JPH07302930A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH07302930A JPH07302930A JP9229094A JP9229094A JPH07302930A JP H07302930 A JPH07302930 A JP H07302930A JP 9229094 A JP9229094 A JP 9229094A JP 9229094 A JP9229094 A JP 9229094A JP H07302930 A JPH07302930 A JP H07302930A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面電極を特性検査用プローブの跡のない平
坦に形成し、かつ特性検査時間が短くて済む発光ダイオ
ード及びその製造方法を提供する。 【構成】 裏面電極と、裏面電極上に形成された第１導
電型層と、その層上に形成された第２導電型層と、第２
導電型層の略中央の表面上に形成された平坦な表面電極
とを備え、特性検査用プローブを接触するためのダミー
電極を表面電極と離れて第２導電型層の周縁の表面上に
形成するものである。
坦に形成し、かつ特性検査時間が短くて済む発光ダイオ
ード及びその製造方法を提供する。 【構成】 裏面電極と、裏面電極上に形成された第１導
電型層と、その層上に形成された第２導電型層と、第２
導電型層の略中央の表面上に形成された平坦な表面電極
とを備え、特性検査用プローブを接触するためのダミー
電極を表面電極と離れて第２導電型層の周縁の表面上に
形成するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード及びその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光ダイオードの特性検査につい
て、例えば特公昭５９−３７８７２号公報に開示され、
それを図５の平面図に従い説明する。この図に於て、ウ
エハ３１は半導体基板上に第１および第２導電型層が積
層されたものであり、表面電極３２がウエハ３１の表面
に複数個形成されている。そして、各々の表面電極３２
を囲む様に、ウエハ３１の表面側から発光接合より深い
切断溝３３が縦横に形成されている。ウエハ３１の裏面
電極に引出し線（図示せず）を接触させ、各々の表面電
極３２にプローブ（図示せず）を接触させ、各々特性検
査を行った後に、各々の発光ダイオードに分割してい
る。
て、例えば特公昭５９−３７８７２号公報に開示され、
それを図５の平面図に従い説明する。この図に於て、ウ
エハ３１は半導体基板上に第１および第２導電型層が積
層されたものであり、表面電極３２がウエハ３１の表面
に複数個形成されている。そして、各々の表面電極３２
を囲む様に、ウエハ３１の表面側から発光接合より深い
切断溝３３が縦横に形成されている。ウエハ３１の裏面
電極に引出し線（図示せず）を接触させ、各々の表面電
極３２にプローブ（図示せず）を接触させ、各々特性検
査を行った後に、各々の発光ダイオードに分割してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そして、この発光ダイ
オードを例えば表示装置等に用いる場合に、発光ダイオ
ードを他の導電部に電気的接続するために金属細線を用
いる。しかしこの発光ダイオードは全数共、その表面電
極３２がプローブに接触されるので、その表面にプロー
ブ跡が残っている。このプローブ跡による凹凸のため
に、表面電極３２と金属細線との配線に於ける結合強度
が不十分となる第１の欠点がある。
オードを例えば表示装置等に用いる場合に、発光ダイオ
ードを他の導電部に電気的接続するために金属細線を用
いる。しかしこの発光ダイオードは全数共、その表面電
極３２がプローブに接触されるので、その表面にプロー
ブ跡が残っている。このプローブ跡による凹凸のため
に、表面電極３２と金属細線との配線に於ける結合強度
が不十分となる第１の欠点がある。
【０００４】また発光ダイオードは通常、１辺が約３０
０μmの略立方体の小さいものであり１枚のウエハ３１
から約２０，０００個という多数の素子が製作されてい
る。しかし上述の様に、表面電極３２が全数共、プロー
ブに接触され特性検査が行われるために、１枚のウエハ
３１当たり約１時間という長い検査時間を必要とする第
２の欠点がある。故に、本発明はこの様な従来の欠点を
考慮して、表面電極を特性検査用プローブの跡のない平
坦に形成し、かつ特性検査時間が短くて済む発光ダイオ
ード及びその製造方法を提供するものである。
０μmの略立方体の小さいものであり１枚のウエハ３１
から約２０，０００個という多数の素子が製作されてい
る。しかし上述の様に、表面電極３２が全数共、プロー
ブに接触され特性検査が行われるために、１枚のウエハ
３１当たり約１時間という長い検査時間を必要とする第
２の欠点がある。故に、本発明はこの様な従来の欠点を
考慮して、表面電極を特性検査用プローブの跡のない平
坦に形成し、かつ特性検査時間が短くて済む発光ダイオ
ード及びその製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに第１の本発明は、裏面電極と、裏面電極上に形成さ
れた第１導電型層と、その層上に形成された第２導電型
層と、第２導電型層の略中央の表面上に形成された平坦
な表面電極とを備え、特性検査用プローブを接触するた
めのダミー電極を表面電極と離れて第２導電型層の周縁
の表面上に形成するものである。
めに第１の本発明は、裏面電極と、裏面電極上に形成さ
れた第１導電型層と、その層上に形成された第２導電型
層と、第２導電型層の略中央の表面上に形成された平坦
な表面電極とを備え、特性検査用プローブを接触するた
めのダミー電極を表面電極と離れて第２導電型層の周縁
の表面上に形成するものである。
【０００６】そして第２の本発明は、発光接合を有する
ウエハの表面に複数の表面電極を形成し、ウエハの裏面
に裏面電極を形成し、表面電極の隙間にダミー電極を形
成する工程と、ダミー電極とその周囲に位置する複数の
表面電極を囲う様に発光接合より深い切断溝を形成する
工程と、裏面電極に引出し線を接触させダミー電極にプ
ローブを接触させ特性検査を行う工程と、ダミー電極を
分断する様に素子に分割する工程とを設けるものであ
る。
ウエハの表面に複数の表面電極を形成し、ウエハの裏面
に裏面電極を形成し、表面電極の隙間にダミー電極を形
成する工程と、ダミー電極とその周囲に位置する複数の
表面電極を囲う様に発光接合より深い切断溝を形成する
工程と、裏面電極に引出し線を接触させダミー電極にプ
ローブを接触させ特性検査を行う工程と、ダミー電極を
分断する様に素子に分割する工程とを設けるものであ
る。
【０００７】
【作用】上述の様に第１の本発明は、第２導電型層の周
縁の表面上にダミー電極を形成し、特性検査用プローブ
をダミー電極に接触させる事により特性検査が出来る。
そして、表面電極はダミー電極と離れて第２導電型層の
略中央の表面上に形成されるので、表面電極はプローブ
跡が残らず平坦であるから、金属細線との配線の結合度
が十分となる。
縁の表面上にダミー電極を形成し、特性検査用プローブ
をダミー電極に接触させる事により特性検査が出来る。
そして、表面電極はダミー電極と離れて第２導電型層の
略中央の表面上に形成されるので、表面電極はプローブ
跡が残らず平坦であるから、金属細線との配線の結合度
が十分となる。
【０００８】そして第２の本発明は、ダミー電極とその
周囲に位置する複数の表面電極を囲う領域に於て発光接
合より深い切断溝を形成し、ダミー電極にプローブを接
触させ特性検査を行う。故に上述の領域に於て平均して
電流が広がり安定した特性検査が行なえ、かつ複数の表
面電極の代りにダミー電極に接触し特性検査をするの
で、検査時間が短くなる。
周囲に位置する複数の表面電極を囲う領域に於て発光接
合より深い切断溝を形成し、ダミー電極にプローブを接
触させ特性検査を行う。故に上述の領域に於て平均して
電流が広がり安定した特性検査が行なえ、かつ複数の表
面電極の代りにダミー電極に接触し特性検査をするの
で、検査時間が短くなる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１乃至図４に従い
説明する。図１（ａ）は本実施例に係る発光ダイオード
の製造方法を説明するためのウエハの平面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡＡ断面図である。図２（ａ）は
そのウエハを途中の深さまでダイシングした状態を示す
平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢＢ断面図である。
図３（ａ）はそのウエハを完全にダイシングした状態を
示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣＣ断面図であ
る。図４（ａ）はそのウエハから分割された発光ダイオ
ードの平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＥＥ断面図、
図４（ｃ）はその発光ダイオードの裏面図である。
説明する。図１（ａ）は本実施例に係る発光ダイオード
の製造方法を説明するためのウエハの平面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡＡ断面図である。図２（ａ）は
そのウエハを途中の深さまでダイシングした状態を示す
平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢＢ断面図である。
図３（ａ）はそのウエハを完全にダイシングした状態を
示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣＣ断面図であ
る。図４（ａ）はそのウエハから分割された発光ダイオ
ードの平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＥＥ断面図、
図４（ｃ）はその発光ダイオードの裏面図である。
【００１０】最初に図１に示す様に、ウエハ１は例えば
燐化ガリウムからなる半導体基板２上に第１導電型層３
と第２導電型層４が順次エピタキシャル成長されたもの
であり、その間に発光接合５が形成されたものである。
第１および第２導電型層３、４は燐化ガリウムに各々Ｎ
型およびＰ型の不純物が添加されている。裏面電極６は
例えば金を主体とした電極材料からなり、望しくはウエ
ハ１の裏面に、切り出される素子の大きさより細かい網
目をもち相互連接する様に蒸着等にて形成している。
燐化ガリウムからなる半導体基板２上に第１導電型層３
と第２導電型層４が順次エピタキシャル成長されたもの
であり、その間に発光接合５が形成されたものである。
第１および第２導電型層３、４は燐化ガリウムに各々Ｎ
型およびＰ型の不純物が添加されている。裏面電極６は
例えば金を主体とした電極材料からなり、望しくはウエ
ハ１の裏面に、切り出される素子の大きさより細かい網
目をもち相互連接する様に蒸着等にて形成している。
【００１１】表面電極７とダミー電極８とマーク９とマ
ーク１０は例えば共に金を主体とした電極材料からな
り、ウエハ１の表面に、所定のパターンになる様にホト
エッチ法にて蒸着されたものである。表面電極７は例え
ば縦横に各々ピッチ約３５０μmにマトリクス状に配置
され、例えば直径が約１４０μmの円柱状に形成され
る。この図に於て簡単のために、表面電極７は１６個し
か示していないが、実際には約２０，０００個形成され
る。
ーク１０は例えば共に金を主体とした電極材料からな
り、ウエハ１の表面に、所定のパターンになる様にホト
エッチ法にて蒸着されたものである。表面電極７は例え
ば縦横に各々ピッチ約３５０μmにマトリクス状に配置
され、例えば直径が約１４０μmの円柱状に形成され
る。この図に於て簡単のために、表面電極７は１６個し
か示していないが、実際には約２０，０００個形成され
る。
【００１２】ダミー電極８は例えば、隣接する縦２個と
横２個の表面電極７の隙間に位置する様に、望しくはこ
の４個の表面電極７の中心に位置する様に形成され、例
えば直径が約６０〜１００μmの円柱状のものである。
そしてマーク９は上述の縦２個の表面電極７の略中心
と、横２個の表面電極７の略中心に形成される。
横２個の表面電極７の隙間に位置する様に、望しくはこ
の４個の表面電極７の中心に位置する様に形成され、例
えば直径が約６０〜１００μmの円柱状のものである。
そしてマーク９は上述の縦２個の表面電極７の略中心
と、横２個の表面電極７の略中心に形成される。
【００１３】マーク１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄは
各々表面電極７ａの右上、７ｂの右下、７ｃの左上、７
ｄの左下に位置し、クロス状に形成される。この様にマ
ーク１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄに囲れた領域１１
に示されたパターンと同じものが形成される。またダミ
ー電極８とマーク９、１０は各々縦と横に直線状に配置
される。
各々表面電極７ａの右上、７ｂの右下、７ｃの左上、７
ｄの左下に位置し、クロス状に形成される。この様にマ
ーク１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄに囲れた領域１１
に示されたパターンと同じものが形成される。またダミ
ー電極８とマーク９、１０は各々縦と横に直線状に配置
される。
【００１４】次に図２に示す様に、ダミー電極８とその
周囲に位置する４個の表面電極７を囲む様にハーフダイ
シングする。すなわち上述の領域１２を囲む様に、ウエ
ハ１の表面側から発光接合５より深い切断溝１３を形成
する。ウエハ１からなるべく多くの発光ダイオードに分
割するために、切断溝１３の幅は約５０μmと比較的小
さくしている。この様に切断溝１３を設ける事により、
領域１２を各々電気的に独立させている。
周囲に位置する４個の表面電極７を囲む様にハーフダイ
シングする。すなわち上述の領域１２を囲む様に、ウエ
ハ１の表面側から発光接合５より深い切断溝１３を形成
する。ウエハ１からなるべく多くの発光ダイオードに分
割するために、切断溝１３の幅は約５０μmと比較的小
さくしている。この様に切断溝１３を設ける事により、
領域１２を各々電気的に独立させている。
【００１５】そしてウエハ１をシリコンからなる基台１
４の上に導電性ワックス１５を介して固定し、検査機１
６に備わり導電材料からなる引出し線１７をワックス１
５に接触させる。検査機１６に備わるプローブ１８を各
ダミー電極８に接触させ、順方向電圧検査、逆方向漏れ
電流検査、発光輝度検査等の特性検査を行う。
４の上に導電性ワックス１５を介して固定し、検査機１
６に備わり導電材料からなる引出し線１７をワックス１
５に接触させる。検査機１６に備わるプローブ１８を各
ダミー電極８に接触させ、順方向電圧検査、逆方向漏れ
電流検査、発光輝度検査等の特性検査を行う。
【００１６】順方向検査は、１端を引出線１７に接続し
た定電流源１９からプローブ１８を通じてダミー電極８
に一定電流を供給し、引出し線１７とプローブ１８間の
電圧を電圧計２０にて測定し、規格外のものを選び印を
つけるものである。
た定電流源１９からプローブ１８を通じてダミー電極８
に一定電流を供給し、引出し線１７とプローブ１８間の
電圧を電圧計２０にて測定し、規格外のものを選び印を
つけるものである。
【００１７】この様に、電気的に独立した領域１２の略
中心に位置するダミー電極８に通電するので、この領域
１２に於て平均して電流が流れ、安定したかつ確実な特
性検査が行なえ、規格内か規格外かの判定が確実とな
る。また領域１２に於て、４個の表面電極７の代りに１
個のダミー電極８にプローブ１８を接触し特性検査をす
るので、検査時間は従来の約１／４で済む。また、プロ
ーブ１８はダミー電極８に接触させるので、表面電極７
はプローブ跡がなく平坦である。
中心に位置するダミー電極８に通電するので、この領域
１２に於て平均して電流が流れ、安定したかつ確実な特
性検査が行なえ、規格内か規格外かの判定が確実とな
る。また領域１２に於て、４個の表面電極７の代りに１
個のダミー電極８にプローブ１８を接触し特性検査をす
るので、検査時間は従来の約１／４で済む。また、プロ
ーブ１８はダミー電極８に接触させるので、表面電極７
はプローブ跡がなく平坦である。
【００１８】次に図３に示す様に、その表面に接着材が
設けられたシート２１上にウエハ１を載置し、完全にダ
イシングする。すなわち各表面電極７を囲む様に、ウエ
ハ１の表面側からウエハ１の縦と横に切断溝２２を形成
し、ウエハ１を分割し、各発光ダイオード２３を得る。
設けられたシート２１上にウエハ１を載置し、完全にダ
イシングする。すなわち各表面電極７を囲む様に、ウエ
ハ１の表面側からウエハ１の縦と横に切断溝２２を形成
し、ウエハ１を分割し、各発光ダイオード２３を得る。
【００１９】各切断溝２２の幅Ｄが約５０μmと比較的
小さくなる様に完全に切断（フルダイシング）する。ま
た、この切断溝２２の位置は、上述の図２で示した切断
溝１３と同じ位置および隣接する縦方向のマーク９の位
置および隣接する横方向のマーク９の位置と一致する。
小さくなる様に完全に切断（フルダイシング）する。ま
た、この切断溝２２の位置は、上述の図２で示した切断
溝１３と同じ位置および隣接する縦方向のマーク９の位
置および隣接する横方向のマーク９の位置と一致する。
【００２０】そして切断溝２２はダミー電極８を分断す
る様に設けられる。またダミー電極８は切断溝２２の幅
Ｄより少し大きく設けられ、例えば直径が約６０〜１０
０μmに設けられる。何故ならば直径が６０μm未満に形
成すると、プローブ１８をダミー電極８に接触させる時
にダミー電極８の面積が小さすぎるので、接触ミスが起
こり、作業性が著しく低下するからである。従って、ダ
ミー電極８の大きさを切断溝２２の幅Ｄより小さく設け
る事は、上述の作業性の低下の点に於て、好ましくな
い。またダミー電極８の直径が１００μmを越えると、
ウエハ１を分割した発光ダイオード２３に於て、ダミー
電極８の残部が大きくなりすぎるので、輝度分布の歪み
が著しく顕著になるから好ましくない。
る様に設けられる。またダミー電極８は切断溝２２の幅
Ｄより少し大きく設けられ、例えば直径が約６０〜１０
０μmに設けられる。何故ならば直径が６０μm未満に形
成すると、プローブ１８をダミー電極８に接触させる時
にダミー電極８の面積が小さすぎるので、接触ミスが起
こり、作業性が著しく低下するからである。従って、ダ
ミー電極８の大きさを切断溝２２の幅Ｄより小さく設け
る事は、上述の作業性の低下の点に於て、好ましくな
い。またダミー電極８の直径が１００μmを越えると、
ウエハ１を分割した発光ダイオード２３に於て、ダミー
電極８の残部が大きくなりすぎるので、輝度分布の歪み
が著しく顕著になるから好ましくない。
【００２１】そしてシート２１を周辺方向に引き伸ば
し、固定具（図示せず）に固定する。この時ウエハ１か
ら分割された発光ダイオード２３は各々一定間隔をもっ
て整列される。また上述の説明ではフルダイシングして
いたが、ハーフダイシングした後に、ウエハ１の裏面か
らローラで加圧し、発光ダイオードに分割しても良い。
し、固定具（図示せず）に固定する。この時ウエハ１か
ら分割された発光ダイオード２３は各々一定間隔をもっ
て整列される。また上述の説明ではフルダイシングして
いたが、ハーフダイシングした後に、ウエハ１の裏面か
らローラで加圧し、発光ダイオードに分割しても良い。
【００２２】次に、自動ダイボンダー（図示せず）によ
り、発光ダイオード２３がつかみ取られ、それを図４に
示す。この図に於て、裏面電極２４上に半導体基板２５
が設けられ、その上に例えばＮ型の燐化ガリウムからな
る第１導電型層２６が形成され、その上にＰ型の燐化ガ
リウムからなる第２導電型層２７が形成されている。
り、発光ダイオード２３がつかみ取られ、それを図４に
示す。この図に於て、裏面電極２４上に半導体基板２５
が設けられ、その上に例えばＮ型の燐化ガリウムからな
る第１導電型層２６が形成され、その上にＰ型の燐化ガ
リウムからなる第２導電型層２７が形成されている。
【００２３】表面電極７が第２導電型層２７の略中央の
表面上に形成され、ダミー電極８の残部２８が表面電極
７と離れる様に、第２導電型層２７の周縁の表面上に形
成され、発光ダイオード２３が構成されている。
表面上に形成され、ダミー電極８の残部２８が表面電極
７と離れる様に、第２導電型層２７の周縁の表面上に形
成され、発光ダイオード２３が構成されている。
【００２４】上述の様に、ダミー電極８の大きさを切断
溝２２の幅Ｄより大きくする事により、プローブ１８を
ダミー電極８に確実に接触させる事が出来るが、表面に
ダミー電極の残部２８が形成される事になる。しかしこ
の残部２８の長さＦは５〜２５μmであるので、この程
度ならば輝度分布が殆んど歪まない。また図に於て斜線
を施こされた裏面電極２４は、望しくは例えば略蜂の巣
状をなし、切り出される素子の大きさより細かい網目を
もち相互連接する様に形成されている。
溝２２の幅Ｄより大きくする事により、プローブ１８を
ダミー電極８に確実に接触させる事が出来るが、表面に
ダミー電極の残部２８が形成される事になる。しかしこ
の残部２８の長さＦは５〜２５μmであるので、この程
度ならば輝度分布が殆んど歪まない。また図に於て斜線
を施こされた裏面電極２４は、望しくは例えば略蜂の巣
状をなし、切り出される素子の大きさより細かい網目を
もち相互連接する様に形成されている。
【００２５】なお上述の説明では、１個のダミー電極８
の周囲に４個の表面電極を設けたが本発明はこれに限定
される事なく、１個のダミー電極の周囲に複数の任意の
表面電極を設けても良い。またウエハの材料も燐化ガリ
ウムに限定される事なく、他の発光材料も用いる事が出
来る。また表面電極や裏面電極やダミー電極の形状も円
形や蜂の巣状に限定される事なく、他の任意の形状でも
良い。
の周囲に４個の表面電極を設けたが本発明はこれに限定
される事なく、１個のダミー電極の周囲に複数の任意の
表面電極を設けても良い。またウエハの材料も燐化ガリ
ウムに限定される事なく、他の発光材料も用いる事が出
来る。また表面電極や裏面電極やダミー電極の形状も円
形や蜂の巣状に限定される事なく、他の任意の形状でも
良い。
【００２６】
【発明の効果】上述の様に第１の本発明は、第２導電型
層の周縁の表面上にダミー電極を形成し、特性検査用プ
ローブをダミー電極に接触させる事により特性検査が出
来る。そして、表面電極はダミー電極と離れて第２導電
型層の略中央の表面上に形成されるので、表面電極はプ
ローブ跡が残らず平坦であるから、金属細線との配線の
結合度が十分となる。
層の周縁の表面上にダミー電極を形成し、特性検査用プ
ローブをダミー電極に接触させる事により特性検査が出
来る。そして、表面電極はダミー電極と離れて第２導電
型層の略中央の表面上に形成されるので、表面電極はプ
ローブ跡が残らず平坦であるから、金属細線との配線の
結合度が十分となる。
【００２７】また第２の本発明は、ダミー電極とその周
囲に位置する複数の表面電極を囲う領域に於て、発光接
合より深い切断溝を形成し、ダミー電極にプローブを接
触させ特性検査を行う。故に、上述の領域に於て平均し
て電流が広がり安定した特性検査が行なえ、かつ複数の
表面電極の代りにダミー電極に接触し特性検査を行うの
で、検査時間が短くなる。
囲に位置する複数の表面電極を囲う領域に於て、発光接
合より深い切断溝を形成し、ダミー電極にプローブを接
触させ特性検査を行う。故に、上述の領域に於て平均し
て電流が広がり安定した特性検査が行なえ、かつ複数の
表面電極の代りにダミー電極に接触し特性検査を行うの
で、検査時間が短くなる。
【図１】図１（ａ）は本発明の実施例に係る発光ダイオ
ードの製造方法を説明するためのウエハの平面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡＡ断面図である。
ードの製造方法を説明するためのウエハの平面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡＡ断面図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の実施例に係る発光ダイオ
ードの製造方法を説明するためのものであり、ウエハを
途中の深さまでダイシングした状態を示す平面図、図２
（ｂ）は図２（ａ）のＢＢ断面図である。
ードの製造方法を説明するためのものであり、ウエハを
途中の深さまでダイシングした状態を示す平面図、図２
（ｂ）は図２（ａ）のＢＢ断面図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の実施例に係る発光ダイオ
ードの製造方法を説明するためのものであり、ウエハを
完全にダイシングした状態を示す平面図、図３（ｂ）は
図３（ａ）のＣＣ断面図である。
ードの製造方法を説明するためのものであり、ウエハを
完全にダイシングした状態を示す平面図、図３（ｂ）は
図３（ａ）のＣＣ断面図である。
【図４】図４（ａ）は本発明の実施例に係る発光ダイオ
ードの平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＥＥ断面図、
図４（ｃ）はその発光ダイオードの裏面図である。
ードの平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＥＥ断面図、
図４（ｃ）はその発光ダイオードの裏面図である。
【図５】従来の発光ダイオードを素子分割される前のウ
エハの平面図である。
エハの平面図である。
７ 表面電極 ８ ダミー電極 ２４ 裏面電極 ２６ 第１導電型層 ２７ 第２導電型層
Claims (2)
- 【請求項１】 裏面電極と、その裏面電極上に形成され
た第１導電型層と、その層上に形成された第２導電型層
と、その第２導電型層の略中央の表面上に形成された平
坦な表面電極とを備え、特性検査用プローブを接触する
ためのダミー電極が前記表面電極と離れて前記第２導電
型層の周縁の表面上に形成された事を特徴とする発光ダ
イオード。 - 【請求項２】 発光接合を有するウエハの表面に複数の
表面電極を形成し、そのウエハの裏面に裏面電極を形成
し、前記表面電極の隙間にダミー電極を形成する工程
と、前記ダミー電極とその周囲に位置する複数の前記表
面電極を囲う様に前記発光接合より深い切断溝を形成す
る工程と、前記裏面電極に引出し線を接触させ前記ダミ
ー電極にプローブを接触させ特性検査を行う工程と、前
記ダミー電極を分断する様に素子に分割する工程とを具
備した事を特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229094A JPH07302930A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229094A JPH07302930A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302930A true JPH07302930A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14050288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9229094A Pending JPH07302930A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302930A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-04-28 JP JP9229094A patent/JPH07302930A/ja active Pending
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