JPH1012679A - プローブカードおよびこのプローブカードを用いた試験 方法 - Google Patents

プローブカードおよびこのプローブカードを用いた試験 方法

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JPH1012679A
JPH1012679A JP8167380A JP16738096A JPH1012679A JP H1012679 A JPH1012679 A JP H1012679A JP 8167380 A JP8167380 A JP 8167380A JP 16738096 A JP16738096 A JP 16738096A JP H1012679 A JPH1012679 A JP H1012679A
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probe card
integrated circuit
electrode
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JP8167380A
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English (en)
Inventor
Yoshihiro Aoki
芳広 青木
Hitoshi Kai
仁志 甲斐
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NIPPON DENKI FACTORY ENG KK
NEC Corp
Original Assignee
NIPPON DENKI FACTORY ENG KK
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】メンブレン方式のプロ−ブカ−ドでウエハ上の
集積回路とプロ−ブカ−ドが最初に接触するファ−スト
コンタクトポイントの検出を精度良く、装置、被測定物
に制約されず行う方法を提供する。 【解決手段】集積回路14の電極1に接触する接触子3
aとは別の位置で、かつウエハ上の任意の位置に配設さ
れる電気的導通部に対応したメンブレン部13のウエハ
との対向面上の位置に設けられ、同一製法で作られた接
触子3b、3cを持ち、この接触子3b、3cは、回路
配線2b、2c、接点15b、15cを通してプリント
配線板8に接続され、回路配線2d、2eを経て接続端
子11b、11cに接続される構造を持つメンブレン方
式のプロ−ブカ−ドである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路の電気的
特性試験に使用されるプロ−ブカ−ドおよびこのプロー
ブカードを用いた試験方法に関し、特にメンブレン方式
のプロ−ブカ−ドにおいてファーストコンタクトポイン
トの検出を改善したプロ−ブカ−ドおよびおよびこのプ
ローブカードを用いた試験方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
ウエハ上に形成された集積回路群の電気的特性試験をプ
ロ−ブカ−ドを用いて行う場合は、その集積回路の周辺
部に配設されたパッド(電極)にプロ−ブカ−ドの接触
子を接触させることによって、接触子および電極間の電
気的導通をとり、接触子とプローブカード上の配線を介
して接続された試験装置から集積回路に所定の試験信号
を供給し、この信号に応答して出力される信号を測定す
るのが一般的である。
【0003】ところが、プローブカードの製造精度によ
っては、接触子先端で形成する面と半導体ウエハ表面と
の平行度がとれなくなり、接触子をウエハ上の電極に接
触させたとき、電極に最初に接触する接触子から最後に
接触する接触子までに数十〜数百ミクロンの高低差を生
じてしまうことがあった。
【0004】この不具合を解消するため、電極への最初
の接触位置に対して数百ミクロンの距離だけウエハを搭
載したステージを上昇させることにより、接触が確実に
行なわれるように補正している。これをオ−バ−ドライ
ブと称する。
【0005】このオ−バ−ドライブを精度よくかけるた
めには、最初の接触点を精度よく検出する必要がある。
この検出方法を改善した一例が特公平5−17705公
報に記載されている。同公報記載のプローブカードの部
分断面図を示した図6およびその平面図を示した図7を
併せて参照すると、このプローブカードは、金属層25
の上に接着材27が塗布され、その上に接触子3の先端
部を除くリード部が接着され、さらにその上に接着材2
7を介してポリミイド層24が接触子3の背面全体が接
着されて接着されて構成される。
【0006】一般に、上述したポリミドのような可撓性
の材質を用いて、その表面にバンプを形成して接触手段
を形成する方法をメンブレン法と称しており、TAB等
もその一種である。
【0007】ウエハ上に形成された集積回路14の外
形、つまりスクラブライン17で囲まれたエリアより大
きい寸法で金属層25が打抜かれ、透明なポリイミド層
24を通して上面から接触子とその下面に位置する半導
体ウエハの電極パッド部周辺が目視出来る構造になって
いる。測定時には、回路配線2と接触子3および集積回
路14が上から覗いて見えるので、広く用いられている
プロ−バに装着して使用する場合、接触子3と集積回路
14の接触を顕微鏡(図示せず)で見ながら確認してい
た。
【0008】又、画像認識機能を有するプロ−バに装着
して使用する場合の概念図を示した図8を参照すると、
接触子3をカメラ26で認識することにより半導体ウエ
ハと接触子との距離を割だす方法も使われている。
【0009】従来のプローブカードの他の例が特開平2
−234067号公報に記載されている。同公報記載の
プローブカードの部分平面図を示した図9を参照する
と、集積回路14の1つの電極1に対して2個の接触子
3を接触させる構造をとっているので、電極1を通して
2本の接触子3間の導通を確認することによって、測定
用接触子が測定すべき電極に接触しているか否かを検出
することが出来る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半導体ウエハ18とプロ−ブカ−ドの接触子3とが確
実に接触したかどうかを確認する方法においては次の様
な問題がある。
【0011】特公平5−17705公報に示されている
メンブレン法を適用したプロ−ブカ−ドのように、顕微
鏡を用いて目視にて接触子と電極が確実に接触している
かどうかを確認する方法においては、プロ−バに取付け
られている光源の光量不足やメンブレン部13の乱反射
により視認が困難であり、接触点の検出は難しい。
【0012】この方法で接触の有無を検出をする場合、
実際の位置と目視認識で差が生じ、オ−バドライブ量が
規定量から変化してしまう。オ−バドライブ量が規定量
よりも過小の場合、すべての接触子が完全に電極に接触
した状態を得ることができず、ウエハ選別試験での歩留
りに影響を与える。また、オ−バドライブ量が規定量よ
り過大の場合、プロ−ブカ−ドもしくはウエハの破損を
招くこともあるので問題となる。
【0013】画像認識による接触点の検出の場合は、一
般的に広く用いられているプロ−バにはない機能なの
で、このような機能を持ったプロ−バをを設置するため
の新な投資をしなければならないという問題が発生す
る。
【0014】一方、特開平2−234067号公報に示
す例のように、1対の接触子間の導通で検出する方法の
場合、年々進む半導体素子の微細化に伴い電極も小さく
なっているのに対し、接触子の製造技術の進歩は遅く、
又、接触子の位置精度およびプロ−バのウエハを移動さ
せる精度も合わせて考慮すると、1つの電極に2つの接
触子を確実に接触させるのは困難になってきた。
【0015】本発明の目的は、上述した従来の欠点に鑑
みなされたものであり、メンブレン方式のプロ−ブカ−
ドを使用する際にウエハとプロ−ブカ−ドとの接触子が
接触するポイントの検出において、使用する装置や半導
体素子の構造に関係無く、正確に検出出来る手段を提供
することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明のプローブカード
の特徴は、半導体装置の製造工程で、半導体ウエハ上に
形成された集積回路をウエハ状態のままで良品選別する
ための電気的特性試験に使用するプローブカードであっ
て、可撓性の部材を用いその表面にバンプを形成して接
触手段を形成するメンブレン方式のプロ−ブカ−ドにお
いて、前記集積回路の電極と一対一に対応する位置に配
設される第1の接触子と、この接触子が配設される同一
面上であって前記半導体ウエハ上の電気的導通が得られ
る任意の個所に対応する位置に前記第1の接触子と同一
製造方法で形成されるとともに前記第1の接触子を前記
電極にあらかじめ定める強度内で接触させるオーバード
ライブ量決定のための接触タイミングを検出する2個1
組の第2の接触子と、これらの第2の接触子とその接続
回路配線とが形成されたメンブレン部と、このメンブレ
ン部が装着され、かつ前記第2の接触子の回路配線の終
端部がプリント配線で接続される外部接続端子が形成さ
れたプリント配線板とから構成されることにある。
【0017】また、前記集積回路を個別に切り離すため
のスクライブ線上であって、1つのコーナー部の両側各
1個所に前記第2の接触子が接触するように前記プロー
ブカードの対向面の対応する個所に前記第2の接触子を
設ける。
【0018】さらに、前記集積回路のスクライブ線上で
あって少なくとも2つのコーナー部の各両側各1個所に
前記第2の接触子がそれぞれ接触するように前記プロー
ブカードの対向面の対応する各個所にそれぞれ前記第2
の接触子を設ける。
【0019】本発明のプローブカードを用いた試験方法
の特徴は、半導体装置の製造工程で、半導体ウエハ上に
形成された集積回路をウエハ状態のままで良品選別する
ための電気的特製試験に使用するプローブカードであっ
て、可撓性の部材を用いその表面にバンプを形成して接
触手段を形成するメンブレン方式のプロ−ブカ−ドを用
いた試験方法において、前記集積回路の電極と一対一に
対応する位置に配設される第1の接触手段と、この接触
手段が配設される同一面上であって前記半導体ウエハ上
の電気的導通が得られる任意の個所に対応する位置に前
記第1の接触手段と同一製造方法で形成し、前記第1の
接触手段を前記電極に接触させるオーバードライブ量決
定のための接触タイミングを検出する2個1組の第2の
接触手段と、これらの第2の接触手段とその接続回路配
線手段とが形成されたメンブレン部と、このメンブレン
部が装着され、かつ前記第2の接触手段の回路配線手段
終端部がプリント配線で接続される外部接続手段が形成
されたプリント配線板とを用いて、前記第2の接触手段
の一方を正極、他方を負極とし、これらの接触子を前記
半導体ウエハ上の前記任意の個所に接触させ、前記極間
に流れる電流を検出して半導体ウエハとプロ−ブカ−ド
が接触したことを検知し、この検知結果に応答して前記
オーバードライブ量を決定し、この決定した値に基ずき
前記半導体ウエハを前記第1の接触手段にさらに接触度
を増加させることにある。
【0020】また、前記第2の接触手段を、前記集積回
路のスクライブ線上であって1のコーナー部の両側各1
個所に接触させて前記両極間に流れる電流を検出する。
【0021】さらに、前記第2の接触手段を、前記集積
回路のスクライブ線上であって少なくとも2つのコーナ
ー部の各両側各1個所に接触させてそれぞれの前記両極
間に流れる電流を検出する。
【0022】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例を図面を参照
しながら説明する。
【0023】図1(a)は本発明のプローブカードの第
1の実施の形態の平面図であり、図1(b)はその断面
図である。図2はウエハとプローブカードが接触したと
きの状態を示す断面図である。
【0024】図1(a)を参照すると、前述したメンブ
レン方式を適用しとたプロ−ブカ−ドにおいて、集積回
路14の電極1に接触する接触子3aと、メンブレン部
13とは、従来の構造と同様の製造方法で形成される。
【0025】以下の説明においてはプローブカードがウ
エハと対向する側の面を裏面とし、プローブカドを装着
するプリント板に対抗する面を表面と称する。
【0026】メンブレン部13の裏面側に設けられ集積
回路14の電極1に接触する接触子3aはプリント配線
板8に配設された接点15aに回路配線2aにより接続
され、これらの接触子3aとは別に、同じ裏面側に接触
子3aと同一製造方法で形成した2つの接触子3bおよ
び3cが形成されている。これらの接触子3bおよび3
cは、ウエハ18上の電気的導通部23に対応する位置
に設けられ、あらかじめ定める強度内で接触させるオー
バードライブ量決定のための接触タイミングを検出する
2個1組の接触子である。
【0027】この電気的導通部23は、ウエハ上の電気
的導通がとれる個所であれば任意の位置でよく、また、
あらかじめ専用の個所を設けてもよいし、電極の一部で
あってもよい。
【0028】接触子3bおよび3cに接続されている回
路配線2bおよび2cは、メンブレン部13からプリン
ト配線板8に接点15bおよび15cに接続され、プリ
ント配線板8上に形成された回路配線2dおよび2eに
より接続端子11aおよび11bにそれぞれ独立して接
続される。接続端子11aおよび11bはスルーホール
により基板上面に貫通しており、接続端子11aおよび
11bはさらに、図2に示すように、ケ−ブル21aお
よび21bを介してプロ−バ制御部19に接続される。
【0029】あらかじめ定める強度内で接触させるオー
バードライブ量決定のための接触タイミングを検出する
2個1組の第2の接触子3bおよび3cに、回路配線2
bおよび2cと接点15bおよび15cと回路配線2d
および2eと接続端子11aおよび11bとケーブル2
1aおよび21bとをそれぞれ介して接続されるプロ−
バ制御部19は、一般的にエッジセンサ機能、すなわ
ち、ウエハ18を上昇させながらケーブル21aおよび
21bの2線間、つまり、接触子3bを正極、3cを負
極とし、これらの接触子を半導体ウエハ上の任意の個所
に接触させ、両極間に流れる電流を検出して半導体ウエ
ハとプロ−ブカ−ドが接触したことを検知し、この検知
結果に応答してオーバードライブ量を決定し、この決定
した値に基ずき半導体ウエハを接触子3bおよび3cに
さらに接触度を増加させて接触させる機能を持ってい
る。ここでは導通が取れて電流が流れた時を接触点とし
て検出するロジックとするが、単に導通非導通を検出す
ることでもよい。
【0030】ウエハステージにウエハ18をセットし、
試験を開始すると、ステージをプローブカードの方向に
上昇させ、電気的導通通部23と接触子3bおよび3c
が接触するまで上昇させ、接触した時この2点間に導通
が取れると、上述のようにプロ−バ制御部19は接触し
たことを認識し、このポイントから規定のオ−バ−ドラ
イブをかける。
【0031】以上説明したように、本実施の形態ではウ
エハ上の集積回路とプロ−ブカ−ドの接触子との接触点
を、ウエハのスクライブラインを利用してこのスクライ
ブ線に接触するように配設したオーバードライブポイン
ト検出用の専用接触子を1組もしくは複数組設け、これ
らの接触子とプロ−バを接続可能な構造にしたので、精
度良く接触点(オーバードライブポイント)を検出する
ことができる。したがって従来のメンブレン方式のプロ
−ブカ−ドのように、目視での接触点検出による精度の
ばらつきによるオ−バ−ドライブの加え過ぎにより、プ
ローブカ−ドやウエハの破損、オーバードライブ不足の
場合の歩留り低下を防止する。
【0032】次に第2の実施の形態を説明する。
【0033】第2の実施の形態のプローブカードの平面
図を示した図3を参照すると、前述の接触検出用接触子
3b、3cを電気的導通のあるスクライブライン17の
位置に設けた例であり、スクライブライン17は電極1
より大きく、位置の自由度が高いという利点がある。も
しスクライブライン17の上が保護膜で被われていたと
しても、電極1の上を被っている保護膜を取除く工程で
同時に取除くことが容易に行えるので、簡易な変更で実
現することが出来る。
【0034】次に第3の実施の形態を説明する。
【0035】上述した接触点(オーバードライブポイン
ト)検出用に設けた2個1組の接触子を4組備えたプロ
ーブカードの平面図を示した図4、およびこのプローブ
カードの接触子ががウエハと接触した時の断面図を示し
た図5を参照すると、第2の実施の形態との相違点は、
第2の実施の形態の接触子3bおよび3cは集積回路1
4の1つのコーナー部に対応する位置に設けたのに対
し、この実施の形態では接触子3bおよび3cを集積回
路14のスクライブライン17上の4つのコーナー部に
対応するメンブレン部の裏面側にそれぞれ設けたもので
ある。その他の構成要素は同一であるのでここでの説明
は省略する。
【0036】この4つのコーナー部に対応する位置に設
ける構造により、図5に示す様にウエハ18とプロ−ブ
カ−ドに傾きがある場合でも、ウエハを搭載したステー
ジをプローブカード側に上昇させると4組の接触子3b
および3cのいずれか1組が最初にウエハ18のスクラ
イブライン17に接触する。
【0037】したがって、接触子3bおよび3cが1組
しかない場合は、プローブカードに傾きがありかつその
傾きの最下点が接触子のある周辺部のときはその接触点
から規定量のオーバードライブ量を決めるので、この接
触点の反対側、すなわち傾斜したプローブカードの高い
方の周辺部にある接触市3bおよび3cは接触強度が小
さく、オーバードライブ不足になる場合もある。
【0038】一方、傾きが逆の場合は接触子がない反対
方向のプローブカード周辺部の接触端子の方が先に電極
に接触することになり、その後で接触子3bおよび3c
が接触し、その時点でオーバードライブ量を決定するこ
とになるので、同様に先に接触しているプロ−ブカ−ド
および集積回路に必要以上の接触圧が加わることがあ
り、これらの事象を未然に防止する対策として適用出来
る。
【0039】すなわち、接触子3bおよび3cを4組設
けることにより、そのうちの少なくとも3組の接触子の
接触点を検出してからオーバードライブ量を決定するの
で、1組の比べてさらに精度の高い接触点の検出が出
来、プロ−ブカ−ドと集積回路に必要以上の接触圧が部
分的に加わることはない。
【0040】したがってこの第3の実施の形態の場合
も、従来のメンブレン方式のプロ−ブカ−ドのように、
目視での接触点検出による精度のばらつきによるオ−バ
−ドライブの加え過ぎにより、プローブカ−ドやウエハ
の破損、オーバードライブ不足の場合の歩留り低下を防
止する。
【0041】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、集積回路の
電極と一対一に対応する位置に配設される第1の接触子
と、この接触子が配設される同一面上であって半導体ウ
エハ上の電気的導通が得られる任意の個所に対応する位
置に第1の接触子と同一製造方法で形成されるとともに
第1の接触子を電極にあらかじめ定める強度内で接触さ
せるオーバードライブ量決定のための接触タイミングを
検出する2個1組の第2の接触子と、これらの第2の接
触子とその接続回路配線とが形成されたメンブレン部
と、このメンブレン部が装着され、かつ第2の接触子の
回路配線の終端部がプリント配線で接続される外部接続
端子が形成されたプリント配線板とから構成されプロ−
バを接続可能な構造にしたので、ウエハとプロ−ブカ−
ドに傾きがある場合でも、精度良く接触点を検出するこ
とができ、従来のメンブレン方式のプロ−ブカ−ドのよ
うに、目視での接触点検出による精度のばらつきが与え
るオ−バ−ドライブの加え過ぎによるカ−ドやウエハの
破損や、過少の場合の歩留り低下を防止する効果があ
る。
【0042】また、高価な画像認識機能付きプロ−バを
投資する必要も無い。
【0043】更に、年々微細化が進む電極とは無関係に
設定できるので、新たな技術開発を必要とせず費用が削
減出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の一実施の形態のプロ−ブカ−ド
の平面図である。 (b)本発明の一実施の形態のプロ−ブカ−ドの断面図
である。
【図2】ウエハとプロ−ブカ−ドが接触した状態を示す
断面図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態におけるプロ−ブカ
−ドの接触子がスクライブラインに接触した状態を示す
部分平面図である。
【図4】本発明の第3実施例におけるプロ−ブカ−ドの
接触子を4組備えたときの平面図である。
【図5】本発明の第3実施例におけるプロ−ブカ−ドが
ウエハと接触した状態を示す断面図である。
【図6】従来のメンブレン方式のプロ−ブカ−ドの一例
を説明するためのメンブレン部の部分拡大断面図であ
る。
【図7】従来のメンブレン方式のプロ−ブカ−ドの他の
例を説明するためのメンブレン部の部分拡大平面図であ
る。
【図8】従来のメンブレン方式のプロ−ブカ−ドの接触
子の接触状態を検出する方法の一例を示した概念図であ
る。
【図9】従来の二点接触の検出方法を説明するためのメ
ンブレン部の部分拡大平面図である。
【符号の説明】
1 電極 2,2a,2b,2c,2d,2e メンブレン回路
配線 3a,3b,3c,3d 電極接触子 8 プリント配線板 11a,11b 外部接続端子 13 メンブレン部 14 集積回路 15a、15b,15c 接点 17 スクライブライン 18 半導体ウエハ 19 プロ−バ制御部 21a,21b ケ−ブル 23 電気的導通部 24 ポリイミド層 25 金属層 26 カメラ 27 接着材

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置の製造工程で、半導体ウエハ
    上に形成された集積回路をウエハ状態のままで良品選別
    するための電気的特性試験に使用するプローブカードで
    あって、可撓性の部材を用いその表面にバンプを形成し
    て接触手段を形成するメンブレン方式のプロ−ブカ−ド
    において、前記集積回路の電極と一対一に対応する位置
    に配設される第1の接触子と、この接触子が配設される
    同一面上であって前記半導体ウエハ上の電気的導通が得
    られる任意の個所に対応する位置に前記第1の接触子と
    同一製造方法で形成されるとともに前記第1の接触子を
    前記電極にあらかじめ定める強度内で接触させるオーバ
    ードライブ量決定のための接触タイミングを検出する2
    個1組の第2の接触子と、これらの第2の接触子とその
    接続回路配線とが形成されたメンブレン部と、このメン
    ブレン部が装着され、かつ前記第2の接触子の回路配線
    の終端部がプリント配線で接続される外部接続端子が形
    成されたプリント配線板とから構成されるメンブレン方
    式のプロ−ブカ−ド。
  2. 【請求項2】 前記集積回路を個別に切り離すためのス
    クライブ線上であって、1つのコーナー部の両側各1個
    所に前記第2の接触子が接触するように前記プローブカ
    ードの対向面の対応する個所に前記第2の接触子を設け
    る請求項1記載のプローブカード。
  3. 【請求項3】 前記集積回路のスクライブ線上であって
    少なくとも2つのコーナー部の各両側各1個所に前記第
    2の接触子がそれぞれ接触するように前記プローブカー
    ドの対向面の対応する各個所にそれぞれ前記第2の接触
    子を設ける請求項2記載のプローブカード。
  4. 【請求項4】 半導体装置の製造工程で、半導体ウエハ
    上に形成された集積回路をウエハ状態のままで良品選別
    するための電気的特製試験に使用するプローブカードで
    あって、可撓性の部材を用いその表面にバンプを形成し
    て接触手段を形成するメンブレン方式のプロ−ブカ−ド
    を用いた試験方法において、前記集積回路の電極と一対
    一に対応する位置に配設される第1の接触手段と、この
    接触手段が配設される同一面上であって前記半導体ウエ
    ハ上の電気的導通が得られる任意の個所に対応する位置
    に前記第1の接触手段と同一製造方法で形成し、前記第
    1の接触手段を前記電極に接触させるオーバードライブ
    量決定のための接触タイミングを検出する2個1組の第
    2の接触手段と、これらの第2の接触手段とその接続回
    路配線手段とが形成されたメンブレン部と、このメンブ
    レン部が装着され、かつ前記第2の接触手段の回路配線
    手段終端部がプリント配線で接続される外部接続手段が
    形成されたプリント配線板とを用いて、前記第2の接触
    手段の一方を正極、他方を負極とし、これらの接触子を
    前記半導体ウエハ上の前記任意の個所に接触させ、前記
    極間に流れる電流を検出して半導体ウエハとプロ−ブカ
    −ドが接触したことを検知し、この検知結果に応答して
    前記オーバードライブ量を決定し、この決定した値に基
    ずき前記半導体ウエハを前記第1の接触手段にさらに接
    触度を増加させることを特徴とするプロ−ブカ−ドを用
    いた試験方法。
  5. 【請求項5】 前記第2の接触手段を、前記集積回路の
    スクライブ線上であって1のコーナー部の両側各1個所
    に接触させて前記両極間に流れる電流を検出する請求項
    4記載のプロ−ブカ−ドを用いた試験方法。
  6. 【請求項6】 前記第2の接触手段を、前記集積回路の
    スクライブ線上であって少なくとも2つのコーナー部の
    各両側各1個所に接触させてそれぞれの前記両極間に流
    れる電流を検出する請求項5記載のプロ−ブカ−ドを用
    いた試験方法。
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US6181145B1 (en) 1997-10-13 2001-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Probe card
JP2014055879A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Hioki Ee Corp 基板検査装置および基板検査方法

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