JPS6222448A - Icの形成されたウエ−ハ - Google Patents
Icの形成されたウエ−ハInfo
- Publication number
- JPS6222448A JPS6222448A JP16143285A JP16143285A JPS6222448A JP S6222448 A JPS6222448 A JP S6222448A JP 16143285 A JP16143285 A JP 16143285A JP 16143285 A JP16143285 A JP 16143285A JP S6222448 A JPS6222448 A JP S6222448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- bonding pads
- probe
- wafer
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は、IC(集積回路)の製造工程において、拡散
処理、蒸着配線等が終了して個々のICチップに分割さ
れる以前にプローブによる良品試験等が行なわれるIC
の形成されたウェーハに関する。
処理、蒸着配線等が終了して個々のICチップに分割さ
れる以前にプローブによる良品試験等が行なわれるIC
の形成されたウェーハに関する。
(発明の背景)
一般に、ICチップの良品試験は、個々のICチップに
スクライプする以前のウェーハの状態で行ない、これを
ウェーハ試験と呼んでいる。
スクライプする以前のウェーハの状態で行ない、これを
ウェーハ試験と呼んでいる。
この試験では、ウェーハ上に並べて形成された多数のI
Cチップを1個1個について検査するため、夫々のIC
チップに形成されている入出力端子(以下、ボンディン
グパッドという)に探針(以下、プローブという)を接
触し、電気的特性や作動特性等を調べることにより良品
か否かの検査を行っている。
Cチップを1個1個について検査するため、夫々のIC
チップに形成されている入出力端子(以下、ボンディン
グパッドという)に探針(以下、プローブという)を接
触し、電気的特性や作動特性等を調べることにより良品
か否かの検査を行っている。
不良なICチップには赤インクで刻印等をし、スクライ
ブした後でこの不良品を取除き、良品だけパッケージ等
に封入して組立を行っている。
ブした後でこの不良品を取除き、良品だけパッケージ等
に封入して組立を行っている。
ここで従来、スクライブ以前のウェーハの状態で試験す
る場合、まず、ウェーハを半導体試験機のステージに装
着して特定のICチップのボンディングパッドにプロー
ブを接触させることによってプローブの位置決めを行い
、この位置の情報を半導体試験機に記憶させ、以後は、
ウェーハを所定の距離づつ移動して各ICチップがプロ
ーブに対向する位置に移動する毎に、夫々の半導体チッ
プに形成しであるボンディングパッドにプローブを接触
させて検査している。
る場合、まず、ウェーハを半導体試験機のステージに装
着して特定のICチップのボンディングパッドにプロー
ブを接触させることによってプローブの位置決めを行い
、この位置の情報を半導体試験機に記憶させ、以後は、
ウェーハを所定の距離づつ移動して各ICチップがプロ
ーブに対向する位置に移動する毎に、夫々の半導体チッ
プに形成しであるボンディングパッドにプローブを接触
させて検査している。
この場合、ICチップはウェーハ上に等間隔で規則正し
く形成されているので、最初にプローブの位置決めをす
れば自動的にすべてのICチップのボンディングパッド
に接触することが出来る。
く形成されているので、最初にプローブの位置決めをす
れば自動的にすべてのICチップのボンディングパッド
に接触することが出来る。
又、より正確なプローブの位置ぎめを行うために、ウェ
ーハ1枚当たり4〜5箇所程度の特定のICチップを決
め、そのボンディングパッドに接触させて位置きめする
ようにしている。
ーハ1枚当たり4〜5箇所程度の特定のICチップを決
め、そのボンディングパッドに接触させて位置きめする
ようにしている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、この様なウェーハの検査では、プローブ
の位置きめに使用された特定ICチップのボンディング
パッドがプローブの接触で傷つき、更に、この位置きめ
後の良品検査の時にもプローブを接触させるために、少
なくとも2回の接触でボンディングパッドが大きく損傷
する。
の位置きめに使用された特定ICチップのボンディング
パッドがプローブの接触で傷つき、更に、この位置きめ
後の良品検査の時にもプローブを接触させるために、少
なくとも2回の接触でボンディングパッドが大きく損傷
する。
この損傷により、組立て時に、ボンディングパッドに配
線用のボンディングワイヤーをボンディングしても十分
固着しなかったり時間が経つと剥離して信頼性が極めて
悪いものとなる。
線用のボンディングワイヤーをボンディングしても十分
固着しなかったり時間が経つと剥離して信頼性が極めて
悪いものとなる。
この信頼性の低下を防止するため、従来は、プローブの
位置きめに使用された特定ICチップは、良否に拘らず
廃棄処分にし、したがって、プローブの位置きめに使用
されたICチップを無駄にしていた。
位置きめに使用された特定ICチップは、良否に拘らず
廃棄処分にし、したがって、プローブの位置きめに使用
されたICチップを無駄にしていた。
他方、ウェーハ上には、製品となるこの様なICチップ
の他に、製造プロセスのプロセスモニター用に、特性試
験用チップを数箇所に形成している。
の他に、製造プロセスのプロセスモニター用に、特性試
験用チップを数箇所に形成している。
この特性試験用チップは、酸化膜容量や拡散層の深さを
測定したり、特定の単体の半導体素子を形成しておきこ
の電気的特性や動作特性等のパラメータを測定できるよ
うにしたもので、この様なエレメントを総称して一般に
TEG (テグ)と呼んでいる。
測定したり、特定の単体の半導体素子を形成しておきこ
の電気的特性や動作特性等のパラメータを測定できるよ
うにしたもので、この様なエレメントを総称して一般に
TEG (テグ)と呼んでいる。
この特性試験用チップは当然に製品化に供される事は無
いので、前記のプローブの位置きめ用に使用されたIC
チップと同様に、ウェーハから得られる製品用のICチ
ップの数を減らすことになり、不経済となる欠点があっ
た。
いので、前記のプローブの位置きめ用に使用されたIC
チップと同様に、ウェーハから得られる製品用のICチ
ップの数を減らすことになり、不経済となる欠点があっ
た。
特に、大面積の集積回路装置等の場合、ウェーハ1枚当
たりの占有面積が大きくなるため、上記のような欠点は
、製品化出来ないチップの数が相対的に多くなり製品の
価格を上げる問題を生じる。
たりの占有面積が大きくなるため、上記のような欠点は
、製品化出来ないチップの数が相対的に多くなり製品の
価格を上げる問題を生じる。
(発明の目的)
本発明はこれらの欠点を解決し、1個のウェーハから得
られるICチップの数を減らさないで、良品試験を行う
事のできるウェーハを得ることを目的とする。
られるICチップの数を減らさないで、良品試験を行う
事のできるウェーハを得ることを目的とする。
(発明の概要)
本発明は、製品化されるICチップと、TEGを有する
特性試験用チップとをからなるスクライブ以前のウェー
ハにおいて、前記特性試験用チップ上に良品試験される
ICチップに形成されるボンディングパッドと同配列の
ボンディングパッドを形成することで、特性試験用チッ
プでプローブの位置ぎめを可能にし、逸れにより製品化
されるICチップのボンディングパッドの破損を無くす
ようにした事を技術的要点とする。
特性試験用チップとをからなるスクライブ以前のウェー
ハにおいて、前記特性試験用チップ上に良品試験される
ICチップに形成されるボンディングパッドと同配列の
ボンディングパッドを形成することで、特性試験用チッ
プでプローブの位置ぎめを可能にし、逸れにより製品化
されるICチップのボンディングパッドの破損を無くす
ようにした事を技術的要点とする。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を図面と共に説明する。
第1図はスクライブされる以前のウェーハの表面を示し
、ウェーハ1に複数のICチップ2が規則正しく形成さ
れている。
、ウェーハ1に複数のICチップ2が規則正しく形成さ
れている。
これらのICチップ2の配列中の数箇所に、TEGを有
する特性試験用チップ3(斜線で示す部分)が形成され
ている。
する特性試験用チップ3(斜線で示す部分)が形成され
ている。
尚、升目状に区切る実線部分がスクライブされる部分(
スクライブライン或いはスクライブグリッド)である。
スクライブライン或いはスクライブグリッド)である。
各ICチップ2の周辺部にはスクライブラインに沿って
不図示のボンディングパッドが形成され、スクライブ後
に夫々のボンディングパッドにワイヤーを配線して組立
を行うようになっている。
不図示のボンディングパッドが形成され、スクライブ後
に夫々のボンディングパッドにワイヤーを配線して組立
を行うようになっている。
第2図は特性試験用チップ3の拡大図であり、スクライ
ブライン4に沿った周辺部に、ICチップ2に形成され
るボンディングパッドの配列と同配列のボンディングパ
ッド5(同図の斜線部分)形成されている。
ブライン4に沿った周辺部に、ICチップ2に形成され
るボンディングパッドの配列と同配列のボンディングパ
ッド5(同図の斜線部分)形成されている。
このように配列されたボンディングパッド5の内側(四
角枠内)6にTEGが形成されている。
角枠内)6にTEGが形成されている。
かかる構成のウェーハを良品検査する場合、まず、特性
試験用チップ3のボンディングパッド5に半導体試験機
のプローブを接触して位置きめし、この位置きめ情報を
半導体試験機に記憶する。
試験用チップ3のボンディングパッド5に半導体試験機
のプローブを接触して位置きめし、この位置きめ情報を
半導体試験機に記憶する。
つぎに、ウェーハ、を所定の距離づつ移動して各ICチ
ップ2がプローブに対向する位置に移動する毎に、プロ
ーブをボンディングパッド2に接触させ、次々とICチ
ップ5の検査を行う。
ップ2がプローブに対向する位置に移動する毎に、プロ
ーブをボンディングパッド2に接触させ、次々とICチ
ップ5の検査を行う。
(発明の効果)
以上説明したように本発明によれば、特性試験用チップ
にプローブの位置ぎめ用ボンディングパッドを形成して
、製品化すべきICチップを用いないでプローブの位置
ぎめを行なうことができるようにしたので、製品化すべ
きICチップの損傷を減らすことができ、経済的となり
、製品の価格を下げることができる。
にプローブの位置ぎめ用ボンディングパッドを形成して
、製品化すべきICチップを用いないでプローブの位置
ぎめを行なうことができるようにしたので、製品化すべ
きICチップの損傷を減らすことができ、経済的となり
、製品の価格を下げることができる。
第11図は本発明のウェーハの構造を示す平面図、第2
図は特性試験用チップの平面図である。 1:ウェーハ 2:ICチップ 3:特性試験用チップ 4ニスクライブライン 5:ボンディングパッド
図は特性試験用チップの平面図である。 1:ウェーハ 2:ICチップ 3:特性試験用チップ 4ニスクライブライン 5:ボンディングパッド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 良品試験されるICチップと、特性試験用チップとから
なるウェーハにおいて、 前記特性試験用チップ上に前記良品試験されるICチッ
プに形成されたボンディングパッドと同じ配列のボンデ
ィングパッドを形成したことを特徴とするICの形成さ
れたウェーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16143285A JPS6222448A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | Icの形成されたウエ−ハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16143285A JPS6222448A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | Icの形成されたウエ−ハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6222448A true JPS6222448A (ja) | 1987-01-30 |
Family
ID=15734997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16143285A Pending JPS6222448A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | Icの形成されたウエ−ハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6222448A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4752442A (en) * | 1986-05-26 | 1988-06-21 | Shoei Chemical Inc. | Bonding wire |
JPH05109842A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Nec Corp | チツプ位置の認識方法 |
US6210637B1 (en) | 1996-09-09 | 2001-04-03 | Nippon Steel Corporation | Gold alloy thin wire for semiconductor devices |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP16143285A patent/JPS6222448A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4752442A (en) * | 1986-05-26 | 1988-06-21 | Shoei Chemical Inc. | Bonding wire |
JPH05109842A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Nec Corp | チツプ位置の認識方法 |
US6210637B1 (en) | 1996-09-09 | 2001-04-03 | Nippon Steel Corporation | Gold alloy thin wire for semiconductor devices |
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