면까지의 초점 거리를 상기 베이스 기판의 하부면의 높이로 설정하는 단계를 포함하고,
    상기 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계는,
    상기 하부 비전이 상기 기준 탐침의 단부까지의 초점 거리를 측정하는 단계; 및
    측정된 상기 기준 탐침의 단부까지의 초점 거리를 상기 기준 탐침의 단부 높이로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 관리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기준 탐침을 선택하는 단계 이전에, 상기 베이스 기판의 하부면에서 적어도 어느 한 지점을 상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하기 위한 측정 지점으로 설정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 기준 탐침을 선택하는 단계에서, 상기 기준 탐침은 상기 탐침들 중에서 상기 측정 지점과 인접하게 위치하는 탐침들 중 어느 하나가 선택되며,
    상기 베이스 기판의 하부면까지 초점 거리를 측정하는 단계에서, 상기 하부 비전은 상기 측정 지점 측으로 수평 이동하여 상기 측정 지점까지의 초점 거리를 측정하고,
    상기 기준 탐침의 단부까지의 초점 거리를 측정하는 단계에서, 상기 하부 비전은 상기 기준 탐침 측으로 수평 이동하여 상기 기준 탐침의 단부까지의 초점 거리를 측정하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 관리 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 측정 지점과 상기 기준 탐침은 복수로 설정되고,
    상기 기준 탐침을 선택하는 단계에서, 기준 탐침들은 측정 지점들에 대응하여 선택되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 관리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 하부 비전은 서로 대응하는 측정 지점과 기준 탐침을 하나의 그룹으로 설정하여 그룹별로 상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계와 상기 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계를 연속적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 관리 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 하부면의 높이를 측정하는 단계는 상기 측정 지점들 각각에 대해 실시되며,
    상기 기준 탐침의 단부의 높이를 측정하는 단계는 상기 기준 탐침들 각각에 대해 실시되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 관리 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 기준 탐침의 마모량을 산출하는 단계는, 상기 기준 탐침의 단부의 높이와 상기 기준 탐침에 대응하는 측정 지점에서 측정된 상기 베이스 기판의 하부면의 높이 차에 근거하여 산출하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 관리 방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 측정 지점들은 상기 베이스 기판에서 상기 탐침들이 위치하는 검침 영역을 둘러싼 주변 영역에 설정되고,
    상기 기준 탐침들은 상기 검침 영역의 최외곽에 위치하는 탐침들 중에서 선택되며 상기 베이스 기판의 중심점과의 거리가 서로 동일하고 한 쌍씩 대각선 방향으로 서로 대향하여 위치하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 관리 방법.
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