TW201138155A

TW201138155A - Semiconductor light-emitting device

Info

Publication number: TW201138155A
Application number: TW099128892A
Authority: TW
Inventors: Hwan-Hee Jeong; Sang-Youl Lee; June-O Song; Ji-Hyung Moon; Kwang-Ki Choi
Original assignee: Lg Innotek Co Ltd
Priority date: 2009-10-15
Filing date: 2010-08-27
Publication date: 2011-11-01
Also published as: CN102820399A; US8513679B2; CN102820399B; KR101072034B1; DE202010017388U1; JP5650446B2; KR20110041272A; CN102044613A; US20110089452A1; EP2312655A1; JP2011086909A; EP2312655B1; CN102044613B

Description

201138155 ^ '六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明主張於2009年10月15日所申請之韓國專利申請案號10-2009-0098363的優先權，此全文將併入本案以作為參考。〜本發明是有關於一種半導體發光裝置。【先前技術】半導體發光裝置及其製造方法已為大眾所知。然而，它們 • 卻存在著各種問題。【發明内容】為克服上述問題，本發明實施例可改善取光效率。而且，本發明實施例可克服介於設置在發光結構下各層的黏著問題。再者’本發明實施例可克服介於金屬和非金屬在發光结構下的通道區域的黏著問題。更進一步而言，本發明實齡^藉由改善在發光結_介於反㈣料和氧化層的黏著力以克^ •在通道區域中間層的剝落問題。此外，本發明實施例可改善半導體發光裝置的可靠度。本發明實施例可適用至任何提供光的發光裝置。本發明實施例提供-半導體發光裝置在包含了化合物半導體層的發光結構下，具有改善介於各層黏接的能力，及製造該半導體發光裝置的方法。根據-實施例，提供了 -種半導體發光裝置，其可包含且有複數個化合物半導體層的一發光結構；設置在該化合物半導 201138155 1 .體層的—電極；設置在該化合物半導體層下方的一反射層；設置在該反射層下的-導電支撐件；以及沿著該化合物半導體一底部邊緣的一通道層。根據另—實施例，提供了—種半導體發域置的製造方法該方法可包含形成複數個化合物半導體層的一基板；形成沿著該化合物半導體層上邊緣的一通道層；形成一反射層在該 f合物半導體層上；移動該反縣至基底和移除縣板：侧 A化5物半‘體層以暴露出該通道層；以及形成—電極在該化 # 合物半導體層上。【實施方式】為讓本發明之上述目的、特徵和特點能更明顯易懂，茲配合圖式將本發明相關實施例詳細說明如下。在可能的情況下相似參考之數字標號用以表示相似的元件。在實施例的描述中’可被理解的是當-層（或膜）、區域、圖案或結構被提及而作為在一基板、一層（或膜）、區域、焊墊或圖案”上，，厂 φ 下時，其可為直接在基板、層（或膜）、區域、焊墊或圖案上’或者’一或多個介入層（intervening layers)亦可存在。進一步地，所提及關於在每一層，，上，，與，，下”將是以圖式為基準。在圖式中’每一層的厚度或尺寸是被放大、省略或示意地被描繪以方便說明。以及，圖式中所描繪的每一元件之尺寸並非全部反應至真實尺寸。在下文中’將配合圖式說明根據本發明實施例之半導體發光裝置。且儘可能將相同的元件標以相同的元件符號。 201138155 1 · 由於它們的物理與化學特性，ΙΙΙ-V族氮化物（nitride) 半導體被使用作為發光裝置的核心材料。例如發光二極體 (LEDs)與雷射二極體（LDs)。ΙΙΙ-V族氮化物半導體的範例為具有 InxAlyGai-x-yN (0$x£l, 〇$y$l, 〇£x+y$l)之組成程式 (composition equation)的氮化物半導體。發光二極體（LED)為一種作為光源或使用化合物半導體之特性而將電能轉換成光以作訊號互換的半導體裝置。以氮化物半導體為主的發光二極體或雷射二極體被廣泛地 • 作為發光裝置，且被運用作為例如行動電話鍵盤的發光單兀、光電面板以及照明裝置之各種產品的光源。圖1為根據本發明一實施例半導體發光裝置的剖視圖；圖2為沿圖1之ΙΙ — Π線之半導體發光裝置的剖視圖。如圖1與圖2所示，根據本發明一實施例半導體發光裝置100可包含一具有化合物半導體層的發光結構135、通道層140、一反射層150、一黏著層160以及一導電支 • 撐件170。半導體發光裝置100可利用例如ΠΙ-V族化合物半導體的化合物半導體所形成。半導體發光裝置100可發出可見光區的光源。例如藍色、綠色以及紅色光源，及叮每出紫外區（ultraviolet region)的光源。半導體發光表置100在貫施例的技術範圍内其形狀與結構可被任咅改變。發光結構135可包含一第一導電型半導體層11〇、一作用層120以及一第二導電型半導體層13〇。第一導電型 201138155 半導體層110可利用摻雜有一第一導電型摻雜物的⑴巧族化合物半導體來形成。例如ΙΠ_ν族化合物半導體可包含選自由氮化鎵（GaN)、氮化鋁（Α1Ν)、氮化鋁鎵（AlGaN)、氮化銦鎵（InGaN)、氮化銦（Μ)、氮化銦鋁鎵（InA1GaN)、氮化鋁銦 (AlInN)、砷化鋁鎵（AlGaAs)、磷化鎵（GaP)、珅化鎵（GaAs)、磷砷化鎵（GaAsP)以及磷化鋁鎵銦（AiGalnP)所組成之群組。舉例來說，如果第一導電型半導體層由一 N型半導體所组成’第一導電型摻雜物可選自V族元素。第一導電型 • 半導體層可形成有’例如，一單層或多層結構；然而，實施例並非用以限定本發明。第一導電型半導體層11()的一頂部表面可形成有一取光結構（light extraction structure) ’ 例如一粗糙圖案（r0Ughness pattern) 112 以改善取光效率。另外，一透明電極層和一絕緣層可被形成，用以電流擴散（current diffusion)和取光；然而’實施例並非用以限定本發明。鲁一電極115可被設置在第一導電型半導體層11〇上。電極115可為，例如一焊墊（pad)或可包含連接至該焊墊的一分支型金屬圖案；然而，實施例並非用以限定本發明。電極115的一頂部表面可形成有一粗糙圖案112 ;然而，實施例並非用以限定本發明。電極115可歐姆接觸第一導電型半導體層no的頂部表面。電極115可形成有，例如，一單層或多層結構其使用遥自由絡（Cr)、録（Ti)、|呂（A1)、銦（In)、组（Ta)、在巴 201138155 (Pd)、銘（Co)、鎳（Ni)、石夕（Si)、鍺（Ge)、銀（Ag)、銅（Cu) 和金（Au)之一種或多種。考慮到與第一導電型半導體層Μ 歐姆接觸，介於金屬層的黏著力、反射特性和導電特性來決定電極115應由，例如選自上述之至少一種材料來形成。

作用層120可設置在第一導電型半導體層no下。作用層12 0可形成有’例如’單個或多個量子井結構。作用層120可由，例如III-V族化合物半導體所形成而具有一組 (period)的位能井層（weii iayer)與位障層（barrier • iayer)。例如，作用層12〇可形成有一氮化銦鎵井層（InGaN well layer)/—氮化鎵位障層（GaN barrier layer)或一氮化銦鎵井層（InGaN well layer)/—氮化鋁鎵位障層（A1GaN barrier layer) ° 一導電包覆層可被形成在作用層120上及/或下。例如該導電包覆層可由一氮化鋁鎵為基底的半導體 (AlGaN-based semi conductor)所形成。鲁第二導電型半導體層130可被設置在作用層12〇下。第二導電型半導體層130可利用，例如摻雜有一第二導電型掺雜物的III-V族化合物半導體而形成。例如丨丨族化合物半導體可包含選自由氮化鎵（GaN)、氮化鋁（A1N)、氮化鋁鎵（AlGaN)、氮化銦鎵（InGaN)、氮化銦（ιηΝ)、氮化銦鋁鎵 (InAlGaN)、氮化鋁銦（AlInN)、砷化鋁鎵（AlGaAs)、磷化鎵 (GaP)、石申化鎵（GaAs)、磷珅化鎵（GaAsP)以及填化紹鎵銦 (AlGalnP)所組成之群組。舉例來說，如果第二導電型半導 201138155 ‘體層13G由-P型半導體所組成，第二導電型摻雜物可選自jii族元素。第二導電型半導體層13Q可形成有，例如一單層或多層結構；然而，實施例並非用以限定本發明。發光結構135可進一步包含或許為第一導電型的一第三導電型半導體層134,其設置在第二導電型半導體層13〇下，如圖1A所示。第三導電型半導體層134與第二導電型半導體層130在極性（inpolarity)上可為相反的極性。以及，第一導電型半導體層110可為一 P型半導體層，且第 • 二導電型半導體層13〇可為一 N型半導體層。因此，發光結構135可包含一 N-P接合結構、一 p-N接合結構、一 n_p_n 接合結構以及一 P-M-P接合結構的其中至少一者。通道層140與反射層150可被設置在第二導電型半導體層130或第三導電型半導體層134下。於下文中，為了方便說明，假設第二導電型半導體層130被設置作為發光結構13 5的最底層。 φ 反射層150可接觸第二導電型半導體層130的一内底側，且通道層140可接觸第二導電型半導體層13〇的一底緣。通道層140可設置在一通道區域1〇5。通道區域1〇5 可為晶片間邊界（inter-chip boundary)，例如半導體發光裝置之一邊緣區域。通道層140的上外側（top outer side) 可暴露至外部或可被一絕緣層190所覆蓋。通道層140的上内侧（top inner side)可接觸第二導電型半導體層130 的一外底侧（bottom outer side)。 201138155 ‘，通道層丨40可沿著第二導電型半導體層130之底緣形成，例如圈（loop)、環（ring)或框（frame)狀。通道層"ο 可包含例如一連續圖案狀或一不連續圖案狀。同時，於製造過程中’通道層140可形成在一雷射光照射在通道區域的一途徑上。通道層140可由’例如氧化物（oxide)、氮化物（nitride) 或一絕緣材料所形成。例如通道層140可由選自由銦錫氧化物（IT0)、銦氧化鋅（IZ0)、鋅銦錫氧化物（ιζτο)、氧化銦 φ 鋅鋁（IAZ0)、氧化鋅銦鎵（IGZ0)、録銦錫氧化物（igt〇)、紹氧化辞（AZ0)、銻錫氧化物（ΑΤΟ)、氧化鋅鎵（GZ0)、Si〇2、 SiOx、SiOxNy，ShN4、AhO3和 Ti〇2所組成之群組。甚至當發光結構135的一外壁被暴露在溼氣中，通道層140可防止一電路短路的發生，因此使半導體發光裝置處於一高潮溼度下更耐用。當通道層140由一透明材料所形成時’照射雷射光（irradiated LD)可以一雷射切割法 ^ (laser scribing process)而被傳送，因此以防止一金屬材料由於雷射照射而被碎裂。據此，得以防止發光結構丄35 之邊牆的一夾層短路的發生。通道層140可提供一預定間距在反射層15〇與發光結構135之每一層110/120/130的一外壁。通道層140可形成有一厚度約0. 02/zm至5# m。通道層140的厚度可隨晶片尺寸而改變。反射層150可歐姆接觸第二導電型半導體層13〇的底 201138155 •.面且可包含一反射金屬。反射層150可包含，例如用在一電鐘製程的種子金屬（seed metal)。因此，反射層15〇可選擇性包含一歐姆層、一種子層、及/或一反射層；然而，實施例並非用以限定本發明。反射層150可延伸到通道層14〇的一底部表面，且可形成與通道層14的整個底部表面接觸。反射層15〇可形成具有一較大於發光結構135的寬度和/或長度。因此，取光效率得以被改善。 φ· 反射層150可形成，例如一單層或多層結構，其選自由 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 以及其組合所組成之群組。反射層15〇可形成在，例如一多層結構内，其使用上述材料和導電氧化物如銦氧化鋅（IZO)、鋅銦錫氧化物（IZTO)、氧化銦鋅鋁（IAZ〇)、氧化鋅銦鎵 (IGZO)、鎵銦錫氧化物（IGTO)、鋁氧化鋅（AZ0)或銻錫氧化物（ΑΤΟ)所形成。例如反射層15〇可形成例如、 _ AZO/Ag、IZO/Ag/Ni 和 AZO/Ag/Ni 之一結構。一電流阻隔層145可形成在介於反射層和第二導電型半導體層130之一部分區域内。電流阻隔層145可由具有較低於反射層150之導電率的非金屬材料所形成。例如，電流阻隔層145可選自由銦錫氧化物（IT〇)、銦氧化鋅 (ΙΖ0)、辞銦錫氧化物（ΙΖΤ0)、氧化銦鋅鋁（ΙΑΖ0)、氧化鋅銦鎵（IGZ0)、鎵銦錫氧化物（IGT0)、鋁氧化鋅（ΑΖ〇)、銻錫氧化物（ΑΤΟ)、氣化鋅（ZnO)、Si〇2、SiOx、Si〇xNy、Si3N4、ΑΙ2Ο3 與 Ti〇2 11 E S] 201138155 • •所組成之群組。於此，如果反射層150由銀（Ag)所形成，電流阻隔層145可由銦錫氧化物（ΙΤ0)、氧化鋅（ZnO)或二氧化石夕（Si〇2)所形成。形成電流阻隔層145的材料可相同或不同於形成通道層140的材料。如果電流阻隔層145與通道層14〇的材料相同，則該兩者可使用相同製程所形成。電流阻隔層145可形成對應於電極115的一位置與對應於電極115的圖案。電流阻隔層145的尺寸可根據電流 •擴散（diffusion)的程度而改變。電流阻隔層145可被設置在對應電極115的一結構上’如此擴散（diffusing)—電流遍佈該晶片的整個區域。教且，電流阻隔層145可形成在介於反射層15〇與黏著層 -的—介面上’或在介於第二導電型半導體層咖和^ 者層160的一介面上；然而，實施例並非用以限定本發明黏著層160可被形成以接觸反射層15〇的一广立镰镇觸到通道層140的一底部。黏著層16〇可句-不 P且供a e j巴含，例如一擒金屬（barrier metal)或一結合金屬 metal)。兴伽^ ^bonding ;舉例而吕，黏者層160可由選自丁彳a

Cr r ，Au，Sn，Ni ，％ In，Bi，Cu，Ag以及Ta所組成之群級所 ’ 導電支撐件170可設置在黏著層16〇下。導/ 170可藉由例如鍍層（plating)或薄片（sh 支撐件著層16〇。而不形成黏導電支樓件17Q可由例如利用銅㈣、金如、鎳 t S] 12 201138155 (Νι)、鉬（Mo)、銅-鎢（CiH〇或一載體晶圓（例如：Si、以、 GaAS、Zn〇、SiC、GaN與SiGe)所形成的一基底。並且，導電支撐件170可不被形成或利用例如一導電片所形成。發光結構135的—外部邊緣可為傾斜且絕緣層190可形成在其上。絕緣層19〇可具有設置在通道層14〇的一底部上以及設置在第-導電型半導體層UQ周圍之一頂部 194。於是’絕緣層190可緊密接觸通道層140且可沿著發光結構135周圍而形成，進而防止在發光結構135的外^ φ 面之夾層短路問題。乂請參閱圖2，通道層140可形成在該晶片周圍的一條帶狀（band)。通道層140的内部區域C3與C4可對應到—半導體區域A1，且通道層1則外部區域α與C2可暴露在半導體區域Μ之外。通道層⑽的—内部區域㈣可設置體區域Α1的一部份上。 3莰直在牛導體區域A1之内，且反射層150的-寬度D1可小於半導體區域Αι的一寬产 D2。歐姆區域八2可形成具有一對應-發光區域的尺寸。又在半導體區域A1〜可形成對應電極115位置與圖案的電流阻隔層145。電流阻隔層145可設置於歐姆區域…和半導· 體區域A1之内。電流阻隔層145的—尺顿可依或電極圖案而改變。圖3至圖13為說明根據本發明實施例用以製造一半導體發光裝置流程中之剖視圖。請參閱圖3和圖4，一基板101可被加載 13 [S] 201138155 於長晶設備（growth equipment)上’且一 II至VI族化合物半導體可以例如一層或圖案形狀而被形成在其上。該長晶設備可為，例如一物理氣相沈積（PVD)設備、一化學氣相沈積 (CVD)設備、一電漿雷射沈積（PLD)設備、雙型熱蒸發器 (dual-type thermal evaporator)設備、一濺鍍設備與一有機金屬化學氣相沈積（M0CVD)設備的其中之一者；然而，實施例並非用以限定本發明。基板101可由’例如選自由藍寶石（Al2〇3)、GaN、SiC、ZnO、 φ Si、GaP、InP、GaaCb、導電材料與GaAs所組成之群組。一粗板圖案可形成在基板1〇1的一上表面。以及，以II至yi族化合物半導體為主的一層或圖案，例如一氧化鋅（ZnO)層（未繪示），一緩衝層（未繪示）與一未摻雜半導體層（未繪示）的其中至少—者可形成在基板101上。可利用III-V族化合物半導體來形成該緩衝層或該未換雜半導體層。該緩衝層可減少與基板ιοί的一晶格常數（iattice constan1:)，且該未摻雜半導體鲁層了由未推雜氮化錄為基底(GaN-based)的半導體所形成。一第一導電型半導體層11〇可形成在基板1〇1上。一作用層120可形成在第一導電型半導體層11〇上。一第二導電型半導體層13〇可形成在作用層12〇上。第‘電型半導體層110可利用，例如摻雜有一第一導電型摻雜物的一 ΠΙ—V族化合物半導體所形成。例如ΙΠ_ν 知化S物半導體可包含選自由氮化鎵（GaN)、氮化銘（Α1Ν)、氮化鋁鎵（AlGaN)、氮化銦鎵（InGaN)、氮化銦（InN)、氮化銦鋁鎵 201138155 * ' (InAlGaN)、氮化銘銦（A1 InN)、砷化鋁鎵（AiGaAs)、磷化鎵(Gap)、石申化鎵（GaAs)、磷砷化鎵（GaAsP)以及磷化鋁鎵銦（A1GaInP)所組成之群組。舉例來說，假若第一導電型半導體層110由一 N型半導體所組成’第一導電型摻雜物可選自v族元素。第一導電型半導體層11〇可形成有一單層或多層結構；然而’實施例並非用以限定本發明。作用層120可形成在第一導電型半導體層u〇上。作用層120可形成有，例如單個或多個量子井結構（(luantum • wel1 structure)。作用層120可由，例如in-V族化合物半導體所形成具有一組（period)的井層（weii iayer)與位障層 (barrier layer)。例如一組（peri〇d)的氮化銦鎵（inGaN)井層 /氣化鎵（GaN)位障層或氮化銦鎵（inGaN)井層/氮化銘鎵 (AlGaN)位障層。一導電包覆層（conductive clad layer)可被形成在作用層 120上及/或下。舉例來說’導電包覆層可由，例如一氮化鲁紹叙為基底的半導體（AlGaN-based semiconductor)所形成。第二導電型半導體層130可被形成在作用層12〇上。第二導電型半導體層130可利用，例如摻雜有一第二導電型摻雜物的一 IΠ-V族化合物半導體而形成。例如11 ι_ν族化合物半導體可包含選自由氮化鎵（GaN)、氮化銘（Α1Ν)、氮化鋁鎵（AlGaN)、氮化銦鎵（InGaN)、氮化銦（InN)、氮化銦鋁鎵 (InAlGaN)、氮化鋁銦（A1 InN)、砷化鋁鎵（AlGaAs)、磷化鎵（GaP)、砷化鎵（GaAs)、填砷化鎵（GaAsP)以及填化鋁鎵銦（AlGalnP)所組 m 15 201138155 成之群組。舉例來說，假若第二導電型半導體層110由一 P型半導體所組成’第二導電型摻雜物可選自ΙΠ族元素。第二導電型半導體層13〇可形成有，例如一單層或多層結構，然而，貫施例並非用以限定本發明。第一導電型半導體層11〇、作用層12〇以及第二導電型半導體層130可組成一發光結構ι35 。以及，一第三導電型半導體層，例如- Ν型半導體層可形成在第二導電型半導體層130上。因此’發光結構135可被形成而包含一鲁Ν-Ρ接合結構、一 Ρ~Ν接合結構、- Ν-Ρ-Ν接合結構以及一 Ρ-Ν-Ρ接合結構的其中至少一者。一通道層140可形成在每一晶片邊界區域（通道區域）。通這層140可利用，例如一光罩圖案（mask pattem)而被形成在每一晶片區域周圍。通道層14()可被形成，例如圈（loop)、環（ring)或框（frame)形狀。通道層wo可由，例如氧化物（oxide)、氮化物（nitride)以及絕緣材料的其中至少 • 一者所形成。例如通道層140可由選自由銦錫氧化物（IT0)、銦乳化鋅（ΙΖ0)、鋅銦錫氧化物（丨ζτ〇)、氧化銦鋅銘（ιαζο)、氧化鋅銦鎵（IGZ0)、鎵銦錫氧化物（IGT〇)、鋁氧化鋅（ΑΖ〇)、銻錫氧化物（ΑΤΟ)、氧化鋅鎵（GZ〇)、Si〇2、Si〇x、Si〇爲，SiaN4、Ah〇3 與Ti〇2所組成之群組所形成。舉例而s，通道層14〇可利用，例如一照相平版印刷 (photolithography)所形成。通道層140可由上述材料並利用例如一濺鍍法（sputtering pr〇cess)或一沈積法（dep〇siti〇n 16 201138155 ‘ process)所形成。假若通道層丨4〇由一導電氧化材料所形成’其可作為一電流擴散（current diffusion)或一注入芦 (injection layer) ° 請參閱圖4至圖6，一電流阻隔層145可形成在第二導電型半導體層130上。電流阻隔層145可利用例如光罩圖案來形成。電流阻隔層145可使用例如與通道層14〇相同材料或不同材料來形成。形成的順序可一材料差異而改變。舉例而言，如果通道層140和電流阻隔層145為相同 • 材料所形成’則通道層140和電流阻隔層145可在同一势程下形成。電流阻隔層145可由具有一導電率低於該半導體層的材料形成或具有較低於該半導體層的導電率。例如電流阻隔層145可由銦錫氧化物（ιτο)、銦氧化鋅（IZ〇)、鋅銦錫氧化物（IZT0)、氧化姻辞|g(iAZ0)、氧化辞鋼録（igz〇)、鎵銦錫氧化物（IGT0)、鋁氧化鋅（AZ0)、銻錫氧化物（AT〇)、氧化辞鲁（ZnO)、Si〇2、Si〇x、Si〇xNy、Si.、Ah〇3 或 Ti〇2 的其中至少一者所形成。電流阻隔層145可利用，例如光罩圖案形成在一所要的區域。電流阻隔層145可被形成對應用於電極之區域的位置與圖案。電流阻隔層145可被形成相同於電極圖案的形狀；然而，實施例並非用以限定本發明。電流阻隔層145可被形成與焊墊和/或電極圖案相同的形狀。電流阻隔層145可被設置在反射層内部。因此，在與相鄰區域比較’電流阻隔層145幾乎沒有電流流動於 17 [S] 201138155 其中’因而此以擴散方式（diffused manner)方式提供電流。電流阻隔層145可形成例如多邊形或圓形圖案，亦可能未被形成。請參閱圖5與圖7，一反射層150可被形成在第二導電型半導體層130上以歐姆接觸該第二導電型半導體層 130。反射層150可被形成在第二導電型半導體層13〇與電流阻隔層145以減少接觸阻抗。舉例而言’反射層15〇可由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、參 Ru、啦、Zn ' 、Au、Hf與其組合所組成之群組所形成的〜單層結構或多層結構。以及，反射層15〇可由利用，例如以上述金屬材料，以及導電氧化材料（conductive 〇xide material)例如銦氧化辞（IZ0)、鋅銦錫氧化物（IZT0)、氧化銦鋅銘（ΙΑΖ0)、氧化鋅銦鎵（IGZ0)，鎵銦錫氧化物ggt〇)、鋁氧化鋅（AZ0)與銻錫氧化物（AT0)所形成的多層結構。舉例來說，反射層 150 可由 IZ〇/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、或 AZO/Ag/Ni φ 所形成。舉例來說，反射層150可由一電子束法 (electron-beam process)或一藏鑛法（sputtering process) 來形成；然而，實施例並非用以限定本發明。舉例來說，反射層150可形成具有結構方式為第一黏著層/反射層/第二黏著層/種子層的堆疊結構。第一和第二黏著層可包含Ni，反射層可包含Ag，而種子層可包含Cu。第一黏著層可形具有低於數奈米（nm)的厚度，反射層可形成具有低於數百奈米（nm)的厚度，第二黏著層可形成具有 [s] 18 201138155 低於數十奈米（nm)的厚度，種子層可形成具有低於（微米 (/zm)的厚度，然而’實施例並非用以限定本發明。反射層150可形成覆蓋通道層140的底部。反射層150 可作為電極，因為反射層150可由反射金屬所形成。另外，反射層150和在上面的金屬材料也可作為電極。清參閱圖7與圖8, 一黏著層160可形成在反射層1,50 上。黏著層I60可包含一障壁金屬（barrier metal)或一接合金屬（bonding metal)。舉例來說，黏著層ι6〇可包含選自由 φ Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag 和 Ta 所組成之群組所形成。一導電支撐件17〇可形成在黏著層16〇上。導電支撐件170上。導電支撐件17〇可由，例如利用銅(c⑴、金⑽）、鎳（化）、鉬(Mo)、銅-鎢（Cu_w)或一載體晶圓（例如以、以、、

ZnO SiC GaN 與 SiGe)所形成的一基底（base 311|35计的6)。導電支撐件170可接合至黏著層16〇、可由一電鑛層所形 φ 成或可由一導電片（conductive sheet)黏著。在一實施例，黏著層160可以不被形成。在此情況下，導電支撐件 170可形成在反射層15〇上。請參閱圖9至圖11，導電支撐件170成為基底且在發光結構135上的基板1〇1被移除。例如可利用一雷射制離 (Laser Lift Off，LL0)法將基板101移除。雷射剝離法可照射具有一預定波長（wavelength)的雷射光束在基板1〇1上以移除基板101。在此，假若另一半導體層G列如一緩衝層）戋i 19 [s] 201138155 氣隙（air gap)存在於基板101與第一導電型半導體層110 之間，則可利用一漫姓刻劑（wet etchant)移除基板101。一基於感應輕合電漿/反應性離子姓刻（Inductively coupled Plasma/Reactive Ion Etching, ICP/RIE)的一研磨程序 (polishingprocess)可執行在第一導電型半導體層110的表面上執4亍，以移除基板1 〇 1。請參閱圖10與圖11，可利用例如一隔離蝕刻處理 (isolation etching process)移除發光結構135的通道區域 • 105。亦即，可在晶片間（inter-chip)邊界區域執行隔離蝕刻法。藉由隔離蝕刻處理，通道層14〇可暴露於通道區域 10 5且發光結構13 5的一侧邊可為傾斜。倘若通道層140由透明材料所形成，在隔離蝕刻處理或雷射切割（laser scribing)處理所照射的雷射光線可在通道層140内貫穿，進而抑制了下列金屬材料（例如反射層 150、黏著層160、導電支稽件17〇的金屬材料）發生破裂 • 或凸起（pr〇ject)在雷射光照射的方向。通道層140可傳送雷射光’因此，可預防起因於在通道區域1〇5的雷射光線產生的金屬破裂和保護發光結構135的每一層的外壁。之後’可於第-導電型半導體層⑽的―上表面上執行 --蚀刻處理以形成-粗_案。該粗糙圖案可改善取光效率。請參閱圖12至圖13’-絕緣層⑽可形成在發光結構135的周圍’其中-底部形成在通道層14〇上以及一頂 20 [S3 201138155 •部194形成在第-導電型半導體層11〇之上表面之周圍。絕緣層190可形成在發光結構135之周圍，以防止該些層 110、120與130之間的短路問題。以及，絕緣層19〇與通道層140可防止濕氣參透進入至晶片。 -電極115可形成在第一導電型半導體層11()上。該電極115可形成-預定圖形。可在晶片㈣_ __) 之前或之後執行絕緣層19〇與該電極115之形成；然而，貫施例亚非用以限定本發明。電極115可形成相應至電流 _ 隔層145的位置’且一粗糙圖案可形成在電極115的一頂部表面，然而，實施例並非用以限定本發明。之後，該結構可藉由晶片邊界而分離成獨立的晶片單元。晶片分離可以例如雷射或斷開處理（breaking pr〇cess)。圖 13為與圖2相同沿Ιΐ-ιι線的剖視圖。圖14為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。在描述圖14的實施例時，將省略描述與圖丨的實施例重 I 複的内容。請參閱圖14,一半導體發光裝置丨00A可包含設置在一第 -一導電型半導體層130下的一通道層140、一電流阻隔層145 和一反射層151。通道層140、電流阻隔層145和反射層 151可以不相互重疊。一黏著層160和/或一導電支撐元件17〇可形成在通道層140、反射層151和電流阻隔層145下方。黏著層16〇可接觸通道層140、電流阻隔層145和反射層151的底部。【s] 21 201138155 ‘.通道層140在黏著層160與發光結構135的外面或外壁間的設置具有一預定間隔。反射層151可在通道層140的一内部區域歐姆接觸第二導電型半導體層13〇。電流阻隔層 145可在反射層151形成對應電極丨15的圖案。反射層151 可形成在僅有歐姆接觸的區域，因此該歐姆接觸區域和反射區域可形成具有相同尺寸。圖15為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。在描述圖15的實施例時，將省略描述與圖1的實施 φ 例重複的内容。請參閱圖15，一半導體發光裝置100B可包含在發光結構135下的具有修改黏著結構的一反射層152和一通道層 140。反射層152的一外端部丨52A可與通道層14〇的一内部區域140C在一預定數量（am〇unt)或距離（或寬度沖3下重豐。另外’反射層152的一外端部152A可與晶片外壁相距一

預定距離D2。因此，反射層152不會暴露在晶片的外壁，因而能克服在晶片外壁剝落的問題。反射層152與通道層14〇的重疊距離⑽可大約不到通道層H0底部寬度⑽D3)的8〇%。因為反射層152的重疊距離D3被減少了’因反射層152的材料造成之黏著力降低的問題也可減少。例如倘若通道層⑷的寬度（_)3)約75微采 (_)’該重疊距離D3可小於約6微米Um)。圖16為根據本發明另一實圖。在描述圖16的實施例時，施例之半導體發光裴置的剖視將省略描述與圖1的實施例重 22 [S] 201138155 ‘複的内容。請參閱圖16, 一半導體發光裝置1〇〇c可包含在一通道區域105内具有一通道層141與一覆蓋層（卿加&㈣155 的堆疊結構。通道層丨41的一内側邊可接觸第二導電型半導體層130的底部，且通道層141的一外側邊可暴露至晶片外面。通道層141在本實施例中可由，：：氧化材料（〇xide_based material)所形成。例如通道層141可由選自由錮錫氧化物 (ιτο)、銦氧化鋅（IZ0)、鋅銦錫氧化物（IZT〇)、氧化銦鋅鋁 φ (ΙΑΖ0)、氧化鋅銦鎵（IGZO)、鎵銦錫氧化物（IGT〇)、鋁氧化鋅（ΑΖ0)、録錫氧化物（ΑΤΟ)、氧化鋅鎵（gz〇) 、si〇2、Si〇x、

Al2〇3和Ti〇2所組成之群組所形成。覆盍層155可由，例如相對於氧化材料具有良好黏著力的材料所形成。例如，選自由Ti、Ni、Pt、Pd、Cu、M、Ir 與Rh所組成之群組所形成。亦即，覆蓋層155可為例如使用上述材料所形成之一單層或一多層黏著層，其可增加介 φ 於金屬與氧化物間的黏著力，因而減少在晶片外壁剝落的問題。覆蓋層155形成具有少於數百奈米（nm)的厚度。覆蓋層 155可由例如一電子束（e-beam)沉積法或，濺鍍法 (sputtering process)形成；然而，實施例並非用以限定本發明。覆蓋層155可形成在介於反射層150和通道層141的底部表面之間以增加反射層150的黏著力。因此，而能減少中間層（interlayer)在晶片外壁剝落的問題。 E S] 23 201138155 圖17為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。_ Q 、, 8為沿圖17之XVIII-XVIII線之半導體發光装置的°】視圖。在描述圖17的實施例時，將省略描述與上述實施例重複的内容。 °月麥閱圖17和圖丨8 ’ 一半導體發光裝置100D可包含環 ° 曰的一底部邊緣的一覆蓋層155。通道層141可开/成在發光結構135的一底部外側邊緣，且覆蓋層155可設置在，，層141下方。通道層141可形成，例如具有沿著晶片 •的預疋見度的壤(ring)或帶(band)狀圖案，覆蓋層155可形成在通道層 l4i & * ^的一底部表面和一内表面。如圖18所示，覆蓋層155的一内端部155A可形成，例如沿著介於反射層150 和通道層丨41的區域的一環或帶狀圖案。在圖18中，“E1” 代表一半導體區域。第一導電型半導體層13〇可接觸反射層15〇、通道層 141、電流阻隔層145和覆蓋層155。因此，第二導電型半 Φ 導體層I30可被在晶片外面的通道層141所保護與經由反射層15 0和晶片内之覆蓋層15 5來提供電流。圖19繪不圖18修改後的剖視圖。請參閱圖17和圖19，復蓋層155的一端部155B可形成具有複數個圖案（而非單 -圖案）。亦即，覆蓋層155的端部155B可分隔在一規律的間隔或不規律的間隔以在一粗糙結構上接觸第二導電型半導體層130。黏著結構可增加覆蓋層ι55和反射層ι5〇對對於通道層141的黏著力。部份或全部的覆蓋層155可形 24 [s] 201138155 » * 成具有複數個圖案。圖2〇為根據本發明實糊之半㈣發光裝置的剖視圖。在描述圖20的實施例時，將省略描述與上述實施例重複的内容。 ,5月參閱圖20，一半導體發光裂置腿可包含在通道區域105内具有修改黏著結構的一通道層141、一覆蓋層155 和反射層150。反射層150可形成較窄於圖16中的反射層。反射们5〇的—外端152可與覆蓋層155的-内端155C的底 :=5定可if 一)或距離(或難^ 射層150的不到覆盍層155的寬度（剛5)的_，及反離D4。覆蓋居^部可與晶片外壁（〇Uterwall)相距一預定距道層144的^ 5可形成在通道層141下方以具有如同通圖21同寬度（D4+D5)，或形成較窄於通道層144。圖。在描本發0m施例之半導體發錄置的剖視複的内容。的實施例時’將省略描述與上述實施例重清參閱圖1 發光結構135的二發光裝置1讎可包含環設在一射層⑽。通的一通:層14卜-覆蓋層155和一反戶130接觸，/ 表面可鮮二導電型半導體層i 及通道層141的底部表面與内表面可被覆芸層 155所遮泉。覆蓋層155的一内端部腿可與第二導電』半導體廣130 #底部表面接觸以提供電流。反射層15〇的外邊（outside)或外緣（Quter edge)可與覆蓋層脱接觸和 25 t S] 201138155 可不與通道層Hi接觸，如此以改善反射層15〇之外的黏力。此外，反射層152的一端部ι52Α可與覆蓋層155的底部在一預定距離D6下重疊。此處，重疊的距離卯可大約不到通道層141寬度的80%。因為反射層152的一端部152a可設置成與覆蓋層155的底部重疊，反射層152與其端部152a = 黏著力將可增加。圖22為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視 • 圖。在描述圖22的實施例時，將省略描述與上述實施例重複的内容。請參閱圖22，一半導體發光裝置2〇〇可包含一發光結構 135、一通道層240、一電流阻隔層245、一反射層25〇、一黏著層260、一導電支撐件270以及一歐姆層28〇。通道層24〇可沿著第二導電型半導體層130的底部設置，及歐姆層28〇和電流阻隔層245可設置在第二導電型半導體層13〇的内 •部。通道層240可與圖1之通道層相同。電流阻隔層245可形成在介於第二導電型半導體層13G與歐姆層28()之間以擴佈電流。歐姆層280可形成在介於反射層25〇與發光結構135的第二導電型半導體層13G之間。歐姆層可由一導電氧化物材料其選自由銦錫氧化物（ITO)、銦氧化辞（IZO)、鋅銦錫氧化物（IZTO)、氧化銦鋅紹（腦）、氧化辞銦嫁〇⑽、録銦錫氧化物（IGTO)、紹氧化辞⑽）、録錫氧化物（AT〇)及氧化 [S] 26 201138155 « 鋅鎵（GZ0)所組成之群組所形成。亦即，歐姆層π。可接觸第二導電型半導體層130的底部表面。歐姆層28〇可由，例如使用濺鍍製程（sputtering process)(例如、射頻磁控濺鍍法（radio frequency magnetron sputtering))或一沉積法；然而，實施例並非用以限定本發明。歐姆層28〇可形成一厚度小於數奈米（nm);然而，實施例並非用以限定本發明。歐姆層280可與通道層240的底部，第二導電型半導體層130和電流阻隔層245接觸以提供經由黏著層26〇所施加 ^ 的一電流至第二導電型半導體層130。例如反射層250可形成具有結構方式為弟一黏著層/反射層/第二黏著層/種子層的堆疊結構。第一和第二黏著層可包含Ni，反射層可包含Ag，而種子層可包含cu。第一黏著層可形成具有低於數奈米（nm)的厚度，反射層可形成具有低於數百奈米（nm)的厚度，第二黏著層可形成具有低於數十奈米（nra)的厚度，種子層可形成具有低於1微米（# m)的厚度；然而，實施例 % 並非用以限定本發明。圖23為沿圖22之XVIII-XVIII線之半導體發光裝置的剖視圖。請參閱圖23，通道層240的一内部區域240C可設置在一半導體區域A1之外，及一歐姆層280的一歐姆區域A4和一電流阻隔層245的一區域可設置半導體區域之内。半導體區域A1的一寬度D12可大於歐姆層280的一寬度D11。通道層 240的内部區域和外部區域的寬度距離D14和D13可相同或亦可不同；然而’實施例並非用以限定本發明。 [s] 27 201138155 ‘ 圖24為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。在描述圖24的實施例時，將省略描述與上述實施例重複的内容。請參閱圖24，一半導體發光裝置201可包含一修改後 (modified)反射層250。反射層250可僅設置在不是歐姆層280 的通道區域105之區域（亦即，僅在歐姆區域）以反射入射光。反射層250的一外端部251可不暴露在晶片之外。圖2 5為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視 _ 圖。在描述圖25的實施例時，將省略描述與上述實施例重複的内容。，請參閱圖25，一半導體發光裝置201A可包含一導電氧化歐姆層（conductive oxide-based ohmic layer) 280 用以歐姆接觸一發光結構135的一底部，及一透明通道層240形成在發光結構135的外面。反射層250的一端部251可與通道區域1〇5在一預定距 φ 離D16下重疊。在此，重疊距離D16可大約不到通道層240 底部寬度（D15+D16)的80%。亦即，如繪示圖24和圖26，部份或全部反射層250可在通道層24〇的一區域接觸歐姆層 280。圖26為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。在描述圖26的實施例時，將省略描述與上述實施例重複的内容。請參閱圖26，一半導體發光裝置2〇2可包含一導電氧化 28 [S] 201138155 . 歐姆層（⑽dUCtive oxide_based 〇hmic ㈣幻 28〇用以歐姆接觸-發光結構135的一底部，及一透明通道層_形成在發光結構135的外面。一反射層25〇可形成在歐姆層下，及-覆蓋層255可形成在介於歐姆層28〇和反射層25〇之間。覆蓋層255可由’例如相對於氧化材料具有良好黏著力的材料所形成。例如，選自由Ti、Ni、pt、pd、&、A1、卜與

Rh所組成之口群組。亦即，覆蓋層255可為例如使用上述材料所形成之-單層或-多層黏著層，其可增加介於金屬與氧化物 _ 間的黏著力，因而減少在晶片外壁制落的問題。覆蓋層255可形成在介於歐姆層28〇的一外底部表面和反射層的-外上表面以增加反射層25〇相對於外部的黏著力，因此，而能減少中間層（i nterl ayer)在晶片外壁剝落的問題。反射層250可向外延伸並沿著覆蓋層255的底部表面至晶片外面。圖27為根據本發㈣-實施狀半導體發衫置的剖視 #圖。在描述圖27的實施例時，將省略描述與上述實施例重複的内容。請參閱圖27 ’ -半導體發光裝置2{)3可包含在一通道區域内的-歐姆層280形成在一通道層24〇下方、一覆蓋層咖形成在歐拇層280下方和一反射層25〇形成在声方。覆蓋層255可在歐姆層280的一外端部周圍形成，以減少相對於反射層250的-接觸區域。歐姆層咖可由，例如一導電氧化材料所形成^覆蓋層255可形成在介於歐姆層28〇和 29 201138155 反射層250的-外部通道區域1〇5。覆蓋層255可由，例如相對於氧化材料具有良好黏著力的材料所形成。覆蓋層255的-内端部255A可延伸至歐姆層28〇的一歐姆接觸區域的部份。在此，歐姆層的外面可覆蓋一通道層 240的-邊緣’及覆蓋層255可延伸至歐姆層娜相對於通道層240的一覆蓋區域。圖28為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。在描述圖28的實施例時，將省略描述與上述實施例重 • 複的内容。請參閱圖28’ -半導體發光裝置m可包含在一通道區域105内具有一通道層240、一覆蓋層255和設置在通道層24〇下方的一歐姆層280的一外端部281之堆疊結構。歐姆層28〇的外端部281可延伸至通道層240的一内底侧和可不暴露至晶片外。覆蓋層255可形成在通道層24Q外的一底部和歐姆層 280的外端部281。覆蓋層255可接觸歐姆層280和通道層24〇鲁的底部’因此改善反射層250的黏著力。圖29為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。在描述圖29的實施例時，將省略描述與上述實施例重複的内容。請參閱圖29 ’相較於圖28的半導體發光裝置，圖29的半導體光裝置204A可包含通道層的一修改後(modified)覆蓋層255。覆蓋層255可形成在通道層240外的一底部下方和歐姆層280的一外端部281，及覆蓋層255的内端部255A可形 201138155 4 » 成並延伸至歐姆層280的一歐姆接觸區域的一部分。歐姆層 280的歐姆接觸區域可有一區域接觸第）♦電型半導體層 130，及歐姆層可設置在介於覆蓋層的端部255八和第二導電型半導體層130之間。反射層250可接觸覆蓋層255的底部和可暴露至晶片的外壁。覆盍層255可接觸歐姆層28〇和通道層24〇的外底部，因此改善反射層250的黏著力。圖3 0為根據本發明另—實施例之半導體發光裝置的剖視參圖。在描述圖30的實施例時，將省略描述與圖29的實施例重複的内容。請參閱圖30 ’ 一半導體發光裝置205可包含-歐姆層28〇形成在-通道層240的底部表面，一覆蓋層挪形成在歐姆層 280的外下方’及一反射層25〇形成在覆蓋層的底部的一部份。反射層25G的-端部25GA可延伸至覆蓋層255的—底部内側和可不暴露至晶片的外壁。因此，可防止反射層25〇端 φ 部25〇A黏著力的降低。圖31為根縣發日m補之半導體發絲置的剖视圖。在描述圖31的實施例時，將省略描述與圖3〇的實施請參閱圖31’-半導體發光裝置觀可包含一歐姆層咖形成在-通道層240的底部表面，一覆蓋層挪形成在歐曰姆層 280的外下方，及一反射層25〇延伸至覆蓋層255的内底部: 反射層250可形成在歐姆層280下方。反射層25〇的—端部 31 [S] 201138155 ‘ .250A可延伸至覆蓋層255的一内底部和可不暴露至晶片的外壁。因此，可防止反射層250端部250A黏著力的降低。覆蓋層255的一内端部255A可形成延伸至歐姆層28〇的一歐姆接觸區域以增加介於歐姆層28〇和反射層25〇的接觸區域。反射層250的端部250A可設置成與通道層24〇的底部重疊，及可形成具有一寬度大約不到通道層24〇寬度的8〇0/〇。圖32為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。在描述圖32的實施例時’將省略描述與圖31的實施 φ 例重複的内容。請參閱圖32’一半導體發光裝置206可包含一通道層24(). 形成在發光結構135的外下方，一歐姆層280形成在第二導電型半導體層130下方和通道層240内側，及一覆蓋層255形成在通道層240和歐姆層280的外下方。一反射層250可形成在歐姆層280下方和覆蓋層255的内側。反射層250可延伸至覆蓋層255的一内底部。覆蓋層255 φ 的延伸端部250A可具有與通道層240重疊的一區域，且該重疊區域的寬度大約不到通道層240的底部寬度的80%。一黏著層260和反射層250的外側可接觸於覆蓋層255的底部’因此改善反射層250和黏著層260的黏著力。圖3 3為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。在描述圖33的實施例時，將省略描述與圖32的實施例重複的内容。請參照圖33，一半導體發光裝置206A可包含一通道 32 [s] 201138155 ‘ ·層240形成在一發光結構135的外下方，一歐姆層28〇形成在第二導電型半導體層130下方和通道層24〇内側，及一覆蓋層255形成在通道層240和歐姆層28〇的外下方。一反射層250可形成在歐姆層280下方和覆蓋層255的内側。反射層250可延伸至覆蓋層255的一内底部。覆蓋層255 的延伸端部250A可具有與通道層240部份重疊的一區域，且該重疊區域的寬度大約不到通道層240的底部寬度的8〇%。鲁一黏著層和反射層250的外側可接觸於覆蓋層255的底部，因此改善反射層250和黏著層260的黏著力。覆蓋層255的一端部255A可形成延伸至歐姆層28〇的一歐姆接觸區域以減少介於反射層25Q和歐姆層哪的接觸區域。因此，覆蓋層255可改善介於反射層25〇、歐姆層28〇和黏著層260的黏著力。圖34至圖42為根據本發明添加的實施例之半導體發光裝 •置的剖視圖。在描述圖34的實施例時，將省略描述與圖i 的實施例重複的内容。請參閱圖34 ’在一半導體發光襄置裝置祕，粗糖圖案 P1和P2形成在-通道層刚的上和下表面以根據接觸區域的 :加而增加黏著力。通道層⑽的上粗_案P1接觸第二導 %型半導體層130，及通道層 s 14U的下粗糙圖案P1接觸反射層150的一上表面。因此，介於第_ 、弟一導電型半導體層130和反射層150的接觸區與黏著力得以改汉善。通這層140的該上和下 33 IS) 201138155 .·祕圖案ΡβΡ2可經由該表面改變光輪出/輸人之一臨界角 (critical angle) 〇粗翻案Π和P2可有’例如稜柱狀、條紋狀、凸凹狀或三角截面狀’其可隨本發明技術範_改變。上粗糙圖案ρι 可例如藉由蝕刻第二導電型丰霉湖^ 千導肢層130的一底部表面而形成圖案狀。下粗繞圖案P2可例如藉由餘刻通道層14〇的一底部表面而形成。純㈣35的實_時’將省略描述與圖i至34的 _實施例重複的内容。請參閱圖35，在一半導體發光裝置 100H，-粗糙圖案P2可形成在—通道層刚的一底部表面’以根據與反射層15G接繼域的增加而增加黏著力。通道層140的粗糙圖案P2可經由該表面改變光輸出增入之一臨界角（critical angle)。在描述圖36的實施例時，將省略描述與圖】至34的實施例重複的内容。請參閱圖36,在一半導體發光裝置 • 1001，一粗糙圖案P2可形成在一反射層150的一外上和/ 或上表面，以根據與黏著層160和鄰接反射層15〇外側的通道層140之接觸區域的增加而增加黏著力。通道層wo的上耝糙圖案P2可經由該表面改變光輸出/輸入之一臨界角 (critical angle) ’及下粗糙圖案P3可就相對於黏著層i6〇改善黏著力。在描述圖37的實施例時，將省略描述與圖1至34的 κ細*例重複的内谷。§青參閱圖3 7，在一羊導體發光装置 [S) 34 140A的/底部可經蝕刻以形成鋸齒波粗糙 201138155 * · 100J，一通道層圖案，及反射層150的一外側150A可形成具有沿著通道層 140底部表面的凸凹形粗糙圖案。因此，一蝕刻深度可與通道層140A的厚度大約相同，及蝕刻角度可為傾斜或垂直。在描述ΐ 38的實施例時，將省略描述與圖1至34的實施例重複的内容。請參閱圖犯，在一半導體發光裝置 1〇〇Μ，一通道層140Α的一底部可經蝕刻以形成凸凹形或方 • 形波的粗糙_案Ρ5，及反射層150的一外部可沿著通道層 140的一底部表面而形成凸凹形或方形波的粗糖圖案Ρ6。在此，一#刻深度可小於通道層14〇Α的厚度，及蝕刻後形狀可為多邊形（polygonal)和半球形（hemispheric)。在描述圖39的實施例時’將省略描述與圖1和34的實施例重複的内容。請參閱圖39 ’在一半導體發光裝置 100N，一通道層140B的一底部可經餘刻以形成凸凹形或方鲁形波的粗糙圖案P7 ’及反射層150的一外部150B可沿著通道層140B的一底部表面而形成凸凹形或方形波的粗糙圖案。在此，通道層140B可分割成複數個區域；然而，實施例並非用以限定本發明。一蝕刻深度可小於通道層140B 的厚度，及钱刻形狀可為多邊形（polygonal)和半球形 (hemispheric)。而凹間隔（concave interval)和/或凸間隔（convex interval)可彼此相同或不同。在描述圖40的實施例時，將省略描述與圖22的實施 E S) 35 201138155 例重複的内容。請參閱圖40，在一半導體發光裝置207，一通道層240的一底部可經蝕刻以形成粗糙圖案P8，及歐姆層280的一外部可沿著粗糙圖案P8而形成粗糙圖案。粗糙圖案P8可增加介於兩相鄰層的接觸區域以改善黏著力。在描述圖41的實施例時，將省略描述與圖22的實施例重複的内容。請參閱圖41，在一半導體發光裝置207A，一通道層240A的一底部可經蝕刻以形成鋸齒波粗糙圖案，及一歐姆層280的一外部280A可沿著通道層240的一 _ 底部表面而形成粗糙圖案。一蝕刻深度可小於通道層140A 的厚度，及蝕刻角度可為傾斜或垂直。在描述圖42的實施例時，將省略描述與圖22的實施例重複的内容。請參閱圖42，在一半導體發光裝置207B，粗糙圖案P11和P12可形成在一通道層240的上和下表面。通道層140的上粗糙圖案P11接觸第二導電型半導體層 130的一外底部，及通道層140的下粗糙圖案P12接觸歐姆層 φ 280的一上表面。因此，介於第二導電型半導體層130和歐姆層280的接觸區與黏著力得以改善。粗糙圖案P11和P12可有，例如稜柱狀、條紋狀、凸凹狀，及鋸齒波（例如三角截面）狀，其可隨本發明技術範圍而改變。上粗糙圖案P11可例如藉由蝕刻第二導電型半導體層130的一底部表面而形成圖案狀。下粗糙圖案P12 可例如藉由I虫刻通道層140的一底部表面而形成。反射層 250的一外底部表面因歐姆層280，因此改變輸入/輸出光 [s] 36 201138155 « * 的一臨界角（critical angle)。反射層250和通道層24〇的粗糙圖案P12和P13可形成在每一層的部份或所有表面。圖43為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖。請參閱圖43，根據一實施例，一發光裝置封裝可包含— 本體20、一第一導線電極31、一第二導線電極32、—半導體發光裝置1〇〇和一封膠元件（ra〇ldingmember)4㈧第一導線電極31和第二導線電極32可設置在本體2〇上。設置在本體上的半導體發光裝置1〇〇可電性連接到第一導線電極31和第 #二導線電極32。封膠元件4〇可用來模塑（m〇ld)半導體發光裝置 100。 ^ 本體20可被形成包含一矽材料、一合成樹脂、或一金屬材料二一傾斜面可圍繞著半導體發光裝置1〇〇而形成。 θ第一導線電極31和第二導線電極32可彼此電性斷開，及可提仏電力至半導體發光裝置1GG。而且，第-導線電極31 和第二導線電極32可反射從半導體發光裝置刚發射出的光 φ線目此增加光效率。另外，第一導線電極31和第二導線電極32可釋放從半導體發光裂置刚產生的熱量。半導體發光裝置1〇〇可設置在本體2〇，或在第一導線電極31或第二導線電極32。半導體發光裝置刪可藉由，例如 „lre)電性連接至第一導線電極Μ，及可連接至第二、’、、極 32 在日日粒黏結構造（die_b〇n(^ngC〇nHgurau〇n) 中。封膠7L件40可模塑半導體發光裝置1〇〇以保護半導體發 37 [S1 201138155 ‘.絲置1〇〇。而且’一榮光材料可包含在封變從半導體發光裝置100發出的光線的波長。中已改每-實施例並_以限定本制，及可選擇性地它實施例。另外，根據揭露的實施例，半導體發光裝置^ 裝在-半導體基板’-絕緣基板或一陶兗基板材料或石夕），及可被作為-指示裝置、—照明 ^_曰: 置的光源。 4顯不裝在此說明書中所提及的任何，，一個實施例”，”一施例” ”例示性實施例，，等，代表被描述而與該實施: 有關的-特徵、結構或特性其被包含在本發明的至少一每施例中。在說明書不同處出現如此片語並非全部必要^ 至相同的實施例。進一步地，當一特徵、結構或特性被描述而與任何實施例相關，應提及的是，它包含在該領域的 -技錄圍内以實現與其他實施例相關的該特徵、結構或特性。、口〆 • 僅5己載本土月為呈現解決問題所採用的技術手段之較佳實施方★卞杏浐点丨、馬靶方式或只施例而已，並非用來限，明專利實施之範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符，或依本發明專利_所做的均等變化與料發明專利範圍所涵蓋。 S馮本 38 [S3 201138155 I 4 【圖式簡單說明】圖1為根據本發明一實施例之半導體發光裝置的剖視圖；圖1A為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖；圖2為沿圖丨之^線之半導體發光裝置的剖視圖；圖3至圖13為說明根據本發明實施烟以製造—半導體發光裝置流程中之剖視圖；圖14為根據本發明另__實施例之半導體發光裝置的剖視圖圖15為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖圖16為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖圖Π為根據本發明另—實_之半導體發光裝置的剖視圖，圖18為沿圖17之χνπι_χνπι線之半導體發光裝置的剖視圖；圖19 18料導體發綠置之修改後實施例的剖視圖；為根據本發明另-實施例之半導體發光裝置的剖視圖；圖^根據本發明另—實施例之半導體發光裝置的剖視圖； ^根據本發明另—實施例之半導體發找置的剖視圖； ‘、、沿圖22之XVIIΙ-χνίΙI線之半導體發光震置的剖視圖；根據本發明另—實施例之半導體發光I置的剖視圖；圖=據本發㈣—實施例之半導體發找置的剖視圖；為根據本發明另—實闕之半導體發找置的剖視圖； 39 【S] 201138155 ψ 圖28為根據本發明另—實施例之半導體發光裝置的剖視圖；圖29為根據本發明另—實施例之半導體發光裝置的剖視圖；圖30為根據本發明另—實施例之半導體發光裝置的剖視圖；圖31為根據本發明另一實施例之半導體發光裝置的剖視圖；圖32為根縣發0m❹丨之半導體發錢㈣剖視圖；圖33為根據本發明另一實施例之.半導體發光裝置的剖視圖；圖34至圖42為根據本發明添加的實施例之半導體發光裝置的剖視圖；以及 _圖43為根據本發㈣—實施例之半導體發絲置的剖視圖；

【主要元件符號說明】 20 31 32 40 • 100 100A 100B 100C 100D 100E 100F 100G 本體第一導線電極第二導線電極封膠元件半導體發光裝置半導體發光裝置半導體發光裝置半導體發光裝置半導體發光裝置半導體發光裝置半導體發光裝置半導體發光裝置 201138155

100H 半導體發光裝置 1001 半導體發光裝置 100J 半導體發光裝置 100M 半導體發光裝置 100N 半導體發光裝置 101 基板 110 第一導電型半導體層 105 通道區域 112 粗糙圖案 115 電極 120 作用層 130 第二導電型半導體層 134 第三導電型半導體層 135 發光結構 140 通道層 140A 通道層 140B 通道層 HOC 内部區域 141 通道層 145 電流阻隔層 150 反射層 150A 外側 151 反射層 m 41 201138155

152 反射層 152A 端部 155 覆蓋層 155A 内端部 155B 端部 160 黏著層 170 導電支撐件 190 絕緣層 194 頂部 200 半導體發光裝置 201 半導體發光裝置 201A 半導體發光裝置 202 半導體發光裝置 203 半導體發光裝置 204 半導體發光裝置 204A 半導體發光裝置 205 半導體發光裝置 205A 半導體發光裝置 206 半導體發光裝置 206A 半導體發光裝置 207 半導體發光裝置 207A 半導體發光裝置 207B 半導體發光裝置 [S] 42 201138155 240 通道層 240A 通道層 245 電流阻隔層 250 反射層 250A 端部 251 端部 255 覆蓋層 255A 端部 • 260 黏著層 270 導電支撐件 280 歐姆層 280A 外部 281 外端部 A1 半導體區域 A2 歐姆區域 • M 歐姆區域 B1 尺寸 Cl、C2 外部區域 C3、C4 内部區域 D1 寬度 D2 寬度 D3 寬度 D4 寬度 [s] 43 201138155 D5 D6

Dll D12 D13 D14 D15 D16 • El PI P2 P5 P6 P7 P8 φ Pll P12 P13 寬度寬度寬度寬度寬度寬度寬度寬度半導體區域粗糙圖案粗糙圖案粗糖圖案粗糙圖案粗糙圖案粗链圖案粗經圖案粗鏠圖案粗糙圖案 [s] 44

Claims

201138155 » ♦ 七、申請專利範圍： 1. 一種半導體發光裝置，包含：一導電支撐件；一反射層設置在該導電支撐件上方；一發光結構設置在該反射層上方並接觸該反射層，該發光結構包含一第一導電型半導體、一主動層設置在該第一導電型半導體上、及一第二導電型半導體設置在該主動層上； • 一電極設置在該發光結構上；以及一通道層設置在沿著該發光結構的一底部邊緣。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該反射層歐姆接觸該發光結構的一底部表面和包含一反射金屬。 3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該通道層接觸該反射層的一外端部。 • 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該反射層部份延伸至該通道層的一底部表面的下方。 5. 如申請專利範圍第4項所述之半導體發光裝置，其中該反射層形成在該通道層的該底部參面的一部份下方並具有一寬度不到該通道層的一寬度的80%。 6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，更包含一覆蓋層，該覆蓋層接觸該通道層的一底部表面。 7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體發光裝置，其中該 E S] 45 201138155 .* 反射層部份延伸至該覆蓋層的一底部表面的下方。 8·如申清專利範圍第6項所述之半導體發光裝置，1 = 反射層延伸至該覆蓋層的一整個底部表面的下方^ 6" 9·如申請專利範圍第6項所述之半導體發光裝置，其中該覆蓋層的一内端部被形成對應該通道層的一内端邻。5 10. 如申請專利範圍第6項所述之半導體發光裝置，其中該覆蓋層的一内端部接觸該發光結構的一底部表面1 " 11. 如申請專利範圍第6項所述之半導體發光|置，其中今 u A1、Ir 和 Rh 所組成之群組所形成。 12. 如申請專利範圍第丨項所述之半導體發域置，更包含對應至該電極的一電流阻隔層。 ° 13. 如申請專㈣圍第12項所述之半導體發域置，該電流阻隔層形成在該反射層和該導電支撐件的㈠ —者上° '、 # 14.如申=專利範㈣12項所述之半導體發光裝置，其中該電流阻隔層由選自由銦錫氧化物⑽)、銦氧;匕鋅 ⑽)、鋅銦錫氧化物(IZT〇)、氧化銦鋅鋁(酬、氧化鋅銦鎵（1_、妾家銦錫氧化物（IGT〇)、铭氧化辞 (_、錄錫氧化物⑽）、氧化辞（Zn〇)、⑽、si〇x、 %、Si3N4、Al2_ Ti〇2.所組成之群組所形成。 15.如申請專利範圍第丨項所述之半導體發光裝置，更包含介於该反射層和該導電支撐件的一黏著層。 46 201138155 16.如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該通道層包含透明氮化物（nitride)、透明氧化物 (oxide)、或一透明絕緣材料的其中一者。 17·如申請專利範圍第丨項所述之半導體發光裝置，其中該通道層由選自由銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦氧化辞（jz〇)、鋅姻錫氧化物（ΙΖΤ0)、氧化銦鋅鋁（ΙΑΖ0)、氧化鋅銦鎵 (IGZ0)、鎵銦錫氧化物（IGT0)、鋁氧化鋅（AZ〇)、銻錫

氧化物ατω、氧化鋅鎵（GZ0)、Si〇2、Si〇x、si〇xNy， si3N4、Al2〇3和⑽所組成之群組所形成。 18·如申請專職圍第1項所述之半導體發域置’更包含 η 層設！在沿著該發光結構的-外邊緣。專利靶圍第1項所述之半導體發光裝置，更包含通、t圖案形成在該發光結構上。粗:二:彳:圍第1項所述之半導體發光裝置，包含-成在該通道層的至少—的—或一下录面。咖第1項所述之半導體發繼，其中一妒成成在該通這層的—底部表面，及該粗縫圖案厚度相同於或小於該通道層的一厚度。 .⑽利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中一粗=案形成在該通道層的一上表面及該粗糖圖案的 23:=—外底部。 '軏圍第1項所述之半導體發光裝置，其中一 [S1 47 201138155 粗链圖案形成在該通道層或該反射層至少一者的一表面上，及該粗糙圖案包含一鋸齒波圖案、一方形波圖案、圖案、一凸凹狀圖案、或一條紋狀圖案的至少一者。 24. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該發光結構包含使用一 ΙΠ-V族的化合物半導體的一 P-N 接合結構、一 Ν-Ρ接合結構、一 Ρ-Ν-Ρ接合結構、及一 Ν-Ρ-Ν接合結構的至少一者。 25. —種半導體發光裝置，包含： • 一導電支撐件；一反射層設置在該導電支撐件上；一歐姆層設置在該反射層上；一發光結構設置在該歐姆層上方並接觸該歐姆層，該發光結構包含一第一導電型半導體、一主動層設置在該第一導電型半導體上、及一第二導電型半導體設置在該主動層上； I 一電極設置在該發光結構上；以及一通道層設置在沿著該發光結構的一底部邊緣。 26. 如申請專利範圍第25項所述之半導體發光裝置，其中該歐姆層部份延伸至該通道層的一底部表面的下方。 27. 如申請專利範圍第25項所述之半導體發光裝置，其中該歐姆層延伸至該通道層的一整個底部表面的下方。 28. 如申請專利範圍第27項所述之半導體發光裝置，其中該反射層部份延伸至該歐姆層的一底部表面的下方。 [s] 48 201138155 29. 如申請專利範圍第27項所述之半導體發光裝置，其中該反射層延伸至該歐姆層的一整個底部表面的下方。 30. 如申請專利範圍第25項所述之半導體發光裝置，更包含一覆蓋層設置在該通道層下面，其中該覆蓋層形成在介於該歐姆層與該反射層之間。 31. 如申請專利範圍第30項所述之半導體發光裝置，其中該覆蓋層的一内端部朝該半導體發光結構向上延伸。 32·如申請專利範圍第30項所述之半導體發光裝置，其中馨該覆蓋層的一部份接觸該通道層的一底部表面和該覆蓋層的一部份接觸該歐姆層。 33·如申請專利範圍第3〇項所述之半導體發光裝置，其中該反射層部份延伸至該覆蓋層的一底部表面的下方。 34. 如申請專利範圍第3〇項所述之半導體發光裝置，其中該反射層延伸至該覆蓋層的一整個底部表面的下方。 35. 如申請專利範圍第25項所述之半導體發光裝置，其中 • 該歐姆層由一導電氧化物材料其選自由銦錫氧化物 (ITO)、銦氧化鋅（IZ〇)、鋅銦錫氧化物（ιΖΤ〇)、氧化銦辞銘（ΙΑΖΟ)、氧化鋅銦鎵（IGZ〇)、鋁氧化辞（ΑΖ〇)、及氧化辞鎵（GZO)所組成之群組所形成。 1 =請專㈣圍第25項所述之半導體發錄置，更包 3形成在該歐姆層的一粗糙圖案。 Ε S3 49