JPH10189672A - コンタクタおよび半導体装置の検査方法 - Google Patents
コンタクタおよび半導体装置の検査方法Info
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- JPH10189672A JPH10189672A JP29555597A JP29555597A JPH10189672A JP H10189672 A JPH10189672 A JP H10189672A JP 29555597 A JP29555597 A JP 29555597A JP 29555597 A JP29555597 A JP 29555597A JP H10189672 A JPH10189672 A JP H10189672A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温のバーンイン試験でも半導体チップのパ
ッド電極とコンタクタのバンプ電極との位置のずれを生
じないようにする。 【解決手段】 コンタクタ１０のくぼみ１１に、スクラ
イブラインで切り離された半導体チップ１５が装着さ
れ、バンプ電極１３と半導体チップ１５のパッド電極が
接触し電気的に接続される。かつコンタクタ１０のくぼ
み１１間の側壁部１３は、断面を台形状としたためスク
ライブラインの溝部１６に入り易く、かつ半導体チップ
１５がくぼみ１１に容易にセットできる。コンタクタ１
０と半導体チップ１５のついたダイシングシート１４を
押圧し電気的接続を確実にする。
ッド電極とコンタクタのバンプ電極との位置のずれを生
じないようにする。 【解決手段】 コンタクタ１０のくぼみ１１に、スクラ
イブラインで切り離された半導体チップ１５が装着さ
れ、バンプ電極１３と半導体チップ１５のパッド電極が
接触し電気的に接続される。かつコンタクタ１０のくぼ
み１１間の側壁部１３は、断面を台形状としたためスク
ライブラインの溝部１６に入り易く、かつ半導体チップ
１５がくぼみ１１に容易にセットできる。コンタクタ１
０と半導体チップ１５のついたダイシングシート１４を
押圧し電気的接続を確実にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハに形
成された複数の半導体チップの集積回路をウエハ状態で
一括して検査するコンタクタおよび半導体装置の検査方
法に関するものである。
成された複数の半導体チップの集積回路をウエハ状態で
一括して検査するコンタクタおよび半導体装置の検査方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置（以下、半導
体装置という）を搭載した電子機器の小型化の進歩は目
ざましく、また低価格化もかなり具現化されている。こ
のような事情から、電子機器の主要部材である半導体装
置それ自体に対する小型化と低価格化への要求はより強
いものとなっている。
体装置という）を搭載した電子機器の小型化の進歩は目
ざましく、また低価格化もかなり具現化されている。こ
のような事情から、電子機器の主要部材である半導体装
置それ自体に対する小型化と低価格化への要求はより強
いものとなっている。
【０００３】通常、半導体装置の製造における実装工程
では、半導体チップをリードフレームのダイパッドに接
着した後、ボンディングワイヤにより半導体チップとリ
ードフレームが電気的に接続され、次に半導体チップお
よびリードフレームは樹脂またはセラミックスにより封
止された状態で供給されて、プリント基板に実装され
る。ところが、樹脂やセラミックスなどの封止材料は電
気回路特性に直接作用するものではないので、電子機器
の小型化，軽量化を図るために、半導体装置として半導
体ウエハから切り出したままで未封止状態の半導体チッ
プを回路基板に直接実装する方法が開発されている。し
かし、この方法の場合には当然半導体チップとしては、
その品質が保証されていることが必要である。
では、半導体チップをリードフレームのダイパッドに接
着した後、ボンディングワイヤにより半導体チップとリ
ードフレームが電気的に接続され、次に半導体チップお
よびリードフレームは樹脂またはセラミックスにより封
止された状態で供給されて、プリント基板に実装され
る。ところが、樹脂やセラミックスなどの封止材料は電
気回路特性に直接作用するものではないので、電子機器
の小型化，軽量化を図るために、半導体装置として半導
体ウエハから切り出したままで未封止状態の半導体チッ
プを回路基板に直接実装する方法が開発されている。し
かし、この方法の場合には当然半導体チップとしては、
その品質が保証されていることが必要である。
【０００４】よって、半導体チップの品質保証のため、
半導体装置の出荷検査を行う前に、半導体装置にストレ
スを印加し、潜在不良を顕在化させて故障を起こす半導
体装置を除去するバーンイン試験が一般的に行われる。
従来は半導体チップを樹脂またはセラミックスなどで封
止した後に、複数のソケットを備えたバーンイン用ボー
ドに装着し、半導体装置に通常の使用状態よりも高い電
圧を印加し、高温状態で動作させることによって半導体
装置にストレスを加える方法が一般的であった。
半導体装置の出荷検査を行う前に、半導体装置にストレ
スを印加し、潜在不良を顕在化させて故障を起こす半導
体装置を除去するバーンイン試験が一般的に行われる。
従来は半導体チップを樹脂またはセラミックスなどで封
止した後に、複数のソケットを備えたバーンイン用ボー
ドに装着し、半導体装置に通常の使用状態よりも高い電
圧を印加し、高温状態で動作させることによって半導体
装置にストレスを加える方法が一般的であった。
【０００５】未封止の状態の半導体チップをバーンイン
試験を行う場合には、半導体チップ用ソケットを用いて
信頼性保証用の通電基板に実装してバーンイン試験をす
る方法があるが、半導体チップ用ソケットは高価であ
り、また未封止の半導体チップは取り扱いが煩雑である
ため、試験に長時間を要する。このために、ウエハ状態
で一括してバーンイン試験をする方法が開発されてい
る。
試験を行う場合には、半導体チップ用ソケットを用いて
信頼性保証用の通電基板に実装してバーンイン試験をす
る方法があるが、半導体チップ用ソケットは高価であ
り、また未封止の半導体チップは取り扱いが煩雑である
ため、試験に長時間を要する。このために、ウエハ状態
で一括してバーンイン試験をする方法が開発されてい
る。
【０００６】ウエハ状態で一括してバーンイン試験等の
検査を実施するには、単一の半導体ウエハ上に形成され
た複数の半導体チップにプローブ針を立てて電気的な接
続をとり、電源電圧や信号を同時に印加して、前記複数
の半導体チップを動作させる必要がある。このため、非
常に多くのプローブ針を持つプローブカードが必要にな
り、その価格も高価なものになっている。
検査を実施するには、単一の半導体ウエハ上に形成され
た複数の半導体チップにプローブ針を立てて電気的な接
続をとり、電源電圧や信号を同時に印加して、前記複数
の半導体チップを動作させる必要がある。このため、非
常に多くのプローブ針を持つプローブカードが必要にな
り、その価格も高価なものになっている。
【０００７】例えば、１デバイスあたり数本から数十本
のプローブ針が必要となり、１ウエハあたりのデバイス
数が数百以上あることから、千本以上のプローブ針を備
えたプローブカードが必要となる。しかしながら、この
ようなプローブカードの製作は極めて困難である。
のプローブ針が必要となり、１ウエハあたりのデバイス
数が数百以上あることから、千本以上のプローブ針を備
えたプローブカードが必要となる。しかしながら、この
ようなプローブカードの製作は極めて困難である。
【０００８】そこで、フレキシブル基板にバンプ電極が
設けられた薄膜型のプローブカードよりなるコンタクタ
が提案されている（日東技法 Vol.28.No.2（Oct. 1990
PP.57-62）を参照）。
設けられた薄膜型のプローブカードよりなるコンタクタ
が提案されている（日東技法 Vol.28.No.2（Oct. 1990
PP.57-62）を参照）。
【０００９】以下に、前記のコンタクタを用いたバーン
イン試験について説明する。図１２はコンタクタを用い
たプロービングの状態を示す部分断面図である。図１２
において、１はカード型のコンタクタ、２はポリイミド
基板、３はポリイミド基板２上に形成された配線層、４
はプローブ端子としてのバンプ電極、５は配線層３とバ
ンプ電極４とを接続するスルーホール、６は半導体ウエ
ハ、７はパッド電極である。
イン試験について説明する。図１２はコンタクタを用い
たプロービングの状態を示す部分断面図である。図１２
において、１はカード型のコンタクタ、２はポリイミド
基板、３はポリイミド基板２上に形成された配線層、４
はプローブ端子としてのバンプ電極、５は配線層３とバ
ンプ電極４とを接続するスルーホール、６は半導体ウエ
ハ、７はパッド電極である。
【００１０】図１２に示すように、コンタクタ１を被測
定基板上のバーンイン試験を行う半導体ウエハ６に押し
つけて、検査用電極として半導体ウエハ６上のパッド電
極７とコンタクタ１のバンプ電極４とを電気的に接続す
る。この状態で電源電圧や信号を配線層３を介してバン
プ電極４より印加することにより、半導体ウエハ６の検
査が可能となる。
定基板上のバーンイン試験を行う半導体ウエハ６に押し
つけて、検査用電極として半導体ウエハ６上のパッド電
極７とコンタクタ１のバンプ電極４とを電気的に接続す
る。この状態で電源電圧や信号を配線層３を介してバン
プ電極４より印加することにより、半導体ウエハ６の検
査が可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来は、半導体ウエハ
とコンタクタの位置合わせは、コンタクタに設けられる
基準位置と半導体ウエハ上に数箇所設けられたアライメ
ントマークによって行っていた。しかしながら、コンタ
クタのバンプ電極と半導体ウエハ上のパッド電極のアラ
イメントが正確に接触しているかどうかを目視で確認す
ることができず、正確なアライメントを実現することは
困難であった。また、アライメントが行われた後に、振
動などによって、半導体ウエハとコンタクタの位置がず
れることもあった。
とコンタクタの位置合わせは、コンタクタに設けられる
基準位置と半導体ウエハ上に数箇所設けられたアライメ
ントマークによって行っていた。しかしながら、コンタ
クタのバンプ電極と半導体ウエハ上のパッド電極のアラ
イメントが正確に接触しているかどうかを目視で確認す
ることができず、正確なアライメントを実現することは
困難であった。また、アライメントが行われた後に、振
動などによって、半導体ウエハとコンタクタの位置がず
れることもあった。
【００１２】さらに、従来の構成では、高温（例えば１
２５℃）で実施するようなバーンイン試験の場合、半導
体ウェハを高温に維持することが必要となる。そして半
導体ウエハは、室温（例えば２５℃）から１２５℃まで
加熱すると、半導体ウエハは膨張して伸び、同様に、ポ
リイミド基板からなるコンタクタも膨張して伸びること
になる。
２５℃）で実施するようなバーンイン試験の場合、半導
体ウェハを高温に維持することが必要となる。そして半
導体ウエハは、室温（例えば２５℃）から１２５℃まで
加熱すると、半導体ウエハは膨張して伸び、同様に、ポ
リイミド基板からなるコンタクタも膨張して伸びること
になる。
【００１３】半導体ウエハを構成する部材のシリコンの
熱膨張係数は３．５×１０~6／℃であって、コンタクタ
を構成するポリイミドの熱膨張係数は１６×１０~6／℃
である。よって、室温（２５℃）から高温（１２５℃）
への昇温によって、８インチ（直径２０．２ｃｍ）の半
導体ウエハでは、７０μｍ伸びるのに対して、ポリイミ
ド基板のコンタクタは３２０μｍも伸びる。
熱膨張係数は３．５×１０~6／℃であって、コンタクタ
を構成するポリイミドの熱膨張係数は１６×１０~6／℃
である。よって、室温（２５℃）から高温（１２５℃）
への昇温によって、８インチ（直径２０．２ｃｍ）の半
導体ウエハでは、７０μｍ伸びるのに対して、ポリイミ
ド基板のコンタクタは３２０μｍも伸びる。
【００１４】通常、半導体ウエハ上のパッド電極の大き
さは５０〜１００μｍであるため、半導体ウエハとポリ
イミド基板の伸びの差によって半導体ウエハの周辺部分
ではパッド電極とバンプ電極の電気的接続がとれなくな
ってしまう。
さは５０〜１００μｍであるため、半導体ウエハとポリ
イミド基板の伸びの差によって半導体ウエハの周辺部分
ではパッド電極とバンプ電極の電気的接続がとれなくな
ってしまう。
【００１５】つまり、仮に室温で半導体ウエハのパッド
電極とコンタクタのバンプ電極との接触がとれていると
しても、従来のバーンイン試験のような半導体装置の検
査方法では、半導体ウエハが高温に昇温したときに半導
体ウエハに接するコンタクタも高温になり、半導体ウエ
ハとコンタクタとの熱膨脹係数の差によって、半導体ウ
エハの周辺部分においては半導体ウエハのパッド電極と
コンタクタのバンプ電極との位置がずれてしまい、電気
的接続がとれなくなるという問題を有していた。
電極とコンタクタのバンプ電極との接触がとれていると
しても、従来のバーンイン試験のような半導体装置の検
査方法では、半導体ウエハが高温に昇温したときに半導
体ウエハに接するコンタクタも高温になり、半導体ウエ
ハとコンタクタとの熱膨脹係数の差によって、半導体ウ
エハの周辺部分においては半導体ウエハのパッド電極と
コンタクタのバンプ電極との位置がずれてしまい、電気
的接続がとれなくなるという問題を有していた。
【００１６】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
ることに指向するものであり、半導体ウエハのパッド電
極とコンタクタのバンプ電極の正確なアライメントを可
能とする。また、コンタクタのバンプ電極と半導体ウエ
ハのパッド電極の接続を外部から確認することを可能と
し、外的な要因によってずれることを防止する。さら
に、高温においても半導体ウエハの周辺部分でのパッド
電極とコンタクタのバンプ電極とのずれが生じることな
く電気的な接触が確実に行えるようなコンタクタおよび
半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。
ることに指向するものであり、半導体ウエハのパッド電
極とコンタクタのバンプ電極の正確なアライメントを可
能とする。また、コンタクタのバンプ電極と半導体ウエ
ハのパッド電極の接続を外部から確認することを可能と
し、外的な要因によってずれることを防止する。さら
に、高温においても半導体ウエハの周辺部分でのパッド
電極とコンタクタのバンプ電極とのずれが生じることな
く電気的な接触が確実に行えるようなコンタクタおよび
半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係るコンタクタおよび半導体装置の検査方
法のコンタクタは、半導体チップと同等の大きさを有す
る複数のくぼみと、くぼみ毎にその外周部分に設けた側
壁部と、半導体チップ上に形成された複数のパッド電極
にそれぞれ対応してくぼみに設けた複数のバンプ電極と
を備えることを特徴とする。
に、本発明に係るコンタクタおよび半導体装置の検査方
法のコンタクタは、半導体チップと同等の大きさを有す
る複数のくぼみと、くぼみ毎にその外周部分に設けた側
壁部と、半導体チップ上に形成された複数のパッド電極
にそれぞれ対応してくぼみに設けた複数のバンプ電極と
を備えることを特徴とする。
【００１８】また、半導体チップと同等の大きさを有す
る複数のくぼみと、その外周部分に設けた側壁部と、半
導体チップ上の複数のパッド電極のそれぞれに対応して
くぼみに設けた複数のバンプ電極と、複数の半導体チッ
プが伸縮性を有するダイシングシートを介して固定され
る基板と、基板上の半導体チップをくぼみに装着して押
圧し固定する手段とを備えることを特徴とする。
る複数のくぼみと、その外周部分に設けた側壁部と、半
導体チップ上の複数のパッド電極のそれぞれに対応して
くぼみに設けた複数のバンプ電極と、複数の半導体チッ
プが伸縮性を有するダイシングシートを介して固定され
る基板と、基板上の半導体チップをくぼみに装着して押
圧し固定する手段とを備えることを特徴とする。
【００１９】また、くぼみの外周部分に設けた側壁部
は、断面が台形状に形成されるように構成したものであ
る。
は、断面が台形状に形成されるように構成したものであ
る。
【００２０】さらに、半導体装置の検査方法は、複数の
半導体チップが形成された半導体ウエハを伸縮性を有す
るダイシングシート上に固定し、ダイシングシートの一
部を含み前記半導体ウエハを完全に切断して半導体チッ
プを分離して、コンタクタに形成された複数のくぼみに
設けた複数のバンプ電極と、対応する半導体チップ上の
各パッド電極との位置を合わせ、電気的に接続されるよ
うに装着して押圧し、バーンイン試験を行うことを特徴
とする。
半導体チップが形成された半導体ウエハを伸縮性を有す
るダイシングシート上に固定し、ダイシングシートの一
部を含み前記半導体ウエハを完全に切断して半導体チッ
プを分離して、コンタクタに形成された複数のくぼみに
設けた複数のバンプ電極と、対応する半導体チップ上の
各パッド電極との位置を合わせ、電気的に接続されるよ
うに装着して押圧し、バーンイン試験を行うことを特徴
とする。
【００２１】また、バーンイン試験の後、半導体チップ
に対して出荷前の検査を行う、さらに半導体チップをコ
ンタクタへ装着する前に、半導体チップの良否判定を行
って、不良と判定された半導体チップを除去することを
特徴とする。
に対して出荷前の検査を行う、さらに半導体チップをコ
ンタクタへ装着する前に、半導体チップの良否判定を行
って、不良と判定された半導体チップを除去することを
特徴とする。
【００２２】また、前記ダイシングシートの一部を含み
前記半導体ウエハを完全に切断して半導体チップを分離
する代わりに、半導体ウエハに半導体チップのスクライ
ブラインの沿って溝部を形成し、半導体基板とほぼ同じ
熱膨張率を有する材料で形成されたコンタクタのくぼみ
に設けた複数のバンプ電極と、対応する半導体チップ上
の各パッド電極との位置を合わせ、電気的に接続される
ように装着し押圧して、バーンイン試験を行うことを特
徴とする。
前記半導体ウエハを完全に切断して半導体チップを分離
する代わりに、半導体ウエハに半導体チップのスクライ
ブラインの沿って溝部を形成し、半導体基板とほぼ同じ
熱膨張率を有する材料で形成されたコンタクタのくぼみ
に設けた複数のバンプ電極と、対応する半導体チップ上
の各パッド電極との位置を合わせ、電気的に接続される
ように装着し押圧して、バーンイン試験を行うことを特
徴とする。
【００２３】また、バーンイン試験の後、半導体チップ
に対して出荷前の検査を行い、さらに半導体チップをコ
ンタクタへ装着する前に、半導体チップの良否判定を行
って、不良と判定された半導体チップを絶縁することを
特徴とする。
に対して出荷前の検査を行い、さらに半導体チップをコ
ンタクタへ装着する前に、半導体チップの良否判定を行
って、不良と判定された半導体チップを絶縁することを
特徴とする。
【００２４】前記のように構成されるコンタクタおよび
半導体装置の検査方法によれば、側壁部と半導体チップ
を切断して形成された溝部を嵌合させて、半導体チップ
と同等の大きさのくぼみには切断した半導体チップが装
着されるため、半導体チップの上に形成された複数のパ
ッド電極とバンプ電極の位置が自動的に決まる。
半導体装置の検査方法によれば、側壁部と半導体チップ
を切断して形成された溝部を嵌合させて、半導体チップ
と同等の大きさのくぼみには切断した半導体チップが装
着されるため、半導体チップの上に形成された複数のパ
ッド電極とバンプ電極の位置が自動的に決まる。
【００２５】また、側壁部と溝部を嵌合させ、くぼみに
は半導体チップを装着し、その半導体チップをダイシン
グシートを介して固定した基板と、半導体チップをくぼ
みに押圧し固定する手段とにより、コンタクタのバンプ
電極と半導体チップのパッド電極は着実に接続される。
は半導体チップを装着し、その半導体チップをダイシン
グシートを介して固定した基板と、半導体チップをくぼ
みに押圧し固定する手段とにより、コンタクタのバンプ
電極と半導体チップのパッド電極は着実に接続される。
【００２６】また、側壁部の断面が台形状であるため、
くぼみと底面に合致する側壁部の下部外周よりも側壁部
の上部外周が大きくなり、くぼみに半導体チップの装着
が容易になる。
くぼみと底面に合致する側壁部の下部外周よりも側壁部
の上部外周が大きくなり、くぼみに半導体チップの装着
が容易になる。
【００２７】さらにまた、半導体ウエハを伸縮性を有す
ダイシングシートに固定し、半導体チップに切断した
後、側壁部を切断によって形成された溝部に嵌合するこ
とで、くぼみの複数のバンプ電極と半導体チップの複数
のパッド電極の位置を合わせて電気的接続がされる。コ
ンタクタのくぼみに半導体チップを装着し押圧してバー
ンイン試験をするこの構成によれば、バーンイン試験時
の高温によるコンタクタの熱膨張に対して、くぼみに装
着された切断された半導体チップは伸縮性のダイシング
シートにより、コンタクタの伸びに応じて移動する。し
たがって、バンプ電極とパッド電極との接触位置がずれ
ることがなくなる。
ダイシングシートに固定し、半導体チップに切断した
後、側壁部を切断によって形成された溝部に嵌合するこ
とで、くぼみの複数のバンプ電極と半導体チップの複数
のパッド電極の位置を合わせて電気的接続がされる。コ
ンタクタのくぼみに半導体チップを装着し押圧してバー
ンイン試験をするこの構成によれば、バーンイン試験時
の高温によるコンタクタの熱膨張に対して、くぼみに装
着された切断された半導体チップは伸縮性のダイシング
シートにより、コンタクタの伸びに応じて移動する。し
たがって、バンプ電極とパッド電極との接触位置がずれ
ることがなくなる。
【００２８】また、バーンイン試験が行われた複数の半
導体チップに対して出荷前の検査を行い、検査が行われ
た良品だけを出荷できる。
導体チップに対して出荷前の検査を行い、検査が行われ
た良品だけを出荷できる。
【００２９】また、半導体チップの良否の判定を行い、
不良と判定された半導体チップをダイシングシートから
除去してバーンイン試験をするため、不良チップに起因
する異常電流がコンタクタを流れることを防ぐことがで
き、したがって、コンタクタを保護し半導体チップに安
定したバーンイン試験の電圧を供給できる。
不良と判定された半導体チップをダイシングシートから
除去してバーンイン試験をするため、不良チップに起因
する異常電流がコンタクタを流れることを防ぐことがで
き、したがって、コンタクタを保護し半導体チップに安
定したバーンイン試験の電圧を供給できる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明にお
ける実施の形態を詳細に説明する。 （実施の形態１）図１は本発明における実施の形態１の
コンタクタの一部分を示す平面図である。図１におい
て、１０はコンタクタ、１１は半導体チップが入るくぼ
み、１２は半導体チップ上に形成されたパッド電極（図
示せず）に対応するバンプ電極、１３は、互いに隣接す
るくぼみ１１−くぼみ１１間に形成され、その断面が台
形状に形成されたコンタクタ１０の側壁部である。
ける実施の形態を詳細に説明する。 （実施の形態１）図１は本発明における実施の形態１の
コンタクタの一部分を示す平面図である。図１におい
て、１０はコンタクタ、１１は半導体チップが入るくぼ
み、１２は半導体チップ上に形成されたパッド電極（図
示せず）に対応するバンプ電極、１３は、互いに隣接す
るくぼみ１１−くぼみ１１間に形成され、その断面が台
形状に形成されたコンタクタ１０の側壁部である。
【００３１】また、図２は本実施の形態１におけるコン
タクタおよびコンタクタに装着された半導体ウエハの図
１のＸ−Ｘ′断面を示す断面図である。図２において、
１４は半導体ウエハが固定されるダイシングシート、１
５は半導体ウエハに形成されスクライブラインにそって
切断された半導体チップ、１６は側壁部１３が嵌合する
スクライブラインの溝部、θは側壁部１３の底面部と側
面部との角度である。
タクタおよびコンタクタに装着された半導体ウエハの図
１のＸ−Ｘ′断面を示す断面図である。図２において、
１４は半導体ウエハが固定されるダイシングシート、１
５は半導体ウエハに形成されスクライブラインにそって
切断された半導体チップ、１６は側壁部１３が嵌合する
スクライブラインの溝部、θは側壁部１３の底面部と側
面部との角度である。
【００３２】本実施の形態１において、くぼみ１１間の
側壁部１３の角度θを９０度より小さくすることによ
り、側壁部１３の先端部分の幅が狭くなる。その結果、
コンタクタ１０の側壁部１３が溝部１６に入り易く、ま
た、半導体チップ１５はコンタクタ１０のくぼみ１１に
セットされ易くなる。さらに、パッド電極（図示せず）
とバンプ電極１２の位置が自動的に決まり両者が正確に
接触することになる。
側壁部１３の角度θを９０度より小さくすることによ
り、側壁部１３の先端部分の幅が狭くなる。その結果、
コンタクタ１０の側壁部１３が溝部１６に入り易く、ま
た、半導体チップ１５はコンタクタ１０のくぼみ１１に
セットされ易くなる。さらに、パッド電極（図示せず）
とバンプ電極１２の位置が自動的に決まり両者が正確に
接触することになる。
【００３３】（実施の形態２）図３は本発明における実
施の形態２のコンタクタと装着前の半導体チップの断面
図である。ここで、本実施の形態１を説明する図２にお
ける構成部材と対応するものに対してはそれぞれ同一の
符号を付して示す。図３において、１０はコンタクタ、
１１はくぼみ、１２はバンプ電極、１３は側壁部、１４
はダイシングシート、１５は半導体チップ、１６は溝
部、１７は半導体チップ１５をダイシングシート１４を
介し固定する基板、１８はコンタクタ１０と基板１７を
押圧する手段の一例としてのスプリングである。
施の形態２のコンタクタと装着前の半導体チップの断面
図である。ここで、本実施の形態１を説明する図２にお
ける構成部材と対応するものに対してはそれぞれ同一の
符号を付して示す。図３において、１０はコンタクタ、
１１はくぼみ、１２はバンプ電極、１３は側壁部、１４
はダイシングシート、１５は半導体チップ、１６は溝
部、１７は半導体チップ１５をダイシングシート１４を
介し固定する基板、１８はコンタクタ１０と基板１７を
押圧する手段の一例としてのスプリングである。
【００３４】図３はコンタクタ１０に半導体装置の半導
体チップ１５を装着し押圧する前の状態で、所定寸法つ
まりチップ大に切断された半導体チップ１５はダイシン
グシート１４に固定され、さらに、ダイシングシート１
４を介して基板１７に固定されている。そして半導体チ
ップ１５が対応するくぼみ１１に装着され、パッド電極
（図示せず）とバンプ電極１２との位置がそれぞれ合う
ように調整される。その後、半導体チップ１５はコンタ
クタ１０のくぼみ１１に装着され、バンプ電極１２と半
導体チップ１５のパッド電極とが接続されるように、コ
ンタクタ１０と基板１７はスプリング１８で押しつけら
れる。
体チップ１５を装着し押圧する前の状態で、所定寸法つ
まりチップ大に切断された半導体チップ１５はダイシン
グシート１４に固定され、さらに、ダイシングシート１
４を介して基板１７に固定されている。そして半導体チ
ップ１５が対応するくぼみ１１に装着され、パッド電極
（図示せず）とバンプ電極１２との位置がそれぞれ合う
ように調整される。その後、半導体チップ１５はコンタ
クタ１０のくぼみ１１に装着され、バンプ電極１２と半
導体チップ１５のパッド電極とが接続されるように、コ
ンタクタ１０と基板１７はスプリング１８で押しつけら
れる。
【００３５】これにより、コンタクタ１０と半導体チッ
プ１５は確実に装着される。なお、本実施の形態２にお
いて、押圧の手段としてスプリングの例を示したが真空
押圧や他の方法によって押圧しても良いことはいうまで
もない。
プ１５は確実に装着される。なお、本実施の形態２にお
いて、押圧の手段としてスプリングの例を示したが真空
押圧や他の方法によって押圧しても良いことはいうまで
もない。
【００３６】前記した実施の形態１，２では、半導体チ
ップ１５の形状に対応した側壁部１３を設けたが、後述
する図７に示すように半導体チップ１５の４箇所の角に
対応する部分にだけ側壁部１３を設け、くぼみ１１は隣
接するものと連続するようにしてもよい。また、この場
合に側壁部１３は図７に示すように十字形でもよいし、
十字形の４端点だけの点形状でもよく、半導体チップ１
５を装着、固定できる形状のものであれば前記説明した
形状に限られるものではない。
ップ１５の形状に対応した側壁部１３を設けたが、後述
する図７に示すように半導体チップ１５の４箇所の角に
対応する部分にだけ側壁部１３を設け、くぼみ１１は隣
接するものと連続するようにしてもよい。また、この場
合に側壁部１３は図７に示すように十字形でもよいし、
十字形の４端点だけの点形状でもよく、半導体チップ１
５を装着、固定できる形状のものであれば前記説明した
形状に限られるものではない。
【００３７】（実施の形態３）図４は本発明における実
施の形態３の半導体装置の検査方法を示すフローチャー
トである。このフローチャートを図２に示す断面図を用
いて説明する。
施の形態３の半導体装置の検査方法を示すフローチャー
トである。このフローチャートを図２に示す断面図を用
いて説明する。
【００３８】まず、半導体チップ１５が形成された半導
体ウエハを伸縮性を有する厚さ約１００μｍのダイシン
グシート１４（例えば、ポリオレフィン樹脂）に、後に
ＵＶ（紫外線）光を照射することで半導体チップ１５と
の接着強度が弱まり剥離可能となるような、通常に使用
する接着剤等で接着する。さらに、半導体ウエハの周囲
部のダイシングシート１４を金属製の枠（図示せず）に
張り付け固定する（Ｓ１）。
体ウエハを伸縮性を有する厚さ約１００μｍのダイシン
グシート１４（例えば、ポリオレフィン樹脂）に、後に
ＵＶ（紫外線）光を照射することで半導体チップ１５と
の接着強度が弱まり剥離可能となるような、通常に使用
する接着剤等で接着する。さらに、半導体ウエハの周囲
部のダイシングシート１４を金属製の枠（図示せず）に
張り付け固定する（Ｓ１）。
【００３９】次に、通常のダイシングマシーンで半導体
ウエハのスクライブラインを幅約１００μｍで完全に切
り離す。このとき、ダイシングシート１４には約１０μ
ｍ程度の溝部１６ができるがダイシングシート１４は完
全には切り離さない。ダイシングシート１４が電気的に
高抵抗か絶縁性を有しているのであれば、半導体チップ
１５のそれぞれはほぼ完全もしくは完全に電気的に切り
離されたことになる。したがって、半導体チップ１５の
検査時に、半導体チップ間の電気的な干渉は無くなる
（Ｓ２）。
ウエハのスクライブラインを幅約１００μｍで完全に切
り離す。このとき、ダイシングシート１４には約１０μ
ｍ程度の溝部１６ができるがダイシングシート１４は完
全には切り離さない。ダイシングシート１４が電気的に
高抵抗か絶縁性を有しているのであれば、半導体チップ
１５のそれぞれはほぼ完全もしくは完全に電気的に切り
離されたことになる。したがって、半導体チップ１５の
検査時に、半導体チップ間の電気的な干渉は無くなる
（Ｓ２）。
【００４０】切り離された半導体チップ１５とコンタク
タ１０の各くぼみ１１、ならびに、スクライブラインの
溝部１６と側壁部１３とを合わせて装着して押圧する
（Ｓ３）。
タ１０の各くぼみ１１、ならびに、スクライブラインの
溝部１６と側壁部１３とを合わせて装着して押圧する
（Ｓ３）。
【００４１】そして、コンタクタ１０を用いてバーンイ
ン試験を実施する（Ｓ４）。
ン試験を実施する（Ｓ４）。
【００４２】以上のことから、コンタクタ１０のバンプ
電極１２と半導体チップ１５のパッド電極（図示せず）
との接触位置が自動的に決まり、かつ高温のバーンイン
試験時においても半導体チップ１５が切断されているた
めに、コンタクタ１０が熱膨張によって伸びても、半導
体チップ１５が切断されているために半導体ウエハの周
辺部分でもコンタクタ１０のくぼみ１１に従ってダイシ
ングシート１４は広がり、コンタクタ１０のバンプ電極
１２と半導体チップ１５のパッド電極との接触位置がず
れることはない。
電極１２と半導体チップ１５のパッド電極（図示せず）
との接触位置が自動的に決まり、かつ高温のバーンイン
試験時においても半導体チップ１５が切断されているた
めに、コンタクタ１０が熱膨張によって伸びても、半導
体チップ１５が切断されているために半導体ウエハの周
辺部分でもコンタクタ１０のくぼみ１１に従ってダイシ
ングシート１４は広がり、コンタクタ１０のバンプ電極
１２と半導体チップ１５のパッド電極との接触位置がず
れることはない。
【００４３】（実施の形態４）図５は本発明における実
施の形態４の半導体装置の検査方法を示すフローチャー
トである。本実施の形態４の検査方法は、前記実施の形
態３の検査方法と同様に、図４に示すフローチャートの
処理Ｓ１〜Ｓ４のように、半導体ウエハをダイシングシ
ート１４に固定して、半導体ウエハを完全に切断し、コ
ンタクタ１０のくぼみ１１に半導体チップ１５を装着し
て押圧後、バーンイン試験を行う。
施の形態４の半導体装置の検査方法を示すフローチャー
トである。本実施の形態４の検査方法は、前記実施の形
態３の検査方法と同様に、図４に示すフローチャートの
処理Ｓ１〜Ｓ４のように、半導体ウエハをダイシングシ
ート１４に固定して、半導体ウエハを完全に切断し、コ
ンタクタ１０のくぼみ１１に半導体チップ１５を装着し
て押圧後、バーンイン試験を行う。
【００４４】その後、コンタクタ１０から半導体チップ
１５を外し、ダイシングシート１４に付けた状態で半導
体チップ１５のＩＣ特性、機能特性を測定する出荷前検
査を行う（Ｓ５）。
１５を外し、ダイシングシート１４に付けた状態で半導
体チップ１５のＩＣ特性、機能特性を測定する出荷前検
査を行う（Ｓ５）。
【００４５】このことにより、先に行ったバーンイン試
験の結果不良であることが判定された半導体チップ１５
を出荷前検査により除去することで、品質が保証された
良品の半導体チップ１５を供給することができる。
験の結果不良であることが判定された半導体チップ１５
を出荷前検査により除去することで、品質が保証された
良品の半導体チップ１５を供給することができる。
【００４６】（実施の形態５）図６は本発明における実
施の形態５の半導体装置の検査方法を示すフローチャー
トである。このフローチャートを図２に示す断面図を用
いて説明する。
施の形態５の半導体装置の検査方法を示すフローチャー
トである。このフローチャートを図２に示す断面図を用
いて説明する。
【００４７】予め半導体チップ１５の良否の判定を半導
体テスターにて行い、例えば過電流が流れ電源電流不良
と判定される半導体ウエハの半導体チップ１５を判定す
る（Ｓ６）。
体テスターにて行い、例えば過電流が流れ電源電流不良
と判定される半導体ウエハの半導体チップ１５を判定す
る（Ｓ６）。
【００４８】前記実施の形態３を説明する図４に示すフ
ローチャートの処理Ｓ１と同様に半導体ウエハをダイシ
ングシート１４に固定する（Ｓ７）。
ローチャートの処理Ｓ１と同様に半導体ウエハをダイシ
ングシート１４に固定する（Ｓ７）。
【００４９】また、図４に示すフローチャートの処理Ｓ
２と同様に半導体ウエハを完全に切断する（Ｓ８）。
２と同様に半導体ウエハを完全に切断する（Ｓ８）。
【００５０】次に、先の処理Ｓ６の半導体テスターで行
った良否判定の結果、電源電流不良等によりバーンイン
試験を同時に実施することが不適当である不良の半導体
チップ１５をダイシングシート１４上から除去する（Ｓ
９）。
った良否判定の結果、電源電流不良等によりバーンイン
試験を同時に実施することが不適当である不良の半導体
チップ１５をダイシングシート１４上から除去する（Ｓ
９）。
【００５１】その後、図４に示すフローチャートの処理
Ｓ３と同様にコンタクタ１０のくぼみ１１に半導体チッ
プ１５を装着し押圧する（Ｓ１０）。
Ｓ３と同様にコンタクタ１０のくぼみ１１に半導体チッ
プ１５を装着し押圧する（Ｓ１０）。
【００５２】最後に、バーンイン試験を行う（Ｓ１
１）。
１）。
【００５３】このような処理を順次行うことにより、バ
ーンイン試験を行う前に不良の半導体チップが取り除か
れ、不良の半導体チップによる電圧や信号の印加が干渉
されることなく、コンタクタ１０の保護および半導体チ
ップ１５に安定したバーンイン試験を行うための電圧や
信号の供給ができる。
ーンイン試験を行う前に不良の半導体チップが取り除か
れ、不良の半導体チップによる電圧や信号の印加が干渉
されることなく、コンタクタ１０の保護および半導体チ
ップ１５に安定したバーンイン試験を行うための電圧や
信号の供給ができる。
【００５４】以上のように本実施の形態によれば、バー
ンイン試験の高温（例えば１２５℃）の検査時に、コン
タクタ１０が熱膨張しても、半導体チップ１５毎に切断
されてコンタクタ１０のくぼみ１１に収容されているの
で、熱膨張によるコンタクタ１０のバンプ電極１２と半
導体チップ１５のパッド電極との位置ずれはなくなる。
例えば、１０ｍｍ角の半導体チップの場合、シリコンの
半導体チップは約３．５μｍ伸び、ポリイミドのコンタ
クタは約１６μｍ伸びる。その差は約１３μｍにすぎ
ず、コンタクタ１０のバンプ電極と半導体チップ１５の
パッド電極との位置ずれを起こすことはなくなる。
ンイン試験の高温（例えば１２５℃）の検査時に、コン
タクタ１０が熱膨張しても、半導体チップ１５毎に切断
されてコンタクタ１０のくぼみ１１に収容されているの
で、熱膨張によるコンタクタ１０のバンプ電極１２と半
導体チップ１５のパッド電極との位置ずれはなくなる。
例えば、１０ｍｍ角の半導体チップの場合、シリコンの
半導体チップは約３．５μｍ伸び、ポリイミドのコンタ
クタは約１６μｍ伸びる。その差は約１３μｍにすぎ
ず、コンタクタ１０のバンプ電極と半導体チップ１５の
パッド電極との位置ずれを起こすことはなくなる。
【００５５】（実施の形態６）図７は本発明における実
施の形態６のコンタクタの一部分を示す平面図である。
図７において、側壁部１３の形状とくぼみ１１の形状の
ほかは、図１に示した実施の形態１の場合と同様である
から、ここでは詳しい説明は省略する。
施の形態６のコンタクタの一部分を示す平面図である。
図７において、側壁部１３の形状とくぼみ１１の形状の
ほかは、図１に示した実施の形態１の場合と同様である
から、ここでは詳しい説明は省略する。
【００５６】また、図８は本実施の形態６におけるコン
タクタ及びコンタクタに装着された半導体ウエハの断面
を示す断面図である。実施の形態１を説明する図２にお
ける部材と対応するものに対しては同一の符号を付して
これを示す。本実施の形態６においては、伸縮性のダイ
シングシート１４に貼付られた半導体ウエハに半導体チ
ップ１５のサイズにスクライブラインに沿って、半導体
ウエハの厚さのほぼ半分の深さの溝部１６ａを形成す
る。すなわち、本実施の形態６では、半導体ウエハは完
全には切断されずに、半導体ウエハの厚さの約５０％は
残した状態となる。
タクタ及びコンタクタに装着された半導体ウエハの断面
を示す断面図である。実施の形態１を説明する図２にお
ける部材と対応するものに対しては同一の符号を付して
これを示す。本実施の形態６においては、伸縮性のダイ
シングシート１４に貼付られた半導体ウエハに半導体チ
ップ１５のサイズにスクライブラインに沿って、半導体
ウエハの厚さのほぼ半分の深さの溝部１６ａを形成す
る。すなわち、本実施の形態６では、半導体ウエハは完
全には切断されずに、半導体ウエハの厚さの約５０％は
残した状態となる。
【００５７】コンタクタ１０は熱膨張率が半導体基板と
ほぼ同じ材料で形成され、１００℃の温度上昇時に１２
インチの半導体基板の周辺部において５０μｍ以内の膨
張による伸びの差である材料が望ましい。また、半導体
基板と同一の材料でコンタクタを構成することも可能で
ある。
ほぼ同じ材料で形成され、１００℃の温度上昇時に１２
インチの半導体基板の周辺部において５０μｍ以内の膨
張による伸びの差である材料が望ましい。また、半導体
基板と同一の材料でコンタクタを構成することも可能で
ある。
【００５８】本実施の形態６において、側壁部１３が溝
部１６ａに嵌合することで、半導体チップ１５のパッド
電極（図示せず）とコンタクタ１０のバンプ電極１２の
位置が自動的に決まり、両者が正確に接触することがで
きる。また、コンタクタ１０は半導体基板と熱膨張率が
ほぼ同じ材料によって形成されるため、高温時の熱膨張
によってパッド電極とバンプ電極の位置がずれることも
ない。
部１６ａに嵌合することで、半導体チップ１５のパッド
電極（図示せず）とコンタクタ１０のバンプ電極１２の
位置が自動的に決まり、両者が正確に接触することがで
きる。また、コンタクタ１０は半導体基板と熱膨張率が
ほぼ同じ材料によって形成されるため、高温時の熱膨張
によってパッド電極とバンプ電極の位置がずれることも
ない。
【００５９】また、本実施の形態６によれば、半導体ウ
エハは完全に切断されていないため、バーンイン試験後
も半導体ウエハとして取り扱うことができる。
エハは完全に切断されていないため、バーンイン試験後
も半導体ウエハとして取り扱うことができる。
【００６０】なお、本実施の形態６において、溝部１６
ａの深さは半導体ウエハの厚さ約５０％に限定するもの
ではなく、完全に切断されていない状態であれば半導体
ウエハの厚さの５０％より深くても浅くてもよいことは
いうまでもない。
ａの深さは半導体ウエハの厚さ約５０％に限定するもの
ではなく、完全に切断されていない状態であれば半導体
ウエハの厚さの５０％より深くても浅くてもよいことは
いうまでもない。
【００６１】（実施の形態７）図９は本発明における実
施の形態７の半導体装置の検査方法を示すフローチャー
トである。このフローチャートを図８に示す断面図を用
いて説明する。
施の形態７の半導体装置の検査方法を示すフローチャー
トである。このフローチャートを図８に示す断面図を用
いて説明する。
【００６２】図４に示される実施の形態３と同様に、半
導体チップ１５が形成された半導体ウエハを伸縮性を有
する厚さ約１００μｍのダイシングシート１４（例え
ば、ポリオレフィン樹脂）に、後にＵＶ（紫外線）光を
照射することで半導体チップ１５との接着強度が弱まり
剥離可能となるような、通常に使用する接着剤等で接着
する。さらに、半導体ウエハの周囲部のダイシングシー
ト１４を金属製の枠（図示せず）に張り付け固定する
（Ｓ２１）。
導体チップ１５が形成された半導体ウエハを伸縮性を有
する厚さ約１００μｍのダイシングシート１４（例え
ば、ポリオレフィン樹脂）に、後にＵＶ（紫外線）光を
照射することで半導体チップ１５との接着強度が弱まり
剥離可能となるような、通常に使用する接着剤等で接着
する。さらに、半導体ウエハの周囲部のダイシングシー
ト１４を金属製の枠（図示せず）に張り付け固定する
（Ｓ２１）。
【００６３】次に、通常のダイシングマシーンで半導体
ウエハのスクライブラインに沿って半導体ウエハの厚さ
のほぼ半分の深さの溝部１６ａを形成する（Ｓ２２）。
ウエハのスクライブラインに沿って半導体ウエハの厚さ
のほぼ半分の深さの溝部１６ａを形成する（Ｓ２２）。
【００６４】半導体チップ１５とコンタクタ１０の各く
ぼみ１１、ならびに、溝部１６ａと側壁部１３とを合わ
せて装着して押圧する（Ｓ２３）。
ぼみ１１、ならびに、溝部１６ａと側壁部１３とを合わ
せて装着して押圧する（Ｓ２３）。
【００６５】そして、半導体基板とほぼ同じ熱膨張率の
材料で形成されたコンタクタ１０を用いてバーンイン試
験を実施する（Ｓ２４）。
材料で形成されたコンタクタ１０を用いてバーンイン試
験を実施する（Ｓ２４）。
【００６６】以上のことから、コンタクタ１０のバンプ
電極１２と半導体チップ１５のパッド電極との接触位置
（相対位置）が自動的に決まり、さらに、コンタクタ１
０が半導体基板とほぼ同じ熱膨張率を持つ材料で形成さ
れているため、高温のバーンイン試験時においてもコン
タクタ１０のバンプ電極と半導体チップのパッド電極と
の接触位置がずれることはない。
電極１２と半導体チップ１５のパッド電極との接触位置
（相対位置）が自動的に決まり、さらに、コンタクタ１
０が半導体基板とほぼ同じ熱膨張率を持つ材料で形成さ
れているため、高温のバーンイン試験時においてもコン
タクタ１０のバンプ電極と半導体チップのパッド電極と
の接触位置がずれることはない。
【００６７】（実施の形態８）図１０は本発明における
実施の形態８の半導体装置の検査方法を示すフローチャ
ートである。本実施の形態８の検査方法は、前記実施の
形態７の検査方法と同様に、図９に示すフローチャート
の処理Ｓ２１〜Ｓ２４のように、半導体ウエハをダイシ
ングシート１４に固定して、半導体ウエハに溝部を形成
し、コンタクタ１０のくぼみ１１に半導体チップ１５を
装着して押圧後、バーンイン試験を行う。 その後、コ
ンタクタ１０から半導体チップ１５を外し、ダイシング
シート１４に付けた状態で半導体チップ１５のＩＣ特
性、機能特性を測定する出荷前検査を行う（Ｓ２５）。
実施の形態８の半導体装置の検査方法を示すフローチャ
ートである。本実施の形態８の検査方法は、前記実施の
形態７の検査方法と同様に、図９に示すフローチャート
の処理Ｓ２１〜Ｓ２４のように、半導体ウエハをダイシ
ングシート１４に固定して、半導体ウエハに溝部を形成
し、コンタクタ１０のくぼみ１１に半導体チップ１５を
装着して押圧後、バーンイン試験を行う。 その後、コ
ンタクタ１０から半導体チップ１５を外し、ダイシング
シート１４に付けた状態で半導体チップ１５のＩＣ特
性、機能特性を測定する出荷前検査を行う（Ｓ２５）。
【００６８】このことにより、先に行ったバーンイン試
験の結果不良であることが判定された半導体チップ１５
を出荷前検査により除去することで、品質が保証された
良品の半導体チップ１５を供給することができる。
験の結果不良であることが判定された半導体チップ１５
を出荷前検査により除去することで、品質が保証された
良品の半導体チップ１５を供給することができる。
【００６９】また、バーンイン試験の後に、ダイシング
を行い、半導体チップ毎に切断した後に、出荷前検査を
行ってもよい。
を行い、半導体チップ毎に切断した後に、出荷前検査を
行ってもよい。
【００７０】（実施の形態９）図１１は本発明における
実施の形態９の半導体装置の検査方法を示すフローチャ
ートである。このフローチャートを図８に示す断面図を
用いて説明する。
実施の形態９の半導体装置の検査方法を示すフローチャ
ートである。このフローチャートを図８に示す断面図を
用いて説明する。
【００７１】予め半導体チップ１５の良否の判定を半導
体テスターにて行い、例えば過電流が流れ電源電流不良
と判定される半導体ウエハの半導体チップ１５を判定す
る（Ｓ２６）。
体テスターにて行い、例えば過電流が流れ電源電流不良
と判定される半導体ウエハの半導体チップ１５を判定す
る（Ｓ２６）。
【００７２】前記実施の形態７を説明する図９に示すフ
ローチャートの処理Ｓ２１と同様に半導体ウエハをダイ
シングシート１４に固定する（Ｓ２７）。
ローチャートの処理Ｓ２１と同様に半導体ウエハをダイ
シングシート１４に固定する（Ｓ２７）。
【００７３】また、図９に示すフローチャートの処理Ｓ
２２と同様に半導体ウエハをスクライブラインに沿って
半導体ウエハの厚さのほぼ半分の深さの溝部１６ａを形
成する（Ｓ２８）。
２２と同様に半導体ウエハをスクライブラインに沿って
半導体ウエハの厚さのほぼ半分の深さの溝部１６ａを形
成する（Ｓ２８）。
【００７４】次に、先の処理Ｓ２６の半導体テスターで
行った良否判定の結果、電源電流不良等によりバーンイ
ン試験を同時に実施することが不適当である不良の半導
体チップ１５に絶縁塗料を塗布するなどして絶縁する
（Ｓ２９）。
行った良否判定の結果、電源電流不良等によりバーンイ
ン試験を同時に実施することが不適当である不良の半導
体チップ１５に絶縁塗料を塗布するなどして絶縁する
（Ｓ２９）。
【００７５】その後、図９に示すフローチャートの処理
Ｓ２３と同様にコンタクタ１０のくぼみ１１に半導体チ
ップ１５を装着し押圧する（Ｓ３０）。
Ｓ２３と同様にコンタクタ１０のくぼみ１１に半導体チ
ップ１５を装着し押圧する（Ｓ３０）。
【００７６】最後に、バーンイン試験を行う（Ｓ３
１）。
１）。
【００７７】以上のような処理を順次行うことにより、
バーンイン試験を行う前に不良の半導体チップが絶縁さ
れ、不良の半導体チップによる電圧や信号の印加が干渉
されることなく、コンタクタ１０の保護および半導体チ
ップ１５に安定したバーンイン試験を行うための電圧や
信号の供給ができる。
バーンイン試験を行う前に不良の半導体チップが絶縁さ
れ、不良の半導体チップによる電圧や信号の印加が干渉
されることなく、コンタクタ１０の保護および半導体チ
ップ１５に安定したバーンイン試験を行うための電圧や
信号の供給ができる。
【００７８】
【発明の効果】以上の説明によって明らかなように、本
発明によれば、コンタクタに半導体チップと同等の大き
さのくぼみを設けることにより、コンタクタの複数のバ
ンプ電極と半導体チップの複数のパッド電極との位置決
めを自動的に決めることができる。
発明によれば、コンタクタに半導体チップと同等の大き
さのくぼみを設けることにより、コンタクタの複数のバ
ンプ電極と半導体チップの複数のパッド電極との位置決
めを自動的に決めることができる。
【００７９】また、半導体チップを固定した基板とコン
タクタを押圧し固定する手段により確実にバンプ電極と
パッド電極を接触させることができる。
タクタを押圧し固定する手段により確実にバンプ電極と
パッド電極を接触させることができる。
【００８０】また、くぼみ−くぼみ間に形成された側壁
部の断面が台形状のため、くぼみへの半導体チップの装
着が容易にできる。
部の断面が台形状のため、くぼみへの半導体チップの装
着が容易にできる。
【００８１】また、高温でのバーンイン試験において
も、完全に切断された半導体チップがダイシングシート
に固定されているため、コンタクタの熱膨張は分離した
半導体チップのサイズに対する量に分割され、かつダイ
シングシートの伸びで対応でき、バンプ電極とパッド電
極との位置ずれを生じないようにすることができる。
も、完全に切断された半導体チップがダイシングシート
に固定されているため、コンタクタの熱膨張は分離した
半導体チップのサイズに対する量に分割され、かつダイ
シングシートの伸びで対応でき、バンプ電極とパッド電
極との位置ずれを生じないようにすることができる。
【００８２】また、バーンイン試験により不良判定され
た半導体チップを除去して良品の半導体チップのみ供給
できる。
た半導体チップを除去して良品の半導体チップのみ供給
できる。
【００８３】また、バーンイン試験をする前に半導体チ
ップの良否を判定し、不良の半導体チップを除去するこ
とで、コンタクタの保護および安定した電圧や信号の供
給ができ、バーンイン試験の信頼性を向上させることが
できる。
ップの良否を判定し、不良の半導体チップを除去するこ
とで、コンタクタの保護および安定した電圧や信号の供
給ができ、バーンイン試験の信頼性を向上させることが
できる。
【００８４】また、コンタクタと半導体基板とをほぼ同
じ熱膨張率の材料で形成すれば、半導体チップを完全に
切断せずに、半導体チップのスクライブラインに沿った
溝部を設けることで、前記と同様な効果を得ることがで
きる。
じ熱膨張率の材料で形成すれば、半導体チップを完全に
切断せずに、半導体チップのスクライブラインに沿った
溝部を設けることで、前記と同様な効果を得ることがで
きる。
【００８５】以上のように、優れたコンタクタおよび半
導体装置の検査方法を実現できるもので、ウエハ状態で
行うことによりバーンイン試験済みの高信頼性の半導体
チップを安価に製造することができるという効果を奏す
る。
導体装置の検査方法を実現できるもので、ウエハ状態で
行うことによりバーンイン試験済みの高信頼性の半導体
チップを安価に製造することができるという効果を奏す
る。
【図１】本発明における実施の形態１のコンタクタの一
部分を示す平面図
部分を示す平面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるコンタクタおよ
びコンタクタに装着された半導体ウエハの図１のＸ−
Ｘ′断面を示す断面図
びコンタクタに装着された半導体ウエハの図１のＸ−
Ｘ′断面を示す断面図
【図３】本発明における実施の形態２のコンタクタと装
着前の半導体チップの断面図
着前の半導体チップの断面図
【図４】本発明における実施の形態３の半導体装置の検
査方法を示すフローチャート
査方法を示すフローチャート
【図５】本発明における実施の形態４の半導体装置の検
査方法を示すフローチャート
査方法を示すフローチャート
【図６】本発明における実施の形態５の半導体装置の検
査方法を示すフローチャート
査方法を示すフローチャート
【図７】本発明における実施の形態６のコンタクタの一
部分を示す平面図
部分を示す平面図
【図８】本発明の実施の形態６におけるコンタクタ及び
コンタクタに装着された半導体ウエハの断面を示す断面
図
コンタクタに装着された半導体ウエハの断面を示す断面
図
【図９】本発明における実施の形態７の半導体装置の検
査方法を示すフローチャート
査方法を示すフローチャート
【図１０】本発明における実施の形態８の半導体装置の
検査方法を示すフローチャート
検査方法を示すフローチャート
【図１１】本発明における実施の形態９の半導体装置の
検査方法を示すフローチャート
検査方法を示すフローチャート
【図１２】従来のコンタクタを用いたバーンイン試験の
プロービングの状態を示す部分断面図
プロービングの状態を示す部分断面図
１，１０ コンタクタ ２ ポリイミド基板 ３ 配線層 ４，１２ バンプ電極 ５ スルーホール ６ 半導体ウエハ ７ パッド電極 １１ くぼみ １３ 側壁部 １４ ダイシングシート １５ 半導体チップ １６，１６ａ 溝部 １７ 基板 １８ スプリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０１Ｒ 31/26 Ｇ０１Ｒ 31/26 Ｊ
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体チップと同等の大きさを有する複
数のくぼみと、前記くぼみ毎にその外周部分に設けた側
壁部と、前記半導体チップ上に形成された複数のパッド
電極にそれぞれ対応して前記くぼみに設けた複数のバン
プ電極とを備え、前記側壁部が半導体ウエハを複数の半
導体チップに切断して形成された溝部に嵌合するように
したことを特徴とするコンタクタ。 - 【請求項２】 前記複数の半導体チップが伸縮性を有す
るダイシングシートを介して固定される基板と、前記基
板上の前記半導体チップを前記くぼみに装着して押圧し
固定する手段とを備えたことを特徴とする請求項１記載
のコンタクタ。 - 【請求項３】 前記くぼみの外周部分に設けた側壁部
は、断面が台形状に形成されたことを特徴とする請求項
１または２記載のコンタクタ。 - 【請求項４】 前記側壁部は半導体チップの４隅に対応
する部分にだけ形成されたことを特徴とする請求項１，
２または３記載のコンタクタ。 - 【請求項５】 半導体チップと同等の大きさを有する複
数のくぼみと、前記くぼみ毎にその外周部分に設けた側
壁部と、前記半導体チップ上に形成された複数のパッド
電極にそれぞれ対応して前記くぼみに設けた複数のバン
プ電極とを備え、前記側壁部が半導体ウエハの複数の半
導体チップ間に形成された溝部に嵌合するようにしたこ
とを特徴とするコンタクタ。 - 【請求項６】 前記コンタクタが、前記半導体ウエハと
熱膨張率がほぼ同じ材料で形成されたことを特徴とする
請求項５記載のコンタクタ。 - 【請求項７】 前記半導体ウエハに形成された溝部の深
さが半導体ウエハ厚さのほぼ半分であることを特徴とす
る請求項５または６記載のコンタクタ。 - 【請求項８】 前記複数の半導体チップが伸縮性を有す
るダイシングシートを介して固定される基板と、前記基
板上の前記半導体チップを前記くぼみに装着して押圧し
固定する手段とを備えたことを特徴とする請求項５，６
または７記載のコンタクタ。 - 【請求項９】 前記くぼみの外周部分に設けた側壁部
は、断面が台形状に形成されたことを特徴とする請求項
５，６，７または８記載のコンタクタ。 - 【請求項１０】 前記側壁部は半導体チップの４隅に対
応する部分にだけ形成されたことを特徴とする請求項
５，６，７，８または９記載のコンタクタ。 - 【請求項１１】 複数の半導体チップが形成された半導
体ウエハを伸縮性を有するダイシングシート上に固定す
る第１工程と、前記ダイシングシートの一部を含み前記
半導体ウエハを完全に切断して半導体チップを分離する
第２工程と、コンタクタに形成された複数のくぼみに設
けた複数のバンプ電極と、対応する前記半導体チップ上
の各パッド電極との位置を合わせ、電気的に接続される
ように装着して押圧する第３工程と、バーンイン試験を
行う第４工程とを含んでなることを特徴とする半導体装
置の検査方法。 - 【請求項１２】 バーンイン試験を行う前記第４工程の
後、前記半導体チップに対して出荷前の検査をする工程
を含むことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の
検査方法。 - 【請求項１３】 半導体チップをコンタクタへ装着する
前記第３工程より前に、前記半導体チップの良否判定を
行う工程と、該工程により不良と判定された半導体チッ
プを除去する工程を含むことを特徴とする請求項１１ま
たは１２記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項１４】 複数の半導体チップが形成された半導
体ウエハを伸縮性を有するダイシングシート上に固定す
る第１工程と、前記半導体ウエハに半導体チップのスク
ライブラインに沿って溝部を形成する第２工程と、半導
体基板とほぼ同じ熱膨張率を有する材料で形成されたコ
ンタクタに形成された複数のくぼみに設けた複数のバン
プ電極と、対応する前記半導体チップ上の各パッド電極
との位置を合わせ、電気的に接続されるように装着して
押圧する第３工程と、バーンイン試験を行う第４工程と
を含んでなることを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 【請求項１５】 バーンイン試験を行う前記第４工程の
後、前記半導体チップに対して出荷前の検査をする工程
を含むことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の
検査方法。 - 【請求項１６】 半導体チップをコンタクタへ装着する
前記第３工程より前に、前記半導体チップの良否判定を
行う工程と、該工程により不良と判定された半導体チッ
プを絶縁する工程を含むことを特徴とする請求項１４ま
たは１５記載の半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29555597A JP3196173B2 (ja) | 1996-11-07 | 1997-10-28 | コンタクタおよび半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-295077 | 1996-11-07 | ||
| JP29507796 | 1996-11-07 | ||
| JP29555597A JP3196173B2 (ja) | 1996-11-07 | 1997-10-28 | コンタクタおよび半導体装置の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189672A true JPH10189672A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3196173B2 JP3196173B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=26560109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29555597A Expired - Fee Related JP3196173B2 (ja) | 1996-11-07 | 1997-10-28 | コンタクタおよび半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196173B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340895B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-01-22 | Aehr Test Systems, Inc. | Wafer-level burn-in and test cartridge |
| US6413113B2 (en) | 1999-07-14 | 2002-07-02 | Aehr Test Systems | Kinematic coupling |
| US6562636B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-05-13 | Aehr Test Systems | Wafer level burn-in and electrical test system and method |
| US6580283B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-06-17 | Aehr Test Systems | Wafer level burn-in and test methods |
| JP2009272473A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2012157615A1 (ja) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 電気化学工業株式会社 | 粘着シートおよび電子部品の製造方法 |
| WO2019031826A1 (en) * | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Leeno Industrial Inc. | TEST DEVICE |
-
1997
- 1997-10-28 JP JP29555597A patent/JP3196173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
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| US7619428B2 (en) | 1999-07-14 | 2009-11-17 | Aehr Test Systems | Wafer level burn-in and electrical test system and method |
| US6556032B2 (en) | 1999-07-14 | 2003-04-29 | Aehr Test Systems | Wafer-burn-in and test employing detachable cartridge |
| US6562636B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-05-13 | Aehr Test Systems | Wafer level burn-in and electrical test system and method |
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| US6413113B2 (en) | 1999-07-14 | 2002-07-02 | Aehr Test Systems | Kinematic coupling |
| US7541822B2 (en) | 1999-07-14 | 2009-06-02 | Aehr Test Systems | Wafer burn-in and text employing detachable cartridge |
| US6340895B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-01-22 | Aehr Test Systems, Inc. | Wafer-level burn-in and test cartridge |
| US7928754B2 (en) | 1999-07-14 | 2011-04-19 | Aehr Test Systems | Wafer level burn-in and electrical test system and method |
| JP2009272473A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2012157615A1 (ja) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 電気化学工業株式会社 | 粘着シートおよび電子部品の製造方法 |
| JP5890405B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2016-03-22 | デンカ株式会社 | 粘着シートおよび電子部品の製造方法 |
| WO2019031826A1 (en) * | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Leeno Industrial Inc. | TEST DEVICE |
| US11150270B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-10-19 | Leeno Industrial Inc. | Test device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3196173B2 (ja) | 2001-08-06 |
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