DE112015005124T5 - Lichtemittierende Diode - Google Patents

Lichtemittierende Diode Download PDF

Info

Publication number
DE112015005124T5
DE112015005124T5 DE112015005124.4T DE112015005124T DE112015005124T5 DE 112015005124 T5 DE112015005124 T5 DE 112015005124T5 DE 112015005124 T DE112015005124 T DE 112015005124T DE 112015005124 T5 DE112015005124 T5 DE 112015005124T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
light
bulking
emitting device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112015005124.4T
Other languages
English (en)
Inventor
Chang Yeon Kim
Sung Su Son
Joon Sup Lee
Jong Hyeon Chae
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Viosys Co Ltd
Original Assignee
Seoul Viosys Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020140156839A external-priority patent/KR102263066B1/ko
Priority claimed from KR1020140179554A external-priority patent/KR102347483B1/ko
Priority claimed from KR1020150021888A external-priority patent/KR102329776B1/ko
Application filed by Seoul Viosys Co Ltd filed Critical Seoul Viosys Co Ltd
Publication of DE112015005124T5 publication Critical patent/DE112015005124T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Offenbart ist eine lichtemittierende Vorrichtung. Die lichtemittierende Vorrichtung umfasst eine lichtemittierende Struktur; eine erste Kontaktelektrode und eine zweite Kontaktelektrode, welche auf der lichtemittierenden Struktur angeordnet sind und einen ohmschen Kontakt mit den ersten beziehungsweise den zweiten leitfähigen Halbleiterschichten ausbilden; eine Isolationsschicht, wobei die Isolationsschicht auf der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist und wobei die Isolationsschicht die erste Kontaktelektrode und die zweite Kontaktelektrode voneinander isoliert; eine erste Bulkelektrode und eine zweite Bulkelektrode, welche auf der lichtemittierenden Struktur angeordnet sind und elektrisch mit den ersten beziehungsweise den zweiten Kontaktelektroden verbunden sind; eine Isolationsträgerschicht, die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden und Bereiche der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedecken und mit einer ersten Öffnung und einer zweiten Öffnung, welche teilweise die oberen Flächen der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektroden freilegen; und eine erste Anschlusselektrode und eine zweite Anschlusselektrode, welche zumindest teilweise die erste beziehungsweise die zweite Öffnungen füllen, wobei Bereiche der freigelegten Bereiche auf den oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden freigelegt durch die ersten und zweiten Öffnungen kleiner sind als horizontale Querschnittsflächen der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektrode.

Description

  • [Technisches Gebiet]
  • Beispielhafte Ausführungsformen betreffen eine lichtemittierende Vorrichtung und insbesondere auf eine lichtemittierende Vorrichtung welche konfiguriert ist, um Wärmeverteilungseffizienz, elektrische Eigenschaften und mechanische Stabilität zu verbessern.
  • [Hintergrund der Erfindung]
  • Unlängst steigt die Nachfrage nach kleinen Hochleistungslichtemittierende Vorrichtungen, wodurch ebenfalls die Nachfrage nach großen Flip-Chip lichtemittierenden Vorrichtungen, welche eine gute Wärmeverteilungseffizienz aufweisen, zunimmt. Eine Flip-Chip lichtemittierende Vorrichtung umfasst Elektroden, wobei die Elektroden direkt an einem sekundären Substrat gebonded sind und nicht einen Draht zum Zuführen von elektrischer Energie zu der Flip-Chip lichtemittierenden Vorrichtung von einer externen Stromquelle benötigen und somit eine viel höhere Wärmeverteilungseffizienz als eine laterale lichtemittierende Vorrichtung aufweisen. Somit kann bei Anwendung hoher Stromdichte die Flip-Chip lichtemittierende Vorrichtung effektiv Wärme in Richtung des sekundären Substrats leiten, und kann somit in geeigneter Weise als eine Hochleistungslichtemissionsquelle verwendet werden.
  • Zusätzlich gibt es, für Miniaturisierung und hohe Leistung von einer lichtemittierenden Vorrichtung, zunehmenden Bedarf für ein Package auf Chipmaßstab in dem die lichtemittierende Vorrichtung per se als ein Package verwendet wird, durch Weglassen eines Package-Verfahrens der lichtemittierenden Vorrichtung in ein separates Package oder dergleichen. Insbesondere, da die Elektroden der Flip-Chip lichtemittierenden Vorrichtung eine ähnliche Funktion bereitstellen können wie Leitungen des Packages, kann die Flip-Chip lichtemittierende Vorrichtung entsprechend für solch ein Package auf Chipmaßstab geeignet sein.
  • Wenn solch ein Package auf Chipmaßstab als eine Hochleistungslichtemittierende Vorrichtung verwendet wird, wird eine hohe Dichte elektrischen Stroms an dem Package auf Chipmaßstab angewendet. Wenn eine hohe Dichte elektrischen Stroms auf das Package angewendet wird, nimmt die erzeugte Wärmemenge von dem lichtemittierenden Chip auch im Verhältnis zu dem elektrischen Strom zu, so dass Wärmeverteilungseffizienz der Hochleistungslichtemittierende Vorrichtung ein Hauptfaktor bei der Bestimmung der Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung wird. Daher besteht ein Bedarf an einem Hochleistungspackage auf Chipmaßstab, das eine hohe Wärmeverteilungseffizienz und eine gute mechanische Stabilität aufweist, um eine hohe Zuverlässigkeit sicherzustellen. Wenn darüber hinaus ist das Package auf Chipmaßstab auf einer Platine mit einer leitfähigen Schaltung über ein Klebematerial, wie Lot, Pasten und dergleichen angeordnet, wobei das Klebematerial entlang der Elektroden des Chips und der Schaltung der Platine fließt, wodurch ein Kurzschluss zwischen den Elektroden verursacht wird. Daher besteht ein Bedarf an einer Struktur mit guter mechanischer und elektrischer Stabilität, um einen Kurzschluss nach der Montage zu vermeiden.
  • [Offenbarung]
  • [Technisches Problem]
  • Beispielhafte Ausführungsformen stellen eine lichtemittierende Vorrichtung, die effizient eine Wärmeverteilung und mechanische Stabilität aufweist, bereit.
  • Beispielhafte Ausführungsformen stellen, eine lichtemittierende Vorrichtung mit einheitlichen Leuchteigenschaften und zum Sicherstellen von ausgezeichneter Wärmeverteilungseffizienz, bereit.
  • Beispielhafte Ausführungsformen stellen eine lichtemittierende Vorrichtung mit hoher Wärmeverteilungseffizienz und hervorragender mechanischer und elektrischer Stabilität bereit, wodurch ein Kurzschluss zwischen den Elektroden verhindert wird.
  • [Technische Lösung]
  • Gemäß eines Aspekts der vorliegenden Offenbarung umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung: eine lichtemittierenden Struktur, die eine erste leitfähige Halbleiterschicht, eine zweite leitfähige Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen den ersten und zweiten leitfähigen Halbleiterschichten angeordnet ist; eine erste Kontaktelektrode und eine zweite Kontaktelektrode, welche auf der lichtemittierenden Struktur angeordnet sind und einen ohmschen Kontakt jeweils mit den ersten beziehungsweise den zweiten leitfähigen Halbleiterschichten ausbilden; eine Isolationsschicht, wobei die Isolationsschicht auf der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist und wobei die Isolationsschicht die erste Kontaktelektrode und die zweite Kontaktelektrode voneinander isoliert; eine erste Bulkelektrode und eine zweite Bulkelektrode, welche auf der lichtemittierenden Struktur angeordnet sind und elektrisch mit den ersten beziehungsweise den zweiten Kontaktelektroden verbunden sind; eine Isolationsträgerschicht, die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden und Bereiche der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedecken und mit einer ersten Öffnung und einer zweiten Öffnung, welche teilweise die oberen Flächen der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektroden freilegen; und eine erste Anschlusselektrode und eine zweite Anschlusselektrode, welche zumindest teilweise die erste beziehungsweise die zweite Öffnungen füllen, wobei Bereiche der freigelegten Bereiche auf den oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden freigelegt durch die ersten und zweiten Öffnungen kleiner sind als horizontale Querschnittsbereiche der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektrode.
  • Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung verbesserte Eigenschaften hinsichtlich mechanischer Stabilität und Wärmeverteilung aufweisen.
  • Ein Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden kann kleiner sein als ein Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Öffnungen.
  • Der Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden kann 100 Mikrometer oder weniger betragen.
  • Der Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Öffnungen kann 80 Mikrometer oder mehr sein.
  • Die Isolationsträgerschicht kann eine untere Isolationsträgerschicht, welche Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedeckt, und eine obere Isolationsträgerschicht, welche die Abschnitte der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedeckt, umfassen und die oberen und unteren Isolationsträgerschichten können aus dem gleichen Material oder verschiedenen Materialien gebildet sein.
  • Die obere Isolationsträgerschicht kann eine Schnittstelle zwischen der ersten Bulkelektrode und der unteren Isolationsträgerschicht und eine Schnittstelle zwischen der zweiten Bulkelektrode und der unteren Isolationsträgerschicht bedecken.
  • Die oberen und unteren Isolationsträgerschichten können aus unterschiedlichen Materialien gebildet sein und die obere Isolationsträgerschicht kann ein Fotolack oder ein Foto-Lötstopplack umfassen.
  • Eine obere Fläche der ersten Anschlusselektrode, eine untere Fläche der zweiten Anschlusselektrode und eine obere Fläche der Isolationsträgerschicht können zueinander bündig angeordnet sein.
  • Die Isolationsschicht kann eine erste Isolationsschicht und eine zweite Isolationsschicht umfassen. Die erste Isolationsschicht kann teilweise die zweite Kontaktelektrode bedecken; die erste Kontaktelektrode kann teilweise die erste Isolationsschicht bedecken; und die zweite Isolationsschicht kann eine dritte Öffnung und eine vierte Öffnung teilweise bedeckend die erste Kontaktelektrode umfassen, um teilweise die erste Kontaktelektrode und die zweite Kontaktelektrode freizulegen.
  • Die erste Bulkelektrode kann mit der ersten Kontaktelektrode durch die dritte Öffnung elektrisch verbunden sein, und die zweite Bulkelektrode kann elektrisch mit der zweiten Kontaktelektrode durch die vierte Öffnung verbunden sein.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung kann ferner eine Verbindungselektrode, welche zwischen der zweiten Kontaktelektrode und der zweiten Bulkelektrode angeordnet ist, umfassen.
  • Eine obere Fläche der Verbindungselektrode kann aus demselben Material wie die erste Kontaktelektrode gebildet sein.
  • Die obere Fläche der Verbindungselektrode kann mit einer oberen Fläche der ersten Kontaktelektrode koplanar sein.
  • Die lichtemittierende Struktur kann zumindest ein Loch umfassen, welches die erste leitfähige Halbleiterschicht teilweise freigelegt, und die erste Kontaktelektrode kann mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht durch die zumindest eine Öffnung elektrisch verbunden sein.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung: eine lichtemittierende Struktur mit einer ersten leitfähigen Halbleiterschicht, einer zweiten leitfähigen Halbleiterschicht und einer aktiven Schicht, wobei die aktive Schicht zwischen den ersten und zweiten leitfähigen Halbleiterschichten angeordnet ist; eine erste Kontaktelektrode und eine zweite Kontaktelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und ausbildend einen ohmschen Kontakt mit den ersten beziehungsweise den zweiten leitfähigen Halbleiterschichten; eine Isolationsschicht angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und isolierend die erste Kontaktelektrode von der zweiten Kontaktelektrode; eine erste Bulkelektrode und eine zweite Bulkelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und elektrisch verbunden mit den ersten beziehungsweise zweiten Kontaktelektroden; und einer Isolationsträgerschicht, die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden und Abschnitte der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedecken und umfassend eine erste Öffnung und eine zweite Öffnung, welche teilweise die oberen Flächen der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektroden freilegen, wobei ein Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Öffnungen größer als ein Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden sein kann.
  • Die zweite leitfähige Halbleiterschicht kann eine p-leitende Halbleiterschicht sein, und ein Bereich eines freigelegten Bereiches der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode, welcher durch die zweite Öffnung freigelegt ist, kann größer sein als ein Kontaktbereich zwischen der zweiten Bulkelektrode und der zweiten Kontaktelektrode.
  • Die erste leitfähige Halbleiterschicht kann eine n-leitende Halbleiterschicht sein, und ein Bereich eines freigelegten Bereiches der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode, welcher durch die erste Öffnung freigelegt ist, kann kleiner sein als ein Kontaktbereich zwischen der ersten Bulkelektrode und der ersten Kontaktelektrode.
  • Eine horizontale Querschnittsfläche der ersten Bulkelektrode kann größer als diejenige der zweiten Bulkelektrode.
  • Gemäß eines weiteren Aspekts der vorliegenden Offenbarung umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung: eine lichtemittierende Struktur, die eine erste leitfähige Halbleiterschicht, eine zweite leitfähige Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen den ersten und zweiten leitfähigen Halbleiterschichten angeordnet ist; eine erste Kontaktelektrode und eine zweite Kontaktelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und ausbildend einen ohmschen Kontakt mit den ersten beziehungsweise zweiten leitfähigen Halbleiterschichten; eine Isolationsschicht angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und isolierend die erste Kontaktelektrode und die zweite Kontaktelektrode voneinander; eine erste Bulkelektrode und eine zweite Bulkelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und elektrisch verbunden mit den ersten beziehungsweise zweiten Kontaktelektroden; und einer Isolationsträgerschicht, die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden und Bereiche der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedeckt und mit einer ersten Öffnung und einer zweiten Öffnung teilweise freilegend die oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden, wobei die Isolationsträgerschicht zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden und auf Bereichen der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden über Seitenflächen der ersten und der zweiten Bulkelektroden einander gegenüber angeordnet sind, angeordnet ist.
  • Die Isolationsträgerschicht kann auf den äußeren Umfangsseitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden und auf Bereichen der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden über die äußeren Umfangsseitenflächen der ersten und der zweiten Bulkelektroden angeordnet sein.
  • Gemäß eines noch weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung: eine lichtemittierende Struktur mit einer ersten leitfähigen Halbleiterschicht, einer zweiten leitfähige Halbleiterschicht und eine aktive Schicht, wobei die aktive Schicht zwischen den ersten und zweiten leitfähigen Halbleiterschichten angeordnet ist; eine erste Kontaktelektrode und eine zweite Kontaktelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und ausbildend einen ohmschen Kontakt mit den ersten beziehungsweise zweiten leitfähigen Halbleiterschichten; erste und zweite Isolationsschichten teilweise bedeckend die erste Kontaktelektrode beziehungsweise die zweite Kontaktelektrode; eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und elektrisch verbunden mit den ersten beziehungsweise zweiten Kontaktelektroden; eine Isolationsträgerschicht, die Seitenflächen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode bedeckt; eine Verbindungsschicht angeordnet auf der ersten Elektrode, der zweiten Elektrode und der Isolationsträgerschicht; und eine erste Anschlusselektrode und eine zweite Anschlusselektrode angeordnet auf der Verbindungsschicht, wobei die erste Anschlusselektrode und die zweite Anschlusselektrode elektrisch mit der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode durch die Verbindungsschicht verbunden sind, eine horizontale Fläche der ersten Anschlusselektrode ist kleiner als die der ersten Elektrode, und eine horizontale Fläche der zweiten Anschlusselektrode ist größer als die der zweiten Elektrode.
  • Mit dieser Struktur weist die lichtemittierende Vorrichtung eine verbesserte Wärmeverteilungseffizienz auf, wodurch Zuverlässigkeit und Lebensdauer verbessert wird, und gleichmäßige Leuchteigenschaften aufweisen kann.
  • Die erste Elektrode kann auf einen ohmschen Kontaktbereich zwischen der ersten Kontaktelektrode und der ersten leitfähigen Halbleiterschicht angeordnet sein.
  • Der ohmsche Kontakt zwischen den ersten Kontaktelektrode und der ersten leitfähigen Halbleiterschicht kann nicht unter der zweiten Elektrode gebildet werden.
  • Die erste Kontaktelektrode kann eine Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen umfassen kontaktierend die erste leitfähige Halbleiterschicht um damit einen ohmschen Kontakt zu bilden, und die erste Elektrode kann alle der Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen der ersten Kontaktelektrode kontaktieren.
  • Die erste Kontaktelektrode kann eine Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen umfassen kontaktierend die erste leitende Halbleiterschicht um damit einen ohmschen Kontakt zu bilden, und die erste Elektrode kann einige der Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen der ersten Kontaktelektrode kontaktieren.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung kann ferner eine erste Verbindungschicht angeordnet unter der ersten Elektrode und eine zweite Verbindungsschicht angeordnet unter der zweiten Elektrode umfassen, wobei ein Bereich der ersten Verbindungsschicht die erste Kontaktelektrode kontaktieren kann und ein Bereich der zweiten Verbindungsschicht die zweite Kontaktelektrode kontaktieren kann.
  • Die zweite Isolationsschicht kann teilweise zwischen der ersten Verbindungsschicht und der ersten Kontaktelektrode angeordnet sein.
  • Eine horizontale Querschnittsfläche der ersten Elektrode kann das 0,8-fache bis weniger als 1-fache der Summe der horizontalen Querschnittsflächen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode sein.
  • Die erste Anschlusselektrode kann die gleiche horizontale Fläche wie die zweite Anschlusselektrode aufweisen.
  • Die Verbindungsschicht kann eine Isolationsmaterialschicht umfassen; eine erste Verbindungsschicht elektrisch verbindend die erste Elektrode mit der ersten Anschlusselektrode und durchdringend die Isolationsmaterialschicht; und eine zweite Verbindungsschicht elektrisch verbindend die zweite Elektrode mit der zweiten Anschlusselektrode und durchdringend die Isolationsmaterialschicht.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung kann ferner eine Vielzahl von zweiten Elektroden umfassen, und die zweiten Elektroden können elektrisch mit den zweiten Anschlusselektroden verbunden sein.
  • Die erste Kontaktelektrode kann eine Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen umfassen, welche die erste leitfähige Halbleiterschicht kontaktieren um ohmschen Kontakt damit auszubilden, und einige der Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen können zwischen den zweiten Elektroden angeordnet sein.
  • Jede der ersten und zweiten Elektroden können Metallpartikel umfassen und ein nicht-metallisches Material, das zwischen den Metallpartikeln angeordnet ist.
  • Die Metallpartikel und das nicht-metallische Material können die Form von gesinterten Metallpartikeln annehmen.
  • Jedes der ersten und der zweiten Elektroden kann eine geneigte Seitenfläche umfassen, und die geneigte Seitenfläche kann eine Seitenfläche umfassen, auf dem ein Gradient einer tangentialen Linie eines vertikalen Querschnitts von jeder der ersten und zweiten Elektrode in Bezug auf die Seitenfläche variiert.
  • Jede der ersten und zweiten Elektroden können 80 Gewichtsprozent bis 98 Gewichtsprozent der Metallpartikel umfassen.
  • In einigen beispielhaften Ausführungsformen, kann die lichtemittierende Struktur ferner einen teilweise freigelegten Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht gebildet durch teilweises Entfernen der aktiven Schicht und der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht umfassen und die erste Kontaktelektrode kann ohmschen Kontakt mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht durch den teilweise freigelegten Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht bilden.
  • Der teilweise freigelegte Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht kann die Form einer Vielzahl von Löchern annehmen.
  • Die zweite Kontaktelektrode kann auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht angeordnet sein; die erste Isolationsschicht kann die zweite Kontaktelektrode und die lichtemittierende Struktur bedecken und eine erste Öffnung und eine zweite Öffnung umfassen, welche einen Bereich des freigelegten Bereichs der ersten leitfähigen Halbleiterschicht beziehungsweise einen Bereich der zweiten Kontaktelektrode freigelegt; die erste Kontaktelektrode kann zumindest teilweise die erste Isolationsschicht bedecken, während ein Kontakt zu der ersten leitfähigen Halbleiterschicht durch die erste Öffnung ausgebildet wird; und die zweite Isolationsschicht kann teilweise die erste Kontaktelektrode bedecken und umfasst eine dritte Öffnung teilweise freilegend die erste Kontaktelektrode, und eine vierte Öffnung ausgebildet an einer Stelle, welche der zweiten Öffnung entspricht, und welche einen Bereich der zweiten Kontaktelektrode freigelegt.
  • Die erste Elektrode kann die erste Kontaktelektrode durch die dritte Öffnung kontaktieren, die zweite Elektrode kann die zweite Kontaktelektrode durch die vierte Öffnung kontaktieren, und alle der Vielzahl der Löcher kann unter einem Bereich der dritten Öffnung angeordnet sein.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung: eine lichtemittierende Struktur mit einer ersten leitfähigen Halbleiterschicht, einer zweiten leitfähigen Halbleiterschicht angeordnet auf der ersten leitfähigen Halbleiterschicht, und einer aktiven Schicht angeordnet zwischen der ersten leitfähigen Halbleiterschicht und der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht; eine erste Elektrode, die elektrisch mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht verbunden ist; eine zweite Elektrode angeordnet auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht und elektrisch verbunden mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht; eine Trägerstruktur mit einer ersten Metallmasse und einer zweiten Metallmasse angeordnet auf der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode um voneinander getrennt zu sein und elektrisch verbunden mit der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode, und eine Isolationsträgerschicht angeordnet zwischen der ersten Metallmasse und der zweiten Metallmasse; und ein Substrat angrenzend an der Trägerstruktur, wobei jedes der ersten und zweiten Metallmassen einen oberen Bereich und einen unteren Bereich umfasst; das Substrat umfasst einen ersten Verbindungsabschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt, welche mit der ersten Metallmasse beziehungsweise der zweiten Metallmasse verbunden sind; und ein Abstand zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt größer als ein Abstand zwischen den oberen Bereichen. Gemäß dieser Struktur ist es möglich, die lichtemittierende Vorrichtung vor einem Leiden vor Rissbildung oder Beschädigung aufgrund von Wärme zu schützen. Ferner ist es möglich, eine Trennung der ersten und zweiten Metallmassen durch ein Klebematerial, wie beispielsweise Lötmittel, zu verhindern, wenn die ersten und zweiten Metallmassen auf dem Substrat angeordnet sind. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung elektrische Stabilität sicherstellen.
  • Die erste Metallmasse kann eine erste Ebene umfassen, welche der zweiten Metallmasse zugewandt ist und eine zweite Ebene, welche gegenüberliegend der ersten Ebene angeordnet ist; die zweite Metallmasse kann eine dritte Ebene umfassen, welche der ersten Metallmasse zugewandt ist und eine vierte Ebene, welche gegenüberliegend der dritten Ebene angeordnet ist; und die ersten und zweiten Metallmassen können eine erste Vertiefung, welche von unteren Kanten der ersten Ebene beziehungsweise der dritten Ebene gedrückt sind, umfassen. In dieser Struktur, kann die erste Vertiefung mit der Isolationsträgerschicht gefüllt werden, wodurch ein Fließen die Klebematerialien, wie beispielsweise Lötzinn, in einen Raum zwischen die erste Masse und die zweiten Metallmasse unterdrückt wird. Dementsprechend ist es möglich, die erste und zweite Metallmasse vor einer Trennung durch das Klebematerial zu verhindern. Ferner können Kontaktbereiche zwischen den ersten und zweiten Metallmassen und der Isolationsträgerschicht erhöht werden, wodurch zwischen den ersten und zweiten Metallmassen und der Isolationsträgerschicht die Haftung verbessert wird. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung mechanische Stabilität sicherstellen.
  • Die erste Vertiefung kann aus einer einzigen Ebene zusammengesetzt sein. Mit dieser Struktur kann der Abstand zwischen der ersten Masse und der zweiten Metallmasse graduell verringert werden, wodurch eine Wärmeverteilungszone vergrößert wird, wobei diese in der Lage ist Wärme von der lichtemittierenden Vorrichtung zu verteilen. Da ferner der Abstand zwischen den unteren Flächen der ersten und zweiten Metallmassen größer sein kann als der Abstand zwischen den oberen Bereichen, ist es möglich, die ersten und zweiten Metallmassen vor einer Trennung durch das Klebematerial, wie beispielsweise Lot, zu verhindern.
  • Die erste Vertiefung kann aus einer konvexen Ebene oder einer konkaven Ebene zusammengesetzt sein.
  • Die erste Vertiefung kann aus einer Vielzahl von Ebenen ausgebildet sein. In dieser Struktur sind Kontaktbereiche zwischen den ersten und zweiten Metallmassen und der Isolationsträgerschicht weiter erhöht, wodurch weiterhin die Haftung zwischen der ersten Masse und der zweiten Metallmasse und der Isolationsträgerschicht weiter verbessert ist. Dementsprechend kann die lichtemittierende Vorrichtung mechanische Stabilität sicherstellen.
  • Die ersten und zweiten Metallmassen können eine zweite Vertiefung eingedrückt von unteren Kanten der zweiten beziehungsweise vierten Ebenen umfassen. In dieser Struktur können die zweiten Vertiefungen mit der Isolationsträgerschicht gefüllt werden, wodurch ein Fließen der Klebematerialien, wie beispielsweise Lötzinn, in Richtung einer äußeren Fläche der lichtemittierenden Vorrichtung unterdrückt wird. Ferner sind Kontaktbereiche zwischen den ersten und zweiten Metallmassen und der Isolationsträgerschicht weiter erhöht werden, wodurch zwischen den ersten und zweiten Metallmassen und der Isolationsträgerschicht die Haftung verbessert wird. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung mechanische Stabilität sicherstellen.
  • Ein Abstand zwischen den unteren Bereichen kann größer sein als der Abstand zwischen den oberen Bereichen. Mit dieser Struktur ist es möglich, eine Trennung der ersten und zweiten Metallmassen aufgrund des Klebematerials, wie beispielsweise Lötmittel, effizienter zu verhindern, wenn die ersten und zweiten Metallmassen auf dem Substrat angeordnet sind. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung elektrische Stabilität sicherstellen.
  • Der Abstand zwischen den oberen Bereichen kann 100 Mikrometer oder weniger betragen. Innerhalb dieses Bereichs können die ersten und zweiten Metallmassen weitere Verbesserung hinsichtlich der Wärmeverteilung erzielen.
  • Der Abstand zwischen den unteren Bereichen kann 250 Mikrometer oder weniger betragen. Innerhalb dieses Bereichs ist es möglich, die ersten und zweiten Metallmassen vor Trennung durch ein Klebematerial, wie beispielsweise Lötzinn, zu verhindern.
  • Der Abstand zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt kann größer sein als der Abstand zwischen den unteren Bereichen. Mit dieser Struktur ist es möglich, eine Trennung aufgrund des Klebematerials, wie beispielsweise Lötzinn, der ersten und zweiten Verbindungsabschnitte effizienter zu verhindern. Ferner, da es möglich ist, das Klebstoffmaterial vor einem Fließen in einen Bereich zwischen den unteren Flächen der ersten und zweiten Metallmassen entlang der ersten und zweiten Verbindungsabschnitte zu verhindern, kann eine Trennung der ersten und zweiten Metallmassen effizienter verhindert werden. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung elektrische Stabilität sicherstellen.
  • Die erste Metallmasse und die zweite Metallmasse können eine Dicke von 5- bis 20-mal der Dicke der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode aufweisen. Mit dieser Struktur erlaubt die lichtemittierende Vorrichtung eine effektive Wärmeverteilung von Wärme, welche durch die lichtemittierende Struktur durch die Seitenflächen der ersten und zweiten Metallmassen erzeugt wird und kann somit Rissbildung oder Beschädigung durch Wärme verhindern.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung kann ferner eine erste Isolationsschicht umfassen, wobei die erste Isolationsschicht eine untere Fläche der lichtemittierenden Struktur und unteren und Seitenflächen der zweiten Elektrode bedeckt und zwischen der lichtemittierenden Struktur und der ersten Elektrode angeordnet ist um die erste Elektrode von der zweiten Elektrode zu isolieren.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung kann weiterhin eine zweite Isolationsschicht umfassen, wobei die zweite Isolationsschicht einen Teil der ersten Elektrode bedeckt. Die zweite Isolationsschicht kann effektiver eine Trennung der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode verhindern und kann die lichtemittierende Struktur vor äußeren Verunreinigungen oder Aufprall schützen.
  • Das Substrat kann ferner eine Basis umfassen, wobei die Basis den ersten Verbindungsabschnitt und den zweiten Verbindungsabschnitt stützt und kann ein durch die Basis gebildetes Durchgangsloch umfassen.
  • Das Durchgangsloch kann auf der ersten Metallmasse und auf der zweiten Metallmasse angeordnet sein. Mit dieser Struktur kann übertragene Wärme zu der ersten Metallmasse und der zweiten Metallmasse wirksam durch einen inneren Bereich des Durchgangsloch und dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt angeordnet innerhalb des Durchgangslochs, abgeführt werden.
  • Das Durchgangsloch kann sich mit der ersten Metallmasse und der zweiten Metallmasse in einer vertikalen Richtung nicht üerlappen. Mit dieser Struktur ist es möglich, das Klebematerial, wie beispielsweise Lötmittel, daran zu hindern, nach außen entlang dem Durchgangsloch zu fließen, wenn die erste Metallmasse und die zweite Metallmasse auf dem Substrat angeordnet sind. Ferner ist es möglich, die erste Metallmasse und die zweite Metallmasse vor Beschädigung durch äußere Stöße oder Verunreinigungen durch das Durchgangsloch zu schützen.
  • Jede der ersten und zweiten Metallmassen kann eine monolithische Schicht sein. Mit dieser Struktur ist es möglich, eine Trennung der ersten und zweiten Metallmassen zu verhindern, während die Haftung der ersten und zweiten Metallmassen zum Substrat verbessert wird durch Anpassen der Form der unteren Bereiche ohne eine separate Schicht an unteren Seiten der ersten Metallmasse und der zweite Metallmasse auszubilden.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung kann ferner ein Lot zwischen der ersten Metallmasse und dem ersten Verbindungsabschnitt und zwischen der zweiten Metallmasse und dem zweiten Verbindungsabschnitt umfassen.
  • [Vorteilhafte Effekte]
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen umfasst die lichtemittierende Vorrichtung eine Isolationsträgerschicht, die eine obere Isolationsträgerschicht und eine untere Isolationsträgerschicht umfasst und Seitenflächen und Bereiche der oberen Fläche der Bulkelektroden bedeckt. Mit dieser Struktur weist die lichtemittierende Vorrichtung eine hohe Wärmeverteilungseffizienz auf, kann eine ausgezeichnete mechanische Stabilität aufweisen und kann eine Möglichkeit der Kontamination aufgrund von externen Faktoren wie Feuchtigkeit unterdrücken, wodurch eine hohe Zuverlässigkeit bereitstellbar ist.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen umfasst die lichtemittierende Vorrichtung eine erste Elektrode, deren horizontale Querschnittsfläche größer ist als das einer zweiten Elektrode davon, wodurch eine Verbesserung in Zuverlässigkeit und Lebensdauer erreichbar sind durch Verbesserung der Wärmeverteilungseffizienz. Ferner wird das Verhältnis einer Fläche besetzt durch die erste Elektrode auf andere Bereiche erhöht, so dass die lichtemittierende Vorrichtung einheitliche Leuchteigenschaften über die gesamte Struktur aufweist.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen, ist der Abstand zwischen den oberen Bereichen der ersten und zweiten Metallmassen relativ kurz, kann die lichtemittierende Vorrichtung Wärme aus dem Licht erzeugt emittierenden Struktur effektiv abgeführt werden durch die Seitenflächen der ersten Metallmasse und der zweiten Metallmasse. Dementsprechend kann die lichtemittierende Vorrichtung von Rissbildung oder Beschädigung durch Hitze verhindert werden. Zusätzlich kann, da der Abstand zwischen den unteren Bereichen der ersten und zweiten Metallmassen relativ lang ist, ist es möglich, Trennung der ersten und zweiten Metallmassen durch ein Klebematerial, wie beispielsweise Lötmittel, zu verhindern, bei der Montage auf der ersten und zweiten Metallmassen ein Substrat. Da weiterhin der Abstand zwischen einem ersten Verbindungsabschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt relativ lang ist, ist es möglich, Trennung der ersten und zweiten Verbindungsabschnitte durch das Klebematerial, wie beispielsweise Lötmittel, zu verhindern, nach der Montage der ersten und zweiten Metallmassen auf ein Substrat. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung elektrische Stabilität sicherstellen.
  • [Beschreibung der Zeichnungen]
  • 1 und 2 sind eine Schnittansicht beziehungsweise eine Draufsicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 4a und 4b sind Draufsichten auf eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 6a, 6b und 7 sind Draufsichten beziehungsweise eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 8 ist eine Querschnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 9a, 9b und 10 sind Draufsichten beziehungsweise eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 11a, 11b und 12 sind Draufsichten beziehungsweise eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 13a, 13b und 14 sind Draufsichten beziehungsweise eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 15 und 16 sind eine Draufsicht beziehungsweise eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 17 ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 18 ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 19 ist eine Querschnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 20 ist eine Querschnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 21 ist eine Querschnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 22 ist eine Querschnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 23 ist eine perspektivische Explosionsansicht einer beispielhaften Beleuchtungsvorrichtung, auf die eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einiger Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung angewendet ist.
  • 24 ist eine Querschnittansicht einer beispielhaften Anzeigevorrichtung, an die eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einiger Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung angewendet ist.
  • 25 ist eine Querschnittansicht einer beispielhaften Anzeigevorrichtung, an die eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einiger Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung angewendet ist.
  • 26 ist eine Schnittansicht eines beispielhaften Scheinwerfer an welcher eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einiger Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung angewendet ist.
  • [Bevorzugte Ausführungsformen]
  • Nachstehend werden Ausführungsbeispiele detaillierter unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die folgenden Ausführungsformen sind beispielhaft zu verstehen, um vollständig den Geist der vorliegenden Offenbarung dem Fachmann auf dem Gebiet zu vermitteln, auf die sich die vorliegende Offenbarung bezieht. Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung auf die Ausführungsformen die hierin offenbart nicht beschränkt und kann auch in verschiedenen Formen implementiert werden. In den Zeichnungen können Breiten, Längen, Dicken und dergleichen von Elementen aus Gründen der Klarheit und beschreibenden Zweck übertrieben groß dargestellt sein. Wenn ein Element oder eine Schicht als ”angeordnet über” oder ”angeordnet auf” einem anderen Element oder einer Schicht beschrieben ist, kann es direkt ”oben angeordnet sind” oder ”angeordnet auf” dem anderen Element oder der Schicht oder Elemente oder Schichten dazwischen vorhanden sein. In der gesamten Beschreibung bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente die gleiche oder ähnliche Funktionen aufweisen.
  • 1 und 2 sind eine Querschnittansicht und eine Draufsicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform. 1 zeigt einen Querschnitt der lichtemittierenden Vorrichtung 2 entlang der Linie A-A' der 2.
  • Bezugnehmend auf 1 und 2 umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung 100a gemäß einer beispielhaften Ausführungsform eine lichtemittierende Struktur 120, eine erste Kontaktelektrode 130, eine zweite Kontaktelektrode 140, Isolationsschichten 150, 160, erste und zweite Bulkelektroden 171, 173 und eine Isolationsträgerschicht 180. Die lichtemittierende Vorrichtung 100a kann ferner ein Wachstumssubstrat (nicht gezeigt), einen Wellenlängenkonversionsabschnitt (nicht gezeigt) und eine Verbindungselektrode 145 umfassen.
  • Das lichtemittierenden Struktur 120 kann eine erste leitfähige Halbleiterschicht 121, eine aktive Schicht 123 angeordnet auf der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht 125 angeordnet auf der aktiven Schicht 123 umfassen. Die erste leitfähige Halbleiterschicht 121, die aktive Schicht 123 und die zweite leitfähige Halbleiterschicht 125 können ein III-V Verbindungshalbleiter umfassen, beispielsweise einen Nitrid basierenden Halbleiter, wie (Al, Ga, In) N. Die erste leitfähige Halbleiterschicht 121 kann n-Typ Dotierungsmittel (beispielsweise Si), und die zweite leitfähige Halbleiterschicht 125 kann p-Typ Dotierungsmittel (beispielsweise Mg) oder umgekehrt umfassen. Die aktive Schicht 123 kann ein Mehrquantenstruktur (MQW) umfassen.
  • Die lichtemittierende Struktur 120 kann einen teilweise freigelegten Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 gebildet durch teilweises Entfernen der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 und die aktive Schicht 123 umfassen. Zum Beispiel, wie in den Zeichnungen gezeigt ist, kann die lichtemittierende Struktur 120 aus mindestens einem Loch 120a gebildet sein, wobei das Loch 120a durch die zweite leitfähige Halbleiterschicht 125 und der aktiven Schicht 123 zum Freilegen der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 ausgebildet ist. Die lichtemittierende Struktur 120 kann eine Vielzahl von Löchern 120a umfassen und die Form und Anordnung der Löcher 120a sind nicht auf die in den Zeichnungen gezeigten, beschränkt. In einigen Ausführungsbeispielen kann der teilweise freigelegte Bereich des ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 durch teilweises Entfernen der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 und der aktiven Schicht 123 bereitgestellt werden, um eine Mesa mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 und der aktiven Schicht 123 zu bilden.
  • Die lichtemittierende Struktur 120 kann ferner eine Rauigkeit 120R umfassen, wobei die Rauigkeit 120R auf einer unteren Fläche davon gebildet ist, durch steigenden Rauigkeit der unteren Fläche. Die Rauigkeit 120R kann durch mindestens eines von Trockenätzen, Nassätzen und elektrochemischen Ätzen ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die Rauigkeit 120R durch PEC-Ätzen oder durch Nassätzen in einer Ätzlösung, enthaltend KOH und NaOH, gebildet werden. Mit der Rauigkeit 120R kann die lichtemittierende Struktur einen konvexen Abschnitt umfassen, und einen konkaven Abschnitt in Mikrometer- oder Nanometerbereich auf einer Oberfläche der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 gebildet sein. Mit der Struktur, wobei die Rauigkeit auf der Oberfläche der lichtemittierenden Struktur 120 ausgebildet ist, kann die lichtemittierende Vorrichtung eine verbesserte Lichtextraktionseffizienz erzielen.
  • Die lichtemittierende Struktur 120 kann weiterhin ein Aufwachssubstrat umfassen (nicht dargestellt), wobei das Aufwachssubstrat unter der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 angeordnet ist. Als das Aufwachssubstrat kann jedes Substrat verwendet werden, solange wie das Substrat Wachstum der lichtemittierenden Struktur ermöglicht. Zum Beispiel kann das Aufwachssubstrat ein Saphirsubstrat, ein Silizium-Karbid-Substrat, ein Silizium-Substrat, ein Galliumnitrid-Substrat oder ein Aluminiumnitrid-Substrat sein. Ein derartiges Aufwachssubstrat kann von der lichtemittierenden Struktur 120 nach einem nach dem Stand der Technik bekannten Verfahren nach der Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung entfernt werden.
  • Die zweite Kontaktelektrode 140 kann auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 angeordnet sein, um ohmschen Kontakt damit zu bilden. Darüber hinaus kann die zweite Kontaktelektrode 140 zumindest einen Abschnitt einer oberen Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 abdecken und kann eine gesamte obere Fläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 abdecken. Ferner kann die zweite Kontaktelektrode 140 als eine monolithische Schicht gebildet sein, um die obere Fläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 mit Ausnahme eines Bereichs, in welchem die Löcher 120a der lichtemittierenden Struktur 120 ausgebildet sind, zu bedecken. Mit dieser Struktur ermöglicht die lichtemittierende Vorrichtung eine gleichmäßige Zufuhr von elektrischem Strom zu dem gesamten Bereich der lichtemittierenden Struktur 120, wodurch die Stromausbreitungseffizienz verbessert wird. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
  • Die zweite Kontaktelektrode 140 kann ein Material umfassen, das fähig ist ohmschen Kontakt mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125, beispielsweise ein metallisches Material und/oder ein leitfähiges Oxid.
  • Wenn die zweite Kontaktelektrode 140 das metallische Material umfasst, kann die zweite Kontaktelektrode 140 eine Reflexionsschicht und eine Deckschicht umfassen, wobei die Deckschicht die Reflexionsschicht bedeckt. Wie oben beschrieben, kann die zweite Kontaktelektrode 140 Licht reflektieren, während diese ohmschen Kontakt mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 bildet. Dementsprechend kann die Reflexionsschicht ein Metall mit hohem Reflexionsvermögen umfassen, die in der Lage ist ohmschen Kontakt mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 zu bilden. Beispielsweise kann die Reflexionsschicht mindestens ein Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag und Au enthalten. Darüber hinaus kann die Reflexionsschicht aus einer einzigen Schicht oder aus mehreren Schichten zusammengesetzt sein.
  • Die Deckschicht kann die Interdiffusion zwischen der Reflexionsschicht und anderen Materialien verhindern und kann äußere Materialien vom Eindiffundieren in die Reflexionsschicht und vor Beschädigung hindern. Entsprechend kann die Deckschicht ausgebildet sein, um eine untere Fläche und eine Seitenfläche der Reflexionsschicht zu bedecken. Die Deckschicht kann elektrisch mit der Reflexionsschicht zu der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 verbunden sein, um als eine Elektrode zusammen mit der Reflexionsschicht zu agieren. Die Deckschicht kann zum Beispiel Au, Ni, Ti, Cr, Pt oder W, und kann eine einzige Schicht oder mehrere Schichten umfassen.
  • Wenn die zweite Kontaktelektrode 140 das leitfähige Oxid umfasst, kann das leitfähige Oxid ITO, ZnO, AZO, IZO, GZO und dergleichen, umfassen. Wenn die zweite Kontaktelektrode 140 das leitfähige Oxid umfasst, kann die zweite Kontaktelektrode 140 eine größere Fläche einer oberen Fläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 bedecken als wenn die zweite Kontaktelektrode 140 ein Metall umfasst. Das heißt, wenn die zweite Kontaktelektrode 140 aus dem leitfähigen Oxid gebildet ist, kann ein Abstand von einer oberen Kante des Lochs 120a zu der zweiten Kontaktelektrode 140 kürzer sein, als wenn die zweite Kontaktelektrode 140 aus dem metallischen Material gebildet ist. In diesem Ausführungsbeispiel ist der kürzeste Abstand von einem Kontaktabschnitt zwischen der zweiten Kontaktelektrode 140 und der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 mit einem Kontaktabschnitt zwischen der ersten Kontaktelektrode 130 und der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 kann weiter verringert werden, wobei Durchlassspannung (Vf) der lichtemittierenden Vorrichtung 100a verringert werden kann.
  • Zusätzlich wird, wenn die zweite Kontaktelektrode 140 ITO umfasst, umfasst die erste Isolationsschicht 150 SiO2 und die erste Kontaktelektrode 130 umfasst Ag, ein kugelförmiger Reflektor mit einer Stapelstruktur aus ITO/SiO2/Ag kann gebildet werden.
  • Die Isolationsschichten 150, 160 können eine erste Isolationsschicht 150 und eine zweite Isolationsschicht 160 umfassen. Zusätzlich können die Isolationsschichten 150, 160 teilweise die ersten und zweiten Kontaktelektroden 130, 140 bedecken. Im Folgenden wird zuerst die erste Isolationsschicht 150 beschrieben und die zweite Isolationsschicht 160 wird danach beschrieben.
  • Die erste Isolationsschicht 150 kann teilweise eine obere Fläche der lichtemittierenden Struktur 120 und die zweite Kontaktelektrode 140 bedecken. Zusätzlich kann die erste Isolationsschicht 150 eine Seitenfläche des Lochs 120a bedecken, während teilweise der durch das Loch 120a freigelegte Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 freigelegt wird. Die erste Isolationsschicht 150 kann eine Öffnung, die entsprechend dem Loch 120a, angeordnet ist, umfassen und eine Öffnung, die einen Teil der zweiten Kontaktelektrode 140 freilegt. Die erste leitfähige Halbleiterschicht 121 und die zweite Kontaktelektrode 140 können teilweise durch diese Öffnungen freigelegt werden.
  • Die erste Isolationsschicht 150 kann ein isolierendes Material umfassen, beispielsweise SiO2, SiNx, MgF2 und dergleichen. Des Weiteren kann die erste Isolationsschicht 150 mehrere Schichten umfassen und kann einen distributed Bragg-Reflektor umfassen, wobei Materialien, die unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen abwechselnd übereinander gestapelt sind. Der distributed Bragg-Reflektor kann eine Struktur umfassen, wobei dielektrische Schichten mindestens umfassend ein SiO2, Tio2, ZrO2, HfO2, Nb2O5 und MgF2 übereinander gestapelt sind.
  • Wenn die zweite Kontaktelektrode 140 das leitfähige Oxid umfasst, umfasst die erste Isolationsschicht 150 den distributed Bragg-Reflektor, wodurch die Lichtausbeute der lichtemittierenden Vorrichtung 100a verbessert wird. Alternativ kann die zweite Kontaktelektrode 140 das leitfähige Oxid umfassen und die erste Isolationsschicht 150 kann aus einem transparenten, isolierenden Oxid gebildet werden (zum Beispiel SiO2), eine kreisförmiger Reflektor mit einer Stapelstruktur der zweiten Kontaktelektrode 140, die erste Isolationsschicht 150 und die erste Kontaktelektrode 130 kann ausgebildet sein.
  • Obwohl nicht in den Zeichnungen dargestellt, in weiteren beispielhaften Ausführungsformen, kann die erste Isolationsschicht 150 ferner zumindest einen Teil einer Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 120 bedecken. Ein Grad der Abdeckung der Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 120 mit der ersten Isolationsschicht 150 kann je nach der Isolierung in Einheitschips in dem Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung variieren. Das heißt, wie in diesen Ausführungsbeispielen, die erste Isolationsschicht 150 kann nur die obere Fläche der lichtemittierenden Struktur 120 bedecken, und andernfalls, wenn die erste Isolationsschicht 150 nach der Isolierung des Wafers in Einheitschips in dem Verfahren zum Herstellen der lichtemittierende Vorrichtung 100a gebildet ist, kann nicht nur die Oberseite, sondern auch die Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 120 können durch die erste Isolationsschicht 150 abgedeckt sein.
  • Die erste Kontaktelektrode 130 kann die lichtemittierende Struktur 120 teilweise bedecken und kann ohmschen Kontakt mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 durch die Öffnung 120a und der Öffnung der ersten Isolationsschicht 150 angeordnet entsprechend zu dem Loch 120a bilden. Die erste Kontaktelektrode 130 kann ausgebildet sein, um eine gesamte obere Fläche der ersten Isolationsschicht 150 mit Ausnahme einiger Bereich davon abzudecken. Ferner kann die erste Kontaktelektrode 130 von der zweiten Kontaktelektrode 140 durch die erste Isolierschicht 150 elektrisch isoliert sein.
  • Mit der Struktur, wonach die erste Kontaktelektrode 130 gebildet wird, um die gesamte obere Fläche der lichtemittierenden Struktur 120 mit Ausnahme einiger Bereiche davon abzudecken, kann die lichtemittierende Vorrichtung eine weitere Verbesserung der Stromausbreitungseffizienz erzielen. Ferner, wenn ein Bereich der lichtemittierenden Struktur 120 nicht von der zweiten Kontaktelektrode 140 bedeckt ist, kann diese durch die erste Kontaktelektrode 130 bedeckt sein, die lichtemittierende Vorrichtung 100a ermöglicht eine effektive Reflexion von Licht, wodurch eine Verbesserung der Lichtausbeute erzielbar ist.
  • Die erste Kontaktelektrode 130 kann Licht reflektieren, während ohmschen Kontakt mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 ausbildbar ist. Entsprechend kann die erste Kontaktelektrode 130 aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten zusammengesetzt sein und kann eine hochreflektierende Metallschicht, beispielsweise einer Al-Schicht, umfassen. Die hochreflektierende Metallschicht kann auf einer Haftschicht aus Ti, Cr oder Ni gebildet sein, ohne darauf beschränkt zu sein. Alternativ kann die erste Kontaktelektrode 130 mindestens eine Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag und Au umfassen.
  • Obwohl nicht in den Zeichnungen gezeigt, in anderen beispielhaften Ausführungsbeispielen, kann die erste Kontaktelektrode 130 auch gebildet sein, um die Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 120 zu bedecken. Wenn die erste Kontaktelektrode 130 ebenfalls auf der Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 120 gebildet wird, reflektiert die erste Kontaktelektrode 130 Licht, das zu den Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 120 von der aktiven Schicht 123 emittiert wird, in einer nach oben gerichteten Richtung zunimmt, wodurch das Verhältnis von Licht emittiert durch eine obere Fläche der lichtemittierenden Vorrichtung 100a zunimmt.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 100a kann ferner die Verbindungselektrode 145 umfassen.
  • Die Verbindungselektrode 145 kann auf der zweiten Kontaktelektrode 140 angeordnet sein und kann elektrisch mit der zweiten Kontaktelektrode 140 durch die Öffnung der ersten Isolationsschicht 150 verbunden werden. Darüber hinaus, kann die Verbindungselektrode 145 elektrisch die zweite Kontaktelektrode 140 zu einer zweiten Bulkelektrode 173 verbinden. Zusätzlich, kann die Verbindungselektrode 145 gebildet sein, um einen Teil der ersten Isolationsschicht 150 zu bedecken und kann von der ersten Kontaktelektrode 130 separiert und isoliert sein.
  • Eine obere Fläche der Verbindungselektrode 145 kann mit einer oberen Fläche der ersten Kontaktelektrode 130 bündig sein. Ferner können die Verbindungselektrode 145 und die erste Kontaktelektrode 130 durch den gleichen Prozess gebildet werden. Dementsprechend können die Verbindungselektrode 145 und die erste Kontaktelektrode 130 das gleiche Material umfassen, sind jedoch nicht darauf beschränkt. Alternativ können die Verbindungselektrode 145 und die erste Kontaktelektrode 130 verschiedene Materialien umfassen.
  • Die zweite Isolationsschicht 160 kann die erste Kontaktelektrode 130 teilweise bedecken und kann eine erste Öffnung 160a umfassen, die teilweise die erste Kontaktelektrode 130 freilegt und eine zweite Öffnung 160b umfassen, die teilweise die zweite Kontaktelektrode 140 freilegt. Jede der ersten und zweiten Öffnungen 160a, 160b können einzeln oder in Vielzahl ausgebildet werden.
  • Die zweite Isolationsschicht 160 kann ein isolierendes Material umfassen, beispielsweise SiO2, SiNx, MgF2 und dergleichen. Ferner kann die zweite Isolationsschicht 160 aus mehreren Schichten zusammengesetzt sein und kann einen distributed Bragg-Reflektor umfassen, wobei Materialien, die unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen abwechselnd übereinander gestapelt sind.
  • Die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 können auf der lichtemittierenden Struktur 120 angeordnet sein und können elektrisch mit der ersten Kontaktelektrode 130 beziehungsweise der zweiten Kontaktelektrode 140 verbunden sein. Insbesondere können die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 elektrisch mit den ersten und zweiten Kontaktelektroden 130, 140 durch direkten Kontakt mit diesen jeweils verbunden sein. Vorliegend, können die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 elektrisch zu den ersten und zweiten Kontaktelektroden 130, 140 durch die ersten beziehungsweise zweiten Öffnungen 160a, 160b verbunden sein.
  • Jedes der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 kann eine Dicke von mehreren Dutzend Mikrometern, beispielsweise etwa 50 bis etwa 100 Mikrometer, insbesondere etwa 70 bis etwa 80 Mikrometer, aufweisen. Innerhalb dieses Dickenbereichs können der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 kann die lichtemittierende Vorrichtung per se kann als Package auf Chipmaßstab verwendet werden.
  • Die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 können aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten zusammengesetzt sein und können ein elektrisch leitfähiges Material umfassen. Zum Beispiel kann jedes der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 Cu, Pt, Au, Ti, Ni, Al, Ag und dergleichen umfassen. Alternativ kann jedes der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 gesinterte Metallpartikel umfassen und ein nicht-metallisches Material, das zwischen den Metallpartikeln angeordnet ist.
  • Ein Trennungsabstand Y zwischen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 kann ein vorbestimmter Wert oder weniger sein, welcher ein Minimalwert zwischen den Elektrodenpads freigelegt an einer Montageebene der lichtemittierenden Vorrichtung 100a sein kann, der für die Montage der lichtemittierenden Vorrichtung 100a auf ein separates Substrat erforderlich ist. Im Speziellen wird beispielsweise, wenn eine bestimmte lichtemittierende Vorrichtung auf einem zweiten Substrat durch Löten befestigt ist, ist es erforderlich, dass der Abstand zwischen den auf der Montageebene freigelegten Elektrodenpads der lichtemittierenden Vorrichtung in der Regel etwa 250 Mikrometer oder mehr sein kann, um Kurzschlüsse zu vermeiden. Alternativ kann, wenn die lichtemittierende Vorrichtung auf dem sekundären Substrat durch eutektisches Bonden montiert ist, ist es erforderlich, dass der Abstand zwischen den auf der Montageebene freigelegten Elektrodenpads der lichtemittierenden Vorrichtung in der Regel etwa 80 Mikrometer oder mehr sein kann um Kurzschlüsse zu verhindern. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist der Separierungsabstand Y zwischen der ersten Bulklektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 kann so einen vorbestimmten Wert oder weniger, beispielsweise etwa 250 Mikrometer oder weniger, speziell etwa 100 Mikrometer oder weniger, insbesondere etwa 80 Mikrometer oder weniger. Mit der Struktur, wobei die Separierungsabstand Y zwischen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 hat einen vorbestimmten Wert oder weniger ist, die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann ausgebildet sein, um eine relativ große horizontale Querschnittsfläche und das Volumen, wodurch eine effektive Wärmeableitung während des Betriebs der lichtemittierenden Vorrichtung 100a zu ermöglichen. Dieses Merkmal wird im Folgenden näher beschrieben.
  • Die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann verschiedene Volumina sind und die horizontale Querschnittsfläche der ersten Bulkelektrode 171 kann größer sein als die zweite Bulkelektrode 173. In diesem Ausführungsbeispiel kann die erste leitfähige Halbleiterschicht 121 eine n-leitende Halbleiterschicht und die zweite leitfähige Halbleiterschicht 125 kann eine p-leitende Halbleiterschicht sein. Im Allgemeinen von der Licht erzeugte Wärme emittierende Vorrichtung 100a beim Betrieb weiter konzentriert auf der ersten Bulkelektrode 171 wirkt als eine n-Typ Elektrode als die zweite Bulkelektrode 173 wirkt als eine p-Typ-Elektrode. Somit kann mit der Struktur, wobei die horizontale Querschnittsfläche der ersten Bulkelektrode 171 ist größer als die zweite Bulkelektrode 173 kann die lichtemittierende Vorrichtung 100a Verbesserung der Wärmeverteilungswirkungsgrad zu erzielen. Diese Funktion wird detaillierter in anderen Ausführungsbeispielen nachfolgend beschrieben.
  • Die Isolationsträgerschicht 180 ist auf der lichtemittierenden Struktur 120 angeordnet, und umfasst Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 und Teile der oberen Flächen davon. Ferner kann die Isolationsträgerschicht 180 eine dritte Öffnung 180a und eine vierte Öffnung 180b umfassen, welche die oberen Flächen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 jeweils teilweise freilegen.
  • Die Isolationsträgerschicht 180 kann eine untere Isolationsträgerschicht 181 und eine obere Isolationsträgerschicht 183 umfassen, bei dem die untere Isolationsträgerschicht 181 die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 und die obere Isolationsträgerschicht 183 kann umgeben die oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 teilweise abdeckt. Ferner kann die obere Isolationsträgerschicht 183 bedecken Schnittstellen zwischen der unteren Isolationsträgerschicht 181 und der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173.
  • Die Isolationsträgerschicht 180 weist elektrisch isolierende Eigenschaften auf und deckt die Seitenflächen der ersten und der zweiten Bulkelektroden 171, 173, um wirksam die erste und zweite Bulkelektroden 171, 173 voneinander zu isolieren. Zur gleichen Zeit kann die Isolationsträgerschicht 180 auch dazu dienen, die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 zu unterstützen.
  • Bei der Struktur, bei der die oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 durch die obere Isolationsträgerschicht 183 teilweise bedeckt sind, Bereiche der freigelegten Bereiche 171a, 173a der oberen Flächen der ersten und der zweiten Bulkelektrode 171, 173 sein kleiner ist als die horizontalen Querschnittsflächen der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektroden 171, 173. Insbesondere auf den oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 in der Nähe von Seitenflächen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 einander zugewandt angeordnet sein, die obere Isolationsträgerschicht 183 kann. Somit ist ein Trennungsabstand X zwischen einem freigelegten Bereich 171a der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode 171 und einem freigelegten Bereich 171b der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode 173 ist größer als der Abstand Y zwischen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173.
  • Insbesondere wird ein leitfähiges Material (beispielsweise ein Lötmittel, ein leitfähiges Haftmittel oder ein eutektisches Material) zwischen den freigelegten Bereichen 171a, 173a der oberen Flächen und einem separaten Substrat zu bonden der lichtemittierenden Vorrichtung 100a zu dem separaten Substrat angeordnet ist, wodurch die lichtemittierende Vorrichtung 100a auf dem separaten Substrat befestigt werden. Um Kurzschluss zwischen den Bulkelektroden 171, 173 aufgrund des leitfähigen Materials zum Kleben, der Trennungssbstand X zwischen den freigelegten Bereichen 171a, 173a der oberen Fläche zu verhindern, ist erforderlich, um einen vorbestimmten Wert oder mehr zu sein. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel, da die Isolationsträgerschicht 180 gebildet, um die oberen Flächen der Bulkelektroden teilweise zu bedecken 171, 173, der Trennungsabstand X zwischen dem freigelegten Bereich 171a der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode 171 und die freigelegte Bereich 171b der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode 173 wird größer als der Trennungsabstand Y zwischen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173. Somit kann der Trennungsabstand X einen vorbestimmten Wert geworden oder mehr, um Kurzschluss zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 und den Trennungsabstand Y zwischen dem ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 verhindern kann, einen vorbestimmten Wert geworden oder weniger Kurzschluss zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 zu verhindern. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung 100a verbesserte Wärmeverteilungseffizienz aufweisen und gleichzeitig effektiv einen Kurzschluss während eines Montageverfahrens der lichtemittierende Vorrichtung 100a verhindern.
  • Der Trennungsabstand X zwischen dem freigelegten Bereich 171a der oberen Oberfläche der ersten Bulkelektrode 171 und dem freigelegten Bereich 171b der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode 173 kann etwa 250 Mikrometer oder mehr sein, wenn die lichtemittierende Vorrichtung 100a angebracht ist, auf einem getrennten Substrat durch Löten, und kann etwa 80 Mikrometer oder mehr sein, wenn die lichtemittierende Vorrichtung 100a auf einem getrennten Substrat durch eutektisches Bonden angebracht ist. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt.
  • Darüber hinaus gibt es keine Beschränkung hinsichtlich der Konfiguration der oberen Isolationsträgerschicht 183 in anderen Bereichen mit Ausnahme, dass die obere Isolationsträgerschicht 183 auf den oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden in der Nähe der Seitenflächen des ersten Bulkelektrode 171 angeordnet ist und die zweite Bulkelektrode 173 einander, so dass der Trennungsabstand X zwischen dem freigelegten Bereich 171a der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode 171 und dem freigelegten Bereich 171b der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode 173 wird zu einem vorbestimmten Wert oder mehr zugewandt. Zum Beispiel, wie in 1 und 2 ist ein Teil der Isolationsträgerschicht 180 zwischen dem ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 kann einen T-förmigen Querschnitt aufweisen, und ein Bereich der Isolationsträgerschicht 180, welche Außenumfangsseitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektrode 171, 173 bedeckt, kann einen L-förmigen Querschnitt aufweisen.
  • Die Isolationsträgerschicht 180 kann aus einem anderen Material als die Bulkelektroden 171, 173 gebildet sein. Insbesondere die Isolationsträgerschicht 180 kann ein isolierendes Polymer und/oder ein isolierendes Keramikmaterial umfassen, und die Bulkelektroden 171, 173 können ein metallisches Material umfassen. Dementsprechend kann an den Grenzflächen zwischen der Isolationsträgerschicht 180 und den Bulkelektroden 171, 173 und Versagen verursacht durch Stress und Belastung durch Verbinden von unterschiedlichen Materialien auch darauf treten Delamination oder Rissbildung auftreten können. Wenn die Isolationsträgerschicht 180 und/oder die Bulkelektroden 171, 173 beschädigt werden, kann die lichtemittierende Struktur 120 verunreinigt werden, und die lichtemittierende Struktur 120 von Rissbildung erleiden können, wodurch sich die Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung 100a. Gemäß beispielhaften Ausführungsformender Isolationsträgerschicht 180 gebildet wird, um die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 und Abschnitte der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173, wodurch die Verbesserung der mechanischen Stabilität zwischen dem abzudecken Isolierung Trägerschicht 180 und die Bulkelektroden 171, 173. Als Ergebnis kann Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung 100a verbessert sein.
  • Ferner ist die mechanische Stabilität der lichtemittierende Vorrichtung 100a verbessert, wodurch es möglich ist, eine Beschädigung der lichtemittierenden Struktur 120 während eines Trennungsverfahrens des Wachstumssubstrats (nicht gezeigt) von der lichtemittierenden Struktur 120 zu verhindern.
  • Ferner kann die untere Isolationsträgerschicht 181 und die obere Isolationsträgerschicht 183 aus demselben Material oder aus unterschiedlichen Materialien gebildet sein.
  • Wenn die untere Isolationsträgerschicht 181 und die obere Isolationsträgerschicht 183 aus dem gleichen Material gebildet sind, die Isolationsträgerschicht 180 kann ein Material umfassen, beispielsweise ein Epoxidharz-Formmasse (EMC) oder ein Si-Harz. Ferner kann die Isolationsträgerschicht 180 lichtreflektierenden und lichtstreuenden Teilchen umfassen, wie beispielsweise TiO2 Partikel.
  • Wenn die untere Isolationsträgerschicht 181 und die obere Isolationsträgerschicht 183 aus verschiedenen Materialien gebildet sind, kann die obere Isolationsträgerschicht 183 aus einem Material mit geringerer Sprödigkeit und/oder niedriger Feuchtigkeitsabsorptionsvermögen gebildet sein als die untere Isolationsträgerschicht 181. Beispielsweise kann die untere Isolationsträgerschicht 181 ein Material umfassen, beispielsweise eine Epoxy-Formmasse (EMC) oder ein Si-Harz, und die obere Isolationsträgerschicht 183 kann ein Material, wie beispielsweise ein Photoresist (PR) und/oder ein Foto-Lot Resist (PSR) umfassen.
  • Da die obere Isolationsträgerschicht 183 aus einem Material mit relativ geringer Sprödigkeit aufweist, ist die obere Isolationsträgerschicht 183 weniger wahrscheinlich vor Bruch zu erleiden oder rissiger als die untere Isolationsträgerschicht 181, wodurch das Eindringen von äußeren Verunreinigungen durch die Grenzflächen zwischen der unteren Isolationsträgerschicht 181 und Bulkelektroden 171, 173 verhindert werden kann. Ferner ist, die Isolationsträgerschicht 183 aus einem Material mit relativ niedrigen Feuchtigkeitsabsorptionsvermögen aufweisen, gebildet wird, ist es möglich, das Eindringen von äußeren Verunreinigungen durch die Grenzflächen zwischen der unteren Isolationsträgerschicht 181 und den Bulkelektroden 171, 173 zu verhindern. Wenn beispielsweise die untere Isolationsträgerschicht 181 aus einem Material wie beispielsweise EMC gebildet wird, die eine hohe Feuchtigkeitsabsorptionsvermögen aufweist, kann die lichtemittierende Vorrichtung 100a emittiert mehr wirksam vor Feuchtigkeit geschützt durch die obere Isolationsträgerschicht 183 aus einem Material gebildet, wie beispielsweise PSR. Insbesondere ist die Struktur, bei der die obere Isolationsträgerschicht 183 ausgebildet, um die Grenzflächen zwischen der unteren Isolationsträgerschicht 181 und der Bulkelektroden 171, 173 zu bedecken, kann eine wirkungsvollere Funktion des Schutzes der lichtemittierenden Vorrichtung 100a zu sichern.
  • Der freigelegte Bereich 171a der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode 171 kann eine kleinere Fläche als ein Kontaktbereich zwischen dem ersten Bulkelektrode 171 und der ersten Kontaktelektrode 130 und dem freigelegten Bereich 173a der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode 173 zwischen der zweiten Bulkelektrode 173 und der zweiten Kontaktelektrode 140 eine größere Fläche als einem Kontaktbereich aufweisen. In dieser Struktur kann die erste Bulkelektrode 171 eine größere horizontale Querschnittsfläche als der zweite Bulkelektrode 173 aufweisen.
  • Das heißt, mit dem Aufbau, bei dem die horizontale Querschnittsfläche der ersten Bulkelektrode 171 größer ist als die der zweiten Bulkelektrode 173, der lichtemittierenden Vorrichtung 100a kann eine Verbesserung in der Wärmeableitungeffizienz erzielen. Zur gleichen Zeit wird ein Verhältnis der Fläche des freigelegten Bereichs 171a der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode 171 auf der Fläche des freigelegten Bereichs 173a der oberen Oberfläche der zweiten Bulkelektrode 173 eingestellt ist als ein niedriger zu sein Verhältnis der horizontalen Querschnittsfläche des ersten Bulkelektrode 171 zur horizontalen Querschnittsfläche der zweiten Bulkelektrode 173, so dass die freigelegten Bereiche 171a, 173a der oberen zur Montageebene für die lichtemittierende Vorrichtung 100a exponierten Oberflächen haben im wesentlichen ähnliche Bereiche können. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung 100a weitere Verbesserung der Wärmeverteilungswirkungsgrad erreichen, ohne Änderung des Prozesses der Montage der lichtemittierenden Vorrichtung 100a auf dem separaten Substrat.
  • In einigen Ausführungsbeispielen umfassen die Isolationsträgerschicht 180 kann auch die Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 120, wodurch Änderung eines Emissionswinkels des Lichts von der lichtemittierenden Struktur 120. Beispielsweise in der Struktur, bei der die Isolationsträgerschicht 180 ferner Abdeckungen zumindest ein Teil der Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 120, die zum Teil Licht durch die Seitenfläche des emittierten lichtemittierenden Struktur 120 kann in Richtung einer unteren Fläche reflektiert werden der lichtemittierenden Struktur 120. Auf diese Weise kann der Lichtemissionswinkel der lichtemittierende Vorrichtung 100a durch Einstellen eines Bereichs eingestellt werden, mit der Isolationsträgerschicht 180 gebildet werden.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 100a kann ferner einen Wellenlängenumwandlungsabschnitt (nicht gezeigt) umfassen, durch die von der lichtemittierenden Struktur 120 emittierte dem Licht zu Wellenlängenumwandlung unterzogen wird, so dass die lichtemittierende Vorrichtung 100a verschiedenen Farben realisieren kann. Beispielsweise mit einer Struktur, wobei der Wellenlängenumwandlungsabschnitt Leuchtstoffe emittieren rotes und grünes Licht und die lichtemittierende Struktur 120 enthält blaues Licht emittiert, kann die lichtemittierende Vorrichtung 100a weißes Licht emittieren. Dementsprechend ist es möglich, einen weißes Licht emittierende Vorrichtung auf Wafer-Ebene mit einer geringen Größe und hohe Leistung bereitzustellen.
  • Die Wellenlängenumwandlungsabschnitt kann beispielsweise an der unteren Fläche der lichtemittierenden Struktur 120 gebildet werden und kann auch gebildet werden um die Seitenflächen der lichtemittierenden Struktur 120 zu bedecken, ohne darauf beschränkt zu sein.
  • 3 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • Eine lichtemittierende Vorrichtung 100b gemäß dem Ausführungsbeispiel in 3, ist im allgemeinen ähnlich zu der lichtemittierenden Vorrichtung 100a der 1 und 2 und umfasst ferner eine erstes Elektrodenpad 191 und ein zweites Elektrodenpad 193. Im Folgenden werden verschiedene Merkmale der lichtemittierende Vorrichtung 100b gemäß diesem Ausführungsbeispiel hauptsächlich beschrieben, und auf eine detaillierte Beschreibung der gleichen Komponenten entfällt.
  • Bezugnehmend auf 3, umfasst die lichtemittierende Vorrichtung 100b eine lichtemittierende Struktur 120, eine erste Kontaktelektrode 130, eine zweite Kontaktelektrode 140, Isolationsschichten 150, 160, erste und zweite Bulkelektroden 171, 173, eine Isolationsträgerschicht 180, eine erstes Elektrodenpad 191, und ein zweites Elektrodenpad 193. Die lichtemittierende Vorrichtung 100b kann ferner ein Wachstumssubstrat (nicht gezeigt), einen Wellenlängenumwandlungsabschnitt (nicht gezeigt) und eine Verbindungselektrode 145 umfassen.
  • Das erste Elektrodenpad 191 und das zweite Elektrodenpad 193 können auf der ersten Bulkelektrode 171 beziehungsweise der zweiten Bulkelektrode 173 angeordnet sein, und können zumindest teilweise die dritte Öffnung 180a beziehungsweise die vierte Öffnung 180b der Isolationsträgerschicht 180 füllen. Mit dieser Struktur wird das erste Elektrodenpad 191 und das zweite Elektrodenpad 193 kann decken die freigelegten Bereich 171a der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode 171 und der freigelegte Bereich 173a der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode 173 verbunden. Dementsprechend wird ein Trennungsabstand X zwischen den ersten und der zweiten Elektrodenpads 191, 193 entsprechend auf den Trennungsabstand Y zwischen dem freigelegten Bereich 171a der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode 171 und dem freigelegten Bereich 171b der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode 173.
  • Ferner kann, wie in den Zeichnungen gezeigt, obere Flächen des ersten Elektrodenpads 191 und des zweiten Elektrodenpads 193 mit einer oberen Fläche der Isolationsträgerschicht 180 bündig sein. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung 100b eine im Wesentlichen flache obere Fläche aufweisen.
  • Die ersten und zweiten Elektrodenpads 191, 193 können zum Füllen der Öffnungen der Isolationsträgerschicht 180 durch Plattieren und dergleichen ausgebildet sein. Dann werden die ersten und zweiten Elektrodenpads 191, 193 und die Isolationsträgerschicht 180 werden teilweise durch physikalische entfernt und/oder chemische Methoden, beispielsweise Läppen oder chemisch-mechanisches Polieren (CMP), so dass die oberen Flächen des ersten Elektrodenpads 191 und der zweiten Elektrodenpads 193 im allgemeinen bündig mit der oberen Oberfläche der Isolationsträgerschicht 180 abschließen kann.
  • Das erste Elektrodenpad 191 und das zweite Elektrodenpad 193 kann ein leitfähiges Material umfassen, insbesondere ein metallisches Material, beispielsweise Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Au, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb und dergleichen. Die ersten und zweiten Elektrodenpads 191, 193 können aus im Wesentlichen dem gleichen Material wie die Bulkelektroden 171, 173, oder kann aus einem anderen Material als die Bulkelektroden 171, 173 gebildet werden. Die ersten und zweiten Elektrodenpads 191, 193 können beispielsweise durch stromloses Plattieren durch Abscheiden oder Plattieren gebildet werden.
  • In der Struktur, bei der die lichtemittierende Vorrichtung 100b ferner die ersten und zweiten Elektrodenpads 191, 193 umfasst, kann die obere Fläche der lichtemittierenden Vorrichtung 100b (das eine Oberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung 100b sein kann, welche auf einem separaten Substrat montiert ist) im Allgemeinen flach sein. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung 100b leicht auf dem separaten Substrat montiert werden.
  • Ferner wird in der Herstellung der lichtemittierende Vorrichtung 100b, wenn ein Schritt dort auf einer Oberfläche, auf der gegenüber der Oberfläche (nicht gezeigt) angeordnet ist, die lichtemittierende Struktur 120 wird sehr wahrscheinlich unter Rissbildung oder Beschädigung in der das Wachstumssubstrat ist emittierenden Struktur 120 Verfahren zur Herstellung des Wachstumssubstrats von der lichtemittierenden Struktur 120 leiden. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist die Oberfläche gegenüber der Oberfläche, auf der das Wachstumssubstrat (nicht gezeigt) angeordnet ist, kann durch die ersten und zweiten Elektrodenpads 191, 193 im Allgemeinen flach geworden, um dadurch die Licht Verhinderung von Schäden emittierenden Struktur 120 während des Prozesses des Trennens des Wachstumssubstrats. Dementsprechend kann die lichtemittierende Vorrichtung 100b eine hohe Ausbeute und hohe Zuverlässigkeit sicherstellen.
  • 4a und 4b sind Draufsichten von einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform und 5 ist eine Querschnittsansicht der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform.
  • Lichtemittierende Vorrichtung 100c gemäß diesem Ausführungsbeispiel enthält eine andere lichtemittierende Struktur 120 als die lichtemittierende Vorrichtung 100a in 1 und 2. Als Ergebnis unterscheiden sich strukturelle Zusammenhänge zwischen den anderen Komponenten der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß diesem Ausführungsbeispiel von denen der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der obigen beispielhaften Ausführungsform und die folgende Beschreibung wird hauptsächlich auf solche verschiedenen Funktionen gegeben. Auf eine detaillierte Beschreibung der gleichen Komponenten wird verzichtet.
  • 4a ist eine Draufsicht auf die lichtemittierende Vorrichtung gemäß dieser beispielhaften Ausführungsform, 4b eine Draufsicht, welche Positionen der Löcher 120h, eine erste Öffnung 160a und eine zweite Öffnung 160b der lichtemittierenden Vorrichtung, und 5 ist eine Querschnittansicht entlang der Linie B-B' der 4a und 4b.
  • Unter Bezugnahme auf 4a, 4b und 5, umfasst die lichtemittierende Vorrichtung 100c eine lichtemittierende Struktur 120, eine erste Kontaktelektrode 130, eine zweite Kontaktelektrode 140, Isolationsschichten 150, 160, erste und zweite Bulkelektroden 171, 173, und eine Isolationsträgerschicht 180. Die Lichtemittierende Vorrichtung 100c kann ferner ein Wachstumssubstrat (nicht gezeigt), einen Wellenlängenumwandlungsabschnitt (nicht gezeigt), ein erstes Elektrodenpad 191, und ein zweites Elektrodenpad 193 umfassen.
  • Die lichtemittierende Struktur 120 kann durch teilweises Entfernen der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 und die aktive Schicht 123 einen teilweise freigelegten Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 gebildet werden, umfassen. Zum Beispiel, wie in den Zeichnungen gezeigt ist, kann die lichtemittierende Struktur 120 eine Vielzahl von Löchern aufweisen, durch die zweite leitfähige Halbleiterschicht 125 gebildet 120h und der aktiven Schicht 123, die erste leitfähige Halbleiterschicht 121 durch diese hindurch freizulegen. Die Löcher 120h können allgemein in einem regelmäßigen Muster über der lichtemittierenden Struktur 120 angeordnet sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist, und die Anordnung und die Anzahl der Löcher 120h kann auf verschiedene Weise geändert werden.
  • Ferner, ist die Struktur, welche die erste leitfähigen Halbleiterschicht 121 freilegt nicht auf die Löcher 120h beschränkt. Beispielsweise kann der freigelegte Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 realisierbar sein in der Form von Linien und eine Kombination von Linien und Löchern.
  • Die zweite Kontaktelektrode 140 kann auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 zum Ausbilden eines ohmschen Kontakts angeordnet sein. Die zweite Kontaktelektrode 140 kann angeordnet sein, um eine gesamte obere Fläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 zu bedecken, oder kann gebildet sein, um im Wesentlichen die Gesamtheit der oberen Fläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 zu bedecken. Die zweite Kontaktelektrode 140 kann als eine monolithische Schicht über die Gesamtheit der lichtemittierenden Struktur 210 gebildet werden. In dieser Struktur umfassen die zweite Kontaktelektrode 140 Öffnungsbereiche an Positionen von der Vielzahl von Löchern 120h entspricht. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung zur gleichmäßigen Zufuhr von elektrischem Strom zu dem gesamten Bereich der lichtemittierenden Struktur 120, wodurch die Stromausbreitungseffizienz verbessert wird.
  • Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist. Alternativ kann die zweite Kontaktelektrode 140 durch eine Vielzahl von Einheitskontaktelektroden zusammengesetzt sein.
  • Die erste Isolationsschicht 150 kann teilweise eine obere Fläche der lichtemittierenden Struktur 120 und die zweite Kontaktelektrode 140 bedecken. Die erste Isolationsschicht 150 kann Seitenflächen der Vielzahl von Löchern 120h abdecken und kann eine Öffnung umfassen, welche Bereiche der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 angeordnet auf unteren Flächen der Löcher 120h freilegt. Dementsprechend kann die Öffnung entsprechend den Positionen der Vielzahl von Löchern 120h angeordnet sein. Die erste Isolationsschicht 150 kann eine Öffnung umfassen, einen Teil der zweiten Kontaktelektrode 140 freigelegt wird. Weiterhin kann ferner die erste Isolationsschicht 150 eine Seitenfläche von mindestens einem Bereich der lichtemittierenden Struktur 120 bedecken.
  • Die erste Kontaktelektrode 130 kann die lichtemittierende Struktur 120 teilweise bedecken und kann zu den Löchern 120a entsprechenden ohmschen Kontakt mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 durch die Löcher 120a und die Öffnung der ersten Isolationsschicht 150 angeordnet, bilden. Obwohl es nicht in anderen Ausführungsbeispielen in den Zeichnungen gezeigt, kann die erste Kontaktelektrode 130 die Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 120 bedecken, gebildet werden.
  • Die zweite Isolationsschicht 160 kann die erste Kontaktelektrode 130, die teilweise abdecken und kann eine erste Öffnung 160a umfassen, die teilweise die erste Kontaktelektrode 130 und eine zweite Öffnung 160b freilegt, die teilweise die zweite Kontaktelektrode 140 freilegt. Jede der ersten und zweiten Öffnungen 160a, 160b können einzeln oder in Vielzahl ausgebildet sein. Ferner nahe den gegenüberliegenden Seiten der lichtemittierenden Vorrichtung, wobei die Öffnungen 160a, 160b jeweils angeordnet sein können.
  • Die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann auf der lichtemittierenden Struktur 120 angeordnet sein und kann elektrisch mit der ersten Kontaktelektrode 130 und der zweiten Kontaktelektrode 140 jeweils verbunden sein.
  • Ein Abstand Y zwischen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 kann ein vorbestimmter Wert oder weniger sein, beispielsweise etwa 250 Mikrometer oder weniger, insbesondere etwa 80 Mikrometer oder weniger. Die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 können unterschiedliche Volumina aufweisen und die horizontale Querschnittsfläche der ersten Bulkelektrode 171 kann größer sein als von der zweiten Bulkelektrode 173.
  • Die Isolationsträgerschicht 180 ist auf der lichtemittierenden Struktur 120 angeordnet, und umfasst Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 und Teile der oberen Flächen davon. Die Isolationsträgerschicht 180 kann eine dritte Öffnung 180a und eine vierte Öffnung 180b umfassen, die die oberen Oberflächen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 jeweils teilweise freizulegen. Die Isolationsträgerschicht 180 kann eine untere Isolationsträgerschicht 181 umfassen und eine obere Isolationsträgerschicht 183, bei dem die untere Isolationsträgerschicht 181 die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 und die obere Isolationsträgerschicht 183 umgeben kann, können die oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 teilweise abdeckt. Ferner kann die obere Isolationsträgerschicht 183 bedecken Schnittstellen zwischen der unteren Isolationsträgerschicht 181 und der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173.
  • Bei der Struktur, bei der die oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 durch die obere Isolationsträgerschicht 183 teilweise bedeckt sind, die Flächen der freigelegten Bereiche 171a, 173a der oberen Flächen der ersten und der zweiten Bulkelektrode 171, 173 kann kleiner sein als die horizontalen Querschnittsflächen der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektroden 171, 173. Die obere Isolationsträgerschicht 183 auf den oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 angeordnet sein können in der Nähe der Seitenflächen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 einander zugewandt sind. Somit ist der Abstand X zwischen dem freigelegten Bereich 171a der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode 171 und dem freigelegten Bereich 171b der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode 173 größer als der Abstand Y zwischen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173.
  • Der Abstand X zwischen dem freigelegten Bereich 171a der oberen Oberfläche der ersten Bulkelektrode 171 und dem freigelegten Bereich 171b der oberen Oberfläche der zweiten Bulkelektrode 173 kann etwa 250 Mikrometer oder mehr sein, wenn die lichtemittierende Vorrichtung 100c montiert ist auf einem getrennten Substrat durch Löten, und kann etwa 80 Mikrometer oder mehr, wenn die lichtemittierende Vorrichtung 100c montiert ist auf einem separaten Substrat durch eutektisches Bonden sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt.
  • Die untere Isolationsträgerschicht 181 und die obere Isolationsträgerschicht 183 können aus demselben Material oder aus unterschiedlichen Materialien gebildet sein.
  • Insbesondere dann, wenn die untere Isolationsträgerschicht 181 und die obere Isolationsträgerschicht 183 aus verschiedenen Materialien gebildet sind, werden die obere Isolationsträgerschicht 183 kann aus einem Material mit geringer Brüchigkeit und/oder niedriger Feuchtigkeitsabsorptionsvermögen als die untere Isolationsträgerschicht 181 gebildet. Beispielsweise kann die untere Isolationsträgerschicht 181 ein Material umfassen, beispielsweise eine Epoxy-Formmasse (EMC) oder ein Si-Harz, und die obere Isolationsträgerschicht 183 kann ein Material, wie beispielsweise ein Photoresist (PR) und/oder ein Foto-Lot Resist (PSR), umfassen.
  • Der freigelegte Bereich 171a der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode 171 kann eine kleinere Fläche als ein Kontaktbereich zwischen dem ersten Bulkelektrode 171 und der ersten Kontaktelektrode 130 und dem freigelegten Bereich 173a der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode 173 zwischen der zweiten Bulkelektrode 173 und der zweiten Kontaktelektrode 140 eine größere Fläche als einem Kontaktbereich aufweisen. In dieser Struktur kann der erste Bulkelektrode 171 weisen eine größere horizontale Querschnittsfläche als der zweite Bulkelektrode 173.
  • Das erste Elektrodenpad 191 und das zweite Elektrodenpad 193 auf der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 verbunden und zumindest teilweise Füllen der dritten Öffnung 180a beziehungsweise die vierte Öffnung 180b der Isolationsträgerschicht 180 angeordnet sein. Mit dieser Struktur wird das erste Elektrodenpad 191 und das zweite Elektrodenpad 193 kann decken die freigelegten Bereich 171a der oberen Oberfläche der ersten Bulkelektrode 171 und die freigelegten Bereich 173a der oberen Oberfläche der zweiten Bulkelektrode 173 verbunden. Dementsprechend wird der Abstand X zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenpads 191, 193 mit dem Abstand Y zwischen dem freigelegten Bereich 171a der oberen Oberfläche der ersten Bulkelektrode 171 und dem freigelegten Bereich 171b der oberen Oberfläche des zweiten entsprechenden Bulkelektrode 173. Ferner kann, wie in den Zeichnungen gezeigt, obere Oberflächen des ersten Elektrodenpads 191 und des zweiten Elektrodenpads 193 mit einer oberen Oberfläche der Isolationsträgerschicht 180 bündig sein. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung 100c eine im Wesentlichen flache obere Oberfläche aufweisen.
  • 6a, 6b und 7 sind Draufsichten und eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • 6a ist eine Draufsicht einer lichtemittierenden Vorrichtung 100d ist 6b eine Draufsicht, welche Positionen der Löcher 120h, eine dritte Öffnung 160a und vierten Öffnungen Vorrichtung 160B des lichtemittierenden, und 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie CC' von 6a und 6b.
  • Mit Bezug auf 6a, 6b und 7, umfasst die lichtemittierende Vorrichtung 100d Struktur Emittieren von Licht 120, das eine erste leitfähige Halbleiterschicht 121, eine aktive Schicht 123 und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht 125, eine erste Kontaktelektrode 130, eine zweite Kontaktelektrode 140, ersten und zweiten Isolationsschichten 150, 160, eine erste Bulkelektrode 171, eine zweite Bulkelektrode 173 und eine Isolationsträgerschicht 180. Die Lichtemittierende Vorrichtung 100d kann ferner erste und zweite Elektrodenflächen (nicht gezeigt), ein Wachstumssubstrat (nicht gezeigt) und einen Wellenlängenumwandlungsabschnitt (nicht gezeigt).
  • Die Licht emittierende Struktur 120 umfasst eine erste leitfähige Halbleiterschicht 121, eine aktive Schicht auf der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht 125, die auf der aktiven Schicht 123 angeordnet 123.
  • Die Licht emittierende Struktur 120 kann durch teilweises Entfernen der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 und die aktive Schicht 123 einen teilweise freigelegten Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 gebildet werden, umfassen. Zum Beispiel, wie in den Zeichnungen gezeigt ist, das lichtemittierende Struktur 120 kann mindestens ein Loch 120a gebildet ist, durch die zweite leitfähige Halbleiterschicht 125 und der aktiven Schicht 123 freizulegen, die erste leitfähige Halbleiterschicht 121 durch diese hindurch aufzunehmen.
  • Die lichtemittierende Struktur 120 kann eine Vielzahl von Löchern 120h umfassen, die im Allgemeinen in einem regelmäßigen Muster angeordnet sein. Zum Beispiel, wie in 6a und 6b gezeigt, können die Löcher 120h in konstanten Intervallen in einem vorbestimmten Muster angeordnet werden. Mit der Struktur, wobei die Löcher 120h in einem regelmäßigen Muster über der Licht emittierenden Struktur angeordnet sind, ermöglicht es die lichtemittierende Vorrichtung 100d in der horizontalen Richtung davon uniform auf Betriebsstrom ausbreiten. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt, und die Anordnung und die Anzahl der Löcher 120h kann auf verschiedene Weise geändert werden.
  • Ferner ist die Struktur Belichten der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 auf die Löcher 120H beschränkt. Beispielsweise in Form von Linien und eine Kombination von Linien und Löcher der belichtete Bereich des ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 kann realisiert werden. Wenn der belichtete Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 in Form von mehreren Linien realisiert ist, das Licht emittierende Struktur 120 kann entlang der Linien ausgebildet werden, und kann mindestens einen Mesa einschließlich der aktiven Schicht 123 und der zweiten leitfähigen Halbleiter umfassen Schicht 125. Somit kann, obwohl die folgende Beschreibung dieses Ausführungsbeispiels wird mit Bezug auf die Lichtemittierende Struktur 120 einschließlich der Vielzahl von Löchern 120h gegeben werden, sollte verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt.
  • Die Lichtemittierende Struktur 120 kann ferner eine Rauhigkeit 120R davon umfassen auf einer unteren Oberfläche gebildet ist. Die Rauhigkeit 120R kann durch mindestens eines von Trockenätzen, Nassätzen und elektrochemischen Ätzen ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die Rauhigkeit 120R durch PEC-Ätzen oder durch Naätzen in einer Ätzlösung, enthaltend KOH und NaOH, gebildet werden.
  • Das Licht emittierende Struktur 120 kann weiterhin ein Wachstumssubstrat umfassen unter dem ersten Halbleiterleitungstyps angeordnet sind (nicht dargestellt) Schicht 121. Als Wachstumssubstrat kann jedes Substrat verwendet werden, solange wie das Substrat Wachstum des Licht 120 darauf emittierende Struktur ermöglicht. Zum Beispiel kann das Aufwachssubstrat ein Saphirsubstrat, ein Silizium-Karbid-Substrat, ein Silizium-Substrat, ein Galliumnitrid-Substrat oder ein Aluminiumnitrid-Substrat sein. Solche kann ein Wachstumssubstrat von dem lichtemittierenden Struktur 120 im Stand der Technik nach der Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung bekannt, durch ein übliches Verfahren entfernt werden.
  • Die zweite Kontaktelektrode 140 kann auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 angeordnet sein. Die zweite Kontaktelektrode 140 kann zumindest einen Abschnitt einer oberen Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 abzudecken und kann ohmschen Kontakt mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 auszubilden. Ferner kann die zweite Kontaktelektrode 140 die gesamte obere Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 zu bedecken angeordnet sein. Das heißt, die zweite Kontaktelektrode 140 kann in einem Bereich als eine monolithische Schicht gebildet werden, um die obere Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht abdeckt 125 ohne eine Region, in der die Löcher 120a der Licht emittierenden Struktur 120 gebildet werden. Mit dieser Struktur kann das lichtemittierende Vorrichtung zur gleichmäßigen Zufuhr von elektrischem Strom zu dem gesamten Bereich der lichtemittierenden Struktur 120, wodurch die Stromausbreitungseffizienz verbessert wird.
  • Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Alternativ voneinander auf der oberen Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125, anstatt dass sie sich aus der monolithischen Schicht getrennt aus einer Vielzahl von Einheitsreflexionselektrodenschichten zusammengesetzt sein, die zweite Kontaktelektrode 140. In diesem Ausführungsbeispiel kann die Einheit reflektierenden Elektrodenschichten elektrisch miteinander über Verbindungsabschnitte verbunden werden.
  • Die zweite Kontaktelektrode 140 kann ein Material, das fähig ohmschen Kontakt mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125, beispielsweise ein metallisches Material und/oder ein leitfähiges Oxid bilden.
  • Wenn die zweite Kontaktelektrode 140 das metallische Material enthält, kann die zweite Kontaktelektrode 140 eine Reflexionsschicht umfassen, und eine Deckschicht, die Reflexionsschicht bedeckt. Wie oben beschrieben, kann die zweite Kontaktelektrode 140 Licht reflektieren, während ohmschen Kontakt mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 bildet. Dementsprechend kann die Reflexionsschicht umfassen ein Metall mit hohem Reflexionsvermögen aufweist und in der Lage 125 ohmschen Kontakt mit der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht bildet. Beispielsweise kann die Reflexionsschicht mindestens eines von Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag und Au enthalten. Darüber hinaus kann die Reflexionsschicht aus einer einzigen Schicht oder aus mehreren Schichten zusammengesetzt sein.
  • Die Deckschicht kann die Interdiffusion zwischen der reflektierenden Schicht und anderen Materialien zu verhindern und äußere Materialien diffundieren in die und eine Beschädigung der Reflexionsschicht zu verhindern. Entsprechend kann die Deckschicht gebildet werden, eine untere Fläche und eine Seitenfläche der reflektierenden Schicht zu bedecken. Die Deckschicht kann elektrisch mit der reflektierenden Schicht auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125, um als eine Elektrode zusammen mit der reflektierenden Schicht miteinander verbunden. Die Deckschicht kann zum Beispiel Au, Ni, Ti, oder Cr, und kann aus einer einzigen Schicht oder aus mehreren Schichten bestehen.
  • Wenn die zweite Kontaktelektrode 140 des leitfähigen Oxids enthält, kann das leitfähige Oxid umfassen ITO, ZnO, AZO, IZO, GZO und dergleichen. Wenn die zweite Kontaktelektrode 140 des leitfähigen Oxids enthält, kann die zweite Kontaktelektrode 140 eine größere Fläche der oberen Oberfläche der zweiten Schicht leitfähigen Halbleiter Abdeckung 125 als wenn die zweite Kontaktelektrode 140 ein Metall umfasst.
  • Die ersten und zweiten Isolationsschichten 150 kann 160 teilweise bedecken die ersten und zweiten Kontaktelektroden 130, 140. Als nächstes wird die erste Isolationsschicht 150 und die erste Schicht die zweite Isolations beschrieben werden danach beschrieben 160 wird.
  • Die erste Isolationsschicht 150 kann teilweise eine obere Oberfläche der lichtemittierenden Abdeckungsstruktur 120 und die zweite Kontaktelektrode 140. Darüber hinaus erstreckt sich die erste Isolationsschicht 150 kann Seitenflächen der Vielzahl von Löchern 120h, während teilweise die Bereiche des ersten Leitfähigkeitstyps Halbleiterschicht 121 durch die Löcher 120a ausgesetzt auszusetzen. Weiterhin decken die erste Isolationsschicht 150 kann ferner zumindest einen Teil der Seitenfläche der Licht emittierenden Struktur 120.
  • Die erste Isolationsschicht 150 kann erste Öffnungen aufweisen, die der Vielzahl von Löchern 120h angeordnet, entspricht, und die zweite Öffnung einen Teil der zweiten Kontaktelektrode 140 freigelegt wird. Die erste leitfähige Halbleiterschicht 121 kann teilweise durch die erste Öffnung und die Löcher 120h, und die zweite Kontaktelektrode 140 kann durch die zweiten Öffnungen freigelegt werden, teilweise freigelegt werden.
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die ersten Öffnungen und die zweiten Öffnungen können in einem bestimmten Muster angeordnet sein. Zum Beispiel, wie in 6a und 6b gezeigt, können die zweiten Öffnungen in der Nähe einer Seite des Licht angeordnet sein Emissionsvorrichtung 100d und die ersten Öffnungen regelmäßig in einem Bereich angeordnet werden, in dem die zweiten Öffnungen nicht angeordnet sind.
  • Die erste Isolationsschicht 150 kann ein isolierendes Material umfassen, beispielsweise SiO2, SiNx, MgF2 und dergleichen. Des Weiteren kann die erste Isolationsschicht 150 mehrere Schichten umfassen und einen distributed Bragg-Reflektor enthalten kann, wobei Materialien, die unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen abwechselnd übereinander gestapelt sind. Insbesondere dann, wenn die zweite Kontaktelektrode 140 des leitfähigen Oxids umfasst, die erste Isolationsschicht 150, um den distributed Bragg-Reflektor enthält, verbessert, wodurch die Lichtausbeute der Vorrichtung 100d Licht emittiert.
  • Die erste Kontaktelektrode 130 kann die lichtemittierende Struktur 120 teilweise bedecken und kann ohmschen Kontakt mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 durch die Vielzahl von Löchern 120h und den ersten Öffnungen bilden. Mit dieser Struktur wird die erste Kontaktelektrode 130 einen ohmschen Kontaktbereich 131 an die sich die erste Kontaktelektrode 130 in direktem Kontakt mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 ohmschen Kontakt zu bilden. Wenn die Lichtstruktur 120h Emittieren der Vielzahl von Löchern 120h enthält, auf die Anzahl der Löcher 120h der ohmsche Kontaktbereich 131 auch durch eine Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen realisiert werden können, entsprechen.
  • Die erste Kontaktelektrode 130 kann eine gesamte obere Oberfläche der ersten Isolationsschicht 150 mit Ausnahme einiger Bereich davon abzudecken, gebildet werden. Ferner 120 die erste Kontaktelektrode 130 auch die Seitenfläche des Licht abzudecken Struktur gebildet werden kann emittieren. Wenn die erste Kontaktelektrode 130 ebenfalls auf der Seitenfläche der Licht gebildet wird emittierenden Struktur 120 reflektiert die erste Kontaktelektrode 130 Licht, das an der Seitenfläche der Licht emittiert wird emittierenden Struktur 120 von der aktiven Schicht 123 in einer nach oben gerichteten Richtung zunimmt, wodurch das Verhältnis von Licht einer oberen Oberfläche des emittierten Lichts durch 100d emittierenden Vorrichtung. Auf der anderen Seite, wobei die erste Kontaktelektrode 130 ist nicht in einem Bereich ausgebildet, an die zweiten Öffnungen der ersten Isolationsschicht 150 und wird abgetrennt und isoliert von der zweiten Kontaktelektrode 140 entspricht.
  • Mit der Struktur, wobei die erste Kontaktelektrode 130 gebildet wird, um die gesamte obere Oberfläche des Licht abzudecken emittierenden Struktur 120 etwas Bereich davon auszuschließen, kann die lichtemittierende Vorrichtung weiter verbessert Stromausbreitungseffizienz. Da ferner der zweite Kontakt nicht abgedeckt ein Abschnitt der Lichtemittierende Struktur 120 Elektrode 140 durch die erste Kontaktelektrode 130 abgedeckt wird, ermöglicht die Lichtemittierende Vorrichtung 100d effektiver Reflexion von Licht, wodurch eine Verbesserung der Lichtausbeute zu erzielen.
  • Die erste Kontaktelektrode 130 kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten, und kann eine hochreflektierende Metallschicht, beispielsweise einer Al-Schicht zusammengesetzt sein. Die hochreflektierende Metallschicht kann auf einer Haftschicht aus Ti, Cr oder Ni gebildet werden, ohne darauf beschränkt zu sein. Alternativ kann der erste Kontaktelektrode 130 kann mindestens eines von Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Mg, Ag und Au enthalten.
  • Da der erste Kontaktelektrode 130 bildet ohmschen Kontakt mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 durch die Löcher 120H, ein Bereich, von dem die aktive Schicht 123 entfernt wird, um eine Elektrode zu der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 verbunden zu bilden, ist die gleiche wie die Bereich zu der Vielzahl von Löchern 120h entspricht. Mit dieser Struktur kann die Lichtemissionseinrichtung den ohmschen Kontaktbereich zwischen dem ersten Halbleiter leitfähigen Schicht minimieren 121 und der Metallschicht, und hat ein großes Verhältnis einer Fläche eines Leuchtbereichs auf einer horizontalen Fläche der gesamten lichtemittierenden Struktur.
  • Die Lichtemittierende Vorrichtung 100d kann ferner eine Verbindungselektrode 145 umfassen.
  • Die Verbindungselektrode 145 kann auf der zweiten Kontaktelektrode 140 angeordnet sein und können elektrisch mit der zweiten Kontaktelektrode 140 durch eine Öffnung der ersten Isolationsschicht 150 verbunden werden. Des Weiteren kann die Verbindungselektrode 145 verbinden elektrisch die zweite Kontaktelektrode 140 zu dem zweiten Bulkelektrode 173. Ferner umfassen die Verbindungselektrode 145 kann teilweise die erste Isolationsschicht 150 und getrennt und von der ersten Kontaktelektrode 130 isoliert sein. Die zweite Isolierschicht 160 kann die erste Kontaktelektrode 130 teilweise bedecken. Ferner kann die zweite Isolationsschicht 160 eine dritte Öffnung 160a umfassen, die teilweise die erste Kontaktelektrode 130 und eine vierte Öffnung 160b freilegt, die teilweise die zweite Kontaktelektrode 140 freilegt. Die vierte Öffnung 160b kann mit der zweiten Öffnung an einer Stelle gebildet werden, entspricht.
  • Jeder der dritten und vierten Öffnungen 160a, 160b können einzeln oder in Mehrzahl ausgebildet werden. Ferner kann, wie in 6(b) gezeigt, kann die vierte Öffnung 160b in der Nähe einer Seite des Lichtvorrichtung 100d und der dritten Öffnung Emittieren angeordnet sein 160a kann eine gewisse Region, in der einige der Vielzahl von Löchern 120h mindestens zu belichten gebildet werden gebildet. Des weiteren kann die dritte Öffnung 160a ausgebildet werden alle Löcher 120h zu belichten. Mit dieser Struktur können die ohmschen Kontaktbereiche 131 durch die dritte Öffnung 160a ausgesetzt werden.
  • Die zweite Isolationsschicht 160 kann ein isolierendes Material umfassen, beispielsweise SiO2, SiNx, MgF2 und dergleichen. Darüber hinaus kann die zweite Isolationsschicht 160 mehrere Schichten umfassen und einen distrbuted Bragg-Reflektor enthalten kann, wobei Materialien, die unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen abwechselnd übereinander gestapelt sind.
  • Die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann auf der Licht emittierenden Struktur angeordnet sein und 120 kann elektrisch mit der ersten Kontaktelektrode 130 und der zweiten Kontaktelektrode 140 jeweils verbunden sein. Insbesondere kann die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 elektrisch mit den ersten und zweiten Kontaktelektroden 130, 140 durch direkten Kontakt mit diesen jeweils verbunden sein.
  • Zumindest einige Löcher 120h kann unter der ersten Bulkelektrode 171 und alternativ angeordnet sein, alle Löcher 120h kann unter der ersten Bulkelektrode 171 angeordnet sein. Somit ist der erste zwischen dem ersten Bulkelektrode 171 und der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121, und alle der ohmschen Kontaktbereiche 131 der ersten Kontaktelektrode angeordnet sein, der ohmsche Kontaktbereich 131 der ersten Kontaktelektrode 130 kann 130 kann direkt kontaktieren Bulkelektrode 171.
  • Auf der anderen Seite können die Löcher 120h nicht unter der zweiten Bulkelektrode 173 angeordnet sein. Ohmscher Kontakt zwischen der ersten Kontaktelektrode 130 und der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 nicht sein kann unter einem Bereich gebildet Insbesondere in dem die zweite Bulkelektrode 173 gebildet wird. Dementsprechend wird, wie in 6a und 6b gezeigt, sind die Löcher 120h der lichtemittierenden Struktur 120 kann auf anderen Bereichen als einem Bereich in der Nähe einer Seite der lichtemittierenden Vorrichtung 100d gebildet werden.
  • Die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 können unterschiedliche Volumina aufweisen und die erste Bulkelektrode 171 ein größeres Volumen als die zweite Bulkelektrode 173 aufweisen. die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann eine Dicke von etwa 70 Mikrometer bis 80 Mikromater oder mehr haben und kann im Wesentlichen die gleiche Dicke weiter. Dementsprechend kann die erste Bulkelektrode 171 weisen eine größere horizontale Querschnittsfläche als der zweite Bulkelektrode 173. Beispielsweise kann die horizontale Querschnittsfläche des ersten Bulkelektrode 171 0,8-fache bis weniger als 1 mal der Summe der horizontalen Querschnittsflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173.
  • Das heißt, die Lichtemittierende Vorrichtung 100d enthält die erste Bulkelektrode 171, die horizontale Querschnittsfläche, von denen viel größer ist als die horizontale Querschnittsfläche der zweiten Bulkelektrode 173. Wenn die erste leitfähige Halbleiterschicht 121 ist eine n-leitende Halbleiterschicht, die erste Bulkelektrode 171 als eine N-Elektrode auch wirken können, und wie oben beschrieben, beim Betrieb der Lichtemissionseinrichtung 100d, vor allem Lichtemission und Wärmeerzeugung auftreten, aus dem Bereich, in dem die erste Bulkelektrode 171 angeordnet ist. Dementsprechend wird, wie in diesem Ausführungsbeispiel mit der Struktur, wobei die horizontale Querschnittsfläche des ersten Bulkelektrode 171 ist wesentlich größer als die horizontale Querschnittsfläche der zweiten Bulkelektrode 173 kann die Lichtemittierende Vorrichtung 100d gleichmäßig Licht emittieren über die gesamte Leuchtzone Verbesserung der Leuchteigenschaften zu erreichen, und eine effiziente Wärmeableitung durch den ersten Bulkelektrode 171 in Wärmeverteilungseffizienz zu erreichen Verbesserung zulassen.
  • Weiterhin kontaktieren die erste Bulkelektrode 171 kann direkt auf die erste Kontaktelektrode 130 und auch alle von den ohmschen Kontaktbereichen 131 der ersten Kontaktelektrode 130 direkt in Verbindung. Dabei sind die Ohm'schen Kontaktbereiche 131 entsprechen den Positionen der Vielzahl von Löchern 120h, 120h und die Löcher in einem regelmäßigen Muster über der Licht emittierenden Struktur 120 allgemein angeordnet. Mit dieser Struktur kann die Lichtemittierende Vorrichtung 100d erreichen Verbesserung der elektrischen Eigenschaften durch einheitliche in horizontaler Richtung Stromaufweitungs und effizient Wärme von dem Licht erzeugt dissipieren emittierenden Struktur 120 durch die ohmschen Kontaktbereiche 131 und der ersten Bulkelektrode 171.
  • Darüber hinaus mit der Struktur, bei der die ohmsche Kontaktbereich zwischen der ersten Kontaktelektrode 130 und der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 nicht vorhanden ist unter dem Bereich, in dem die zweiten Bulkelektrode 173 ausgebildet ist, kann die lichtemittierende Vorrichtung Wärme ermöglichen erzeugt aus der ohmsche Kontaktbereich zwischen der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 und die erste Kontaktelektrode 130 vollständig durch die erste Bulkelektrode 171 abgeführt werden. Dementsprechend kann die Lichtemittierende Vorrichtung 100d eine weitere Verbesserung der Wärmeverteilungswirkungsgrad zu erzielen.
  • Wie oben beschrieben, wird gemäß dem Ausführungsbeispiel kann die Lichtemittierende Vorrichtung 100d Verbesserung der Lichtausbeute und Wärmeverteilungswirkungsgrad zu erzielen, wodurch die Zuverlässigkeit und Lebensdauer zu verbessern.
  • Jede der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 kann umfassen Metallpartikel und ein nicht-metallisches Material, das zwischen den Metallpartikeln angeordnet ist. Ferner umfassen kann 173 jedes der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, Partikel gesintertes Metall einschließlich der Metallpartikel und der nichtmetallischen Material. Innerhalb der gesinterten Metallpartikel werden die Metallpartikel gesintert, um eine Vielzahl von Körnern aufweist und das nicht-metallisches Material ist, in mindestens einem gewissen Bereich zwischen den Metallpartikeln angeordnet ist. Solch ein nicht-metallisches Material kann als ein Puffer wirken, in der Lage Spannungsarmglühen bei der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 ausgeübt wird. Mit dieser Struktur kann die mechanische Stabilität der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 kann verbessert werden, wodurch die Belastung von der Elektrode angelegt Entlasten 160 zu der Lichtemittierende Struktur 120.
  • In jeder der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173, kann in einer Menge von 80 Gew% bis 98 Gew% vorliegen, um die Metallpartikel. In diesem Gehaltsbereich der Metallpartikel, die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 können ausgezeichnete Eigenschaften aufweisen in Bezug auf die Wärmeleitfähigkeit und die elektrische Leitfähigkeit und Stress wirksam lindern kann, die 171 an die Bulkelektroden angelegt werden kann, 173 verbessert, wodurch die mechanische Stabilität der Bulkelektroden 171, 173.
  • Die Metallpartikel aus einem beliebigen Material gebildet werden kann, so lange das Material die Wärmeleitfähigkeit und elektrische Leitfähigkeit zeigen kann, und kann zum Beispiel Cu, Au, Ag, Pt und dergleichen. Das nichtmetallische Material kann aus einem Material, beispielsweise abgeleitet werden, ein kohlenstoffhaltiges Polymermaterial, das als Sinter Target für die Bildung von Elektroden verwendet wird.
  • Obwohl die Metallpartikel in der Form der gesinterten Metallpartikel in dem ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 in dem obigen Ausführungsbeispiel enthalten sind, sollte verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist. In einem alternativen Ausführungsbeispiel ist die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann durch Abscheiden und/oder Plattieren von Metall gebildet werden. In diesem alternativen Ausführungsbeispiel ist die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann aus mehreren Schichten bestehen.
  • In diesem Ausführungsbeispiel können die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 Seitenflächen umfassen, die im Wesentlichen senkrecht zu einer oberen Fläche der zweiten Isolationsschicht 160 sind. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist. In einem alternativen Ausführungsbeispiel, wie es in 3 gezeigt ist, kann jeder der ersten und zweiten Bulkelektroden 271, 273 kann eine geneigte Seitenfläche umfassen.
  • 8 ist eine Schnittansicht einer Lichtemittierende Vorrichtung 100e gemäß noch einem anderen Ausführungsbeispiel, bei dem die Masse-Elektroden 271, 273 haben geneigte Seitenflächen anders als bei der Lichtemittierende Vorrichtung 100d in 6a gezeigt, 6b und 7.
  • Bezugnehmend auf 8 ist jedes der ersten Bulkelektrode 271 und der zweiten Bulkelektrode 273 kann eine geneigte Seitenfläche umfassen. Insbesondere ist, wie in 8 gezeigt ist, jeder der ersten Bulkelektrode 271 und der zweiten Bulkelektrode 273 kann eine geneigte Seitenfläche umfassen, auf dem ein Gradient einer Tangentiallinie TL eines vertikalen Querschnitt davon in Bezug auf die Seitenfläche variiert. Insbesondere kann der Gradient der Tangentiallinie TL jeder der ersten und zweiten Bulkelektroden 271, 273 in Bezug auf die Seitenfläche davon allmählich von einer unteren Seite zu erhöhen davon in einer Richtung nach oben und kann allmählich von einem vorbestimmten Wendepunkt abnimmt in Aufwärtsrichtung. Dementsprechend umfassen die geneigte Seitenfläche von jeder der ersten und zweiten Bulkelektroden 271, 273 kann einen Bereich, in dem der Gradient der Tangentiallinie TL ansteigt, und einen Bereich, in dem der Gradient der Tangentiallinie TL abnimmt.
  • Mit der Struktur, bei der jede der ersten und zweiten Bulkelektroden 271, 273 die geneigte Seitenfläche aufweist, an dem der Gradient der Tangentiallinie TL des vertikalen Querschnitt davon in Bezug auf die Seitenfläche variiert, der horizontale Querschnitt jede der ersten und zweiten Bulkelektroden 271, 273 variiert in der vertikalen Richtung. Zum Beispiel, wie in den Zeichnungen dargestellt ist, der horizontale Querschnitt von jedem der ersten und zweiten Bulkelektroden 271, 273 kann mit zunehmendem Abstand von der oberen Oberfläche der lichtemittierenden Struktur 120 allmählich ab.
  • Mit der Struktur, bei der jede der ersten und zweiten Bulkelektroden 271, 273 die geneigte Seitenfläche umfasst, auf dem der Gradient der Tangentiallinie TL des vertikalen Querschnitt davon in Bezug auf die Seitenfläche, mechanische Stabilität bei Schnittstellen zwischen den variiert erste und zweite Bulkelektroden 271, 273 und die Isolationsträgerschicht 180 kann verbessert werden.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 6a, 6b und 7, wobei die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann direkt kontaktieren, die erste Kontaktelektrode 130 und die zweite Kontaktelektrode 140 verbunden. Das heißt, die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann direkt auf den ersten und zweiten Kontaktelektroden ausgebildet sein, die jeweils dadurch Eliminierung einer zusätzlichen Komponente ermöglicht, wie beispielsweise eine Keimschicht, die für Plattierung oder eine Benetzungsschicht für das Löten erforderliche. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt.
  • Ein Mindestabstand zwischen dem ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 kann etwa 10 bis etwa 80 sein. Mit dieser Struktur kann die Lichtemittierende Vorrichtung 100d verhindern Anstieg in der Vorwärtsspannung (Vf) durch zwischen den Elektroden in Abstand zu erhöhen, und kann die horizontale Querschnittsflächen der Schutt Elektroden 171, 173 aufgrund der verringerten Abstand zwischen dem Anstieg Elektroden, wodurch die Wärmeableitung Effizienz zu erreichen Verbesserung.
  • Die Isolationsträgerschicht 180 kann auf der Licht gebildet werden emittierenden Struktur 120 zumindest teilweise die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 bedecken. Die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 kann an einer oberen Oberfläche der Isolationsträgerschicht 180 freigelegt werden.
  • Die Isolationsträgerschicht 180 weist elektrisch isolierende Eigenschaften und deckt die Seitenflächen des ersten und des zweiten Bulkelektroden 171, 173, um wirksam die erste und zweite Bulkelektroden 171, 173 voneinander zu isolieren. Zur gleichen Zeit wird die Isolationsträgerschicht 180 kann auch dazu dienen, die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 zu unterstützen. Die obere Oberfläche der Isolationsträgerschicht 180 kann mit den oberen Oberflächen der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 im Wesentlichen bündig sein.
  • Die Isolationsträgerschicht 180 kann ein isolierendes Polymer und/oder ein isolierendes Keramikmaterial umfassen, beispielsweise ein Epoxidharz-Formmasse (EMC) oder eine Si-Harz. Ferner kann die Isolationsträgerschicht 180 Licht reflektierenden und lichtstreuenden Teilchen umfassen, wie beispielsweise TiO2 particles.
  • Obwohl es nicht in anderen Ausführungsbeispielen in den Zeichnungen gezeigt ist, bedecken die Isolationsträgerschicht 180 kann auch die Seitenfläche der Licht emittierenden Struktur 120, wodurch die Änderung eines Emissionswinkels des Lichts von der Lichtemittierende Struktur 120 emittiert verursacht. Beispielsweise in der Struktur, bei der die Isolationsträgerschicht 180 ferner Abdeckungen zumindest ein Teil der Seitenfläche der Licht emittierenden Struktur 120, die zum Teil Licht durch die Seitenfläche des emittierten Lichts emittierenden Struktur 120 kann in Richtung einer unteren Fläche reflektiert werden der lichtemittierenden Struktur 120. Auf diese Weise kann der Lichtemissionswinkel der Lichtemittierende Vorrichtung 100d eingestellt werden, indem ein Bereich, in dem die Isolationsträgerschicht 180 gebildet werden eingestellt.
  • Die Lichtemittierende Vorrichtung 100d kann ferner ein erstes Elektrodenpad (nicht gezeigt) und ein zweites Elektrodenpad (nicht gezeigt). Die ersten und zweiten Elektrodenpads kann auf der Isolationsträgerschicht 180 und die elektrisch mit den ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 jeweils angeordnet sein.
  • Wenn das Licht 100d Emissionsvorrichtung auf ein Modul und dergleichen aufgebracht wird, ermöglichen die ersten und zweiten Elektrodenpads die Lichtemittierende Vorrichtung 100d stabiler auf einem separaten Substrat befestigt sein. Wenn beispielsweise die erste und zweite Masse-Elektroden 171, 173 umfassen Cu oder Ag-Teilchen gesintert, um die ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 weisen gegen schlechte Benetzbarkeit zum Löten und dergleichen. Entsprechend der Struktur, bei der die erste und zweite Elektrodenpads auf der Isolationsträgerschicht 180 angeordnet sind, kann die lichtemittierende Vorrichtung 100d stabil auf dem separaten Substrat montiert werden.
  • Ferner ist, wie gezeigt, 3 die erste und zweite Elektrodenflächen (nicht gezeigt) kann in Figur in einer Form ausgebildet werden. 100d Das heißt, die lichtemittierende Vorrichtung gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann ferner die erste und die zweite Elektrodenkontaktflächen umfassen, in denen die Isolationsträgerschicht 180 kann eine untere Isolationsträgerschicht umfassen Bedecken der Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 und eine obere teilweise Isolationsträgerschicht, die oberen Oberflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 bedeckt. In diesem Ausführungsbeispiel sind zumindest Teile der Seitenflächen der ersten und zweiten Elektrodenpad kann durch die obere Isolationsträgerschicht abgedeckt werden.
  • Die ersten und zweiten Elektrodenpads kann ein leitfähiges Material umfassen, wie beispielsweise einem Metall, beispielsweise Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb und dergleichen. jede der ersten und zweiten Elektrodenkissen kann aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten zusätzlich zusammengesetzt sein.
  • Ein Wellenlängenumwandlungsabschnitt (nicht gezeigt) kann auf der unteren Oberfläche des Lichtes angeordnet werden 120 emittierenden Struktur. Die Wellenlängenumwandlungsabschnitt wandelt die Wellenlänge des Lichts von dem Licht emittierenden Struktur Emittieren 120, so dass die lichtemittierende Vorrichtung Licht in einem gewünschten Wellenlängenbereich emittieren kann. Der Wellenlängenumwandlungsabschnitt kann einen Leuchtstoff und eine Unterstützung der Leuchtstoff enthält. Der Leuchtstoff kann verschiedene Leuchtstoffe enthalten, um einer Person bekannt mit durchschnittlichem Wissen in der Technik, und können mindestens eine Art von Leuchtstoff, ausgewählt aus Granat-Leuchtstoffe, Aluminat-Leuchtstoffe, Sulfid-Leuchtstoffe, Oxynitrid-Leuchtstoffe, Nitrid-Leuchtstoffe, Fluor Phosphore und Silikatleuchtstoffe enthalten. Der Träger kann im Stand der Technik für eine Person mit durchschnittlichem Wissen aus jedem Material gut bekannt sind, ausgewählt werden und kann zum Beispiel ein Polymerharz, wie beispielsweise einem Epoxyharz oder Acrylharz oder einem Silikonharz. Ferner kann die Wellenlängenumwandlungsabschnitt aus einer einzigen Schicht oder aus mehreren Schichten zusammengesetzt sein.
  • Die Wellenlängenumwandlungsabschnitt kann die untere Oberfläche der lichtemittierenden Abdeckstruktur 120 und ferner die Seitenfläche die lichtemittierende Struktur 120. In einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die Wellenlängenumwandlungsabschnitt ferner bedecken die Seitenfläche der Isolationsträgerschicht 180.
  • Obwohl die Lichtemittierende Vorrichtung 100d gemäß diesem Ausführungsbeispiel hat das Licht emittierende Struktur 120 mit der Mehrzahl von Löchern 120h, sollte verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist. Die Verbindung und die Lagebeziehung zwischen der lichtemittierenden Struktur 120, die ersten und zweiten Kontaktelektroden 130, 140 und den ersten und zweiten Isolationsschichten 150, 160 können von dem Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung, ohne auf verschiedene Weise modifiziert werden.
  • 9a, 9b und 10 sind Draufsichten und eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • Eine Lichtemittierende Vorrichtung 100f gemäß dem Ausführungsbeispiel in 9a gezeigt, 9b und 10 ist allgemein ähnlich der Licht 100d emittierende Vorrichtung in 6a gezeigt, 6b und 7 einige Merkmale der dritten Öffnung 160a ohne und ferner ersten und zweiten Verbindungsschichten 191, 193. Im Folgenden werden verschiedene Merkmale der Lichtemittierende Vorrichtung 100f gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird hauptsächlich beschrieben, und eine detaillierte Beschreibung der gleichen Komponenten entfällt.
  • 9a ist eine Draufsicht auf die Lichtemittierende Vorrichtung 100f, 9b ist eine Draufsicht, welche Positionen der Löcher 120h, eine dritte Öffnung 160a und vierten Öffnungen 160b, und 10 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie D-D' in 9a und 9b.
  • Bezugnehmend auf 9A, 9b und 10 die Lichtvorrichtung 100f emittiert eine Licht emittierenden Struktur 120, die eine erste leitfähige Halbleiterschicht umfasst 121, eine aktive Schicht 123 und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht 125, eine erste Kontaktelektrode 130 eine zweite Kontaktelektrode 140, ersten und zweiten Isolationsschichten 150, 160, eine erste Bulkelektrode 171, eine zweite Bulkelektrode 173, eine Isolationsträgerschicht 180, eine erste Verbindungsschicht 191 und eine zweite Verbindungsschicht 193. Die Lichtemittierende Vorrichtung 100f kann ferner erste und zweite Elektrodenpads (nicht gezeigt), ein Wachstumssubstrat (nicht gezeigt) und einen Wellenlängenumwandlungsabschnitt (nicht gezeigt).
  • Die dritte Öffnung 160a der zweiten Isolationsschicht 160 kann die erste Kontaktelektrode 130 teilweise freizulegen, während die erste Kontaktelektrode 130 abdeckt. Hierbei kann die dritte Öffnung 160a ausgebildet werden, nur in einem Bereich, in dem einige der Löcher 120h angeordnet sind. Dementsprechend werden nur einige von ohmschen Kontaktbereichen 131 kann durch die zweite Isolationsschicht 160 durch die dritte Öffnung 160a und die anderen ohmschen Kontaktbereichen 131 kann abgedeckt werden ausgesetzt werden.
  • Die dritte Öffnung 160a an einer Stelle gegenüber der Stelle der vierten Öffnungen 160b angeordnet sein. Insbesondere, wenn die vierte Öffnung 160b in der Nähe einer Seite der lichtemittierenden Vorrichtung 100f angeordnet sind, die dritte Öffnung 160a kann davon in der Nähe der anderen Seite der lichtemittierenden Vorrichtung 100f gegenüber der einen Seite angeordnet sein.
  • Die Lichtemittierende Vorrichtung 100f gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann ferner eine erste Verbindungsschicht 191 und eine zweite Verbindungsschicht 193 jeweils unter der ersten Bulkelektrode angeordnet 171 und die zweite Bulkelektrode 173.
  • Die erste Verbindungsschicht 191 kann elektrisch verbinden die erste Kontaktelektrode 130 zu der ersten Bulkelektrode 171 und die zweite Verbindungsschicht 193 kann die zweite Kontaktelektrode 140 zu dem zweiten Bulkelektrode 173 elektrisch zu verbinden.
  • Wenn darüber hinaus die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 durch Abscheiden oder Plattieren gebildet werden, die ersten und zweiten Verbindungsschichten 191, 193 können als Keimschichten handeln. Wenn darüber hinaus die erste Bulkelektrode 171 und die zweite Bulkelektrode 173 durch Sintern gebildet werden, die ersten und zweiten Verbindungsschichten 191 kann 193 als Benetzungsschichten wirken in stabile Bildung der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode zu unterstützen 173. Dementsprechend können die erste und die zweite Bulkelektroden 171, 173 stabil mit dem verbunden werden lichtemittierende Struktur 120 durch die ersten und zweiten Verbindungsschichten 191, 193.
  • Somit können die Verbindungsschichten 191, 193 ein metallisches Material umfassen, um als Keimschichten oder die Benetzungsschichten zu wirken. Beispielsweise umfassen die Verbindungsschichten 191, 193 können Cu, Au, Ag, Ni, Pt und dergleichen.
  • Die Verbindungsschichten 191, 193 sind auf dieses Ausführungsbeispiel beschränkt und kann auf andere Ausführungsbeispiele angewendet werden.
  • 11a, 11b und 12 sind Draufsichten und eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • Eine lichtemittierende Vorrichtung 100g gemäß dem Ausführungsbeispiel in 11a gezeigt ist, 11b und 12 ist allgemein ähnlich der Licht 100d emittierende Vorrichtung in 6a gezeigt, 6b und 7 und umfasst weitere Verbindungsschichten 211, 213 und Elektroden Pads 231, 233. Im Folgenden werden verschiedene Merkmale der lichtemittierenden Vorrichtung 100g gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird hauptsächlich beschrieben, und eine detaillierte Beschreibung der gleichen Komponenten entfällt.
  • 11a ist eine Draufsicht der lichtemittierenden Vorrichtung 100g, 11b ist eine Draufsicht, welche Positionen der Löcher 120h, eine dritte Öffnung 160a und vierten Öffnungen 160b, und 12 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie EE' in 11a und 11b.
  • Bezugnehmend auf 11a, 11b und 12 Figur ist die Lichteinrichtung 100g emittierende enthält eine lichtemittierenden Struktur 120, die eine erste leitfähige Halbleiterschicht umfasst 121, eine aktive Schicht 123 und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht 125, eine erste Kontaktelektrode 130 eine zweite Kontaktelektrode 140, ersten und zweiten Isolationsschichten 150, 160, eine erste Bulkelektrode 171, eine zweite Bulkelektrode 173, eine Isolationsträgerschicht 180, Verbindungsschichten 211, 213 und Elektrodenpads 231, 233. Die lichtemittierende Vorrichtung 100g kann weiterhin ein Wachstumssubstrat (nicht gezeigt) und einer Wellenlängenumwandlungsabschnitt (nicht gezeigt).
  • Die Verbindungsschichten 211, 213 kann auf der ersten Bulkelektrode 171 und beziehungsweise zweiten Bulkelektrode 173 jeweils angeordnet sein.
  • Die Verbindungsschichten 211 kann 213 eine erste Verbindungsschicht 211 und eine zweite Verbindungsschicht 213. Die erste Verbindungsschicht 211 und die zweite Verbindungsschicht 213 auf der ersten Bulkelektrode 171 und der zweiten Bulkelektrode 173 und sind elektrisch damit verbunden ist, angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel kann die Isolationsträgerschicht 180 eine untere Isolationsträgerschicht 181 und eine obere Isolationsträgerschicht 183. Die untere Isolationsträgerschicht umfasst 181 Seitenflächen des ersten und des zweiten Bulkelektroden 171, 173 und die obere Isolationsträgerschicht 183 teilweise obere Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 bedeckt. Die obere Isolationsträgerschicht 183 kann Öffnungen aufweisen, durch welche die oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 teilweise freigelegt sind. Die Öffnungen teilweise die oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 171 freilegen kann 173 zumindest teilweise mit den Verbindungsschichten 211, 213 gefüllt werden. Oberseiten der oberen Isolationsträgerschicht 183, die erste Verbindungsschicht 211 und die zweite Verbindungsschicht 213 kann im Allgemeinen fluchten miteinander, um eine koplanare Oberfläche zu bilden.
  • Die erste Verbindungsschicht 211 und die zweite Verbindungsschicht 213 kann ein elektrisch leitfähiges Metall, ein leitfähiges Oxid, oder ein leitfähiges Nitrid umfassen, und kann insbesondere aus einem Metall mit hoher elektrischer Leitfähigkeit, wie beispielsweise Au, Ag, Cu, Ni gebildet werden,, Pt und dergleichen. Das erste Elektrodenpad 231 und das zweite Elektrodenpad 233 kann auf den Verbindungsschichten 211, 213 und elektrisch mit den Bulkelektroden 171, 173 durch die Verbindungsschichten 211, 213 jeweils angeordnet sein. Insbesondere können die ersten und zweiten Elektrodenpads 231, 233 elektrisch mit den ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 durch die ersten und zweiten Verbindungsschichten 211, 213 jeweils verbunden sein.
  • Das erste Elektrodenpad 231 und das zweite Elektrodenpad 233 ermöglicht die Lichteinrichtung 100g emittierende stabiler auf einem getrennten Substrat oder dergleichen montiert sein. Wenn beispielsweise die erste und zweite Bulkelektroden 171, 173 umfassen Cu oder Ag-Teilchen gesintert, um die ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 weisen eine schlechte Benetzbarkeit gegenüber Lötmittel und dergleichen. Entsprechend der Struktur, bei der die erste und zweite Elektrodenpads auf der Isolationsträgerschicht 180 angeordnet sind, kann die lichtemittierende Vorrichtung 100g stabil auf dem separaten Substrat montiert werden.
  • Des Weiteren kann das erste Elektrodenpad 231 eine kleinere horizontale Querschnittsfläche als die erste Bulkelektrode 171 und das zweite Elektrodenpad 233 eine größere horizontale Querschnittsfläche als der zweite Bulkelektrode 173 aufweisen. Insbesondere kann die horizontale Querschnittsfläche des ersten Elektrodenpads 231 im Wesentlichen wie diejenige des zweiten Elektrodenpads 233 die gleiche sein.
  • In einer Struktur, bei der die horizontale Querschnittsfläche der ersten Bulkelektrode 171 ist viel größer als diejenige der zweiten Bulkelektrode 173 kann ein Problem des Versagens sein, auf einem sekundären Substrat der lichtemittierenden Vorrichtung Befestigung wie beispielsweise eine PCB. Darüber hinaus, um stabil eine Licht emittierende Vorrichtung auf dem sekundären Substrat, so zu montieren, ist es notwendig, ein leitfähiges Muster eines Teils des sekundären Substrats, auf dem die lichtemittierende Vorrichtung angebracht werden zu ändern. Im Gegenteil, da Vorrichtung 100g das lichtemittierende gemäß diesem Ausführungsbeispiel weist ferner das erste Elektrodenpad 231 und das zweite Elektrodenpad 233, Elektroden, die auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung 100g auf dem Sekundärsubstrat montiert können ähnlich zu denjenigen ausgebildet werden, von der Lichtemittierende Vorrichtung 100g. Dementsprechend kann die Lichtemittierende Vorrichtung 100g gemäß diesem Ausführungsbeispiel auf verschiedene Anwendungen durch einen allgemeinen Montagevorgang ohne Zugabe oder Änderung eines Prozesses angewendet werden, und kann Defekte in den Montageprozess zu reduzieren.
  • Die ersten und zweiten Elektrodenpads 231, 233 können ein leitfähiges Material umfassen, wie beispielsweise ein Metall, und können, beispielsweise Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Sn, Cu, Ag, Bi, In, Zn, Sb, Mg, Pb und dergleichen, umfassen.
  • Die obere Isolationsträgerschicht 183 kann eine Dicke von etwa 10 Mikrometer aufweisen oder weniger, wodurch eine Verschlechterung in Wärmeverteilungswirkungsgrad auf Dissipation von Wärme von den ersten und zweiten Bulkelektroden 171, 173 durch die obere Isolationsträgerschicht 183 verhindert wird.
  • 13a, 13b und 14 sind Draufsichten und eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform.
  • Eine Lichtemittierende Vorrichtung 100h gemäß dem Ausführungsbeispiel in 13a gezeigt, 13b und 14 Bild ist im allgemeinen ähnlich zu der Lichtemittierende Vorrichtung 100d in 11a gezeigt, 11b und 12 und enthält ferner eine Vielzahl von zweiten Bulkelektroden 173. Im Folgenden werden verschiedene Merkmale der Lichtemittierende Vorrichtung 100h gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird hauptsächlich beschrieben, und eine detaillierte Beschreibung der gleichen Komponenten entfällt.
  • 13a ist eine Draufsicht auf die Lichtemittierende Vorrichtung 100h, 13b ist eine Draufsicht, welche Positionen der Löcher 120h, eine dritte Öffnung 160a und vierten Öffnungen 160b, und 14 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie F-F' der 13a und 13b.
  • Bezugnehmend auf 13a auf 13b und 14, die lichtemittierende Vorrichtung 100h umfasst: eine lichtemittierende Struktur 120, die eine erste leitfähige Halbleiterschicht 121, eine aktive Schicht 123 und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht 125, eine erste Kontaktelektrode 130, eine zweite Kontaktelektrode 140, ersten und zweiten Isolationsschichten 150, 160, eine erste Bulkelektrode 171, eine zweite Bulkelektrode 173, eine Isolationsträgerschicht 180, eine Verbindungsschicht 210 und Elektrodenpads 231, 233. Die Lichtemittierende Vorrichtung 100h kann weiterhin ein Wachstumssubstrat (nicht gezeigt) und einer Wellenlängenumwandlungsabschnitt (nicht gezeigt).
  • Die Lichtemittierende Vorrichtung 100h kann ferner eine Vielzahl von zweiten bulk Elektroden 173. Mit dieser Struktur kann die Lichtemittierende Vorrichtung 100h hat eine größere Anzahl von Löchern 120h, eine größere Fläche der dritten Öffnung 160a, und eine größere horizontale Querschnittsfläche der ersten Bulkelektrode 171 als die Licht 100g emittierende Vorrichtung in 11a, 11b und 12. Die zweiten Bulkelektroden 173 können voneinander und einige der Löcher 120h getrennt werden können zwischen den zweiten Bulkelektroden 173 angeordnet sein.
  • Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist die horizontale Querschnittsfläche der ersten Bulkelektrode 171 weiter erhöht wird, wobei die Lichtemittierende Vorrichtung 100h weitere Verbesserung der Wärmeverteilungseffizienz und Leuchteigenschaften erzielen kann.
  • Auf der anderen Seite kann die Lichtemittierende Vorrichtung 100h die Elektroden 231, 233 weggelassen werden.
  • 15 und 16 sind eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung 200a gemäß noch einer weiteren beispielhaften Ausführungsform. 16 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie G-G' von 15. Detaillierte Beschreibungen der im wesentlichen dieselben Komponenten wie jene der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele wird weggelassen.
  • Bezugnehmend auf 16 und 15, die Lichtemittierende Vorrichtung 200a weist eine Lichtemittierende Struktur 120, eine erste Kontaktelektrode 130, eine zweite Kontaktelektrode 140, eine Stützstruktur 310 und ein Substrat 410. Die Lichtemittierende Vorrichtung kann weiterhin ein Wachstumssubstrat (nicht gezeigt) und einer Verbindungselektrode 145.
  • Die Licht emittierende Struktur 120 umfasst eine erste leitfähige Halbleiterschicht 121, eine aktive Schicht auf der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht 125, die auf der aktiven Schicht 123 angeordnet 123.
  • Die Licht emittierende Struktur 120 kann durch teilweises Entfernen der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 und die aktive Schicht 123 einen teilweise freigelegten Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 gebildet werden, umfassen. Zum Beispiel, wie in 15 gezeigt ist, das Licht emittierende Struktur 120 kann mindestens ein Loch 120a gebildet ist, durch die zweite leitfähige Halbleiterschicht 125 und der aktiven Schicht 123 freizulegen, die erste leitfähige Halbleiterschicht 121 durch diese hindurch aufzunehmen. Die Licht emittierende Struktur 120 kann eine Vielzahl von Löchern 120a, umfassen und die Form und Anordnung der Löcher 120a sind nicht auf die in den Zeichnungen gezeigt sind, beschränkt.
  • Die lichtemittierende Struktur 120 kann weiterhin eine Rauheit 120R aufweisen. Die Rauheit 120R kann durch mindestens eines von Trockenätzen, Nassätzen und elektrochemischen Ätzen ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die Rauheit 120R durch PEC-Ätzen oder durch Nassätzen in einer Ätzlösung, enthaltend KOH und NaOH, gebildet werden.
  • Das Licht emittierenden Struktur 120 kann weiterhin ein Wachstumssubstrat beinhalten auf einer oberen Oberfläche (nicht gezeigt) der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121. Solche kann ein Wachstumssubstrat von dem lichtemittierenden Struktur 120 im Stand der Technik nach der Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung bekannt, durch ein übliches Verfahren entfernt werden.
  • Die zweite Kontaktelektrode 140 kann auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 und elektrisch damit verbunden angeordnet sein. Ferner ist die zweite Kontaktelektrode 140 zumindest teilweise eine untere Fläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 abzudecken. Alternativ kann die zweite Kontaktelektrode 140 angeordnet werden, um die gesamte untere Fläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 zu bedecken. die zweite Kontaktelektrode 140 kann in einem Bereich als eine monolithische Schicht gebildet werden Bedecken der unteren Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 mit Ausnahme eines Bereichs, in dem der belichtete Bereich des ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 der lichtemittierenden Struktur ferner, 120 (beispielsweise die Löcher 120a) gebildet wird. Mit dieser Struktur kann das lichtemittierende Vorrichtung zur gleichmäßigen Zufuhr von elektrischem Strom zu dem gesamten Bereich der lichtemittierenden Struktur 120, wodurch die Stromausbreitungseffizienz verbessert wird. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Alternativ voneinander getrennt einer Vielzahl von Einheitselektroden bestehen, die zweite Kontaktelektrode 140.
  • Die erste Kontaktelektrode 130 kann mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 elektrisch verbunden sein. Die erste Kontaktelektrode 130 kann elektrisch mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 durch den freigelegten Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121, beispielsweise verbunden werden, wobei die Löcher 120a. Die erste Kontaktelektrode 130 kann auf der gesamten oberen Oberfläche der lichtemittierenden Struktur angeordnet sein. Mit dieser Struktur wird die erste Kontaktelektrode 130 kann von der zweiten Kontaktelektrode 140 über eine Isolationsschicht, wie eine erste Isolationsschicht 150 unten beschrieben isoliert werden.
  • Bezugnehmend auf 16, die Lichtemittierende Vorrichtung 200a gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann ferner die erste Isolationsschicht 150. Die erste Isolationsschicht 150 bedeckt eine untere Oberfläche der Licht emittierenden Struktur 120 und der unteren und Seitenflächen der zweiten Kontaktelektrode 140 und ist zwischen der Licht emittierenden Struktur 120 und der ersten Kontaktelektrode 130 der ersten Kontaktelektrode 130 zu isolieren angeordnet von die zweite Kontaktelektrode 140. Die erste Isolationsschicht 150 kann Öffnungen 150a, 150b an bestimmten Stellen gebildet elektrische Verbindung mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 und der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 125 zu erreichen. Zum Beispiel enthält die erste Isolationsschicht 150 Öffnungen 150a, die den ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 und die Öffnungen 150b freizulegen, die die zweite Kontaktelektrode 140 freizulegen. Die erste Isolationsschicht 150 kann aus einem Oxid, wie SiO2, einem Nitrid, wie beispielsweise SiNx, oder einem isolierenden Material wie MgF2 durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und dergleichen gebildet werden. Die erste Isolationsschicht 150 kann aus einer einzigen Schicht oder aus mehreren Schichten bestehen. Weiterhin sind die erste Isolationsschicht 150 kann einen distributed Bragg-Reflektor (DBR) umfassen, in dem eine mit geringem Brechungsvermögen und eine Materialschicht mit hohem Brechungsvermögen Materialschicht abwechselnd übereinander gestapelt.
  • Bezugnehmend auf 16, die Lichtemittierende Vorrichtung 200a gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann ferner eine zweite Isolationsschicht 160. Die zweite Isolationsschicht 160 kann Abschalten der ersten Kontaktelektrode 130 und der zweiten Kontaktelektrode 140 während wirkt, um die Licht emittierende Struktur vor äußeren Verunreinigungen oder Wirkung effektiver verhindern zu schützen. Die zweite Isolationsschicht 160 kann einen Teil der ersten Kontaktelektrode 130 bedecken. Die zweite Isolationsschicht 160 kann eine Öffnung 160a umfassen, die die erste Kontaktelektrode 130 und die Öffnungen 160b freilegt, welche die zweite Kontaktelektrode 140 freizulegen. Seitenwänden des ersten Kontaktelektrode 130 kann durch die zweite Isolationsschicht 160 abgedeckt werden. Die zweite Isolationsschicht 160 kann durch Abscheiden einer Oxid-Isolationsschicht, eine Nitrid-Isolationsschicht oder einem Polymer, wie Polyimide, Teflon oder Parylene, auf der ersten Kontaktelektrode 130, gefolgt von Musterbildung, hergestellt werden.
  • Die Trägerstruktur 310 kann eine erste Bulkelektrode 311, eine zweite Bulkelektrode 312 und einer Isolationsträgerschicht 313. Die erste Bulkelektrode 311, die zweite Bulkelektrode 312 und die Isolationsträgerschicht 313 gemäß diesem Ausführungsbeispiel dem ersten Bulkelektrode 171, der zweiten Bulkelektrode 173 und der Isolationsträgerschicht 180 gemäß den Ausführungsbeispielen entsprechen oben beschrieben.
  • Die erste Bulkelektrode 311 und die zweite Bulkelektrode 312 kann auf der Licht emittierenden Struktur angeordnet sein, 120 und voneinander getrennt auf der ersten Kontaktelektrode 130 und der zweiten Kontaktelektrode 140, die jeweils angeordnet sind. Die ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 werden aus einem metallischen Material gebildet und haben im Allgemeinen eine größere Dicke als die lichtemittierende Struktur 120. Die erste Bulkelektrode 311 und die zweite Bulkelektrode 312 kann jeweils mit der ersten Kontaktelektrode 130 und der zweiten Kontaktelektrode 140 elektrisch verbunden sein und damit elektrisch mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 121 beziehungsweise der zweiten leitfähigen Halbleiter verbunden sein können Schicht 125. Die ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 ermöglichen eine effiziente Wärmeabfuhr aus dem Licht erzeugt emittierenden Struktur 120 und kann ein Material umfassen, einen ähnlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten an den thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Lichtemittierende Struktur 120 aufweist.
  • Die erste Bulkelektrode 311 und die zweite Bulkelektrode 312 kann dicker sein als die erste Kontaktelektrode 130 und der zweiten Kontaktelektrode 140, um die Wärmeableitung zu erleichtern. Insbesondere können die Dicken der ersten Bulkelektrode 311 und der zweiten Bulkelektrode 312 5 mal bis 20 mal die Dicke der ersten Kontaktelektrode 130 und der zweiten Kontaktelektrode 140 verbunden. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung eine effiziente Wärmeabfuhr aus dem Licht erzeugt lichtemittierenden Struktur 120 nach außen durch die Seitenflächen der ersten Bulkelektrode 311 und der zweiten Bulkelektrode 312, wodurch Reißen oder Versagen aufgrund von Hitze verhindert wird.
  • Die erste Bulkelektrode 311 kann einen unteren Bereich 311a umfassen und einen oberen Bereich 311b, und die zweite Bulkelektrode 312 kann einen unteren Bereich 312a und einen oberen Bereich 312b umfassen. Jede der ersten Bulkelektrode 311 und der zweiten Bulkelektrode 312 kann als eine monolithische Schicht gebildet werden. Bezugnehmend auf 16, der untere Bereich 311a der ersten Bulkelektrode 311 und dem unteren Bereich 312a der zweiten Bulkelektrode 312 kann in der Nähe eines Substrats 410 nachfolgend beschrieben angeordnet werden, und der obere Bereich 311b des ersten Bulkelektrode 311 und der oberen Region 312b der zweiten Bulkelektrode 312 kann in der Nähe der lichtemittierenden 120 Struktur angeordnet werden. Die unteren Bereiche 311a, 312a können untere Oberflächen der ersten Bulkelektrode 311 und der zweiten Bulkelektrode 312 verbunden. Insbesondere unteren Flächen der unteren Bereiche 311a, 312a kann auf den unteren Oberflächen der ersten und zweiten Volumen Elektroden 311, 312 zusammenfallen. Mit dieser Struktur kann die Lichtemittierende Vorrichtung verhindern Trennung der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 und kann an dem Substrat 410 durch Einstellung der Konfiguration der unteren Bereiche 311a, 312a ohne Bildung getrennter Schichten, die auf die Verbesserung der Haftung zu erreichen der unteren Oberfläche der ersten Bulkelektrode 311 und der zweiten Bulkelektrode 312.
  • In verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen ist der untere Bereich 311a und der obere Bereich 311b des ersten Bulkelektrode 311 auf die erste Bulkelektrode 171 und der ersten Anschlusselektrode 191 gemäß den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen jeweils entsprechen. Auf ähnliche Weise entsprechen der untere Bereich 312a und der obere Bereich 312b des zweiten Bulk-Elektrode 312 kann mit dem zweiten Bulkelektrode 173 und der zweiten Anschlusselektrode 193 gemäß den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen, respectively. Der untere Bereich 311a oder 312a kann aus einem anderen Material aus dem oberen Bereich 311b oder 312b ausgebildet werden.
  • Ein Abstand L2 zwischen der untere Bereich 311a des ersten Bulkelektrode und der untere Bereich 312a des zweiten Bulkelektrode größer sein kann als ein Abstand L1 zwischen der obere Bereich 311b des ersten Bulk-Elektrode und der obere Bereich 312b des zweiten Bulkelektrode. Da der Abstand L1 zwischen die oberen Bereiche 311b, 312b relativ kurz ist, erzeugte Wärme von der lichtemittierenden Struktur 120 kann effizient durch die Seitenflächen der ersten Bulkelektrode 311 und der zweiten Bulkelektrode 312 abgeführt werden. Mit dieser Struktur kann die Licht emittierende Vorrichtung vom Leiden Rißbildung oder Beschädigung durch Hitze verhindert werden. Da der Abstand L2 zwischen den unteren Bereichen 311a, 312a relativ lang ist, ist es möglich, Trennung der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 durch ein Klebematerial, wie beispielsweise Lötmittel zu verhindern, wenn die ersten und zweiten bulk Elektroden 311, 312 angebracht sind, auf dem Substrat 410 durch Lötverbindung oder eutektisches Bonden. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung elektrische Stabilität sicherstellen.
  • Die erste Bulkelektrode 311 kann eine erste Ebene umfassen die zweiten Bulkelektrode 312 und eine zweite Ebene gegenüber der ersten Ebene angeordnet zugewandt ist; die zweite Bulkelektrode 312 kann eine dritte Ebene umfassen die erste Bulkelektrode 311 und einer vierten Ebene gegenüber der dritten Ebene angeordnet zugewandt ist. Die ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 kann eine erste Vertiefung umfassen von den unteren Kanten der ersten Ebene beziehungsweise der dritten Ebene h1 eingedrückt. Bezugnehmend auf 16 ist die erste Vertiefung h1 kann durch eine Vielzahl von Ebenen gebildet sein. Insbesondere die erste Vertiefung h1 kann umfassen Ebenen zu der ersten Ebene parallel und der dritten Ebene des ersten und des zweiten Bulkelektroden 311, 312 und Ebene unteren Oberflächen der ersten und zweiten Volumen Elektroden 311, 312 parallel sind. Mit der Vertiefung oben beschriebenen Struktur, wobei die erste Vertiefung h1can mit einer Isolationsträgerschicht 313 nachfolgend beschrieben gefüllt werden, wodurch ein Klebematerial, wie beispielsweise Lötzinn Unterdrückung fließt in einen Raum zwischen dem ersten und dem zweiten Bulkelektroden 311, 312. Dementsprechend ist es möglich, die ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 werden getrennt von durch das Klebematerial zu verhindern. Ferner Kontaktbereiche zwischen dem ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 und der Isolationsträgerschicht 313 kann, wodurch Haftschicht zwischen der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 und dem Isolationsträger Verbesserung erhöht werden. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung mechanische Stabilität sicherzustellen. Die erste Vertiefung h1 kann durch einen Ätzprozess unter Verwendung eines Fotoresists gebildet werden, ohne darauf beschränkt zu sein.
  • Der Abstand L1 zwischen den oberen Bereiche 311b, 312b kann 100 Mikrometer oder weniger betragen. Innerhalb dieses Bereichs kann die Wärmeableitung von den ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 weiter verbessert werden. Der Abstand L2 zwischen den unteren Regionen 311a, 312a kann 250 Mikrometer oder mehr sein. Innerhalb dieses Bereichs ist es möglich, effektiv zu verhindern, Trennen der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 durch das Klebematerial, wie beispielsweise Lötzinn.
  • Die Isolationsträgerschicht 313 kann zwischen der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 angeordnet sein. Die Isolationsträgerschicht 313 kann eine obere Isolationsträgerschicht 313a umfassen und eine untere Isolationsträgerschicht 313b. Die obere Isolationsträgerschicht 313a und die untere Isolationsträgerschicht 313b entsprechend diesem Ausführungsbeispiel kann auf die untere Isolationsträgerschicht 181 entsprechen, und der oberen Isolationsträgerschicht 183 verbunden. Die Isolationsträgerschicht 313 isoliert die erste und die zweite Bulkelektroden 311, 312 voneinander, um dadurch die Isolierung der ersten Kontaktelektrode 130 und die zweite Kontaktelektrode 140 voneinander und füllt einen Raum zwischen dem ersten und dem zweiten Bulkelektroden 311, 312 zur Verbesserung der Haltbarkeit während Stress durch die thermische Ausdehnung der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 verursacht zu entlasten. Außerdem kann die Isolationsträgerschicht 313, wie in 16 gezeigt, konfiguriert sein, nicht nur den Raum zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden zu umgeben 311, 312, sondern auch die Gesamtheit der Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung von externen Verunreinigungen oder Stößen geschützt werden. Die Isolationsträgerschicht 313 kann eine Epoxidharz-Formmasse (EMC) umfassen. Die Isolationsträgerschicht 313 kann den unteren Oberflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 zu bedecken, beschichtet werden. In diesem Ausführungsbeispiel ist eine untere Oberfläche der Isolationsträgerschicht 313 kann durch Läppen oder chemisch-mechanisches Polieren, und die ersten und zweiten Elektroden 311 bulk abgeflacht werden kann 312 freigelegt werden.
  • Das Substrat 410 kann benachbart zu der Tragstruktur 310 angeordnet sein. Das Substrat 410 kann einen ersten Verbindungsabschnitt 411 elektrisch mit dem ersten Bulkelektrode 311 und einen zweiten Verbindungsabschnitt 412 elektrisch mit der zweiten Bulkelektrode 312. Der erste Verbindungsabschnitt 411 und der zweite Verbindungsabschnitt 412 kann, ohne darauf beschränkt auf einer Basis 413 des Substrats 410 angeordnet sein. Die ersten und zweiten Verbindungsbereiche 411, 412 kann ein Material umfassen hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist, beispielsweise Cu, Au, Ag, Pt, Al und dergleichen. Die Basis 413 des Substrats 410 kann ein keramisches Material umfassen und ein metallisches Material umfassen, um möglicherweise die Wärmeableitung von der lichtemittierenden Vorrichtung zu verbessern. Die ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 auf dem Substrat 410 durch Lötverbindung oder eutektisches Bonden befestigt werden, ohne hierauf beschränkt zu sein. Beispielsweise für die Lötverbindung, Lötmittel S zwischen der ersten Bulkelektrode 311 und der erste Verbindungsabschnitt 411 und zwischen dem zweiten Bulkelektrode 312 und dem zweiten Verbindungsabschnitt 412 angeordnet sein.
  • Ein Abstand L3 zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt 411 und dem zweiten Verbindungsabschnitt 412 kann größer sein als der Abstand L1 zwischen die oberen Bereiche 311b, 312b. Da der Abstand L3 zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt 411 und dem zweiten 412 Verbindungsabschnitt relativ lang ist, ist es möglich, Trennung der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 durch ein Klebematerial, wie beispielsweise Lötmittel zu verhindern, wenn die ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 sind auf dem Substrat 410 durch Lötverbindung oder eutektisches Bonden befestigt. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung elektrische Stabilität sicherstellen.
  • 17 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform. Die Licht emittierende Vorrichtung in 17 gezeigt ist, ist im allgemeinen ähnlich zu der lichtemittierenden Vorrichtung in 15 gezeigt, und 16, und enthält ferner eine zweite Vertiefung von der unteren Kante der zweiten Ebene der ersten Bulkelektrode 311 und der vierten Ebene des h2 eingedrückte zweite Bulkelektrode 312. Bezugnehmend auf 17, h1may die zweite Vertiefung durch eine Vielzahl von Ebenen gebildet sein. Insbesondere h2may die zweite Vertiefung umfassen Ebenen zu der zweiten Ebene parallel zu und der vierten Ebene der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 und Ebenen zu den unteren Oberflächen der ersten und zweiten Volumen Elektroden 311, 312 parallel sind. Mit der Vertiefung oben beschriebenen Struktur h2can die zweite Vertiefung mit einer Isolationsträgerschicht 313 nachfolgend beschrieben gefüllt werden, wodurch ein Klebematerial zu unterdrücken, wie beispielsweise Lötmittel fließt in Richtung einer äußeren Oberfläche der lichtemittierenden Vorrichtung. Dementsprechend ist es möglich, die ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 werden getrennt von durch das Klebematerial zu verhindern. Ferner Kontaktbereiche zwischen dem ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 und der Isolationsträgerschicht 313 kann weiter erhöht werden, wodurch die Haftung zwischen den ersten und zweiten Elektroden bulk verbessert 311, 312 und der Isolationsträgerschicht. Mit dieser Struktur kann die lichtemittierende Vorrichtung mechanische Stabilität sicherzustellen.
  • 18 und 19 sind Schnittansichten von lichtemittierenden Vorrichtungen gemäß anderen Ausführungsbeispielen. Die lichtemittierenden Vorrichtungen in 18 gezeigt, und 19 sind im Allgemeinen ähnlich zu der lichtemittierenden Vorrichtung in 15 gezeigt, und 16 mit der Ausnahme, dass die erste Vertiefung h1 einer einzigen Ebene oder einer konkaven Ebene besteht. Insbesondere ist die erste Vertiefung h1of der lichtemittierenden Vorrichtung in 18 gezeigt kann eine einzelne ebene abgeschrägte Ebene. Die erste Vertiefung h1of der lichtemittierenden Vorrichtung in 19 gezeigt können in einer konkaven Form ausgebildet sein, deren Neigung nimmt allmählich in Richtung der unteren Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312. Alternativ, wenn auch nicht in den Zeichnungen gezeigt, h1may die erste Vertiefung einer konvexen Ebene zusammengesetzt sein. Insbesondere h1may die erste Vertiefung in einer konvexen Form gebildet werden, deren Neigung nimmt allmählich in Richtung der unteren Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312. Mit dieser Struktur kann, da der Abstand zwischen dem ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 kann allmählich verringert werden, einen Abschnitt der Lage, Wärme von der lichtemittierenden Vorrichtung ableiten kann erhöht werden. Zur gleichen Zeit, da der Abstand zwischen den unteren Oberflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden 311 können 312 größer sein als der Abstand zwischen den oberen Bereichen 311b, 312b, ist es immer noch möglich, Trennung der ersten und zweiten Volumen Elektroden zu verhindern 311, 312 aufgrund eines Klebematerials, wie beispielsweise Lötzinn.
  • 20 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform. Die Licht emittierende Vorrichtung in 20 gezeigt ist, ist im allgemeinen ähnlich zu der lichtemittierenden Vorrichtung in 15 gezeigt, und 16, außer dass der Abstand L3 zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt 411 und dem zweiten Verbindungsabschnitt 412 größer sein kann als der Abstand L2 zwischen die unteren Bereiche 311a, 312a. In dieser Struktur, da der Abstand L3 zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt 411 und dem zweiten 412 Verbindungsabschnitt relativ lang ist, ist es möglich, effektiver Trennung der ersten und zweiten Verbindungsabschnitte 411, 412 aufgrund eines Klebematerials verhindern, wie beispielsweise Lötmittel, wenn die erste und zweite Masse-Elektroden 311, 312 sind auf dem Substrat 410 durch Lötverbindung oder eutektisches Bonden befestigt. Ferner kann, da das Klebematerial daran gehindert, in einen Bereich zwischen den unteren Oberflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden Trennung der ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 311, 312 entlang der ersten und zweiten Verbindungsabschnitte 411, 412, verhindert werden 312 mehr wirksam verhindert werden. Mit dieser Struktur kann die Lichtemittierende Vorrichtung elektrischen Stabilität sichern.
  • 21 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform. Bezugnehmend auf 21 wird ein Substrat 410 gemäß diesem Ausführungsbeispiel weist ferner eine Basis 413 mit einem ersten Verbindungsabschnitt 411 zu unterstützen und einen zweiten Verbindungsabschnitt 412. Das Substrat 410 kann ein Durchgangsloch umfassen V durch die Basis gebildet 413, in dem die Durchgangsloch-V auf einem ersten Bulkelektrode 311 und eine zweite Bulkelektrode 312 angeordnet sein. Insbesondere kann die Basis 413 ein Keramikmaterial umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein. Bezugnehmend auf 21, die Basis 413 kann ein metallisches Material umfassen, wie beispielsweise Cu, um die Wärmeableitung von der lichtemittierenden Vorrichtung zu verbessern. In diesem Ausführungsbeispiel, um den ersten Verbindungsabschnitt 411 und der zweite Verbindungsabschnitt 412 aus wird getrennt durch die Basis 413, ein Isolationsmaterial zu verhindern, kann zwischen den ersten und zweiten Verbindungsabschnitte 411, 412 und der Basis 413 angeordnet sein. Wie in 21 gezeigt, kann eine Innenfläche des Durchgangsloch-V durch den ersten Verbindungsabschnitt 411 oder dem zweiten Verbindungsabschnitt 412 abgedeckt werden. Ferner kann, obwohl die Durchgangsbohrung V als Hohlloch gezeigt ist, sollte es verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist. Alternativ kann das Innere der Durchgangsbohrung V mit einem leitfähigen Material gefüllt werden. Das Durchgangsloch V kann die erste Bulkelektrode 311 und die zweite Bulkelektrode 312 in vertikaler Richtung zu überlappen, angeordnet sein. Mit dieser Struktur kann die Licht emittierende Vorrichtung übertragene Wärme an die ersten und zweiten Bulkelektroden 311, 312 effizient durch den Innenraum des V Durchgangsloch abgeführt werden und die ersten und zweiten Verbindungsabschnitte 411, 412 im Inneren des Durchtritts angeordnet Loch V. Mit dieser Struktur kann die Licht emittierende Vorrichtung aufgrund der Hitze von leiden von Rissen oder Beschädigungen verhindert werden.
  • 22 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform. Obwohl die Lichtemittierende Vorrichtung 22 gezeigt, um die Licht emittierende Vorrichtung in 20 gezeigten ähnlich ist, gibt es einen Unterschied, dass das Durchgangsloch V nicht die erste Bulkelektrode 311 und die zweite Bulkelektrode 312 in der vertikalen Richtung überlappt,. nach außen fließt entlang der Durchgangsloch-V während des Prozesses der Montage der ersten Bulkelektrode 311 und die zweite Bulkelektrode 312 auf dem Substrat 410 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist es möglich, ein Klebematerial, wie beispielsweise Lötmittel zu verhindern. Ferner ist es auch möglich, die erste Bulkelektrode 311 und die zweite Bulkelektrode 312 vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen oder Verunreinigungen durch das Durchgangsloch zu verhindern V.
  • 23 ist eine perspektivische Explosionsansicht einer beispielhaften Beleuchtungsvorrichtung, auf die eine lichtemittierende Vorrichtung gemß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung angewendet wird.
  • Bezugnehmend auf 23, die Beleuchtungsvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform umfasst eine diffusive Abdeckung 1010, ein lichtemittierende Diodenmodul 1020 und einen Körper 1030. Der Körper 1030 kann das lichtemittierende DiodenModul 1020 empfangen und die diffusive Abdeckung 1010 kann an dem Körper 1030 angeordnet werden, um eine obere Seite der Licht abzudecken Diodenmodul 1020 zu emittieren.
  • Der Körper 1030 kann eine beliebige Form haben, solange der Körper elektrische Energie an das Licht liefern kann Diodenmodul emittiert 1020 beim Empfang und die Unterstützung der Lichtdiodenmodul 1020 zu emittieren. Zum Beispiel, wie in der Zeichnung gezeigt, kann der Körper 1030 gehören ein Körpergehäuse 1031, eine Stromversorgung 1033, eine Netzteilgehäuse 1035, und eine Stromquellenverbindungsabschnitt 1037.
  • Die Stromversorgung 1033 ist in der Netzteilgehäuse 1035 empfangen elektrisch mit dem lichtemittierenden Diodenmodul 1020 verbunden sein und kann mindestens einen IC-Chip enthalten. Der IC-Chip regeln kann, oder elektrische Energie an die Diodenmodul 1020 emittiert Licht versorgt steuern ändern. Das Netzteilgehäuse 1035 kann die Stromversorgung 1033 erhalten und zu unterstützen. Die Stromversorgung Fall 1035 die Stromversorgung 1033 gesichert, die darin innerhalb des Körpergehäuses 1031 angeordnet sein. Die Leistungsquellen-Verbindungsabschnitt 1037 ist an einem unteren Ende des Netzteilgehäuse 1035 angeordnet ist und daran gekoppelt ist. Dementsprechend ist die Leistungsquellen-Verbindungsabschnitt 1037 elektrisch mit der Stromversorgung 1033 verbunden, in der Netzteilgehäuse 1035 und kann als eine Passage, durch die Leistung dienen kann von einer externen Stromquelle an die Stromversorgung 1033 geliefert werden.
  • Das lichtemittierende Diodenmodul 1020 umfasst ein Substrat 1023 und eine lichtemittierende Diode 1021, die auf dem Substrat 1023 angeordnet ist. Das lichtemittierende Diodenmodul 1020 kann an einem oberen Bereich des Körpergehäuses 1031 angeordnet sein und elektrisch mit der Stromversorgung 1033 verbunden sein.
  • Als Substrat 1023 kommt jedes Substrat zum Einsatz, das in der Lage ist die leichtemittierende Diode ohne Einschränkung zu tragen. Beispielsweise kann das Substrat 1023 eine Leiterplatte mit auf ihm gebildeten Leiterbahnen umfassen. Das Substrat 1023 kann eine Form aufweisen entsprechend eines Sicherheitsbereich gebildet an einem oberen Bereich des Gehäusekörpers 1031 derart, damit es durch den Gehäusekörper stabil sicherbar ist. Die lichtemittierende Diode 1021 kann zumindest eine der lichtemittierenden Dioden umfassen, und die lichtemittierenden Vorrichtungen gemäß den oben beschriebenen Ausführungsformen.
  • Die diffusive Abdeckung 1010 ist auf der lichtemittierenden Diode 1021 angeordnet und kann an dem Körpergehäuse 1031 befestigt sein, um die lichtemittierende Diode 1021 zu bedecken. Die diffusive Abdeckung 1010 kann gebildet sein aus oder umfassen ein lichtdurchlässiges Material, und eine Lichtorientierung der Beleuchtungsvorrichtung kann anpassbar sein durch Regelung der Form und optische Durchlässigkeit der diffusiven Abdeckung 1010. Als solche kann die diffusive Abdeckung 1010 in verschiedene Formen modifizierbar sein in Abhängigkeit eines Gebrauchs und Anwendung der Beleuchtungsvorrichtung.
  • 24 ist eine Schnittansicht einer beispielhaften Anzeigevorrichtung, in welcher eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einiger Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung anwendbar ist.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß dieser Ausführungsform umfasst eine Anzeigetafel 2110, eine Hintergrundbeleuchtungseinheit, welche Licht an das Anzeigefeld 2110 liefert, und eine Panelführung, welche eine untere Kante der Anzeigetafel 2110 stützt.
  • Die Anzeigetafel 2110 ist insbesondere nicht beschränkt und kann zum Beispiel eine Flüssigkristalltafel mit einer Flüssigkristallschicht sein. Eine Gate-Antrieb PCB kann ferner an einer Kante der Anzeigetafel 2110 angeordnet sein um Ansteuersignale an eine Gate-Leitung zu liefern. Hier können die Gate-Antrieb PCBs 2112 und 2113 an einem Dünnschichttransistorsubstrat anstatt auf separaten PCBs gebildet sein.
  • Die Hintergrundbeleuchtungseinheit umfasst ein Lichtquellenmodul, welches mindestens ein Substrat und eine Vielzahl von lichtemittierenden Dioden 2160 umfasst. Die Hintergrundbeleuchtungseinheit kann ferner umfassen eine untere Abdeckung 2180, eine reflektierende Folie 2170, eine Diffusionsplatte 2131 und optischen Folien 2130.
  • Die untere Abdeckung 2180 kann an einer oberen Seite davon offen sein, um das Substrat, die lichtemittierenden Dioden 2160, die reflektierende Folie 2170, die Diffusionsplatte 2131 und die optischen Folien 2130 aufzunehmen. Zusätzlich kann die untere Abdeckung 2180 mit dem Plattenleiter verbunden sein Das Substrat kann unter der reflektierenden Folie 2170 angeordnet sein, um durch die reflektierenden Folie 2170 umgeben zu sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass andere Implementierungen möglich sind. Wenn ein reflektierendes Material auf eine oberen Fläche davon aufgetragen wird, kann das Substrat auf der reflektierenden Folie 2170 angeordnet sein. Ferner kann in dieser Ausführungsform kann eine Vielzahl von Substraten parallel zueinander angeordnet sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass andere Implementierungen möglich sind und das Lichtquellenmodul auch ein einziges Substrat umfassen kann.
  • Die lichtemittierende Dioden 2160 können zumindest eine der lichtemittierenden Dioden umfassen und die lichtemittierenden Vorrichtungen gemäß den oben beschriebenen Ausführungsformen. Die lichtemittierende Dioden 2160 können in einem regelmäßigen Muster in einem vorbestimmten Muster auf dem Substrat angeordnet sein. Zusätzlich kann eine Linse 2210 auf jeder der lichtemittierende Dioden 2160 angeordnet sein, um eine Gleichmäßigkeit des Lichts, das von der Vielzahl von lichtemittierenden Dioden 2160 emittiert wird, zu verbessern.
  • Die diffusive Platte 2131 und die optischen Folien 2130 sind auf den lichtemittierenden Vorrichtungen 2160 angeordnet. Licht, das von den lichtemittierenden Vorrichtungen 2160 emittiert wird, kann in Form eines Flächenlichts zu der Anzeigefeld 2110 durch die diffusive Platte 2131 und den optischen Folien 2130 zuführbar sein.
  • Auf diese Weise können die lichtemittierende Dioden entsprechend den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung als direkt Typ Anzeigen wie die Anzeige gemäß dieser Ausführungsform anwendbar sein.
  • 25 ist eine Schnittansicht einer beispielhaften Anzeigevorrichtung, an die eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung angewendet wird.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß dieser Ausführungsform umfasst ein Anzeigefeld 3210 auf dem ein Bild angezeigt wird, und eine Hintergrundbeleuchtungseinheit angeordnet an der Rückseite der Anzeigetafel 3210 und Licht darauf emittierend. Ferner umfasst die Anzeigevorrichtung einen Rahmen 240, um die Anzeigetafel 3210 zu tragen und die Hintergrundbeleuchtungseinheit aufzunehmen, und Abdeckungen 3240 und 3280, welche die Anzeigetafel 3210 umgiben.
  • Die Anzeigetafel 3210 ist insbesondere nicht beschränkt und kann sein oder umfassen, beispielsweise eine Flüssigkristalltafel mit einer Flüssigkristallschicht. Eine Gate-Antrieb PCB kann ferner an einer Kante der Anzeigetafel 3210 angeordnet sein um Ansteuersignale an eine Gate-Leitung zu liefern. Hier kann die Gate-Antrieb PCB an einem Dünnschichttransistorsubstrat anstatt auf einer separaten Leiterplatte gebildet sein. Die Anzeigetafel 3210 wird durch die an den oberen und unteren Seiten derselben angeordneten Abdeckungen 3240 und 3280 gesichert, und die Abdeckung 3280 angeordnet an der unteren Seite der Anzeigetafel 3210 kann zu der Hintergrundbeleuchtungseinheit gekoppelt sein.
  • Die Hintergrundbeleuchtungseinheit, welche Licht zu dem Anzeigefeld 3210 liefert, umfasst eine untere Abdeckung 3270, welche teilweise offen an einer oberen Seite davon ist, ein Lichtquellenmodul angeordnet an einer Seite innerhalb der unteren Abdeckung 3270, und eine Lichtleiterplatte 3250 parallel angeordnet zu dem Lichtquellenmodul und umwandelnd Punkt in Flächenlicht. Darüber hinaus kann die Hintergrundbeleuchtungseinheit gemäß dieser Ausführungsform ferner optische Platten 3230 angeordnet auf der Lichtleiterplatte 3250 umfassen, um Licht zu verbreiten und zu sammeln, und eine reflektierende Folie 3260 angeordnet an einer unteren Seite der Lichtleiterplatte 3250 und reflektierend Licht, das in eine Abwärtsrichtung der Lichtführungsplatte 3250 in Richtung der Anzeigetafel 3210 strahlt.
  • Das Lichtquellenmodul umfasst ein Substrat 3220 und eine Vielzahl von lichtemittierenden Dioden 3110 angeordnet in konstanten Intervallen auf einer Oberfläche des Substrats 3220. Als Substrat 3220, kommt jedes Substrat ohne Einschränkung in Frage, das in der Lage ist die lichtemittierenden Dioden 3110 zu stützen und elektrisch damit verbunden ist. Beispielsweise kann das Substrat 3220 eine gedruckte Leiterplatte umfassen.
  • Die lichtemittierenden Dioden 3110 können zumindest eine der lichtemittierenden Dioden und die lichtemittierenden Vorrichtungen gemäß der oben beschriebenen Ausführungsformen vorliegenden Offenbarung umfassen. Licht emittiert von dem Lichtquellenmodul tritt in die Lichtleiterplatte 3250 ein und wird durch die optischen Folien 3230 an das Anzeigefeld 3210 geführt. Die Lichtleiterplatte 3250 und die optischen Folien 3230 konvertieren Punktlicht emittiert von den lichtemittierenden Dioden in Flächenlicht.
  • Auf diese Weise können die lichtemittierende Dioden entsprechend den Ausführungsformen zu Kantentyp Anzeigen wie in der Anzeige gemäß dieser Ausführungsform gezeigt, angewendet werden.
  • 26 ist eine Schnittansicht eines beispielhaften Scheinwerfers in welcher eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einiger Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, angewendet wird.
  • Bezugnehmend auf 26 umfasst der Scheinwerfer einen Lampenkörper 4070, ein Substrat 4020, eine lichtemittierende Diode 4010 und eine Decklinse 4050. Der Scheinwerfer kann ferner eine Wärmeverteilungseinheit 4030, ein Trägergestell 4060 und ein Verbindungselement 4040 umfassen.
  • Das Substrat 4020 wird durch das Trägergestell 4060 gesichert und ist über dem Lampenkörper 4070 angeordnet. Als das Substrat 4020, kann jedes Element ohne Einschränkung zum Einsatz kommen, welches in der Lage ist die lichtemittierende Diode 4010 zu tragen. Zum Beispiel kann das Substrat 4020 ausgebildet sein als oder umfassen ein Substrat mit einem leitfähigem Muster, wie beispielsweise eine Leiterplatte. Die lichtemittierende Diode 4010 ist auf dem Substrat 4020 angeordnet und kann durch das Substrat 4020 getragen und gesichert werden. Zusätzlich kann die lichtemittierende Diode 4010 elektrisch mit einer externen Stromquelle durch das leitfähige Muster des Substrats 4020 verbunden sein. Weiter kann mindestens eine der lichtemittierenden Dioden und die lichtemittierenden Vorrichtungen gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung die Lichtemittierende Diode 4010, wie oben beschrieben, umfassen.
  • Die Decklinse 4050 ist auf einem Lichtweg, der durch die lichtemittierenden Diode 4010 erzeugt wird, angeordnet. Zum Beispiel, wie in der Zeichnung gezeigt, kann die Decklinse 4050 durch das Verbindungselement 4040 von der lichtemittierende Diode 4010 einen Abstand aufweisen und kann in einer Richtung von zugeführten Licht von der lichtemittierenden Diode 4010 angeordnet sein. Durch die Decklinse 4050, kann ein Orientierungswinkel und/oder eine Farbe des durch den Scheinwerfer abgestrahlten Lichts eingestellt werden. Andererseits ist das Verbindungselement 4040 angeordnet, um die Decklinse 4050 auf dem Substrat 4020 zu sichern, während die lichtemittierende Diode 4010 umgeben wird und kann somit als Lichtleiter wirken, der einen Lichtpfad 4045 zur Verfügung stellt. Das Verbindungselement 4040 kann ausgebildet sein oder umfassen ein lichtreflektierendes Material oder damit beschichtet sein. Andererseits kann die Wärmeverteilungseinheit 4030 Wärmeverteilungsrippen 4031 und/oder einen Wärmeverteilungsventilator 4033 umfassen, und verteilt erzeugte Wärme nach Inbetriebnahme der lichtemittierenden Diode 4010.
  • Auf diese Weise können die lichtemittierenden Dioden gemäß der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung insbesondere in Scheinwerfern, insbesondere Scheinwerfer für Fahrzeuge, wie die Anzeigevorrichtung gemäß diesem Ausführungsbeispiel, anwendbar sein.
  • Obwohl einige beispielhafte Ausführungsformen hierin offenbart sind, sollte verstanden werden, dass diese Ausführungsformen nicht abschließend sein soll. Beispielsweise sind einzelne Strukturen, Elemente oder Merkmale einer bestimmten Ausführungsform nicht auf diese spezielle Ausführungsform beschränkt und können auf andere Ausführungsformen angewendet werden, ohne vom Kerngedanken und Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.

Claims (58)

  1. Lichtemittierende Vorrichtung, umfassend: eine lichtemittierenden Struktur, die eine erste leitfähige Halbleiterschicht, eine zweite leitfähige Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen den ersten und zweiten leitfähigen Halbleiterschichten angeordnet ist; eine erste Kontaktelektrode und eine zweite Kontaktelektrode, welche auf der lichtemittierenden Struktur angeordnet sind und einen ohmschen Kontakt mit den ersten beziehungsweise den zweiten leitfähigen Halbleiterschichten ausbilden; eine Isolationsschicht, wobei die Isolationsschicht auf der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist und wobei die Isolationsschicht die erste Kontaktelektrode und die zweite Kontaktelektrode voneinander isoliert; eine erste Bulkelektrode und eine zweite Bulkelektrode, welche auf der lichtemittierenden Struktur angeordnet sind und elektrisch mit den ersten beziehungsweise den zweiten Kontaktelektroden verbunden sind; eine Isolationsträgerschicht, die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden und Bereiche der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedecken und mit einer ersten Öffnung und einer zweiten Öffnung, welche teilweise die oberen Flächen der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektroden freilegen; und eine erste Anschlusselektrode und eine zweite Anschlusselektrode, welche zumindest teilweise die erste beziehungsweise die zweite Öffnungen füllen, wobei Bereiche der freigelegten Bereiche auf den oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden freigelegt durch die ersten und zweiten Öffnungen kleiner sind als horizontale Querschnittsbereiche der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektrode.
  2. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden kleiner ist als ein Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Öffnungen.
  3. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden 100 Mikrometer oder weniger ist.
  4. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Öffnungen 80 Mikrometer oder mehr ist.
  5. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Isolationsträgerschicht eine untere Isolationsträgerschicht umfasst, welche Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedeckt, und eine obere Isolationsträgerschicht, welche die Abschnitte der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedeckt, umfassen und die oberen und unteren Isolationsträgerschichten aus dem gleichen Material oder verschiedenen Materialien gebildet sind.
  6. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei die obere Isolationsträgerschicht eine Schnittstelle zwischen der ersten Bulkelektrode und der unteren Isolationsträgerschicht und eine Schnittstelle zwischen der zweiten Bulkelektrode und der unteren Isolationsträgerschicht bedeckt.
  7. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die oberen und unteren Isolationsträgerschichten aus unterschiedlichen Materialien gebildet sind und die obere Isolationsträgerschicht ein Fotoresist oder ein Foto-Lötstopplack umfasst.
  8. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine obere Fläche der ersten Anschlusselektrode, eine untere Fläche der zweiten Anschlusselektrode und eine obere Fläche der Isolationsträgerschicht zueinander bündig angeordnet sind.
  9. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Isolationsschicht eine erste Isolationsschicht und eine zweite Isolationsschicht umfasst, die erste Isolationsschicht die zweite Kontaktelektrode teilweise bedeckt, die erste Kontaktelektrode teilweise die erste Isolationsschicht bedeckt, die zweite Isolationsschicht teilweise die erste Kontaktelektrode bedeckt und umfassend eine dritte Öffnung und eine vierte Öffnung, welche teilweise die erste Kontaktelektrode beziehungsweise die zweite Kontaktelektrode freilegen.
  10. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei die erste Bulkelektrode mit der ersten Kontaktelektrode durch die dritte Öffnung elektrisch verbunden ist, und die zweite Bulkelektrode elektrisch mit der zweiten Kontaktelektrode durch die vierte Öffnung verbunden ist.
  11. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 9 ferner umfassend: eine Verbindungselektrode angeordnet zwischen der zweiten Kontaktelektrode und der zweiten Bulkelektrode.
  12. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei eine obere Fläche der Verbindungselektrode aus dem gleichen Material wie die erste Kontaktelektrode ausgebildet ist.
  13. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei eine obere Fläche der Verbindungselektrode mit einer oberen Oberfläche der ersten Kontaktelektrode bündig abschließt.
  14. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die lichtemittierende Struktur zumindest ein Loch umfasst, welches die erste leitfähige Halbleiterschicht teilweise freigelegt, und die erste Kontaktelektrode ist elektrisch mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht durch die zumindest eine Öffnung verbunden.
  15. Lichtemittierende Vorrichtung umfassend: eine lichtemittierende Struktur mit einer ersten leitfähigen Halbleiterschicht, einer zweiten leitfähigen Halbleiterschicht und einer aktiven Schicht, wobei die aktive Schicht zwischen den ersten und zweiten leitfähigen Halbleiterschichten angeordnet ist; eine erste Kontaktelektrode und eine zweite Kontaktelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und ausbildend einen ohmschen Kontakt mit den ersten beziehungsweise den zweiten leitfähigen Halbleiterschichten; eine Isolationsschicht angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und isolierend die erste Kontaktelektrode von der zweiten Kontaktelektrode; eine erste Bulkelektrode und eine zweite Bulkelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und elektrisch verbunden mit den ersten beziehungsweise zweiten Kontaktelektroden; und einer Isolationsträgerschicht, die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden und Abschnitte der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedecken und umfassend eine erste Öffnung und eine zweite Öffnung, welche teilweise die oberen Flächen der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektroden freilegen, wobei ein Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Öffnungen größer als ein Trennungsabstand zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden ist.
  16. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die zweite leitfähige Halbleiterschicht eine p-leitende Halbleiterschicht ist, und ein Bereich eines freigelegten Bereiches der oberen Fläche der zweiten Bulkelektrode, welcher durch die zweite Öffnung freigelegt ist, größer ist als ein Kontaktbereich zwischen der zweiten Bulkelektrode und der zweiten Kontaktelektrode.
  17. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die erste leitfähige Halbleiterschicht eine n-leitende Halbleiterschicht ist, und ein Bereich eines freigelegten Bereiches der oberen Fläche der ersten Bulkelektrode, welcher durch die erste Öffnung freigelegt ist, kleiner ist als ein Kontaktbereich zwischen der ersten Bulkelektrode und der ersten Kontaktelektrode.
  18. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, wobei eine horizontale Querschnittsfläche der ersten Bulkelektrode größer ist als diejenige der zweiten Bulkelektrode.
  19. Lichtemittierende Vorrichtung umfassend: eine lichtemittierende Struktur, die eine erste leitfähige Halbleiterschicht, eine zweite leitfähige Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen den ersten und zweiten leitfähigen Halbleiterschichten angeordnet ist; eine erste Kontaktelektrode und eine zweite Kontaktelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und ausbildend einen ohmschen Kontakt mit den ersten beziehungsweise zweiten leitfähigen Halbleiterschichten; eine Isolationsschicht angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und isolierend die erste Kontaktelektrode und die zweite Kontaktelektrode voneinander; eine erste Bulkelektrode und eine zweite Bulkelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und elektrisch verbunden mit den ersten beziehungsweise zweiten Kontaktelektroden; und eine Isolationsträgerschicht, die Seitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden und Bereiche der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden bedeckt und mit einer ersten Öffnung und einer zweiten Öffnung teilweise freilegend die oberen Flächen der ersten beziehungsweise zweiten Bulkelektroden, wobei die Isolationsträgerschicht zwischen den ersten und zweiten Bulkelektroden und auf Bereichen der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden über Seitenflächen der ersten und der zweiten Bulkelektroden einander gegenüber angeordnet sind, angeordnet ist.
  20. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei die Isolationsträgerschicht auf der äußeren Umfangsseitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden und auf Bereichen der oberen Flächen der ersten und zweiten Bulkelektroden über die äußeren Umfangsseitenflächen der ersten und zweiten Bulkelektroden angeordnet ist.
  21. Lichtemittierende Vorrichtung umfassend: eine lichtemittierende Struktur mit einer ersten leitfähigen Halbleiterschicht, einer zweiten leitfähige Halbleiterschicht und eine aktive Schicht, wobei die aktive Schicht zwischen den ersten und zweiten leitfähigen Halbleiterschichten angeordnet ist; eine erste Kontaktelektrode und eine zweite Kontaktelektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und ausbildend einen ohmschen Kontakt mit den ersten beziehungsweise zweiten leitfähigen Halbleiterschichten; erste und zweite Isolationsschichten teilweise bedeckend die erste Kontaktelektrode beziehungsweise die zweite Kontaktelektrode; eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode angeordnet auf der lichtemittierenden Struktur und elektrisch verbunden mit den ersten beziehungsweise zweiten Kontaktelektroden; eine Isolationsträgerschicht, die Seitenflächen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode bedeckt; eine Verbindungsschicht angeordnet auf der ersten Elektrode, der zweiten Elektrode und der Isolationsträgerschicht; und eine erste Anschlusselektrode und eine zweite Anschlusselektrode angeordnet auf der Verbindungsschicht, wobei die erste Anschlusselektrode und die zweite Anschlusselektrode elektrisch mit der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode durch die Verbindungsschicht verbunden sind, eine horizontale Fläche der ersten Anschlusselektrode ist kleiner als die der ersten Elektrode, und eine horizontale Fläche der zweiten Anschlusselektrode ist größer als die der zweiten Elektrode.
  22. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei die erste Elektrode auf einem ohmschen Kontaktbereich zwischen der ersten Kontaktelektrode und der ersten leitfähigen Halbleiterschicht angeordnet ist.
  23. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 22, wobei der ohmsche Kontaktbereich zwischen der ersten Kontaktelektrode und der ersten leitfähigen Halbleiterschicht nicht unter der zweiten Elektrode angeordnet ist.
  24. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 22, wobei die erste Kontaktelektrode eine Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen umfasst kontaktierend die erste leitfähige Halbleiterschicht um damit einen ohmschen Kontakt zu bilden, und die erste Elektrode kontaktiert alle der Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen der ersten Kontaktelektrode.
  25. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 22, wobei die erste Kontaktelektrode eine Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen umfasst kontaktierend die erste leitende Halbleiterschicht um damit einen ohmschen Kontakt zu bilden, und die erste Elektrode kontaktiert einige der Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen der ersten Kontaktelektrode.
  26. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 25, ferner umfassend: eine erste Verbindungschicht angeordnet unter der ersten Elektrode; und eine zweite Verbindungsschicht angeordnet unter der zweiten Elektrode wobei ein Bereich der ersten Verbindungsschicht die erste Kontaktelektrode kontaktiert und ein Bereich der zweiten Verbindungsschicht die zweite Kontaktelektrode kontaktiert.
  27. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 26, wobei die zweite Isolationsschicht teilweise zwischen der ersten Verbindungsschicht und der ersten Kontaktelektrode angeordnet ist.
  28. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei horizontale Querschnittsfläche der ersten Elektrode das 0,8-fache bis weniger als 1-fache der Summe der horizontalen Querschnittsflächen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ist.
  29. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei die erste Anschlusselektrode die gleiche horizontale Fläche wie die zweite Anschlusselektrode aufweist.
  30. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei die Verbindungsschicht umfasst: eine Isolationsmaterialschicht; eine erste Verbindungsschicht elektrisch verbindend die erste Elektrode mit der ersten Anschlusselektrode und durchdringend die Isolationsmaterialschicht; und eine zweite Verbindungsschicht elektrisch verbindend die zweite Elektrode mit der zweiten Anschlusselektrode und durchdringend die Isolationsmaterialschicht.
  31. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 21 ferner umfassend: eine Vielzahl von zweiten Elektroden, wobei die Vielzahl der zweiten Elektroden mit den zweiten Anschlusselektroden elektrisch verbunden ist.
  32. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei die erste Kontaktelektrode eine Vielzahl von ohmschen Kontaktbereichen umfasst, welche die erste leitfähige Halbleiterschicht um ohmschen Kontakt damit auszubilden kontaktiert, und einige der Vielzahl von ohmschen Kontaktbereiche sind zwischen den zweiten Elektroden angeordnet.
  33. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei jede der ersten und zweiten Elektroden Metallpartikel und ein nicht-metallisches Material, das zwischen den Metallpartikeln angeordnet ist, umfassen.
  34. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 33, wobei die Metallpartikel und das nichtmetallische Material die, Form von gesinterten Metallpartikeln annehmen.
  35. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 34, wobei jedes der ersten und der zweiten Elektroden eine geneigte Seitenfläche umfasst, und die geneigte Seitenfläche eine Seitenfläche umfasst, auf dem ein Gradient einer tangentialen Linie eines vertikalen Querschnitts von jeder der ersten und zweiten Elektrode in Bezug auf die Seitenfläche variiert.
  36. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 33, wobei jede der ersten und zweiten Elektroden 80 Gewichtsprozent bis 98 Gewichtsprozent der Metallpartikel umfassen.
  37. Die Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 21, wobei die lichtemittierende Struktur ferner umfasst, einen teilweise freigelegten Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht gebildet durch teilweises Entfernen der aktiven Schicht und der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht und die erste Kontaktelektrode ohmschen Kontakt mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht durch den teilweise freigelegten Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht bildet.
  38. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei der teilweise freiliegende Bereich der ersten leitfähigen Halbleiterschicht die Form einer Vielzahl von Löchern annimmt.
  39. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 38, wobei die zweite Kontaktelektrode auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht angeordnet ist; die erste Isolationsschicht die zweite Kontaktelektrode und die lichtemittierende Struktur bedeckt und eine erste Öffnung und eine zweite Öffnung umfasst, welche einen Bereich des freigelegten Bereichs der ersten leitfähigen Halbleiterschicht beziehungsweise einen Bereich der zweiten Kontaktelektrode freigelegt; die erste Kontaktelektrode kann zumindest teilweise die erste Isolationsschicht bedecken, während durch die erste Öffnung die ersten leitfähigen Halbleiterschicht kontaktierbar ist; und die zweite Isolationsschicht teilweise die erste Kontaktelektrode bedeckt und eine dritte Öffnung teilweise freilegend die erste Kontaktelektrode umfasst, und eine vierte Öffnung ausgebildet an einer Stelle, welche der zweiten Öffnung entspricht, und welche einen Bereich der zweiten Kontaktelektrode freigelegt.
  40. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 39, wobei die erste Elektrode die erste Kontaktelektrode durch die dritte Öffnung kontaktiert, die zweite Elektrode die zweite Kontaktelektrode durch die vierte Öffnung kontaktiert, und alle der Vielzahl der Löcher unter einem Bereich der dritten Öffnung angeordnet ist.
  41. Lichtemittierende Vorrichtung umfassend: eine lichtemittierende Struktur mit einer ersten leitfähigen Halbleiterschicht, einer zweiten leitfähigen Halbleiterschicht, wobei die zweite Halbleiterschicht auf der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist und eine aktive Schicht angeordnet zwischen der ersten leitfähigen Halbleiterschicht und der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht; eine erste Elektrode, die elektrisch mit der ersten leitfähigen Halbleiterschicht verbunden ist; eine zweite Elektrode, die auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht angeordnet und elektrisch mit dem zweiten leitfähigen Halbleiterschicht verbunden ist; eine Trägerstruktur mit einer ersten Metallmasse und einer zweiten Bulkelektrode, welche auf der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode derart angeordnet ist, das diese voneinander getrennt sind und mit der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind, und eine Isolationsträgerschicht, welche zwischen der ersten Metallmasse und der zweiten Metallmasse angeordnet ist; und ein Substrat, welches zu dem Trägerstruktur benachbart angeordnet ist, wobei jedes der ersten und zweiten Metallmassen einen oberen Bereich und einen unteren Bereich umfassen, das Substrat umfasst einen ersten Verbindungsabschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt, welche elektrisch zu der ersten Metallmasse beziehungsweise der zweiten Metallmasse verbunden sind, und ein Abstand zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt größer ist als ein Abstand zwischen den oberen Bereichen.
  42. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 41, wobei die erste Metallmasse eine der zweiten Massenelektrode zugewandte erste Ebene und eine zweite Ebene gegenüberliegend zu der ersten Ebene umfasst; die zweite Metallmasse eine der ersten Metallmasse zugewandte dritte Ebene umfasst und eine vierte Ebene gegenüberliegend zu der dritten Ebene umfasst; und die ersten und zweiten Metallmasse eine erste Vertiefung ausgehend von unteren Kanten der ersten beziehungsweise dritten Ebene umfassen.
  43. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 42, wobei die erste Vertiefung aus einer einzigen Ebene besteht.
  44. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 42, wobei die erste Vertiefung aus einer konvexen Ebene oder einer konkaven Ebene zusammengesetzt ist.
  45. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 42, wobei die erste Vertiefung aus einer Vielzahl von Ebenen zusammengesetzt ist.
  46. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 42, wobei jede der ersten und zweiten Metallmassen eine zweite Vertiefung eingedrückt von der unteren Kanten der zweiten beziehungsweise vierten Ebenen umfasst.
  47. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 41, wobei ein Abstand zwischen den unteren Bereichen größer ist als der Abstand zwischen den oberen Bereichen ist.
  48. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 47, wobei der Abstand zwischen den oberen Bereichen 100 Mikrometer oder weniger beträgt.
  49. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 47, wobei der Abstand zwischen den unteren Bereichen 250 Mikrometer oder weniger beträgt.
  50. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 41, wobei der Abstand zwischen dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt größer als ein Abstand zwischen den unteren Bereichen ist.
  51. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 41, wobei die erste Metallmasse und die zweite Metallmasse eine Dicke aufweist, die ein 5 bis 20 fache der Dicke der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode beträgt.
  52. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 41, ferner umfassend: eine erste Isolationsschicht, welche eine untere Fläche der lichtemittierenden Struktur und untere und Seitenflächen der zweiten Elektrode bedeckt und zwischen der lichtemittierenden Struktur und der ersten Elektrode angeordnet ist, um die erste Elektrode von der zweiten Elektrode zu isolieren.
  53. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 41 ferner umfassend: eine zweite Isolationsschicht, welche einen Teil der ersten Elektrode bedeckt.
  54. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 41, wobei das Substrat ferner eine Basis umfasst, wobei die Basis den ersten Verbindungsabschnitt und den zweiten Verbindungsabschnitt stützt, wobei das Substrat ein Durchgangsloch durch die Basis umfasst.
  55. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 54, wobei das Durchgangsloch auf der ersten Metallmasse und der zweiten Metallmasse angeordnet ist.
  56. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 54, wobei sich das Durchgangsloch nicht mit der ersten Metallmasse und der zweiten Metallmasse in vertikaler Richtung überschneidet.
  57. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 41, wobei jedes der ersten und zweiten Metallmassen eine monolithische Schicht ist.
  58. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 41, ferner umfassend: ein Lot zwischen der ersten Metallmasse und dem ersten Verbindungsabschnitt und zwischen der zweiten Metallmasse und dem zweiten Verbindungsabschnitt.
DE112015005124.4T 2014-11-12 2015-11-12 Lichtemittierende Diode Pending DE112015005124T5 (de)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140156839A KR102263066B1 (ko) 2014-11-12 2014-11-12 발광 소자
KR10-2014-0156839 2014-11-12
KR10-2014-0179554 2014-12-12
KR1020140179554A KR102347483B1 (ko) 2014-12-12 2014-12-12 발광 소자
KR10-2015-0021888 2015-02-12
KR1020150021888A KR102329776B1 (ko) 2015-02-12 2015-02-12 금속 벌크를 포함하는 발광 소자
PCT/KR2015/012153 WO2016076637A1 (en) 2014-11-12 2015-11-12 Light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112015005124T5 true DE112015005124T5 (de) 2017-08-24

Family

ID=55954644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112015005124.4T Pending DE112015005124T5 (de) 2014-11-12 2015-11-12 Lichtemittierende Diode

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10249798B2 (de)
DE (1) DE112015005124T5 (de)
WO (1) WO2016076637A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019106546A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102020215562A1 (de) 2020-12-09 2022-06-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements, verfahren zur herstellung elektrischer kontakte und optoelektronisches halbleiterbauelement

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10283685B2 (en) * 2014-09-26 2019-05-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
JP2017050358A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
KR20180087302A (ko) * 2015-11-20 2018-08-01 루미리즈 홀딩 비.브이. 개선된 led 디바이스 성능 및 신뢰성을 위한 콘택 에칭 및 금속화
JP7118427B2 (ja) 2016-06-20 2022-08-16 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 半導体素子
KR102524303B1 (ko) 2016-09-10 2023-04-24 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
JP7403797B2 (ja) 2016-09-13 2023-12-25 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 半導体素子およびこれを含む半導体素子パッケージ
KR102650341B1 (ko) * 2016-11-25 2024-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
DE102016124380A1 (de) * 2016-12-14 2018-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
CN106784390A (zh) * 2017-03-06 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 用于显示面板的基板及其制作方法、显示面板及封装方法
DE102017111279A1 (de) 2017-05-23 2018-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
KR102390828B1 (ko) 2017-08-14 2022-04-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
KR102607596B1 (ko) * 2018-05-11 2023-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
CN111128899B (zh) * 2018-10-31 2022-03-22 成都辰显光电有限公司 外延基板及其制造方法
KR20210040209A (ko) * 2019-10-02 2021-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20210288222A1 (en) * 2020-03-11 2021-09-16 Lumileds Llc Light Emitting Diode Devices With Common Electrode
CN114188450B (zh) * 2021-12-06 2023-05-26 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 一种增强抗eos能力的倒装led芯片的制作方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8349721B2 (en) * 2008-03-19 2013-01-08 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming insulating layer on conductive traces for electrical isolation in fine pitch bonding
US8058669B2 (en) * 2008-08-28 2011-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitting diode integration scheme
JPWO2012086517A1 (ja) * 2010-12-20 2014-05-22 ローム株式会社 発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP2013021175A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Toshiba Corp 半導体発光素子
KR101362081B1 (ko) * 2012-12-28 2014-02-13 주식회사 위뷰 발광 소자
JP6307907B2 (ja) * 2013-02-12 2018-04-11 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
US9577172B2 (en) * 2013-02-19 2017-02-21 Koninklijke Philips N.V. Light emitting die component formed by multilayer structures
KR101967837B1 (ko) * 2013-03-11 2019-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
JP2014179469A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Toshiba Corp 半導体発光素子、発光装置及び半導体発光素子の製造方法
US9543488B2 (en) * 2014-06-23 2017-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019106546A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102020215562A1 (de) 2020-12-09 2022-06-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements, verfahren zur herstellung elektrischer kontakte und optoelektronisches halbleiterbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
US20160365486A1 (en) 2016-12-15
US10249798B2 (en) 2019-04-02
WO2016076637A1 (en) 2016-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112015005124T5 (de) Lichtemittierende Diode
DE102009018603B9 (de) Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE112015003963T5 (de) Leuchtdiode
US10008642B2 (en) Semiconductor light emitting devices
DE102005013264B4 (de) Herstellverfahren für eine Festkörperelementvorrichtung
DE112005003841B4 (de) Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen
DE112011106156B4 (de) Lichtemittierende Diodeneinheit auf Waferebene
DE10221504B4 (de) Mehrchip-LED-Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE10213701B4 (de) Hoch reflektierende ohmsche Kontakte für AlGaln-Flip-Chip-LEDs
DE10325951B4 (de) Licht emittierende Diode mit zugehörigem Kontaktschema
DE112016004262T5 (de) Selbstausrichtender freischwebender Spiegel für Durchkontaktierungen
DE112017006432T5 (de) Hochzuverlässige lumineszenzdiode
US10236418B2 (en) Light-emitting element comprising a plurality of wavelength converters, and production method therefor
DE112016000731T5 (de) Lichtaussendeelement und leuchtdiode
DE202011110024U1 (de) Weisslichtgerät
DE212016000126U1 (de) Hintergrundbeleuchtungseinheit unter Verwendung von Mehrzellen-Leuchtdioden
DE112011103482T5 (de) Hochspannungs-LEDs ohne Drahtverbindung
US9847456B2 (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
DE102017210114A1 (de) Vertikale lichtemittierende diode mit einer elektrodenkonfiguration und lichtemittierendes dioden-package umfassend dieselbe
DE202010017388U1 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung
DE102011080458A1 (de) Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung
DE112016002072T5 (de) Emissionseinrichtung für ultraviolette strahlen
DE102012101560B4 (de) Leuchtdiodenvorrichtung
DE112016002190T5 (de) Interposer
EP2279534B1 (de) Led-element mit dünnschicht-halbleiterbauelement auf galliumnitrid-basis

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed