DE202010017388U1 - Lichtemittierende Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100), welche aufweist: eine lichtemittierende Struktur (135), welche eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (110), eine aktive Schicht (120), die unterhalb der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps (110) angeordnet ist, und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (130), die unterhalb der aktiven Schicht (120) angeordnet ist, aufweist; eine Kanalschicht (140) und eine Reflexionsschicht (150) unterhalb der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (130); eine Stromsperrschicht (145), die in einem Teilbereich zwischen der Reflexionsschicht (150) und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (130) ausgebildet ist; eine Haftschicht (160) unterhalb der Reflexionsschicht (150); ein leitfähiges Stützteil (170) unterhalb der Haftschicht (160); und eine Elektrode (115) auf der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps (110), wobei die Reflexionsschicht (150) eine untere innere Seite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (130) kontaktiert und die Kanalschicht (140) einen unteren Rand der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (130) kontaktiert, und wobei die Haftschicht (160) eine obere...

Description

  • HINTERGRUND
  • 1. Gebiet
  • Hierin wird eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung offenbart.
  • 2. Hintergrund
  • Lichtemittierende Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen derselben sind bekannt. Sie leiden jedoch unter verschiedenen Nachteilen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Unter Bezugnahme auf die nachstehenden Zeichnungen werden Ausführungsbeispiele im Detail beschrieben werden, in denen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Bauteile beziehen, und wobei:
  • 1 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel ist;
  • 1A eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 2 eine Schnittansicht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung von 1 entlang einer Linie II-II ist;
  • 3 bis 13 Schnittansichten sind, die ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel darstellen;
  • 14 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 15 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 16 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 17 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 18 eine Schnittansicht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung von 17 entlang einer Linie XVIII-XVIII ist;
  • 19 eine Schnittansicht ist, die ein abgewandeltes Ausführungsbeispiel der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung der 18 darstellt;
  • 20 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 21 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 22 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 23 eine Schnittansicht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung von 22 entlang einer Linie XXIII-XXIII ist;
  • 24 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 25 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 26 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 27 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 28 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 29 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 30 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 31 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 32 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 33 eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel ist;
  • 34 bis 42 Schnittansichten von lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gemäß zusätzlichen Ausführungsbeispielen sind; und
  • 43 eine Schnittansicht einer Baugruppe mit einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel ist.
  • GENAUE BESCHREIBUNG
  • Es wird nun im Einzelnen auf Ausführungsbeispiele Bezug genommen werden, für welche in den beigefügten Zeichnungen Beispiele dargestellt sind. In den Beschreibungen der Ausführungsbeispiele sollte verstanden werden, dass dann, wenn eine Schicht (oder ein Film), ein Bereich, ein Muster oder eine Struktur als ”auf/unter” einem Substrat, einer Schicht (oder einem Film), einem Bereich, einem Pad oder Muster bezeichnet werden, dies direkt auf dem Substrat der Schicht (oder dem Film), dem Bereich, dem Pad oder dem Muster sein kann oder Zwischenschichten vorhanden sein können. Darüber hinaus wird die Bezugnahme auf 'auf' und 'unter' einer jeweilige Schicht auf der Grundlage der Zeichnungen vorgenommen werden. In den Zeichnungen können Abmessungen jeweiliger Bauelemente zum Zwecke der Klarheit der Darstellung übertrieben sein, und die Abmessungen der einzelnen Bauelemente können von der tatsächlichen Abmessungen der jeweiligen Bauelemente abweichen.
  • Nachstehend werden Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden. Wo möglich, wurden zur Bezeichnung gleicher Bauelemente die gleichen Bezugszeichen verwendet.
  • Aufgrund ihrer physikalischen und chemischen Eigenschaften, werden Gruppe-III-V-Nitridhalbleiter bzw. III-V-Nitridhalbleiter als Kernmaterialien für lichtemittierende Vorrichtungen, wie etwa lichtemittierende Dioden (LEDs) und Laserdioden (LDs), eingesetzt. Ein Beispiel für die III-V-Nitridhalbleiter ist ein Nitridhalbleiter mit einer Summenformel InxAlyGa1-x-yN (0 <= x <= 1, 0 <= y <= 1, 0 <= x + y <= 1).
  • Eine LED ist eine Art von Halbleitervorrichtung, die als Lichtquelle verwendet wird oder die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern, Strom in Licht umzuwandeln, zum Austauschen von Signalen verwendet. LEDs oder LDs auf der Basis von Nitridhalbleitern finden breite Verwendung in lichtemittierenden Vorrichtungen und werden als Lichtquellen für verschiedene Produkte, wie etwa lichtemittierende Tastatureinheiten von Mobiltelefonen, elektrischen Leuchtflächen und Beleuchtungsvorrichtungen, eingesetzt.
  • 1 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel. 2 ist eine Schnittansicht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung entlang der Linie II-II von 1.
  • Gemäß 1 und 2 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel eine lichtemittierende Struktur 135 mit einer Verbindungshalbleiterschicht, eine Kanalschicht 140, eine reflektive Schicht bzw. Reflexionsschicht 150, eine Haftschicht 160 und ein leitfähiges Stützteil 170 aufweisen. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 kann unter Verwendung eines Verbindungshalbleiters zum Beispiel eines Gruppe-III-V-Verbindungshalbleiters bzw. III-V-Verbindungshalbleiters, ausgebildet sein. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 kann Licht eines sichtbaren Strahlungsbereichs, wie blaues, grünes und rotes Licht, emittieren und kann Licht eines UV-Bereichs emittieren. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 kann in Form und Aufbau innerhalb des technischen Abdeckungsbereichs von Ausführungsbeispielen variieren.
  • Die lichtemittierende Struktur 135 kann eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps 110, eine aktive Schicht 120 und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps 130 aufweisen. Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 kann beispielsweise unter Verwendung eines III-V-Verbindungshalbleiters, der mit einem Dotierstoff eines ersten Leitungstyps dotiert ist, ausgebildet sein. Zum Beispiel kann der III-V-Verbindungshalbleiter wenigstens einen aus der Gruppe, die aus GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP und AlGaInP besteht, ausgewählten aufweisen. Wenn die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 beispielsweise aus einem Halbleiter des Typs N ausgebildet ist, kann der Dotierstoff des ersten Leitfähigkeitstyps aus den Elementen der Gruppe V ausgewählt sein. Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 kann zum Beispiel so ausgebildet sein, dass sie eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur aufweist; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Eine Oberseite der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 kann so ausgebildet sein, dass sie eine Lichtauskopplungsstruktur wie etwa ein Rauigkeitsmuster bzw. Rauungsmuster 112 zur wirksamen Lichtauskopplung aufweist. Auch können eine transparente Elektrodenschicht und eine Isolierschicht zur Stromdiffusion und Lichtauskopplung ausgebildet sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Eine Elektrode 115 kann auf der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 angeordnet sein. Die Elektrode 115 kann zum Beispiel ein Pad bzw. Kissen bzw. Anschlussfleck sein oder ein zweigartiges bzw. verzweigtes Metallmuster aufweisen, das mit dem Pad verbunden ist; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Eine Oberfläche der Elektrode 115 kann so ausgebildet sein, dass sie ein Rauungsmuster aufweist; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Elektrode 115 kann einen Ohm'schen Kontakt mit der Oberseite der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 aufweisen. Die Elektrode 115 kann beispielsweise in einer einschichtigen oder mehrschichtigen Struktur unter Verwendung von einem oder mehreren aus der Gruppe, die aus Cr, Ti, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag, Cu und Au besteht, ausgewählten ausgebildet sein. Die Elektrode 115 kann beispielsweise aus wenigstens einem der vorstehenden Materialien unter Berücksichtigung des Ohm'schen Kontakts mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110, einer Haftkraft zwischen den Metallschichten, Reflexionseigenschaften und Leitungseigenschaften ausgebildet sein.
  • Die aktive Schicht 120 kann unter der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 angeordnet sein. Die aktive Schicht 120 kann so ausgebildet sein, dass sie zum Beispiel eine einfache oder mehrfache Quantentopfstruktur aufweist. Die aktive Schicht 120 kann zum Beispiel aus einem III-V-Verbindungshalbleiter so ausgebildet sein, dass sie eine Abfolge einer Topfschicht bzw. Muldenschicht und einer Sperrschicht aufweist. Zum Beispiel kann die aktive Schicht 120 so ausgebildet sein, dass sie eine InGaN-Topfschicht/eine GaN-Sperrschicht oder einer InGaN-Topfschicht/eine AlGaN-Sperrschicht aufweist.
  • Eine leitfähige Deckschicht kann auf und/oder unter der aktiven Schicht 120 ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die leitfähige Deckschicht aus einem AlGaN-basierten Halbleiter ausgebildet sein.
  • Die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kann unter der aktiven Schicht 120 angeordnet sein. Die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kann beispielsweise unter Verwendung eines III-V-Verbindungshalbleiters mit einem Dotierstoff eines zweiten Leitfähigkeitstyp dotiert. Zum Beispiel kann der III-V-Verbindungshalbleiter wenigstens einen aufweisen, der aus der Gruppe bestehend aus GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP und AlGaInP ausgewählt ist. Zum Beispiel kann dann, wenn die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 110 aus einem Halbleiter vom Typ P ausgebildet ist, der Dotierstoff des zweiten Leitfähigkeitstyps aus den Elementen der Gruppe III ausgewählt sein. Die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kann zum Beispiel so ausgebildet sein, dass sie eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur aufweist; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die lichtemittierende Struktur 135 kann ferner eine Halbleiterschicht eines dritten Leitfähigkeitstyps 134, der von dem ersten Leitfähigkeitstyp sein kann, aufweisen, die unter der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 angeordnet ist, wie in 1A gezeigt. Die Halbleiterschicht des dritten Leitfähigkeitstyps kann in der Polarität der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 entgegengesetzt sein. Auch kann die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 eine Halbleiterschicht vom Tpy P sein und kann die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 eine Halbleiterschicht vom Typ N sein. Demgemäß kann die lichtemittierende Struktur 135 wenigstens eine einer NP-Übergangsstruktur, einer PN-Übergangsstruktur, einer NPN-Übergangsstruktur und einer PNP-Übergangsstruktur aufweisen.
  • Die Kanalschicht 140 und die Reflexionsschicht 150 können unter der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 oder der Halbleiterschicht des dritten Leitfähigkeitstyps 134 angeordnet werden. Im Folgenden wird der Einfachheit halber in der Beschreibung davon ausgegangen, dass die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 als die unterste Schicht der lichtemittierende Struktur 135 angeordnet ist.
  • Die Reflexionsschicht 150 kann eine untere innere Seite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kontaktieren, und die Kanalschicht 140 kann einen unteren Rand der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kontaktieren. Die Kanalschicht 140 kann auf einem Kanalbereich 105 angeordnet sein. Der Kanalbereich 105 kann ein Grenzbereich zwischen Chips sein, zum Beispiel ein Randbereich der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung. Eine obere Außenseite der Kanalschicht 140 kann nach außen freiliegend sein, oder sie kann durch eine Isolierschicht 190 abgedeckt sein. Eine obere Innenseite der Kanalschicht 140 kann eine untere Außenseite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kontaktieren.
  • Die Kanalschicht 140 kann zum Beispiel in einem Schleifen-, Ring- oder Rahmenmuster entlang einem unteren Rand der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 ausgebildet sein. Die Kanalschicht 140 kann zum Beispiel eine durchgehende Musterform oder eine unterbrochene Musterform aufweisen. Darüber hinaus kann die Kanalschicht 140 auf einem Weg eines Laserstrahls, der in einem Herstellungsprozess auf den Kanalbereich abgestrahlt wird, ausgebildet sein.
  • Die Kanalschicht 140 kann beispielsweise aus wenigstens einem eines Oxids, eines Nitrids oder eines isolierenden Materials ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die Kanalschicht 140 aus wenigstens einem aus der Gruppe, die aus ITO (Indium-Zinn-Oxid), IZO (Indium-Zink-Oxid), IZTO (Indium-Zink-Zinn-Oxid), IAZO (Indium-Aluminium-Zink-Oxid), IGZO (Indium-Gallium-Zink-Oxid), IGTO (Indium-Gallium-Zinn-Oxid), AZO (Aluminium-Zink-Oxid), ATO (Antimon-Zinn-Oxid), GZO (Gallium Zink-Oxid), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 und TiO2 besteht, ausgewählten ausgebildet sein.
  • Die Kanalschicht 140 kann das Auftreten eines elektrischen Kurzschlusses verhindern, selbst wenn eine Außenwand der lichtemittierenden Struktur 135 Feuchtigkeit ausgesetzt ist, was eine LED widerstandsfähig gegen eine hohe Luftfeuchtigkeit macht. Wenn die Kanalschicht 140 aus einem transparenten Material ausgebildet ist, können abgestrahlte Laserstrahlen in einem Laser-Ritzprozess übertragen werden, wodurch verhindert wird, dass ein Metallmaterial in dem Kanal Bereich 105 aufgrund von Laserbestrahlung fragmentiert wird. Demgemäß kann ein Kurzschluss zwischen Schichten in Seitenwänden der lichtemittierenden Struktur 135 verhindert werden.
  • Die Kanalschicht 140 kann einen vorgegebenen Abstand zwischen der Reflexionsschicht 150 und der Außenwand jeder Schicht 110/120/130 der lichtemittierenden Struktur 135 bereitstellen. Die Kanalschicht 140 kann in einer Dicke von etwa 0,02 μm bis etwa 5 μm ausgebildet sein. Die Dicke der Kanalschicht 140 kann je nach Chipgröße variieren.
  • Die Reflexionsschicht 150 kann einen Ohm'schen Kontakt mit der Unterseite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 aufweisen und kann ein reflektierendes Metall aufweisen. Die Reflexionsschicht 150 kann zum Beispiel Seed-Metall bzw. Keim-Metall, das für einen Beschichtungsprozess verwendet wird, aufweisen. Demgemäß kann die Reflexionsschicht 150 wahlweise eine Ohm'sche Schicht, eine Keimschicht, und/oder eine Reflexionsschicht aufweisen; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Reflexionsschicht 150 kann sich zu einer unteren Oberfläche der Kanalschicht 140 erstrecken und kann so ausgebildet sein, dass sie die gesamte untere Oberfläche der Kanalschicht 140 kontaktiert. Die Reflexionsschicht 150 kann so ausgebildet sein, dass sie eine größere Breite und/oder Länge als die lichtemittierende Struktur 135 aufweist und deshalb einfallendes Licht wirksam reflektiert. Demgemäß kann ein Lichtauskopplungswirkungsgrad verbessert werden.
  • Die Reflexionsschicht 150 kann zum Beispiel in einer einschichtigen oder mehrschichtige Struktur unter Verwendung eines aus der Gruppe, die aus Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf und einer Kombination davon besteht, ausgewählten ausgebildet sein. Die Reflexionsschicht 150 kann zum Beispiel dadurch in einer mehrschichtigen Struktur unter Verwendung der vorstehenden Materialien und leitfähiger Oxid-Materialien wie IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO und ATO ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die Reflexionsschicht 150 in einer Struktur wie etwa IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni und AZO/Ag/Ni ausgebildet sein.
  • Eine Stromsperrschicht 145 kann in einem Teilbereich zwischen der Reflexionsschicht 150 und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 ausgebildet sein. Die Stromsperrschicht 145 kann aus einem nichtmetallischen Material mit einer geringeren elektrischen Leitfähigkeit als die Reflexionsschicht 150 ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die Stromsperrschicht 145 aus wenigstens einer, die aus der Gruppe bestehend aus ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 und TiO2 ausgewählt ist, ausgebildet sein. Hierbei kann dann, wenn die Reflexionsschicht 150 aus Ag ausgebildet ist, die Stromsperrschicht 145 aus ITO, ZnO, oder SiO2 ausgebildet sein.
  • Die Stromsperrschicht 145 kann aus dem gleichen Material wie oder einem anderen Material als die Kanalschicht 140 ausgebildet sein. Wenn die Stromsperrschicht 145 und die Kanalschicht 140 aus dem gleichen Material ausgebildet sind, können sie unter Verwendung des gleichen Prozesses ausgebildet sein.
  • Die Stromsperrschicht 145 kann so ausgebildet sein, dass sie in Position und Muster der Elektrode 115 entspricht. Eine Größe der Stromsperrschicht 145 kann gemäß einem Grad der Stromdiffusion variieren.
  • Die Stromsperrschicht 145 kann in einer Struktur entsprechend der Elektrode 115 angeordnet sein, sodass ein Strom über einen gesamten Bereich des Chips diffundiert. Des Weiteren kann die Stromsperrschicht 145 an einer Schnittstelle zwischen der Reflexionsschicht 150 und der Haftschicht 160 oder an der Schnittstelle zwischen der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 und der Haftschicht 160 ausgebildet sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Haftschicht 160 kann so ausgebildet sein, dass sie eine Unterseite der Reflexionsschicht 150 kontaktiert, ohne eine Unterseite der Kanalschicht 140 zu kontaktieren. Die Haftschicht 160 kann auch zum Beispiel ein Barrierenmetall oder ein Bondingmetall sein. Zum Beispiel kann die Haftschicht 160 aus wenigstens einem aus der Gruppe, die aus Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag und Ta besteht, ausgewählten ausgebildet sein.
  • Das leitfähige Stützteil 170 kann unter der Haftschicht 160 angeordnet sein. Das leitfähige Stützteil 170 kann auf der Reflexionsschicht 150 zum Beispiel durch Plattieren oder eine Folie ohne Ausbildung der Haftschicht 160 angebunden sein.
  • Das leitfähige Stützteil 170 kann ein Basissubstrat sein, das zum Beispiel unter Verwendung von Kupfer (Cu), Gold (Au), Nickel (Ni), Molybdän (Mo), Kupfer-Wolfram-(Cu-W) oder einem Träger-Wafer (z. B. Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, GaN und SiGe) ausgebildet ist. Des Weiteren kann das leitfähige Stützteil 170 oder kann nicht zum Beispiel unter Verwendung einer leitfähigen Folie ausgebildet sein.
  • Eine Außenseite der lichtemittierenden Struktur 135 kann abgeschrägt sein, und die Isolierschicht 190 kann darauf ausgebildet sein. Die Isolierschicht 190 kann einen unteren Abschnitt, der auf der Kanalschicht 140 angeordnet ist, und eine oberen Abschnitt 194, der um den Halbleiterschicht des ersten Leitungstyps 110 herum angeordnet ist, aufweisen. Demgemäß kann die Isolierschicht 190 die Kanalschicht 140 eng kontaktieren und um die lichtemittierende Struktur 135 herum ausgebildet sein, wodurch ein Kurzschluss zwischen Schichten auf der äußeren Oberfläche der lichtemittierenden Struktur 135 verhindert wird.
  • Gemäß 2 kann die Kanalschicht 140 in einem Band um den Chip herum ausgebildet sein. Innere Bereiche C3 und C4 der Kanalschicht 140 können einem Halbleiterbereich A1 entsprechen, und äußere Bereiche C1 und C2 der Kanalschicht 140 können außerhalb des Chips außerhalb des Halbleiterbereichs A1 freiliegen. Ein innerer Bereich 140A der Kanalschicht 140 kann bei einem Abschnitt des Halbleiterbereichs A1 angeordnet sein.
  • Ein Ohm'scher Bereich A2 der Reflexionsschicht 150 kann innerhalb des Halbleiterbereichs A1 angeordnet sein, und eine Breite D1 der Reflexionsschicht 150 kann kleiner sein als eine Breite D2 des Halbleiterbereichs A1. Der Ohm'sche Bereich A2 kann so ausgebildet sein, dass er einer Größe aufweist, die einem lichtemittierenden Bereich entspricht.
  • Die Stromsperrschicht 145 kann so ausgebildet sein, dass sie in Position und Muster der Elektrode 115 in dem Halbleiterbereich A1 entspricht. Die Stromsperrschicht 145 kann innerhalb des Ohm'schen Bereichs A2 und des Halbleiterbereichs A1 angeordnet sein. Eine Größe B1 der Stromsperrschicht 145 kann gemäß einem Pad- oder Elektrodenmuster variieren.
  • 3 bis 13 sind Schnittansichten, welche ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel darstellen. Gemäß 3 und 4 kann ein Substrat 101 auf eine Anwachsapparatur geladen werden, und ein Verbindungshalbleiter der Gruppe II bis VI kann darauf z. B. in Form einer Schicht oder eines Musters ausgebildet sein bzw. werden. Die Wachstumsapparatur kann zum Beispiel eine PVD-(Physical Vapour Deposition bzw. physikalische Gasphasenabscheidungs)-Apparatur, eine CVD-(Chemical Vapour Deposition bzw. chemische Gasphasenabscheidungs)-Apparatur, eine PLD-(Plasma-Laser-Deposition bzw. Plasma-Laser-Abscheidungs)-Apparatur, ein thermischer Dual-Type-Verdampfer, eine Sputter-(Aufspritz)-Apparatur und eine MOCVD-(Metal Organic Chemical Vapor Deposition bzw. metallorganische (chemische) Gasphasenabscheidungs)-Apparatur sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Das Substrat 101 kann beispielsweise aus wenigstens einem aus der Gruppe, die aus Korund (Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga2O3, einem leitfähigem Material und GaAs besteht, ausgewählten ausgebildet sein. In einer oberen Fläche des Substrats 101 kann ein Rauungsmuster ausgebildet sein bzw. werden. Des Weiteren können auf dem Substrat 101 zum Beispiel eine Schicht oder ein Muster auf der Grundlage eines II-IV-Verbindungshalbleiters, wenigstens eine einer ZnO-Schicht (nicht dargestellt), einer Pufferschicht (nicht dargestellt) und einer undotierten Halbleiterschicht (nicht dargestellt) ausgebildet sein bzw. werden. Die Pufferschicht oder die undotierte Halbleiterschicht kann zum Beispiel unter Verwendung eines III-V-Verbindungshalbleiters ausgebildet sein bzw. werden. Die Pufferschicht kann eine Gitterkonstante mit dem Substrat 101 reduzieren, und die undotierte Halbleiterschicht kann aus einer undotierten GaN-basierten Halbleiter ausgebildet sein bzw. werden.
  • Eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps 110 kann auf dem Substrat 101 ausgebildet sein bzw. werden. Eine aktive Schicht 120 kann auf der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 ausgebildet sein bzw. werden. Eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps 130 kann auf der aktive Schicht 120 ausgebildet sein bzw. werden.
  • Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 kann zum Beispiel unter Verwendung eines III-V-Verbindungshalbleiters, der mit einem Dotierstoff des ersten Leitungstyps dotiert ist, ausgebildet sein bzw. werden. Zum Beispiel kann der III-V-Verbindungshalbleiter wenigstens einen, der aus der aus GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP und AlGaInP besteht, ausgewählten aufweisen. Wenn zum Beispiel die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 aus einem Halbleiter des Typs N ausgebildet ist, kann der Dotierstoff des ersten Leitfähigkeitstyps aus den Elementen der Gruppe V ausgewählt werden. Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 kann zum Beispiel so ausgebildet sein bzw. werden, dass sie eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur aufweist; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die aktive Schicht 120 kann auf der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 ausgebildet sein bzw. werden. Die aktive Schicht 120 kann so ausgebildet sein bzw. werden, dass sie zum Beispiel eine einfache oder mehrfache Quantentopfstruktur aufweist. Die aktive Schicht 120 kann zum Beispiel aus einem III-V-Verbindungshalbleiter so ausgebildet sein bzw. werden, dass sie eine Abfolge einer Muldenschicht und einer Sperrschicht aufweist, zum Beispiel eine Abfolge einer InGaN-Muldenschicht/einer GaN-Sperrschicht oder einer InGaN Muldenschicht/einer AlGaN Sperrschicht.
  • Eine leitfähige Deckschicht kann auf und/oder unter der aktiven Schicht 120 ausgebildet sein bzw. werden. Zum Beispiel kann die leitfähigen Deckschicht aus einem AlGaN-basierten Halbleiter ausgebildet sein bzw. werden.
  • Die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kann auf der aktive Schicht 120 ausgebildet sein bzw. werden. Die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kann zum Beispiel unter Verwendung eines III-V-Verbindungshalbleiters, der mit einem Dotierstoff des zweiten Leitfähigkeitstyps dotiert ist, ausgebildet sein bzw. werden. Zum Beispiel kann der III-V-Verbindungshalbleiter wenigstens einen, der aus der aus GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP und AlGaInP besteht, ausgewählten aufweisen. Wenn zum Beispiel die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 110 aus einem Halbleiter des Typs P ausgebildet ist bzw. wird, kann der Dotierstoff des zweiten Leitfähigkeitstyps aus den Elementen der Gruppe III ausgewählt sein bzw. werden. Die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kann zum Beispiel so ausgebildet sein bzw. werden, dass sie eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur aufweist; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110, die aktive Schicht 120 und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 können eine lichtemittierende Struktur 135 bilden. Des Weiteren kann eine Halbleiterschicht eines dritten Leitfähigkeitstyps 134, zum Beispiel eine Halbleiterschicht des Typs N, auf der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 ausgebildet sein bzw. werden. Demgemäß kann die lichtemittierende Struktur 135 so ausgebildet sein bzw. werden, dass sie wenigstens eine einer NP-Übergangsstruktur, einer PN-Übergangsstruktur, einer NPN-Übergangsstruktur und einer PNP-Übergangsstruktur aufweist.
  • In jedem Randbereich eines Chips (Kanalbereich) kann eine Kanalschicht 140 ausgebildet werden. Die Kanalschicht 140 kann zum Beispiel unter Verwendung einer Maske um jeden Chip-Bereich herum ausgebildet werden. Die Kanalschicht 140 kann zum Beispiel in einem Schleifen-, Ring- oder Rahmenmuster ausgebildet werden. Die Kanalschicht 140 kann beispielsweise aus wenigstens einem eines Oxids, eines Nitrids oder eines Isoliermaterials ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die Kanalschicht 140 aus wenigstens einem aus der Gruppe, die aus ITO (Indium-Zinn-Oxid), IZO (Indium-Zink-Oxid), IZTO (Indium-Zink-Zinn-Oxid), IAZO (Indium-Aluminium-Zink-Oxid), IGZO (Indium-Gallium-Zink-Oxid), IGTO (Indium-Gallium-Zinn-Oxid), AZO (Aluminium-Zink-Oxid), ATO (Antimon-Zinn-Oxid), GZO (Gallium-Zink-Oxid), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 und TiO2 besteht, ausgewählten ausgebildet sein bzw. werden.
  • Zum Beispiel kann die Kanalschicht 140 beispielsweise unter Verwendung ein Photolithographieprozesses ausgebildet werden. Die Kanalschicht 140 kann aus dem vorstehenden Material zum Beispiel unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines Abscheideverfahrens ausgebildet werden. Wenn die Kanalschicht 140 aus einem leitfähigen Oxidmaterial ausgebildet wird, kann sie als eine Stromdiffusions- oder Injektionsschicht dienen.
  • Gemäß 4–6 kann eine Stromsperrschicht 145 auf der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 ausgebildet werden. Die Stromsperrschicht 145 kann z. B. unter Verwendung eines Maskenmusters ausgebildet werden. Die Stromsperrschicht 145 kann beispielsweise aus dem gleichen Material wie oder einem anderen Material als die Kanalschicht 140 ausgebildet werden. Die Ausbildungsreihenfolge kann gemäß einem solchen Materialunterschied variieren. Wenn zum Beispiel die Kanalschicht 140 und die Stromsperrschicht 145 aus dem gleichen Material ausgebildet werden, können sie unter Verwendung eines einzigen Prozesses ausgebildet werden.
  • Die Stromsperrschicht 145 kann aus einem Material ausgebildet werden, das eine geringere elektrische Leitfähigkeit als die Halbleiterschicht aufweist, oder kann so ausgebildet werden, dass sie eine geringere elektrische Leitfähigkeit als die Halbleiterschicht aufweist. Zum Beispiel kann die Stromsperrschicht 145 aus wenigstens einem aus der Gruppe, die aus ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 und TiO2 bestehenden Gruppe ausgewählt wird, ausgebildet werden. Die Stromsperrschicht 145 kann zum Beispiel unter Verwendung eines Maskenmusters in einem gewünschten Bereich ausgebildet werden. Die Stromsperrschicht 145 kann so ausgebildet werden, dass sie in Position und Muster einem Bereich für die Elektrode 115 entspricht. Die Stromsperrschicht 145 kann in der gleichen Form wie ein Elektrodenmuster ausgebildet werden; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Stromsperrschicht 145 kann so ausgebildet werden, dass sie einer Position eines Pad und/oder eines Elektrodenmusters entspricht. Die Stromsperrschicht 145 kann innerhalb der Reflexionsschicht 150 angeordnet werden. So kann im Vergleich mit benachbarten Bereichen die Stromsperrschicht 145 von wenig Strom durchflossen werden, was es ermöglicht, einen Strom in einer diffusen Weise zu liefern. Die Stromsperrschicht 145 kann zum Beispiel in einem polygonalen oder kreisförmigen Muster ausgebildet werden oder kann nicht ausgebildet werden.
  • Gemäß 5 und 7 kann eine Reflexionsschicht 150 auf der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 ausgebildet werden, um einen Ohm'schen Kontakt mit der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 aufzuweisen. Die Reflexionsschicht 150 kann auf der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 und der Stromsperrschicht 145 ausgebildet werden, um einen Übergangswiderstand zu reduzieren.
  • Die Reflexionsschicht 150 kann zum Beispiel in einer einschichtigen oder mehrschichtigen Struktur unter Verwendung von wenigstens einem aus der Gruppe, die aus Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf und einer Kombination davon besteht, ausgewählten ausgebildet werden. Auch kann die Reflexionsschicht 150 zum Beispiel in einer mehrschichtigen Struktur unter Verwendung des vorstehenden metallischen Materials und eines leitfähigen Oxidmaterials wie etwa IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO und ATO ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die Reflexionsschicht 150 aus IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni oder AZO/Ag/Ni ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die Reflexionsschicht 150 unter Verwendung beispielsweise eines E-Beam-(Elektronenstrahl)-Prozesses oder eines Sputter-Prozesses ausgebildet werden; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Reflexionsschicht 150 kann zum Beispiel so ausgebildet werden, dass sie einen Stapelaufbau einer ersten Haftschicht/einer Reflexionsschicht/einer zweiten Haftschicht/einer Keimschicht aufweist. Die erste und die zweite Haftschicht können Ni aufweisen, die Reflexionsschicht kann Ag aufweisen, und die Keimschicht kann Cu aufweisen. Die erste Haftschicht kann in einer Dicke von weniger als einigen nm ausgebildet werden, die Reflexionsschicht kann in einer Dicke von weniger als einigen hundert nm ausgebildet werden, und die zweite Haftschicht kann in einer Dicke von weniger als einigen zehn nm ausgebildet werden, und die Keimschicht kann in einer Dicke von weniger als 1 μm ausgebildet werden; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Reflexionsschicht 150 kann so ausgebildet werden, dass sie eine Unterseite der Kanalschicht 140 überdeckt. Die Reflexionsschicht 150 kann als eine Elektrode dienen, weil sie aus einem reflektierenden Metall ausgebildet werden kann. Auch können die Reflexionsschicht 150 und die metallischen Materialien darauf als eine Elektrode dienen.
  • Gemäß 7 und 8 kann eine Haftschicht 160 auf der Reflexionsschicht 150 ausgebildet werden. Die Haftschicht 160 kann auch ein Barrierenmetall bzw. eine metallische Sperre oder ein Bonding-Metall aufweisen. Zum Beispiel kann die Haftschicht 160 aus wenigstens einem aus der Gruppe, die aus Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, und Ta besteht, ausgewählten ausgebildet sein.
  • Ein leitfähiges Stützteil 170 kann auf der Haftschicht 160 ausgebildet werden. Das leitfähige Stützteil 170 kann ein Basissubstrat sein, das unter Verwendung z. B. von Kupfer (Cu), Gold (Au), Nickel (Ni), Molybdän (Mo), Kupfer-Wolfram (Cu-W) ausgebildet ist bzw. wird, oder ein Träger-Wafer (z. B. Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, GaN und SiGe). Das leitfähige Stützteil 170 kann mit der Haftschicht 160 verbunden werden, kann aus einer Plattierungsschicht ausgebildet werden, oder kann durch eine leitfähige Folie angehaftet werden. In einem Ausführungsbeispiel kann die Haftschicht 160 nicht ausgebildet werden. In diesem Fall kann das leitende Stützteil 170 auf der Reflexionsschicht 150 ausgebildet werden.
  • Gemäß 9 und 10 kann das leitende Stützteil 170 umgedreht werden, um die Basis zu werden, und das Substrat 101 auf der lichtemittierenden Struktur 135 entfernt werden. Zum Beispiel kann das Substrat 101 unter Verwendung beispielsweise eins Laser-Abhebe-(LLO – Laser Lift Off)-Prozesses entfernt werden. Der LLO-Prozess kann einen Laserstrahl einer vorgegebenen Wellenlänge auf das Substrat 101 abstrahlen, um das Substrat 101 zu entfernen. Hierbei kann, wenn eine andere Halbleiterschicht (z. B. eine Pufferschicht) oder ein Luftspalt zwischen dem Substrat 101 und der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 vorhanden ist, das Substrat 101 mit einer Ätzflüssigkeit entfernt werden.
  • Ein Polierprozess auf der Grundlage von ICP/RIE (induktiv gekoppeltes Plasma/Plasma-Ionen-Ätzen) kann auf der Oberfläche der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 nach Entfernung des Substrats 101 durchgeführt werden.
  • Gemäß 10 und 11 kann der Kanalbereich 105 der lichtemittierenden Struktur 135 zum Beispiel unter Verwendung eines Isolationsätzprozesses entfernt werden. Das heißt, ein Isolationsätzprozess kann auf einem Randbereich zwischen Chips durchgeführt werden. Durch den Isolationsätzprozess kann die Kanalschicht 140 um den Kanalbereich 105 herum freigelegt werden und kann eine Seite der lichtemittierenden Struktur 135 abgeschrägt werden.
  • Wenn die Kanalschicht 140 aus einem transparenten Material ausgebildet wird, können Laserstrahlen, die in dem Isolationsätzprozess oder dem Laser-Ritzprozess abgestrahlt werden, durch dieses hindurch übertragen werden, wodurch eine Fragmentierung oder eine Projektion in Richtung des Laserstrahls der unten liegenden metallischen Werkstoffe (z. B. die Materialien der Reflexionsschicht 150, der Haftschicht 160 und des leitenden Stützteils 170) unterdrückt wird. Die Kanalschicht 140 kann die Laserstrahlen übertragen, was es ermöglicht, eine Erzeugung von Metallfragmenten durch die Laserstrahlen in dem Kanalbereich 105 zu verhindern und eine Außenwand jeder Schicht der lichtemittierende Struktur 135 zu schützen.
  • Danach kann ein Ätzprozess auf einer oberen Oberfläche der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 durchgeführt werden, um ein Rauigkeits- bzw. Rauungsmuster darauf auszubilden. Das Rauungsmuster kann einen Lichtauskopplungswirkungsgrad verbessern.
  • Gemäß 12 und 13 kann eine Isolierung 190 um die lichtemittierende Struktur 135 herum ausgebildet werden, wobei ein unterer Abschnitt auf der Kanalschicht 140 ausgebildet werden kann und ein oberer Abschnitt 194 um eine obere Oberfläche der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 herum ausgebildet werden kann. Die Isolierschicht 190 kann um die lichtemittierende Struktur 135 herum ausgebildet werden, was es ermöglicht, einen Kurzschluss zwischen den Schichten 110, 120 und 130 zu verhindern. Des Weiteren können die Isolierschicht 180 und der Kanalschicht 140 ein Eindringen von Feuchtigkeit in den Chip verhindern.
  • Eine Elektrode 115 kann auf der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 110 ausgebildet werden. Die Elektrode 115 kann in einem vorgegebenen Muster ausgebildet werden. Die Ausbildung der Isolierschicht 190 und der Elektrode 115 kann vor oder nach der Chip-Trennung durchgeführt werden; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Die Elektrode 115 kann so ausgebildet werden, dass sie einer Position der Stromsperrschicht 145 entspricht, und ein Rauungsmuster kann in einer oberen Oberfläche der Elektrode 115 ausgebildet sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Danach kann die resultierende Struktur durch einen Chip-Grenze in einzelne Chip-Einheiten getrennt werden. Die Chip-Trennung kann zum Beispiel ein Laser- oder eine Brechprozess durchgeführt werden. Eine Schnittansicht entlang einer Linie II-II von 13 ist die gleiche wie in 2.
  • 14 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 14 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit dem Ausführungsbeispiel von 1 weggelassen.
  • Gemäß 14 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100A eine Kanalschicht 140, eine Stromsperrschicht 145 und eine Reflexionsschicht 151 aufweisen, die unter einer Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps 130 angeordnet sind. Die Kanalschicht 140, die Stromsperrschicht 145, und die Reflexionsschicht 151 können so ausgebildet sein, dass sie einander nicht überlappen.
  • Eine Haftschicht 160 und/oder ein leitfähiges Stützteil 170 können/kann unter der Kanalschicht 140, der Reflexionsschicht 151 und der Stromsperrschicht 145 ausgebildet sein. Die Haftschicht 160 kann Unterseiten der Kanalschicht 140, der Reflexionsschicht 151 und der Stromsperrschicht 145 kontaktieren. Die Kanalschicht 140 kann einen vorgegebenen Abstand zwischen der Haftschicht 160 und eine Außenseite oder äußere Wand der lichtemittierenden Struktur 135 aufweisen. Die Reflexionsschicht 151 kann einen Ohm'schen Kontakt mit der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 in einem inneren Bereich der Kanalschicht 140 aufweisen. Die Stromsperrschicht 145 kann in einem Muster entsprechend der Elektrode 115 in der Reflexionsschicht 151 ausgebildet sein. Die Reflexionsschicht 151 kann nur in dem Bereich Ohm'schen Kontakts ausgebildet sein, so dass der Bereich des Ohm'schen Kontakts und der reflektierenden Bereich so ausgebildet sein können, dass sie die gleiche Größe haben.
  • 15 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 15 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit dem Ausführungsbeispiel von 1 weggelassen.
  • Gemäß 15 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100B eine abgewandelte Haftstruktur einer Reflexionsschicht 152 und einer Kanalschicht 140 unter einer lichtemittierenden Struktur 135 aufweisen. Ein äußeres Ende 152A der Reflexionsschicht 152 kann mit einem inneren Ende 140A der Kanalschicht 140 um einen vorgegebenen Betrag oder einen vorgegebenen Abstand (oder eine vorgegebene Breite) D3 überlappen. Des Weiteren kann das äußere Ende 152A der Reflexionsschicht 152 um einen vorgegebenen Abstand D2 von der Außenwand des Chips beabstandet sein. Daher kann es an der Außenwand des Chips nicht freiliegend sein, was es ermöglicht, das Problem eines Abblätterns an der Außenwand des Chips zu überwinden.
  • Der Überlappungsabstand D3 zwischen der Reflexionsschicht 152 und der Unterseite der Kanalschicht 140 kann weniger als etwa 80% der unteren Breite (D2 + D3) der Kanalschicht 140 betragen. Da der Überlappungsabstand D3 der Reflexionsschicht 152 reduziert ist, kann das Problem einer Abnahme der Haftkraft durch das Material der Reflexionsschicht 152 verringert werden. Wenn zum Beispiel die Breite (D2 + D3) der Kanalschicht 140 etwa 75 μm beträgt, kann der Überlappungsabstand D3 weniger als etwa 6 μm betragen.
  • 16 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 16 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit dem Ausführungsbeispiel von 1 weggelassen.
  • Gemäß 16 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100C in einem Kanalbereich 105 eine Stapelstruktur einer Kanalschicht 141 und einer Deckschicht 155 aufweisen. Eine innere Seite der Kanalschicht 141 kann die Unterseite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kontaktieren, und eine äußere Seite der Kanalschicht 141 kann auf der Außenseite der Chips freiliegen. Die Kanalschicht 141 kann in diesem Ausführungsbeispiel zum Beispiel aus Oxid-basierten Materialien ausgebildet sein. Zum Beispiel kann die Kanalschicht 141 aus wenigstens einem aus der Gruppe, die aus ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO, SiO2, SiOx, Al2O3 und TiO2 besteht, ausgewählten ausgebildet sein.
  • Die Deckschicht 155 kann beispielsweise aus einem Metall mit einer guten Haftkraft mit einem Oxid, zum Beispiel wenigstens einem aus der Gruppe, die aus Ti, Ni, Pt, Pd, Cu, Al, Ir und Rh besteht, ausgewählten ausgebildet sein. Das heißt, die Deckschicht 155 kann zum Beispiel eine einschichtige oder mehrschichtige Klebeschicht unter Verwendung der vorstehenden Materialien, die die Haftkraft zwischen dem Metall und dem Oxidmaterial erhöhen, sein, was das Problem eines Abblätterns an der Außenwand des Chips verringert. Die Deckschicht 155 kann in einer Dicke von weniger als einigen hundert nm ausgebildet sein. Die Deckschicht 155 kann zum Beispiel unter Verwendung eines E-Strahl-Abscheideprozesses oder eines Sputterprozesses ausgebildet sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Deckschicht 155 kann zwischen der Reflexionsschicht 150 und der unteren Oberfläche der Kanalschicht 141 ausgebildet sein, um die Haftkraft der Reflexionsschicht 150 zu erhöhen, was das Problem einer Abblätterung zwischen Schichten an der Außenwand des Chips verringert.
  • 17 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. 18 ist eine Schnittansicht entlang einer Linie XVIII-XVIII von 17. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 17 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 17 und 18 kann ein lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100D eine einen unteren Rand einer Kanalschicht 141 umgebende Deckschicht 155 aufweisen. Eine Kanalschicht 141 kann an einer unteren äußeren Seite der lichtemittierende Struktur 135 ausgebildet sein, und die Deckschicht 155 kann unter der Kanalschicht 141 angeordnet sein. Die Kanalschicht 141 kann zum Beispiel entlang dem Chip in einem Ring- oder Bandmuster mit einer vorgegebenen Breite ausgebildet sein. Die Deckschicht 155 kann in einer unteren Oberfläche und einer inneren Oberfläche der Kanalschicht 141 ausgebildet sein. Wie in 18 dargestellt, kann ein inneres Ende 155A der Deckschicht 155 zum Beispiel in einem Ring- oder Bandmuster entlang einem Bereich zwischen der Reflexionsschicht 150 und der Kanalschicht 141 ausgebildet sein. In 18 bezeichnet 'E1' einen Halbleiterbereich.
  • Die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kann die Reflexionsschicht 150, die Kanalschicht 141, eine Stromsperrschicht 145 und die Deckschicht 155 kontaktieren. Daher kann die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 durch die Kanalschicht 141 außerhalb des Chips geschützt sein und kann innerhalb des Chips durch die Reflexionsschicht 150 und die Deckschicht 155 mit einem Strom versorgt werden.
  • 19 ist eine Abwandlung von 18. Gemäß 17 und 19 kann ein Endabschnitt 155B der Deckschicht 155 so ausgebildet sein, dass er eine Vielzahl von Mustern (nicht ein einziges Muster) aufweist. Das heißt, der Endabschnitt 155B der Deckschicht 155 kann in regelmäßigen Abständen oder in unregelmäßigen Abständen getrennt sein, um die Unterseite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 in eine Rauigkeitsstruktur zu kontaktieren. Diese Haftstruktur kann die Haftkraft der Deckschicht 155 und die Reflexionsschicht 150 in Bezug auf die Kanalschicht 141 erhöhen. Einige oder alle der Deckschichten 155 können so ausgebildet sein, dass sie eine Mehrzahl von Mustern aufweisen.
  • 20 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 20 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 20 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100E eine abgewandelte Haftstruktur einer Kanalschicht 141, einer Deckschicht 155 und einer Reflexionsschicht 150, die in einem Kanalbereich 105 angeordnet sind, aufweisen. Die Reflexionsschicht 150 kann schmaler als die Reflexionsschicht von 16 ausgebildet sein. Ein äußeres Ende 152 der Reflexionsschicht 150 kann mit der Unterseite eines inneren Endes 143 der Deckschicht 155 um einen vorgegebenen Betrag oder einen vorgegebenen Abstand (oder Breite) D5 überlappen. Der Überlappungsabstand D5 kann weniger als etwa 80% der Breite (D4 + D5) der Deckschicht 155 betragen, und ein äußeres Ende der Reflexionsschicht 150 kann um einem vorgegebenen Abstand D4 von der Außenwand des Chips beabstandet sein. Die Deckschicht 155 kann unter der Kanalschicht 141 so ausgebildet sein, dass sie die gleiche Breite (D4 + D5) wie die Kanalschicht 144 aufweist, oder kann so ausgebildet sein, dass sie schmaler als die Kanalschicht 141 ist.
  • 21 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 21 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 21 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100F eine Kanalschicht 141, eine Deckschicht 155 und eine Reflexionsschicht 150, die um die Unterseite einer lichtemittierenden Struktur 135 herum ausgebildet sind, aufweisen. Eine innere obere Oberfläche der Kanalschicht 141 kann die Unterseite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kontaktieren, und die untere Oberfläche und die innere Oberfläche der Kanalschicht 141 können durch die Deckschicht 155 abgedeckt sein. Ein inneres Ende 155A der Deckschicht 155 kann die Unterseite des Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kontaktieren, um einen Strom zuzuführen. Eine Außenseite oder ein äußerer Rand der Reflexionsschicht 150 kann die Deckschicht 155 kontaktieren und kann die Kanalschicht 141 nicht kontaktieren, was eine Haftkraft für die Außenseite der Reflexionsschicht 150 verbessert.
  • Des Weiteren kann ein Endabschnitt 152 der Reflexionsschicht 152 so angeordnet sein, dass er mit der Unterseite der Deckschicht 155 um einen vorgegebenen Abstand D6 überlappt. Hierbei kann der Überlappungsabstand D6 weniger als etwa 80% der Breite der Kanalschicht 141 betragen. Da der Endabschnitt 152 der Reflexionsschicht 152 so angeordnet sein kann, dass er mit der Unterseite der Deckschicht 155 überlappt, kann die Haftkraft der Reflexionsschicht 152 mit dem Endabschnitt 152 erhöht sein.
  • 22 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 22 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 22 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 200 eine lichtemittierende Struktur 135, eine Kanalschicht 240, eine Stromsperrschicht 245, eine Reflexionsschicht 250, eine Haftschicht 260, ein leitfähiges Stützglied 270 und eine Ohm'sche Schicht 280 aufweisen. Die Kanalschicht 240 kann um die Unterseite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 herum angeordnet sein, und die Ohm'sche Schicht 280 und die Stromsperrschicht 245 können innerhalb der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 angeordnet sein. Die Kanalschicht 240 kann die gleiche wie die des Ausführungsbeispiels von 1 sein. Die Stromsperrschicht 245 kann zwischen der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 und der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet sein, um einen Strom zu diffundieren.
  • Die Ohm'sche Schicht 280 kann zwischen der Reflexionsschicht 250 und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 einer lichtemittierenden Struktur 135 ausgebildet sein. Die Ohm'sche Schicht 280 kann zum Beispiel aus einem leitfähigen Oxidmaterial, das aus der aus ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO und einer Kombination davon besteht, ausgewählten ausgebildet sein. Das heißt, die Ohm'sche Schicht 280 kann die untere Oberfläche der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kontaktieren. Die Ohm'sche Schicht 280 kann z. B. mit einem Sputterprozess (zum Beispiel Radio-Frequenz-Magnetron-Sputtern) oder einem Abscheidungsprozess ausgebildet sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Die Ohm'sche Schicht 280 kann mit einer Dicke von weniger als einigen nm ausgebildet sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Ohm'sche Schicht 280 kann Unterseiten der Kanalschicht 240, der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 und der Stromsperrschicht 245 kontaktieren, um der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 einen durch die Haftschicht 260 angelegten Strom zuzuführen. Zum Beispiel kann die Reflexionsschicht 250 so ausgebildet sein, dass sie einen Stapelaufbau einer ersten Haftschicht/einer Reflexionsschicht/einer zweiten Haftschicht/einer Keimschicht aufweist. Die erste und die zweite Haftschicht können Ni aufweisen, die Reflexionsschicht kann Ag aufweisen, und die Keimschicht kann Cu aufweisen. Die erste Haftschicht kann mit einer Dicke von weniger als einigen nm ausgebildet sein, die Reflexionsschicht kann mit einer Dicke von weniger als einigen hundert nm ausgebildet sein, die zweite Haftschicht kann mit einer Dicke von weniger als einigen zehn nm ausgebildet sein, und die Keimschicht kann mit einer Dicke von weniger als 1 μm ausgebildet sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • 23 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXIII-XXIII von 22. Gemäß 23 kann ein innerer Bereich 240A der Kanalschicht 240 außerhalb eines Halbleiterbereich A1 angeordnet sein und können ein Ohm'scher Bereich A4 einer Ohm'schen Schicht 280 und ein Bereich einer Stromsperrschicht 245 innerhalb der Halbleiterbereich A1 angeordnet sein. Eine Breite D12 des Halbleiterbereichs A1 kann größer als eine Breite D11 der Ohm'schen Schicht 280 sein. Die Abstände D14 und D13 des inneren Bereichs und des äußeren Bereichs des Kanalschicht 240 können gleich oder verschieden voneinander sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • 24 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 24 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 24 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 201 eine abgewandelte Reflexionsschicht 250 aufweisen. Die Reflexionsschicht 250 kann nur in einem Bereich, der nicht ein Kanalbereich 105 der Ohm'schen Schicht 280 ist, (das heißt, nur in einem Ohm'schen Bereich) angeordnet sein, um einfallendes Licht zu reflektieren. Ein äußeres Ende 251 der Reflexionsschicht 250 kann außerhalb des Chips nicht freiliegend sein.
  • 25 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 25 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 25 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 201A eine leitfähigen Oxid-basierte Ohm'sche Schicht 280 aufweisen, die so ausgebildet ist, dass sie einen Ohm'schen Kontakt mit einer Unterseite einer lichtemittierende Struktur 135 und einer transparenten Kanalschicht 240, die an einer Außenseite der lichtemittierende Struktur 135 ausgebildet ist, aufweist.
  • Ein Endabschnitt 251 der Reflexionsschicht 250 kann so ausgebildet sein, dass sie mit einem Kanalbereich 105 um einen vorgegebenen Abstand D16 überlappt. Hierbei kann der Überlappungsabstand D16 kleiner als ca. 80% der unteren Breite (D15 + D16) der Kanalschicht 240 sein. Das heißt, wie in 24 und 26 dargestellt, kann eine Reflexionsschicht 250 teilweise oder insgesamt die Ohm'sche Schicht 280 unter einem Bereich der Kanalschicht 240 kontaktieren.
  • 26 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 26 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 26 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 202 eine leitfähige Oxid-basierte Ohm'sche Schicht 280 aufweisen, die so ausgebildet ist, dass sie einen Ohm'schen Kontakt mit einer Unterseite einer lichtemittierenden Struktur 135 und einer transparenten Kanalschicht 240, die an der Außenseite der lichtemittierenden Struktur 135 ausgebildet ist, aufweist. Eine Reflexionsschicht 250 kann unter der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet sein, und eine Deckschicht 255 kann zwischen den Ohm'schen Schicht 280 und der Reflexionsschicht 250 ausgebildet sein.
  • Die Deckschicht 255 kann zum Beispiel aus einem Metall mit einer guten Haftkraft mit einem Oxid, zum Beispiel einem oder mehreren, die aus der aus Ti, Ni, Pt, Pd, Cu, Al, Ir und Rh bestehenden Gruppe ausgewählt sind, ausgebildet sein. Das heißt, die Deckschicht 255 kann beispielsweise eine einschichtige oder mehrschichtige Haftschicht unter Verwendung der vorstehenden Materialien, welche die Haftkraft zwischen dem Metall und dem Oxidmaterial erhöhen, sein, wodurch ein Abblättern an der Außenwand des Chip reduziert wird.
  • Die Deckschicht 255 kann zwischen einer äußeren unteren Oberfläche der Ohm'schen Schicht 240 und einer äußeren oberen Oberfläche der Reflexionsschicht 250 ausgebildet sein, um die Haftkraft der Reflexionsschicht 250 in Bezug auf die Außenseite zu erhöhen, was ein Abblättern zwischen Schichten an der Außenwand des Chips reduziert. Die Außenseite der Reflexionsschicht 250 kann so ausgebildet sein, dass sie sich zu der Außenseite des Chips entlang der Unterseite der Deckschicht 255 erstreckt.
  • 27 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 27 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 27 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 203 in einem Kanalbereich 105 eine Ohm'scher Schicht 280, die unter einer Kanalschicht 240 ausgebildet ist, eine Deckschicht 255, die unter der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet ist, und eine Reflexionsschicht 250, die unter der Deckschicht 255 ausgebildet ist, aufweisen. Die Deckschicht 255 kann um einen äußeren Rand der Ohm'schen Schicht 280 herum ausgebildet sein, um eine Kontaktfläche in Bezug auf die Reflexionsschicht 250 zu reduzieren. Die Ohm'sche Schicht 280 kann zum Beispiel aus einem leitfähigen Oxidmaterial ausgebildet sein. Die Deckschicht 255 kann in einem äußeren Kanalbereich 105 zwischen der Ohm'schen Schicht 280 und der Reflexionsschicht 250 ausgebildet sein. Die Deckschicht 255 kann beispielsweise aus einem Metall mit einer guten Haftkraft in Bezug auf das Oxidmaterial ausgebildet sein.
  • Ein inneres Ende 255A der Deckschicht 255 kann so ausgebildet sein, dass es sich zu einem Abschnitt eines Bereichs Ohm'schen Kontakts der Ohm'schen Schicht 280 erstreckt. Hierbei kann die Außenseite der Ohm'schen Schicht 280 einen Rand der Kanalschicht 240 abdecken und kann die Deckschicht 255 sich zu einem Abdeckungsbereich der Ohm'schen Schicht 280 in Bezug auf die Kanalschicht 240 erstrecken.
  • 28 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 28 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 28 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 204 in einem Kanalbereich 105 eine Stapelstruktur einer Kanalschicht 240, einer Deckschicht 255 und eines äußeren Endes 281 einer Ohm'schen Schicht 280, das unter der Kanalschicht 240 angeordnet ist, aufweisen. Das äußere Ende 281 der Ohm'schen Schicht 280 kann sich zu einer inneren Unterseite der Kanalschicht 240 erstrecken und kann außerhalb des Chips nicht freiliegend sein. Die Deckschicht 255 kann unter einer unteren Außenseite der Kanalschicht 240 und dem äußeren Ende 281 der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet sein. Die Deckschicht 255 kann Unterseiten der Ohm'schen Schicht 280 und der Kanalschicht 240 aufweisen, was eine Haftkraft der Reflexionsschicht 250 verbessert.
  • 29 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 9 bzw. 29 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen weggelassen.
  • Gemäß 29 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 204A im Vergleich mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung der 28 eine abgewandelte Deckschicht 255 des Kanalbereichs 105 aufweisen. Die Deckschicht 255 kann unter einer unteren Außenseite der Kanalschicht 240 und einem äußeren Ende 281 der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet sein, und ihr inneres Ende 255A kann so ausgebildet sein, dass es sich bis zu einem Abschnitt eines Bereichs Ohm'schen Kontakts der Ohm'schen Schicht 280 erstreckt. Der Bereich Ohm'schen Kontakts der Ohm'schen Schicht 280 kann ein Bereich sein, welcher die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kontaktiert, und die Ohm'sche Schicht 280 kann zwischen dem Ende 255A der Deckschicht 255 und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 angeordnet sein.
  • Die Reflexionsschicht 250 kann die Unterseite der Deckschicht 255 kontaktieren und kann an der Außenwand des Chips freiliegen. Die Deckschicht 255 kann äußere Unterseiten der Ohm'schen Schicht 280 und der Kanalschicht 240 kontaktieren, was eine Haftkraft der Reflexionsschicht 250 verbessert.
  • 30 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 30 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit dem Ausführungsbeispiel von 29 weggelassen.
  • Gemäß 30 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 205 eine Ohm'sche Schicht 280, die an der Unterseite eines Kanals Schicht 240 ausgebildet ist, eine Deckschicht 255, die unter der Außenseite der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet ist, und eine Reflexionsschicht 250, die an einem Abschnitt der Unterseite der Deckschicht 255 ausgebildet ist, aufweisen. Ein Endabschnitt 250A der Reflexionsschicht 250 kann sich zu einer unteren Innenseite der Deckschicht 255 erstrecken und kann an der Außenwand des Chips nicht freiliegend sein. Demgemäß kann eine Abnahme in einer Haftkraft in dem Endabschnitt 250A der Reflexionsschicht 250 verhindert werden.
  • 31 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 31 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit dem Ausführungsbeispiel von 30 weggelassen.
  • Gemäß 31 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 205A eine Ohm'sche Schicht 280, die an der Unterseite eines Kanalschicht 240 ausgebildet ist, eine Deckschicht 255, die unter der Außenseite der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet ist, und eine Reflexionsschicht 250, die sich zu der unteren inneren Seite der Deckschicht 255 erstreckt, aufweisen. Die Reflexionsschicht 250 kann unter der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet sein. Ein Endabschnitt 250A der Reflexionsschicht 250 kann sich zu einer unteren Innenseite der Deckschicht 255 erstrecken und kann an der Außenwand des Chips nicht freiliegend sein. Demgemäß kann eine Abnahme in einer Haftkraft in dem Endabschnitt 250A der Reflexionsschicht 250 verhindert werden.
  • Ein inneres Ende 255A der Deckschicht 255 kann so ausgebildet sein, dass sie sich zu einem Bereich Ohm'schen Kontakts der Ohm'schen Schicht 280 erstreckt, um die Kontaktfläche zwischen der Ohm'schen Schicht 280 und der Reflexionsschicht 250 zu vergrößern. Der Endabschnitt 250A der Reflexionsschicht 250 kann so angeordnet sein, dass er mit der Unterseite der Kanalschicht 240 überlappt, und kann so ausgebildet sein, dass er eine Breite von weniger als etwa 80% der Breite der Kanalschicht 240 aufweist.
  • 32 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 32 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit dem Ausführungsbeispiel von 32 bzw. 31 weggelassen.
  • Gemäß 32 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 206 eine Kanalschicht 240, die unter der Außenseite einer lichtemittierenden Struktur 135 ausgebildet ist, eine Ohm'sche Schicht 280, die unter der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 und innerhalb der Kanalschicht 240 ausgebildet ist, und eine Deckschicht 255, die unter der Außenseite der Kanalschicht 240 und der Außenseite der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet ist, aufweisen. Eine Reflexionsschicht 250 kann unter der Ohm'schen Schicht 280 und innerhalb der Deckschicht 255 ausgebildet sein.
  • Die Reflexionsschicht 250 kann sich zu einer inneren Unterseite der Deckschicht 255 erstrecken. Der Erstreckungsabschnitt 250A kann einen Bereich aufweisen, der mit der Kanalschicht 240 überlappt, und eine Breite des Überlappungsbereichs kann weniger als etwa 80% der unteren Breite der Kanalschicht 240 aufweisen.
  • Eine Haftschicht 260 und die Außenseite der Reflexionsschicht 250 können die Unterseite der Deckschicht 255 kontaktieren, was eine Haftkraft der Reflexionsschicht 250 und der Haftschicht 260 verbessert.
  • 33 ist eine Schnittansicht einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 33 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit dem Ausführungsbeispiel von 32 weggelassen.
  • Gemäß 33 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 206A eine Kanalschicht 240, die unter einer Außenseite einer lichtemittierenden Struktur 135 ausgebildet ist, eine Ohm'sche Schicht 280, die unter der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 und innerhalb der Kanalschicht 240 ausgebildet ist, und eine Deckschicht 255, die unter der Außenseite der Kanalschicht 240 und der Außenseite 281 der Ohm'schen Schicht 280 ausgebildet ist, aufweisen. Eine Reflexionsschicht 250 kann unter der Ohm'schen Schicht 280 und innerhalb der Deckschicht 255 ausgebildet sein.
  • Die Reflexionsschicht 250 kann sich zu der inneren Unterseite der Deckschicht 255 erstrecken. Der Erstreckungsabschnitt 250A kann ein Bereich aufweisen, der räumlich mit der Kanalschicht 240 überlappt, und eine Breite des Überlappungsbereichs kann weniger als etwa 80% einer unteren Breite der Kanalschicht 240 aufweisen.
  • Eine Haftschicht 260 und die Außenseite der Reflexionsschicht 250 können die Unterseite der Deckschicht 255 kontaktieren, was eine Haftkraft der Reflexionsschicht 250 und der Haftschicht 260 verbessert.
  • Ein Endabschnitt 255A des Deckschicht 255 kann sich zu einem Bereich Ohm'schen Kontakts der Ohm'schen Schicht 280 erstrecken, um die Kontaktfläche zwischen der Reflexionsschicht 250 und der Ohm'schen Schicht 280 zu verkleinern. Demgemäß kann die Deckschicht 255 eine Haftkraft zwischen der Reflexionsschicht 250, der Ohm'sche Schicht 280 und der Haftschicht 260 verbessern.
  • 34 bis 42 sind Querschnitte von lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gemäß zusätzlichen Ausführungsbeispielen. Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 34 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit dem Ausführungsbeispiel von 1 weggelassen.
  • Gemäß 34 sind bei einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100G Rauungsmuster P1 und P2 auf Ober- und Unterseite einer Kanalschicht 140 ausgebildet, um entsprechend einer Vergrößerung der Kontaktfläche eine Haftkraft zu erhöhen.
  • Das obere Rauungsmuster P1 der Kanalschicht 140 kontaktiert die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130, und das untere Rauungsmuster P2 der Kanalschicht 140 kontaktiert eine Oberseite der Reflexionsschicht 150. Demgemäß können Kontaktfläche und Haftkraft zwischen der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 und der Reflexionsschicht 150 verbessert werden. Die oberen und unteren Rauungsmuster P1 und P2 der Kanalschicht 140 können einen kritischen Winkel von Lichtausgang/-eingang durch die Oberfläche verändern.
  • Die Rauungsmuster P1 und P2 können zum Beispiel eine prismatische, streifenförmige, konvex-konkave oder dreieckige Querschnittsform aufweisen, die innerhalb des technischen Umfangs des erfindungsgemäßen Konzepts variieren können. Das obere Rauungsmuster P1 kann zum Beispiel durch Ätzen einer unteren Oberfläche der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 in einer Form eines Musters ausgebildet werden. Das untere Rauungsmuster P2 kann zum Beispiel durch Ätzen einer unteren Oberfläche der Kanalschicht 140 ausgebildet werden.
  • Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 35 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den Ausführungsbeispielen von 1 bis 34 weggelassen. Gemäß 35 kann bei einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100H ein Rauungsmuster P2 auf einer unteren Oberfläche einer Kanalschicht 140 ausgebildet sein, um die Haftkraft entsprechend einer Vergrößerung einer Kontaktfläche mit der Reflexionsschicht 150 zu erhöhen. Das Rauungsmuster P2 der Kanalschicht 140 kann einen kritischen Winkel von Lichtausgang/-eingang durch die Oberfläche verändern.
  • Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 36 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den Ausführungsbeispielen von 1 bis 34 weggelassen. Gemäß 36 kann bei einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100I ein Rauungsmuster P2 auf einer äußeren oberen und/oder unteren Oberfläche(n) einer Reflexionsschicht 150 ausgebildet sein, um eine Haftkraft entsprechend einer Vergrößerung einer Kontaktfläche mit der Haftschicht 160 und der Kanalschicht 140 neben der Außenseite der Reflexionsschicht 150 zu erhöhen. Das obere Rauungsmuster P2 der Kanalschicht 140 kann einen kritischen Winkel von Lichtausgang/-eingang durch die Oberfläche verändern, und das untere Rauungsmuster P3 kann eine Haftkraft in Bezug auf die Haftschicht 160 verbessern.
  • Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 37 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den Ausführungsbeispielen von 1 bis 34 weggelassen. Gemäß 37 kann bei einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100J eine Unterseite einer Kanalschicht 140A so geätzt sein, dass sie ein sägezahnwellenförmiges Rauungsmuster ausbildet, und kann eine Außenseite 150A der Reflexionsschicht 150 so ausgebildet sein, dass sie ein konvex-konkaves Rauungsmuster entlang einer unteren Oberfläche der Kanalschicht 140 aufweist. Hierbei kann eine Ätztiefe gleich bis ungefähr die Dicke der Kanalschicht 140A sein, und der Ätzwinkel kann schräg oder senkrecht sein.
  • Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 38 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den Ausführungsbeispielen von 1 bis 34 weggelassen. Gemäß 38 kann bei einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100M eine Unterseite einer Kanalschicht 140 so geätzt sein, dass sie ein konvex-konkaves oder rechteckwellenförmiges Rauungsmuster P5 ausbildet, und kann eine Außenseite der Reflexionsschicht 150 so ausgebildet sein, dass sie ein konvex-konkaves oder rechteckwellenförmiges Rauungsmuster P6 entlang einer unteren Oberfläche der Kanalschicht 140 aufweist. Hierbei kann eine Ätztiefe geringer als eine Dicke der Kanalschicht 140 sein und eine Ätzform polygonal und halbkugelig sein.
  • Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 39 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den Ausführungsbeispielen von 1 bis 34 weggelassen. Gemäß 39 kann bei einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100N eine Unterseite einer Kanalschicht 140B so geätzt sein, dass sie ein konvex-konkaves oder rechteckwellenförmiges Rauungsmuster P7 ausbildet, und kann eine Außenseite 150B der Reflexionsschicht 150 so ausgebildet sein, dass sie ein konvex-konkaves oder rechteckwellenförmiges Rauungsmuster entlang einer unteren Oberfläche der Kanalschicht 140B aufweist. Demgemäß kann die Kanalschicht 140B in eine Mehrzahl von Bereichen unterteilt sein; Ausführungsbeispiele sind jedoch nicht darauf beschränkt. Eine Ätztiefe kann geringer als die Dicke der Kanalschicht 140B sein, eine Ätzform kann polygonal und halbkugelig sein, ein konkaver Abstand und/oder ein konvexer Abstand können gleich oder verschieden voneinander sein.
  • Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 40 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den Ausführungsbeispielen von 22 weggelassen. Gemäß 40 kann bei einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 207 eine Unterseite einer Kanalschicht 240 so geätzt sein, dass sie ein Rauungsmuster P8 ausbildet, und kann eine Außenseite einer Ohm'schen Schicht 280 so ausgebildet sein, dass sie ein Rauungsmuster entlang dem Rauungsmuster P8 aufweist. Das Rauungsmuster P8 kann eine Kontaktfläche zwischen zwei benachbarten Schichten vergrößern, um eine Haftkraft zu verbessern.
  • Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 41 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den Ausführungsbeispielen von 22 weggelassen. Gemäß 41 kann bei einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 207A eine Unterseite einer Kanalschicht 240A so geätzt sein, dass sie ein sägezahnwellenförmiges Rauungsmuster ausbildet, und kann eine Außenseite 280A einer Ohm'schen Schicht 280 so ausgebildet sein, dass sie ein Rauungsmuster entlang einer unteren Oberfläche der Kanalschicht 240 aufweist. Eine Ätztiefe kann weniger als eine Dicke der Kanalschicht 140A betragen, und ein Ätzwinkel kann schräg oder senkrecht sein.
  • Bei der Beschreibung des Ausführungsbeispiels von 42 wurde eine wiederholende Beschreibung in Überschneidung mit den Ausführungsbeispielen von 22 weggelassen. Gemäß 42 können bei einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 207b Rauungsmuster P11 und P12 auf Ober- und Unterseite einer Kanalschicht 240 ausgebildet sein. Das obere Rauungsmuster P11 der Kanalschicht 140 kann eine untere Außenseite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 kontaktieren, und das untere Rauungsmuster P12 der Kanalschicht 140 kann eine Oberseite der Ohm'schen Schicht 280 kontaktieren. Demgemäß können Kontaktfläche und Haftkraft zwischen der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 und der Ohm'schen Schicht 280 verbessert werden.
  • Die Rauungsmuster P11 und P12 können zum Beispiel eine prismatische, streifenförmige, konvex-konkave und sägezahnwellenförmige (z. B. dreieckige Querschnitts-)Form aufweisen, die im Rahmen des technischen Abdeckungsbereichs des erfindungsgemäßen Konzepts variieren können. Das obere Rauungsmuster P11 kann zum Beispiel durch Ätzen einer unteren Oberfläche der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 130 in einer Form eines Musters ausgebildet sein. Das untere Rauungsmuster P12 kann z. B. durch Ätzen einer unteren Oberfläche der Kanalschicht 240 ausgebildet sein. Eine äußere untere Oberfläche der Reflexionsschicht 250 kann aufgrund der Ohm'schen Schicht 280 ein Rauungsmuster P13 aufweisen, wodurch sich ein kritischer Licht-Eingangs-/Ausgangswinkel ändert. Die Rauungsmuster P12 und P13 der Reflexionsschicht 250 und der Kanalschicht 240 können auf einigen oder allen der Oberflächen der einzelnen Schichten ausgebildet sein.
  • 43 ist eine Schnittansicht einer Baugruppe mit einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel. Gemäß 43 kann eine Baugruppe mit einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel 28 einen Körper 20, eine erste Leitungselektrode 31, eine zweite Leitungselektrode 32, eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 und ein Vergussteil 40 aufweisen. Die erste Leitungselektrode 31 und die zweite Leitungselektrode 32 können auf dem Körper 20 angeordnet sein. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100, die auf dem Körper 20 angeordnet ist, kann elektrisch mit der ersten Leitungselektrode 31 und der zweite Leitungselektrode 32 verbunden sein. Das Vergussteil 40 kann so konfiguriert sein, dass die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 davon umgossen ist.
  • Der Körper 20 kann so ausgebildet sein, dass er ein Silizium-Material, ein Kunstharz oder ein metallisches Material aufweist. Eine schräge Oberfläche kann um die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 herum ausgebildet sein.
  • Die erste Leitungselektrode 31 und die zweite Leitungselektrode 32 können elektrisch voneinander getrennt sein und können der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 Strom zuführen. Des Weiteren können die erste Leitungselektrode 31 und die zweite Leitungselektrode 32 das aus der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 emittierte Licht reflektieren, was eine Lichtausbeute erhöht. Ferner können die erste Leitungselektrode 31 und die zweite Leitungselektrode 32 dazu dienen, von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 erzeugte Wärme abzuleiten.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 kann auf dem Körper 20 angeordnet sein oder kann auf der ersten Leitungselektrode 31 oder der zweite Leitungselektrode 32 angeordnet sein. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 kann zum Beispiel durch einen Draht elektrisch mit der ersten Leitungselektrode 31 verbunden sein und kann in einer Die-Bonding-Konfiguration mit der zweiten Leitungselektrode 32 verbunden sein.
  • Das Vergussteil 40 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung Vorrichtung 100 umgießen, um die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 zu schützen. Des Weiteren kann ein fluoreszierendes Material in dem Vergussteil 40 enthalten sein, um eine Wellenlänge von aus der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 emittiertem Licht zu ändern.
  • Jedes Ausführungsbeispiel ist nicht hierauf beschränkt und kann wahlweise auf die anderen Ausführungsbeispiele angewendet werden. Auch die hierin offenbarte lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß den Ausführungsbeispielen kann in einem Halbleitersubstrat, einem isolierenden Substrat oder einem Keramik-Substrat (wie etwa einem Harzmaterial oder Silizium) verpackt sein und kann als eine Lichtquelle einer Anzeigevorrichtung, einer Beleuchtungsvorrichtung oder einer Bildwiedergabevorrichtung verwendet werden.
  • Wie oben beschrieben, können hierin offenbarte Ausführungsbeispiele den Lichtauskopplungswirkungsgrad verbessern. Des Weiteren können die hierin offenbarten Ausführungsbeispiele das Problem einer Haftung zwischen den Schichten, die unter der lichtemittierenden Struktur angeordnet sind, überwinden.
  • Ferner können die hierin offenbarten Ausführungsbeispiele das Problem einer Haftung zwischen dem Metall und dem Nichtmetall im Kanalbereich unter der lichtemittierenden Struktur überwinden. Darüber hinaus können die hier offenbarten Ausführungsbeispiele das Problem eines Abblätterns zwischen Schichten im Kanalbereich durch Verbessern der Haftkraft zwischen dem reflektierenden Material und dem Oxid unter der lichtemittierenden Struktur überwinden. Zusätzlich können die hierin offenbarten Ausführungsbeispiele eine Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung verbessern.
  • Die hier offenbarten Ausführungsbeispiele sind für jedwede lichtemittierende Vorrichtung, die Licht bereitstellt, anwendbar.
  • Hierin offenbarte Ausführungsbeispiele stellen eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die in der Lage ist, eine Haftkraft zwischen Schichten, die unter einer lichtemittierenden Struktur angeordnet sind, einschließlich einer Verbindungshalbleiterschicht, zu verbessern, und ein Verfahren zum Herstellen derselben bereit.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vorgesehen, die eine lichtemittierende Struktur mit einer Mehrzahl von Verbindungshalbleiterschichten; eine Elektrode auf der Verbindungshalbleiterschicht; eine Reflexionsschicht unter der Verbindungshalbleiterschicht; ein leitfähiges Stützteil unter der Reflexionsschicht; und eine Kanalschicht entlang einem unteren Rand der Verbindungshalbleiterschicht aufweisen kann.
  • Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierende Halbleitervorrichtung vorgesehen, das aufweisen kann: Ausbilden einer Mehrzahl von Verbindungshalbleiterschichten auf einem Substrat; Ausbilden einer Kanalschicht entlang einem oberen Rand der Verbindungshalbleiterschicht; Ausbilden einer Reflexionsschicht auf der Verbindungshalbleiterschicht; Drehen der Reflexionsschicht zur Basis und Entfernen des Substrats; Ätzen der Verbindungshalbleiterschicht, um die Kanalschicht freizulegen; und Ausbilden einer Elektrode auf der Verbindungshalbleiterschicht.
  • Jede Bezugnahme in dieser Beschreibung auf ”ein Ausführungsbeispiel”, ”ein Ausführungsbeispiel”, ”Ausführungsbeispiel” etc. bedeutet, dass ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder eine bestimmte Eigenschaft, die in Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel beschrieben wird, in wenigstens einem Ausführungsbeispiel der Erfindung enthalten ist. Das Auftreten von solchen Formulierungen an verschiedenen Stellen in der Beschreibung bezieht sich nicht notwendigerweise jedes Mal auf das gleiche Ausführungsbeispiel. Wenn des Weiteren ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder eine bestimmte Eigenschaft in Verbindung mit einem Ausführungsbeispiel beschrieben wird, ist anzumerken, dass es im Bereich eines Fachmanns liegt, ein solches Merkmal, Struktur oder Eigenschaft in Verbindung mit anderen Ausführungsbeispielen zu bringen.
  • Obwohl Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf eine Anzahl von beispielhaften Ausführungsbeispielen beschrieben worden sind, sollte verstanden werden, dass zahlreiche andere Abwandlungen und Ausführungsbeispiele von einem Fachmann ersonnen werden können, die unter den Geist und Umfang der Grundsätze dieser Offenbarung fallen werden. Insbesondere sind innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche verschiedene Änderungen und Abwandlungen in den Bauteilen und/oder Anordnungen der betroffenen kombinierten Anordnung möglich. Neben Variationen und Abwandlungen in den Bauteilen und/oder Anordnungen werden alternative Verwendungen für den Fachmann ebenso ersichtlich sein.

Claims (15)

  1. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100), welche aufweist: eine lichtemittierende Struktur (135), welche eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (110), eine aktive Schicht (120), die unterhalb der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps (110) angeordnet ist, und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (130), die unterhalb der aktiven Schicht (120) angeordnet ist, aufweist; eine Kanalschicht (140) und eine Reflexionsschicht (150) unterhalb der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (130); eine Stromsperrschicht (145), die in einem Teilbereich zwischen der Reflexionsschicht (150) und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (130) ausgebildet ist; eine Haftschicht (160) unterhalb der Reflexionsschicht (150); ein leitfähiges Stützteil (170) unterhalb der Haftschicht (160); und eine Elektrode (115) auf der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps (110), wobei die Reflexionsschicht (150) eine untere innere Seite der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (130) kontaktiert und die Kanalschicht (140) einen unteren Rand der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (130) kontaktiert, und wobei die Haftschicht (160) eine obere Oberfläche, die einen nach oben vorspringenden Bereich aufweist, und eine flache untere Oberfläche aufweist.
  2. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, weiter aufweisend ein Rauungsmuster (112), das auf der lichtemittierenden Struktur (135) ausgebildet ist.
  3. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Elektrode (115) ein Pad und ein mit dem Pad verbundenes verzweigtes Metallmuster aufweist.
  4. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, weiter aufweisend eine Deckschicht auf oder unterhalb der aktiven Schicht (120), aufweisend einen AlGaN-basierten Halbleiter.
  5. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Kanalschicht (140) aus wenigstens einem aus der Gruppe, die aus ITO (Indium-Zinn-Oxid), IZO (Indium-Zink-Oxid), IZTO (Indium-Zink-Zinn-Oxid), IAZO (Indium-Aluminium-Zink-Oxid), IGZO (Indium-Gallium-Zink-Oxid), IGTO (Indium-Gallium-Zinn-Oxid), AZO (Aluminium-Zink-Oxid), ATO (Antimon-Zinn-Oxid), GZO (Gallium-Zink-Oxid), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 und TiO2 besteht, ausgewählten ausgebildet ist.
  6. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Reflexionsschicht (150) sich zu einer unteren Oberfläche der Kanalschicht (140) erstreckt.
  7. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Reflexionsschicht (150) eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur unter Verwendung eines aus der Gruppe, die aus Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf und einer Kombination daraus besteht, ausgewählten aufweist.
  8. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Stromsperrschicht (145) aus wenigstens einem aus der Gruppe, die aus ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 und TiO2 besteht, ausgewählten ausgebildet ist.
  9. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei eine Außenseite der lichtemittierenden Struktur (135) abgeschrägt ist.
  10. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei ein inneres Ende der Kanalschicht (140) ein äußeres Ende der Reflexionsschicht (150) kontaktiert.
  11. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Stromsperrschicht (145) so ausgebildet ist, dass sie einer Position der Elektrode (115) entspricht.
  12. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, weiter aufweisend eine Isolierschicht (190), die entlang einem äußeren Rand der lichtemittierenden Struktur (135) angeordnet ist.
  13. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, weiter aufweisend ein Rauungsmuster, das in wenigstens einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche der Kanalschicht (140) ausgebildet ist.
  14. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Stromsperrschicht (145) aus dem gleichen Material wie die Kanalschicht (140) ausgebildet ist.
  15. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei das leitfähige Stützteil (170) wenigstens eines aus der Gruppe, die aus Cu, Au, Ni, Mo, Cu-W, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, GaN und SiGe besteht, ausgewählten aufweist.
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