JP2009272473A

JP2009272473A - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2009272473A
Application number: JP2008122150A
Authority: JP
Inventors: Tomohisa Suzuki; 智久鈴木; Yasuhiro Kitamura; 康宏北村; Nozomi Akagi; 望赤木; Kaname Kaseda; 要加世田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2008-05-08
Filing date: 2008-05-08
Publication date: 2009-11-19
Anticipated expiration: 2028-05-08
Also published as: JP5018625B2

Abstract

【課題】半導体装置を製造するに際し、縦型の半導体素子が多数形成された半導体ウエハに対し、多チャンネルで電気的特性を検査できる方法の提供。
【解決手段】各導電性材料５２が絶縁性材料５３によって絶縁されて構成されたダイシングテープ５０を半導体ウエハ３０の裏面側に貼り付ける。ダイシングテープ５０の他面５５において、電気的特性を検査したい半導体素子に対応した場所にテスタ６０を対向配置する。続いて、テスタ６０をダイシングテープ５０の他面５５に押し付け、各導電性材料５２どうしを接触させて、第１電極１８、縦型の半導体素子、第２電極１９、導電性材料５２、およびテスタ６０を経由する経路を形成する。そして、各テスタ６０に異なる電位を与えることで、多チャンネルで電気的特性の検査を行う。
【選択図】図４

Description

本発明は、ウエハレベルで縦型の半導体素子の電気的特性の評価を行う半導体装置の製造方法に関する。

従来より、半導体装置を製造するに際し、ウエハレベルで半導体素子の電気的特性を検査するウエハプローブ検査工程を行うことが、例えば特許文献１で提案されている。具体的に、特許文献１では、半導体ウエハの表面側にＭＯＳＦＥＴなどの横型の半導体素子を形成した後、ウエハプローブ検査を行なう方法が提案されている。

ウエハプローブ検査工程では、ウエハプローバを用いて半導体ウエハの素子形成面に設けられた電極にプローブをあてることにより、横型の半導体素子の電気的特性を検査する。この後、半導体ウエハの裏面を研削し、半導体ウエハをダイシングカットすることにより、個々のチップに分割することで半導体装置が完成する。
特開平８−１８１１９７号公報

しかしながら、上記従来の技術では、半導体ウエハに横型の半導体素子が形成されたものについてはウエハプローブ検査工程を行うことができたが、半導体ウエハに縦型の半導体素子が形成されたものについて電気的特性を検査する場合、半導体ウエハの表面のみならず裏面にも電位を与えなければならない。半導体ウエハの裏面には同じ電位（１チャンネル）しか与えることができないため、多チャンネルでの電気的特性の検査ができず、検査が長時間になってしまうという問題がある。

本発明は、上記点に鑑み、半導体装置を製造するに際し、縦型の半導体素子が多数形成された半導体ウエハに対し、多チャンネルで電気的特性を検査できるようにすることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体ウエハ（３０）が半導体基板（１１）の表面（１２）側に形成された第１電極（１８）と裏面（１３）側に形成された第２電極（１９）とを有し、第１電極（１８）と第２電極（１９）との間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子（１４）が備えられてなる半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハ（３０）の表面（３１）側の表層部に縦型の半導体素子（１４）が複数形成され、半導体ウエハ（３０）の表面（３１）側に第１電極（１８）が形成されたものを用意する工程と、半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）を研削し、研削した半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に第２電極（１９）を形成する工程と、第２電極（１９）が形成された半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に、複数の導電性材料（５２）それぞれが絶縁性材料（５３）によって絶縁されて構成されたダイシングテープ（５０）を貼り付ける工程と、ダイシングテープ（５０）のうち半導体ウエハ（３０）が貼り付けられた一面（５１）とは反対側の他面（５５）にテスタ（６０）を押し付けてダイシングテープ（５０）を半導体ウエハ（３０）とテスタ（６０）とで挟み込むことで半導体ウエハ（３０）とテスタ（６０）との間の導電性材料（５２）どうしを接触させ、第１電極（１８）とテスタ（６０）とにそれぞれ電位を与えることにより、第１電極（１８）、縦型の半導体素子（１４）、第２電極（１９）、導電性材料（５２）、テスタ（６０）を経由する経路を形成して縦型の半導体素子（１４）の電気的特性を検査する工程とを含んでいることを特徴とする。

これにより、ダイシングテープ（５０）のうちテスタ（６０）を押し付けた場所に対応する第２電極（１９）にテスタ（６０）に印加した電位を与えることができる。したがって、それぞれ電気的に独立した複数のテスタ（６０）をダイシングテープ（５０）に押し付け、各テスタ（６０）にそれぞれ異なる電位を与えることにより、半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に対して複数の電位を同時に与えることができる。

以上により、縦型の半導体素子（１４）が多数形成された半導体ウエハ（３０）に対し、多チャンネルで電気的特性を検査することができる。また、多チャンネルで電気的特性の検査が可能になるため、短時間で検査工程を完了させることができる。

請求項２に記載の発明のように、導電性材料（５２）として、粒状をなしているものを用いることができる。

請求項３に記載の発明のように、導電性材料（５２）として、繊維状をなしているものを用いることができる。

請求項４に記載の発明のように、導電性材料（５２）として、ダイシングテープ（５０）の一面（５１）もしくは他面（５５）に対して垂直に延設された直線状をなしているものを用いることができる。

請求項５に記載の発明では、半導体ウエハ（３０）が半導体基板（１１）の表面（１２）側に形成された第１電極（１８）と裏面（１３）側に形成された第２電極（１９）とを有し、第１電極（１８）と第２電極（１９）との間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子（１４）が備えられてなる半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハ（３０）の表面（３１）側の表層部に縦型の半導体素子（１４）が複数形成され、半導体ウエハ（３０）の表面（３１）側に第１電極（１８）が形成されたものを用意する工程と、半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）を研削し、研削した半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に第２電極（１９）を形成する工程と、第２電極（１９）が形成された半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に、一面（５１）と該一面（５１）の反対側の他面（５５）を有し、一面（５１）と他面（５５）とを貫通する貫通孔（５６）が設けられたダイシングテープ（５０）を貼り付ける工程と、ダイシングテープ（５０）の貫通孔（５６）に露出する第２電極（１９）と第１電極（１８）とにそれぞれプローブ（７０）を押し当て、第１電極（１８）と第２電極（１９）とにそれぞれ電位を与えることにより、第１電極（１８）、縦型の半導体素子（１４）、第２電極（１９）を経由する電気的経路を形成して縦型の半導体素子（１４）の電気的特性を検査する工程とを含んでいることを特徴とする。

これにより、ダイシングテープ（５０）の貫通孔（５６）それぞれにプローブ（７０）を配置し、各第２電極（１９）に押し当てた各プローブ（７０）にそれぞれ異なる電位を与えることにより、半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に対して複数の電位を同時に与えることができる。したがって、多チャンネルで電気的特性を検査することができる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。以下では、半導体装置として、縦型の半導体素子が形成された半導体ウエハの一部を例に説明する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。

半導体ウエハの一部１０は、半導体基板１１を用いて構成されている。半導体基板１１には、該半導体基板１１の表面１２と裏面１３との間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子１４が形成されている。半導体素子１４としては、例えばＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどが採用される。また、各半導体素子１４はＬＯＣＯＳ酸化膜１５を用いて構成されている。

半導体基板１１の表面１２を介して半導体素子１４に配線１６が接続されている。該配線１６は第１保護膜１７によって覆われている。さらに、配線１６に接続され、第１保護膜１７から露出するように第１電極１８が形成されている。

一方、半導体基板１１の裏面１３には、第２電極１９が形成されている。また、半導体基板１１の裏面１３を覆うと共に、第２電極１９が露出するように第２保護膜２０が形成されている。

以上が、本実施形態に係る半導体ウエハの一部１０の概略である。このような構成の半導体ウエハの一部１０では、第１電極１８と第２電極１９とに電位が与えられることで、縦型の半導体素子１４が動作するようになっている。

次に、図１に示される半導体ウエハの一部１０の製造方法について、図２〜図４を参照して説明する。なお、図４では、半導体ウエハ３０のうち一つの半導体素子１４についての断面図を示してある。

まず、図２（ａ）に示す工程では、半導体ウエハ３０を用意し、該半導体ウエハ３０の表面３１側の表層部に縦型の半導体素子１４を複数形成すると共に、半導体ウエハ３０の表面３１側に配線１６、第１保護膜１７、および第１電極１８等を形成する素子形成工程を行う。なお、素子形成工程を行わずに該素子形成工程で得られるものを用意しても良い。

続いて、図２（ｂ）に示す工程では、第１電極１８等が形成された半導体ウエハ３０の表面３１側に表面保護シート４０を貼り付ける表面保護テープ工程を行う。そして、図２（ｃ）に示す工程では、半導体ウエハ３０の裏面３２を研削する裏面研削工程を行う。半導体ウエハ３０の厚さは、図１に示される半導体基板１１の厚さにまで研削される。

この後、図２（ｄ）に示す工程では、研削した半導体ウエハ３０の裏面３２に第２保護膜２０および第２電極１９を形成する裏面電極形成工程を行う。

図３（ａ）に示す工程では、ダイシングテープ５０を用意し、該ダイシングテープ５０の一面５１を第２電極１９等が形成された半導体ウエハ３０の裏面３２に貼り付けるウエハマウント工程を行う。

本実施形態では、ダイシングテープ５０は、複数の導電性材料５２それぞれが絶縁性材料５３によって絶縁されて構成されている。つまり、単独の導電性材料５２が絶縁性材料５３により封止され、個々の導電性材料それぞれは互いに電気的に絶縁されている。もちろん、複数の導電性材料５２が接触した一塊が絶縁性材料５３によって封止されているものもあるが、他の導電性材料５２とは電気的に絶縁されている。

このようなダイシングテープ５０は、軟らかい状態の樹脂に粒状の金属が撹拌されて樹脂が固められることによって形成される。絶縁性材料５３として、塩化ビニル等の樹脂材料が採用される。また、導電性材料５２は粒状をなしており、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属が採用される。なお、導電性材料５２は、金属ではなく、導電性を有する材料であっても良い。

そして、上記のようなダイシングテープ５０を用意し、該ダイシングテープ５０の一面５１にダイシングリング５４を貼り付ける。具体的には、半導体ウエハ３０よりも径が大きいリング状のダイシングリング５４を用意し、ダイシングテープ５０の一面５１にダイシングリング５４を貼り付ける。ダイシングテープ５０の一面５１は粘着性を持っているため、ダイシングリング５４は容易にダイシングテープ５０に貼り付く。

そして、ダイシングテープ５０の一面５１においてダイシングリング５４内に半導体ウエハ３０の裏面３２側を貼り付け、ダイシングテープ５０のうちダイシングリング５４よりも外側の部位を切り取る。これにより、図３（ａ）に示されるものを得る。

図３（ｂ）に示す工程では、第１電極１８等が形成された半導体ウエハ３０の表面３１側から表面保護シート４０を剥がす表面保護テープ剥離工程を行う。これにより、ダイシングテープ５０の一面５１に半導体ウエハ３０が配置された状態となる。

この後、縦型の半導体素子１４の電気的特性の検査を行う。ここでは、一つの半導体素子１４について電気的特性を検査することについて説明する。

まず、図４（ａ）に示すように、ダイシングテープ５０のうち半導体ウエハ３０が貼り付けられた一面５１とは反対側の他面５５において、電気的特性を検査したい半導体素子１４に対応した場所にテスタ６０を対向配置する。テスタ６０は、ステージ６１に配置されていると共に、ステージ６１を介して電位が与えられる、いわゆるプローブである。

続いて、図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０をテスタ６０側に押し付け、テスタ６０をダイシングテープ５０の他面５５に押し付けることにより、ダイシングテープ５０を半導体ウエハ３０とテスタ６０とで挟み込む。これにより、ダイシングテープ５０を変形させて、半導体ウエハ３０の裏面３２とテスタ６０との間の各導電性材料５２どうしを接触させ、導電性材料５２と第２電極１９とを接触させ、導電性材料５２とテスタ６０とを接触させる。これにより、第１電極１８、縦型の半導体素子１４、第２電極１９、導電性材料５２、テスタ６０を経由する経路が形成される。

上述のように、各導電性材料５２は、個々では絶縁性材料５３によって絶縁されていたが、ダイシングテープ５０の一面５１と他面５５とが近づくように押さえつけられることで、離ればなれになっていた各導電性材料５２が近づいて接触し、その結果、電気的経路が形成される。この電気的経路は、ダイシングテープ５０のうちテスタ６０で押さえ込まれた部位にのみ形成される。このため、ダイシングテープ５０のうちテスタ６０で押さえ込まれていない部位では、導電性材料５２による電気的経路は形成されず、引き続き、各導電性材料５２がそれぞれ絶縁された状態が維持される。

そして、半導体素子１４の第１電極１８とテスタ６０とにそれぞれ電位を与えることにより、第１電極１８とテスタ６０との間に電流を流し、縦型の半導体素子１４の電気的特性を検査する。

以上のように、テスタ６０を用いることにより、個々の半導体素子１４の電気的特性を検査することができる。一つのステージ６１に所定の電位を与えることを１チャンネルとすると、電気的に独立したステージ６１を複数用いることで、ステージ６１ごとに異なる電位を与えることができるので、複数の半導体素子１４に対して多チャンネルで電気的特性の検査を同時に行うことができる。

一つのステージ６１に設けるテスタ６０の数は、一つのステージ６１でいくつの半導体素子１４を検査するかによって設定すれば良い。もちろん、一つのステージ６１で一つの半導体素子１４を検査するようにしても良い。

電気的特性を検査した後、半導体ウエハ３０をダイシングして個々に分割することで、図１に示される半導体チップ１０が完成する。

以上説明したように、本実施形態では、電気的特性を検査する際、半導体ウエハ３０の裏面３２側に貼り付けられた導電性材料５２が封止されたダイシングテープ５０にテスタ６０を押し付けることにより、半導体ウエハ３０の第２電極１９とテスタ６０との間に電気的経路を形成することが特徴となっている。

これにより、ダイシングテープ５０においてテスタ６０を押さえつけた場所に独立した電気的経路を形成することができる。したがって、テスタ６０ごとに異なる電位を与えることにより、複数の半導体素子１４に対して複数の電位を同時に与えることができ、多チャンネルで電気的特性を検査することができる。

このように、多チャンネルで電気的特性の検査が可能になることで、短時間で検査工程を完了させることもできる。

また、一つの半導体ウエハ内にＮｃｈ型のトランジスタとＰｃｈ型のトランジスタとが形成されたものなど、それぞれ異なる電位を与えなければ電気的特性を検査できなかったものについても、同時に検査を行うことができる。

さらに、半導体ウエハ３０の裏面３２を研削した後においては、該裏面３２にダイシングテープ５０を貼り付けることになるため、薄くなった半導体ウエハ３０の反りを防止することができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記実施形態では、ダイシングテープ５０に導電性材料５２が含まれたものが用いているが、本実施形態では導電性材料５２は含まれておらず、貫通孔が設けられたものを用いることが特徴となっている。以下、図５および図６を参照して説明する。

図５は、本実施形態で用いられるダイシングテープ５０の平面図である。この図に示されるように、ダイシングテープ５０は、該ダイシングテープ５０の一面５１と他面５５とを貫通する貫通孔５６が複数設けられている。各貫通孔５６は、各半導体素子１４の第２電極１９が位置する場所にそれぞれ設けられている。なお、図５に示される破線は、半導体ウエハ３０が配置される領域を示している。

このようなダイシングテープ５０を用いて電気的特性を検査する場合、図３に示す工程において、図５に示すダイシングテープ５０を半導体ウエハ３０の裏面３２に貼り付ける。

半導体素子１４の電気的特性を検査する際には、図６に示されるように、第１電極１８にプローブ７０を接触させると共に、該第１電極１８に対応した第２電極１９が露出する貫通孔５６にプローブ７０を差し込んで該第２電極１９にプローブ７０を接触させる。そして、第１電極１８と第２電極１９とにそれぞれ電位を与えることにより、第１電極１８、縦型の半導体素子１４、第２電極１９を経由する電気的経路を形成して縦型の半導体素子１４の電気的特性を検査する。

この場合、各半導体素子１４にプローブ７０を接触させて、各プローブ７０に異なる電位を同時に与えることにより、各半導体素子１４について多チャンネルで電気的特性を検査することができる。このように、同時に複数のプローブ７０を各半導体素子１４に接触させるため、多数のプローブ７０が設けられたプローブカードを採用しても良い。

以上説明したように、ダイシングテープ５０として、複数の貫通孔５６が設けられたものを用いることにより、貫通孔５６を介して第２電極１９にプローブ７０を接触させることが可能となる。そして、各プローブ７０にそれぞれ異なる電位を与えることにより、各半導体素子１４に対して複数の電位を同時に与えることができ、多チャンネルで電気的特性を検査することができる。

（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、粘着性のあるダイシングテープ５０を用いていたため、電気的特性の検査後にダイシングされた各半導体ウエハの一部１０にダイシングテープ５０の粘着物が付着したまま残される可能性がある。そこで、本実施形態では、半導体ウエハの一部１０に粘着物が残されないようにすることが特徴となっている。

具体的には、ダイシングテープ５０において、半導体ウエハ３０が貼り付けられる一面５１に熱で溶ける接着剤を用いる。熱で溶けるとは、例えば温水で洗い流せるものである。接着剤として、例えば、融点が５０℃〜８０℃のパラフィンが採用される。この物質を用いることで、室温では凝固して半導体ウエハ３０をダイシングテープ５０に固定でき、熱を加えることでパラフィンを溶融してダイシングテープ５０から半導体ウエハ３０を取り外すことが可能となる。

ダイシングテープ５０としては、第１、第２実施形態で用いられた各ダイシングテープ５０を用いることができる。

図７は、電気的特性を検査した後、半導体ウエハ３０をダイシングする工程を示した図である。図７（ａ）に示す工程では、電気的特性を検査した半導体ウエハ３０の表面３１側にダイシング用のシート８０を貼り付ける。

続いて、図７（ｂ）に示す工程では、ダイシングテープ５０を加熱して半導体ウエハ３０の裏面３２側からダイシングテープ５０を剥がす。すなわち、ダイシングテープ５０の一面５１に設けられた接着剤５７を溶融することで半導体ウエハ３０をダイシングテープ５０から外す。これにより、接着剤５７が半導体ウエハ３０の裏面３２側に残る。

この後、図７（ｃ）に示す工程では、洗浄水として接着剤５７の融点を超える温度の温水９０を半導体ウエハ３０の裏面３２側に流しながら、ダイシングブレード９１によって半導体ウエハ３０をダイシングする。

これにより、ダイシングをしながら、同時に半導体ウエハ３０の裏面３２側の接着剤５７を洗い流すことができる。これにより、半導体ウエハの一部１０の第２電極１９について接触不良を改善することができる。

（他の実施形態）
上記第１実施形態では、ダイシングテープ５０に含まれる導電性材料５２として粒状のものが用いられていたが、図８に示されるように、導電性材料５２として繊維状をなしているものを用いても良い。

また、図９（ａ）はダイシングテープ５０の平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図９（ｂ）に示されるように、導電性材料５２として、ダイシングテープ５０の一面５１もしくは他面５５に対して垂直に延設された直線状をなしているものを用いても良い。これにより、ダイシングテープ５０の一面５１および他面５５に導電性材料５２が露出するため、導電性材料５２のうちダイシングテープ５０の一面５１に露出した導電性材料５２が半導体ウエハ３０の第２電極１９に接触し、他面５５に露出した導電性材料５２がテスタ６０に接触することとなる。

図１〜図７に示される半導体素子１４の構造は一例を示したものであり、半導体素子１４の構造はこれらに限らず他の構造であっても良い。

本発明の第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。図１に示される半導体ウエハの製造工程を示した図である。図２に続く製造工程を示した図である。電気的特性を検査する工程を示した図である。本発明の第２実施形態で用いられるダイシングテープの平面図である。第２実施形態における電気的特性を検査する工程を示した図である。第３実施形態において、電気的特性を検査した後、半導体ウエハをダイシングする工程を示した図である。他の実施形態において、導電性材料の一例を示した図である。他の実施形態において、導電性材料の一例を示した図である。

符号の説明

１１半導体基板
１２半導体基板の表面
１３半導体基板の裏面
１４半導体素子
１８第１電極
１９第２電極
３０半導体ウエハ
３１半導体ウエハ表面
３２半導体ウエハの裏面
５０ダイシングテープ
５１ダイシングテープの一面
５２導電性材料
５３絶縁性材料
５５ダイシングテープの他面
６０テスタ

Claims

半導体ウエハ（３０）が半導体基板（１１）の表面（１２）側に形成された第１電極（１８）と裏面（１３）側に形成された第２電極（１９）とを有し、前記第１電極（１８）と前記第２電極（１９）との間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子（１４）が備えられてなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウエハ（３０）の表面（３１）側の表層部に前記縦型の半導体素子（１４）が複数形成され、前記半導体ウエハ（３０）の表面（３１）側に前記第１電極（１８）が形成されたものを用意する工程と、
前記半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）を研削し、研削した前記半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に前記第２電極（１９）を形成する工程と、
前記第２電極（１９）が形成された前記半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に、複数の導電性材料（５２）それぞれが絶縁性材料（５３）によって絶縁されて構成されたダイシングテープ（５０）を貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープ（５０）のうち前記半導体ウエハ（３０）が貼り付けられた一面（５１）とは反対側の他面（５５）にテスタ（６０）を押し付けて前記ダイシングテープ（５０）を前記半導体ウエハ（３０）と前記テスタ（６０）とで挟み込むことで前記半導体ウエハ（３０）と前記テスタ（６０）との間の前記導電性材料（５２）どうしを接触させ、前記第１電極（１８）と前記テスタ（６０）とにそれぞれ電位を与えることにより、前記第１電極（１８）、前記縦型の半導体素子（１４）、前記第２電極（１９）、前記導電性材料（５２）、および前記テスタ（６０）を経由する経路を形成して前記縦型の半導体素子（１４）の電気的特性を検査する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記導電性材料（５２）は、粒状をなしていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記導電性材料（５２）は、繊維状をなしていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記導電性材料（５２）は、前記ダイシングテープ（５０）の一面（５１）もしくは他面（５５）に対して垂直に延設された直線状をなしていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
半導体ウエハ（３０）が半導体基板（１１）の表面（１２）側に形成された第１電極（１８）と裏面（１３）側に形成された第２電極（１９）とを有し、前記第１電極（１８）と前記第２電極（１９）との間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子（１４）が備えられてなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウエハ（３０）の表面（３１）側の表層部に前記縦型の半導体素子（１４）が複数形成され、前記半導体ウエハ（３０）の表面（３１）側に前記第１電極（１８）が形成されたものを用意する工程と、
前記半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）を研削し、研削した前記半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に前記第２電極（１９）を形成する工程と、
前記第２電極（１９）が形成された前記半導体ウエハ（３０）の裏面（３２）に、一面（５１）と該一面（５１）の反対側の他面（５５）を有し、前記一面（５１）と前記他面（５５）とを貫通する貫通孔（５６）が設けられたダイシングテープ（５０）を貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープ（５０）の前記貫通孔（５６）に露出する前記第２電極（１９）と前記第１電極（１８）とにそれぞれプローブ（７０）を押し当て、前記第１電極（１８）と前記第２電極（１９）とにそれぞれ電位を与えることにより、前記第１電極（１８）、前記縦型の半導体素子（１４）、および前記第２電極（１９）を経由する電気的経路を形成して前記縦型の半導体素子（１４）の電気的特性を検査する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。