JPH0220037A - 半導体装置検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置を千ンプに切断する曲のウェハ
の状態で自動プローブ装置を使用して半導体装置の機能
・性能検査を行う半導体装置検査方法に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

近年、メモリ、プロセッサ等に使用される半導体装置は
、集積化、大規模化が進み、一つのチンプで非常に多く
の機能を有するようになっている。

このため、半導体装置の機能、性能を検査するために、
自動プローブ装置を用いて半導体装置をウェハの状態で
検査することが広く行われている。

従来のごの種の半導体検査方法においては、自動プロー
ブ装置の複数のプローブ針をウェハ内の各半導体チップ
上に形成されたそれぞれの電極に接触させ、プローブ針
に電圧源、電流源、電圧計および電流計等を接続して各
半導体チップの機能・性能の検査を行っている。

〔発明が解決しようとする課題〕

この半導体装置検査方法において、半導体チップの機能
、性能の正値な検査を行うためには、自動プローブ装置
の各プローブ針が半導体チップの定められた電極に確実
に接触していることが必要である。このプローブ計と電
極との接触が不良であると誤った検査結果しか得られな
いという問題があった。

また、ｎ；Ｉ述したように半導体装置の高機能化に伴っ
て、半導体装置−チップ当たりの電極の数が増大し、電
極の面積および間隔が小さくなり、プローブ計と電極と
を確実に正規の接触状態にさせることが難しくなってい
る。このことにより、プローブ針が電極と確実に接触し
ていることを確認することが重要になっている。

したがって、この発明の目的は、プローブ計と電極との
接触状態を検知でき、機１１ヒ・性能検査の誤りを未然
に防止することができる半導体装置検査方法を提供する
ことである。

〔課題を解決するための手段］ この発明の半導体装置検査方法は、機能・性能検査に先
立って基板と接続された一対の電極間の電気抵抗を測定
し、予測値と比較してプローブ計と電極とが正規の接触
状態にあることを確認することを特徴としている。

（作　用〕 この発明の方法によれば、機能・性能検査に先立って基
板と接続された一対の電極間の電気抵抗を測定し、この
電気抵抗値を予測値と比較してプローブ計と電極とが正
規の接触状態にあることを６ｉ認するようにしたので、
プローブ計と電極との接触不良およびプローブ針が本来
接触すべき電極と異なる電極に接触していることを検知
することができる。

〔実施例］ この発明の半導体装置検査方法の実施例を第１図に基づ
いて説明する。

この半導体装置の検査は、第１図に示すように、自動プ
ローブ装置（図示せず）の複数のプローブ針３を半導体
チップｌ上の複数の電極２に接触させている。そして、
半導体チップ１の機能・性能検査に先立って基板（図示
せず）と接続された一対の電極（図示せず）間の電気抵
抗を測定し′ｙ−測埴と比較して、プローブ針３と電極
２とが正規の接触状態にあることを確認するようにして
いる。

以下、この半導体装置検査方法を第１図に基づいて具体
的に説明する。

自動プローブ装置の複数のプローブ針３は、プローブカ
ード４に固定されている。また、複数のプローブ針３は
測定装置（図示せず）に接続されている。

そして、半導体チップｌの機能、性能の検査を行う前に
、複数の電極２のうち半導体装ノブ１の活版（図示せず
）と接続された一対の電）極間の電気抵抗をそれぞれの
プローブ針３を介して測定する。また、予め、半導体装
ノブ１の電極と基板間の接触抵抗、一対の電極間の距離
、基板間の比抵抗、基板の厚さおよびウェハの大きさ等
から予測値を求めている。そして、この予測値に測定誤
差および製造工程でのばらつき等を考慮しである適当な
範囲をもたせる。測定した一対の電極間の抵抗値と予測
値とを比較し、測定した抵抗（ｉへが測定誤差および製
造工程でのばらつき等を考慮した予測値の範囲以内に有
れば、測定に使用したプローブ針３と半導体チップｌの
基板に接続された一対の電極とが確実に接触していると
判断できる。

ここで、複数のプローブ針３は、プローブカード４に同
し状態で固定されているので、測定に使用したプローブ
針３と基板に接続された一対の電極とが確実に接触して
おれば、その他の電極２とプローブ針３はそれぞれ正規
の接触状態であると１１１定することができる。

また、測定した一対の電極間の抵抗値が予測値の範囲に
入らなければ、一対の電極と一対の電極に接触している
それぞれのプローブ針３は、接触不良または本来接触す
る電極と異なる電極に接触した状態であり、その他のプ
ローブ針３も電極２と正規の接触状態でないと判定する
ことができる。

半導体チップｌの基板と接続された一対の電極の他の電
極２は、機能、性能の検査を行うべき内部回路に接続さ
れている。したがって、ｎｉｌ　述のことにより、半導
体チップ１の機能・性能検査を行う前に、半導体チンプ
ｌの基板と接続されている一対の電極と一対の電極に接
触しているそれぞれのプローブ針３の接触状態を確認す
ることにより、半導体チップｌの内部回路に接続されて
いる複数の電極２とそれぞれのプローブ針３との接触状
態を検知でき、機能・性能検査を正確に行うことができ
る。

このように、この半導体装置検査方法は、半導体チンプ
ｌの機能・性能検査に先立って複数の′、１極２のうち
半導体チップｌの基板と接続している一対の電極間の電
気抵抗をより定し、この電気抵抗値を予測値と比較して
プローブ針３と電極２とが正規の接触状態にあることを
確認するようにしたので、プローブ針３と電極２との接
触状態を検知でき、プローブ針３と電極２との接触状態
の不良による機能・性能検査の誤りを未然に防止するこ
とができる。

また、多くの半導体装置は、通常、半導体装ノブの基板
と接続された電極を有しており、この実施例の半導体装
置検査方法を行うために、特に新しい工程を必要としな
くてもよい。

［発明の効果］ この発明の半導体装置検査方法は、半導体チップの機能
・性能検査に先立って複数の電極のうち半導体チップの
基板と接続している一対の電極間の電気抵抗を測定し、
この電気抵抗値を予測値と比較してプローブ計と電極と
が正規の接触状態にあることを確認するようにしたので
、プローブ計と電極との接触状態を検知でき、プローブ
計と電極との接触状態の不良による機能・性能検査の誤
りを未然に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例の構成を示す正面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数のプローブ針を半導体チップ上の複数の電極に接触
   させて機能・性能検査を行う半導体装置検査方法におい
   て、前記機能・性能検査に先立って基板と接続された一
   対の電極間の電気抵抗を測定し予測値と比較してプロー
   ブ計と電極とが正規の接触状態にあることを確認するこ
   とを特徴とする半導体装置検査方法。