TW202044616A - 半導體發光元件以及半導體發光元件的製造方法 - Google Patents

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稲津哲彦
丹羽紀隆
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日商日機裝股份有限公司
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本發明的目的是提升半導體發光元件的可靠性。本發明的半導體發光元件10係具有：n型半導體層24；活性層26，係設置於n型半導體層24上的第一區域；p型半導體層30，係設置於活性層26上；第一覆蓋層34，係由氧化鋁(Al2 O3 )所構成，且以覆蓋與n型半導體層24上的第一區域不同的第二區域、活性層26的側面以及p型半導體層30的方式設置；n側接觸電極36，係貫通第一覆蓋層34且接觸n型半導體層24；p側接觸電極40，係貫通第一覆蓋層34且接觸p型半導體層30；以及第二覆蓋層44，係以覆蓋第一覆蓋層34、n側接觸電極36以及p側接觸電極40的方式設置。

Description

半導體發光元件以及半導體發光元件的製造方法
本發明係有關於一種半導體發光元件以及半導體發光元件的製造方法。
深紫外光用的發光元件係具有於基板上依序積層的氮化鋁鎵(AlGaN)系的n型被覆層(n-type clad layer)、活性層以及p型被覆層。於藉由蝕刻露出的n型被覆層之一部分的區域上形成n側電極，於p型被覆層上形成p側電極。於n側電極以及p側電極上設置氧化矽(SiO2 )或氧化鋁(Al2 O3 )等的保護絕緣膜(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第5985782號公報。
[發明所欲解決之課題]
較佳為能更合適地覆蓋發光元件的表面。
本發明係有鑑於上述課題而研發，本發明的例示性目的之一為提升半導體發光元件的可靠性。 [用以解決課題之手段]
本發明之一態樣的半導體發光元件係具有：n型半導體層，係n型氮化鋁鎵(AlGaN)系半導體材料且設置於基板上；活性層，係AlGaN系半導體材料且設置於n型半導體層上的第一區域；p型半導體層，係p型AlGaN系半導體材料且設置於活性層上；第一覆蓋層，係由氧化鋁(Al2 O3 )所構成，且以覆蓋與n型半導體層上的第一區域不同的第二區域、活性層的側面以及p型半導體層的方式設置；n側接觸電極，係貫通第一覆蓋層且接觸n型半導體層；p側接觸電極，係貫通第一覆蓋層且接觸p型半導體層；第二覆蓋層，係以覆蓋第一覆蓋層、n側接觸電極以及p側接觸電極的方式設置；n側墊電極，係貫通第二覆蓋層且與n側接觸電極連接；以及p側墊電極，係貫通第二覆蓋層且與p側接觸電極連接。
依據該態樣，由於以AlGaN系半導體材料所構成的n型半導體層、活性層以及p型半導體層被耐濕性優的氧化鋁(Al2 O3 )覆蓋，故可更合適地覆蓋這些半導體層的表面。進一步地，設置將第一覆蓋層、n側接觸電極以及p側接觸電極進一步覆蓋的第二覆蓋層，藉此可保護第一覆蓋層並且將接觸電極的表面合適地覆蓋。藉此，能提供可靠性高的半導體發光元件。
亦可為進一步具有：第三覆蓋層，係由氧化鋁(Al2 O3 )所構成，且以覆蓋基板的表面、第二覆蓋層、n側墊電極的側面以及p側墊電極的側面之各自的至少一部分的方式設置。
亦可為進一步具有：安裝基板，係包含與n側墊電極連接的n側安裝電極以及與p側墊電極連接的p側安裝電極。亦可為第三覆蓋層係進一步以覆蓋安裝基板的表面的至少一部分的方式設置。
第一覆蓋層所含的氫的濃度係較第三覆蓋層所含的氫的濃度還低。
亦可為進一步具有：保護絕緣層，係由氧化矽(SiO2 )或氮氧化矽(SiON)所構成且設置於p型半導體層與第一覆蓋層之間。
亦可為n型半導體層係氮化鋁(AlN)的莫耳分率為20%以上，活性層係以發出波長350nm以下的紫外光的方式所構成。
本發明之另一態樣係半導體發光元件的製造方法。該半導體發光元件的製造方法係具有：於基板上依序積層以下各層的步驟：n型半導體層，係n型氮化鋁鎵(AlGaN)系半導體材料；活性層，係n型半導體層上的AlGaN系半導體材料；以及p型半導體層，係活性層上的p型AlGaN系半導體材料；以露出n型半導體層的一部分的方式去除p型半導體層的一部分、活性層的一部分以及n型半導體層的一部分的步驟；以覆蓋n型半導體層的露出區域上、活性層的側面以及p型半導體層的方式形成由氧化鋁(Al2 O3 )所構成的第一覆蓋層的步驟；將第一覆蓋層部分地去除且形成接觸n型半導體層的n側接觸電極的步驟；將第一覆蓋層部分地去除且形成接觸p型半導體層的p側接觸電極的步驟；形成將第一覆蓋層、n側接觸電極以及p側接觸電極覆蓋的第二覆蓋層的步驟；將第二覆蓋層部分地去除且形成與n側接觸電極連接的n側墊電極的步驟；以及將第二覆蓋層部分地去除且形成與p側接觸電極連接的p側墊電極的步驟。
依據該態樣，由於以AlGaN系半導體材料所構成的n型半導體層、活性層以及p型半導體層被耐濕性優的氧化鋁(Al2 O3 )覆蓋，故可更合適地覆蓋這些半導體層的表面。進一步地，設置將第一覆蓋層、n側接觸電極以及p側接觸電極進一步覆蓋的第二覆蓋層，藉此可保護第一覆蓋層並且將接觸電極的表面合適地覆蓋。藉此，能提供可靠性高的半導體發光元件。
亦可為第一覆蓋層係藉由以有機鋁化合物和氧氣(O2 )電漿或臭氧氣(O3 )作為原料的原子層堆積法而形成。
亦可進一步具有以覆蓋基板的表面、第二覆蓋層、n側墊電極的側面以及p側墊電極的側面的至少一部分的方式形成由氧化鋁(Al2 O3 )所構成的第三覆蓋層的步驟。第三覆蓋層係藉由以有機鋁化合物和水(H2 O)作為原料的原子層堆積法而形成。 [發明功效]
依據本發明，可提升半導體發光元件的可靠性。
以下，一邊參照圖式一邊詳細說明用以實施本發明的形態。此外，於說明中對同一要件賦予同一符號且適宜省略重複的說明。另外，為了有助於理解說明，各圖式中的各構成要件的尺寸比不見得必然與實際的發光元件的尺寸比一致。
圖1係概略性地顯示實施形態的半導體發光元件10的構成之剖面圖。半導體發光元件10係以發出中心波長λ為約360nm以下的「深紫外光」的方式構成的LED(Light Emitting Diode；發光二極體)晶片。為了輸出這樣的波長的深紫外光，故半導體發光元件10係由能隙(bandgap)為約3.4eV以上的氮化鋁鎵(AlGaN)系半導體材料所構成。於本實施形態中，尤其針對發出中心波長λ為約240nm至350nm的深紫外光的情形進行表示。
於本說明書中，所謂「AlGaN系半導體材料」係指至少含有氮化鋁(AlN)以及氮化鎵(GaN)的半導體材料，亦包含尚含有氮化銦(InN)等的其他的材料的半導體材料。如此，本說明書所稱的「AlGaN系半導體材料」係例如可用In1-x-y Alx Gay N(0＜x＋y≦1，0＜x＜1，0＜y＜1)的組成表示，包含氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化銦鋁鎵(InAlGaN)。本說明書的「AlGaN系半導體材料」係例如AlN以及GaN的個別的莫耳分率為1%以上，較佳為5%以上、10%以上或20%以上。
另外，亦有為了區別不含AlN的材料而稱為「GaN系半導體材料」的情況。「GaN系半導體材料」包含GaN或InGaN。相同地，亦有為了區別不含GaN的材料而稱為「AlN系半導體材料」的情況。「AlN系半導體材料」包含AlN或InAlN。
半導體發光元件10係具有裸晶(die)12、安裝基板14、金屬接合材16n、16p以及覆蓋層(亦稱第三覆蓋層)18。裸晶12係具有基板20、緩衝層22、n型被覆層24、活性層26、電子阻擋層(electron block layer)28、p型被覆層30、保護絕緣層32、第一覆蓋層34、n側接觸電極36、n側保護金屬層38、p側接觸電極40、p側保護金屬層42、第二覆蓋層44、n側墊電極46以及p側墊電極48。
於圖1中，亦有將從基板20朝向安裝基板14的方向稱為「上側」的情況。此乃因於後述的圖2至圖12的製造步驟中係於基板20上積層各層後將裸晶12的方向上下反轉且安裝於安裝基板14上之故。
基板20係對於半導體發光元件10所發出的深紫外光具有透光性的基板，例如藍寶石(Al2 O3 )基板(sapphire substrate)。基板20係具有第一主表面20a以及第一主表面20a的相反側的第二主表面20b。第一主表面20a係成為結晶成長面的一主表面，該結晶成長面係用以使較緩衝層22靠上的各層成長。於第一主表面20a的外周設置有高度與第一主表面20a不同的外周面20c。第二主表面20b係成為光取出面的一主表面，該光取出面係用以將活性層26所發出的深紫外光取出至外部。變形例中，基板20可為氮化鋁(AlN)基板亦可為氮化鋁鎵(AlGaN)基板。
緩衝層22係形成於基板20的第一主表面20a上。緩衝層22係基底層(樣板(template)層)，該基底層係用以形成較n型被覆層24靠上的各層。緩衝層22係例如未摻雜的AlN層，具體而言是高溫成長的AlN(HT-AlN(High Temperature AlN；高溫氮化鋁))層。緩衝層22亦可包含形成於AlN層上的未摻雜的AlGaN層。變形例中，於基板20為AlN基板或AlGaN基板的情形中，緩衝層22亦可為僅由未摻雜的AlGaN層所構成。亦即，緩衝層22包含未摻雜的AlN層以及未摻雜的AlGaN層的至少一方。
n型被覆層24係n型半導體層且形成於緩衝層22上。n型被覆層24係n型的AlGaN系半導體材料層，例如為摻雜有矽(Si)作為n型的雜質的AlGaN層。n型被覆層24係以透過活性層26所發出的深紫外光的方式選擇組成比例，例如以AlN的莫耳分率成為25%以上、較佳為40%以上或50%以上的方式所形成。n型被覆層24係以具有較活性層26所發出的深紫外光的波長還大的能隙的方式所形成，例如以具有能隙成為4.3eV以上的方式所形成。較佳為n型被覆層24係以AlN的莫耳分率成為80%以下的方式所形成，亦即以能隙成為5.5eV以下的方式所形成，更佳為以AlN的莫耳分率成為70%以下(亦即，能隙成為5.2eV以下)的方式所形成。n型被覆層24係具有1μm至3μm左右的厚度，例如具有2μm左右的厚度。
n型被覆層24係以屬於雜質的矽(Si)之濃度成為1×1018 /cm3 以上至5×1019 /cm3 以下的方式所形成。較佳為n型被覆層24係以Si濃度成為5×1018 /cm3 以上至3×1019 /cm3 以下的方式所形成，更佳為以成為7×1018 /cm3 以上至2×1019 /cm3 以下的方式所形成。於一實施例中，n型被覆層24的Si濃度為1×1019 /cm3 前後，位於8×1018 /cm3 以上至1.5×1019 /cm3 以下的範圍。
活性層26係由AlGaN系半導體材料所構成，夾在n型被覆層24與電子阻擋層28之間而形成雙異質接合(double heterojunction)構造。活性層26亦可具有單層或多層的量子井(quantum well)構造，例如亦可由屏障(barrier)層以及井層的積層體所構成，該屏障層係由未摻雜的AlGaN系半導體材料所形成，該井層係由未摻雜的AlGaN系半導體材料所形成。活性層26係為了輸出波長355nm以下的深紫外光而以能隙成為3.4eV以上的方式構成，例如用可輸出波長310nm以下的深紫外光的方式選擇AlN組成比例。活性層26係設置於n型被覆層24的第一上表面24a而不設置於與第一上表面24a相鄰的第二上表面24b。亦即，活性層26並非形成於n型被覆層24的全部表面而是僅形成於n型被覆層24的一部分的區域。
電子阻擋層28係形成於活性層26上。電子阻擋層28係未摻雜的AlGaN系半導體材料層，例如以AlN的莫耳分率成為40%以上較佳為50%以上的方式所形成。電子阻擋層28亦可以AlN的莫耳分率成為80%以上的方式所形成，或亦可由不含GaN的AlN系半導體材料所形成。電子阻擋層具有1nm至10nm左右的厚度，例如具有2nm至5nm左右的厚度。電子阻擋層28亦可為p型的AlGaN系半導體材料層。
p型被覆層30係p型半導體層且形成於電子阻擋層28上。p型被覆層30係p型的AlGaN系半導體材料層，例如為摻雜有鎂(Mg)作為p型的雜質的AlGaN層。p型被覆層30係具有300nm至700nm左右的厚度，例如具有400nm至600nm左右的厚度。p型被覆層30亦可由不含AlN的p型GaN系半導體材料所形成。
保護絕緣層32係設置於p型被覆層30上。保護絕緣層32係由氧化矽(SiO2 )或氮氧化矽(SiON)所構成。保護絕緣層32係由對於從活性層26輸出的深紫外光的折射率與p型被覆層30相比較低的材料所構成。構成p型被覆層30之AlGaN系半導體材料的折射率係視組成比例而為2.1至2.56左右。另一方面，構成保護絕緣層32之SiO2 的折射率為1.4左右，SiON的折射率為1.4至2.1左右。設置低折射率的保護絕緣層32，藉此可以在p型被覆層30與保護絕緣層32的界面使更多來自活性層26的紫外光全反射而朝向屬於光取出面的基板20的第二主表面20b。尤其，由於氧化矽(SiO2 )與p型被覆層30的折射率差大，故可更提高反射特性。保護絕緣層32的厚度係50nm以上，例如可以設為100nm以上至500nm以下。
第一覆蓋層34係以覆蓋保護絕緣層32上、n型被覆層24的第二上表面24b上、n型被覆層24的側面、活性層26的側面以及電子阻擋層28的側面的方式設置。第一覆蓋層34亦可用如圖示的方式覆蓋緩衝層22的側面、基板20的外周面20c。第一覆蓋層34係由氧化鋁(Al2 O3 )所構成。構成第一覆蓋層34的氧化鋁(Al2 O3 )係與氧化矽(SiO2 )相比較耐濕性優。因此，以第一覆蓋層34覆蓋半導體層的上表面以及側面的整體，藉此可以提供耐濕性優的保護功能。另外，由於構成第一覆蓋層34的氧化鋁(Al2 O3 )係對從活性層26輸出的深紫外光的吸收率低，故亦可抑制因設置第一覆蓋層34所致的光輸出的降低。第一覆蓋層34的厚度可設為10nm以上至50nm以下，例如可設為10nm至30nm左右。
較佳為構成第一覆蓋層34的Al2 O3 係膜密度高的緻密的構造，較佳為使用例如原子層堆積(ALD；Atomic Layer Deposition)法而形成。另外，第一覆蓋層34係較佳為氫濃度低。若於第一覆蓋層34含有高濃度的氫(H)，則氫會擴散至活性層26、p型被覆層30而成為使這些半導體層劣化的原因。為了設為氫濃度低的Al2 O3 ，較佳是並非使用水(H2 O)而是使用氧氣(O2 )電漿或臭氧氣(O3 )作為氧原子的供給源。亦即，較佳為第一覆蓋層34係藉由以三甲基鋁(TMA；Trimethyl aluminum)等的有機鋁化合物、O2 電漿或O3 作為原料的ALD法而形成。
n側接觸電極36係設置於n型被覆層24的第二上表面24b，且於n型被覆層24的第二上表面24b通過將第一覆蓋層34貫通的開口而與n型被覆層24接觸。n側接觸電極36係包含例如接觸於n型被覆層24上的Ti層以及接觸於Ti層上的Al層。Ti層的厚度係1nm至10nm左右，較佳為5nm以下，更佳為2nm以下。藉由縮小Ti層的厚度而可提高從n型被覆層24觀看時的n側接觸電極36的紫外光反射率。Al層的厚度係100nm至1000nm左右，較佳為200nm以上，更佳為300nm以上。藉由增大Al層的厚度而可提高n側接觸電極36的紫外光反射率。此外，較佳為於n側接觸電極36不包含可能成為紫外光反射率的降低之要因的金(Au)。
p側接觸電極40設置於p型被覆層30上，且通過將p型被覆層30上的保護絕緣層32以及第一覆蓋層34貫通的開口而與p型被覆層30接觸。p側接觸電極40係由氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化物(ITO)等的透明導電性氧化物(TCO)所構成。p側接觸電極40的厚度係20nm至500nm左右，較佳為50nm以上，更佳為100nm以上。
n側保護金屬層38係設置於n側接觸電極36上，p側保護金屬層42係設置於p側接觸電極40上。n側保護金屬層38以及p側保護金屬層42(亦可統稱為保護金屬層38、42)係由以與第二覆蓋層44的密合性高的金屬材料所形成，且由單一金屬膜或金屬積層膜所構成。為了使保護金屬層38、42在用以形成將第二覆蓋層44貫通的開口的乾蝕刻步驟中作為停止層而發揮功能，較佳為由對於蝕刻氣體的耐性高的金屬材料所構成。作為保護金屬層38、42的材料可使用例如鉑族金屬，可以使用鈀(Pd)。保護金屬層38、42的厚度較佳為50nm以上，更佳為100nm以上。
第二覆蓋層44係以覆蓋第一覆蓋層34、n側接觸電極36、n側保護金屬層38、p側接觸電極40以及p側保護金屬層42的方式設置。第二覆蓋層44係由絕緣性的氧化物、氮化物或氮氧化物所構成，例如可使用氧化矽(SiO2 )、氮化矽(SiN)、氮化鋁(AlN)、氮氧化矽(SiON)或氮氧化鋁(AlON)。第二覆蓋層44的厚度為50nm以上，較佳為100nm以上。第二覆蓋層44的厚度亦可為500nm至1000nm左右。藉由第二覆蓋層44的厚度增大而可合適地覆蓋與半導體層相比厚度較大的n側接觸電極36、p側接觸電極40以及保護金屬層38、42。
n側墊電極46以及p側墊電極48(亦可統稱為墊電極46、48)係於將裸晶12安裝於安裝基板14時打線(bonding)接合的部分。n側墊電極46係設置於n側保護金屬層38上，且通過將第二覆蓋層44貫通的開口而與n側保護金屬層38接觸。n側墊電極46係經由n側保護金屬層38而與n側接觸電極36電性連接。p側墊電極48係設置於p側保護金屬層42上，且通過將第二覆蓋層44貫通的開口而與p側保護金屬層42接觸。p側墊電極48係經由p側保護金屬層42而與p側接觸電極40電性連接。
墊電極46、48係從耐腐蝕性的觀點而以包含金(Au)的方式所構成，以例如鎳(Ni)/Au、鈦(Ti)/Au或Ti/鉑(Pt)/Au的積層構造所構成。在墊電極46、48以金錫(AuSn)接合的情形中，墊電極46、48亦可含有作為金屬接合材的AuSn層。
裸晶12係安裝於安裝基板14上。安裝基板14係具有基部50、n側安裝電極52n、p側安裝電極52p、n側外部端子54n以及p側外部端子54p。基部50係由氮化鋁(AlN)等的陶瓷材料所構成的板狀構件。n側安裝電極52n、p側安裝電極52p係設置於基部50的第一主表面50a。n側安裝電極52n、p側安裝電極52p係與裸晶12的墊電極46、48接合的金屬電極，從耐腐蝕性的觀點而以包含金(Au)的方式所構成。n側外部端子54n、p側外部端子54p係金屬端子，用以將半導體發光元件10焊接於印刷基板等，且設置於與基部50的第一主表面50a成相反側的第二主表面50b。基部50的內部中，n側安裝電極52n與n側外部端子54n係電性連接，p側安裝電極52p與p側外部端子54p係電性連接。
金屬接合材16n、16p係將裸晶12與安裝基板14接合。金屬接合材16n、16p係由金錫(AuSn)或錫鋅(SnZn)系的焊接材料所構成。n側金屬接合材16n係將n側墊電極46與n側安裝電極52n接合，p側金屬接合材16p係將p側墊電極48與p側安裝電極52p接合。
第三覆蓋層18係以覆蓋裸晶12的表面整體、安裝基板14的表面的一部分以及金屬接合材16n、16p的方式設置。第三覆蓋層18係覆蓋基板20的第二主表面20b以及側面20d、第二覆蓋層44的表面、n側墊電極46的側面以及p側墊電極48的側面。另外，第三覆蓋層18係覆蓋安裝基板14的第一主表面50a以及側面50c、n側安裝電極52n的表面、p側安裝電極52p的表面。
第三覆蓋層18係由氧化鋁(Al2 O3 )所構成，較佳為與上述第一覆蓋層34相同地以成為膜密度高的緻密的構造的方式使用原子層堆積(ALD)法而形成。另一方面，第三覆蓋層18由於不與裸晶12的活性層26等的半導體層直接接觸，故亦可不必使氫濃度低。亦即，亦可為第三覆蓋層18的氫濃度係較第一覆蓋層34的氫濃度高。如此，作為構成第三覆蓋層18的Al2 O3 的氧原子的供給源可使用水(H2 O)，亦可藉由以TMA等的有機鋁化合物、H2 O作為原料的ALD法而形成。藉由使用H2 O作為原料，與使用O2 電漿或O3 的情形相比，成為容易使原料遍及至狹窄的間隙，即使在裸晶12與安裝基板14之間的狹窄的間隙中仍可合適地形成緻密的Al2 O3 。可以將第三覆蓋層18的厚度設為10nm以上至50nm以下，例如設為10nm至30nm左右。
接下來，說明半導體發光元件10的製造方法。圖2至圖13係概略性地顯示半導體發光元件10的製造步驟之圖。首先，如圖2所示，於基板20的第一主表面20a上依序形成緩衝層22、n型被覆層24、活性層26、電子阻擋層28、p型被覆層30以及保護絕緣層32。
基板20為藍寶石(Al2 O3 )基板，例如於藍寶石基板的(0001)面上形成緩衝層22。緩衝層22係包含例如高溫成長的AlN(HT-AlN)層以及未摻雜的AlGaN(u-AlGaN)層。n型被覆層24、活性層26、電子阻擋層28以及p型被覆層30係由AlGaN系半導體材料、AlN系半導體材料或GaN系半導體材料所形成的層，可以使用金屬有機化學氣相沉積(MOVPE；metal organic chemical vapor deposition)法或分子束磊晶(MBE；molecular beam epitaxy)法等的習知的磊晶成長法而形成。保護絕緣層32係由SiO2 或SiON所構成，可使用化學氣相沉積(CVD；chemical vapor deposition)法等的習知技術而形成。
然後，如圖3所示，於保護絕緣層32上形成第一遮罩61，未形成有第一遮罩61的第一區域W1的保護絕緣層32、p型被覆層30、電子阻擋層28、活性層26以及n型被覆層24的一部分係被去除。藉此，於第一區域(亦稱為露出區域)W1形成n型被覆層24的第二上表面24b(露出面)。於形成n型被覆層24的露出面的步驟中係能藉由乾蝕刻71去除各層。例如可使用由蝕刻氣體的電漿化所致的反應性離子蝕刻，或可使用例如電感耦合型電漿(ICP；Inductive Coupled Plasma)蝕刻。之後，第一遮罩61被去除。
然後，如圖4所示，於保護絕緣層32上以及n型被覆層24的第二上表面24b上形成第二遮罩62。之後，未形成有第二遮罩62的第二區域(亦稱為外周區域)W2的保護絕緣層32、p型被覆層30、電子阻擋層28、活性層26以及n型被覆層24藉由乾蝕刻72而被去除。第二區域W2係在一片基板上形成複數個發光元件(裸晶)之情形中的元件間的分離區域。第二區域W2中，緩衝層22可部分地被去除，亦可為緩衝層22完全地被去除而露出基板20。第二區域W2中，亦可為基板20的一部分被去除而露出高度與第一主表面20a不同的基板20的外周面20c。之後，第二遮罩62被去除。
然後，如圖5所示，以覆蓋元件構造的上表面的整體的方式形成第一覆蓋層34。第一覆蓋層34係由Al2 O3 所構成，例如藉由以TMA與O2 電漿或O3 作為原料的ALD法而形成。第一覆蓋層34係以覆蓋保護絕緣層32上、n型被覆層24的第二上表面24b上、n型被覆層24、活性層26、電子阻擋層28以及p型被覆層30的側面的方式所形成。保護絕緣層32亦可覆蓋緩衝層22的側面，或亦可覆蓋基板20的外周面20c、側面的至少一部分。
然後，如圖6所示，於第一覆蓋層34上形成第三遮罩63。第三遮罩63係在除了n型被覆層24的第二上表面24b上的n側電極區域W3n以及p型被覆層30上的p側電極區域W3p以外所形成。接下來，在n側電極區域W3n以及p側電極區域W3p中第一覆蓋層34係藉由乾蝕刻73而被去除。藉此，於n側電極區域W3n形成使n型被覆層24露出的第一開口81，於p側電極區域W3p形成使保護絕緣層32露出的第二開口82。之後，第三遮罩63被去除。
然後，如圖7所示，於第一開口81露出的n型被覆層24上形成n側接觸電極36，於n側接觸電極36上形成n側保護金屬層38。n側接觸電極36係例如為Ti層與Al層的積層構造，n側保護金屬層38係例如Pd層。n側接觸電極36以及n側保護金屬層38係能藉由濺鍍法或電子束(EB；electron beam)蒸鍍法而形成。
然後，如圖8所示，於除了對應第二開口82的第四區域W4以外形成第四遮罩64。接下來，於第四區域中保護絕緣層32係藉由濕蝕刻而被去除，形成使p型被覆層30露出的第三開口83。保護絕緣層32係可使用例如氫氟酸(HF)與氟化銨(NH4 F)之混合液的緩衝氫氟酸(BHF；Buffered Hydrogen Fluoride)而去除。藉由將保護絕緣層32濕蝕刻，如此與將保護絕緣層32乾蝕刻的情形相比可減低對於在第三開口83露出的p型被覆層30的損傷影響。之後，第四遮罩64被去除。
然後，如圖9所示，於第三開口83露出的p型被覆層30上形成p側接觸電極40，於p側接觸電極40上形成p側保護金屬層42。p側接觸電極40係例如為ITO層，p側保護金屬層42係例如為Pd層。p側接觸電極40以及p側保護金屬層42係可藉由濺鍍法或電子束(EB)蒸鍍法而形成。
然後，如圖10所示，以覆蓋元件構造的上表面的整體的方式形成第二覆蓋層44。第二覆蓋層44係以覆蓋第一覆蓋層34上並且覆蓋n側接觸電極36、n側保護金屬層38、p側接觸電極40以及p側保護金屬層42上的方式所形成。第二覆蓋層44係例如為SiO2 層，並使用化學氣相沉積(CVD)法等的習知技術而形成。
然後，如圖11所示，於第二覆蓋層44上形成第五遮罩65。第五遮罩65係在除了對應於n側接觸電極36的n側電極區域W5n以及對應於p側接觸電極40的p側電極區域W5p以外所形成。接下來，在n側電極區域W5n以及p側電極區域W5p中第二覆蓋層44藉由乾蝕刻75而被去除。第二覆蓋層44係可以使用CF系的蝕刻氣體進行乾蝕刻，例如可以使用六氟乙烷(C2 F6 )。於該乾蝕刻步驟中，n側保護金屬層38以及p側保護金屬層42係作為蝕刻停止層而發揮功能，可以防止對於n側保護金屬層38以及p側保護金屬層42下的n側接觸電極36以及p側接觸電極40的損傷。藉此，形成於n側電極區域W5n露出n側保護金屬層38的第四開口84以及於p側電極區域W5p露出p側保護金屬層42的第五開口85。之後，第五遮罩65被去除。
然後，如圖12所示，於第四開口84露出的n側保護金屬層38上形成n側墊電極46，於第五開口85露出的p側保護金屬層42上形成p側墊電極48。墊電極46、48係可藉由例如堆積Ni層或Ti層且於Ni層或Ti層上堆積Au層而形成。亦可於Au層上進一步設置其他的金屬層，例如亦可形成Sn層、AuSn層、Sn/Au的積層構造。藉由以上的步驟而完成圖1的裸晶12。
然後，如圖13所示，將裸晶12安裝於安裝基板14上。首先，以n側墊電極46位置於n側安裝電極52n上且p側墊電極48位置於p側安裝電極52p上的方式配置裸晶12。接下來，使金錫(AuSn)或焊料等的金屬接合材16n、16p溶融，且將墊電極46、48與n側安裝電極52n、p側安裝電極52p接合。
之後，以將安裝於安裝基板14的裸晶12的表面整體覆蓋的方式形成第三覆蓋層18。第三覆蓋層18係由Al2 O3 所構成，藉由例如以TMA與H2 O作為原料的ALD法而形成。藉此，完成如圖1所示的半導體發光元件10。
依據本實施形態，將與n型被覆層24、活性層26以及電子阻擋層28等的半導體層直接接觸的第一覆蓋層34設為藉由ALD法而形成的Al2 O3 層，藉此可提高對於這些半導體層的耐濕性。另外，不使用水(H2 O)作為第一覆蓋層34的原料，藉此可降低第一覆蓋層34所含的氫濃度。亦即，可使第一覆蓋層34的氫濃度較第三覆蓋層18還低。藉此，可合適地防止因第一覆蓋層34所含的氫擴散至半導體層所致的半導體層的劣化。
依據本實施形態，藉由於第一覆蓋層34上進一步地設置第二覆蓋層44而可提高裸晶12的保護功能。由於由Al2 O3 所構成的第一覆蓋層34係藉由ALD法而形成，故難以增大膜厚，50nm左右的厚度成為實用上的上限。另一方面，由於n側接觸電極36、p側接觸電極40的膜厚為50nm以上，較佳為具有100nm以上的厚度，故若只有第一覆蓋層34則會有接觸電極的覆蓋性能降低之虞。另一方面，由於藉由CVD法等所形成的第二覆蓋層44容易設為100nm以上的膜厚，故可合適地覆蓋膜厚大的接觸電極。依據本實施形態，將緻密但膜厚小的第一覆蓋層34與膜厚大的第二覆蓋層44組合，藉此提高裸晶12的封裝性。
依據本實施形態，由於在安裝基板14上安裝裸晶12後以第三覆蓋層18進一步地將整體覆蓋，故可以提高半導體發光元件10的封裝性。尤其藉由覆蓋墊電極46、48、n側安裝電極52n、p側安裝電極52p以及金屬接合材16n、16p等的金屬材料的表面，而可合適地防止金屬材料的腐蝕。另外，藉由以Al2 O3 構成第三覆蓋層18，而可提高與含有金(Au)的金屬材料的密合性，可抑制因第三覆蓋層18的剝落等所致的可靠性降低。
依據本實施形態，藉由用水(H2 O)作為原料的ALD法形成第三覆蓋層18，藉此即使在裸晶12與安裝基板14接合的狀態下仍可用覆蓋裸晶12以及安裝基板14的整體的方式形成第三覆蓋層18。假設在與第一覆蓋層34相同地使用O2 電漿、O3 作為原料的情形中，已活性化的氧在到達裸晶12與安裝基板14之間的間隙等前便已失活，而可能產生未適切地形成Al2 O3 層之處。另一方面，在以H2 O作為原料的情形，由於不需要設為電漿狀態，故可以使原料充分地遍及裸晶12與安裝基板14之間的間隙而可更適切地形成Al2 O3 層。藉此，可以提高第三覆蓋層18的可靠性。
依據本實施形態，藉由於p型被覆層30與第一覆蓋層34之間設置保護絕緣層32，而可減低在用以使p型被覆層30露出的蝕刻步驟中的對於p型被覆層30的損傷影響。藉此，可以改善p側接觸電極40的接觸電阻，而可提升半導體發光元件10的輸出特性。
圖14係概略性地顯示另一實施形態的半導體發光元件110的構成之剖面圖。於本實施形態中，在第二覆蓋層144成為第一層144a以及第二層144b之二層構造的點與上述實施形態有所差異。以下，針對本實施形態以與上述實施形態的差異點為中心進行說明。
半導體發光元件110係具有裸晶112、安裝基板14、金屬接合材16n、16p以及第三覆蓋層18。安裝基板14、金屬接合材16n、16p以及第三覆蓋層18係以與上述實施形態相同的方式所構成。
裸晶112係具有基板20、緩衝層22、n型被覆層24、活性層26、電子阻擋層28、p型被覆層30、保護絕緣層32、第一覆蓋層34、n側接觸電極36、n側保護金屬層38、p側接觸電極40、p側保護金屬層42、第二覆蓋層144、n側墊電極46以及p側墊電極48。裸晶112係除了第二覆蓋層144成為二層構造之點以外以與上述實施形態的裸晶12相同的方式所構成。
第二覆蓋層144係包含第一層144a以及第二層144b。第一層144a係以與第一覆蓋層34、n側接觸電極36、n側保護金屬層38、p側接觸電極40以及p側保護金屬層42直接接觸的方式設置。第二層144b係以覆蓋第一層144a的方式設置，且從第一覆蓋層34、n側接觸電極36、n側保護金屬層38、p側接觸電極40以及p側保護金屬層42分離設置。
第一層144a係由例如SiO2 所構成，且成為較第一覆蓋層34以及第二層144b還低的折射率。第一層144a係以厚度較第一覆蓋層34以及第二層144b還大的方式所構成。第一層144a的厚度係100nm以上，例如500nm至1000nm左右。第一層144a的厚度係以成為第一覆蓋層34的厚度的10倍以上的方式所構成。第一層144a的厚度亦可較n側接觸電極36、p側接觸電極40的厚度還大。第一層144a的厚度可為較n側接觸電極36與n側保護金屬層38的厚度之合計還大，亦可為較p側接觸電極40與p側保護金屬層42的厚度之合計還大。
第二層144b係由與第一層144a不同材料所構成，且為由AlN或SiN等的氮化物所構成。第二層144b係由例如SiN所構成，且成為較保護絕緣層32、第一覆蓋層34以及第一層144a還高的折射率。對於波長280nm的紫外光，SiO2 的折射率為1.49，Al2 O3 的折射率為1.82，SiN的折射率為2.18，AlN的折射率為2.28。如此，由SiN或AlN所構成的第二層144b的折射率(2.18或2.28)係較由SiO2 所構成的保護絕緣層32以及第一層144a的折射率(1.49)還大，且較由Al2 O3 所構成的第一覆蓋層34的折射率(1.82)還大。第二層144b的厚度係較第一層144a的厚度還小，為50nm至200nm左右。第二層144b的厚度係較保護絕緣層32的厚度還小。第二層144b的厚度亦可較第一覆蓋層34、第三覆蓋層18的厚度還大。
依據本實施形態，於第一層144a上積層材料與第一層144a不同的第二層144b，藉此可合適地塞住可能於第一層144a發生的空洞(pinhole)，而可提高由第二覆蓋層144所致的封裝性。
依據本實施形態，在將保護絕緣層32的材料的折射率設為n1、將第一覆蓋層34的材料的折射率設為n2、將第二覆蓋層144的第一層144a的折射率設為n3、將第二覆蓋層144的第二層144b的折射率設為n4的情形中，成立n1＜n2＜n4之關係式以及n3＜n2＜n4之關係式。依據本實施形態，將第一層144a的折射率n3設為較第一覆蓋層34的折射率n2還小，藉此能使於活性層26產生的深紫外光在第一覆蓋層34與第一層144a的界面全反射且朝向成為光取出面的第二主表面20b。藉此，可以提高半導體發光元件10的光取出效率。另外，藉由以較第一層144a的材料還高的折射率的氮化物所構成的第二層144b覆蓋第一層144a，藉此可以提高第二覆蓋層144的封裝性以及可靠性。
接下來，說明半導體發光元件110的製造方法。半導體發光元件110的製造步驟的一部分係與上述半導體發光元件10的製造步驟的一部分共通，首先執行如圖2至圖9所示的步驟。圖15至圖18係概略性地顯示半導體發光元件110的製造步驟之圖，顯示較圖9還後面的步驟。
如圖15所示，以覆蓋元件構造之上表面的整體的方式形成第二覆蓋層144。第二覆蓋層144係包含第一層144a以及第二層144b。第一層144a係以覆蓋第一覆蓋層34的露出面並且覆蓋n側接觸電極36、n側保護金屬層38、p側接觸電極40以及p側保護金屬層42的露出面的方式所形成。第二層144b係以覆蓋第一層144a的露出面的方式所形成。第一層144a係例如SiO2 層，可使用電漿CVD法等的習知技術而形成。第二層144b係例如為SiN層，可使用電漿CVD法等的習知技術而形成。
然後，如圖16所示，於第二覆蓋層144上形成第六遮罩66。第六遮罩66係在除了對應於n側接觸電極36的n側電極區域W6n以及對應於p側接觸電極40的p側電極區域W6p以外而形成。接下來，在n側電極區域W6n以及p側電極區域W6p中第二覆蓋層144的第二層144b藉由乾蝕刻76而被去除。第二覆蓋層144係可以使用CF系的蝕刻氣體進行乾蝕刻，例如可以使用六氟乙烷(C2 F6 )。該乾蝕刻步驟係被執行至n側電極區域W6n以及p側電極區域W6p中第二層144b被去除且第一層144a露出為止。藉此，形成於n側電極區域W6n露出第一層144a的第六開口86，且形成於p側電極區域W6p露出p側保護金屬層42的第七開口87。此外，如圖16所示，該乾蝕刻步驟中，亦可為第一層144a的露出部分被進一步去除達預定深度。亦即，亦可於第一層144a的上表面形成段差。之後，第六遮罩66被去除。
然後，如圖17所示，於第二覆蓋層144上形成第七遮罩67。第七遮罩67係在除了對應於n側接觸電極36的n側電極區域W7n以及對應於p側接觸電極40的p側電極區域W7p以外所形成。第七遮罩67係以完全覆蓋第二層144b的方式設置，且以覆蓋並保護第六開口86以及第七開口87中的第二層144b的側壁的方式設置。如此，第七遮罩67的n側電極區域W7n的開口幅度係較第六遮罩66的n側電極區域W6n的開口幅度還小。相同地，第七遮罩67的p側電極區域W7p的開口幅度係較第六遮罩66的p側電極區域W6p的開口幅度還小。接下來，n側電極區域W7n以及p側電極區域W7p中第二覆蓋層144的第一層144a藉由乾蝕刻77而被去除。第二覆蓋層144係可以使用CF系的蝕刻氣體進行乾蝕刻，例如可以使用六氟乙烷(C2 F6 )。該乾蝕刻步驟係被執行至n側電極區域W7n以及p側電極區域W7p中第一層144a被去除且n側保護金屬層38以及p側保護金屬層42露出為止。於該乾蝕刻步驟，n側保護金屬層38以及p側保護金屬層42係作為蝕刻停止層發揮功能，可以防止對於n側保護金屬層38以及p側保護金屬層42下的n側接觸電極36以及p側接觸電極40的損傷。藉此，於n側電極區域W7n形成使n側保護金屬層38露出的第八開口88，於p側電極區域W7p形成使p側保護金屬層42露出的第九開口89。之後，第七遮罩67被去除。
然後，如圖18所示，於第八開口88露出的n側保護金屬層38上形成n側墊電極46，於第九開口89露出的p側保護金屬層42上形成p側墊電極48。墊電極46、48係可藉由例如堆積Ni層或Ti層且於Ni層或Ti層上堆積Au層而形成。亦可於Au層上進一步設置其他的金屬層，例如亦可形成Sn層、AuSn層、Sn/Au的積層構造。藉由以上的步驟而完成圖14所示的裸晶112。
接下來，與圖13相同地，將裸晶112安裝於安裝基板14上，且以將被安裝於安裝基板14的裸晶112之表面整體覆蓋的方式形成第三覆蓋層18。第三覆蓋層18係由Al2 O3 所構成，藉由例如以TMA與H2 O作為原料的ALD法所形成。藉此，完成如圖14所示的半導體發光元件110。
以上，根據實施例說明了本發明。本發明不限定於上述實施形態，可有各種設計變更和各種各樣的變形例，且本發明所屬技術領域中具有通常知識者可理解此種變形例亦屬本發明之範圍。
上述實施形態中，藉由ALD法形成Al2 O3 層的情形中，投入TMA的第一步驟與投入O2 電漿、O3 或H2 O的第二步驟係交互重複。此時，亦可為於最初執行第一步驟，藉此使應以Al2 O3 層覆蓋的表面於最初被TMA覆蓋的方式。亦即，亦可為不產生因於最初執行第二步驟而使應以Al2 O3 層覆蓋的表面被O2 電漿等氧化或蝕刻而導致的損傷的方式。尤其於覆蓋活性層26的側面之第一覆蓋層34的形成時於最初投入TMA，藉此可以防止對於活性層26的側面的損傷。藉此，可以提高半導體發光元件10、110的可靠性。
上述實施形態中，亦可取代n側保護金屬層38而使用由導電性的氮化鈦(TiN)所構成的n側保護層。相同地，亦可取代p側保護金屬層42而使用由氮化鈦(TiN)所構成的p側保護層。即使在使用TiN所構成的n側保護層以及p側保護層的情形中，TiN層仍可作為乾蝕刻步驟的停止層發揮功能。另外，藉由使用TiN而可提高對於第二覆蓋層44或第二覆蓋層144的密合性，而可合適地防止第二覆蓋層44或第二覆蓋層144從n側接觸電極36、p側接觸電極40剝離。
上述實施形態中，顯示了於安裝基板14安裝有裸晶12、112的半導體發光元件10、110。其他的實施形態中，亦可使用未安裝於安裝基板14的裸晶12、112作為半導體發光元件。於該情形中，可於裸晶12、112的表面設置第三覆蓋層18，亦可不設置第三覆蓋層18。
10,110:半導體發光元件 12,112:裸晶 14:安裝基板 16n,16p:金屬接合材 18:覆蓋層(第三覆蓋層) 20:基板 20a:第一主表面 20b:第二主表面 20c:外周面 20d:側面 22:緩衝層 24:n型被覆層 24a:第一上表面 24b:第二上表面 26:活性層 28:電子阻擋層 30:p型被覆層 32:保護絕緣層 34:第一覆蓋層 36:n側接觸電極 38:n側保護金屬層(保護金屬層) 40:p側接觸電極 42:p側保護金屬層(保護金屬層) 44:第二覆蓋層 46:n側墊電極(墊電極) 48:p側墊電極(墊電極) 50:基部 50a:第一主表面 50b:第二主表面 50c:側面 52n:n側安裝電極 52p:p側安裝電極 54n:n側外部端子 54p:p側外部端子 61:第一遮罩 62:第二遮罩 63:第三遮罩 64:第四遮罩 65:第五遮罩 66:第六遮罩 67:第七遮罩 71,72,73,75,76,77:乾蝕刻 81:第一開口 82:第二開口 83:第三開口 84:第四開口 85:第五開口 86:第六開口 87:第七開口 88:第八開口 89:第九開口 144:第二覆蓋層 144a:第一層 144b:第二層 W1:第一區域(露出區域) W2:第二區域(外周區域) W3n,W5n,W6n,W7n:n側電極區域 W3p,W5p,W6p,W7p:p側電極區域 W4:第四區域
[圖1]係概略性地顯示半導體發光元件的構成之剖面圖。 [圖2]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖3]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖4]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖5]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖6]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖7]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖8]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖9]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖10]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖11]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖12]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖13]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖14]係概略性地顯示另一實施形態的半導體發光元件的構成之圖。 [圖15]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖16]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖17]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。 [圖18]係概略性地顯示半導體發光元件的製造步驟之圖。
10:半導體發光元件
12:裸晶
14:安裝基板
16n,16p:金屬接合材
18:覆蓋層(第三覆蓋層)
20:基板
20a:第一主表面
20b:第二主表面
20c:外周面
20d:側面
22:緩衝層
24:n型被覆層
24a:第一上表面
24b:第二上表面
26:活性層
28:電子阻擋層
30:p型被覆層
32:保護絕緣層
34:第一覆蓋層
36:n側接觸電極
38:n側保護金屬層(保護金屬層)
40:p側接觸電極
42:p側保護金屬層(保護金屬層)
44:第二覆蓋層
46:n側墊電極(墊電極)
48:p側墊電極(墊電極)
50:基部
50a:第一主表面
50b:第二主表面
50c:側面
52n:n側安裝電極
52p:p側安裝電極
54n:n側外部端子
54p:p側外部端子

Claims (12)

  1. 一種半導體發光元件，係具有： n型半導體層，係n型氮化鋁鎵系半導體材料且設置於基板上； 活性層，係氮化鋁鎵系半導體材料且設置於前述n型半導體層上的第一區域； p型半導體層，係p型氮化鋁鎵系半導體材料且設置於前述活性層上； 第一覆蓋層，係由氧化鋁所構成，且以覆蓋與前述n型半導體層上的前述第一區域不同的第二區域、前述活性層的側面以及前述p型半導體層的方式設置； n側接觸電極，係貫通前述第一覆蓋層且接觸前述n型半導體層； p側接觸電極，係貫通前述第一覆蓋層且接觸前述p型半導體層； 第二覆蓋層，係以覆蓋前述第一覆蓋層、前述n側接觸電極以及前述p側接觸電極的方式設置； n側墊電極，係貫通前述第二覆蓋層且與前述n側接觸電極連接；以及 p側墊電極，係貫通前述第二覆蓋層且與前述p側接觸電極連接。
  2. 如請求項1所記載之半導體發光元件，其中進一步具有：第三覆蓋層，係由氧化鋁所構成，且以覆蓋前述基板的表面、前述第二覆蓋層、前述n側墊電極的側面以及前述p側墊電極的側面之各自的至少一部分的方式設置。
  3. 如請求項2所記載之半導體發光元件，其中進一步具有：安裝基板，係包含與前述n側墊電極連接的n側安裝電極以及與前述p側墊電極連接的p側安裝電極； 前述第三覆蓋層係進一步以覆蓋前述安裝基板的表面的至少一部分的方式設置。
  4. 如請求項2或3所記載之半導體發光元件，其中前述第一覆蓋層所含的氫的濃度係較前述第三覆蓋層所含的氫的濃度還低。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之半導體發光元件，其中進一步具有：保護絕緣層，係由氧化矽或氮氧化矽所構成且設置於前述p型半導體層與前述第一覆蓋層之間。
  6. 如請求項1至3中任一項所記載之半導體發光元件，其中前述第二覆蓋層係包含：氧化矽層，係具有前述第一覆蓋層的厚度的10倍以上的厚度。
  7. 如請求項6所記載之半導體發光元件，其中前述第二覆蓋層係進一步包含覆蓋前述氧化矽層的氮化物層。
  8. 如請求項1至3中任一項所記載之半導體發光元件，其中前述第二覆蓋層係包含：第一層，由較前述第一覆蓋層的材料還低折射率的材料所構成；以及第二層，係由較前述第一覆蓋層的材料還高折射率的材料所構成且將前述第一層覆蓋。
  9. 如請求項1至3中任一項所記載之半導體發光元件，其中前述n型半導體層係氮化鋁的莫耳分率為20%以上； 前述活性層係以發出波長350nm以下的紫外光的方式所構成。
  10. 一種半導體發光元件的製造方法，係具有： 於基板上依序積層以下各層的步驟：n型半導體層，係n型氮化鋁鎵系半導體材料；活性層，係前述n型半導體層上的氮化鋁鎵系半導體材料；以及p型半導體層，係前述活性層上的p型氮化鋁鎵系半導體材料； 以露出前述n型半導體層的一部分的方式去除前述p型半導體層的一部分、前述活性層的一部分以及前述n型半導體層的一部分的步驟； 以覆蓋前述n型半導體層的露出區域上、前述活性層的側面以及前述p型半導體層的方式形成由氧化鋁所構成的第一覆蓋層的步驟； 將前述第一覆蓋層部分地去除且形成接觸前述n型半導體層的n側接觸電極的步驟； 將前述第一覆蓋層部分地去除且形成接觸前述p型半導體層的p側接觸電極的步驟； 形成將前述第一覆蓋層、前述n側接觸電極以及前述p側接觸電極覆蓋的第二覆蓋層的步驟； 將前述第二覆蓋層部分地去除且形成與前述n側接觸電極連接的n側墊電極的步驟；以及 將前述第二覆蓋層部分地去除且形成與前述p側接觸電極連接的p側墊電極的步驟。
  11. 如請求項10所記載之半導體發光元件的製造方法，其中前述第一覆蓋層係藉由以有機鋁化合物和氧氣電漿或臭氧氣作為原料的原子層堆積法而形成。
  12. 如請求項10或11所記載之半導體發光元件的製造方法，其中進一步具有以覆蓋前述基板的表面、前述第二覆蓋層、前述n側墊電極的側面以及前述p側墊電極的側面的至少一部分的方式形成由氧化鋁所構成的第三覆蓋層的步驟； 前述第三覆蓋層係藉由以有機鋁化合物和水作為原料的原子層堆積法而形成。
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