KR100635157B1 - 질화물계 반도체 발광소자 - Google Patents
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Claims (12)
- 기판;상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극; 및상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고,상기 p형 전극과 상기 n형 전극은, 오믹접촉층과 알루미늄 또는 은을 함유하는 화합물층 및 열화방지층이 순차 적층되어 있는 다층 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- n형 전극;상기 n형 전극 하면에 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 하면에 형성된 활성층;상기 활성층 하면에 형성된 p형 질화물 반도체층;상기 p형 질화물 반도체층 하면에 형성된 p형 전극; 및상기 p형 전극 하면에 형성된 구조지지층을 포함하고,상기 p형 전극과 상기 n형 전극은, 인접한 질화물 반도체층의 표면으로부터 오믹접촉층과 알루미늄 또는 은을 함유하는 화합물층 및 열화방지층이 순차 적층되어 있는 다층 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 p형 질화물 반도체층과 상기 p형 전극 사이의 계면에 전류확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 질화물계 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 오믹접촉층은, Cr 또는 Cr을 함유하는 화합물층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제4항에 있어서,상기 오믹접촉층은, 1Å~200Å 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 알루미늄 또는 은을 함유하는 화합물층은 Cu, Si, W, Mo, Co 및 Ni로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 금속 첨가물이 부가된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제6항에 있어서,상기 알루미늄 또는 은을 함유하는 화합물층은 500Å~20,000Å 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 열화방지층은 Ti, Ni, Mo, Pt, Pd, Rh 및 Ru로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 내열성 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제8항에 있어서,상기 열화방지층은 50Å~10,000Å 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 p형 전극 및 상기 n형 전극은, 상기 열화방치층 상에 형성되어 있는 산화방지층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제10항에 있어서,상기 산화방지층은, Ti, Ni, Mo, Pt, Pd, Rh 및 Ru로 이루어진 그룹 중 상기 열화방지층에 사용되지 않은 원소의 조합 및 그들을 포함하는 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제10항에 있어서,상기 산화방지층은 50Å~10,000Å 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
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