JPH0252447A - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
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- JPH0252447A JPH0252447A JP63203225A JP20322588A JPH0252447A JP H0252447 A JPH0252447 A JP H0252447A JP 63203225 A JP63203225 A JP 63203225A JP 20322588 A JP20322588 A JP 20322588A JP H0252447 A JPH0252447 A JP H0252447A
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- Japan
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- probe
- standard
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- probe terminals
- bump electrodes
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子のパッド電橋としてバンプ電極を
使用している半導体集積回路の電気的特性を測定するた
めのプローブカードに関するものである。
使用している半導体集積回路の電気的特性を測定するた
めのプローブカードに関するものである。
（従来の技術）
従来、ウェハ上に形成されたＩＣ（半導体集積回路）の
電気的測定を行う場合には、タングステン（Ｗ）等の金
属でできたプローブ針をＩＣのパッド配置に照合して配
置したプローブカードを用いて電源や信号のやりとりを
行い、各種測定や良品チンブの選別を行っている。
電気的測定を行う場合には、タングステン（Ｗ）等の金
属でできたプローブ針をＩＣのパッド配置に照合して配
置したプローブカードを用いて電源や信号のやりとりを
行い、各種測定や良品チンブの選別を行っている。
従来のプローブカードを用いてウェハ内の１ダイスを測
定している状態を第３図に示す。
定している状態を第３図に示す。
図中、ｌはプローブカード、２はプローブ針、３はプロ
ーブカードを固定している樹脂、４はウェハ内の１ダイ
スである。
ーブカードを固定している樹脂、４はウェハ内の１ダイ
スである。
通常、プローブカード１を用いてウェハ上の各ダイスの
電気的特性を自動測定する時、ウェハはプローブのウェ
ハステージに固定され、プローブ針２との位置合ねせを
行った後、ウェハステージがＸ・Ｙ方向に移動して各ダ
イスと接触を繰り返しなから１ダイスずつ順に測定を行
う。この時、プローブ針２がパッドと良好に接触できる
ことが重要であり、通常一定の荷重がプローブ針２にか
かるようにウェハステージにオーバードライブがかけら
れる。
電気的特性を自動測定する時、ウェハはプローブのウェ
ハステージに固定され、プローブ針２との位置合ねせを
行った後、ウェハステージがＸ・Ｙ方向に移動して各ダ
イスと接触を繰り返しなから１ダイスずつ順に測定を行
う。この時、プローブ針２がパッドと良好に接触できる
ことが重要であり、通常一定の荷重がプローブ針２にか
かるようにウェハステージにオーバードライブがかけら
れる。
ＩＣの電極引出用バンドはＡＮ配線で形成されるのが一
般的であるが、最近はその作業性や信頼性上の観点から
、ワイヤレスボンディング方式として、ハンダバンプに
よるフリップチップ方式やＡｕバンプによるＴＡＢ方式
等が多用され始めている。
般的であるが、最近はその作業性や信頼性上の観点から
、ワイヤレスボンディング方式として、ハンダバンプに
よるフリップチップ方式やＡｕバンプによるＴＡＢ方式
等が多用され始めている。
このハンダバンプは５０〜１５０μｍの高さで球状に形
成されている。
成されている。
このようなバンプ構造の金属には比較的厚い物が要求さ
れるため、電気メツキ法で形成しているが、一般に電気
メツキ法では被メンキ物体の形状や電流密度の分布或い
は浴の組成や温度等の微妙な違いによってメツキのツキ
回りや厚さが異なるため、ＩＣのウェハ全面に均一にバ
ンプ金属を形成するのは困難である。このため、異常メ
ツキ等が引きがねとなって、例えば第４図（ａ）に示す
ように、チップ１１のバンプ電極１２は殆どが良好であ
るのに、中にはバンプ電極１２ａのように極端に太きく
２００μｍのものができたり、第４図（ｂ）に示すよう
にチップ１１のバンプ電極１４は殆どが良好であるのに
、中にはバンプ電極１４ａのように極端に小さり５０μ
ｍのものができる場合があった。
れるため、電気メツキ法で形成しているが、一般に電気
メツキ法では被メンキ物体の形状や電流密度の分布或い
は浴の組成や温度等の微妙な違いによってメツキのツキ
回りや厚さが異なるため、ＩＣのウェハ全面に均一にバ
ンプ金属を形成するのは困難である。このため、異常メ
ツキ等が引きがねとなって、例えば第４図（ａ）に示す
ように、チップ１１のバンプ電極１２は殆どが良好であ
るのに、中にはバンプ電極１２ａのように極端に太きく
２００μｍのものができたり、第４図（ｂ）に示すよう
にチップ１１のバンプ電極１４は殆どが良好であるのに
、中にはバンプ電極１４ａのように極端に小さり５０μ
ｍのものができる場合があった。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、前記バンプ電極のように１チツプの中に
極端な場合を除けば、大小のバンプ電極が存在していて
もブロービング時、バンプ大の電極の場合にはプローブ
針が針圧を吸収し、バンプ小の場合にはある程度の針圧
が掛かってプローブ針の先端が接触するため、どちらの
場合も良好と見なされる。そのような不良なバンプ電極
を含むものを実装した場合、バンプ電極を形成したチッ
プは通常、表面を裏返しにして実装される。即ち、バン
プ電極が大きいものを含む場合は、第５図（ａ）に示す
ように、チップ１１が実装キャリア１５に対して傾いて
しまいバンプ電極１２ａが正常に接続されず、また一方
、バンプ電極が小さいものを含む場合は、第５図（ｂ）
に示すように、正常なバンプ電極１４に挟まれた小のバ
ンプ電極１４ａが接続されないといった問題があった。
極端な場合を除けば、大小のバンプ電極が存在していて
もブロービング時、バンプ大の電極の場合にはプローブ
針が針圧を吸収し、バンプ小の場合にはある程度の針圧
が掛かってプローブ針の先端が接触するため、どちらの
場合も良好と見なされる。そのような不良なバンプ電極
を含むものを実装した場合、バンプ電極を形成したチッ
プは通常、表面を裏返しにして実装される。即ち、バン
プ電極が大きいものを含む場合は、第５図（ａ）に示す
ように、チップ１１が実装キャリア１５に対して傾いて
しまいバンプ電極１２ａが正常に接続されず、また一方
、バンプ電極が小さいものを含む場合は、第５図（ｂ）
に示すように、正常なバンプ電極１４に挟まれた小のバ
ンプ電極１４ａが接続されないといった問題があった。
それを防止するためにバンプ電極の目視による検査を行
う必要があり、作業効率が低減したり、また、その目視
検査でも前記バンプ電極の大小を見つけられず、実装後
に不良品が見つかるという問題があった。
う必要があり、作業効率が低減したり、また、その目視
検査でも前記バンプ電極の大小を見つけられず、実装後
に不良品が見つかるという問題があった。
本発明は、以上述べたハンダバンプの高さの不均一なチ
ップについては測定時点で不良としてそのチップを除去
し、正常なチップについてのみ電気的試験を実施するプ
ローブカードを提供することを目的とする。
ップについては測定時点で不良としてそのチップを除去
し、正常なチップについてのみ電気的試験を実施するプ
ローブカードを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、バンプ電極を
有する半導体集積回路の電気的測定に使用するプローブ
カードにおいて、本体に対して各々独立して上下動可能
にバネを介して保持される複数のプローブ端子と、該プ
ローブ端子を収納し、かつ半導体集積回路のバンプ電極
の規格に合わせた開孔部とストッパ部を有するハウジン
グを設けるようにしたものである。
有する半導体集積回路の電気的測定に使用するプローブ
カードにおいて、本体に対して各々独立して上下動可能
にバネを介して保持される複数のプローブ端子と、該プ
ローブ端子を収納し、かつ半導体集積回路のバンプ電極
の規格に合わせた開孔部とストッパ部を有するハウジン
グを設けるようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記のように構成したので、不揃いの
バンプ電極をもつＩＣの電気的特性をプローブカードで
測定する場合、正常なバンプが形成されているＩＣにつ
いてはそのまま電気的チエツクを行い、バンプの大小が
顕著なＩＣ１つまりバンプ電極不良のＩＣについては試
験の段階で除去することができる。
バンプ電極をもつＩＣの電気的特性をプローブカードで
測定する場合、正常なバンプが形成されているＩＣにつ
いてはそのまま電気的チエツクを行い、バンプの大小が
顕著なＩＣ１つまりバンプ電極不良のＩＣについては試
験の段階で除去することができる。
〈実施例）゛
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示すプローブカードの断面図
、第２図はそのプローブカードを用いたハンプ電極を有
する半導体集積回路の電気的特性の測定状態を示す断面
図である。
、第２図はそのプローブカードを用いたハンプ電極を有
する半導体集積回路の電気的特性の測定状態を示す断面
図である。
図中、２１はプローブ端子を支持する本体としてのサフ
ァイヤ板、２２は精度よく加工が可能な、例えばサファ
イヤで構成され、プローブ端子を収納するハウジング、
２３はそのハウジングの開口、２４はそのハウジングに
形成されるストッパ、２５はバンプ電極をプローブする
ための球状面を有するプローブ端子、２６はプローブ端
子を下方に偏倚するリン青銅製のバネ、２７は引き出し
線（従来のプローブ針）であり、この実施例においては
、従来のプローブ針の先端部分がサファイヤ板２１の中
に埋め込まれており、従来のプローブカードにプローブ
針でサファイヤ板２１に埋め込まれたプローブ針と導通
している。
ァイヤ板、２２は精度よく加工が可能な、例えばサファ
イヤで構成され、プローブ端子を収納するハウジング、
２３はそのハウジングの開口、２４はそのハウジングに
形成されるストッパ、２５はバンプ電極をプローブする
ための球状面を有するプローブ端子、２６はプローブ端
子を下方に偏倚するリン青銅製のバネ、２７は引き出し
線（従来のプローブ針）であり、この実施例においては
、従来のプローブ針の先端部分がサファイヤ板２１の中
に埋め込まれており、従来のプローブカードにプローブ
針でサファイヤ板２１に埋め込まれたプローブ針と導通
している。
また、プローブ端子２５はハウジング２２の開口２３に
臨み、ストッパ２４によってその下限位置に保持されて
いる。
臨み、ストッパ２４によってその下限位置に保持されて
いる。
次に、本発明のプローブカードの動作例を第２図を用い
て説明する。
て説明する。
この図では、Ｉ Ｃ３１が真空吸着等の方法を用いてス
テージ３０に固定され、ダイスを測定している状態を示
している。
テージ３０に固定され、ダイスを測定している状態を示
している。
そこで、ステージ３０が移動中はプローブハウジング２
２にバンプ電極が接触しないように、ステージ３０に固
定されたＩＣ３１はプローブハウジング２２から約１０
０〜５００μｍ程度下げられている。
２にバンプ電極が接触しないように、ステージ３０に固
定されたＩＣ３１はプローブハウジング２２から約１０
０〜５００μｍ程度下げられている。
この実施例においては、バンプ電極の高さの規格が１０
０±２０μｍの場合について判別する。従って、１００
±２０μｍのものは正常となる。
０±２０μｍの場合について判別する。従って、１００
±２０μｍのものは正常となる。
そこで、ステージ３０をＩＣチップサイズ毎にステツプ
して移動させ、プローブハウジング２２直下にダイスが
移動した際、プローブ端子２５が臨むプローブハウジン
グ２２の開口部にステージ３０を押し上げる。一方、Ｉ
Ｃ３１には、第２図に示すように、規格中心のバンプ電
極３２、規格上限のバンプ電掘３２ａ、規格下限のバン
プ電極３２ｂが設けられており、また距離Ａは８０μｍ
のバンプ電極が形成されていた時、プローブハウジング
２２がバンプ電極に接触する高さを有し、また距離Ｂは
１２０μｍの間隔を有しているので、規格中心のバンプ
電極３２は間隔Ｂを通過してプローブ端子２５と接触し
、バネ２６を介したプローブ端子２５が少し押し上げら
れて電気的チエツクが行われる。
して移動させ、プローブハウジング２２直下にダイスが
移動した際、プローブ端子２５が臨むプローブハウジン
グ２２の開口部にステージ３０を押し上げる。一方、Ｉ
Ｃ３１には、第２図に示すように、規格中心のバンプ電
極３２、規格上限のバンプ電掘３２ａ、規格下限のバン
プ電極３２ｂが設けられており、また距離Ａは８０μｍ
のバンプ電極が形成されていた時、プローブハウジング
２２がバンプ電極に接触する高さを有し、また距離Ｂは
１２０μｍの間隔を有しているので、規格中心のバンプ
電極３２は間隔Ｂを通過してプローブ端子２５と接触し
、バネ２６を介したプローブ端子２５が少し押し上げら
れて電気的チエツクが行われる。
次に、上限１２０μｍのバンプ電極３２ａは間隔Ｂを通
過し、プローブ端子２５と接触し、バネ２６を介したプ
ローブ端子２５が、規格中心より更に押し上げられて電
気的チエツクが行われる。
過し、プローブ端子２５と接触し、バネ２６を介したプ
ローブ端子２５が、規格中心より更に押し上げられて電
気的チエツクが行われる。
また、下限８０μｍのバンプ電極３２ｂは間隔Ｂを通過
し、プローブ端子２５が下限位置にあることから接触し
て電気的チエ７りが行われる。
し、プローブ端子２５が下限位置にあることから接触し
て電気的チエ７りが行われる。
なお、バネ２６の荷重は、下限のバンプ電極があった時
オーミックがとれる程度に設計されている。
オーミックがとれる程度に設計されている。
一方、規格外つまり８０μｍ以下或いは１２０μｍ以上
のバンプ電極について言えば、８０μｍ以下の場合は、
ストッパ２４により保持され開口２３に臨んでいるプロ
ーブ端子２５に届かず、１２０μｍ以上の場合は間隔Ｂ
を通過しないので、いずれの場合もプローブ端子２５と
は接触することができず、電気的に開路状態であるから
、電気的にチエツクした際、不良品として除去すること
ができる。
のバンプ電極について言えば、８０μｍ以下の場合は、
ストッパ２４により保持され開口２３に臨んでいるプロ
ーブ端子２５に届かず、１２０μｍ以上の場合は間隔Ｂ
を通過しないので、いずれの場合もプローブ端子２５と
は接触することができず、電気的に開路状態であるから
、電気的にチエツクした際、不良品として除去すること
ができる。
このように、除去されたチップには不良品としてインク
を付着する等して、次のダイスの試験のために移動する
。
を付着する等して、次のダイスの試験のために移動する
。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、（１）
ＩＣの特性チエツクを行うブロービング時にハンダバン
プを電気的にチエツクし、ハンダバンプ電極の寸法が規
格外の場合には、そのＩＣを除去するようにしたので、
試験時点においてＩＣの不良品を排斥することができ、
規格外のバンプ電極によるチップが良品となることを防
止することができる。
ＩＣの特性チエツクを行うブロービング時にハンダバン
プを電気的にチエツクし、ハンダバンプ電極の寸法が規
格外の場合には、そのＩＣを除去するようにしたので、
試験時点においてＩＣの不良品を排斥することができ、
規格外のバンプ電極によるチップが良品となることを防
止することができる。
（２）従来のようにバンプ電極の大小を目視によって行
っていた検査を省き、電気的にチエツクすることにより
作業性の向上を図ることができる。
っていた検査を省き、電気的にチエツクすることにより
作業性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の実施例を示すプローブカードの断面図
、第２図はそのプローブカードを用いたバンプ電極を有
する半導体集積回路の電気的特性の測定状態を示す断面
図、第３図は従来の半導体集積回路の電気的特性の測定
状態を示す部分斜視図、第４図は規格外のバンプ電極を
有するＩＣの実装状態を示す断面図、第５図は規格外の
バンプ電極を有するＩＣの実装状態を示す断面図である
。 ２１・・・サファイヤ板、２２・・・ハウジング、２３
・・・ハウジングの開口、２４・・・ストッパ、２５・
・・プローブ端子、２６・・・リン青銅製のバネ、２７
・・・引き出し線、３０・・・ステージ、３１− Ｉ
Ｃ、３２，３２ａ 、 ３２ ｂ−バンプ電極。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）Ａノ１侭の
パンツ“電極Ｉ−１ゐＩＣの伽坤今姓の須１１走状−を
仄１鱈′元回第２図
、第２図はそのプローブカードを用いたバンプ電極を有
する半導体集積回路の電気的特性の測定状態を示す断面
図、第３図は従来の半導体集積回路の電気的特性の測定
状態を示す部分斜視図、第４図は規格外のバンプ電極を
有するＩＣの実装状態を示す断面図、第５図は規格外の
バンプ電極を有するＩＣの実装状態を示す断面図である
。 ２１・・・サファイヤ板、２２・・・ハウジング、２３
・・・ハウジングの開口、２４・・・ストッパ、２５・
・・プローブ端子、２６・・・リン青銅製のバネ、２７
・・・引き出し線、３０・・・ステージ、３１− Ｉ
Ｃ、３２，３２ａ 、 ３２ ｂ−バンプ電極。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）Ａノ１侭の
パンツ“電極Ｉ−１ゐＩＣの伽坤今姓の須１１走状−を
仄１鱈′元回第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 バンプ電極を有する半導体集積回路の電気的測定に使用
するプローブカードにおいて、 （ａ）本体に対して各々独立して上下動可能にバネを介
して保持される複数のプローブ端子と、（ｂ）該プロー
ブ端子を収納し、かつ半導体集積回路のバンプ電極の規
格に合わせた開孔部とストッパ部を有するハウジングを
具備することを特徴とするプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203225A JPH0252447A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203225A JPH0252447A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | プローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252447A true JPH0252447A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16470525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63203225A Pending JPH0252447A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | プローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0252447A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712892A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体素子の検査治具及び検査方法 |
| WO2008018286A1 (fr) * | 2006-08-09 | 2008-02-14 | Panasonic Corporation | cassette pour carte de contrôle et carte de contrôle |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP63203225A patent/JPH0252447A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712892A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体素子の検査治具及び検査方法 |
| WO2008018286A1 (fr) * | 2006-08-09 | 2008-02-14 | Panasonic Corporation | cassette pour carte de contrôle et carte de contrôle |
| US8040147B2 (en) | 2006-08-09 | 2011-10-18 | Panasonic Corporation | Probe card cassette and probe card |
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