JPH08330368A - 半導体回路装置群及びそのプローブ試験方法 - Google Patents
半導体回路装置群及びそのプローブ試験方法Info
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- JPH08330368A JPH08330368A JP7134211A JP13421195A JPH08330368A JP H08330368 A JPH08330368 A JP H08330368A JP 7134211 A JP7134211 A JP 7134211A JP 13421195 A JP13421195 A JP 13421195A JP H08330368 A JPH08330368 A JP H08330368A
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プローブ試験を行う際に外部接続パッドとプ
ローブとの接触状態を検出できる半導体回路装置群。 【構成】 半導体回路装置２の中央には内部回路４が設
けられ、その周囲に内部回路４と接続された外部接続用
の信号パッド３，３，…が形成されている。半導体回路
装置２の外周側に形成されたダイシング領域５上に接触
検査用の第１，第２のモニタパッド14,13 が形成されて
おり、第１，第２のモニタパッド14,13 は金属配線を介
して同一の信号パッド３と接続されている。プローブ試
験の際に、信号パッド３と第１のモニタパッド14との間
に電流を供給し、信号パッド３と第２のモニタパッド13
との間の電圧を測定してプローブと信号パッド３との接
触抵抗を求める。
ローブとの接触状態を検出できる半導体回路装置群。 【構成】 半導体回路装置２の中央には内部回路４が設
けられ、その周囲に内部回路４と接続された外部接続用
の信号パッド３，３，…が形成されている。半導体回路
装置２の外周側に形成されたダイシング領域５上に接触
検査用の第１，第２のモニタパッド14,13 が形成されて
おり、第１，第２のモニタパッド14,13 は金属配線を介
して同一の信号パッド３と接続されている。プローブ試
験の際に、信号パッド３と第１のモニタパッド14との間
に電流を供給し、信号パッド３と第２のモニタパッド13
との間の電圧を測定してプローブと信号パッド３との接
触抵抗を求める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部接続用の複数のパ
ッドを有する半導体回路装置の複数を並設した半導体回
路装置群と、前記パッドにプローブを電気的に接触させ
ることにより半導体回路装置夫々のプローブ試験を行う
方法とに関する。
ッドを有する半導体回路装置の複数を並設した半導体回
路装置群と、前記パッドにプローブを電気的に接触させ
ることにより半導体回路装置夫々のプローブ試験を行う
方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体回路装置群は、円板形状を有する
ウエハ上に半導体回路装置の複数を並設して形成され
る。夫々の半導体回路装置はトランジスタ及び配線等の
内部回路とこれに接続される外部接続用パッドとを備え
ており、ウエハ上に形成されたダイシング領域に沿って
切断されて各半導体装置回路に分断される。図１０は、
ウエハ上に形成された従来の半導体回路装置群の構成を
示す模式的平面図である。図中１はウエハであり、ウエ
ハ１上に半導体回路装置２，２，…が碁盤目状に形成さ
れている。半導体回路装置２，２の境界となる斜線で示
したダイシング領域５は、半導体回路装置２，２，…が
切断されてチップに形成される際に削除される領域であ
る。
ウエハ上に半導体回路装置の複数を並設して形成され
る。夫々の半導体回路装置はトランジスタ及び配線等の
内部回路とこれに接続される外部接続用パッドとを備え
ており、ウエハ上に形成されたダイシング領域に沿って
切断されて各半導体装置回路に分断される。図１０は、
ウエハ上に形成された従来の半導体回路装置群の構成を
示す模式的平面図である。図中１はウエハであり、ウエ
ハ１上に半導体回路装置２，２，…が碁盤目状に形成さ
れている。半導体回路装置２，２の境界となる斜線で示
したダイシング領域５は、半導体回路装置２，２，…が
切断されてチップに形成される際に削除される領域であ
る。
【０００３】半導体回路装置２には中央に内部回路４が
設けられている。内部回路４の周囲には外部接続用の複
数の信号パッド（電極端子部）３，３，…が設けられて
おり、これらの信号パッド３，３，…は内部回路配線と
接続されている。ウエハ１上に内部回路４及び信号パッ
ド３，３，…を形成するウエハ工程が終了し、図１０に
示すような半導体回路装置群が製造された後、切断工程
に先立って各半導体回路装置２，２，…に形成された信
号パッド３，３，…にプローブ（検査針）を電気的に接
触せしめ、プローブを介して信号パッド３，３，…に電
流を供給することにより、この半導体回路装置の電気的
特性を測定するプローブ試験を行う。
設けられている。内部回路４の周囲には外部接続用の複
数の信号パッド（電極端子部）３，３，…が設けられて
おり、これらの信号パッド３，３，…は内部回路配線と
接続されている。ウエハ１上に内部回路４及び信号パッ
ド３，３，…を形成するウエハ工程が終了し、図１０に
示すような半導体回路装置群が製造された後、切断工程
に先立って各半導体回路装置２，２，…に形成された信
号パッド３，３，…にプローブ（検査針）を電気的に接
触せしめ、プローブを介して信号パッド３，３，…に電
流を供給することにより、この半導体回路装置の電気的
特性を測定するプローブ試験を行う。
【０００４】このプローブ試験は、複数のプローブを備
えるプローブ装置をウエハの上方に配して行う。プロー
ブ装置又はウエハを移動せしめることにより、複数の半
導体回路装置を順次試験する。プローブ試験は通常複数
の試験項目からなり、プローブをパッド上に接触せしめ
た後、最初に、バッドとプローブとが電気的に接触して
いるか否かを確認する接触検査を行う。接触検査は半導
体回路装置の寄生ダイオード特性を測定することにより
行われる。
えるプローブ装置をウエハの上方に配して行う。プロー
ブ装置又はウエハを移動せしめることにより、複数の半
導体回路装置を順次試験する。プローブ試験は通常複数
の試験項目からなり、プローブをパッド上に接触せしめ
た後、最初に、バッドとプローブとが電気的に接触して
いるか否かを確認する接触検査を行う。接触検査は半導
体回路装置の寄生ダイオード特性を測定することにより
行われる。
【０００５】図１１は、プローブ試験の際にプローブを
パッドに接触せしめた状態を示す半導体回路装置群の部
分模式的平面図であり、図１２は半導体回路装置２及び
プローブ装置の測定回路の構成を示す回路図である。図
１１，図１２に示すように、内部回路４はゲート回路4
1、VCC 42、及びGND 43を備えており、ゲート回路41の
トランジスタは、トランジスタ−基板間の寄生ダイオー
ド44,44 を有している。信号を入出力する信号パッド３
が内部回路４の配線に接続されており、GND パッド８が
内部回路４のGND 43に接続されている。プローブ６，７
間は電流源９を介して接続され、プローブ６，７間は電
圧計10が接続されて信号パッド３とGND パッド８との間
に印加された電圧を測定するようになっている。
パッドに接触せしめた状態を示す半導体回路装置群の部
分模式的平面図であり、図１２は半導体回路装置２及び
プローブ装置の測定回路の構成を示す回路図である。図
１１，図１２に示すように、内部回路４はゲート回路4
1、VCC 42、及びGND 43を備えており、ゲート回路41の
トランジスタは、トランジスタ−基板間の寄生ダイオー
ド44,44 を有している。信号を入出力する信号パッド３
が内部回路４の配線に接続されており、GND パッド８が
内部回路４のGND 43に接続されている。プローブ６，７
間は電流源９を介して接続され、プローブ６，７間は電
圧計10が接続されて信号パッド３とGND パッド８との間
に印加された電圧を測定するようになっている。
【０００６】以上の如き構成の半導体回路装置及びプロ
ーブ装置を用いてプローブ試験を行う場合は、図１１に
示すように、半導体回路装置２に形成された全ての信号
パッド３…及びGND パッド８…上にプローブ６，…，
７，…を配し、電流源９からプローブ６，７を介して寄
生ダイオード44,44 の順方向に微小電流を流す。このと
き、寄生ダイオード44,44 の順方向特性である0.5 Ｖ程
度の電圧降下が電圧計１０で測定されるか否かにより、
信号パッド３とプローブ６との接触状態、及びGND パッ
ド８とプローブ７との接触状態を検証する。
ーブ装置を用いてプローブ試験を行う場合は、図１１に
示すように、半導体回路装置２に形成された全ての信号
パッド３…及びGND パッド８…上にプローブ６，…，
７，…を配し、電流源９からプローブ６，７を介して寄
生ダイオード44,44 の順方向に微小電流を流す。このと
き、寄生ダイオード44,44 の順方向特性である0.5 Ｖ程
度の電圧降下が電圧計１０で測定されるか否かにより、
信号パッド３とプローブ６との接触状態、及びGND パッ
ド８とプローブ７との接触状態を検証する。
【０００７】また、特開平４−215450号公報では、コー
ナ部の少なくとも２箇所に、導体を介して互いに接続さ
れた接触検査用パッドを備える半導体回路装置が提案さ
れている。この半導体回路装置のプローブ試験を行う際
には、信号パッドの夫々に対応する複数のプローブと接
触検査用パッドに対応するプローブとの先端部の位置合
わせを行い、接触検査用パッドとプローブとの接触が確
認できた場合に、信号パッドとプローブとの接触状態が
良好であると判断する。
ナ部の少なくとも２箇所に、導体を介して互いに接続さ
れた接触検査用パッドを備える半導体回路装置が提案さ
れている。この半導体回路装置のプローブ試験を行う際
には、信号パッドの夫々に対応する複数のプローブと接
触検査用パッドに対応するプローブとの先端部の位置合
わせを行い、接触検査用パッドとプローブとの接触が確
認できた場合に、信号パッドとプローブとの接触状態が
良好であると判断する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、パッドとプ
ローブとの電気的接触は、プローブをパッドに押圧せし
めることにより実現している。一辺数十μｍを有し、１
チップ当たり数百個以上設けられたパッドの中央部分
に、対応するプローブを全て確実に接触する必要があ
り、高精度の位置合わせを必要とする。パッドとプロー
ブとの接触，非接触の状態は微妙であり、様々な要因に
より接触状態は悪化する。例えば、プローブとパッドと
の接触位置のずれにより複数プローブの押圧力が不均一
となった場合に接触状態は悪化する。また、複数プロー
ブの先端位置及び高さが不揃いである場合、又はプロー
ブの先端部にゴミが付着した場合には一部分のプローブ
が非接触になる。さらに、プローブ移動機能，ウエハ移
動機能の不具合によってもプローブの接触状態は悪化す
る。
ローブとの電気的接触は、プローブをパッドに押圧せし
めることにより実現している。一辺数十μｍを有し、１
チップ当たり数百個以上設けられたパッドの中央部分
に、対応するプローブを全て確実に接触する必要があ
り、高精度の位置合わせを必要とする。パッドとプロー
ブとの接触，非接触の状態は微妙であり、様々な要因に
より接触状態は悪化する。例えば、プローブとパッドと
の接触位置のずれにより複数プローブの押圧力が不均一
となった場合に接触状態は悪化する。また、複数プロー
ブの先端位置及び高さが不揃いである場合、又はプロー
ブの先端部にゴミが付着した場合には一部分のプローブ
が非接触になる。さらに、プローブ移動機能，ウエハ移
動機能の不具合によってもプローブの接触状態は悪化す
る。
【０００９】半導体回路装置の寄生ダイオード特性を検
出する従来のプローブ試験では、プローブとパッドとが
完全に非接触である場合にはこれを検出することはでき
る、即ち接触状態の許容範囲から遠く外れているものを
取出すことはできる。しかしながら、接触状態の許容範
囲を僅かに外れたものについては検出できないために、
接触状態が不良であることに気付かずに特性試験の結果
を不良と判定してしまい、半導体回路装置の製造歩留り
を低くするという問題があった。
出する従来のプローブ試験では、プローブとパッドとが
完全に非接触である場合にはこれを検出することはでき
る、即ち接触状態の許容範囲から遠く外れているものを
取出すことはできる。しかしながら、接触状態の許容範
囲を僅かに外れたものについては検出できないために、
接触状態が不良であることに気付かずに特性試験の結果
を不良と判定してしまい、半導体回路装置の製造歩留り
を低くするという問題があった。
【００１０】また、前述したような特開平４−215450号
公報で提案された半導体回路装置では、全ての信号パッ
ドの面の高さが一定している場合、全てのプローブの先
端位置及び高さが一定している場合には、信号パッドの
接触状態が正確に判定できるが、上述した如くパッドと
プローブとの接触状態は微妙であるために、個々の信号
パッド夫々についての接触状態を正確に検出することが
できないという問題があった。
公報で提案された半導体回路装置では、全ての信号パッ
ドの面の高さが一定している場合、全てのプローブの先
端位置及び高さが一定している場合には、信号パッドの
接触状態が正確に判定できるが、上述した如くパッドと
プローブとの接触状態は微妙であるために、個々の信号
パッド夫々についての接触状態を正確に検出することが
できないという問題があった。
【００１１】また、前述したような従来のプローブ試験
では、検査対象の信号パッドとVCCパッド又は接地パッ
ドとの間で寄生ダイオード特性を検出するので、VCC パ
ッド及び接地パッド夫々についての接触状態を単独で検
査できないという問題があった。
では、検査対象の信号パッドとVCCパッド又は接地パッ
ドとの間で寄生ダイオード特性を検出するので、VCC パ
ッド及び接地パッド夫々についての接触状態を単独で検
査できないという問題があった。
【００１２】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、接触検査対象の外部接続パッドとこれに接続
された接触検査用パッドとの間に電流を供給してその電
圧降下を測定することにより、個々の外部接続パッドと
プローブとの接触状態を高精度で検出できる半導体回路
装置群及びそのプローブ試験方法を提供することを目的
とする。
のであり、接触検査対象の外部接続パッドとこれに接続
された接触検査用パッドとの間に電流を供給してその電
圧降下を測定することにより、個々の外部接続パッドと
プローブとの接触状態を高精度で検出できる半導体回路
装置群及びそのプローブ試験方法を提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る半導体回
路装置群は、外部接続パッドを備える半導体回路装置の
複数が並設されており、前記外部接続パッドに導体を介
して接続された、プローブ試験を行う際の接触検査用パ
ッドを備えることを特徴とする。
路装置群は、外部接続パッドを備える半導体回路装置の
複数が並設されており、前記外部接続パッドに導体を介
して接続された、プローブ試験を行う際の接触検査用パ
ッドを備えることを特徴とする。
【００１４】第２発明に係る半導体回路装置群は、第１
発明において、接触検査用パッドが同一の外部接続パッ
ドに複数接続されていることを特徴とする。
発明において、接触検査用パッドが同一の外部接続パッ
ドに複数接続されていることを特徴とする。
【００１５】第３発明に係る半導体回路装置群は、第１
又は第２発明において、各半導体回路装置に分断する際
に切離除去されるダイシング領域を備えており、接触検
査用パッドは前記ダイシング領域に設けられていること
を特徴とする。
又は第２発明において、各半導体回路装置に分断する際
に切離除去されるダイシング領域を備えており、接触検
査用パッドは前記ダイシング領域に設けられていること
を特徴とする。
【００１６】第４発明に係る半導体回路装置群のプロー
ブ試験方法は、第１，第２又は第３発明の半導体回路装
置群をプローブ試験する方法であって、接触検査用パッ
ド及びこれが接続された外部接続パッド夫々にプローブ
を接触せしめて電流を供給し、外部接続パッドと接触検
査用パッドとの間の電圧を検出して、供給した電流及び
検出された電圧に基づいて前記外部接続パッドとプロー
ブとの接触抵抗値を求め、該接触抵抗値に応じて前記外
部接続パッドとプローブとの接触状態を判定することを
特徴とする。
ブ試験方法は、第１，第２又は第３発明の半導体回路装
置群をプローブ試験する方法であって、接触検査用パッ
ド及びこれが接続された外部接続パッド夫々にプローブ
を接触せしめて電流を供給し、外部接続パッドと接触検
査用パッドとの間の電圧を検出して、供給した電流及び
検出された電圧に基づいて前記外部接続パッドとプロー
ブとの接触抵抗値を求め、該接触抵抗値に応じて前記外
部接続パッドとプローブとの接触状態を判定することを
特徴とする。
【００１７】
【作用】本発明の半導体回路装置群及びその半導体回路
装置群のプローブ試験方法では、接触検査対象の外部接
続パッドとこれに接続された接触検査用パッドとの間に
電流を供給し、このときに生じる電圧降下を測定するこ
とにより、外部接続パッドとプローブとの間の接触抵抗
を求める。この接触抵抗値を予め定められた所定値と比
較し、プローブが外部接続パッドと正常に接触している
か否かを判定する。
装置群のプローブ試験方法では、接触検査対象の外部接
続パッドとこれに接続された接触検査用パッドとの間に
電流を供給し、このときに生じる電圧降下を測定するこ
とにより、外部接続パッドとプローブとの間の接触抵抗
を求める。この接触抵抗値を予め定められた所定値と比
較し、プローブが外部接続パッドと正常に接触している
か否かを判定する。
【００１８】また、本発明の半導体回路装置群では、１
つの外部接続パッドに複数の接触検査用パッドが形成さ
れ、外部接続パッドと例えば第１の接触検査用パッドと
の間に電流を供給した場合に、前記外部接続パッドと第
２の接触検査用パッドとの間の電圧を測定することによ
り、接触検査用パッド及びこれに接触するプローブに関
する抵抗が除去されるので、外部接続パッドとプローブ
との間の接触抵抗を高精度で求めることができる。
つの外部接続パッドに複数の接触検査用パッドが形成さ
れ、外部接続パッドと例えば第１の接触検査用パッドと
の間に電流を供給した場合に、前記外部接続パッドと第
２の接触検査用パッドとの間の電圧を測定することによ
り、接触検査用パッド及びこれに接触するプローブに関
する抵抗が除去されるので、外部接続パッドとプローブ
との間の接触抵抗を高精度で求めることができる。
【００１９】さらに、ダイシング領域に形成された接触
検査用パッドは、プローブ試験終了後に、半導体回路装
置群を切断して各半導体回路装置を成形する際に半導体
回路装置から切断される。
検査用パッドは、プローブ試験終了後に、半導体回路装
置群を切断して各半導体回路装置を成形する際に半導体
回路装置から切断される。
【００２０】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は本発明の半導体回路装置群
の１実施例の構成を示す模式的平面図である。図中１ａ
はウエハであり、ウエハ１ａ上に半導体回路装置２，
２，…が碁盤目状に形成されており、その１つが図示さ
れている。半導体回路装置２の外周側にはダイシング領
域５が形成されており、半導体回路装置２の中央には内
部回路４が形成されている。内部回路４の周囲には外部
接続用の複数の信号パッド３，３，…が設けられてお
り、これらの信号パッド３，３，…は内部回路４の配線
と接続されている。そして、ダイシング領域５上には、
本発明の特徴となる接触検査用の第１のモニタパッド14
及び第２のモニタパッド13が形成されており、第１，第
２のモニタパッド14,13 夫々は低抵抗を有する金属配線
を介して信号パッド３と接続されている。
き具体的に説明する。図１は本発明の半導体回路装置群
の１実施例の構成を示す模式的平面図である。図中１ａ
はウエハであり、ウエハ１ａ上に半導体回路装置２，
２，…が碁盤目状に形成されており、その１つが図示さ
れている。半導体回路装置２の外周側にはダイシング領
域５が形成されており、半導体回路装置２の中央には内
部回路４が形成されている。内部回路４の周囲には外部
接続用の複数の信号パッド３，３，…が設けられてお
り、これらの信号パッド３，３，…は内部回路４の配線
と接続されている。そして、ダイシング領域５上には、
本発明の特徴となる接触検査用の第１のモニタパッド14
及び第２のモニタパッド13が形成されており、第１，第
２のモニタパッド14,13 夫々は低抵抗を有する金属配線
を介して信号パッド３と接続されている。
【００２１】以上の如き構成の半導体回路装置群のプロ
ーブ試験を行う方法について、図２，図３及び図４に基
づいて以下に説明する。図２は図１に示した半導体回路
装置をプローブ装置と共に示した説明図であり、図３は
プローブをパッドに接触せしめた場合のプローブ装置の
等価回路図であり、図４は本発明のプローブ試験方法の
手順を示したフローチャートである。図に示すように、
内部回路４はゲート回路41，VCC 42及びGND 43を備えて
おり、ゲート回路41のトランジスタは、トランジスタ−
基板間の寄生ダイオード44,44 を有している。内部回路
４には信号パッド３が接続され、信号パッド３には第
１，第２のモニタパッド13,14 が接続されている。プロ
ーブ装置は複数のプローブ６，15, 16を備え、プローブ
６,16 間は電流源９を介して接続され、プローブ15,16
間には電圧を測定する電圧計10が接続されている。
ーブ試験を行う方法について、図２，図３及び図４に基
づいて以下に説明する。図２は図１に示した半導体回路
装置をプローブ装置と共に示した説明図であり、図３は
プローブをパッドに接触せしめた場合のプローブ装置の
等価回路図であり、図４は本発明のプローブ試験方法の
手順を示したフローチャートである。図に示すように、
内部回路４はゲート回路41，VCC 42及びGND 43を備えて
おり、ゲート回路41のトランジスタは、トランジスタ−
基板間の寄生ダイオード44,44 を有している。内部回路
４には信号パッド３が接続され、信号パッド３には第
１，第２のモニタパッド13,14 が接続されている。プロ
ーブ装置は複数のプローブ６，15, 16を備え、プローブ
６,16 間は電流源９を介して接続され、プローブ15,16
間には電圧を測定する電圧計10が接続されている。
【００２２】まず、プローブ装置をウエハの上方に配
し、信号パッド３にプローブ６を接触せしめ、同時に第
１，第２のモニタパッド14,13 にプローブ15, 16を接触
せしめる（ステップＳ１１）。次に、プローブ６,16 を
介して信号パッド３及び第１のモニタパッド14間に電流
Ｉを供給し（ステップＳ１２）、信号パッド３及び第２
のモニタパッド13間に印加された電圧を電圧計10にて測
定し、電流源９による電圧と測定された電圧とにより電
圧降下Ｖを検出する（ステップＳ１３）。供給した電流
Ｉ及び検出した電圧降下Ｖから、プローブ６と信号パッ
ド３との接触抵抗Ｒ1 ＝Ｖ／Ｉを算出する（ステップＳ
１４）。そして、プローブ６と信号パッド３との接触状
態を判定する（ステップＳ１５）。接触状態の判定は、
接触抵抗Ｒ 1 が基準値を越えている場合はプローブ６と
信号パッド３との接触が不良であると判定し、基準値以
下である場合は接触が良好であると判断する。このとき
基準値は、パッド面積，パッドの材質及びプローブの材
質等で決定される値であり、通常は数Ω×10-1程度であ
る。プローブと信号パッドとが完全に非接触である場合
には接触抵抗Ｒ1 は∞Ωとなる。
し、信号パッド３にプローブ６を接触せしめ、同時に第
１，第２のモニタパッド14,13 にプローブ15, 16を接触
せしめる（ステップＳ１１）。次に、プローブ６,16 を
介して信号パッド３及び第１のモニタパッド14間に電流
Ｉを供給し（ステップＳ１２）、信号パッド３及び第２
のモニタパッド13間に印加された電圧を電圧計10にて測
定し、電流源９による電圧と測定された電圧とにより電
圧降下Ｖを検出する（ステップＳ１３）。供給した電流
Ｉ及び検出した電圧降下Ｖから、プローブ６と信号パッ
ド３との接触抵抗Ｒ1 ＝Ｖ／Ｉを算出する（ステップＳ
１４）。そして、プローブ６と信号パッド３との接触状
態を判定する（ステップＳ１５）。接触状態の判定は、
接触抵抗Ｒ 1 が基準値を越えている場合はプローブ６と
信号パッド３との接触が不良であると判定し、基準値以
下である場合は接触が良好であると判断する。このとき
基準値は、パッド面積，パッドの材質及びプローブの材
質等で決定される値であり、通常は数Ω×10-1程度であ
る。プローブと信号パッドとが完全に非接触である場合
には接触抵抗Ｒ1 は∞Ωとなる。
【００２３】なお、実際にはこの接触抵抗Ｒ1 には、プ
ローブ６と信号パッド３との接触抵抗の他にプローブ６
の抵抗も含まれるが、プローブ６の抵抗値を予め測定し
ておくことにより、正確な接触抵抗Ｒ1 を測定すること
ができる。また、内部回路４のVCC 42及びGND 43は、電
流供給のための外部接続を遮断してフローティング状態
にしておく。
ローブ６と信号パッド３との接触抵抗の他にプローブ６
の抵抗も含まれるが、プローブ６の抵抗値を予め測定し
ておくことにより、正確な接触抵抗Ｒ1 を測定すること
ができる。また、内部回路４のVCC 42及びGND 43は、電
流供給のための外部接続を遮断してフローティング状態
にしておく。
【００２４】以上の如く、接触抵抗Ｒ1 の値を求めるこ
とにより、パッドとプローブの接触の程度を数値で検出
することができ、接触の許容範囲を僅かに外れた程度の
接触不良を検出することができる。
とにより、パッドとプローブの接触の程度を数値で検出
することができ、接触の許容範囲を僅かに外れた程度の
接触不良を検出することができる。
【００２５】上述したような信号パッド３の接触検査と
同様にして、VCC 42及びGND 43に接続された図示しない
VCC パッド及びGND パッドについてプローブ６の接触状
態を検出することができる。VCC 42及びGND 43夫々に２
つのモニタ用パッドを接続し、図４に示す手順にて接触
抵抗Ｒ1 を求めることにより、従来では不可能であった
VCC パッド及びGND パッド単独のプローブとの接触状態
を検出することができる。
同様にして、VCC 42及びGND 43に接続された図示しない
VCC パッド及びGND パッドについてプローブ６の接触状
態を検出することができる。VCC 42及びGND 43夫々に２
つのモニタ用パッドを接続し、図４に示す手順にて接触
抵抗Ｒ1 を求めることにより、従来では不可能であった
VCC パッド及びGND パッド単独のプローブとの接触状態
を検出することができる。
【００２６】このように、信号パッド３，VCC パッド及
びGND パッドとプローブ６との接触状態を検出し、接触
状態が良好な半導体回路装置について所定のプローブ試
験を終了した半導体回路装置群は、切断工程にてダイシ
ング領域５が除去され、各半導体回路装置２，２，…に
成形される。これにより、ダイシング領域５上に設けら
れたモニタパッド13,14 は半導体回路装置２から切り離
される。一方、接触状態が不良であると判定された半導
体回路装置は、接触不良であるパッドの記録を残して検
査を続行する、プローブ装置を装着し直して再度接触検
査を行う、又はプローブ試験を中止する等の処置が施さ
れる。
びGND パッドとプローブ６との接触状態を検出し、接触
状態が良好な半導体回路装置について所定のプローブ試
験を終了した半導体回路装置群は、切断工程にてダイシ
ング領域５が除去され、各半導体回路装置２，２，…に
成形される。これにより、ダイシング領域５上に設けら
れたモニタパッド13,14 は半導体回路装置２から切り離
される。一方、接触状態が不良であると判定された半導
体回路装置は、接触不良であるパッドの記録を残して検
査を続行する、プローブ装置を装着し直して再度接触検
査を行う、又はプローブ試験を中止する等の処置が施さ
れる。
【００２７】次に、本発明の半導体回路装置群の他の実
施例を示す図面に基づき具体的に説明する。図５は、本
発明の他の実施例の半導体回路装置群の構成を示す模式
的平面図である。図中１ｂはウエハであり、ウエハ１ｂ
上に半導体回路装置２，２，…が碁盤目状に形成されて
おり、その１つが図示されている。ダイシング領域５上
には本発明の特徴となる接触検査用のモニタパッド14が
形成されており、モニタパッド14は低抵抗を有する金属
配線を介して信号パッド３と接続されている。本実施例
では信号パッドに接続される接触検査用パッドは１つで
ある。その他の構成は図１に示した半導体回路装置群と
同様であり、同部分に同符号を付して説明を省略する。
施例を示す図面に基づき具体的に説明する。図５は、本
発明の他の実施例の半導体回路装置群の構成を示す模式
的平面図である。図中１ｂはウエハであり、ウエハ１ｂ
上に半導体回路装置２，２，…が碁盤目状に形成されて
おり、その１つが図示されている。ダイシング領域５上
には本発明の特徴となる接触検査用のモニタパッド14が
形成されており、モニタパッド14は低抵抗を有する金属
配線を介して信号パッド３と接続されている。本実施例
では信号パッドに接続される接触検査用パッドは１つで
ある。その他の構成は図１に示した半導体回路装置群と
同様であり、同部分に同符号を付して説明を省略する。
【００２８】以上の如き構成の半導体回路装置群のプロ
ーブ試験を行う方法について、図６，図７に基づいて以
下に説明する。図６は図５に示した半導体回路装置をプ
ローブ装置と共に示した説明図であり、図７はプローブ
をパッドに接触せしめた場合のプローブ装置の等価回路
図である。図に示すように、内部回路４はゲート回路4
1，VCC 42及びGND 43を備えており、ゲート回路41のト
ランジスタは、トランジスタ−基板間の寄生ダイオード
44,44 を有している。内部回路４には信号パッド３が接
続され、信号パッド３にはモニタパッド14が接続されて
いる。プローブ装置は複数のプローブ６，16を備え、プ
ローブ６,16 間は電流源９を介して接続され、プローブ
６,16 間には電圧を測定する電圧計10が接続されてい
る。
ーブ試験を行う方法について、図６，図７に基づいて以
下に説明する。図６は図５に示した半導体回路装置をプ
ローブ装置と共に示した説明図であり、図７はプローブ
をパッドに接触せしめた場合のプローブ装置の等価回路
図である。図に示すように、内部回路４はゲート回路4
1，VCC 42及びGND 43を備えており、ゲート回路41のト
ランジスタは、トランジスタ−基板間の寄生ダイオード
44,44 を有している。内部回路４には信号パッド３が接
続され、信号パッド３にはモニタパッド14が接続されて
いる。プローブ装置は複数のプローブ６，16を備え、プ
ローブ６,16 間は電流源９を介して接続され、プローブ
６,16 間には電圧を測定する電圧計10が接続されてい
る。
【００２９】まず、プローブ装置をウエハの上方に配
し、信号パッド３にプローブ６を接触せしめ、モニタパ
ッド14にプローブ16を接触せしめる（ステップＳ１１，
図４参照）。次に、プローブ６,16 を介して信号パッド
３及びモニタパッド14間に電流Ｉを供給し（ステップＳ
１２）、信号パッド３及びモニタパッド14間に印加され
た電圧を電圧計10にて測定し、電流源９による電圧と測
定された電圧とにより電圧降下Ｖを検出する（ステップ
Ｓ１３）。供給した電流Ｉ及び検出された電圧降下Ｖか
ら、プローブ６と信号パッド３との接触抵抗Ｒ2 ＝Ｖ／
Ｉを算出する（ステップＳ１４）。そして、プローブ６
と信号パッド３との接触状態を判定する（ステップＳ１
５）。接触状態の判定は上述した方法と同様である。
し、信号パッド３にプローブ６を接触せしめ、モニタパ
ッド14にプローブ16を接触せしめる（ステップＳ１１，
図４参照）。次に、プローブ６,16 を介して信号パッド
３及びモニタパッド14間に電流Ｉを供給し（ステップＳ
１２）、信号パッド３及びモニタパッド14間に印加され
た電圧を電圧計10にて測定し、電流源９による電圧と測
定された電圧とにより電圧降下Ｖを検出する（ステップ
Ｓ１３）。供給した電流Ｉ及び検出された電圧降下Ｖか
ら、プローブ６と信号パッド３との接触抵抗Ｒ2 ＝Ｖ／
Ｉを算出する（ステップＳ１４）。そして、プローブ６
と信号パッド３との接触状態を判定する（ステップＳ１
５）。接触状態の判定は上述した方法と同様である。
【００３０】この接触抵抗Ｒ2 にはプローブ６と信号パ
ッド３との接触抵抗の他に、プローブ６の抵抗、プロー
ブ16とモニタパッド14との接触抵抗、モニタプローブ16
の抵抗、信号パッド３とモニタパッド14との間の配線抵
抗が含まれる。このために、接触抵抗Ｒ2 は、図１〜図
３にて説明した前述の接触抵抗Ｒ1 よりも低い精度で得
られるが、検出対象のパッドに接続すべきモニタパッド
は１つであるので、少ない面積でモニタパッドを設ける
ことができる。
ッド３との接触抵抗の他に、プローブ６の抵抗、プロー
ブ16とモニタパッド14との接触抵抗、モニタプローブ16
の抵抗、信号パッド３とモニタパッド14との間の配線抵
抗が含まれる。このために、接触抵抗Ｒ2 は、図１〜図
３にて説明した前述の接触抵抗Ｒ1 よりも低い精度で得
られるが、検出対象のパッドに接続すべきモニタパッド
は１つであるので、少ない面積でモニタパッドを設ける
ことができる。
【００３１】以上の如く、接触抵抗Ｒ2 の値を求めるこ
とにより、パッドとプローブの接触程度を数値で検出す
ることができ、接触の許容範囲を僅かに外れた程度の接
触不良を検出することができる。また、上述と同様にVC
C パッド及びGND パッドを単独に接触検査することがで
きる。
とにより、パッドとプローブの接触程度を数値で検出す
ることができ、接触の許容範囲を僅かに外れた程度の接
触不良を検出することができる。また、上述と同様にVC
C パッド及びGND パッドを単独に接触検査することがで
きる。
【００３２】図８は、本発明の他の実施例の半導体回路
装置群の構成を示した模式的平面図である。図中１ｃは
ウエハであり、ウエハ１ｃ上に半導体回路装置２，２，
…が碁盤目状に形成されており、その１つが図示されて
いる。半導体回路装置２の外周側にはダイシング領域５
が形成されており、半導体回路装置２の中央には内部回
路４が形成されている。内部回路４の周囲には外部接続
用の複数の信号パッド３，３，…が設けられ、これらの
信号パッド３，３，…は内部回路４の配線と接続されて
いる。内部回路４内の、例えばトランジスタのような素
子が形成されていない空き領域には、本発明の特徴とな
る接触検査用のモニタパッド14が形成されており、該モ
ニタパッド14は低抵抗を有する金属配線を介して信号パ
ッド３と接続されている。
装置群の構成を示した模式的平面図である。図中１ｃは
ウエハであり、ウエハ１ｃ上に半導体回路装置２，２，
…が碁盤目状に形成されており、その１つが図示されて
いる。半導体回路装置２の外周側にはダイシング領域５
が形成されており、半導体回路装置２の中央には内部回
路４が形成されている。内部回路４の周囲には外部接続
用の複数の信号パッド３，３，…が設けられ、これらの
信号パッド３，３，…は内部回路４の配線と接続されて
いる。内部回路４内の、例えばトランジスタのような素
子が形成されていない空き領域には、本発明の特徴とな
る接触検査用のモニタパッド14が形成されており、該モ
ニタパッド14は低抵抗を有する金属配線を介して信号パ
ッド３と接続されている。
【００３３】図９は、本発明の他の実施例の半導体回路
装置群の構成を示した模式的平面図である。図中１ｄは
ウエハであり、半導体回路装置２の四隅の領域に本発明
の特徴となる接触検査用のモニタパッド14が形成されて
おり、該モニタパッド14は低抵抗を有する金属配線を介
して信号パッド３と接続されている。その他の構成は図
８に示すものと同様であり、説明を省略する。
装置群の構成を示した模式的平面図である。図中１ｄは
ウエハであり、半導体回路装置２の四隅の領域に本発明
の特徴となる接触検査用のモニタパッド14が形成されて
おり、該モニタパッド14は低抵抗を有する金属配線を介
して信号パッド３と接続されている。その他の構成は図
８に示すものと同様であり、説明を省略する。
【００３４】図８，図９に示すような半導体回路装置群
に対してプローブ試験を行う際には、信号パッド及びモ
ニタパッド14にプローブを夫々接触せしめ、信号パッド
とプローブとの接触状態を前述した手順で検出する。こ
れにより、パッドとプローブの接触の程度を数値で検出
することができ、接触の許容範囲を僅かに外れた程度の
接触不良を検出することができる。また、このような半
導体回路装置では、モニタパッド14をダイシング領域５
内に設けていないので、ダイシング領域５を狭く設定し
て１枚のウエハからより多くの半導体回路装置を製造す
るような場合、又は既にダイシング領域に形成すべき素
子があり、モニタパッドを形成する領域がないような場
合に適用できる。
に対してプローブ試験を行う際には、信号パッド及びモ
ニタパッド14にプローブを夫々接触せしめ、信号パッド
とプローブとの接触状態を前述した手順で検出する。こ
れにより、パッドとプローブの接触の程度を数値で検出
することができ、接触の許容範囲を僅かに外れた程度の
接触不良を検出することができる。また、このような半
導体回路装置では、モニタパッド14をダイシング領域５
内に設けていないので、ダイシング領域５を狭く設定し
て１枚のウエハからより多くの半導体回路装置を製造す
るような場合、又は既にダイシング領域に形成すべき素
子があり、モニタパッドを形成する領域がないような場
合に適用できる。
【００３５】なお、上述した実施例では説明の都合上、
検査対象のパッドの１つだけを示して説明しているが、
実際は必要性に応じて適当な数の外部接続パッドにモニ
タパッドを設けている。必ずしも全ての外部接続パッド
にモニタパッドを設けなくても良く、例えば、面積が小
さく、小さな電流が流れるような外部接続パッドにはモ
ニタパッドを設けず、逆に面積が大きく、大きな電流が
流れるような外部接続パッドにモニタパッドを設けるよ
うにする。これにより、モニタパッドを設けることによ
るウエハ当たりのチップ数の減少、及びプローブ試験時
間の長期化を充分カバーすることができる。
検査対象のパッドの１つだけを示して説明しているが、
実際は必要性に応じて適当な数の外部接続パッドにモニ
タパッドを設けている。必ずしも全ての外部接続パッド
にモニタパッドを設けなくても良く、例えば、面積が小
さく、小さな電流が流れるような外部接続パッドにはモ
ニタパッドを設けず、逆に面積が大きく、大きな電流が
流れるような外部接続パッドにモニタパッドを設けるよ
うにする。これにより、モニタパッドを設けることによ
るウエハ当たりのチップ数の減少、及びプローブ試験時
間の長期化を充分カバーすることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明においては接触不
良を高精度で検出できるので、プローブとパッドとの接
触不良が検出できずに実際は良品であるのに不良品とさ
れる半導体回路装置を減少させることができる。これに
より半導体回路装置の歩留りが向上する。また、電源パ
ッド及び接地パッドとプローブとの接触状態を単独で検
出できるので、プローブ試験を高精度で行うことができ
る等、本発明は優れた効果を奏するものである。
良を高精度で検出できるので、プローブとパッドとの接
触不良が検出できずに実際は良品であるのに不良品とさ
れる半導体回路装置を減少させることができる。これに
より半導体回路装置の歩留りが向上する。また、電源パ
ッド及び接地パッドとプローブとの接触状態を単独で検
出できるので、プローブ試験を高精度で行うことができ
る等、本発明は優れた効果を奏するものである。
【図１】 本発明の半導体回路装置群の１実施例の構成
を示す模式的平面図である。
を示す模式的平面図である。
【図２】 図１に示した半導体回路装置をプローブ装置
と共に示した説明図である。
と共に示した説明図である。
【図３】 図１の半導体回路装置及びプローブ装置の等
価回路図である。
価回路図である。
【図４】 本発明のプローブ試験方法の手順を示したフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図５】 本発明の他の実施例の半導体回路装置群の構
成を示す模式的平面図である。
成を示す模式的平面図である。
【図６】 図５に示した半導体回路装置をプローブ装置
と共に示した説明図である。
と共に示した説明図である。
【図７】 図５の半導体回路装置及びプローブ装置の等
価回路図である。
価回路図である。
【図８】 本発明の他の実施例の半導体回路装置群の構
成を示した模式的平面図である。
成を示した模式的平面図である。
【図９】 本発明の他の実施例の半導体回路装置群の構
成を示した模式的平面図である。
成を示した模式的平面図である。
【図１０】 従来の半導体回路装置群の構成を示す模式
的平面図である。
的平面図である。
【図１１】 プローブをパッドに接触せしめた状態を示
す半導体回路装置群の部分模式的平面図である。
す半導体回路装置群の部分模式的平面図である。
【図１２】 従来の半導体回路装置及びプローブ装置の
回路図である。
回路図である。
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ ウエハ、２ 半導体回路装
置、３ 信号パッド、４ 内部回路、５ ダイシング領
域、６，１５，１６ プローブ、９ 電流源、１０ 電
圧計、１３ 第２のモニタパッド、１４ 第１のモニタ
パッド。
置、３ 信号パッド、４ 内部回路、５ ダイシング領
域、６，１５，１６ プローブ、９ 電流源、１０ 電
圧計、１３ 第２のモニタパッド、１４ 第１のモニタ
パッド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/822
Claims (4)
- 【請求項１】 外部接続パッドを備える半導体回路装置
の複数が並設されており、前記半導体回路装置夫々の外
部接続パッドにプローブを電気的に接触せしめてプロー
ブ試験される半導体回路装置群において、 前記外部接続パッドに導体を介して接続された、プロー
ブ試験を行う際に前記外部接続パッドと前記プローブと
の接触状態を検出するための接触検査用パッドを備える
ことを特徴とする半導体回路装置群。 - 【請求項２】 接触検査用パッドは、同一の外部接続パ
ッドに複数接続されている請求項１記載の半導体回路装
置群。 - 【請求項３】 各半導体回路装置に分断する際に切離除
去されるダイシング領域を備えており、接触検査用パッ
ドは前記ダイシング領域に設けられている請求項１又は
２記載の半導体回路装置群。 - 【請求項４】 請求項１，２又は３記載の半導体回路装
置群をプローブ試験する方法であって、接触検査用パッ
ド及びこれが接続された外部接続パッド夫々にプローブ
を接触せしめる過程と、前記プローブを介して前記接触
検査用パッドと外部接続パッドとの間に電流を供給する
過程と、前記接触検査用パッドと外部接続パッドとの間
の電圧を検出する過程と、供給した電流と検出した電圧
とに基づいて前記外部接続パッドとプローブとの接触抵
抗値を求める過程と、該接触抵抗値に応じて前記外部接
続パッドとプローブとの接触状態を判定する過程とを有
することを特徴とするプローブ試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7134211A JPH08330368A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体回路装置群及びそのプローブ試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7134211A JPH08330368A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体回路装置群及びそのプローブ試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330368A true JPH08330368A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15123028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7134211A Pending JPH08330368A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体回路装置群及びそのプローブ試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330368A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061256B2 (en) | 2004-07-26 | 2006-06-13 | Nec Electronics Corporation | Method and apparatus for contact resistance measurement |
| JP2008047643A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| JP2008198776A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| JPWO2007018186A1 (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体の検査装置，検査方法および検査プログラム |
| JP2015102374A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 日置電機株式会社 | 基板検査装置、集積回路検査装置、集積回路、基板検査方法および集積回路検査方法 |
| CN117092577A (zh) * | 2023-10-12 | 2023-11-21 | 深圳市道格特科技有限公司 | 一种探针卡多性能全流程自动化测试方法、系统及装置 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP7134211A patent/JPH08330368A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7061256B2 (en) | 2004-07-26 | 2006-06-13 | Nec Electronics Corporation | Method and apparatus for contact resistance measurement |
| JPWO2007018186A1 (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体の検査装置，検査方法および検査プログラム |
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| JP2015102374A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 日置電機株式会社 | 基板検査装置、集積回路検査装置、集積回路、基板検査方法および集積回路検査方法 |
| CN117092577A (zh) * | 2023-10-12 | 2023-11-21 | 深圳市道格特科技有限公司 | 一种探针卡多性能全流程自动化测试方法、系统及装置 |
| CN117092577B (zh) * | 2023-10-12 | 2024-03-29 | 深圳市道格特科技有限公司 | 一种探针卡多性能全流程自动化测试方法、系统及装置 |
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