JPS6376340A - 集積回路チツプの外周部の欠陥検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体集積回路チップの主にスクライブ工程
で発生するチップ外周部におけるクラック（割れ）や欠
け等の欠陥検出装置に関するものである。

（従来の技術） 従来、半導体集積回路チップの外周部は以下に示される
構成となっていた。

第２図は係る従来の半導体集積回路チップの外周部のグ
リッドライン近傍の断面図である。

図中、１はシリコン基板、２はフィールド酸化膜、３は
拡散層、４は中間絶縁膜、５はＡ１配線、６はパッシベ
ーション膜、７はグリッドライン、８は切り出し面であ
る。

この図に示されるように、集積回路チップの外周端部は
スクライブ時の切り出し線を認識するためのグリッドラ
イン７を有し、また、例えば、チップ切り出し端面から
の湿気、水分を防止するための構造などが施されている
。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、集積回路チップをウェハからチツブへ切
り出すスクライブ時、第３図に示されるように、チップ
外周部にシリコンの欠け１１、マイクロクラック（割れ
）１２等が発生する。

これらのうち、大きなものは外周部にある内部配線、機
能素子の断線、リークの発生、或いは、ショート等の不
良の原因となるため、製造工程中に除く必要があるが、
従来構造の半導体集積回路チップでは、それらを電気的
に除去する手だてがなく、スクライブ実施後の作業者に
よる目視外観検査により除去するようにしており、その
ため、除去される欠陥のレベルが作業者により異なった
り、見落す等の理由により完全に除去できないという問
題があった。

本発明は、上記問題点を除去し、半導体集積回路チップ
の主スクライブ工程で発生するチップ外周部におけるク
ラック（割れ）や欠け等の欠陥の検出を迅速、かつ、確
実に行い得る集積回路チップの外周部の欠陥検出装置を
提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、上記問題点を解決するために、集積回路チッ
プの外周部グリッドライン近傍において、シリコン基板
上の拡散層や多結晶シリコン等の脆弱硬質材料を用いた
導体配線を集積回路チップの外周部全体に配設し、かつ
、その導体配線の両端に電気的測定を行い得るバンドを
設けるようにしたものである。

（作用） 本発明によれば、集積回路チップの外周部グリッドライ
ン近傍において、シリコン基板上の拡散層や多結晶シリ
コン等の脆弱硬質材料を用いた導体配線を集積回路チッ
プの外周部全体に配設し、かつ、その導体配線の両端に
電気的測定を行い得るバッドを設けるようにしたので、
集積回路チップ外周端部にスクライブ時に発生するマイ
クロクラック、欠け等の欠陥を電気的測定により、迅速
、かつ確実に検出することができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明の実施例を示す集積面路チップの要部概
略上面図である。

図中、２１は集積回路チップ、２２は欠陥検出用導体配
線、２３は検出用Ａ１パフド、２４は検出用共通Ａ７！
バッド、２５はマイクロクラックである。

この図に示されるように、集積回路チップ２１の外周部
の全体にシリコン基板上の拡散層や多結晶シリコン等の
脆弱硬質材料を用いた導体配線２２を配設し、かつ、そ
の導体配線の両端に電気的測定を行うための検出用Ａｆ
パッド２３及び積出用共通ＡＪバッド２４を設ける。な
お、検出用コモンＡｌバッドは内部本体全体回路のコモ
ン端子、例えばＧＮＤ端子と共通にしてもよい。

このように構成することにより、欠陥検出用導体配線は
欠陥がない正常なチップにおいては検出用両Ａｌパッド
間は導通状態、シリコン基板等の他の導体間とは電気的
に絶縁状態にある。

ところが、除去されるべきレベルのクラックや欠け等の
欠陥がある場合には、その位置に検出用導体配線が配設
されているため、その欠陥により検出用両Ａ１パッド間
が電気的に断線、シリコン基板とのリーク発生、又はシ
ョート状態となるため、電気的に検出が可能となり、欠
陥を確実に検出することができる。

第４図は本発明の一実施例を示す集積回路チップの部分
断面図である。

図中、３１はシリコン基板、３２はフィールド酸化膜、
３３は拡散層、３４は中間絶縁膜、３５はＡ１配線、３
６はパフシベーシジン膜、３７は欠陥検出用拡散層配線
、３８は切り出し面である。

具体的な欠陥の検出方法は、まず、着目する検出用導体
配線以外の測定系の正常さをｌｉｎ認するため、欠陥検
出用拡散層配線３７とシリコン基板３１とにより構成さ
れるダイオードの順方向電流により導通状態をチェック
した後、検出用両Ａβパッド間の導通テスト及び両パッ
ド対シリコン基板３１との間のリーク、耐圧チェックを
行い断線・ショート等の異常を検出する。

第５図は本発明の他の実施例を示す集積回路チップの部
分断面図である。

第４図と異なるのは欠陥検出用導体配線として拡散層配
線３７に代えて、多結晶シリコン配ｖＡ４１を使用して
いる点である。欠陥検出のための手順は上記と同様であ
る。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。

（１）集積回路チップの外周部にスクライプ時発生する
マイクロクラック、欠け等の欠陥を電気的測定により確
実に検出することが可能である。

（２）従来の作業者による外観目視検査を上記電気的検
出方法とすることにより、作業者の負荷軽減、工程の簡
略化、自動化を推進することができる。

（３）本発明を実現するために用いる製造プロセス、材
料等は従来のものを用いることができ、本発明を容易に
構成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す集積回路チップの要部概
略上面図、第２図は従来の集積回路チップの外周部の断
面図、第３図は従来の集積回路チップの概略上面図、第
４図は本発明の一実施例を示す集積回路チップの部分断
面図、第５図は本発明の他の実施例を示す集積回路チッ
プの部分断面図である。 ２１・・・集積回路チップ、２２・・・欠陥検出用導体
配線、２３・・・検出用Ａｊ！パッド、２４・・・検出
用共通Ａｎパッド、２５・・・マイクロクラック、３１
・・・シリコン基板、３２・・・フィールド酸化膜、３
３・・・拡散層、３４・・・中間綿ａ膜、３５・・・Ａ
Ｉ配線、３６・・・パッシベーション膜、３７・・・欠
陥検出用拡散層配線、３８・・・切り出し面、４１・・
・欠陥検出用多結晶シリコン配線。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）集積回路チップの外周部に発生するクラックや欠
   け等の欠陥を検出する装置であって、（ａ）前記集積回
   路チップの外周部全体に欠陥検出用導体配線を設け、 （ｂ）該欠陥検出用導体配線の両端に欠陥検出用パッド
   を設けたことを特徴とする集積回路チップの外周部の欠
   陥検出装置。
2. （２）前記欠陥検出用導体配線はシリコン拡散層から成
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の集積回
   路チップの外周部の欠陥検出装置。
3. （３）前記欠陥検出用導体配線は多結晶シリコンから成
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の集積回
   路チップの外周部の欠陥検出装置。