CN109273572B - 半导体发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部，其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。

Description

半导体发光装置
相关申请的交叉引用
2017年7月18日提交的标题为“半导体发光装置”的韩国专利申请No.10-2017-0091057以引用方式全文并入本文中。
技术领域
本文所述的一个或多个实施例涉及一种半导体发光装置。
背景技术
发光二极管(LED)是一种用于显示器、照明装置和其他应用的半导体装置。随着照明LED市场的扩大以及其应用范围扩展到大电流和高功率，可靠性和光提取效率受到追捧。例如，已经受到关注的一个领域涉及外部结构(例如，模块或封装件)与LED的半导体层之间的电连接。
发明内容
根据一个或多个实施例，一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；反射电极层，其覆盖第二半导体层的上表面；以及透明覆盖层，其位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面，其中，透明覆盖层包括具有第一部分和第二部分的尾部，第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面，第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。
根据一个或多个其它实施例，一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和由暴露出第一半导体层的下表面部分的多个沟槽限定的台面结构；反射电极层，其覆盖台面结构的上表面，并且与台面结构的上表面的边缘间隔开；以及透明覆盖层，其在反射电极层上覆盖反射电极层的至少一部分和第二半导体层的上表面的一部分，其中透明覆盖层比反射电极层的边缘周围的邻近部分更厚，并且其中透明覆盖层的边缘与台面结构的上表面的边缘间隔开并且位于台面结构的上表面的内部。
根据一个或多个其它实施例，一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且具有由暴露出第一半导体层的下表面部分的多个沟槽限定的台面结构；反射电极层，其覆盖台面结构的上表面，并且与台面结构的上表面的边缘间隔开；透明覆盖层，其在反射电极层上覆盖反射电极层的至少一部分和第二半导体层的上表面的一部分，并且与台面结构的上表面的边缘间隔开；绝缘结构，其覆盖第一半导体层的下表面部分和透明覆盖层周围的第二半导体层的上表面；第一互连导电层，其穿过绝缘结构电连接至第一半导体层；以及第二互连导电层，其穿过绝缘结构电连接至反射电极层，其中透明覆盖层包括：第一部分，其包括以比反射电极层的边缘周围的邻近的上表面更高的水平高度向上突出的上表面；以及第二部分，其从第一部分延伸，并且具有凹上表面。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征将对于本领域技术人员变得明显，其中：
图1A示出了半导体发光装置的平面布局实施例，图1B示出了沿着图1A的线B-B'截取的剖视图，并且图1C示出了图1B的IC区的放大图；
图2A/图2B至图10A/图10B示出了用于制造半导体发光装置的方法的实施例的各个阶段，其中图2B至图10B分别是沿着图2A至图10A的线B-B'截取的剖视图；
图11至图14示出了半导体发光装置的额外实施例；
图15A示出了半导体发光装置的另一实施例的剖视图，并且图15B示出了图15A的XVB区的放大图；
图16A示出了用于制造半导体发光装置的方法的另一实施例，并且图16B示出了沿着图16A的线B-B'截取的剖视图；
图17示出了发光装置封装件的实施例；
图18示出了调光系统的实施例；以及
图19示出了显示设备的实施例。
具体实施方式
图1A示出了半导体发光装置100的平面布局实施例，图1B示出了沿着图1A的线B-B'截取的剖视图，并且图1C示出了图1B的IC区的放大图。
参照图1A和图1B，半导体发光装置100包括形成在衬底102上的发光结构110。发光结构110包括第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116。发光结构110包括台面结构110M。台面结构110M由例如通过去除第二半导体层116、有源层114和第一半导体层112中的每一个的一部分而形成的多个沟槽118限定。第一半导体层112的下表面部分112L可在所述多个沟槽118的底表面被暴露。
衬底102的面对第一半导体层112的表面具有不平图案104。不平图案104形成在衬底102的表面上。因此，可提高形成在衬底102上的半导体层的结晶度，可降低缺陷密度以提高内部量子效率，并且可(通过光在衬底102的表面上的漫反射来)增大提取效率以提高半导体发光装置100的光提取效率。
衬底102可包括透明衬底。例如，衬底102可包括蓝宝石(Al2O3)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化镓(Ga2O3)、锂镓氧化物(LiGaO2)、锂铝氧化物(LiAlO2)或镁铝氧化物(MgAl2O4)。例如，第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116中的每一个可包括由InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)表示的基于氮化镓的化合物半导体。
在一些实施例中，第一半导体层112可包括n型GaN层，其根据电源向有源层114供应电子。该n型GaN层可包括一个或多个IV族元素的n型杂质。所述n型杂质可包括例如Si、Ge和/或Sn。
在一些实施例中，第二半导体层116可包括p型GaN层，其根据电源向有源层114供应空穴。该p型GaN层可包括一个或多个II族元素的p型杂质。在一些实施例中，所述p型杂质可包括例如Mg、Zn和/或Be。
有源层114基于电子和空穴的复合而发射具有预定能量的光。有源层114可具有量子阱和量子势垒交替地堆叠至少一次的结构。量子阱可具有单量子阱结构或多量子阱结构。在一些实施例中，有源层114可包括u-AlGaN。在一些实施例中，有源层114可包括GaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN或InGaN/AlGaN的多量子阱结构。为了提高有源层114的发光效率，在有源层114中，可以改变量子阱的深度、成对的量子阱和量子势垒的层数、厚度和/或其它特征。
在一些实施例中，半导体发光装置100还可包括在衬底102与发光结构110之间的氮化物半导体薄膜。该氮化物半导体薄膜可用作缓冲层，以减轻衬底102与第一半导体层112之间的晶格失配。该氮化物半导体薄膜可包括由InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)表示的氮化镓化合物半导体。在一些实施例中，所述氮化物半导体薄膜可包括GaN或AlN。在一些实施例中，所述氮化物半导体薄膜可包括AlGaN/AlN的超晶格层。
半导体发光装置100包括覆盖第二半导体层116的上表面的反射电极层130。反射电极层130可反射从台面结构110M的有源层114发射的光。反射电极层130可包括在有源层114发射的光的波长范围内具有高反射率的金属或合金。在一些实施例中，反射电极层130可包括Ag、Al、它们的组合或它们的合金。Al合金可包括Al和功函数大于Al的金属。在一些实施例中，反射电极层130可包括Al、Ni、Au、Ag、Ti、Cr、Pd、Cu、Pt、Sn、W、Rh、Ir、Ru、Mg和Zn中的至少一种金属，或含有至少一种金属的合金。在一些实施例中，反射电极层130可包括具有欧姆特性和光反射特性二者的金属层。
在一些实施例中，反射电极层130可包括多层膜，其包括具有欧姆特性的第一金属膜和具有光反射特性的第二金属膜。例如，第一金属膜可包括Pt、Pd、Ni、Au、Ti，或者包括Pt、Pd、Ni、Au和Ti中的至少一个的多金属膜或合金。第二金属膜可包括例如Ag、Al，或者包括Ag和Al中的至少一个的多金属膜或合金。
在一些实施例中，反射电极层130可包括多层膜，其包括具有光反射特性的第一金属膜和具有阻隔特性的第二金属膜。第一金属膜可包括例如Ag、Al，或者包括Ag和Al中的至少一个的多金属膜或合金。第二金属膜可包括例如Ni、Ti，或者包括Ni和Ti中的至少一个的多金属层或合金。在一些实施例中，反射电极层130还可包括与第二半导体层116接触并具有粘着性的导电膜。所述具有粘着性的导电膜可为金属膜(例如，Ni)或透明导电膜(例如，ITO)。在一些实施例中，例如，反射电极层130可包括(但不限于)堆叠结构Ag/Ni/Ti或Ni/Ag/Pt/Ti/Pt。
反射电极层130可接触第二半导体层116。在一些实施例中，另一半导体层也可以位于第二半导体层116与反射电极层130之间。
半导体发光装置100包括覆盖反射电极层130的透明覆盖层135。透明覆盖层135可覆盖反射电极层130的上表面和侧表面。透明覆盖层135可覆盖反射电极层130的不与第二半导体层116接触的其余表面。透明覆盖层135可覆盖反射电极层130和邻近于反射电极层130的第二半导体层116的上表面的一个或多个部分。
反射电极层130可被第二半导体层116和透明覆盖层135包围。因此，透明覆盖层135可防止反射电极层130从第二半导体层116的上表面剥离。
透明覆盖层135可不覆盖台面结构110M的上表面的一些部分(也就是说，第二半导体层116的上表面的一些部分)。例如，透明覆盖层135可不覆盖第二半导体层116的上部邻近于第二半导体层116的边缘的一部分。因此，透明覆盖层135的边缘可与第二半导体层116的上表面的边缘间隔开。
在一些实施例中，透明覆盖层135可完全覆盖第二半导体层116的上表面的一部分。在这种情况下，透明覆盖层135的边缘可沿着第二半导体层116的上表面的边缘布置。
例如，透明覆盖层135可包括导电氧化物。透明覆盖层135可包括TiOx、RuOx、IrOx、MgO、SnO2、MgO、ZnO、In2O3、TiTaO2、TiNbO2、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、掺有锑的氧化锡(ATO)、掺有Al的氧化锌(AZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、掺有镓的氧化锌(GZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)，铝锡氧化物(ATO)、铟钨氧化物(IWO)、铜铟氧化物(CIO)、镁铟氧化物(MIO)和掺有氟的氧化锡(FTO)中的至少一个。
半导体发光装置100可包括绝缘结构140，其覆盖透明覆盖层135周围的第二半导体层116的上表面。绝缘结构140可覆盖透明覆盖层135的一部分和第二半导体层116的表面的未被透明覆盖层135覆盖的至少一部分。绝缘结构140可包括(但不限于)SiO2、Si3N4、MgF2或它们的组合。
绝缘结构140可不覆盖第一半导体层112的至少一部分和透明覆盖层135的至少一部分。绝缘结构140限定了暴露出第一半导体层112的至少一部分的第一接触孔CH1和暴露出透明覆盖层135的至少一部分的第二接触孔CH2。第一半导体层112的第一接触区112C可通过第一接触孔CH1暴露出来，透明覆盖层135的第二接触区135C可通过第二接触孔CH2暴露出来。
绝缘结构140还覆盖台面结构110M的侧表面。绝缘结构140还覆盖第一半导体层112的下表面部分112L。
半导体发光装置100包括与第一半导体层112的第一接触区112C接触的第一互连导电层152和与透明覆盖层135的第二接触区135C接触的第二互连导电层154。第一互连导电层152和第二互连导电层154可分别穿过绝缘结构140接触第一接触区112C和第二接触区135C。第一接触区112C由第一互连导电层152覆盖。第二接触区135C由第二互连导电层154覆盖。
第一互连导电层152和第二互连导电层154通过分离空间150G介于它们之间而彼此间隔开。第一互连导电层152和第二互连导电层154可电连接为分别向第一半导体层112和第二半导体层116供电。在一些实施例中，第一互连导电层152可为n型电极，或者可为将n型电极电连接至第一半导体层112的导电层。第二互连导电层154可为p型电极，或者可为将p型电极与第二半导体层116电连接的导电层。
第一互连导电层152可覆盖第一半导体层112的第一接触区112C、下表面部分112L和台面结构110M的侧壁和上表面。此外，台面结构110M的上表面上的第一互连导电层152可覆盖第二半导体层116的上表面的未被透明覆盖层135覆盖的区和透明覆盖层135的上表面。
第一互连导电层152可包括与第一半导体层112的第一接触区112C接触的第一金属反射膜。第二互连导电层154可包括与透明覆盖层135的第二接触区135C接触的第二金属反射膜。所述第一金属反射膜和第二金属反射膜中的每一个可包括例如Al、Ag或其组合。
在一些实施例中，第一互连导电层152和第二互连导电层154中的每一个可包括多个金属层。在一些实施例中，第一互连导电层152和第二互连导电层154中的每一个可具有金属反射膜、金属阻挡膜和金属布线膜按顺序堆叠的结构。金属反射膜可包括例如Al、Ag或其组合。金属阻挡膜可包括例如Cr、Ti及其组合。金属布线膜可包括例如Cu、Cr或其组合。在一些实施例中，第一互连导电层152和第二互连导电层154中的每一个可具有例如堆叠结构Al/Cr/Ti/Cu/Cr、堆叠结构Ag/Cr/Ti/Cu/Cr、堆叠结构Al/Cr/Ti/Cr/Ti/Cu/Cr或堆叠结构Ag/Cr/Ti/Cr/Ti/Cu/Cr。
参照图1C，透明覆盖层135在水平方向的中心周围或第二接触区135C的一部分处可具有第一厚度t1，在反射电极层130的边缘上或者邻近于反射电极层130边缘的内部的那部分上可具有第二厚度t2，在反射电极层130的边缘上或者邻近于反射电极层130的边缘的外部的那部分上可具有第三厚度t3，并且在与反射电极层130的边缘间隔开的第二半导体层116上可具有第四厚度t4。所述厚度可对应于在垂直于第二半导体层116的上表面的方向上测量的厚度。
第一厚度t1可为透明覆盖层135的最大厚度，例如，第一厚度t1可大于第二厚度至第四厚度(t2、t3和t4)。第二厚度t2可小于第三厚度t3。第四厚度t4可小于第二厚度t2和第三厚度t3。因此，透明覆盖层135的厚度可从中心朝着透明覆盖层135的边缘减小，在反射电极层130的边缘周围增大，然后朝着透明覆盖层135的边缘再次减小。
在一个实施例中，中心周围的透明覆盖层135的第一厚度t1是最大厚度。这个厚度可随后从所述中心至边缘减小从而在反射电极层130的边缘上或者在邻近于反射电极层130的边缘的内部的那部分上具有第二厚度t2，然后朝着所述边缘增大从而在反射电极层130的边缘上或者在邻近于反射电极层130的边缘的外部的那部分上具有厚度t3，然后朝着所述边缘再次减小。透明覆盖层135的具有第二厚度t2的那部分可比具有第三厚度t3的那部分朝着透明覆盖层135的中心更靠内。
在一些实施例中，透明覆盖层135可包括在所述中心周围的特定区中具有相对均匀的第一厚度t1的区。
透明覆盖层135可具有邻近于透明覆盖层135的边缘的尾部135T，其覆盖反射电极层130的边缘，并且朝着透明覆盖层135的边缘延伸。尾部135T可包括：第一部分135X，其比反射电极层130的边缘周围的邻近部分更厚；和第二部分135V，其从第一部分135X延伸至透明覆盖层135的边缘，并且比第一部分135X更薄。透明覆盖层135的尾部135T可完全覆盖反射电极层130的边缘。例如，当反射电极层130的边缘具有相对竖直的侧表面时，反射电极层130的边缘的该侧表面可由透明覆盖层135的尾部135T完全覆盖。
在一些实施例中，透明覆盖层135在反射电极层130的边缘上或者在邻近于反射电极层130的边缘的外部的那部分(例如，具有第三厚度t3的部分)上可具有凸上表面。在一些实施例中，透明覆盖层135可包括具有凸上表面的第一部分135X，例如，具有第三厚度t3的部分的上表面可向上凸出，并且相对于第二半导体层116的上表面可比邻近上表面具有更高的水平高度。在一些实施例中，邻近于透明覆盖层135的边缘的一部分(例如，具有第四厚度t4的一部分)可包括具有凹上表面的第二部分135V。在透明覆盖层135中，具有第二厚度t2的一部分可为反射电极层130的边缘周围的一部分上的比具有第三厚度t3的一部分(即第一部分135X)朝着透明覆盖层135的中心更靠内的那一部分。
在从反射电极层130的边缘外围朝着透明覆盖层135的边缘延伸的部分处，透明覆盖层135可包括具有凸上表面的第一部分135X和具有凹上表面的第二部分135V。反射电极层130的边缘可被构成透明覆盖层135的尾部135T的第一部分135X和第二部分135V保护，从而防止反射电极层130从第二半导体层116的上表面剥离。
第二半导体层116的上表面的边缘和透明覆盖层135的边缘可彼此分开第一距离W1。透明覆盖层135的边缘和反射电极层130的边缘可彼此分开第二距离W2。在一些实施例中，第一距离W1可等于或小于1μm。在一些实施例中，第二距离W2可等于或小于1μm。第二半导体层116的上表面的边缘和反射电极层130的边缘可彼此分开第三距离W3，其为第一距离W1和第二距离W2之和。
在一些实施例中，第三距离W3可等于或小于2μm。因此，台面结构110M的上表面的边缘(例如，第二半导体层116的上表面的边缘)与透明覆盖层135的边缘之间的距离(第一距离W1)可小于第二半导体层116的上表面的边缘与反射电极层130的边缘之间的距离(第三距离W3)。在其它实施例中，距离W1、W2和W3的值可与上面给出的值不同。
根据当前实施例，由于透明覆盖层135覆盖反射电极层130，因此半导体发光装置100可防止反射电极层130剥落。因此，可提高用于将外部结构电连接至第二半导体层116的电极的可靠性。
另外，反射电极层130的边缘与第二半导体层116的上表面的边缘(例如，台面结构110M的上表面的边缘)之间的距离可相对较小，因此反射电极层130导致的反射区域增大，并且半导体发光装置100的光提取效率可提高。
图2A/图2B至图10A/图10B示出了对应于用于制造半导体发光装置的方法的实施例的各个阶段。图2B至图10B分别是沿着图2A至图10A的线B-B'截取的剖视图。
参照图2A和图2B，所述方法包括在衬底102上形成发光结构110。发光结构110具有第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116，它们具有不平图案104。例如，第一半导体层112可以形成在衬底102的具有不平图案104的表面上。
可使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)或分子束外延(MBE)按次序形成发光结构110的第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116。在一些实施例中，第一半导体层112可为n型半导体层。在一些实施例中，第二半导体层116可为p型半导体层。
参照图3A和图3B，具有第一开口MO1的第一掩模图案M1形成在发光结构110上，即形成在第二半导体层116上。例如，使用负性光致抗蚀剂可形成第一掩模图案M1。第一掩模图案M1可为锥形的，例如，第一掩模图案M1的宽度可从第一掩模图案M1的上表面朝着下表面变窄。第一掩模图案M1可具有例如上表面比下表面更宽的倒梯形截面。
参照图4A和图4B，反射电极层130形成在其上形成有第一掩模图案M1的发光结构110上。反射电极层130可覆盖第二半导体层116的上表面的未被第一掩模图案M1覆盖并且被暴露的那一部分。例如，反射电极层130可由利用电子束蒸发的直接气相沉积(DVD)处理形成。在这种情况下，反射电极层130可形成在第二半导体层116的上表面的与第一掩模图案M1的上表面的一部分的第一开口MO1相对应的那一部分。例如，反射电极层130可形成在第二半导体层116的上表面的在竖直方向上不与第一掩模图案M1的上表面重叠的那一部分上。因此，反射电极层130可与第一掩模图案M1的下部间隔开。
在反射电极层130的形成处理中，可在第一掩模图案M1的上表面上形成包括与反射电极层130的材料相同的材料的一层。
参照图5A和图5B，透明材料层135P可形成在其上形成有反射电极层130的发光结构110上。透明材料层135P可形成在反射电极层130上以及第一掩模图案M1的上表面与第二半导体层116的上表面重叠的部分上。例如，透明材料层135P可通过溅射沉积法形成。在一些实施例中，透明材料层135P可通过倾斜溅射沉积法形成。在这种情况下，透明材料层135P也可形成在第一掩模图案M1的上表面与第二半导体层116的上表面重叠的所述部分的至少一部分上。
透明材料层135P的上表面的厚度和形状的改变可根据例如透明材料层135P的位置而变化，这与参考图1C描述的透明覆盖层135(例如，参见图1C)相似。如下所述，透明覆盖层135是去除透明材料层135P的上部的一部分和边缘的一部分的结果。因此，透明材料层135P在反射电极层130的边缘周围可具有相对大的厚度以及包括具有凸上表面的一部分，并且邻近透明材料层135P的边缘的一部分可具有相对小的厚度以及包括具有凹上表面的一部分。
用于形成透明材料层135P的源通过第一开口MO1转移至第二半导体层116。第二半导体层116的上表面的空间可随着第一掩模图案M1的一部分接近第一掩模图案M1的下表面而减小。结果，随着第一掩模图案M1的一部分接近第一掩模图案M1的下表面，源可以相对较少的程度转移至第二半导体层116的上表面。因此，如上所述，透明材料层135P可在反射电极层130的边缘具有相对大的厚度，并且可包括具有凸上表面的一部分。透明材料层135P在邻近于所述边缘的一部分上可具有相对小的厚度，并且可包括具有凹上表面的一部分。
在一些实施例中，由于转移至第二半导体层116上的源较少地转移至邻近于第一掩模图案M1的下表面的一部分，所以相对大量的源被供应至反射电极层130的边缘周围的一部分。具有凸上表面的部分的上表面可突出并且具有比其它部分更高的水平高度。
在透明材料层135P的形成处理中，可在第一掩模图案M1的上表面上形成包括与透明材料层135P的材料相同的材料的一层。
参照图6A和图6B，去除了第一掩模图案M1(例如，见图5A和图5B)。当去除第一掩模图案M1时，也可去除与反射电极层130包括相同材料的一层和与透明材料层135P包括相同材料的一层。因此，可通过剥离法形成反射电极层130和透明材料层135P。
参照图7A和图7B，利用透明材料层135P(例如，见图6A和图6B)作为蚀刻掩模来蚀刻第二半导体层116、有源层114和第一半导体层112中的每一个的一部分，以形成限定发光结构110的台面结构110M的多个沟槽118。第一半导体层112的下表面部分112L可在所述多个沟槽118的下表面暴露出来。
当形成所述多个沟槽118时，将透明材料层135P上部的一部分去除，以形成透明覆盖层135。例如，透明覆盖层135的形状可对应于参照图1C讨论的形状。
透明覆盖层135可覆盖反射电极层130的上表面和侧表面。透明覆盖层135可覆盖反射电极层130和第二半导体层116的上表面的邻近于反射电极层130的一部分。透明覆盖层135可不覆盖邻近于第二半导体层116的上表面的边缘的那一部分。第二半导体层116的上表面的未被透明覆盖层135覆盖的那部分可为当形成所述多个沟槽118时将覆盖第二半导体层116的上表面的一部分透明材料层135P完全去除的那部分。在一些实施例中，在形成所述多个沟槽118之后，透明覆盖层135可以完全覆盖第二半导体层116的上表面。
由于透明材料层135P，反射电极层130可不会暴露于用于形成所述多个沟槽118的蚀刻气氛。此外，在蚀刻处理完成并且形成所述多个沟槽118之后，透明覆盖层135(透明材料层135P的其余部分)可覆盖反射电极层130，从而可防止反射电极层130从第二半导体层116的上表面脱落。
将利用第一掩模图形M1(例如，见图3A至图5B)形成的透明材料层135P用作蚀刻掩模，而不用另外形成掩模图案，以形成所述多个沟槽118。因此，可将在反射电极层130的边缘与第二半导体层116的上表面的边缘(例如，台面结构110M的上表面的边缘)之间的距离构造为相对小。
参照图8A和图8B，该方法还包括：形成覆盖其上形成有透明覆盖层135的发光结构110的绝缘材料层140P。绝缘材料层140P可形成为完全覆盖其上形成有透明覆盖层135的发光结构110的上表面。例如，绝缘材料层140P还可覆盖透明覆盖层135的表面、第二半导体层116的上表面、台面结构的110M的侧表面和第一半导体层112的下表面部分112L。
绝缘材料层140P可包括(但不限于)SiO2、Si3N4、MgF2或它们的组合。在一些实施例中，绝缘材料层140P可通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)或旋涂工艺形成。
在一些实施例中，绝缘材料层140P可为包括相同的材料的多层膜。在一些实施例中，绝缘材料层140P可为包括不同材料的多层膜。在一些实施例中，该绝缘材料层140P可为其中堆叠有具有不同折射率的至少两层膜的多层膜。例如，当绝缘材料层140P是其中堆叠有具有不同折射率的至少两层膜的多层膜时，上面的膜的折射率可比下面的膜的折射率更大。
具有第一子开口MO2a和第二子开口MO2b的第二掩模图案M2形成在绝缘材料层140P上。第一子开口MO2a可与第一半导体层112的下表面部分112L的一部分重叠。第二子开口MO2b可与透明覆盖层135的一部分重叠。
参照图9A和图9B，利用第二掩模图案M2(例如，见图8A和图8B)作为蚀刻掩模去除绝缘材料层140P(例如，见图8A和图8B)的一部分，以形成绝缘结构140。绝缘结构140包括暴露出第一半导体层112的至少一部分的第一接触孔CH1和暴露出透明覆盖层135的至少一部分的第二接触孔CH2。第一接触区112C是第一半导体层112的下表面部分112L的一部分，并且可在第一接触孔CH1的下表面处暴露出来。第二接触区135C是透明覆盖层135的上表面的一部分，并且可在第二接触孔CH2的下表面处暴露出来。
参照图10A和图10B，所述方法包括：形成覆盖其上形成有绝缘结构140的发光结构110的导电材料层150。导电材料层150可形成为完全覆盖其上形成有绝缘结构140的发光结构110的上表面。例如，导电材料层150可将绝缘结构140的所述表面、第一半导体层112的下表面部分112L的在第一接触孔CH1的下表面处暴露出来的那部分和透明覆盖层135的上表面的在第二接触孔CH2的下表面处暴露出来的那部分一起覆盖。
导电材料层150可接触第一接触区112C和第二接触区135C。
在导电材料层150上形成具有第三开口MO3的第三掩模图案M3。
然后，利用第三掩模图案M3作为蚀刻掩模去除导电材料层150的一部分，直至绝缘结构140通过第三开口MO3暴露出来为止，以形成第一互连导电层152和第二互连导电层154，如例如图1A和图1B所示。如图所示，第一互连导电层152和第二互连导电层154通过分离空间150G(例如，见图1A和图1B)介于它们之间而间隔开。结果，形成半导体发光装置100，例如，见图1A和图1B。
图11至图14示出了沿着图1A的线B–B'截取的半导体发光装置的额外实施例。参照图11，半导体发光装置100a包括衬底102和衬底102上的发光结构110。发光结构110包括第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116。发光结构110包括台面结构110M。此外，半导体发光装置100a包括覆盖第二半导体层116的上表面的反射电极层130和覆盖反射电极层130的透明覆盖层136。透明覆盖层136可包括覆盖反射电极层130的上表面的下透明覆盖层136a和覆盖下透明覆盖层136a的上表面的上透明覆盖层136b。
在一些实施例中，下透明覆盖层136a可包括导电氧化物。在一些实施例中，上透明覆盖层136b可包括绝缘材料。在一些实施例中，上透明覆盖层136b可包括SiO2、Si3N4、MgF2或它们的组合。
上透明覆盖层136b可连接至第二接触孔CH2，并且具有暴露出下透明覆盖层136a的一部分的接触延伸孔136O。下透明覆盖层136a的第二接触区136C可通过接触延伸孔136O暴露出来。除接触延伸孔136O之外，透明覆盖层136的形状可与参照图1A至图1C描述透明覆盖层135的形状相似。
半导体发光装置100a包括绝缘结构140，其覆盖透明覆盖层136周围的第二半导体层116的上表面，并且具有第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。第一半导体层112的第一接触区112C可通过第一接触孔CH1暴露出来。透明覆盖层136的第二接触孔CH2和第二接触区136C可通过接触延伸孔136O暴露出来。
半导体发光装置100a包括第一互连导电层152，它们通过它们之间的分离空间150G彼此分离，并且穿过绝缘结构140接触第一半导体层112的第一接触区112C。第二互连导电层154穿过绝缘结构140和上透明覆盖层136b接触下透明覆盖层136a的第二接触区136C。
参照图12，半导体发光装置100b包括衬底102和衬底102上的发光结构110。发光结构110包括第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116。发光结构110包括台面结构110M。另外，半导体发光装置100b包括覆盖第二半导体层116的上表面的反射电极层130和覆盖反射电极层130的透明覆盖层137。
在一些实施例中，透明覆盖层137可包括绝缘材料。在一些实施例中，透明覆盖层137可包括SiO2、Si3N4、MgF2或它们的组合。
透明覆盖层137可连接至第二接触孔CH2，并且可包括暴露出反射电极层130的一部分的接触延伸孔137O。反射电极层130的第二接触区130C可通过接触延伸孔137O暴露出来。除接触延伸孔137O之外，透明覆盖层137的形状可与参照图1A至图1C描述的透明覆盖层135的形状相似。
半导体发光装置100b包括绝缘结构140，其覆盖透明覆盖层137周围的第二半导体层116的上表面，并且具有第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。第一半导体层112的第一接触区112C可通过第一接触孔CH1暴露出来。反射电极层130的第二接触区130C可通过第二接触孔CH2和接触延伸孔137O暴露出来。
半导体发光装置100b包括：第一互连导电层152，它们通过它们之间的分离空间150G彼此分离，并且穿过绝缘结构140接触第一半导体层112的第一接触区112C；以及第二互连导电层154，其穿过绝缘结构140和透明覆盖层137接触反射电极层130的第二接触区130C。
参照图13，半导体发光装置100c包括衬底102和衬底102上的发光结构110。发光结构110包括第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116。发光结构110包括台面结构110Ma。与图1B的半导体发光装置100的台面结构110M相比，半导体发光装置100c的台面结构110Ma的侧壁可具有圆形。例如，台面结构110Ma的侧壁可具有下凹的圆形。第一半导体层112的下表面部分112L可具有中心低于邻近于边缘的部分的凹形。
半导体发光装置100c还包括覆盖第二半导体层116的上表面的反射电极层130和覆盖反射电极层130的透明覆盖层135。半导体发光装置100c包括绝缘结构140，其覆盖透明覆盖层135周围的第二半导体层116的上表面，并且具有第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。第一半导体层112的第一接触区112C可通过第一接触孔CH1暴露出来。透明覆盖层135的第二接触区135C可通过第二接触孔CH2暴露出来。
半导体发光装置100c包括：第一互连导电层152，它们通过介于它们之间的分离空间150G彼此分离，并且穿过绝缘结构140接触第一半导体层112的第一接触区112C；以及第二互连导电层154，其穿过绝缘结构140接触透明覆盖层135的第二接触区135C。
参照图14，半导体发光装置100d包括衬底102和衬底102上的发光结构110。发光结构110包括第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116。发光结构110包括台面结构110M。另外，半导体发光装置100d包括多个绝缘图案120、反射电极层130a和透明覆盖层135a。所述多个绝缘图案120位于第二半导体层116的上表面上，并且彼此间隔开。反射电极层130a覆盖所述多个绝缘图案120和第二半导体层116的上表面。透明覆盖层135a覆盖反射电极层130a。例如，所述多个绝缘图案120可包括SiO2、Si3N4、MgF2或它们的组合。
反射电极层130a可沿着所述多个绝缘图案120中的每一个的上表面和侧表面以及第二半导体层116的上表面延伸。所述多个绝缘图案120的上表面被转移。因此，透明覆盖层135a的形状包括具有阶梯差的上表面和下表面。透明覆盖层135a的形状(尤其是边缘周围的形状)与例如参照图1A至图1C描述的透明覆盖层135的形状相似，不同的是，所述多个绝缘图案120的上表面被转移。
所述多个绝缘图案120和反射电极层130a可构成例如全向反射器(ODR)结构。在半导体发光装置100d中，从有源层114发射的光中的从第二半导体层116的上表面发射的光可被包括所述多个绝缘图案120和反射电极层130a的ODR结构反射。
在一些实施例中，所述多个绝缘图案120中的每一个可为堆叠有具有不同折射率的至少两层膜的多层膜。在这种情况下，在包括所述多个绝缘图案120的多层膜中，上面的膜的折射率可大于下面的膜的折射率。
半导体发光装置100d包括绝缘结构140，其覆盖透明覆盖层135a周围的第二半导体层116的上表面，并且具有第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。第一半导体层112的第一接触区112C可通过第一接触孔CH1暴露出来。透明覆盖层135a的第二接触区135Ca可通过第二接触孔CH2暴露出来。
半导体发光装置100d包括：第一互连导电层152，它们通过它们之间的分离空间150G彼此间隔开，并且穿过绝缘结构140接触第一半导体层112的第一接触区112C；以及第二互连导电层154，其穿过绝缘结构140接触透明覆盖层135a的第二接触区135Ca。
图15A示出了显示半导体发光装置200的另一实施例的剖视图，并且具体是对应于图1A的线B-B’的剖视图。图15B示出了图15A中的XVB部分的实施例的放大图。
参照图15A和图15B，半导体发光装置200包括衬底102上的发光结构110。发光结构110包括第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116。发光结构110包括台面结构110M。另外，半导体发光装置200包括覆盖第二半导体层116的上表面的反射电极层130b和覆盖反射电极层130b的透明覆盖层135b。
半导体发光装置200包括绝缘结构140，其覆盖透明覆盖层135b周围的第二半导体层116的上表面，并且具有第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。第一半导体层112的第一接触区112C可通过第一接触孔CH1暴露出来。透明覆盖层135b的第二接触区135Cb可通过第二接触孔CH2暴露出来。
半导体发光装置200包括：第一互连导电层152，它们通过它们之间的分离空间150G彼此间隔开，并且穿过绝缘结构140接触第一半导体层112的第一接触区112C；以及第二互连导电层154，其穿过绝缘结构140接触透明覆盖层135b的第二接触区135Cb。
例如，反射电极层130b可通过溅射沉积法形成。例如，反射电极层130b可通过倾斜溅射沉积法形成。反射电极层130b可包括围绕其边缘的第一尾部130Tb，其厚度朝着其边缘减小。
透明覆盖层135b可具有在水平方向的中心周围或第二接触区135Cb的一部分处的第一厚度t1a、在邻近于反射电极层130b的边缘的内部的部分上的第二厚度t2a、在反射电极层130b的边缘上或在邻近于反射电极层130b的边缘的外部的部分上的第三厚度t3a、以及在与反射电极层130b边缘间隔开的第二半导体层116上的第四厚度t4a。
第一厚度t1a可为透明覆盖层135b的最大厚度，例如，第一厚度t1a可大于第二厚度至第四厚度(t2a、t3a和t4a)。第二厚度t2a可小于第三厚度t3a。第四厚度t4a可小于第二厚度t2a和第三厚度t3a。因此，透明覆盖层135b的厚度可从中心朝着边缘减小，在反射电极层130b的边缘周围增大，然后朝着边缘再次减小。
透明覆盖层135b可包括边缘周围的从反射电极层130b的边缘延伸至透明覆盖层135b的边缘的第二尾部135Tb。透明覆盖层135b的第二尾部135Tb可完全覆盖反射电极层130b的边缘，具体地说，反射电极层130b的第一尾部130Tb。
在一些实施例中，透明覆盖层135b可包括第一部分135Xb，其在反射电极层130b的边缘上或者在邻近于反射电极层130b的边缘的外部的一部分(例如，具有第三厚度t3a的部分)上具有凸上表面。在一些实施例中，透明覆盖层135b可包括第二部分135Vb，其在邻近于边缘的一部分上具有凹上表面。
在从反射电极层130b的边缘周围的一部分朝着透明覆盖层135b的边缘延伸的一部分上，透明覆盖层135b可包括连续地具有凸上表面的第一部分135Xb和具有凹上表面的第二部分135Vb。反射电极层130b的边缘可由对应于透明覆盖层135b的第二尾部135Tb的第一部分135Xb和第二部分135Vb保护。因此，反射电极层130b可受保护以避免从第二半导体层116的上表面剥离。
第二半导体层116的上表面的边缘和透明覆盖层135b的边缘可分开第一距离W1a。透明覆盖层135b的边缘和反射电极层130b的边缘可彼此分开第二距离W2a。在一些实施例中，第一距离W1a可等于或小于1μm。在一些实施例中，第二距离W2a可等于或小于1μm。第二半导体层116的上表面的边缘和反射电极层130b的边缘可彼此分开第三距离W3a，其为第一距离W1a和第二距离W2a之和。在一些实施例中，第三距离W3a可等于或小于2μm。
在一些实施例中，半导体发光装置200的第三距离W3a可小于参照图1A至图1C描述的半导体发光装置100的第三距离W3。该距离在其它实施例中可不同。
图16A示出了用于制造半导体发光装置300的方法的另一实施例，并且图16B示出了沿着图16A的线B-B'截取的剖视图。
参照图16A和图16B，半导体发光装置300包括衬底102上的发光结构110。发光结构110包括第一半导体层112、有源层114和第二半导体层116。发光结构110包括台面结构110M。另外，半导体发光装置100a包括覆盖第二半导体层116的上表面的反射电极层130和覆盖反射电极层130的透明覆盖层135。
半导体发光装置300包括绝缘结构140，其覆盖透明覆盖层135周围的第二半导体层116的上表面，并且具有第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。第一半导体层112的第一接触区112C可通过第一接触孔CH1暴露出来。透明覆盖层135的第二接触区135C可通过第二接触孔CH2暴露出来。
半导体发光装置300包括：第一互连导电层152，它们通过它们之间的分离空间150G彼此间隔开，并且接触第一半导体层112的第一接触区112C；以及第二互连导电层154，其接触透明覆盖层135的第二接触区135C。
半导体发光装置300还包括：钝化层160，其覆盖第一互连导电层152和第二互连导电层154；第一键合导电层172，其通过形成在钝化层160上的第一键合孔160H1连接至第一互连导电层152；以及第二键合导电层174，其通过形成在钝化层160上的第二键合孔160H2连接至第二互连导电层154。在另一实施例中，第一键合孔160H1和第二键合孔160H2以及第一键合导电层172和第二键合导电层174的平面形状可与图16A所示的不同。
钝化层160可包括(但不限于)氧化硅。
第一键合导电层172和第二键合导电层174中的每一个可包括具有例如Au、Sn、Ni、Pb、Ag、In、Cr、Ge、Si、Ti、W和Pt的单一材料的单层膜，或者可包括具有这些材料中的多种的组合的多层膜，或者可包括具有这些材料中的至少两种的合金。
在一些实施例中，第一键合导电层172和第二键合导电层174可包括Ti膜、第一Ni膜、第二Ni膜和Au膜按次序堆叠的多种金属膜。第一Ni膜和第二Ni膜可为通过不同沉积工艺形成的Ni膜。例如，第一Ni膜可为通过溅射工艺形成的Ni膜，并且第二Ni膜可为通过利用电子束蒸发的DVD工艺形成的Ni膜。
在一些实施例中，第一键合导电层172和第二键合导电层174中的每一个可包括导电势垒层、导电粘合剂层、导电耦合层和导电键合层中的至少两个。导电势垒层可包括Ti层、至少一对Ti/Pt双层、至少一对Ti/W双层、至少一对TiN/W双层、至少一对W/TiW双层和Ni层中的至少一个。导电粘合剂层可包括Ti。导电耦合层可位于导电粘合剂层与导电键合层之间，并且可包括Ni或Ni/Au。例如，导电键合层可包括Au-Sn合金、Ni-Sn合金、Ni-Au-Sn合金、Pb-Ag-In合金、Pb-Ag-Sn合金、Pb-Sn合金、Au-Ge合金或Au-Si合金。在其它实施例中，第一键合导电层172和第二键合导电层174可由不同材料制成，或者具有不同构造。
图16A和图16B的半导体发光装置300可包括图11的透明覆盖层136而不是透明覆盖层135。图16A和图16B的半导体发光装置300可包括图12的透明覆盖层137而不是透明覆盖层135。图16A和图16B的半导体发光装置300可包括图13的台面结构110Ma而不是台面结构110M。
图16A和图16B的半导体发光装置300还可包括图14的所述多个绝缘图案120，并且可包括图14的反射电极层130a和透明覆盖层135a而不是反射电极层130和透明覆盖层135。图16A和图16B的半导体发光装置300可包括图15的反射电极层130b和透明覆盖层135b而不是反射电极层130和透明覆盖层135。
为了制造图16A和图16B的半导体发光装置300，可执行参照图2A至图10B描述的处理，以形成覆盖第一互连导电层152和第二互连导电层154的钝化层160。例如，可使用CVD、PVD或另一沉积工艺以形成钝化层160。
然后，去除钝化层160的一部分，以形成暴露出第一互连导电层152的第一键合孔160H1和暴露出第二互连导电层154的第二键合孔160H2，并且形成通过第一键合孔160H1连接至第一互连导电层152的第一键合导电层172和通过第二键合孔160H2连接至第二互连导电层154的第二键合导电层174。
参照图1A至图16B描述的半导体发光装置100、100a、100b、100c、100d、200和300具有反射电极层130、130a和130b被透明覆盖层135、135a、135b、136和137覆盖的结构。因此，由于台面结构110M和110Ma的第二半导体层116与透明覆盖层135、135a、135b、136和137的优秀粘合性，可减少反射电极层130、130a和130b的剥离或者反射电极层130、130a和130b中的金属材料的迁移或附聚。结果，可提高反射电极层130、130a和130b的可靠性和反射电极层130、130a和130b与台面结构110M和110Ma之间的粘合力，以产生更稳定的结构。
另外，反射电极层130、130a和130b的边缘与第二半导体层116的上表面的边缘(例如，台面结构110M和110Ma的上表面的边缘)之间的距离可相对小。因此，反射电极层130、130a和130b的反射面积增大，从而提高了半导体发光装置100、100a、100b、100c、100d、200和300的光提取效率。
图17示出了包括半导体发光装置的发光装置封装件900的实施例的剖视图。参照图17，发光装置封装件900包括形成有电极图案912和914的杯形封装件结构920。杯形封装件结构920包括电极图案912和914形成在表面上的下衬底922和具有凹槽部分930的上衬底924。
半导体发光装置940通过倒装芯片法安装在凹槽部分930的下表面上。例如，半导体发光装置940可包括参照图1A至图16B描述的半导体发光装置100、100a、100b、100c、100d、200和300中的一个或多个。
半导体发光装置940可例如通过共晶键合固定至电极图案912和914上。例如，参照图1A至图16B的描述，电极图案912和914可连接至第一互连导电层152和第二互连导电层154或者第一键合导电层172和第二键合导电层174。
在凹槽部分930的内侧壁上形成反射板950。半导体发光装置940由填充反射板950上的凹槽部分930的透明树脂960覆盖。在透明树脂960的表面上形成不平图案962，以提高光提取效率。在一些实施例中，可以省略不平图案962。
发光装置封装件900可用作高功率/高效率的彩色(例如蓝色)LED，并且例如可用于实现大显示器、LED TV、RGB白光照明、情绪照明等。
图18示出了包括半导体发光装置的调光系统1000的实施例。参照图18，调光系统1000包括在结构1010上的发光模块1020和电源单元1030。
发光模块1020包括多个发光装置封装件1024。所述多个发光装置封装件1024包括例如参照图1A至图16B描述的一个或多个半导体发光器件半导体发光装置100、100a、100b、100c、100d、200和300。
电源单元1030包括用于接收电力的接口1032和控制供给至发光模块1020的电力的电力控制单元1034。接口1032可包括用于阻止过电流的熔丝和用于屏蔽电磁干扰信号的电磁干扰屏蔽过滤器。电力控制单元1034可包括整流部分和用于在输入交流电作为电源时将交流电流转换为直流电的平滑部分、以及用于将电压转换为适于发光模块1020的电压的恒压控制器。电源单元1030可包括：反馈电路装置，其执行将从所述多个发光装置封装件1024的光发射量与预定光量的比较；以及存储器装置，其存储亮度、颜色再现和/或其它信息。
在一些实施例中，调光系统1000可用作室外照明装置、在诸如具有图像面板的液晶显示器的显示装置中使用的背光单元、诸如灯或平板灯的室内照明装置和诸如路灯或标志的室外照明装置。在一些实施例中，调光系统1000可用于各种运输车辆(包括(但不限于)汽车、船舶和飞机)的照明装置。调光系统1000也可用于TV、冰箱、医疗设备和其它器具。
图19示出了包括半导体发光装置的显示装置1100的实施例。参考图19，显示装置1100包括广播接收单元1110、图像处理单元1120和显示器1130。显示器1130包括显示面板1140和背光单元(BLU)1150。BLU 1150包括产生光的光源和驱动这些光源的驱动元件。
广播接收单元1110从多个信道中选择通过无线通信或有线通信(通过空气或线缆)接收的广播信道作为输入信道，并接收设为输入信道的信道的广播信号。
图像处理单元1120对从广播接收单元1110输出的广播内容执行诸如视频解码、视频缩放和帧速率转换(FRC)的信号处理。
显示面板1140包括(但不限于)液晶显示器(LCD)。显示面板1140显示经过图像处理单元1120的信号处理的广播内容。BLU1150将光投射到显示面板1140上，使得显示面板1140显示图像。BLU 1150包括参照图1A至图16B描述的半导体发光装置100、100a、100b、100c、100d、200和300。
根据上述实施例中的一个或多个，半导体发光装置包括被透明覆盖层覆盖的反射电极层。因此，由于台面结构的第二半导体层与透明覆盖层的优秀粘合性，可以减少反射电极层的剥离和/或金属材料在反射电极层中的迁移或附聚，以提高反射电极层的可靠性。此外，反射电极层与台面结构之间的粘合力可在物理上增强以具有相对稳定的结构。
另外，可以不使用单独的掩模图案来形成限定台面结构的多个沟槽，因此，反射电极层的边缘与第二半导体层的上表面的边缘(例如，台面结构的上表面的边缘)之间的距离可相对较小。因此，反射电极层的反射面积增大，从而提高半导体发光装置的光提取效率。
本文已公开了示例实施例，虽然采用了特定术语，但是仅按照一般和描述性含义而非针对限制的目的使用和解释它们。在一些情况下，如本领域技术人员之一应该清楚的，除非另有说明，否则随着本申请的提交，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件联合使用。因此，在不脱离权利要求阐述的实施例的精神和范围的情况下，可作出各种形式和细节上的改变。

Claims (15)

1.一种半导体发光装置，包括：
发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
反射电极层，其覆盖所述第二半导体层的上表面；
透明覆盖层，其位于所述反射电极层上，覆盖所述第二半导体层的上表面，其中，所述透明覆盖层包括邻近于所述透明覆盖层的边缘的尾部，所述尾部具有第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述反射电极层的边缘并且具有凸上表面，所述第二部分比所述第一部分更薄并且从所述第一部分延伸；
绝缘结构，其覆盖所述第一半导体层的形成有第一接触区的表面的一部分和所述透明覆盖层周围的所述第二半导体层的上表面；
第一互连导电层，其穿过所述绝缘结构电连接至所述第一半导体层的所述第一接触区；以及
第二互连导电层，其穿过所述绝缘结构电连接至所述反射电极层，
其中，所述透明覆盖层在相对于水平方向的中心具有第一厚度，所述第一厚度为所述透明覆盖层的最大厚度，
所述透明覆盖层的厚度从中心朝着所述透明覆盖层的边缘减小，所述透明覆盖层在所述反射电极层的边缘上或者在邻近于所述反射电极层的边缘的内部的那部分上具有第二厚度，
然后所述透明覆盖层的厚度朝着所述透明覆盖层的边缘增大，所述透明覆盖层在所述反射电极层的边缘上或者在邻近于所述反射电极层的边缘的外部的那部分上具有第三厚度，
然后所述透明覆盖层的厚度朝着所述透明覆盖层的边缘再次减小，所述透明覆盖层的具有所述第二厚度的那部分比所述透明覆盖层的具有所述第三厚度的那部分更靠近所述透明覆盖层的中心。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明覆盖层的第一部分比所述透明覆盖层的第一部分周围的其它部分更厚。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明覆盖层：
在所述第一部分具有小于所述第一厚度且大于所述第二厚度的所述第三厚度，以及
在所述第二部分具有小于所述第三厚度的第四厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：
多个绝缘图案，其在所述第二半导体层与所述反射电极层之间彼此间隔开，所述多个绝缘图案和所述反射电极层一起具有全向反射器结构。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中：
所述发光结构包括由暴露出所述第一半导体层的形成有所述第一接触区的表面的多个沟槽限定的台面结构，并且
所述反射电极层的边缘与所述台面结构的上表面的边缘间隔开。
6.根据权利要求5所述的半导体发光装置，其中，所述透明覆盖层的边缘与所述台面结构的上表面的边缘间隔开。
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中：
第一距离对应于所述台面结构的上表面的边缘与所述透明覆盖层的边缘之间的距离，
第二距离对应于所述台面结构的上表面的边缘与所述反射电极层的边缘之间的距离，并且
所述第一距离小于所述第二距离。
8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述第一距离的值等于或小于1μm。
9.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中：
所述透明覆盖层包括导电氧化物，并且
所述第二互连导电层接触所述透明覆盖层。
10.一种半导体发光装置，包括：
发光结构，其包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和由暴露出所述第一半导体层的形成有第一接触区的表面的多个沟槽限定的台面结构；
反射电极层，其覆盖所述台面结构的上表面，并且与所述台面结构的上表面的边缘间隔开；以及
透明覆盖层，其在所述反射电极层上覆盖所述反射电极层的至少一部分和所述第二半导体层的上表面的一部分，其中覆盖所述第二半导体层的上表面的一部分的所述透明覆盖层的部分比所述透明覆盖层的在所述反射电极层的边缘周围的邻近所述部分的一部分更厚，并且其中所述透明覆盖层的边缘与所述台面结构的上表面的边缘间隔开并且位于所述台面结构的上表面的内部，
其中，所述透明覆盖层在相对于水平方向的中心具有第一厚度，所述第一厚度为所述透明覆盖层的最大厚度，
所述透明覆盖层的厚度从中心朝着所述透明覆盖层的边缘减小，所述透明覆盖层在所述反射电极层的边缘上或者在邻近于所述反射电极层的边缘的内部的那部分上具有第二厚度，
然后所述透明覆盖层的厚度朝着所述透明覆盖层的边缘增大，所述透明覆盖层在所述反射电极层的边缘上或者在邻近于所述反射电极层的边缘的外部的那部分上具有第三厚度，
然后所述透明覆盖层的厚度朝着所述透明覆盖层的边缘再次减小，所述透明覆盖层的具有所述第二厚度的那部分比所述透明覆盖层的具有所述第三厚度的那部分更靠近所述透明覆盖层的中心。
11.根据权利要求10所述的半导体发光装置，其中，所述台面结构的上表面的边缘与所述透明覆盖层的边缘之间的距离小于所述台面结构的上表面的边缘与所述反射电极层的边缘之间的距离。
12.根据权利要求10所述的半导体发光装置，还包括：
绝缘结构，其覆盖所述第一半导体层的形成有所述第一接触区的表面的一部分和所述第二半导体层的上表面；
第一互连导电层，其穿过所述绝缘结构与所述第一半导体层的所述第一接触区接触；以及
第二互连导电层，其穿过所述绝缘结构电连接至所述反射电极层。
13.根据权利要求12所述的半导体发光装置，其中：
所述透明覆盖层包括导电氧化物，并且
所述第二互连导电层接触所述透明覆盖层。
14.一种半导体发光装置，包括：
发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且具有由暴露出所述第一半导体层的形成有第一接触区的表面的多个沟槽限定的台面结构；
反射电极层，其覆盖所述台面结构的上表面，并且与所述台面结构的上表面的边缘间隔开；
透明覆盖层，其在所述反射电极层上覆盖所述反射电极层的至少一部分和所述第二半导体层的上表面的一部分，并且与所述台面结构的上表面的边缘间隔开；
绝缘结构，其覆盖所述第一半导体层的形成有所述第一接触区的表面的一部分和所述透明覆盖层周围的第二半导体层的上表面；
第一互连导电层，其穿过所述绝缘结构电连接至所述第一半导体层的所述第一接触区；以及
第二互连导电层，其穿过所述绝缘结构电连接至所述反射电极层，其中所述透明覆盖层包括：第一部分，其包括以比所述反射电极层的边缘周围的邻近所述第一部分的透明覆盖层的上表面更高的水平高度向上突出的上表面；以及第二部分，其从所述第一部分延伸，并且包括凹上表面，
其中，所述透明覆盖层在相对于水平方向的中心具有第一厚度，所述第一厚度为所述透明覆盖层的最大厚度，
所述透明覆盖层的厚度从中心朝着所述透明覆盖层的边缘减小，所述透明覆盖层在所述反射电极层的边缘上或者在邻近于所述反射电极层的边缘的内部的那部分上具有第二厚度，
然后所述透明覆盖层的厚度朝着所述透明覆盖层的边缘增大，所述透明覆盖层在所述反射电极层的边缘上或者在邻近于所述反射电极层的边缘的外部的那部分上具有第三厚度，
然后所述透明覆盖层的厚度朝着所述透明覆盖层的边缘再次减小，所述透明覆盖层的具有所述第二厚度的那部分比所述透明覆盖层的具有所述第三厚度的那部分更靠近所述透明覆盖层的中心。
15.根据权利要求14所述的半导体发光装置，其中，所述台面结构的上表面的边缘与所述反射电极层的边缘之间的距离大于所述台面结构的上表面的边缘与所述透明覆盖层的边缘之间的距离，并且具有大于0μm且小于2μm的值。
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