JPS6191943A - 半導体ウエ−ハの特性試験装置 - Google Patents

半導体ウエ−ハの特性試験装置

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JPS6191943A
JPS6191943A JP21367984A JP21367984A JPS6191943A JP S6191943 A JPS6191943 A JP S6191943A JP 21367984 A JP21367984 A JP 21367984A JP 21367984 A JP21367984 A JP 21367984A JP S6191943 A JPS6191943 A JP S6191943A
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JP
Japan
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measuring
wafer
pellet
stage
measurement
Prior art date
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Pending
Application number
JP21367984A
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English (en)
Inventor
Ken Nishijima
西嶋 建
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPS6191943A publication Critical patent/JPS6191943A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産1上皇I1m分立    ・ 本発明は、ペレ・ット形成後の半導体ウェーハの特性試
験装置に関するものである。
髪五Ω且血 IC,)ランジスタ等の半導体装置の特性試験は、製品
としての完成後に行われる他、第2図に示すようなペレ
ット形成後の半導体ウェーハ(1)(以下、ペレットウ
ェーハと称す)についてウェーハ状態のまま行われるも
のもある。
このようなペレットウェーハ(1)の特性試験は、従来
、第3図に示す装置を用いて行われる。この装置は、図
に示すように、ぺL/−/)ウェーハ(1)を吸着する
と共に上下及びX、Y方向に動(ステージ(2)と、ス
テージ(2)と対向する位置にあって先端がニードル状
の測定ピン(3a)を有するプローブカード(3)と、
ペレットウェーハ(1)の特性を測定する計測器(4)
とからなる、プローブカード(3)は、第4図及び第5
図に示すように樹脂製等の板材(3b)の中央部に穴(
3b’)を設け、この穴(3b’)の部分に先端が板材
(3b)に垂直になるように測定ビン(3a)を配設し
たちあである。測定ビン(3a)は、測定時にニードル
状の先端がペレットウェーハ(1)の各ペレットの電極
端子に接触するもので、通常2〜200ピンが樹脂(3
c)等により板材(3b)’の底面に固定される。更に
、測定ピン(3a)は、板材(3b)の底面に形成した
導電パターン(3d)に接続されて導電パターン(3d
)のターミナル部’(3e)と電気的に接続する。
上記特性試験を行うには、まず、プローブカード(3)
のターミナル部(3e)とステージ(2)の間に計測器
(4)を接続しステージ(2)を下降させておいて、そ
こにペレットウェーハ(1)を吸着する。そして、ステ
ージ(2)を上昇させ、ペレットウェーハ(1)の゛ 
各ペレットの電極端子に測定ピン(3a)を適当な接触
圧で接触させて、ペレットの特性を測定する。そして、
1つのペレットの測定が終了すれば、ステージ(2)を
1ピツチ横方向にずらせて他のペレットについて同様の
測定を繰り返す。
(”しよ゛と るロ 占 ところで、第3図に示す装置を用いて、ペレットウェー
ハ(1)の特性試験を行う場合、測定ピン(3a)はス
テージ(2)を上昇させることにより機械的に接触圧が
与えられる。そこで、測定回数又は時間がふえて(ると
、測定ピン(3a)の先端が摩耗して上記接触圧が低下
し接触抵抗が大きくなる。そのため、計測器(4)に掛
る測定値がペレットウェーハ(1)の特性だけでな(、
大きくなった測定ピン(3a)の接触抵抗の影響を受け
、その結果、ペレットウェーハ(1)が良品であるにも
拘らず、不良品として処理されることがある。又、上記
接触抵抗によるだけでなく、例えば測定回路の一部が接
触不良、又は断線している場合にも、良品のペレットウ
ェーハ(1)の特性が測定に掛らず、不良品として処理
されることがある。
そこで、通常、上記特性試験を行う場合、一定の測定回
数又は時間毎に、装置の機能と精度をチェックする必要
があり、従来、チェック用ウェーハを用いて装置の機能
と精度をチェックし、その低下が判定されると、ステー
ジ(2)を上昇させて接触圧を上げること、測定ピン(
3a)の先端を磨くこと等の処置を施していた。このチ
ェック用ウェーハは、例えば全面にアルミニウムを蒸着
したもので、既知の抵抗値を持つ。従って、このチェッ
ク用ウェーハを用いて、例えば計測器(4)に掛る測定
値が一定の範囲を越えたとき、装置の機能と精度が低下
したことを判定する。
ところが、上記チェック用ウェーハにより装置の機能と
精度をチェックするには、ウェーハの取り替えが必要と
なるため、特性試験装置の稼働率が落ち、又、自動化を
妨げる。
ロー   ° るための 本発明は、半導体ウェーハに形成されているペレットに
測定ピンを接触させて該ペレットの電気的特性を測定す
る測定回路と、該測定回路によるペレット測定回数およ
び/または時間を計測する計数部と、上記測定回路のペ
レット測定位置近傍にあって前記計数部の出力信号に基
づいて該測定回路の機能と精度とを検知する基準測定部
とを具備し、上記測定回路と装置の機能生精度を定期的
、かつ、自動的にチェックするものである。
裏胤医 本発明の一実施例を第1図に基づき以下説明する。第3
図と同一参照符号は同一物を示しその説明を省略する。
図において、(5)は全自動のウェーハプロアバで、ス
テージ(2)とプローブカード(3)とからなり、(6
)はウエーハブローバ(5)のステージ(2)に設けら
れたチェックポイントすなわち基準測定部であり、例え
ば既知の抵抗値を持つ金属導体である、(7)は測定ケ
ーブル(10)と(11)によってウェーハプローバ(
5)のステージ(2)とプローブカード(3)とに接続
される計測器で、従来と同様、ステージ(2)上のペレ
ットウェーハ(1)の特性を測定する0、以上の各構成
要素によって測定回路口を構成する。(8)はウェーハ
プローバ(5)と計測器(7)の間に設けられた計数部
、(9)はミニコンピユータで、計数部(8)によって
ウェーハプローバ(5)の実動測定回数および/または
時間が計渕され、これらが一定の値になると、計数部(
8)からミニコンピユータ(9)を経て信号がウェーハ
プローバ(5)と計測器(7)に送られて、次に述べる
ようにウエーハブローバ□(5)と計測器(7)の機能
と精度のチェ・ツクが行われる。
即ち、上記構成によれば、本発明の上記実施例の動作は
次のようになる。まず、ペレットウェーハ(1)の特性
試験は、ウエーハプローバ(5)において従来と同様、
ステージ(2)を下降させてそこにペレットウェーハ(
1)を吸着した後、ステージ(2)を上昇させ、ペレッ
トウェーハ(1)に測定ピン(3a)を接触させること
により行われ、計測器(7)がペレットウェーハ(1)
の特性を測定する。そして、ウェーハプローバ(5)に
お・けるペレットウェーハ(1)の測定回数および/ま
たは時間が一定の値になると、計測部(8)からミニコ
ンピユータ(9)を経てウェーハブローバ(5)と計測
器(7)に信号が送られる。この信号により、ウェーハ
プローバ(5)において測定ビン(3a)が基準測定部
(6)に接触するまでステージ(2)が移動する。そし
て、測定ピン(3a)が基準測定部(6)に接触すると
、ウエーハプローバ(5)から計測rA(7)に信号が
送られる。この信号に基づき計測器(7)によって測定
ケーブル(10) 、プローブカード(3)、基準測定
部(6)、ステージ(2)、測定ケーブル(11)の測
定回路(12)の特性を測定し、この測定値から測定回
路(12)の機能、及びプローブカード(3)と基準測
定部(6)の接触抵抗、計測器(7)自体の機能と精度
が自動的にチェックされる。
従って、上記実施例によれば、プローブカード(3)の
チェックたりてなく、測定回路(12)の機能も自動的
にチェックされる。
髪皿■処果 本発明によれば、プローブカードを用いてペレットウェ
ーハの特性を測定する装置において、ペレットウェーハ
の測定位置に基準測定部を設けることにより、一定の測
定回数および/または時間を経る毎に基準測定部を用い
て、プローブカードを含む測定回路を自動的にチェック
するようにしたから、プローブカードの機能と精度だけ
でな(測定回路の機能も自動的にチェックできるように
なり、稼働率が大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体ウェーハの特性試験装置の
一実施例の概略構成図、第2図はペレットウェーハの平
面図、第3図は従来の半導体ウェーハの特性試験装置の
概略構成図、第4図と第5図は第3図の装置に含まれる
プローブカードの側面図及び底面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェーハに形成されているペレットに測定
    ピンを接触させて該ペレットの電気的特性を測定する測
    定回路と、該測定回路によるペレット測定回数および/
    または時間を計測する計数部と、上記測定回路のペレッ
    ト測定位置近傍にあって前記計数部の出力信号に基づい
    て該測定回路の機能と精度とを検知する基準測定部とを
    具備したことを特徴とする半導体ウェーハの特性試験装
    置。
JP21367984A 1984-10-11 1984-10-11 半導体ウエ−ハの特性試験装置 Pending JPS6191943A (ja)

Priority Applications (1)

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JP21367984A JPS6191943A (ja) 1984-10-11 1984-10-11 半導体ウエ−ハの特性試験装置

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JP21367984A JPS6191943A (ja) 1984-10-11 1984-10-11 半導体ウエ−ハの特性試験装置

Publications (1)

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JPS6191943A true JPS6191943A (ja) 1986-05-10

Family

ID=16643176

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21367984A Pending JPS6191943A (ja) 1984-10-11 1984-10-11 半導体ウエ−ハの特性試験装置

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