JP4616491B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4616491B2 JP4616491B2 JP2001081474A JP2001081474A JP4616491B2 JP 4616491 B2 JP4616491 B2 JP 4616491B2 JP 2001081474 A JP2001081474 A JP 2001081474A JP 2001081474 A JP2001081474 A JP 2001081474A JP 4616491 B2 JP4616491 B2 JP 4616491B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- electrode
- semiconductor light
- layer
- gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード(LED)及びレーザダイオード等に用いられるものであり、一般式InX AlY Ga1-X-Y N(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1)で表される窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
GaN系化合物半導体は、従来、困難であった青色発光を実現した発光ダイオードの材料である。近年、このGaN系化合物半導体を用いた発光素子の生産性の向上及び発光効率の向上を図るべく種々の研究がなされており、例えば、発光効率を向上させる技術が特許第2748818号公報に開示されている。
図12は、そのGaN系化合物半導体発光素子を示す平面図、図13はそのXIII-XIII 線断面図であり、図中、21はサファイアからなる基板である。
このGaN系化合物半導体発光素子においては、基板21上にn型GaN化合物半導体層22、活性層23、及びp型GaN化合物半導体層24がこの順に積層されている。p電極26は、金属薄膜25を介しp型GaN化合物半導体層24上に形成されている。n電極28は、p型GaN化合物半導体層24及び活性層23をエッチング等により除去して露出させたn型GaN化合物半導体22上に形成されている。p電極26及びn電極28以外の部分には、保護膜29が形成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
基板21上に結晶成長したGaN系化合物半導体は、他の半導体と比較して、表面に凹凸ができやすく、金属薄膜25を介しp型GaN化合物半導体層24上に形成されたp電極26、及びn型GaN化合物半導体層22上に形成されたn電極28は、下層のGaN化合物半導体層の影響を受けて、表面に凹凸ができやすい。従って、基板21に対して垂直に入射した光は、p電極26及びn電極28において乱反射し、垂直方向に反射するものが少なくなる。
【0004】
このGaN化合物半導体発光素子を用いてLEDランプ等を作製する場合、ウエハをチップに分割した後、リードフレーム等にダイボンディングするとき、又はワイヤボンディングするときに、一般にはチップをテレビカメラで撮影した画像について電算機処理等により画像認識を行い、チップ上のワイヤボンディング用金属電極であるp電極26及びn電極28のうちのいずれか1つ又は複数を認識用ランドとして用いて、このチップの位置及び向き等を認識し、又は認識用ランドの位置のみを認識し、自動で組立を行っている。
通常、カメラの光軸は、チップの基板に対し略垂直に設定されており、チップ照明用光源として、撮影用レンズに同軸照明用機能を有したものを用いてチップに対し垂直な方向から照明を行うか、又は、撮影用レンズの先端付近にリング状照明用具を設置し、カメラの光軸とは少しずれるが、基板21に略垂直な方向から照明を行っている。
いずれの場合にしても、このような照明及び撮影を行った場合、表面に凹凸があるp電極26及びn電極28において、照明光が乱反射し、カメラ側に垂直に反射する率が低くなるので、p電極26及びn電極28以外の部分とのコントラストが低下し、自動認識をする場合に誤認識をしたり、認識不能になるという問題があった。
【0005】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、GaN系化合物半導体層の一部を除去して露出させた基板の表面上に、又は平滑膜を介した前記表面上に認識用ランドを形成することにより、テレビカメラで撮影するときに、照明光がこの認識用ランド上で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置により認識用ランドの位置を正確かつ確実に認識することができ、生産性高くLEDランプ等を組み立てることができるGaN系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【0006】
また、本発明は、認識用ランドの少なくとも表面を金属から構成することにより、種々の波長の光を反射させることができ、広い波長域で画像認識を実施することができ、汎用性が高いGaN系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【0007】
そして、本発明は、テストプロービング用電極が認識用ランドを兼ねることにより、素子の表面を有効利用することができるGaN系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
第1発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成してあり、組み立て時に目印とするための認識用ランドを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記認識用ランドは、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去して露出させた前記基板の表面上に形成してあり、表面又は全部が金属膜からなり、電流を供給して素子の電気的及び光学的特性を測定するための、又は電圧及び電流を測定するための1若しくは複数のテストプロービング用電極であることを特徴とする。
【0009】
第2発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、第1発明において、前記認識用ランドが、SiO 2 、SiN、SiON、及びポリイミドからなる群から選択される化合物を含むパッシベーション膜を介して前記表面上に形成してあることを特徴とする。
【0010】
第1発明及び第2発明においては、認識用ランドが平滑な表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、素子をテレビカメラで撮影するときに、照射光がこの認識用ランド上で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置により認識用ランド、素子の位置及び向きを正確かつ確実に認識して、生産性高くLEDランプ等を組み立てることができる。
【0011】
画像認識のために用いられる照明用光源及び撮影用カメラが特定される場合であって、画像認識のために狭い波長域しか使用されないとき、例えば赤色及び赤外線のLEDで照明を行い、その波長につき感度が高いテレビカメラで撮影を行うときは、認識用ランドの厚さを選択し、又は認識用ランドを多層構造にして光の干渉により、その波長で反射率が高くなるようにすればよいが、組み立て装置が特定できない場合、汎用性を持たせたい場合、白色光源で照明し、カメラの高感度波長域が広い場合等には、認識用ランドが種々の波長で反射率が高い金属から構成するのが好ましい。
本発明においては、認識用ランドの少なくとも表面に金属膜を含むので、種々の波長の光を反射させることができ、広い波長域で画像認識を実施することができ、汎用性が高い。
【0014】
本発明においては、テストプロービング用電極が認識用ランドを兼ねているので、素子の表面を有効利用することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す平面図、図2はそのII−II線断面図であり、図中、1はサファイアからなる基板である。
このGaN系化合物半導体発光素子においては、基板1上にn型GaN層2、活性層3、p型GaN層4、及び電流拡散層5がこの順に積層されている。電流拡散層5上には、p電極6が形成されており、電流拡散層5、p型GaN層4、活性層3及びn型GaN層2をエッチングにより除去して得られたn電極形成孔7には、n電極8が形成されている。
【0016】
図3及び図4は、実施の形態1に係るGaN系化合物半導体素子の製造工程を示す断面図である。
まず、減圧MOCVD(有機金属気相成長)装置内に基板1を設置し、水素を供給しながら基板1を1050℃に加温してサーマルクリーニングを施す。次に、基板1の温度を510℃まで降下させ、窒素及び水素をキャリアガスとしてアンモニア、トリメチルアルミニウムを供給し、基板1上に低温AlNバッファ層を略20nmの厚さに成膜する。
その後、基板1の温度を略1000℃に上昇させて前記キャリアガスを用いてアンモニア、トリメチルガリウムを流す。このとき同時にn型ドーパントとしてのSiを用いてn型GaNであるSiドープGaN層(以下、n型GaN層2という)を略1.2μmの厚さに成長させる。
【0017】
次に、トリメチルインジウムを断続的に流しつつ、n型GaNとn型InGaNとのMQW(多重量子井戸)からなる活性層3をn型GaN層2の上に略40nmの厚さに成膜する。
次に、Mgをドーパントとしてp型AlNからなるキャップ層を活性層3上に略0.1μmの厚さに成長させる。さらに、キャップ層の上にp型AlGaInN層を略0.1μmの厚さに成長させ、その上にGaInN層を略10nmの厚さに成長させる(図3(a))。以下、p型AlN層、p型AlGaInN層及びGaInN層を総称してp型GaN層4という。
【0018】
その後、基板1の温度を略800℃に降下させ、減圧MOCVD装置内の圧力を略7kPaにし、同時に、減圧MOCVD装置内の雰囲気をアンモニア等の水素原子を含む混合ガスの雰囲気から窒素ガスのみの雰囲気に切り替える。
そして、キャリアガスとして窒素ガスを用いてトリメチルジンクを流し、上述のようにして得られたLED構造ウエハ上にZn膜を数nmの厚さに形成する。
その後、窒素ガスのみを流した状態で、基板1の温度を100℃以下まで低下させ、ウエハを減圧MOCVD装置から取り出す。そして、ウエハの表面に形成したZn膜を硫酸(30wt%,60℃)によりエッチングして取り除く。
【0019】
次に、ウエハを真空蒸着装置に入れ、ITO(SnO2 を10%含む)を電子銃で加熱、蒸発させて略10nmの厚さのITO(SnO2 を10%含む)膜を形成すると共に、スパッタリング装置により略500nmの厚さのITO膜を形成する(図3(b))。以下、これらのITO膜を電流拡散層5という。
電流拡散層5上に、n電極形成用穴9aを有したエッチングマスク9を形成する(図3(c))。
【0020】
次に、臭化水素を用いたドライエッチングにより電流拡散層5をエッチングし、引続きガスを塩素に変えてn型GaN層2が露出するまでエッチングを行う。これによりn電極形成孔7が形成される(図3(d))。
【0021】
次に、エッチングマスク9を除去し、先にエッチングマスク9を形成していた部分の略全体と、n電極形成孔7とにエッチングマスク10を形成する。マスク材としてノボラック樹脂系のフォトレジスト、並びにポリイミド及びポリアミド系樹脂を用い、成膜及びフォトリソグラフィーの条件を調整することにより、電流拡散層5上に形成するエッチングマスクの外縁部に傾斜を付ける。エッチングマスク10は、n電極形成孔7においては、その側面部から底部にかけて形成されており、所定円形面積分、n型GaN層2が露出するように、テーパ状に形成されている(図4(e))。
【0022】
次に、基板1が露出するまで、塩素によりドライエッチングを行う(図4(f))。これにより、n電極形成孔7の下側にテーパ状の底部7aが形成される。このとき、エッチングマスク10自体も塩素によりエッチングされるが、外縁部が傾斜しているので、エッチングマスク10の層厚が薄い部分はエッチングマスク10がなくなり、下層の電流拡散層5及びp型GaN層4の一部もエッチングされる。従って、電流拡散層5は外縁部が傾斜する。また、この際、塩素プラズマによるドライエッチングでは、GaN系半導体に比べてサファイアのエッチングレートは非常に遅く、ほとんどエッチングされないため、選択エッチングが可能であり、GaN系半導体層を過剰にエッチングすることにより、結晶成長前と同様に平滑なサファイア基板の表面を露出させることが可能である。
【0023】
残存しているエッチングマスク10を除去する(図4(g))。
次に、電流拡散層5上にp電極6を形成し、n電極形成孔7にn電極8を形成する。これらの電極はリフトオフ法により、真空蒸着で、Tiを100nm、Ptを20nm、Auを1μm蒸着させて同時に形成する(図4(h))。
最後に、基板1の裏面を研削、研磨し、ウエハをチップ毎に分離して、発光素子を得る。
【0024】
以上のようにして製造されたGaN系化合物半導体発光素子は、n電極8が平滑な基板1の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、素子をテレビカメラで撮影するときに、照明用光源から出射した光がこのn電極8上で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置によりn電極8の位置、素子の位置及び向きを正確かつ確実に認識することができ、生産性高くLEDランプ等を組み立てることができる。
n電極8は、各素子に必須の構成要素であり、その機能上、或る程度大きな面積を占有することが許容されるので、これが認識用ランドを兼ねる場合、素子の表面を有効利用することができるとともに、より確実に画像認識を行うことができる。
また、n電極8は金属からなり、金属は種々の波長の光を反射させることができるので、照明光の波長及び撮影カメラの高感度波長域が制限されず、汎用性が高い。
【0025】
実施の形態2.
図5は、実施の形態2に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す平面図、図6はそのVI−VI線断面図であり、図中、図1及び図2と同一部分は同一符号を付してある。
この実施の形態2に係るGaN系化合物半導体発光素子においては、p電極6は、n型GaN層2、活性層3、p型GaN層4及び電流拡散層5の側面と接触しないようにポリイミド等からなる絶縁膜11を介在させた状態で、基板1上に形成されている。p電極6は、絶縁膜11の一端部を覆う状態で、電流拡散層5上に延設してある。
【0026】
この実施の形態2に係るGaN系化合物半導体発光素子の製造工程は、実施の形態1に係るGaN系化合物半導体発光素子の製造工程と、図4(g)の工程まで同一である。その後の製造工程を図7に示す。
絶縁膜11の一端を基板1に固着させ、n型GaN層2、活性層3、p型GaN層4及び電流拡散層5の各側面に当接させた状態で、他端を電流拡散層5上に固着させる(図7(i))。この絶縁膜11により、後述するp電極6がp型GaN層4の側面と接して短絡するのが防止される。
【0027】
次に、基板1上に、その側部が絶縁膜11を覆う状態でp電極6を形成し、n電極形成孔7にn電極8を形成する。これらの電極はリフトオフ法により、真空蒸着で、Tiを100nm、Ptを20nm、Auを1μm蒸着させて同時に形成する(図7(j))。
最後に、基板1の裏面を研削、研磨し、ウエハをチップ毎に分離して、発光素子を完成する。
【0028】
この実施の形態2に係るGaN系化合物半導体発光素子においては、基板1上に形成されたp電極6を電流拡散層5と電気的に接続する必要があり、垂直に近い断面に沿って配線する場合はうまくつながらなかったり、後から断線する虞があるので、電流拡散層5の外縁部を傾斜させている。
そして、p電極6及びn電極8の両方が平滑な基板1の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、いずれの電極を画像認識のために用いても正確に画像認識を実施することができ、両方を用いた場合は、素子の位置及び向きをより正確に把握することができる。
【0029】
実施の形態3.
図8は、実施の形態3に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す断面図であり、図中、図2と同一部分は同一符号を付してある。
この実施の形態3に係るGaN系化合物半導体発光素子においては、p電極6は、n型GaN層2、活性層3、p型GaN層4及び電流拡散層5の側面と接触しないように絶縁膜11を介在させて、基板1上に形成されている。n電極8は、電流拡散層5、p型GaN層4、活性層3及びn型GaN層2の一部をエッチングにより除去して得られたn電極形成孔7に形成されている。
【0030】
この実施の形態3に係るGaN系化合物半導体発光素子においては、p電極6が平滑な基板1の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、これを画像認識のために用いた場合、正確に画像認識を実施することができる。
【0031】
実施の形態4.
図9は、実施の形態4に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す断面図である。
このGaN系化合物半導体発光素子においては、基板1上にn型GaN層2、活性層3、及びp型GaN層4がこの順に形成されている。p電極6は、金属薄膜15を介しp型GaN層4上に形成されている。n電極8は、p型GaN層4及び活性層3をエッチング等により除去して露出させたn型GaN層2上に形成されている。p電極6及びn電極8が形成されている部分以外の部分には、保護膜12が形成されている。
このGaN化合物半導体素子においては、アライメントマーク13が、露出している基板1の端部に直接形成されている。
【0032】
この実施の形態4に係るGaN系化合物半導体発光素子においては、アライメントマーク13が平滑な基板1の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、これを画像認識のために用いた場合、別途の認識用ランドを設けることなく素子の表面を有効利用することができるとともに、照明光源から出射した光が略垂直にテレビカメラ側に反射し、正確に画像認識を行うことができる。
【0033】
実施の形態5.
図10は、実施の形態5に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す平面図、図11はそのXI−XI線断面図であり、図中、図9と同一部分は同一符号を付してある。
このGaN系化合物半導体発光素子においては、n型GaN層2の一角に、その側面をn型GaN層2の側面に沿わせた状態で、テストプロービング用電極14が形成されている。このテストプロービング用電極14は、n電極8と同時に形成される。
【0034】
テストプロービング用電極14は2種類あり、第1のテストプロービング用電極14は、p電極6及びn電極8であるワイヤボンディング用電極にプローブの接触痕を残したくない場合であって、接触痕がボンディング不良の原因となるので、本来のワイヤボンディング用電極と電気的に等価な電極をp,n各1個ずつ追加して設けるものである。p,n各々につきオーミックコンタクト部が共通で、電気的に接続されたボンディング用パッドとプロービング用パッドとがあればよく、ボンディング用パッドの表面積を広げて、ボンディングに使用しない端部をプローブ用に使用することにしてもよい。
【0035】
第2のテストプロービング用電極14は、p,n各1個の電極だけでは測定できない特性の評価を行う場合であって、ワイヤボンディング用のn電極8とは独立したn型オーミックコンタクトを有するn電極、ワイヤボンディング用のp電極6とは独立したp型オーミックコンタクトを有するp電極を設けるものである。例えばI−V特性の不良時に、結晶膜の不良及び電極の不良のいずれであるかを判定するときに、独立したn型オーミックコンタクトを有する2つのn電極間のI−V特性を評価することにより、ワイヤボンディング用のn電極8の状態を調べることができる。
テストプロービング用電極14としてp電極及びn電極の両方を作製した場合は、p電極6及びn電極8の両方の状態を調べることができるが、素子の表面に設ける制約上、一方の電極のみを作製することもある。
【0036】
実施の形態5においては、テストプロービング用電極14が上述した第2のテストプロービング用電極14であり、n電極のみを形成した場合につき説明している。
この実施の形態5に係るGaN系化合物半導体発光素子においては、テストプロービング用電極14は平滑な基板1の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、これを画像認識のために用いた場合、別途の認識用ランドを設けることなく素子の表面を有効利用することができるとともに、照明光源から出射した光が略垂直にテレビカメラ側に反射し、正確に画像認識を行うことができる。
【0037】
以上のように、本実施の形態のGaN系化合物半導体発光素子においては、認識用ランドを兼ねるワイヤボンディング用電極、アライメントマーク13及びテストプロービング用電極14が基板1の表面に形成されており、その表面が平滑であるので、素子をLEDランプ及びレーザダイオード等に組み込むためにテレビカメラで撮影するときに、照射光がこのワイヤボンディング用電極等の表面で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置により認識用ランド、素子の位置及び向きを正確かつ確実に認識して、生産性高くLEDランプ等を組み立てることができる。
【0038】
なお、前記実施の形態においては、ワイヤボンディング用電極、アライメントマーク13及びテストプロービング用電極14が認識用ランドを兼ねる場合につき説明しているがこれに限定されるものではなく、独立した認識用ランドを基板1の表面上に形成することにしてもよい。
【0039】
そして、前記実施の形態においては、認識用ランドを基板1の表面上に直接形成する場合につき説明しているがこれに限定されるものではなく、基板1の表面に半導体層の保護に用いるパッシベーション膜を形成した上に認識用ランドを形成することにしてもよい。この膜の材料としてはSiO2 、SiN及びSiON等の無機誘電体、ポリイミド等の有機化合物があり、前者はCVD及びスパッタリング等により成膜し、後者はスピンコート後、焼結して成膜する。他にもpn接合を短絡せず、基板1の平滑さを確保できるものであればよい。
【0040】
さらに、前記実施の形態においては、認識用ランドを単層の金属膜から構成した場合につき説明しているがこれに限定されるものではなく、用途に応じて、認識用ランドの表面のみに金属膜を有することにしてもよい。
また、画像認識のために狭い波長域しか使用されない場合、認識用ランドを単層又は多層構造の誘電体膜から構成して、光の干渉によりその波長域で反射率が高くなるようにしてもよい。汎用性を持たせたい場合は、認識用ランドを種々の波長において反射率が高い金属から構成するのが好ましい。
【0041】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明による場合は、認識用ランドが平滑な表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、素子をテレビカメラで撮影するときに、照射光がこの認識用ランド上で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置により認識用ランド、素子の位置及び向きを正確かつ確実に認識して、生産性高くLEDランプ等を組み立てることができる。
【0042】
本発明による場合は、認識用ランドの少なくとも表面が金属からなるので、種々の波長の光を反射させることができ、広い波長域で画像認識を実施することができ、汎用性が高い。
【0045】
本発明による場合は、テストプロービング用電極が認識用ランドを兼ねているので、素子の表面を有効利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す平面図である。
【図2】図1のII−II線断面図である。
【図3】本発明の実施の形態1に係るGaN系化合物半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態1に係るGaN系化合物半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。
【図5】本発明の実施の形態2に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す平面図である。
【図6】図5のVI−VI線断面図である。
【図7】本発明の実施の形態2に係るGaN系化合物半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。
【図8】本発明の実施の形態3に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す断面図である。
【図9】本発明の実施の形態4に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す断面図である。
【図10】本発明の実施の形態5に係るGaN系化合物半導体発光素子を示す平面図である。
【図11】図10のXI−XI線断面図である。
【図12】従来のGaN系化合物半導体発光素子を示す平面図である。
【図13】図12のXIII−XIII線断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 n型GaN層
3 活性層
4 p型GaN層
5 電流拡散層
6 p電極
8 n電極
13 アライメントマーク
14 テストプロービング用電極
Claims (2)
- サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成してあり、組み立て時に目印とするための認識用ランドを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
前記認識用ランドは、
前記窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去して露出させた前記基板の表面上に形成してあり、
表面又は全部が金属膜からなり、
電流を供給して素子の電気的及び光学的特性を測定するための、又は電圧及び電流を測定するための1若しくは複数のテストプロービング用電極であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 前記認識用ランドは、SiO 2 、SiN、SiON、及びポリイミドからなる群から選択される化合物を含むパッシベーション膜を介して前記表面上に形成してある請求項1記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001081474A JP4616491B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001081474A JP4616491B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002280618A JP2002280618A (ja) | 2002-09-27 |
JP4616491B2 true JP4616491B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=18937581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001081474A Expired - Fee Related JP4616491B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4616491B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6828596B2 (en) | 2002-06-13 | 2004-12-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices |
JP2006120882A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2007059759A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
KR100635157B1 (ko) * | 2005-09-09 | 2006-10-17 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
JP5232971B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2013-07-10 | 豊田合成株式会社 | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
JP2007299934A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Showa Denko Kk | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
CN102983248B (zh) | 2006-06-02 | 2017-11-14 | 日立化成株式会社 | 光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置 |
JP2008060286A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
FI121902B (fi) | 2007-06-20 | 2011-05-31 | Optogan Oy | Valoa säteilevä diodi |
JP2010040937A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置 |
JP5304563B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2013-10-02 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
US8728843B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-05-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same |
JP6443198B2 (ja) | 2014-04-25 | 2018-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07302930A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JPH11274561A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Univ Shizuoka | 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス |
JP2000058918A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2001053388A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-03-21 JP JP2001081474A patent/JP4616491B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07302930A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JPH11274561A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Univ Shizuoka | 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス |
JP2000058918A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2001053388A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002280618A (ja) | 2002-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5369289A (en) | Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and method for making the same | |
US7423284B2 (en) | Light emitting device, method for making the same, and nitride semiconductor substrate | |
US8384091B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
US5557115A (en) | Light emitting semiconductor device with sub-mount | |
KR101289541B1 (ko) | P 형 질화물 발광 소자를 위한 초박형 오믹 콘택 및 그의 형성 방법 | |
US8507935B2 (en) | Light emitting element and light emitting device | |
JP4616491B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
US7491974B2 (en) | Light-emitting device | |
US9450017B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
CN104332482A (zh) | 发光器件 | |
US8829538B2 (en) | Light emitting device package | |
JP2010098068A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ | |
US20170335186A1 (en) | Fluorescent composition, a light emitting element package comprising same, and an illuminating device | |
KR20130097363A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
US7056756B2 (en) | Nitride semiconductor laser device and fabricating method thereof | |
US20050127374A1 (en) | Light-emitting device and forming method thereof | |
US20220384397A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
KR100646635B1 (ko) | 복수 셀의 단일 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
KR20180015496A (ko) | 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치 | |
KR20160029942A (ko) | 반도체 발광소자 | |
KR100762093B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 패키지 제조방법 | |
KR20160106151A (ko) | 성형된 기판을 갖는 반도체 발광 디바이스 및 그 제조 방법 | |
KR20190023765A (ko) | 반도체소자 및 반도체소자 패키지 | |
KR20110127936A (ko) | 반도체 발광소자 | |
KR102170219B1 (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100518 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20100623 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100720 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100723 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |