KR101967837B1 - 반도체 발광 소자 - Google Patents

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KR101967837B1
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Abstract

반도체 발광 소자는 발광 구조물을 가지는 반도체 영역과, 반도체 영역 위에 형성된 전극층과, 전극층의 상면으로부터 반도체 영역의 상면까지 연장되어 있고, 전극층의 상면을 노출시키는 적어도 하나의 제1 홀과, 전극층의 주위에서 반도체 영역을 덮는 반사 영역을 가지는 반사성 보호 구조체 (reflective protection structure)를 포함한다.

Description

반도체 발광 소자 {Semiconductor light-emitting device}
본 발명의 기술적 사상은 발광 소자에 관한 것으로, 특히 반도체층 위에 형성된 전극을 구비한 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
반도체 발광 소자의 일종인 발광 다이오드 (light emitting diode: LED)는 백라이트 등에 사용하는 각종 광원, 조명, 신호기, 대형 디스플레이 등에 폭넓게 이용되고 있다. 조명용 LED 시장이 확대되고 그 활용 범위가 고전류, 고출력 분야로 확대됨에 따라, 모듈 또는 패키지와 같은 외부 구조체와 LED의 반도체층을 전기적으로 연결하기 위한 전극의 신뢰성을 향상시키고 소자의 광 추출 효율을 향상시키기 위한 기술 개발이 필요하다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 모듈 또는 패키지와 같은 외부 구조체와 LED의 반도체층을 전기적으로 연결하기 위한 전극의 신뢰성을 향상시키고 소자의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 반도체 발광 소자는 발광 구조물을 가지는 반도체 영역과, 상기 반도체 영역 위에 형성된 전극층과, 상기 전극층의 상면으로부터 상기 반도체 영역의 상면까지 연장되어 있고, 상기 전극층의 상면을 노출시키는 적어도 하나의 제1 홀과, 상기 전극층의 주위에서 상기 반도체 영역을 덮는 반사 영역을 가지는 반사성 보호 구조체 (reflective protection structure)를 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체는 산화막, 질화막, 산화질화막, 금속, 합금, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
다른 일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체는 절연막을 포함하는 전반사 구조체, 금속성 반사막, DBR (Distributed Bragg Reflector) 구조체, ODR (Omni-Directional Reflector) 구조체, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
또 다른 일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체는 제1 굴절률을 갖는 제1 층과, 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 층이 적어도 1회 교대로 적층되어 있는 다중 반사층을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체는 Ag, Al, Ni, Cr, Pd, Cu, Pt, Sn, W, Au, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn, Ti 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어지는 금속성 반사막을 더 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체는 절연 박막과, 상기 절연 박막 위에 형성된 금속성 반사막을 포함할 수 있다. 상기 금속성 반사막은 상기 절연 박막을 사이에 두고 상기 전극층과 이격될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체는 상기 반도체 영역과 상기 전극층과의 사이의 계면과, 상기 전극층의 측벽을 포위하는 형상을 가질 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 상기 반도체 영역의 위에서 상기 전극층 및 상기 반사성 보호 구조체를 덮고, 상기 적어도 하나의 제1 홀과 연통되어 상기 전극층의 상면을 노출시키는 적어도 하나의 제2 홀을 가지는 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 반사성 보호 구조체와 상기 절연막은 서로 다른 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 반사성 보호 구조체와 상기 절연막은 서로 동일한 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 상기 적어도 하나의 제1 홀 및 상기 적어도 하나의 제2 홀을 관통하여 상기 전극층에 접촉하는 본딩용 도전층을 더 포함할 수 있다. 상기 본딩용 도전층은 상기 반사성 보호 구조체에 의해 포위되는 부분을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 양태에 따른 반도체 발광 소자는 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제1 반도체층에 접하는 제1 전극층과, 상기 제2 반도체층에 접하고 금속성 반사층 (metallic reflector layer)을 가지는 제2 전극층과, 상기 제2 전극층의 상면으로부터 상기 제2 반도체층의 상면까지 연장되어 있고, 상기 제2 전극층의 상면을 노출시키는 적어도 하나의 제1 홀과, 상기 제2 전극층의 주위에서 상기 제2 반도체층을 덮는 반사 영역을 가지는 반사성 보호 구조체 (reflective protection structure)를 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체는 상기 제2 반도체층의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지는 절연 구조물을 포함할 수 있다.
다른 일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체는 서로 다른 물질로 구성되는 복수의 절연 박막을 포함할 수 있다.
또 다른 일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체는 상기 제2 반도체층에 접하는 절연 구조물과, 상기 제2 반도체층과 이격된 위치에서 상기 절연 구조물 위에 형성된 금속성 반사막을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 발광 소자는 전극층의 상면의 일부와, 상기 전극층의 측벽과, 전극층의 주위의 반도체 영역을 각각 덮도록 상기 전극층의 에지 부분을 감싸는 반사성 보호 구조체를 포함함으로써, 전극층과 반도체 영역과의 사이의 접착력이 물리적으로 강화될 수 있다. 또한, 전극층과 반도체 영역과의 사이의 계면을 통해 발생될 수 있는 누설 전류를 억제할 수 있고, 외부로부터의 물리적 충격 및 그로 인한 물리적인 손상과, 외부로부터의 화학적 침투 등을 방지할 수 있다. 그리고, 반사성 보호 구조체를 구비함으로써 발생될 수 있는 부가적인 잔류 응력은 반사성 보호 구조체에 형성된 적어도 하나의 홀에 의해 릴렉스 (relax)되어, 반사성 보호 구조체에서의 잔류 응력이 인접한 전극층까지 전파되어 전극층이 손상되거나 파손되는 것을 억제함으로써, 보다 안정적인 전극 구조를 얻을 수 있다. 특히, 반사성 보호 구조체에서 반도체층에 접촉하는 부분이 절연막으로 이루어지므로, 반사성 보호 구조체의 끝 부분이 반도체층의 상면과 만나는 부분에서의 기계적 충격이 완화될 수 있고, 그 결과로서, 누설 전류 및 외부 환경으로부터의 화학적 침투 발생 가능성을 억제하여, 비교적 안정적인 구조를 가질 수 있다. 또한, 반사성 보호 구조체의 구성 재료로서 광 반사 효율을 높일 수 있는 재료를 사용함으로써, 전극층 주위에서 반도체 영역을 덮는 부분만큼 광 추출 효율을 향상시키는 데 기여할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 단면도들로서, 다양한 변형예에 따른 반사성 보호 구조체를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a 내지 3g는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.
도 4a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 주요 구성을 도시한 평면 레이아웃이다. 도 4b는 도 4a의 B - B' 선 단면도이다. 도 4c는 도 4a의 반도체 발광 소자의 제2 전극층 및 반사성 보호 구조체를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 주요 구성을 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 주요 구성을 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 주요 구성을 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 주요 구성을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 포함하는 조광 시스템 (dimming system)을 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치의 블록도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것으로, 아래의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하며 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 특정 순서나 상하, 또는 우열을 의미하지 않으며, 하나의 부재, 영역, 부위, 또는 구성 요소를 다른 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소와 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소는 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
첨부 도면에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조 과정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자(100)의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 발광 소자(100)는 기판(102)과, 상기 기판(102) 위에 형성된 발광 구조물(110)을 가지는 반도체 영역(120)과, 상기 반도체 영역(120) 위에 형성된 제1 전극층(130) 및 제2 전극층(140)을 포함한다. 상기 반도체 영역(120)의 일부는 제1 절연막(122)에 의해 덮여 있다. 상기 제1 절연막(122)은 산화물, 질화물, 절연성 폴리머, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 상기 제1 전극층(130) 및 제2 전극층(140)은 상기 반도체 영역(120) 중 제1 절연막(122)에 의해 덮이지 않는 영역을 덮는다.
상기 기판(102)은 투명 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(102)은 사파이어 (Al2O3), 질화갈륨 (GaN), 실리콘 카바이드 (SiC), 산화 갈륨 (Ga2O3), 산화리튬갈륨 (LiGaO2), 산화리튬알루미늄 (LiAlO2), 또는 산화마그네슘알루미늄 (MgAl2O4)으로 이루어질 수 있다.
상기 발광 구조물(110)은 제1 반도체층(112)과, 상기 제1 반도체층(112) 위에 형성된 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 위에 형성된 제2 반도체층(116)을 포함한다. 상기 제1 반도체층(112), 활성층(114), 및 제2 반도체층(116)은 각각 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)으로 표시되는 질화갈륨계 화합물 반도체로 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 반도체층(112)은 전원 공급에 따라 상기 활성층(114)에 전자를 공급하는 n 형 GaN 층으로 이루어질 수 있다. 상기 n 형 GaN 층은 IV 족 원소로 이루어지는 n 형 불순물을 포함할 수 있다. 상기 n 형 불순물은 Si, Ge, Sn 등으로 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제2 반도체층(116)은 전원 공급에 따라 상기 활성층(120)에 정공을 공급하는 p 형 GaN 층으로 이루어질 수 있다. 상기 p 형 GaN 층은 II 족 원소로 이루어지는 p 형 불순물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 p 형 불순물은 Mg, Zn, Be 등으로 이루어질 수 있다.
상기 활성층(114)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 상기 활성층(114)은 양자우물층 (quantum well) 및 양자장벽층(quantum barrier)이 적어도 1 회 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 상기 양자우물층은 단일 양자우물(single quantum well) 구조 또는 다중 양자우물(multi-quantum well) 구조를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 활성층(114)은 u-AlGaN으로 이루어질 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 활성층(114)은 GaN/AlGaN, InAlGaN/InAlGaN, 또는 InGaN/AlGaN 의 다중 양자 우물 구조로 이루어질 수 있다. 상기 활성층(114)의 발광 효율을 향상시키기 위해, 활성층(114)에서의 양자우물의 깊이, 양자우물층 및 양자장벽층 쌍의 적층 수, 두께 등을 변화시킬 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 발광 구조물(110)은 MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition), HVPE (hydride vapor phase epitaxy), 또는 MBE (molecular beam epitaxy) 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 반도체 영역(120)은 상기 기판(102)과 발광 구조물(110)과의 사이에 개재되는 질화물 반도체 박막(104)을 더 포함한다. 상기 질화물 반도체 박막(104)은 기판(102)과 제1 반도체층(112)과의 사이의 격자 부정합을 완화시키기 위한 버퍼층의 역할을 할 수 있다. 상기 질화물 반도체 박막(104)은 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)으로 표시되는 질화갈륨계 화합물 반도체로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 질화물 반도체 박막(104)은 GaN 또는 AlN으로 이루어질 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 질화물 반도체 박막(104)은 AlGaN/AlN의 초격자층들 (superlattice layers)로 이루어질 수 있다. 또 다른 일부 실시예들에서, 상기 질화물 반도체 박막(104)은 생략 가능하다.
상기 제1 반도체층(112) 위에는 상기 제1 전극층(130)이 형성되어 있다. 상기 제1 전극층(130)은 Ni, Al, Au, Ti, Cr, Ag, Pd, Cu, Pt, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Si, 및 Zn 중에서 선택되는 단일 금속막, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 다층막 또는 합금막으로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 전극층(130)은 Al/Ti/Pt 적층 구조를 가질 수 있다.
상기 제2 반도체층(116) 위에는 상기 제2 전극층(140)이 형성되어 있다. 상기 제2 전극층(140)은 상기 제2 반도체층(116)과 직접 접해 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 반도체층(116)과 상기 제2 전극층(140)과의 사이에 다른 반도체층(도시 생략)이 더 개재될 수도 있다.
상기 제2 전극층(140)은 활성층(114)에서 방출하는 광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 상기 제2 전극층(140)은 활성층(114)에서 방출하는 광의 파장 영역에서 반사율이 높은 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 전극층(140)은 Ag, Al, 이들의 조합, 또는 이들의 합금을 포함한다. 여기서, 상기 Al 합금은 Al과, Al보다 큰 일함수를 가지는 금속을 포함할 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 제2 전극층(140)은 Al과, Ni, Au, Ag, Ti, Cr, Pd, Cu, Pt, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, 및 Zn 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속, 또는 적어도 하나의 금속을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다.
다른 일부 실시예들에서, 상기 제2 전극층(140)은 오믹 특성 및 광 반사 특성을 동시에 가지는 금속층을 포함할 수 있다. 또 다른 일부 실시예들에서, 상기 제2 전극층(140)은 오믹 특성을 가지는 제1 금속막 (도시 생략)과, 광 반사 특성을 가지는 제2 금속막 (도시 생략)을 포함하는 다중막으로 이루어질 수 있다. 상기 제1 금속막은 Pt, Pd, Ni, Au, Ti, 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 또는 다중 금속막으로 이루어질 수 있다. 상기 제2 금속막은 Ag, Al, 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 또는 다중 금속막으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극층(140)은 Ag/Ni/Ti 또는 Ni/Ag/Pt/Ti/Pt 적층 구조를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 반도체 발광 소자(100)는 상기 제2 전극층(140)의 에지 부분을 감싸는 반사성 보호 구조체 (reflective protection structure)(150)를 포함한다. 상기 반사성 보호 구조체(150)는 상기 제2 전극층(140)의 상면(140T)으로부터 상기 반도체 영역(120)의 상면(120T)까지 연장되어 있다. 도 1의 예에서는 제2 반도체층(116)의 상면이 반도체 영역(120)의 상면(120T)을 구성한다. 그러나, 본 발명은 예시된 바에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 반도체 영역(120)은 상기 제2 반도체층(116)을 덮는 추가의 반도체층 (도시 생략)을 더 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 반도체 영역(120)의 상면(120T)은 상기 추가의 반도체층의 상면이 될 수 있다.
상기 반사성 보호 구조체(150)에는 상기 제2 전극층(140)의 상면(140T)을 노출시키는 적어도 하나의 제1 홀(150H)이 형성되어 있다. 도 1에 예시된 단면도에서는 1 개의 제1 홀(150H)을 볼 수 있는 것으로 예시되어 있으나, 상기 반도체 발광 소자(100)를 평면에서 볼 때 상기 반사성 보호 구조체(150)는 복수의 제1 홀(150H)을 포함할 수 있다.
상기 반사성 보호 구조체(150)는 제2 절연막(160)으로 덮여 있다. 상기 제2 절연막(160)은 반도체 영역(120) 위에서 상기 제2 전극층(140)의 일부, 상기 반사성 보호 구조체(150), 및 상기 제1 절연막(122)을 덮도록 연장된다. 상기 제2 절연막(160)에는 상기 반사성 보호 구조체(150)에 형성된 적어도 하나의 제1 홀(150H)과 연통되어 제2 전극층(140)의 상면(140T)을 노출시키는 적어도 하나의 제2 홀(160H2)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제2 절연막(160)에는 제1 전극층(130)의 상면(130T)을 노출시키는 적어도 하나의 제3 홀(160H3)이 더 형성되어 있다.
상기 제2 절연막(160)은 산화물, 질화물, 절연성 폴리머, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 절연막(160)은 상기 제1 절연막(122)의 구성 물질과 동일 물질로 이루어지고, 상기 반사성 보호 구조체(150)의 구성 물질과 다른 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연막(122) 및 제2 절연막(160)은 각각 실리콘 산화막으로 이루어지고, 상기 반사성 보호 구조체(150)는 실리콘 산화막과는 다른 종류의 절연막으로 이루어질 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체(150) 및 제2 절연막(160)은 동일 물질로 이루어질 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(100)는 제1 전극층(130)에 연결된 제1 본딩용 도전층(172)과, 제2 전극층(140)에 연결된 제2 본딩용 도전층(174)을 포함한다. 상기 제1 본딩용 도전층(172) 및 제2 본딩용 도전층(174)은 각각 반도체 발광 소자(100)의 외부 단자로서 기능할 수 있다. 상기 제1 본딩용 도전층(172)은 제2 절연막(160)에 형성된 적어도 하나의 제3 홀(160H3)을 관통하여 제1 전극층(130)의 상면(130T)에 접촉한다. 상기 제2 본딩용 도전층(174)은 제2 절연막(160)에 형성된 적어도 하나의 제2 홀(160H2)과 반사성 보호 구조체(150)에 형성된 적어도 하나의 제1 홀(150H)을 관통하여 제2 전극층(140)의 상면(140T)에 접촉한다. 상기 제2 본딩용 도전층(174)은 상기 반사성 보호 구조체(150)에 의해 포위되는 부분과, 상기 제2 절연막(160)에 의해 포위되는 부분과, 상기 제2 절연막(160)의 상면을 덮는 부분을 포함한다.
상기 제1 본딩용 도전층(172) 및 제2 본딩용 도전층(174)은 각각 Au, Sn, Ni, Pb, Ag, In, Cr, Ge, Si, Ti, W, 및 Pt 중에서 선택되는 단일 물질, 또는 이들 중에서 선택되는 적어도 2 종의 물질을 포함하는 합금으로 이루어지는 단일막, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 다중막으로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 본딩용 도전층(172) 및 제2 본딩용 도전층(174)은 Au-Sn 합금, Ni-Sn 합금, Ni-Au-Sn 합금, Pb-Ag-In 합금, Pb-Ag-Sn 합금, Pb-Sn 합금, Au-Ge 합금, 또는 Au-Si 합금을 포함할 수 있다.
상기 제1 본딩용 도전층(172) 및 제2 본딩용 도전층(174)이 다중막으로 이루어지는 경우, 상기 제1 본딩용 도전층(172) 및 제2 본딩용 도전층(174)은 각각 도전성 배리어층 (도시 생략), 도전성 접착층 (도시 생략), 도전성 커플링층 (도시 생략), 및 도전성 본딩층 (도시 생략) 중에서 선택되는 적어도 2 개의 층을 포함할 수 있다. 상기 도전성 배리어층은 Ti 층, 적어도 한 쌍의 Ti/Pt 이중층, 적어도 한 쌍의 Ti/W 이중층, 적어도 한 쌍의 TiN/W 이중층, 적어도 한 쌍의 W/TiW 이중층, 및 Ni 층 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도전성 접착층은 Ti로 이루어질 수 있다. 상기 도전성 커플링층은 상기 도전성 접착층과 상기 도전성 본딩층과의 사이에 형성될 수 있으며, Ni 또는 Ni/Au로 이루어질 수 있다. 상기 도전성 본딩층은 Au-Sn 합금, Ni-Sn 합금, Ni-Au-Sn 합금, Pb-Ag-In 합금, Pb-Ag-Sn 합금, Pb-Sn 합금, Au-Ge 합금, 또는 Au-Si 합금을 포함할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상에 의하면, 상기 제1 본딩용 도전층(172) 및 제2 본딩용 도전층(174)의 구성은 상기 예시된 바에 한정되는 것은 아니며, 다양한 도전 물질들의 조합이 가능하다.
상기 반사성 보호 구조체(150)는 상기 반도체 영역(120)과 상기 제2 전극층(140)과의 사이의 계면의 에지 근방에서, 상기 계면과 상기 제2 전극층(140)의 측벽(140S)을 포위한다. 도 1에서, 상기 제2 전극층(140)의 측벽(140S)이 기판(102)의 주면 연장 방향에 수직인 것으로 예시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 전극층(140)의 측벽(140S)은 경사면으로 이루어질 수도 있다. 이와 마찬가지로, 제1 전극층(130)의 측벽도 기판(102)의 주면 연장 방향에 수직인 것으로 예시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 경사면으로 이루어질 수도 있다.
상기 반사성 보호 구조체(150)는 상기 제2 전극층(140)의 주위에서 상기 반도체 영역(120)을 덮는 반사 영역(150R)을 가진다. 일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체(150)는 제2 반도체층(116)의 상면 중 상기 제1 절연막(122)과 상기 제2 전극층(140)과의 사이에서 노출되는 부분의 일부 또는 전부를 덮을 수 있다.
상기 반사성 보호 구조체(150)는 활성층(114)에서 발생되어 제2 반도체층(116)을 거쳐 제2 전극층(140)의 주위로 방출되는 빛을 반사시킬 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 반사성 보호 구조체(150)는 산화막, 질화막, 산화질화막, 금속, 합금, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체(150)는 반도체 영역(120) 중 제2 전극층(140)에 접하는 반도체층의 굴절률, 도 1의 예에서는 제2 반도체층(116)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지는 절연 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 활성층(114)에서 발생되는 빛 중 제2 전극층(140)의 주위를 향하여 방출되는 빛의 적어도 일부가 상기 반사성 보호 구조체(150)의 반사 영역(150R)에서 전반사됨으로써 광 추출 효율을 향상시키는 데 기여할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체(150)는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 또는 니오븀 산화물로 이루어질 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 반사성 보호 구조체(150)는 SiO2, Si3N4, SiOxNy (x + y ≤ 2, x > 0, y > 0), TiO2, Ti3O5, Ti2O3, TiO, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, AlN, 또는 Nb2O5 로 이루어지는 단일막, 또는 이들 중 선택되는 적어도 2 종의 서로 다른 물질들로 이루어지는 다중막으로 이루어질 수 있다.
예들 들면, 제2 반도체층(116)이 p-GaN으로 이루어지는 경우, 상기 반사성 보호 구조체(150)는 SiO2, Ta2O5, HfO2, Si3N4, 또는 SiOxNy 막 (x + y ≤ 2, x > 0, y > 0)으로 이루어질 수 있다. 파장 450 nm에서, SiO2 막은 약 1.55, Ta2O5 막은 약 1.83, HfO2 막은 약 1.96, Si3N4 막은 약 2.05의 굴절률을 가질 수 있다. SiOxNy 막은 파장 450 nm에서 질소 (N) 함량에 따라 약 1.49 내지 약 1.92의 굴절률을 가질 수 있으며, N 함량이 감소함에 따라 굴절률이 더 작아질 수 있다.
상기 반사성 보호 구조체(150)는 단일의 절연층으로 이루어지는 전반사 구조체, 금속 반사층, DBR (Distributed Bragg Reflector) 구조체, ODR (Omni-Directional Reflector) 구조체, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이들에 대한 보다 상세한 사항은 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 후술한다.
상기 반도체 발광 소자(100)는, 제2 전극층(140)의 상면(140T)의 일부와, 제2 전극층(140)의 측벽(140S)과, 제2 전극층(140)의 주위에서 제2 반도체층(116)을 각각 덮도록 상기 제2 전극층(140)의 에지 부분을 감싸는 반사성 보호 구조체(150)를 포함함으로써, 제2 전극층(140)과 제2 반도체층(116)과의 사이의 접착력이 물리적으로 강화될 수 있다. 또한, 제2 전극층(140)과 제2 반도체층(116)과의 사이의 계면의 에지 근방에서 상기 계면이 상기 반사성 보호 구조체(150)에 의해 포위됨으로써, 제2 전극층(140)과 제2 반도체층(116)과의 사이의 계면을 통해 발생될 수 있는 누설 전류를 억제할 수 있고, 외부로부터의 물리적 충격 및 그로 인한 물리적인 손상과, 외부로부터의 화학적 침투 등을 방지할 수 있다.
예를 들면, 상기 제2 전극층(140)의 측벽 및 상면을 전도성 보호막(도시 생략), 특히 금속성 보호막이 완전히 감싸는 경우, 결정질인 금속의 성장 특성으로 인해 상기 금속성 보호막에서의 스트레스가 커질 수 있다. 그 결과, 금속성 보호막에서의 잔류 응력 (residual stress)이 인접해 있는 박막으로 전파되어, 상기 금속성 보호막의 하부에 있는 제2 전극층(140)이 손상되거나 파괴되는 문제를 야기할 수 있다. 또한, 제2 전극층(140)의 측벽 및 상면을 전도성 보호막으로 완전히 감싸는 경우, 상기 전도성 보호막의 끝 부분이 제2 반도체층(116)의 상면과 만나는 부분에서의 기계적 충격으로 인해 누설 전류가 발생될 수 있으며, 외부 환경으로부터의 화학적 침투에 취약한 구조적인 문제를 가질 수 있다.
그러나, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자(100)의 반사성 보호 구조체(150)는 제2 전극층(140)의 상면을 일부 노출시키는 적어도 하나의 제1 홀(150H)이 형성되어 있다. 따라서, 반사성 보호 구조체(150)가 제2 전극층(140)의 측벽 및 상면을 완전히 감싸는 경우에 비해, 반사성 보호 구조체(150)에서의 부가적인 잔류 응력이 상기 적어도 하나의 제1 홀(150H)에 의해 릴렉스(relax)되어, 반사성 보호 구조체(150)로 인해 부가되는 잔류 응력이 제2 전극층(140)까지 전파되는 것을 억제할 수 있고, 보다 안정적인 전극 구조를 얻을 수 있다. 또한, 반사성 보호 구조체(150) 중 제2 전극층(140) 및 제2 반도체층(116)에 접촉하는 부분이 절연막으로 이루어지므로, 반사성 보호 구조체(150)의 끝 부분이 제2 반도체층(116)의 상면과 만나는 부분에서의 기계적 충격이 완화됨으로써, 누설 전류 및 외부 환경으로부터의 화학적 침투 발생 가능성을 억제하여, 비교적 안정적인 구조를 가질 수 있다.
또한, 반사성 보호 구조체(150)의 구성 재료로서 광 반사 효율을 높일 수 있는 재료를 사용함으로써, 제2 전극층(140) 주위에서 제2 반도체층(116)을 덮는 부분만큼 광 추출 효율을 향상시키는 데 더 기여할 수 있다. 즉, 활성층(114)에서 발생된 빛 중 제2 전극층(140)의 주위로 방출되는 빛의 적어도 일부가 상기 반사성 보호 구조체(150)의 반사 영역(150R)에서 반사됨으로써, 활성층(114)으로부터의 빛이 원하는 방향으로 향하지 않고 실질적으로 소멸되는 광을 최소화하여, 실질적인 광 추출 효율을 극대화시킬 수 있다.
다음에, 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 다양한 변형예들에 따른 반도체 발광 소자(100A, 100B, 100C, 100D, 100E)에 대하여 설명한다. 도 2a 내지 도 2e에 예시한 반도체 발광 소자(100A, 100B, 100C, 100D, 100E)는 각각 도 1에 예시한 반사성 보호 구조체(150)의 다양한 변형예들에 따른 반사성 보호 구조체(150A, 150B, 150C, 150D, 150E)를 포함한다. 도 2a 내지 도 2e에 있어서, 도 1에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 중복 설명을 피하기 위하여 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도 2a 내지 도 2e에서는 변형예들에 따른 반사성 보호 구조체(150A, 150B, 150C, 150D, 150E)와, 이들 주위의 일부 구성 만을 도시한다. 도 2a 내지 도 2e에서, 도시 생략된 다른 구성 요소들은 도 1을 참조하여 설명한 바와 대체로 동일하다.
도 2a를 참조하면, 반도체 발광 소자(100A)에서, 반사성 보호 구조체(150A)는 단일의 절연 박막으로 이루어지는 전반사 구조체(252)로 이루어진다. 일부 실시예들에서, 상기 전반사 구조체(252)는 활성층(114)으로부터의 빛 중 제2 전극층(140)의 주위로 방출되는 빛의 적어도 일부를 상기 전반사 구조체(252)의 반사 영역(252R)에서 전반사시킬 수 있다.
상기 전반사 구조체(252)는 제2 반도체층(116)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지는 단일막 구조의 절연 구조물로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 전반사 구조체(252)의 절연 구조물은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 또는 니오븀 산화물로 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 전반사 구조체(252)는 상기 제2 절연막(160)과 동일 물질로 이루어질 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 전반사 구조체(252)는 상기 제2 절연막(160)과 다른 물질로 이루어질 수 있다.
도 2b를 참조하면, 반도체 발광 소자(100B)에서, 반사성 보호 구조체(150B)는 다중막 구조의 절연 구조물을 포함하는 전반사 구조체(254)로 이루어진다. 상기 전반사 구조체(254)는 서로 다른 물질로 구성되는 복수의 절연 박막(254A, 254B)을 포함한다. 상기 복수의 절연 박막(254A, 254B)은 제1 절연 박막(254A) 및 제2 절연 박막(254B)을 포함한다. 상기 제1 절연 박막(254A) 및 제2 절연 박막(254B)은 각각 제2 반도체층(116)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. 상기 제1 절연 박막(254A) 및 제2 절연 박막(254B)은 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 절연 박막(254A)의 굴절률보다 제2 절연 박막(254B)의 굴절률이 더 작을 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 전반사 구조체(254)는 활성층(114)으로부터의 빛 중 제2 전극층(140)의 주위로 방출되는 빛의 적어도 일부를 상기 전반사 구조체(254)의 반사 영역(254R)에서 전반사시킬 수 있다. 도 2b에는 전반사 구조체(254)가 제1 절연 박막(254A) 및 제2 절연 박막(254B)을 포함하는 이중막 구조로 이루어지는 경우를 예시하였다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예들 들면, 상기 전반사 구조체(254)는 적어도 3 개의 절연 박막이 차례로 적층된 다중막 구조로 이루어질 수도 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 절연 박막(254A) 및 제2 절연 박막(254B)은 각각 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 또는 니오븀 산화물 중에서 선택되는 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 절연 박막(254A)은 상기 제2 절연막(160)과 동일 물질로 이루어지고, 상기 제2 절연 박막(254B)은 상기 제2 절연막(160)과 다른 물질로 이루어질 수 있다.
도 2c를 참조하면, 반도체 발광 소자(100C)에서, 반사성 보호 구조체(150C)는 DBR (Distributed Bragg Reflector) 구조체(256)를 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 DBR 구조체(256)는 활성층(114)으로부터의 빛 중 제2 전극층(140)의 주위로 방출되는 빛의 적어도 일부를 상기 DBR 구조체(256)의 반사 영역(256R)에서 반사시킬 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 DBR 구조체(256)는 제1 굴절률을 갖는 제1 층(256A)과, 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 층(256B)이 적어도 1회 교대로 적층되어 있는 절연 구조물로 이루어지는 다중 반사층을 포함한다. 상기 제1 층(256A) 및 제2 층(256B)은 각각 Si, Zr, Ta, Ti, Hf 및 Al로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 또는 질화물로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 층(256A) 및 제2 층(256B)은 SiOx (0 < x ≤ 2), TiO2, Ti3O5, Ti2O3, TiO, Ta2O5, ZrO2, Nb2O5, CeO2, ZnS, Al2O3, SiN, 실록산 폴리머 (siloxane polymers), 및 MgF2 중에서 선택되는 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 층(256A)은 SiN, AlN, TiO2 및 SiOx (0 < x < 2) 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지고, 상기 제2 층(256B)은 SiO2 및 Al2O3 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 도 2c의 예에서는 제1 층(256A)이 제2 반도체층(116)과 접하는 것으로 예시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 일부 실시예들에서, 제1 층(256A) 및 제2 층(256B)의 위치가 서로 바뀔 수도 있다. 상기 제1 층(256A) 및 제2 층(256B)은 각각 활성층(114)에서 발생되는 빛의 파장(λ)의 1/4의 두께를 가질 수 있다.
도 2d를 참조하면, 반도체 발광 소자(100D)에서, 반사성 보호 구조체(150D)는 DBR 구조체(258)와, 상기 DBR 구조체(258)를 덮는 금속성 반사막(260)을 가지는 하이브리드 반사 구조체(262)를 포함한다. 상기 금속성 반사막(260)은 상기 DBR 구조체(258)를 사이에 두고 상기 제2 전극층(140)과 이격되어 있다.
일부 실시예들에서, 상기 하이브리드 반사 구조체(262)는 활성층(114)으로부터의 빛 중 제2 전극층(140)의 주위로 방출되는 빛의 적어도 일부를 상기 하이브리드 반사 구조체(262)의 반사 영역(262R)에서 반사시킬 수 있다.
상기 DBR 구조체(258)는, 도 2c를 참조하여 설명한 DBR 구조체(256)와 유사하게, 제1 굴절률을 갖는 제1 층(258A)과, 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 층(258B)이 적어도 1회 교대로 적층되어 있는 절연 구조물로 이루어지는 다중 반사층을 포함한다. 상기 제1 층(258A) 및 제2 층(258B)에 대한 보다 상세한 구성은 도 2c를 참조하여 제1 층(256A) 및 제2 층(256B)에 대하여 설명한 바와 같다.
일부 실시예들에서, 상기 금속성 반사막(260)은 Ag, Al, Ni, Cr, Pd, Cu, Pt, Sn, W, Au, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn, Ti, 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 금속성 반사막(260)은 상기 예시된 물질들 중 어느 하나로 이루어지는 단일막, 또는 Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al, Ni/Ag/Pt, Ni/Ag/Mg 등과 같이 적어도 2 종의 금속을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다.
도 2e를 참조하면, 반도체 발광 소자(100E)에서, 반사성 보호 구조체(150E)는 제2 반도체층(116)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지는 절연 박막(264)과, 상기 절연 박막(264)을 덮는 금속성 반사막(266)을 가지는 ODR 구조체(268)를 포함한다. 상기 금속성 반사막(266)은 상기 절연 박막(264)을 사이에 두고 상기 제2 전극층(140)과 이격되어 있다.
일부 실시예들에서, 상기 ODR 구조체(268)는 활성층(114)으로부터의 빛 중 제2 전극층(140)의 주위로 방출되는 빛의 적어도 일부를 상기 ODR 구조체(268)의 반사 영역(268R)에서 반사시킬 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 ODR 구조체(268)의 절연 박막(264)은 SiOx (0 < x ≤ 2), TiO2, Ti3O5, Ti2O3, TiO, Ta2O5, ZrO2, Nb2O5, CeO2, ZnS, Al2O3, SiN, 실록산 폴리머 (siloxane polymers), 또는 MgF2 로 이루어질 수 있다. 상기 금속성 반사막(266)은 Ag, Al, Ni, Cr, Pd, Cu, Pt, Sn, W, Au, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn, Ti, 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 금속성 반사막(266)은 상기 예시된 물질들 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 단일막, 또는 Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al, Ni/Ag/Pt, Ni/Ag/Mg 등과 같이 적어도 2 종의 금속을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다.
도 3a 내지 3g는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따라 도 1에 예시한 반도체 발광 소자(100)를 제조하는 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다. 도 3a 내지 도 3g에 있어서, 도 1에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 3a를 참조하면, 기판(102)상에 버퍼층(104), 제1 반도체층(112), 활성층(114), 및 제2 반도체층(116)을 가지는 발광 구조물(110)을 형성한다.
일부 실시예들에서, 상기 발광 구조물(110)는 MOCVD, HVPE, 또는 MBE 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 제2 반도체층(116)으로부터 상기 제1 반도체층(112)의 일부 두께 깊이까지 식각되도록 상기 발광 구조물(110)의 일부를 메사 식각하여 제1 반도체층(112)의 낮은 표면부(112L)를 형성한다.
상기 발광 구조물(140)의 메사 식각은 RIE (reactive ion etching) 공정에 의해 행해질 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 발광 구조물(110)과, 상기 제1 반도체층(112)의 낮은 표면부(112L)의 노출 표면을 덮는 제1 절연막(122)을 형성한다.
상기 제1 절연막(122)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 절연성 폴리머, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있으나, 상기 예시된 막들에 제한되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 절연막(122)은 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), PVD (physical vapor deposition), 또는 스핀 코팅 (spin coating) 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 상기 제1 절연막(122)의 일부를 식각하여 상기 제1 반도체층(112)의 낮은 표면부(112L)를 노출시키는 홀(H1)을 형성한 후, 상기 홀(H1)을 통해 상기 제1 반도체층(112)에 연결되는 제1 전극층(130)을 형성한다.
그리고, 상기 제1 절연막(122)의 다른 일부를 식각하여 상기 제2 반도체층(116)의 상면(116T)을 노출시키는 홀(H2)을 형성한 후, 상기 홀(H2)을 통해 상기 제2 반도체층(116)에 연결되는 제2 전극층(140)을 형성한다. 그 후, 상기 제2 전극층(140)과, 제2 전극층(140) 주위에서 노출되는 제2 반도체층(116)의 상면(116T)을 덮는 반사성 보호층(P150)을 형성한다.
상기 반사성 보호층(P150)은 도 1에 예시한 반사성 보호 구조체(150)를 형성하기 위한 예비 막으로서, 도 2a 내지 도 2e에 각각 예시한 바와 같이, 단일의 절연 박막으로 이루어지는 전반사 구조체(252), 복수의 절연 박막으로 이루어지는 전반사 구조체(254), DBR 구조체(256), 하이브리드 반사 구조체(262), 또는 ODR 구조체(268)를 형성할 수 있는 예비 막의 형태로 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 절연막(122)에 홀(H1, H2)을 형성하기 위하여, RIE 공정 및 BOE (buffered oxide etchant)를 이용하는 습식 식각 공정을 이용할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 전극층(130) 및 제2 전극층(140)은 각각 전자빔 증발 (electron beam evaporation)을 이용하는 DVD (Directed Vapor Deposition) 공정에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호층(P150)은 스퍼터링 (sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 예에서는 제1 전극층(130)을 형성한 후, 제2 전극층(140) 및 반사성 보호층(P150)을 형성하는 것으로 설명하였으나, 제1 전극층(130), 제2 전극층(140), 및 반사성 보호층(P150)의 형성 순서는 예시된 바에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 전극층(130)보다 제2 전극층(140)을 먼저 형성할 수 있다. 또는, 제2 전극층(140) 및 반사성 보호층(P150)을 먼저 형성한 후, 제1 전극층(130)을 형성할 수도 있다.
도 3e를 참조하면, 상기 제1 절연막(122), 제1 전극층(130), 및 반사성 보호층(P150)을 각각 덮는 제2 절연막(160)을 형성한다.
상기 제2 절연막(160)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 절연성 폴리머, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있으나, 상기 예시된 막들에 제한되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 절연막(160)은 PECVD, PVD, 또는 스핀 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 3f를 참조하면, 상기 제2 절연막(160) 및 반사성 보호층(P150)을 일부 식각하여 상기 제1 전극층(130)의 상면(130T)과 상기 제2 전극층(140)의 상면(140T)을 각각 노출시킨다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 전극층(130)의 상면(130T)과 상기 제2 전극층(140)의 상면(140T)을 노출시키기 위하여, 상기 제2 절연막(160) 위에 상기 제2 절연막(160)을 일부 노출시키는 복수의 홀이 형성된 마스크 패턴(도시 생략)을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제2 절연막(160) 및 반사성 보호층(P150)을 식각할 수 있다. 그리고, 식각 마스크로 사용된 마스크 패턴을 제거하여, 상기 제2 절연막(160)을 노출시킬 수 있다. 상기 제2 절연막(160) 및 반사성 보호층(P150)을 식각하기 위하여 RIE 공정을 이용할 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 상기 예시된 공정에 제한되지 않으며, 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
도 3e에 예시한 제2 절연막(160) 및 반사성 보호층(P150)을 식각한 결과로서, 제2 전극층(140)의 상면(140T)을 노출시키는 제1 홀(150H)이 형성된 반사성 보호 구조체(150)가 얻어진다. 그리고, 제2 절연막(160)에는 상기 제1 홀(150H)과 연통되어 제2 전극층(140)의 상면(140T)을 노출시키는 제2 홀(160H2)과, 제1 전극층(130)의 상면(130T)을 노출시키는 제3 홀(160H3)이 형성된다.
도 3g를 참조하면, 상기 제3 홀(160H3)을 통해 제1 전극층(130)에 연결되는 제1 본딩용 도전층(172)과, 상기 제1 홀(150H) 및 제2 홀(160H2)을 통해 제2 전극층(140)에 연결되는 제2 본딩용 도전층(174)을 형성한다.
일부 실시예들에서, 상기와 같은 방법에 의해 형성된 반도체 발광 소자(100)는 상기 제1 본딩용 도전층(172) 및 제2 본딩용 도전층(174)을 본딩층으로 하여, 유텍틱 본딩 (eutectic bonding) 공정에 의해 패키지 기판 (도시 생략) 위에 실장될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자(300)의 주요 구성을 도시한 평면 레이아웃이다. 도 4b는 도 4a의 B - B' 선 단면도이다. 도 4c는 도 4a의 반도체 발광 소자(300)의 주요 구성 중 제2 전극층(340) 및 반사성 보호 구조체(350) 만을 도시한 평면도이다.
도 4a 내지 도 4c에서는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자(300)에서 채용 가능한 제1 전극층(330) 및 제2 전극층(340)의 예시적인 평면 형상과, 상기 제2 전극층(340)의 평면 형상에 상응하는 형상을 가지고 제2 전극층(340)의 에지 부분을 포위하면서 제2 전극층(340)의 상면의 일부, 제2 전극층(340)의 측벽, 및 제2 전극층(340) 주위의 제2 반도체층(316)을 덮는 반사성 보호 구조체(350)의 예시적인 평면 형상을 설명한다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 반도체 발광 소자(300)는 기판(302)과, 상기 기판(302)상에 형성된 발광 구조물(310)을 포함한다.
상기 기판(302)은 도 1을 참조하여 기판(102)에 대하여 설명한 바와 동일한 구성을 가질 수 있다.
상기 발광 구조물(310)은 그 일부 영역에 그루브(groove)(310G)가 형성되어 있다. 상기 발광 구조물(310)은 상기 기판(302)상에서 제1 방향 (도 4a에서 Y 방향)으로 연장되는 제1 메사 구조물(310A)과, 일부 영역에서 상기 그루브(310G)를 사이에 두고 서로 이격되어 있으면서 일단에서는 상기 제1 메사 구조물(310A)을 통해 서로 연결되어 있는 복수의 제2 메사 구조물(310B)을 포함한다.
상기 발광 구조물(310)은 상기 기판(302)상에 차례로 형성된 제1 반도체층(312), 활성층(314), 및 제2 반도체층(316)을 포함한다.
상기 제1 반도체층(312)은 상기 그루브(310G)에 의해 서로 이격된 복수의 분기 부분을 가지는 메사 영역(312A, 312B)을 포함한다. 즉, 상기 제1 반도체층(312)은 상기 제1 메사 구조물(310A)의 일부를 구성하는 제1 메사 영역(312A)과, 일부 영역에서 그루브(310G)를 사이에 두고 서로 이격되어 있으면서 일단에서는 상기 제1 메사 영역(312A)을 통해 서로 연결되어 있는 복수의 제2 메사 영역(312B)을 포함한다.
상기 기판(302)의 에지 부분 위에서 발광 구조물(310)의 주위에는 상기 제1 반도체층(312)의 낮은 표면부(312E)가 노출되어 있다. 상기 제1 반도체층(312)의 낮은 표면부(312E)는 그루브(310G)의 저면(310GB)과 대략 동일한 평면상에 있으며, 상기 그루브(310G)의 저면(310GB)과 연결되어 있다. 상기 제1 반도체층(312)의 낮은 표면부(312E)는 후속 공정에서 상기 기판(302)을 칩 단위로 분리하기 위한 공정시 스크라이빙 라인 (scribing line)으로 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 반도체층(312)은 상기 낮은 표면부(312E)를 포함하지 않을 수도 있다.
상기 제1 반도체층(312)은 n형 반도체로 이루어지고, 상기 제2 반도체층(316)은 p형 반도체로 이루어질 수 있다. 상기 제1 반도체층(312), 활성층(314) 및 제2 반도체층(316)에 대한 보다 상세한 구성은 도 1을 참조하여 제1 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 반도체층(116)에 대하여 설명한 바와 같다.
상기 그루브(310G)의 저면(310GB)에는 상기 제1 반도체층(312)이 노출되어 있다. 상기 제1 반도체층(312) 중 상기 그루브(310G)의 저면(310GB)에서 노출되는 부분 위에는 제1 전극층(330)이 형성되어 있다. 상기 제1 전극층(330)은 그루브(310G)의 길이 방향을 따라 연장되어 있다. 상기 제1 전극층(330)은 상기 그루브(310G) 내에 위치되는 복수의 콘택 영역(330C)을 가진다. 상기 복수의 콘택 영역(330C)은 제1 전극층(330)의 다른 부분들보다 큰 폭을 가지는 것으로 예시되어 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 구조물(310) 위에는 제2 전극층(340)이 형성되어 있다. 상기 제2 전극층(340)은 상기 제2 반도체층(316)에 연결되어 있다.
상기 제2 전극층(340)은 상기 제1 메사 구조물(310A)과, 상기 제1 메사 구조물(310A)로부터 분기되는 복수의 제2 메사 구조물(310B)에 각각 오버랩되도록 상기 발광 구조물(310) 위에 배치되어 있다. 상기 제2 전극층(340) 중 제1 메사 구조물(310A) 위에 있는 일부 영역은 콘택 영역(340C)을 구성하고, 상기 복수의 제2 메사 구조물(310B) 위에 있는 다른 일부 영역은 비콘택 영역(340NC)을 구성한다.
상기 제1 전극층(330) 및 제2 전극층(340)의 구성 물질에 대한 보다 상세한 구성은 도 1을 참조하여 제1 전극층(130) 및 제2 전극층(140)에 대하여 설명한 바와 대체로 동일하다.
상기 제1 전극층(330)과 제2 전극층(340)과의 사이에는 제1 절연막(322)이 형성되어 있다. 상기 제1 절연막(322)은 발광 구조물(310)의 제1 메사 구조물(310A) 및 그로부터 분기되는 복수의 제2 메사 구조물(310B) 각각의 측벽을 덮는다.
상기 반사성 보호 구조체(350)는 제2 전극층(340)의 상면(340T)으로부터 제2 반도체층(316)의 상면(316T)까지 연장되어 있다.
상기 반사성 보호 구조체(350)에는 상기 제2 전극층(340)의 상면(340T) 중 콘택 영역(340C)을 노출시키는 복수의 제1 홀(350H)이 형성되어 있다. 상기 복수의 제1 홀(350H)은 일 직선상에서 서로 이격된 위치에 배열될 수 있다. 상기 복수의 제1 홀(350H)의 평면 형상, 배치, 및 갯수는 도 4a 내지 도 4c에 예시된 바에 한정되는 것은 아니며, 다양한 변경 및 변경이 가능하다.
상기 반사성 보호 구조체(350)는 제2 절연막(360)으로 덮여 있다. 상기 제2 절연막(360)은 제2 반도체층(316) 위에서 상기 제2 전극층(340)의 일부, 상기 반사성 보호 구조체(350), 및 상기 제1 절연막(322)을 덮도록 연장된다. 상기 제2 절연막(360)에는 상기 반사성 보호 구조체(350)에 형성된 복수의 제1 홀(350H)과 연통되어 제2 전극층(340)의 콘택 영역(340C)을 노출시키는 복수의 제2 홀(360H)이 형성되어 있다.
상기 반사성 보호 구조체(350)는 제2 반도체층(316)과 제2 전극층(340)과의 사이의 계면의 에지 근방에서 상기 계면과, 제2 전극층(340)의 측벽(340S)을 포위한다. 도 4b에서, 상기 제2 전극층(340)의 측벽(340S)이 기판(302)의 주면 연장 방향에 수직인 것으로 예시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 전극층(340)의 측벽(340S)은 경사면으로 이루어질 수도 있다. 이와 마찬가지로, 제1 전극층(330)의 콘택 영역(330C)의 측벽도 기판(102)의 주면 연장 방향에 수직인 것으로 예시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 경사면으로 이루어질 수도 있다.
상기 반사성 보호 구조체(350)는 제2 전극층(340)의 주위에서 제2 반도체층(316)을 덮는 반사 영역(350R)을 가진다. 일부 실시예들에서, 상기 반사성 보호 구조체(350)는 제2 반도체층(316)의 상면(316T) 중 상기 제1 절연막(322)과 상기 제2 전극층(340)과의 사이에서 노출되는 부분의 일부 또는 전부를 덮을 수 있다.
상기 반사성 보호 구조체(350)는 활성층(314)에서 발생되어 제2 반도체층(316)을 거쳐 제2 전극층(340)의 주위로 방출되는 빛을 반사시킬 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 상기 반사성 보호 구조체(350)의 구성 물질에 대한 보다 상세한 사항은 도 1을 참조하여 반사성 보호 구조체(150)에 대하여 설명한 바를 참조한다.
상기 반사성 보호 구조체(350)는 도 2a 내지 도 2e에 각각 예시한 바와 같은 단일의 절연 박막으로 이루어지는 전반사 구조체(252), 복수의 절연 박막으로 이루어지는 전반사 구조체(254), DBR 구조체(256), 하이브리드 반사 구조체(262), 또는 ODR 구조체(268)의 형태를 가질 수 있다.
상기 제2 전극층(340)의 비콘택 영역(340NC)은 제2 절연막(360)에 의해 덮여 있다. 상기 제2 절연막(360)은 제1 절연막(322)을 사이에 두고 상기 발광 구조물(310)의 측벽을 덮는다.
상기 제2 절연막(360) 위에는 상기 제1 전극층(330)의 복수의 콘택 영역(330C)에 연결되는 제1 본딩용 도전층(372)과, 상기 제2 전극층(340)의 복수의 콘택 영역(340C)에 연결되는 제2 본딩용 도전층(374)이 형성되어 있다. 상기 제1 본딩용 도전층(372) 및 제2 본딩용 도전층(374)은 소정 거리(D)를 사이에 두고 상호 이격되어 있다.
상기 제1 본딩용 도전층(372)은 복수의 제2 메사 구조물(310B) 위에서 제1 전극층(330)의 복수의 콘택 영역(340C)과 제2 절연막(360)과 접해 있으며, 상기 복수의 제2 메사 구조물(310B)과 각각 오버랩되도록 연장되어 있다. 상기 제1 본딩용 도전층(372)은 제2 절연막(360)을 사이에 두고 상기 제2 전극층(340)의 비콘택 영역(340NC)을 덮고 있다. 상기 제1 본딩용 도전층(372)과 상기 제2 전극층(340)의 비콘택 영역(340NC)과의 사이에 제2 절연막(360)이 개재되어 이들이 상호 절연될 수 있다.
상기 제2 본딩용 도전층(374)은 반사성 보호 구조체(350)에 형성된 복수의 제1 홀(350H)과 제2 절연막(360)에 형성된 복수의 제2 홀(360H)을 관통하여 제2 전극층(340)의 콘택 영역(340C)에 접촉한다. 상기 제2 본딩용 도전층(374)은 상기 반사성 보호 구조체(350)에 의해 포위되는 부분과, 상기 제2 절연막(360)에 의해 포위되는 부분과, 상기 제2 절연막(360)의 상면을 덮는 부분을 포함한다.
상기 제1 본딩용 도전층(372) 및 제2 본딩용 도전층(374)에 대한 보다 상세한 사항은 도 1을 참조하여 상기 제1 본딩용 도전층(172) 및 제2 본딩용 도전층(174)에 대하여 설명한 바와 같다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하여 설명한 반도체 발광 소자(300)는 도 3a 내지 도 3g를 참조하여 설명한 반도체 발광 소자(100) 제조 방법을 참조하여 용이하게 제조될 수 있다. 따라서, 여기서는 반도체 발광 소자(300)의 제조 방법에 대한 상세한 설명을 생략한다.
상기 반도체 발광 소자(300)는, 제2 전극층(340)의 상면(340T)의 일부와, 제2 전극층(340)의 측벽(340S)과, 제2 전극층(340) 주위의 제2 반도체층(316)을 각각 덮도록 상기 제2 전극층(340)의 에지 부분을 감싸는 반사성 보호 구조체(350)를 포함함으로써, 제2 전극층(340)과 제2 반도체층(316)과의 사이의 접착력이 물리적으로 강화될 수 있다. 또한, 제2 전극층(340)과 제2 반도체층(316)과의 사이의 계면이 상기 반사성 보호 구조체(350)에 의해 포위됨으로써, 제2 전극층(340)과 제2 반도체층(316)과의 사이의 계면을 통해 발생될 수 있는 누설 전류를 억제할 수 있고, 외부로부터의 물리적 충격 및 그로 인한 물리적인 손상과, 외부로부터의 화학적 침투 등을 방지할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(300)의 반사성 보호 구조체(350)는 제2 전극층(340)의 상면을 일부 노출시키는 복수의 제1 홀(350H)이 형성되어 있으므로, 반사성 보호 구조체(350)가 제2 전극층(340)의 측벽 및 상면을 완전히 감싸는 경우에 비해, 반사성 보호 구조체(350)에서 발생될 수 있는 부가적인 잔류 응력이 복수의 제1 홀(350H)에 의해 릴렉스되어, 잔류 응력이 제2 전극층(340)까지 전파되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 보다 안정적인 전극 구조를 얻을 수 있다. 또한, 반사성 보호 구조체(350) 중 제2 전극층(340) 및 제2 반도체층(314)에 접촉하는 부분이 절연막으로 이루어지므로, 반사성 보호 구조체(150)의 끝 부분이 제2 반도체층(316)의 상면과 만나는 부분에서의 기계적 충격이 완화됨으로써, 누설 전류 및 외부 환경으로부터의 화학적 침투 발생 가능성을 억제하여, 비교적 안정적인 구조를 가질 수 있다.
또한, 반사성 보호 구조체(350)의 구성 재료로서 광 반사 효율을 높일 수 있는 재료를 사용함으로써, 제2 전극층(340) 주위에서 제2 반도체층(316)을 덮는 부분만큼 광 추출 효율을 향상시키는 데 더 기여할 수 있다. 즉, 활성층(314)에서 발생된 빛 중 제2 전극층(340)의 주위로 방출되는 빛의 적어도 일부가 상기 반사성 보호 구조체(350)의 반사 영역(350R)에서 반사됨으로써, 활성층(316)으로부터의 빛이 원하는 방향으로 향하지 않아 실질적으로 소멸되는 광을 최소화하여 실질적인 광 추출 효율을 극대화시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자(400)의 단면도이다. 도 5에 있어서, 도 4a 내지 도 4c에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
반도체 발광 소자(400)는 기판(402)에서 제1 반도체층(312)에 대면하는 표면에 요철 패턴(412)이 형성된 것을 제외하면, 도 4a 내지 도 4c에 예시한 반도체 발광 소자(300)와 대체로 동일한 구성을 가진다. 상기 기판(402)에 대한 보다 상세한 설명은 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 기판(302)에 대하여 설명한 바와 같다.
상기 기판(402)의 표면에 요철 패턴(412)이 형성됨으로써, 기판(402) 위에 형성되는 반도체층들의 결정성이 향상되고 결함 밀도가 감소되어 내부 양자 효율이 개선될 수 있고, 기판(302) 표면에서의 빛의 난반사에 의한 추출 효율이 증가되어 반도체 발광 소자(400)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자(500)의 주요 구성을 도시한 단면도이다. 상기 반도체 발광 소자(500)는 도 4a 및 도 4b에 예시한 반도체 발광 소자(300)가 패키지 기판(510)상에 실장된 구조를 예시한 것이다. 도 6에 있어서, 도 4a 내지 도 4c에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 6을 참조하면, 상기 패키지 기판(510)은 복수의 관통홀(512)이 형성된 기판 본체(514)와, 상기 복수의 관통홀(512) 내에 형성된 복수의 관통 전극(522, 524)과, 상기 기판 본체(514)의 양측 표면에 형성된 복수의 도전층(532, 534, 536, 538)을 포함한다. 상기 복수의 도전층(532, 534, 536, 538)은 기판 본체(514)의 양측 표면에서 상기 관통 전극(522)의 양 단부에 각각 연결되어 있는 제1 도전층(532) 및 제2 도전층(534)과, 기판 본체(514)의 양측 표면에서 상기 관통 전극(524)의 양 단부에 각각 연결되어 있는 제3 도전층(536) 및 제4 도전층(538)을 포함한다. 상기 기판 본체(514)의 일면에서, 상기 제1 도전층(532) 및 제3 도전층(536)이 서로 이격되어 있고, 상기 기판 본체(514)의 타면에서, 상기 제2 도전층(534) 및 제4 도전층(538)이 서로 이격되어 있다.
상기 기판 본체(514)는 PCB (Printed Circuit Board), MCPCB (Metal Core PCB), MPCB (Metal PCB), FPCB (Flexible PCB) 등의 회로 기판, 또는 AlN, Al2O3 등의 세라믹 기판으로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 6에 예시한 패키지 기판(510) 대신 리드 프레임을 포함하는 구조물을 채용할 수도 있다.
상기 관통 전극(522, 524) 및 복수의 도전층(532, 534, 536, 538)은 각각 Cu, Au, Ag, Ni, W, Cr, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 본딩용 도전층(372)은 상기 제1 도전층(532)에 연결되고, 상기 제2 본딩용 도전층(374)은 상기 제3 도전층(536)에 연결된다. 상기 제1 본딩용 도전층(372) 및 제2 본딩용 도전층(374)은 상기 제1 도전층(532) 및 제3 도전층(536)에 각각 유텍틱 다이 본딩 (eutectic die bonding) 방식에 의해 접합될 수 있다. 이를 위하여, 상기 제1 본딩용 도전층(372) 및 제2 본딩용 도전층(374)이 각각 상기 제1 도전층(532) 및 제3 도전층(536)과 대면하도록 패키지 기판(510)상에 도 4a 및 도 4b에 예시한 반도체 발광 소자(300)를 위치시킨 후, 약 200 ∼ 700℃의 온도하에서 열압착하는 공정을 이용할 수 있다. 상기 제1 본딩용 도전층(372) 및 제1 도전층(532)과, 제2 본딩용 도전층(374) 및 제3 도전층(536)이 각각 유텍틱 다이 본딩 방식에 의해 접합됨으로써, 신뢰성 있고 강도 높은 접합을 유지할 수 있다.
도 6에서는 패키지 기판(510)상에 도 4a 및 도 4b에 예시한 반도체 발광 소자(300)를 실장한 경우를 예시하였으나, 도 6을 참조하여 설명한 바와 유사한 방법으로 상기 패키지 기판(510)상에 도 5에 예시한 반도체 발광 소자(400)를 실장할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자(600)의 주요 구성을 도시한 단면도이다. 도 7에 있어서, 도 4a 내지 도 6에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
상기 반도체 발광 소자(600)는 기판(302)의 배면(302B)이 파장 변환부(602)로 덮여 있는 것을 제외하면, 도 6의 반도체 발광 소자(500)의 구성과 대체로 동일하다.
상기 파장 변환부(602)는 반도체 발광 소자(300)로부터 방출되는 빛의 파장을 다른 파장으로 변환하는 역할을 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 파장 변환부(602)는 형광체 또는 양자점을 포함하는 수지층으로 이루어질 수 있다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 반도체 발광 소자(700)의 주요 구성을 도시한 단면도이다. 도 8에 있어서, 도 4a 내지 도 6에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
반도체 발광 소자(700)는 요철 표면(720)을 가지는 제1 반도체층(712)을 포함한다. 상기 반도체 발광 소자(700)를 제조하기 위한 예시적인 공정에서, 도 4b에 예시한 반도체 발광 소자(300)를 제1 본딩용 도전층(372) 및 제2 본딩용 도전층(374)을 이용하여 패키지 기판(510)에 본딩한 후, 기판(302)을 제거하고, 그 결과 노출되는 제1 반도체층(312)의 표면에 일정한 형태 또는 불규칙한 형태의 요철 패턴을 주기적으로 반복 형성함으로써, 요철 표면(720)을 가지는 제1 반도체층(712)을 형성할 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(700)에서 요철 표면(720)을 가지는 제1 반도체층(712)을 포함함으로써, 광손실을 억제하고 휘도를 향상시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(900)의 주요 구성을 도시한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 발광 소자 패키지(900)는 전극 패턴(912, 914)이 형성된 컵형 패키지 구조물(920)을 포함한다. 상기 패키지 구조물(920)은 표면에 상기 전극 패턴(912, 914)이 형성된 하부 기판(922)과, 홈부(930)를 갖는 상부 기판(924)을 포함한다.
상기 홈부(930)의 저면에는 반도체 발광 소자(940)가 플립칩 방식으로 실장되어 있다. 상기 반도체 발광 소자(940)는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 반도체 발광 소자(100, 100A 내지 100E, 300, 400, 500, 600, 700) 중 적어도 하나의 반도체 발광 소자로 구성된다. 상기 반도체 발광 소자(940)는 유텍틱 다이 본딩 방식에 의해 상기 전극 패턴(912, 914) 위에 고정될 수 있다.
상기 홈부(930)의 내부 측벽에는 반사판(950)이 형성되어 있다. 상기 반도체 발광 소자(940)는 상기 반사판(950) 위에서 홈부(930) 내부를 채우는 투명 수지(960)로 덮여 있다. 상기 투명 수지(960)의 표면에는 광 추출 효율을 향상시키기 위한 요철 패턴(962)이 형성되어 있다. 일부 실시예들에서, 상기 요철 패턴(962)은 생략될 수 있다.
상기 발광 소자 패키지(900)는 고출력/고효율을 갖는 청색 LED로 사용될 수 있으며, 이는 대형 디스플레이, LED TV, RGB 백색 조명, 감성 조명 등을 구현하는 데 이용될 수 있다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 포함하는 조광 시스템 (dimming system) (1000)을 도시한 도면이다.
도 10을 참조하면, 조광 시스템(1000)은 구조물(1010)상에 배치된 발광 모듈(1020) 및 전원 공급부(1030)를 포함한다.
상기 발광 모듈(1020)은 복수의 발광 소자 패키지(1024)를 포함한다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(1024)는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 반도체 발광 소자(100, 100A 내지 100E, 300, 400, 500, 600, 700) 중 적어도 하나의 반도체 발광 소자를 포함한다.
상기 전원 공급부(1030)는 전원이 입력되는 인터페이스(1032)와, 발광 모듈(1020)에 공급되는 전원을 제어하는 전원 제어부(1034)를 포함한다. 상기 인터페이스(1032)는 과전류를 차단하는 퓨즈와 전자파 장애 신호를 차폐하는 전자파 차폐필터를 포함할 수 있다. 상기 전원 제어부(1034)는 전원으로서 교류 전원이 입력되는 경우 교류를 직류로 변환하는 정류부 및 평활화부와, 상기 발광 모듈(1020)에 적합한 전압으로 변환시켜주는 정전압 제어부를 포함할 수 있다. 상기 전원 공급부(1030)는 상기 복수의 발광 소자 패키지(1024)에서의 발광량과 미리 설정된 광량과의 비교를 수행하는 피드백 회로 장치와, 원하는 휘도, 연색성 등과 같은 정보를 저장하기 위한 메모리 장치를 포함할 수 있다.
상기 조광 시스템(1000)은 화상 패널을 구비하는 액정 표시 장치 등의 디스플레이 장치에 이용되는 백라이트 유닛, 램프, 평판 조명 등의 실내 조명 가로등, 또는 간판, 표지판 등의 실외 조명 장치로 사용될 수 있다. 또는, 상기 조광 시스템(1000)은 다양한 교통 수단용 조명 장치, 예를 들면 자동차, 선박, 또는 항공기용 조명 장치, TV, 냉장고 등과 같은 가전 제품, 또는 의료기기 등에 사용될 수 있다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치(1100)의 블록도이다.
도 11을 참조하면, 디스플레이 장치(1100)는 방송 수신부(1110), 영상 처리부(1120) 및 디스플레이(1130)를 포함한다.
상기 디스플레이(1130)는, 디스플레이 패널(1140) 및 백라이트 유닛 (BLU: back light unit)(1150)을 포함한다. 상기 BLU (1150)는 빛을 발생시키는 광원들과 이 광원들을 구동시키는 구동 소자들로 구성된다.
상기 방송 수신부(1110)는 공중(air) 또는 케이블을 통하여 무선 또는 유선으로 수신되는 방송의 채널을 선국하는 장치로서, 다수의 채널 중에서 임의의 채널을 입력 채널로 설정하고, 입력 채널로 설정된 채널의 방송 신호를 수신한다.
상기 영상 처리부(1120)는 방송 수신부(1110)에서 출력되는 방송 컨텐츠에 대해 비디오 디코딩, 비디오 스케일링, FRC (Frame Rate Conversion) 등의 신호처리를 수행한다.
상기 디스플레이 패널(1140)은 LCD (Liquid Crystal Display)로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 디스플레이 패널(1140)은 영상 처리부(1120)에서 신호 처리된 방송 컨텐츠를 표시한다. BLU(1150)는 디스플레이 패널(1140)로 빛을 투사하여 디스플레이 패널(1140)이 영상을 표시할 수 있도록 한다. BLU(1150)는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 반도체 발광 소자(100, 100A 내지 100E, 300, 400, 500, 600, 700) 중 적어도 하나의 반도체 발광 소자를 포함한다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
100, 100A 내지 100E, 300, 400, 500, 600, 700: 반도체 발광 소자, 102: 기판, 110: 발광 구조물, 112: 제1 반도체층, 114: 활성층, 116: 제2 반도체층, 122: 제1 절연막, 130: 제1 전극층, 140: 제2 전극층, 150, 150A, 150B, 150C, 150D, 150E: 반사성 보호 구조체, 150R: 반사 영역, 160: 제2 절연막, 252, 254:전반사 구조체, 256, 258: DBR 구조체, 260: 금속성 반사막, 262: 하이브리드 반사 구조체, 264: 절연 박막, 266: 금속성 반사막, 268: ODR 구조체, 172: 제1 본딩용 도전층, 174: 제2 본딩용 도전층.

Claims (10)

  1. 발광 구조물을 가지는 반도체 영역과,
    상기 반도체 영역의 상면 중 제1 부분을 덮고 금속성 반사층 (metallic reflector layer)을 가지는 전극층과,
    상기 전극층의 상면으로부터 상기 반도체 영역의 상면 증 상기 제1 부분을 포위하는 제2 부분까지 연장되어 있고, 상기 전극층의 상면을 노출시키는 적어도 하나의 제1 홀과, 상기 전극층의 주위에서 상기 반도체 영역의 상기 제2 부분을 덮는 반사 영역을 가지는 반사성 보호 구조체 (reflective protection structure)와,
    상기 반도체 영역의 상면 중 상기 제2 부분을 포위하는 제3 부분에 접하는 제1 절연막과,
    상기 반사성 보호 구조체의 상면을 덮는 부분과, 상기 제3 부분 위에서 상기 제1 절연막의 상면에 접하는 부분과, 상기 적어도 하나의 제1 홀과 연통되는 적어도 하나의 제2 홀을 가지는 제2 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사성 보호 구조체는 산화막, 질화막, 산화질화막, 금속, 합금, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반사성 보호 구조체는 절연막을 포함하는 전반사 구조체, 금속성 반사막, DBR (Distributed Bragg Reflector) 구조체, ODR (Omni-Directional Reflector) 구조체, 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반사성 보호 구조체는 절연 박막과, 상기 절연 박막 위에 형성된 금속성 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반사성 보호 구조체는 상기 반도체 영역과 상기 전극층과의 사이의 계면과, 상기 전극층의 측벽을 포위하는 형상을 가지고,
    상기 반사성 보호 구조체는 상기 반도체 영역의 측벽은 덮지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  6. 삭제
  7. 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 포함하는 발광 구조물과,
    상기 제1 반도체층에 접하는 제1 전극층과,
    상기 제2 반도체층의 상면 중 제1 부분에 접하고 금속성 반사층 (metallic reflector layer)을 가지는 제2 전극층과,
    상기 제2 전극층의 상면으로부터 상기 제2 반도체층의 상면 중 상기 제1 부분을 포위하는 제2 부분까지 연장되어 있고, 상기 제2 전극층의 상면을 노출시키는 적어도 하나의 제1 홀과, 상기 제2 전극층의 주위에서 상기 제2 반도체층의 상기 제2 부분을 덮는 반사 영역을 가지는 반사성 보호 구조체 (reflective protection structure)와,
    상기 제2 반도체층의 상면 중 상기 제2 부분을 포위하는 제3 부분에 접하는 제1 절연막과,
    상기 반사성 보호 구조체의 상면을 덮는 부분과, 상기 제3 부분 위에서 상기 제1 절연막의 상면에 접하는 부분과, 상기 적어도 하나의 제1 홀과 연통되는 적어도 하나의 제2 홀을 가지는 제2 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 반사성 보호 구조체는 상기 제2 반도체층의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지는 절연 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 반사성 보호 구조체는 서로 다른 물질로 구성되는 복수의 절연 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 반사성 보호 구조체는
    상기 제2 반도체층에 접하는 절연 구조물과,
    상기 제2 반도체층과 이격된 위치에서 상기 절연 구조물 위에 형성된 금속성 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101506356B1 (ko) 2007-01-22 2015-03-26 크리, 인코포레이티드 외부적으로 상호연결된 발광 장치의 어레이를 사용하는 조명 장치 및 그 제조 방법
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
US20160260880A1 (en) * 2012-11-27 2016-09-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device using mounting substrate
US10797188B2 (en) * 2014-05-24 2020-10-06 Hiphoton Co., Ltd Optical semiconductor structure for emitting light through aperture
KR102329776B1 (ko) * 2015-02-12 2021-11-23 서울바이오시스 주식회사 금속 벌크를 포함하는 발광 소자
DE112015005124T5 (de) 2014-11-12 2017-08-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtemittierende Diode
US20160329461A1 (en) 2015-02-17 2016-11-10 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode
US20180130926A1 (en) * 2015-02-17 2018-05-10 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode
WO2016177333A1 (zh) * 2015-05-05 2016-11-10 湘能华磊光电股份有限公司 Iii族半导体发光器件倒装结构的制作方法
KR102411154B1 (ko) * 2015-07-09 2022-06-21 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
JP6711588B2 (ja) * 2015-10-29 2020-06-17 旭化成株式会社 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光装置
TWI772253B (zh) 2015-11-13 2022-08-01 晶元光電股份有限公司 發光元件
JP6890952B2 (ja) * 2015-11-13 2021-06-18 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 発光デバイス
US9704839B2 (en) * 2015-11-18 2017-07-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor devices for integration with light emitting chips and modules thereof
WO2017109768A1 (en) 2015-12-24 2017-06-29 Vuereal Inc. Vertical solid state devices
JP6601243B2 (ja) * 2016-01-29 2019-11-06 日亜化学工業株式会社 発光素子及びその製造方法
JP6668863B2 (ja) * 2016-03-22 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光素子
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
WO2018035331A1 (en) * 2016-08-17 2018-02-22 The Regents Of The University Of California Iii-nitride tunnel junction light emitting diode with wall plug efficiency of over seventy percent
US10032880B2 (en) * 2016-10-10 2018-07-24 Semiconductor Components Industries, Llc Method for forming ohmic contacts
KR102656859B1 (ko) * 2016-10-21 2024-04-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
CN114388683A (zh) * 2016-12-21 2022-04-22 首尔伟傲世有限公司 高可靠性发光二极管
CN110709989B (zh) 2017-03-30 2023-12-01 维耶尔公司 垂直固态装置
US11600743B2 (en) 2017-03-30 2023-03-07 Vuereal Inc. High efficient microdevices
US11721784B2 (en) 2017-03-30 2023-08-08 Vuereal Inc. High efficient micro devices
CN107190238B (zh) * 2017-04-07 2019-10-22 上海交通大学 钯/镁-二氧化钛气致调光薄膜及其制备
US10535799B2 (en) * 2017-05-09 2020-01-14 Epistar Corporation Semiconductor device
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
JP7290001B2 (ja) 2017-08-03 2023-06-13 クリーエルイーディー・インコーポレーテッド 高密度ピクセル化ｌｅｄチップ、チップアレイデバイス、及びその製造方法
US10217897B1 (en) * 2017-10-06 2019-02-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Aluminum nitride-aluminum oxide layers for enhancing the efficiency of group III-nitride light-emitting devices
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
US10968522B2 (en) * 2018-04-02 2021-04-06 Elwha Llc Fabrication of metallic optical metasurfaces
CN109037407B (zh) * 2018-08-03 2024-04-23 厦门乾照光电股份有限公司 半导体发光芯片及其制造方法
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
US11387392B2 (en) * 2018-12-25 2022-07-12 Nichia Corporation Light-emitting device and display device
JP7312056B2 (ja) * 2019-01-07 2023-07-20 日機装株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
US11817526B2 (en) 2019-10-29 2023-11-14 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-LED chips and chip array devices
KR20210143452A (ko) * 2020-05-20 2021-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods
CN115172561A (zh) * 2021-07-22 2022-10-11 厦门三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080128733A1 (en) * 2002-06-26 2008-06-05 Yoo Myung Cheol Thin film light emitting diode

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3292044B2 (ja) 1996-05-31 2002-06-17 豊田合成株式会社 ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極パッド及びそれを有した素子及び素子の製造方法
US7211833B2 (en) 2001-07-23 2007-05-01 Cree, Inc. Light emitting diodes including barrier layers/sublayers
TWI243488B (en) 2003-02-26 2005-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electrical contact-area for optoelectronic semiconductor-chip and its production method
JP4590905B2 (ja) * 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
US7122398B1 (en) 2004-03-25 2006-10-17 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
US7166483B2 (en) * 2004-06-17 2007-01-23 Tekcore Co., Ltd. High brightness light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device
JP4697397B2 (ja) 2005-02-16 2011-06-08 サンケン電気株式会社 複合半導体装置
JP4297084B2 (ja) 2005-06-13 2009-07-15 住友電気工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2007158021A (ja) 2005-12-05 2007-06-21 Asahi Glass Co Ltd 発光装置
US20070131947A1 (en) 2005-12-13 2007-06-14 Lg Innotek Co., Ltd Light-emitting device
KR101115535B1 (ko) * 2006-06-30 2012-03-08 서울옵토디바이스주식회사 확장된 금속 반사층을 갖는 플립 본딩형 발광다이오드 및그 제조방법
US20080132036A1 (en) 2006-12-04 2008-06-05 Chiu Chung Yang Method for subdividing wafer into LEDs
KR20110006652A (ko) 2008-03-25 2011-01-20 라티스 파워(지앙시) 코포레이션 양면 패시베이션을 갖는 반도체 발광 소자
US20110133159A1 (en) 2008-08-19 2011-06-09 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Semiconductor light-emitting device with passivation in p-type layer
WO2010020072A1 (en) 2008-08-19 2010-02-25 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Semiconductor light-emitting device with silicone protective layer
KR101039948B1 (ko) * 2010-04-23 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101746004B1 (ko) * 2010-10-29 2017-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US9337405B2 (en) * 2012-08-31 2016-05-10 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080128733A1 (en) * 2002-06-26 2008-06-05 Yoo Myung Cheol Thin film light emitting diode

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