JPH10144631A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体素子及びその製造方法Info
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- JPH10144631A JPH10144631A JP30867496A JP30867496A JPH10144631A JP H10144631 A JPH10144631 A JP H10144631A JP 30867496 A JP30867496 A JP 30867496A JP 30867496 A JP30867496 A JP 30867496A JP H10144631 A JPH10144631 A JP H10144631A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】（１）半導体素子の製造方法において生産性を
高めることの出来る廉価にして効率的な製造方法が求め
られていた。（２）ＬＥＤのような半導体発光素子の輝
度、色調、その他の特性を完成体になる前に測定把握す
ることが望まれながら確実な方法が存在しなかった。 【解決手段】エキスパンドされたダイシングシ−トの特
性を積極的に利用してダイシングされたチップ群の一括
電極形成工程に直接利用して任意の厚みを有する絶縁層
を具備する半導体素子の製造方法を可能にすると共に、
導電性を有するダイシングシ−トの特性を利用して半導
体発光素子の製造プロセスに於いて完成品が形成され分
離される前に素子の電気的及び光学的特性の測定を行う
ことを可能にし、生産性を著しく向上させた。
高めることの出来る廉価にして効率的な製造方法が求め
られていた。（２）ＬＥＤのような半導体発光素子の輝
度、色調、その他の特性を完成体になる前に測定把握す
ることが望まれながら確実な方法が存在しなかった。 【解決手段】エキスパンドされたダイシングシ−トの特
性を積極的に利用してダイシングされたチップ群の一括
電極形成工程に直接利用して任意の厚みを有する絶縁層
を具備する半導体素子の製造方法を可能にすると共に、
導電性を有するダイシングシ−トの特性を利用して半導
体発光素子の製造プロセスに於いて完成品が形成され分
離される前に素子の電気的及び光学的特性の測定を行う
ことを可能にし、生産性を著しく向上させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＥＤ等半導体発光素
子の製造方法及び製造物に関するものである。
子の製造方法及び製造物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】特開平６−２７５６８４、特開平６−３
２６３６５及び、特開平７−２８３４３９はいずれも半
導体ウエハ−状態で加工、製造し、それぞれ電極部を構
成し、側面部に絶縁コ−ティングを施し、ダイシング分
割して表面実装型（ＳＭＤ）部品に供する様工夫された
ものである。特に、特開平６−２７５６８４、特開平７
−２８３４３９はＰＮ接合部周辺に溝を設けたり、メサ
形成を施した半導体装置であり、特開平６−３２６３６
５はウエハ−素子切断面に溝を設けこれを絶縁コ−トす
ることにより、ＰＮ接合部の保護を施したことを特徴と
している。しかしながらこれらの絶縁コ−トの形成法を
みると特開平６−２７５６８４ではウエハ−上にメサ構
造体の溝部に絶縁材料層を形成したものをダイシングし
て分離するという特殊な方法によるものであり、また特
開平６−３２６３６５ではウエハ−を縦横にダイシング
した後に側面方向から所定のマスクシ−トを介して絶縁
樹脂を注入硬化させて保護層を形成するものであるがこ
の保護層の厚みは側面を一様に薄くコ−ティングするも
のであって所望の機械的強度と光取り出し効率のバラン
スした任意の厚さに調整するものではない。また特に加
工中の特性の測定に関する記載は見当らない。
２６３６５及び、特開平７−２８３４３９はいずれも半
導体ウエハ−状態で加工、製造し、それぞれ電極部を構
成し、側面部に絶縁コ−ティングを施し、ダイシング分
割して表面実装型（ＳＭＤ）部品に供する様工夫された
ものである。特に、特開平６−２７５６８４、特開平７
−２８３４３９はＰＮ接合部周辺に溝を設けたり、メサ
形成を施した半導体装置であり、特開平６−３２６３６
５はウエハ−素子切断面に溝を設けこれを絶縁コ−トす
ることにより、ＰＮ接合部の保護を施したことを特徴と
している。しかしながらこれらの絶縁コ−トの形成法を
みると特開平６−２７５６８４ではウエハ−上にメサ構
造体の溝部に絶縁材料層を形成したものをダイシングし
て分離するという特殊な方法によるものであり、また特
開平６−３２６３６５ではウエハ−を縦横にダイシング
した後に側面方向から所定のマスクシ−トを介して絶縁
樹脂を注入硬化させて保護層を形成するものであるがこ
の保護層の厚みは側面を一様に薄くコ−ティングするも
のであって所望の機械的強度と光取り出し効率のバラン
スした任意の厚さに調整するものではない。また特に加
工中の特性の測定に関する記載は見当らない。
【０００３】
（１）本発明は絶縁物層の厚み、例えばＬＥＤの光取り
出し面を保護するための透光性樹脂の厚みを光取り出し
効率を最大にすると共に機械的に所要の強度を要するに
のに最適な任意の量に調整可能にする半導体素子の製造
方法を提供するものである。通常テ−プエキスパンダ−
は半導体ウエハ−がチップに切断された状態からチップ
間隔を広げるためにシ−トを外周から引き延ばす機構で
あり１個ずつリ−ドフレ−ムやパッケ−ジの所定の場所
に装着する工程に備えるものであるが、現行のものは単
にそれだけの間接的手段に止まり直接的に電極板の接着
加工等に関与するものではなかった。 本発明はこのテ
−プエキスパンダ−に保持されるエキスパンドされたダ
イシングシ−トをダイシングされたチップ群の一括電極
ボンディング工程に直接に関与させ最終的に所望の厚み
の絶縁物層を持った半導体素子の生産性の高い廉価な製
造方法を提供するものである。 （２）ＬＥＤのような半導体発光素子ウエハ−の場合、
性能上極めて重要な要素は発光の出力である輝度の特性
がウエハ−状態で把握できることが望ましい。上記特許
公開公報に開示された加工方法は何れもリアルサイズで
加工製造するため、完成体になるまで測定することが極
めて困難である。現状のＬＥＤウエハ−の電気的特性の
チェックは、ウエハ−をハ−フダイシングし電極上面に
プロ−バ−ピンを当てて特性をチェックし、不具合品は
バッドマ−クをつけて後工程へ流す方法が一般的であ
る。しかしながら特に端面発光型ＬＥＤ素子ウエハ−の
場合は、上面電極部が閉ざされていることと、側面部か
ら漏れる光で測定する場合でもチップ間隔が狭すぎるた
め反射光も出てこないので、現実的にこの型のＬＥＤ素
子のウエハ−段階での測定は電気的特性に限られ、輝
度、色調等の光学的特性の検査はウエハ−当たり数個程
度のロット判定に委ねられ結局完成品後の最終検査の段
階まで持ち越されるのが現状であった。しかしながらウ
エハ−の品質が完成品まで把握できないことは製造プロ
セス上問題であり、どうやって光を効率的に取り出すか
が求められていた。 本発明は現行技術の製造ラインに
於ける上記の問題点を解消するためになされたもので、
テ−プエキスパンダ−に保持されるダイシングシ−トの
特性を上記（１）の電極板接着加工の段階のみならずさ
らに特性測定の段階でも積極的に利用して光の取り出し
効率を上げ半導体発光素子を個々の素子に分離される前
の状態で測定可能にする方法を提供するものである。
出し面を保護するための透光性樹脂の厚みを光取り出し
効率を最大にすると共に機械的に所要の強度を要するに
のに最適な任意の量に調整可能にする半導体素子の製造
方法を提供するものである。通常テ−プエキスパンダ−
は半導体ウエハ−がチップに切断された状態からチップ
間隔を広げるためにシ−トを外周から引き延ばす機構で
あり１個ずつリ−ドフレ−ムやパッケ−ジの所定の場所
に装着する工程に備えるものであるが、現行のものは単
にそれだけの間接的手段に止まり直接的に電極板の接着
加工等に関与するものではなかった。 本発明はこのテ
−プエキスパンダ−に保持されるエキスパンドされたダ
イシングシ−トをダイシングされたチップ群の一括電極
ボンディング工程に直接に関与させ最終的に所望の厚み
の絶縁物層を持った半導体素子の生産性の高い廉価な製
造方法を提供するものである。 （２）ＬＥＤのような半導体発光素子ウエハ−の場合、
性能上極めて重要な要素は発光の出力である輝度の特性
がウエハ−状態で把握できることが望ましい。上記特許
公開公報に開示された加工方法は何れもリアルサイズで
加工製造するため、完成体になるまで測定することが極
めて困難である。現状のＬＥＤウエハ−の電気的特性の
チェックは、ウエハ−をハ−フダイシングし電極上面に
プロ−バ−ピンを当てて特性をチェックし、不具合品は
バッドマ−クをつけて後工程へ流す方法が一般的であ
る。しかしながら特に端面発光型ＬＥＤ素子ウエハ−の
場合は、上面電極部が閉ざされていることと、側面部か
ら漏れる光で測定する場合でもチップ間隔が狭すぎるた
め反射光も出てこないので、現実的にこの型のＬＥＤ素
子のウエハ−段階での測定は電気的特性に限られ、輝
度、色調等の光学的特性の検査はウエハ−当たり数個程
度のロット判定に委ねられ結局完成品後の最終検査の段
階まで持ち越されるのが現状であった。しかしながらウ
エハ−の品質が完成品まで把握できないことは製造プロ
セス上問題であり、どうやって光を効率的に取り出すか
が求められていた。 本発明は現行技術の製造ラインに
於ける上記の問題点を解消するためになされたもので、
テ−プエキスパンダ−に保持されるダイシングシ−トの
特性を上記（１）の電極板接着加工の段階のみならずさ
らに特性測定の段階でも積極的に利用して光の取り出し
効率を上げ半導体発光素子を個々の素子に分離される前
の状態で測定可能にする方法を提供するものである。
【０００４】
１．上記目的を達成するために、本発明の半導体素子の
製造方法は、ダイシングシ−ト上に貼着された半導体素
子ウエハ−を縦、横、所望のチップサイズにフルダイシ
ングを施し各半導体素子チップを形成する工程と、前記
フルダイシングされた各半導体素子チップが貼着された
ダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパンドする
工程と、前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の
各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板に接着
し、硬化する工程と、前記ダイシングシ−トを剥離し、
該ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チップの
他方の電極部側を他の電極板に同様に接着し、硬化する
工程と、前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入して半
導体素子チップのフルダイシングされた面をコ−ティン
グし、硬化する工程と、前記電極板及び前記注入された
絶縁物の部分を縦横にスライシングして個々の半導体素
子に分離する工程と、を具備する事を特徴としている。 ２．本発明の半導体素子の製造方法は上記の半導体素子
の製造方法に於いて更に、前記電極板に接続の為の電極
処理を施す工程を具備する事を特徴としている。 ３．本発明の半導体素子の製造方法は上記の半導体素子
の製造方法に於いて更に前記エキスパンドされたダイシ
ングシ−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を
電極板に接着し、硬化した後、前記ダイシングシ−トを
剥離し、前記電極板に測定電源の一方の端子を共通に接
続し、前記ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子
チップの電極部に測定電源の他端を接続して測定電圧を
印加して各半導体素子チップの特性を測定する事を特徴
としている。 ４．更に本発明の半導体素子の製造方法はダイシングシ
−ト上に貼着された半導体素子ウエハ−を縦、横、所望
のチップサイズにフルダイシングを施し各半導体素子チ
ップを形成する工程と、前記フルダイシングされた各半
導体素子チップが貼着されたダイシングシ−トを所望の
大きさまでエキスパンドする工程と、前記エキスパンド
されたダイシングシ−ト上の各半導体素子チップの一方
の電極部側を電極板に接着し、硬化する工程と、前記ダ
イシングシ−トを剥離し、該ダイシングシ−トが剥離さ
れた各半導体素子チップの他方の電極部側を他の電極板
に同様に接着し、硬化する工程と、前記半導体素子チッ
プ間に絶縁物を注入して半導体素子チップのフルダイシ
ングされた面をコ−ティングし、硬化する工程と、これ
を導電性ダイシングシ−トに貼着して前記電極板及び前
記注入された絶縁物の部分を縦横にスライシングして個
々の半導体素子に分離する工程と、前記導電性ダイシン
グシ−トに測定電源の一方の端子を接続し、各半導体素
子の電極板に測定電源の他端を接続して測定電圧を印加
して各半導体素子の特性を測定する工程と、前記ダイシ
ングシ−トを剥離して各半導体素子を形成する工程とを
具備する事を特徴としている。 ５．本発明の半導体素子の製造方法は上記３及び４の１
つに記載の半導体素子の製造方法に於いて、更に上記各
測定結果に従って選別を行う工程を具備する事を特徴と
している。 ６．更に本発明は、ダイシングシ−ト上に貼着された半
導体素子ウエハ−を縦、横、所望のチップサイズにフル
ダイシングを施し各半導体素子チップを形成する工程
と、前記フルダイシングされた各半導体素子チップが貼
着されたダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパ
ンドする工程と、前記エキスパンドされたダイシングシ
−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板
に接着し、硬化する工程と、前記ダイシングシ−トを剥
離し、該ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チ
ップの他方の電極部側を他の電極板に同様に接着し、硬
化する工程と、前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入
して半導体素子チップのフルダイシングされた面をコ−
ティングし、硬化する工程と、前記電極板及び前記注入
された絶縁物の部分を縦横にスライシングして個々の半
導体素子に分離する工程と、を具備する半導体素子の製
造方法によって製造された半導体素子であることを特徴
としている。 ７．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造
方法に於いて、前記電極板は導電性接着剤によって各半
導体素子チップの電極部側に接着され、該導電性接着剤
は前記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された導電性銀
ペ−ストであることを特徴としている。 ８．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造
方法に於いて、前記電極板は導電性接着剤によって各半
導体素子チップの電極に接着され、該導電性接着剤は前
記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された異方導電性接
着剤であることを特徴としている。 ９．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造
方法に於いて、前記半導体素子は発光ダイオ−ドである
ことを特徴としている。 １０．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製
造方法に於いて、前記半導体素子は端面発光型発光ダイ
オ−ドであることを特徴としている。 １１．更に本発明は上記１０記載の端面発光型発光ダイ
オ−ドの製造方法に於いて、前記絶縁物は透光性部材で
あって、前記フルダイシングされた半導体素子チップの
各面をコ−ティングする前記絶縁物の厚みは前記ダイシ
ングシ−トのエキスパンドの量によって調整される事を
特徴としている。 １２．更に本発明は上記１１記載の製造方法によって製
造された端面発光型発光ダイオ−ドである事を特徴とし
ている。
製造方法は、ダイシングシ−ト上に貼着された半導体素
子ウエハ−を縦、横、所望のチップサイズにフルダイシ
ングを施し各半導体素子チップを形成する工程と、前記
フルダイシングされた各半導体素子チップが貼着された
ダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパンドする
工程と、前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の
各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板に接着
し、硬化する工程と、前記ダイシングシ−トを剥離し、
該ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チップの
他方の電極部側を他の電極板に同様に接着し、硬化する
工程と、前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入して半
導体素子チップのフルダイシングされた面をコ−ティン
グし、硬化する工程と、前記電極板及び前記注入された
絶縁物の部分を縦横にスライシングして個々の半導体素
子に分離する工程と、を具備する事を特徴としている。 ２．本発明の半導体素子の製造方法は上記の半導体素子
の製造方法に於いて更に、前記電極板に接続の為の電極
処理を施す工程を具備する事を特徴としている。 ３．本発明の半導体素子の製造方法は上記の半導体素子
の製造方法に於いて更に前記エキスパンドされたダイシ
ングシ−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を
電極板に接着し、硬化した後、前記ダイシングシ−トを
剥離し、前記電極板に測定電源の一方の端子を共通に接
続し、前記ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子
チップの電極部に測定電源の他端を接続して測定電圧を
印加して各半導体素子チップの特性を測定する事を特徴
としている。 ４．更に本発明の半導体素子の製造方法はダイシングシ
−ト上に貼着された半導体素子ウエハ−を縦、横、所望
のチップサイズにフルダイシングを施し各半導体素子チ
ップを形成する工程と、前記フルダイシングされた各半
導体素子チップが貼着されたダイシングシ−トを所望の
大きさまでエキスパンドする工程と、前記エキスパンド
されたダイシングシ−ト上の各半導体素子チップの一方
の電極部側を電極板に接着し、硬化する工程と、前記ダ
イシングシ−トを剥離し、該ダイシングシ−トが剥離さ
れた各半導体素子チップの他方の電極部側を他の電極板
に同様に接着し、硬化する工程と、前記半導体素子チッ
プ間に絶縁物を注入して半導体素子チップのフルダイシ
ングされた面をコ−ティングし、硬化する工程と、これ
を導電性ダイシングシ−トに貼着して前記電極板及び前
記注入された絶縁物の部分を縦横にスライシングして個
々の半導体素子に分離する工程と、前記導電性ダイシン
グシ−トに測定電源の一方の端子を接続し、各半導体素
子の電極板に測定電源の他端を接続して測定電圧を印加
して各半導体素子の特性を測定する工程と、前記ダイシ
ングシ−トを剥離して各半導体素子を形成する工程とを
具備する事を特徴としている。 ５．本発明の半導体素子の製造方法は上記３及び４の１
つに記載の半導体素子の製造方法に於いて、更に上記各
測定結果に従って選別を行う工程を具備する事を特徴と
している。 ６．更に本発明は、ダイシングシ−ト上に貼着された半
導体素子ウエハ−を縦、横、所望のチップサイズにフル
ダイシングを施し各半導体素子チップを形成する工程
と、前記フルダイシングされた各半導体素子チップが貼
着されたダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパ
ンドする工程と、前記エキスパンドされたダイシングシ
−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板
に接着し、硬化する工程と、前記ダイシングシ−トを剥
離し、該ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チ
ップの他方の電極部側を他の電極板に同様に接着し、硬
化する工程と、前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入
して半導体素子チップのフルダイシングされた面をコ−
ティングし、硬化する工程と、前記電極板及び前記注入
された絶縁物の部分を縦横にスライシングして個々の半
導体素子に分離する工程と、を具備する半導体素子の製
造方法によって製造された半導体素子であることを特徴
としている。 ７．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造
方法に於いて、前記電極板は導電性接着剤によって各半
導体素子チップの電極部側に接着され、該導電性接着剤
は前記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された導電性銀
ペ−ストであることを特徴としている。 ８．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造
方法に於いて、前記電極板は導電性接着剤によって各半
導体素子チップの電極に接着され、該導電性接着剤は前
記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された異方導電性接
着剤であることを特徴としている。 ９．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造
方法に於いて、前記半導体素子は発光ダイオ−ドである
ことを特徴としている。 １０．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製
造方法に於いて、前記半導体素子は端面発光型発光ダイ
オ−ドであることを特徴としている。 １１．更に本発明は上記１０記載の端面発光型発光ダイ
オ−ドの製造方法に於いて、前記絶縁物は透光性部材で
あって、前記フルダイシングされた半導体素子チップの
各面をコ−ティングする前記絶縁物の厚みは前記ダイシ
ングシ−トのエキスパンドの量によって調整される事を
特徴としている。 １２．更に本発明は上記１１記載の製造方法によって製
造された端面発光型発光ダイオ−ドである事を特徴とし
ている。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１乃至図９は本発明に係る半導
体発光素子の製造方法の第１実施例の各製造の状態を示
す説明図、図１０乃至図１２は本発明の第２実施例の各
製造の状態を示す説明図である。本発明の実施に先立っ
て予めＬＥＤ素子を形成したＬＥＤ素子ウエハ−１と、
ＬＥＤ素子の位置をマッピングしてある透明または半透
明のプラスチック製ダイシングシ−ト２と完成品時のサ
イズに規定された微細プレス加工された一対の電極板
５、７を準備する。電極板５、７としては例えば銅板の
ごとくＡｇペ−ストとなじみが良く、プレス加工やメッ
キ処理に適しているものが良い。準備が整った段階で以
下の工程に入る。
体発光素子の製造方法の第１実施例の各製造の状態を示
す説明図、図１０乃至図１２は本発明の第２実施例の各
製造の状態を示す説明図である。本発明の実施に先立っ
て予めＬＥＤ素子を形成したＬＥＤ素子ウエハ−１と、
ＬＥＤ素子の位置をマッピングしてある透明または半透
明のプラスチック製ダイシングシ−ト２と完成品時のサ
イズに規定された微細プレス加工された一対の電極板
５、７を準備する。電極板５、７としては例えば銅板の
ごとくＡｇペ−ストとなじみが良く、プレス加工やメッ
キ処理に適しているものが良い。準備が整った段階で以
下の工程に入る。
【０００６】
【第１実施例】 （１）図１（Ａ）（Ｂ）にＩに示すようにＬＥＤ素子を
内部に形成したＬＥＤ素子ウエハ−１をダイシングシ−
ト２上に貼り付ける。 （２）次に、図２（Ａ）（Ｂ）に示すようにダイシング
シ−ト２上に貼り付けられたＬＥＤ素子ウエハ−１をス
トリ−ト３に沿って縦、横に所望のチップサイズにフル
ダイシングを施して各ＬＥＤ素子チップ４を形成する。
図２（Ｂ）から分かるようにフルダイシングされたＬＥ
Ｄ素子チップ４はダイシングシ−ト２に貼り付けられた
ままである。
内部に形成したＬＥＤ素子ウエハ−１をダイシングシ−
ト２上に貼り付ける。 （２）次に、図２（Ａ）（Ｂ）に示すようにダイシング
シ−ト２上に貼り付けられたＬＥＤ素子ウエハ−１をス
トリ−ト３に沿って縦、横に所望のチップサイズにフル
ダイシングを施して各ＬＥＤ素子チップ４を形成する。
図２（Ｂ）から分かるようにフルダイシングされたＬＥ
Ｄ素子チップ４はダイシングシ−ト２に貼り付けられた
ままである。
【０００７】（３）次にこのフルダイシングされたＬＥ
Ｄ素子チップ４の貼り付けられたダイシングシ−ト２を
図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、完成時のサイズに規定
された微細プレス加工された電極板５の１枡目より一回
り小さめなＬＥＤ素子位置状態の処まで、エキスパンド
する。 図２（Ａ）（Ｂ）から分かるようにダイシング
シ−ト２は拡大されて２Ｅとなり各ＬＥＤ素子チップ４
の間隔はその分だけ拡大される。
Ｄ素子チップ４の貼り付けられたダイシングシ−ト２を
図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、完成時のサイズに規定
された微細プレス加工された電極板５の１枡目より一回
り小さめなＬＥＤ素子位置状態の処まで、エキスパンド
する。 図２（Ａ）（Ｂ）から分かるようにダイシング
シ−ト２は拡大されて２Ｅとなり各ＬＥＤ素子チップ４
の間隔はその分だけ拡大される。
【０００８】（４）次に、図４（Ａ）（Ｂ）に示すよう
に前記エキスパンド完了後のダイシングシ−ト２Ｅ上に
貼り付けられた各ＬＥＤ素子チップ４の電極部４ｅ０上
に前記電極板５を一括してボンディングする。実際には
電極板５上に予め転写又はスクリ−ン印刷された導電性
Ａｇペ−スト又は異方導電性接着剤６によって電極板５
を各ＬＥＤ素子チップ４の電極部４ｅ０に貼り付ける。 （５）その後前記接着剤６を硬化乾燥させ、電極板５を
各ＬＥＤ素子チップ４に固着させる。
に前記エキスパンド完了後のダイシングシ−ト２Ｅ上に
貼り付けられた各ＬＥＤ素子チップ４の電極部４ｅ０上
に前記電極板５を一括してボンディングする。実際には
電極板５上に予め転写又はスクリ−ン印刷された導電性
Ａｇペ−スト又は異方導電性接着剤６によって電極板５
を各ＬＥＤ素子チップ４の電極部４ｅ０に貼り付ける。 （５）その後前記接着剤６を硬化乾燥させ、電極板５を
各ＬＥＤ素子チップ４に固着させる。
【０００９】（６）次に、図５に示すように、前記ダイ
シングシ−ト２Ｅを剥離し、測定電源１２の一方の端子
ｍ０を電極板５に接続し、測定電源１２の他方の端子ｍ
１を各ＬＥＤ素子４の電極部４ｅ１に順次切替え接続し
て測定電圧を印加し、測定装置１３によってＬＥＤ素子
４から放射される光の特性測定をおこなう。 （７）特性測定完了後図６（Ａ）（Ｂ）に示すように各
ＬＥＤ素子チップ４の電極部４ｅ１上にもう一枚の電極
板７を一括してボンディングする。電極板５と同様実際
には電極板７上に予め転写又はスクリ−ン印刷された導
電性Ａｇペ−スト又は異方導電性接着剤８によって電極
板７を各ＬＥＤ素子チップ４の電極４ｅ１に貼り付け
る。 （８）前記接着剤８を硬化乾燥させ、電極板７をＬＥＤ
素子チップ４に固着させる。
シングシ−ト２Ｅを剥離し、測定電源１２の一方の端子
ｍ０を電極板５に接続し、測定電源１２の他方の端子ｍ
１を各ＬＥＤ素子４の電極部４ｅ１に順次切替え接続し
て測定電圧を印加し、測定装置１３によってＬＥＤ素子
４から放射される光の特性測定をおこなう。 （７）特性測定完了後図６（Ａ）（Ｂ）に示すように各
ＬＥＤ素子チップ４の電極部４ｅ１上にもう一枚の電極
板７を一括してボンディングする。電極板５と同様実際
には電極板７上に予め転写又はスクリ−ン印刷された導
電性Ａｇペ−スト又は異方導電性接着剤８によって電極
板７を各ＬＥＤ素子チップ４の電極４ｅ１に貼り付け
る。 （８）前記接着剤８を硬化乾燥させ、電極板７をＬＥＤ
素子チップ４に固着させる。
【００１０】（９）次に、図７に示すように、エポキシ
樹脂又はガラス等の透光性絶縁物９を各ＬＥＤ素子チッ
プ４間に流入して充填する。 （１０）充填した絶縁物９を硬化乾燥させる。
樹脂又はガラス等の透光性絶縁物９を各ＬＥＤ素子チッ
プ４間に流入して充填する。 （１０）充填した絶縁物９を硬化乾燥させる。
【００１１】（１１）電極板５、７で挟まれ硬化された
絶縁物９でモ−ルドされたＬＥＤ素子チップ４群を図８
（Ａ）（Ｂ）に示すように、微細プレス加工された電極
板５の枡目３０に沿って電極板５、７及び絶縁物９の部
分を縦横にフルダイシングしてＳＭＤ型の電極板付絶縁
封止ＬＥＤ素子１０を形成する。 （１２）前記電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の前記電
極板５、７の上下面及び側面部の表面に付着している酸
化膜を酸洗いにより除去する（図示せず）。 （１３）さらに図９に示すように酸化膜を除去した前記
電極面５、７上に半田メッキ又はＡｕメッキ１４、１５
を施し、メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を形成
する。
絶縁物９でモ−ルドされたＬＥＤ素子チップ４群を図８
（Ａ）（Ｂ）に示すように、微細プレス加工された電極
板５の枡目３０に沿って電極板５、７及び絶縁物９の部
分を縦横にフルダイシングしてＳＭＤ型の電極板付絶縁
封止ＬＥＤ素子１０を形成する。 （１２）前記電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の前記電
極板５、７の上下面及び側面部の表面に付着している酸
化膜を酸洗いにより除去する（図示せず）。 （１３）さらに図９に示すように酸化膜を除去した前記
電極面５、７上に半田メッキ又はＡｕメッキ１４、１５
を施し、メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を形成
する。
【００１２】（１４）上記工程後このメッキ電極板付絶
縁封止ＬＥＤ素子２０を所定の順序に従って特性等測定
システムに供給し両電極板間に所定の測定電圧を印加し
各メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０の諸特性の測
定選別を行い合格品のみ次の工程に送る（図示せず）。
縁封止ＬＥＤ素子２０を所定の順序に従って特性等測定
システムに供給し両電極板間に所定の測定電圧を印加し
各メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０の諸特性の測
定選別を行い合格品のみ次の工程に送る（図示せず）。
【００１３】（１５）前記メッキ電極板付絶縁封止ＬＥ
Ｄ素子２０の特性測定終了後，このメッキ電極板付絶縁
封止ＬＥＤ素子２０を構成要素とする例えばマルチ発光
素子ユニット、フォトカプラ−等各種製品用途に対応す
るボンディング、パッケ−ジング、その他の最終仕上げ
工程に送る（図示せず）。
Ｄ素子２０の特性測定終了後，このメッキ電極板付絶縁
封止ＬＥＤ素子２０を構成要素とする例えばマルチ発光
素子ユニット、フォトカプラ−等各種製品用途に対応す
るボンディング、パッケ−ジング、その他の最終仕上げ
工程に送る（図示せず）。
【００１４】
【第２実施例】 （１６）上記工程図１乃至図７は第１実施例と全く同じ
であるので説明は省く。第２実施例では図７に示す電極
板５、７で挟まれ硬化された透光性絶縁物９でモ−ルド
されたＬＥＤ素子チップ４群を図１０（Ａ）（Ｂ）に示
すような導電性を有するダイシングシ−ト１１上に貼着
し、その後図１１（Ａ）（Ｂ）に示すように、微細プレ
ス加工された電極板５の枡目３０に沿って電極板５、７
及び透光性絶縁物９の部分を縦横にフルダイシングして
ＳＭＤ型の電極板付ＬＥＤ素子１０を形成する。
であるので説明は省く。第２実施例では図７に示す電極
板５、７で挟まれ硬化された透光性絶縁物９でモ−ルド
されたＬＥＤ素子チップ４群を図１０（Ａ）（Ｂ）に示
すような導電性を有するダイシングシ−ト１１上に貼着
し、その後図１１（Ａ）（Ｂ）に示すように、微細プレ
ス加工された電極板５の枡目３０に沿って電極板５、７
及び透光性絶縁物９の部分を縦横にフルダイシングして
ＳＭＤ型の電極板付ＬＥＤ素子１０を形成する。
【００１５】（１７）図１１（Ｂ）に示すように、この
フルダイシングされた電極付絶縁封止ＬＥＤ素子チップ
１０群の一方の電極板７側に導電性ダイシングシ−ト１
１を介して測定電源１２の一方の端子ｍ０を共通接続す
ると同時に、電極付絶縁封止ＬＥＤ素子１０群の反対側
の各々の電極板５に測定電源１２の他方の端子ｍ１を順
次に接続して各電極付絶縁封止ＬＥＤ素子１０に所定の
測定電圧を加えながらフルダイシングされた所定の隙間
位置から測定装置１３によって各電極板付絶縁封止ＬＥ
Ｄ素子１０の輝度、色調、その他の特性の連続測定を行
う。この電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の隙間は図１
２に示すように必要に応じて前記導電性ダイシングシ−
ト１１を引き伸ばすことによって十分な大きさに設定す
ることができる。
フルダイシングされた電極付絶縁封止ＬＥＤ素子チップ
１０群の一方の電極板７側に導電性ダイシングシ−ト１
１を介して測定電源１２の一方の端子ｍ０を共通接続す
ると同時に、電極付絶縁封止ＬＥＤ素子１０群の反対側
の各々の電極板５に測定電源１２の他方の端子ｍ１を順
次に接続して各電極付絶縁封止ＬＥＤ素子１０に所定の
測定電圧を加えながらフルダイシングされた所定の隙間
位置から測定装置１３によって各電極板付絶縁封止ＬＥ
Ｄ素子１０の輝度、色調、その他の特性の連続測定を行
う。この電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の隙間は図１
２に示すように必要に応じて前記導電性ダイシングシ−
ト１１を引き伸ばすことによって十分な大きさに設定す
ることができる。
【００１６】（１８）特性測定完了後、個々の電極板付
絶縁封止ＬＥＤ素子１０を導電性ダイシングシ−ト１１
から剥離し、この電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の電
極板５、７の上下面及び側面部の表面に付着している酸
化膜を酸洗い等により除去する（図示せず）。 （１９）さらに図９に示すように酸化膜を除去した前記
電極面５、７上に半田メッキ又はＡｕメッキ１０、１１
を施してメッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を形成
する。
絶縁封止ＬＥＤ素子１０を導電性ダイシングシ−ト１１
から剥離し、この電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の電
極板５、７の上下面及び側面部の表面に付着している酸
化膜を酸洗い等により除去する（図示せず）。 （１９）さらに図９に示すように酸化膜を除去した前記
電極面５、７上に半田メッキ又はＡｕメッキ１０、１１
を施してメッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を形成
する。
【００１７】（２０）上記工程後このメッキ処理された
メッキ電極付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を所定の順序に従
って特性等測定システムに供給し両電極板間に所定の測
定電圧を印加し各メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２
０の最終的諸特性の連続測定選別を行い合格品のみ次の
工程に送る（図示せず）。
メッキ電極付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を所定の順序に従
って特性等測定システムに供給し両電極板間に所定の測
定電圧を印加し各メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２
０の最終的諸特性の連続測定選別を行い合格品のみ次の
工程に送る（図示せず）。
【００１８】（２１）前記メッキ電極板付絶縁封止ＬＥ
Ｄ素子２０を構成要素とする例えばマルチ発光素子ユニ
ット、フォトカプラ−等各種製品用途に対応するボンデ
ィング、パッケ−ジング、その他の最終仕上げ工程に送
る（図示せず）。
Ｄ素子２０を構成要素とする例えばマルチ発光素子ユニ
ット、フォトカプラ−等各種製品用途に対応するボンデ
ィング、パッケ−ジング、その他の最終仕上げ工程に送
る（図示せず）。
【００１９】上記実施例では半導体素子の最適実施例と
してＬＥＤ素子を形成したＬＥＤ素子ウエハ−について
説明したが、本発明はこれに限定されるもものではなく
各種ダイオード、バリスタ、サ−ミスタ等の半導体２端
子素子は勿論、トランジスタ等の半導体３端子素子であ
っても電極板を分割して両端から端子を取り出すように
すれば何端子素子であっても本発明の方法で製造可能で
あり、本発明の製造技術は極めて広範な応用範囲を具備
するものである。このようなダイシングシ−トのエキス
パンド特性を利用した製造方法は類例がなく本発明に独
特のものでありその生産技術的効果は甚大である。
してＬＥＤ素子を形成したＬＥＤ素子ウエハ−について
説明したが、本発明はこれに限定されるもものではなく
各種ダイオード、バリスタ、サ−ミスタ等の半導体２端
子素子は勿論、トランジスタ等の半導体３端子素子であ
っても電極板を分割して両端から端子を取り出すように
すれば何端子素子であっても本発明の方法で製造可能で
あり、本発明の製造技術は極めて広範な応用範囲を具備
するものである。このようなダイシングシ−トのエキス
パンド特性を利用した製造方法は類例がなく本発明に独
特のものでありその生産技術的効果は甚大である。
【００２０】上記方法に依って製造された半導体素子、
特に上記最適実施例として記載したメッキ電極板付きＬ
ＥＤ素子２０（端面発光型ＬＥＤ素子）は立方体に近い
機械的に安定した形状を具備すると共に、両電極板５、
７を除く４面は透光性樹脂９によって封止（コ−ティン
グ）されており、この透光性樹脂の厚みは機械的強度の
許す範囲で光取り出し率が最大となるように前述のダイ
シングシ−トのエキスパンドの量を調整することによっ
て最適量に設定することができる。従ってこの構造自体
に測定を容易にする性質を具備しており本発明の測定方
法と相まって測定機能を高めている。
特に上記最適実施例として記載したメッキ電極板付きＬ
ＥＤ素子２０（端面発光型ＬＥＤ素子）は立方体に近い
機械的に安定した形状を具備すると共に、両電極板５、
７を除く４面は透光性樹脂９によって封止（コ−ティン
グ）されており、この透光性樹脂の厚みは機械的強度の
許す範囲で光取り出し率が最大となるように前述のダイ
シングシ−トのエキスパンドの量を調整することによっ
て最適量に設定することができる。従ってこの構造自体
に測定を容易にする性質を具備しており本発明の測定方
法と相まって測定機能を高めている。
【００２１】
（１）本発明は、テ−プエキスパンダ−に保持されるエ
キスパンドされたダイシングシ−ト２の特性をフルに活
用しダイシングされたチップ群の一括電極形成工程に直
接利用して最終的に任意の厚みを有する絶縁層を具備す
る半導体素子の製造方法を可能にした。 （２）本発明は更に、導電性を有するダイシングシ−ト
１１の特性を利用して半導体素子、特に半導体発光素子
（ＬＥＤ等）の製造プロセスに於いて完成品が形成され
分離される前工程で素子の電気的及び光学的特性の測定
を行うことを可能にし、良、不良を最終仕上げ工程前に
選別し、製造ラインの流れを潤滑化し、生産性を著しく
向上させた。
キスパンドされたダイシングシ−ト２の特性をフルに活
用しダイシングされたチップ群の一括電極形成工程に直
接利用して最終的に任意の厚みを有する絶縁層を具備す
る半導体素子の製造方法を可能にした。 （２）本発明は更に、導電性を有するダイシングシ−ト
１１の特性を利用して半導体素子、特に半導体発光素子
（ＬＥＤ等）の製造プロセスに於いて完成品が形成され
分離される前工程で素子の電気的及び光学的特性の測定
を行うことを可能にし、良、不良を最終仕上げ工程前に
選別し、製造ラインの流れを潤滑化し、生産性を著しく
向上させた。
【図１】ＬＥＤ素子ウエハ−１をダイシングシ−ト２に
貼り付ける状態を示す説明図でＡはその平面図、Ｂはそ
のＩＢ−ＩＢ矢視部分断面図である。
貼り付ける状態を示す説明図でＡはその平面図、Ｂはそ
のＩＢ−ＩＢ矢視部分断面図である。
【図２】ＬＥＤ素子ウエハ−１をダイシングシ−ト２に
貼り付けてフルダイシングしてＬＥＤ素子チップ４に分
離する状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＩ
ＩＢ−ＩＩＢ矢視部分断面図である。
貼り付けてフルダイシングしてＬＥＤ素子チップ４に分
離する状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＩ
ＩＢ−ＩＩＢ矢視部分断面図である。
【図３】フルダイシングして形成した半導体素子チップ
４を貼り付けてダイシングシ−ト２をエキスパンド２Ｅ
する状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＩＩ
ＩＢ−ＩＩＩＢ矢視部分断面図である。
４を貼り付けてダイシングシ−ト２をエキスパンド２Ｅ
する状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＩＩ
ＩＢ−ＩＩＩＢ矢視部分断面図である。
【図４】エキスパンドされたダイシングシ−ト２Ｅに貼
り付けられたＬＥＤ素子チップ４の一方の電極側を電極
板５に導電性接着剤６を用いて一括ダイボンディングす
る状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＩＶＢ
−ＩＶＢ矢視部分断面図である。
り付けられたＬＥＤ素子チップ４の一方の電極側を電極
板５に導電性接着剤６を用いて一括ダイボンディングす
る状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＩＶＢ
−ＩＶＢ矢視部分断面図である。
【図５】エキスパンドされたダイシングシ−ト２Ｅを剥
離して測定電圧を印加してＬＥＤ素子チップ４の特性測
定を行う状態を示す説明図である。
離して測定電圧を印加してＬＥＤ素子チップ４の特性測
定を行う状態を示す説明図である。
【図６】図３（Ｂ）の剥離された各ＬＥＤ素子チップ４
の電極側にもう一枚の電極板７を導電性接着剤８を用い
て一括ダイボンディングする状態を示す説明図でＡはそ
の平面図，ＢはそのＶＩＢ−ＶＩＢ矢視部分断面図であ
る。
の電極側にもう一枚の電極板７を導電性接着剤８を用い
て一括ダイボンディングする状態を示す説明図でＡはそ
の平面図，ＢはそのＶＩＢ−ＶＩＢ矢視部分断面図であ
る。
【図７】透光性樹脂等絶縁物９を注入する状態を示す説
明図である。
明図である。
【図８】電極板５、７で挟まれ絶縁物９でモ−ルドされ
たＬＥＤ素子チップ４群（図７）を微細プレス加工され
た電極板５の枡目３０に沿って縦横にフルダイシングし
て電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０を形成する状態を示
す説明図で、Ａはその平面図，ＢはそのＶＩＩＩＢ−Ｖ
ＩＩＩＢ矢視部分断面図である。
たＬＥＤ素子チップ４群（図７）を微細プレス加工され
た電極板５の枡目３０に沿って縦横にフルダイシングし
て電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０を形成する状態を示
す説明図で、Ａはその平面図，ＢはそのＶＩＩＩＢ−Ｖ
ＩＩＩＢ矢視部分断面図である。
【図９】上記本発明の工程によって形成された電極板付
絶縁封止ＬＥＤ素子１０の電極５、７上にメッキ１４、
１５を施して形成したメッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素
子２０の外観斜視図である。
絶縁封止ＬＥＤ素子１０の電極５、７上にメッキ１４、
１５を施して形成したメッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素
子２０の外観斜視図である。
【図１０】電極板５、７で挟まれ絶縁物９でモ−ルドさ
れたＬＥＤ素子チップ４群（図７）を導電性ダイシング
シ−ト１１上に貼着する状態を示す説明図でＡはその平
面図，ＢはそのＸＢ−ＸＢ矢視部分断面図である。
れたＬＥＤ素子チップ４群（図７）を導電性ダイシング
シ−ト１１上に貼着する状態を示す説明図でＡはその平
面図，ＢはそのＸＢ−ＸＢ矢視部分断面図である。
【図１１】導電性ダイシングシ−ト１１上に貼着した電
極板付絶縁封止ＬＥＤ素子チップ４群（図７）をフルダ
イシングして個々の電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０を
形成する状態を示す説明図で、Ａはその平面図，Ｂはそ
のＸＩＢ−ＸＩＢ矢視部分断面図であり、測定電圧を導
電性ダイシングシ−トと各々の電極板間に印加して特性
測定を行う状態を表している。
極板付絶縁封止ＬＥＤ素子チップ４群（図７）をフルダ
イシングして個々の電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０を
形成する状態を示す説明図で、Ａはその平面図，Ｂはそ
のＸＩＢ−ＸＩＢ矢視部分断面図であり、測定電圧を導
電性ダイシングシ−トと各々の電極板間に印加して特性
測定を行う状態を表している。
【図１２】図１１に於いて導電性ダイシングシ−ト１１
を引き伸ばして各電極付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の間隔
を広げて測定を容易にした状態を示す説明図である。
を引き伸ばして各電極付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の間隔
を広げて測定を容易にした状態を示す説明図である。
１ ＬＥＤ素子ウエハ− ２ ダイシングシ−ト ２Ｅ エキスパンドされたダイシングシ−ト ３ ストリ−ト ４ ＬＥＤ素子チップ ５、７ 電極板 ６、８ 導電性接着剤 ９ 注入された透光性絶縁物 １０ 電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子 １１ 導電性ダイシングシ−ト １１Ｅ エキスパンドされた導電性ダイシングシ−ト １２ 測定電源 １３ 測定装置 １４、１５ 半田またはＡｕメッキ ２０ メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子 ３０ 枡目
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体素子の製造方法であってダイシン
グシ−ト上に貼着された半導体素子ウエハ−を縦、横、
所望のチップサイズにフルダイシングを施し各半導体素
子チップを形成する工程と、 前記フルダイシングされた各半導体素子チップが貼着さ
れたダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパンド
する工程と、 前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体
素子チップの一方の電極部側を電極板に接着し、硬化す
る工程と、 前記ダイシングシ−トを剥離し、該ダイシングシ−トが
剥離された各半導体素子チップの他方の電極部側を他の
電極板に同様に接着し、硬化する工程と、 前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入して半導体素子
チップのフルダイシングされた面をコ−ティングし、硬
化する工程と、 前記電極板及び前記注入された絶縁物の部分を縦横にス
ライシングして個々の半導体素子に分離する工程と、を
具備する事を特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の製造方法に
於いて更に、 前記電極板に接続の為の電極処理を施す工程を具備する
事を特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子の製造方法に
於いて 前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体
素子チップの一方の電極部側を電極板に接着し、硬化し
た後、前記ダイシングシ−トを剥離し、前記電極板に測
定電源の一方の端子を共通に接続し、前記ダイシングシ
−トが剥離された各半導体素子チップの電極部に測定電
源の他端を接続して測定電圧を印加して各半導体素子チ
ップの特性を測定する事を特徴とする半導体素子の製造
方法。 - 【請求項４】半導体素子の製造方法であってダイシング
シ−ト上に貼着された半導体素子ウエハ−を縦、横、所
望のチップサイズにフルダイシングを施し各半導体素子
チップを形成する工程と、 前記フルダイシングされた各半導体素子チップが貼着さ
れたダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパンド
する工程と、 前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体
素子チップの一方の電極部側を電極板に接着し、硬化す
る工程と、 前記ダイシングシ−トを剥離し、該ダイシングシ−トが
剥離された各半導体素子チップの他方の電極部側を他の
電極板に同様に接着し、硬化する工程と、 前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入して半導体素子
チップのフルダイシングされた面をコ−ティングし、硬
化する工程と、 これを導電性ダイシングシ−トに貼着して前記電極板及
び前記注入された絶縁物の部分を縦横にスライシングし
て個々の半導体素子に分離する工程と、 前記導電性ダイシングシ−トに測定電源の一方の端子を
接続し、各半導体素子の電極板に測定電源の他端を接続
して測定電圧を印加して各半導体素子の特性を測定する
工程と、 前記ダイシングシ−トを剥離して各半導体素子を形成す
る工程とを具備する事を特徴とする半導体素子の製造方
法。 - 【請求項５】 請求項３及び４の１つに記載の半導体素
子の製造方法に於いて、更に上記各測定結果に従って選
別を行う工程を具備する事を特徴とする半導体素子の製
造方法。 - 【請求項６】 ダイシングシ−ト上に貼着された半導体
素子ウエハ−を縦、横、所望のチップサイズにフルダイ
シングを施し各半導体素子チップを形成する工程と、 前記フルダイシングされた各半導体素子チップが貼着さ
れたダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパンド
する工程と、 前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体
素子チップの一方の電極側を電極板に接着し、硬化する
工程と、 前記ダイシングシ−トを剥離し、該ダイシングシ−トが
剥離された各半導体素子チップの他方の電極側を他の電
極板に同様に接着し、硬化する工程と、 前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入して半導体素子
チップのフルダイシングされた面をコ−ティングし、硬
化する工程と、 前記電極板及び前記注入された絶縁物の部分を縦横にス
ライシングして個々の半導体素子に分離する工程と、 を具備する半導体素子の製造方法によって製造された半
導体素子。 - 【請求項７】 前記電極板は導電性接着剤によって各半
導体素子チップの電極に接着され、該導電性接着剤は前
記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された導電性銀ペ−
ストであることを特徴とする請求項１乃至５中の１つに
記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記電極板は導電性接着剤によって各半
導体素子チップの電極部側に接着され、該導電性接着剤
は前記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された異方導電
性接着剤であることを特徴とする請求項１乃至５中の１
つに記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記半導体素子は発光ダイオ−ドである
ことを特徴とする請求項１乃至５の中の１つに記載の半
導体素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記半導体素子は端面発光型発光ダイ
オ−ドであることを特徴とする請求項１乃至５の中の１
つに記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記絶縁物は透光性絶縁物であって、
前記フルダイシングされた半導体素子チップの各面をコ
−ティングする前記絶縁物の厚みは前記ダイシングシ−
トのエキスパンドの量によって調整される事を特徴とす
る請求項１０記載の端面発光型発光ダイオ−ドの製造方
法。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の製造方法によって製
造された端面発光型発光ダイオ−ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30867496A JP3897184B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 半導体素子の製造方法および端面発光型発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30867496A JP3897184B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 半導体素子の製造方法および端面発光型発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144631A true JPH10144631A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3897184B2 JP3897184B2 (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=17983929
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1996
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