JP3128165B2 - 化合物半導体素子の電極形成方法 - Google Patents
化合物半導体素子の電極形成方法Info
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- JP3128165B2 JP3128165B2 JP16891792A JP16891792A JP3128165B2 JP 3128165 B2 JP3128165 B2 JP 3128165B2 JP 16891792 A JP16891792 A JP 16891792A JP 16891792 A JP16891792 A JP 16891792A JP 3128165 B2 JP3128165 B2 JP 3128165B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は化合物半導体素子の電
極形成方法に関し、より詳しくは、ＧaＰを組成とする
エピタキシャル層上に、ワイヤボンディングを行うため
の電極を形成する方法に関する。
極形成方法に関し、より詳しくは、ＧaＰを組成とする
エピタキシャル層上に、ワイヤボンディングを行うため
の電極を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードなどの化合物半導体素子
を作製する場合、図３に示すように、その表面層、例え
ばＧaＰを組成とするエピタキシャル層１０１上に、ワ
イヤボンディングを行うための電極(p側電極)を形成す
ることが多い。この種の電極は、スパッタ法などによ
り、エピタキシャル層１０１とオーミック接触する接触
層(ＡuＢeなどからなる)１０２と、高融点金属(Ｔi,Ｍ
o,Ｐtなど)からなるバリア層１０３と、ワイヤと直接接
触するパッド層(ＡlまたはＡuからなる)１０４を順に設
けて形成されている。上記バリア層１０３は、エピタキ
シャル層１０１側からＧa原子がパッド層１０４に移動
するのを防ぎ、また、接触層１０２とパッド層１０４と
が合金化するのを防ぐ重要な働きをする。これにより、
パッド層１０４の良好なワイヤボンディング性を確保で
きるのである。
を作製する場合、図３に示すように、その表面層、例え
ばＧaＰを組成とするエピタキシャル層１０１上に、ワ
イヤボンディングを行うための電極(p側電極)を形成す
ることが多い。この種の電極は、スパッタ法などによ
り、エピタキシャル層１０１とオーミック接触する接触
層(ＡuＢeなどからなる)１０２と、高融点金属(Ｔi,Ｍ
o,Ｐtなど)からなるバリア層１０３と、ワイヤと直接接
触するパッド層(ＡlまたはＡuからなる)１０４を順に設
けて形成されている。上記バリア層１０３は、エピタキ
シャル層１０１側からＧa原子がパッド層１０４に移動
するのを防ぎ、また、接触層１０２とパッド層１０４と
が合金化するのを防ぐ重要な働きをする。これにより、
パッド層１０４の良好なワイヤボンディング性を確保で
きるのである。
【０００３】従来は、上記バリア層１０３は、Ａrガス,
Ｎ2ガスのいずれかを用いて、スパッタ法により形成さ
れていた。
Ｎ2ガスのいずれかを用いて、スパッタ法により形成さ
れていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記バ
リア層１０３をＡrガスを用いて形成した場合、電極周
囲に光吸収層が形成され、このため、素子の光出力が低
下するという問題がある。一方、上記バリア層１０３を
Ｎ2ガスを用いて形成した場合、そのような光吸収層は
形成されないけれども、層間のオーミック接触が不安定
になるという問題がある(量産時に不良が発生する。)。
リア層１０３をＡrガスを用いて形成した場合、電極周
囲に光吸収層が形成され、このため、素子の光出力が低
下するという問題がある。一方、上記バリア層１０３を
Ｎ2ガスを用いて形成した場合、そのような光吸収層は
形成されないけれども、層間のオーミック接触が不安定
になるという問題がある(量産時に不良が発生する。)。
【０００５】そこで、この発明の目的は、素子の光出力
を低下させることなく、良好なオーミック接触をとるこ
とができる化合物半導体素子の電極形成方法を提供する
ことにある。
を低下させることなく、良好なオーミック接触をとるこ
とができる化合物半導体素子の電極形成方法を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、化合物半導体素子の表面に、この素子
の表面層とオーミック接触する接触層と、高融点金属か
らなるバリア層と、ワイヤボンディングが行なわれるパ
ッド層とを順に積層する化合物半導体素子の電極形成方
法において、上記バリア層を、スパッタ法により、まず
Ａrガスを用いて所定の厚さだけ形成し、続いて、Ｎ2ガ
スを用いて所定の厚さだけ形成することを特徴としてい
る。
め、この発明は、化合物半導体素子の表面に、この素子
の表面層とオーミック接触する接触層と、高融点金属か
らなるバリア層と、ワイヤボンディングが行なわれるパ
ッド層とを順に積層する化合物半導体素子の電極形成方
法において、上記バリア層を、スパッタ法により、まず
Ａrガスを用いて所定の厚さだけ形成し、続いて、Ｎ2ガ
スを用いて所定の厚さだけ形成することを特徴としてい
る。
【０００７】また、この発明は、化合物半導体素子の表
面に、この素子の表面層とオーミック接触する接触層
と、高融点金属からなるバリア層と、ワイヤボンディン
グが行なわれるパッド層とを順に積層する化合物半導体
素子の電極形成方法において、上記バリア層を、スパッ
タ法により、ＡrとＮ2との混合ガスを用いて形成するこ
とを特徴としている。
面に、この素子の表面層とオーミック接触する接触層
と、高融点金属からなるバリア層と、ワイヤボンディン
グが行なわれるパッド層とを順に積層する化合物半導体
素子の電極形成方法において、上記バリア層を、スパッ
タ法により、ＡrとＮ2との混合ガスを用いて形成するこ
とを特徴としている。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の化合物半導体素子の電極形
成方法を実施例により詳細に説明する。
成方法を実施例により詳細に説明する。
【０００９】第１の実施例を説明する。図１に示すよう
に、化合物半導体素子の表面に、ＧaＰからなるエピタ
キシャル層１が形成されているものとする。 まず、この上に、蒸着法またはスパッタ法により、Ａ
uＢeなどからなり、エピタキシャル層１とオーミック接
触する接触層２を約４０００Åの厚さに形成する。 次に、スパッタ法により、Ａrガス(圧力５.０×１０
-3Ｔorr)を用いて、Ｔi,Ｍo,Ｐtなどからなる層３aを約
１５００Åの厚さに形成し、続いて、Ｎ2ガス(圧力５.
０×１０-3Ｔorr)を用いて、Ｔi,Ｍo,Ｐtなどからなる
層３bを約５００Åの厚さに形成する。この層３aと層３
bとでバリア層３を構成する。 最後に、蒸着法またはスパッタ法により、Ａlまたは
Ａuからなるパッド層４を約５０００Å〜２μmの厚さに
形成する。
に、化合物半導体素子の表面に、ＧaＰからなるエピタ
キシャル層１が形成されているものとする。 まず、この上に、蒸着法またはスパッタ法により、Ａ
uＢeなどからなり、エピタキシャル層１とオーミック接
触する接触層２を約４０００Åの厚さに形成する。 次に、スパッタ法により、Ａrガス(圧力５.０×１０
-3Ｔorr)を用いて、Ｔi,Ｍo,Ｐtなどからなる層３aを約
１５００Åの厚さに形成し、続いて、Ｎ2ガス(圧力５.
０×１０-3Ｔorr)を用いて、Ｔi,Ｍo,Ｐtなどからなる
層３bを約５００Åの厚さに形成する。この層３aと層３
bとでバリア層３を構成する。 最後に、蒸着法またはスパッタ法により、Ａlまたは
Ａuからなるパッド層４を約５０００Å〜２μmの厚さに
形成する。
【００１０】このようにした場合、素子の光出力を低下
させることなく、かつ、良好なオーミック接触をとるこ
とができる。これは、本発明者が、実際に実験して確認
した効果である。また、Ｎ2ガスを用いて形成した層３b
は、Ａrガスを用いて形成した層３aよりもエッチングレ
ート(同一エッチング液による)が著しく低下する。した
がって、上述のように層３a上に層３bを設けた場合、パ
ターン加工(層３b,層３aをこの順にエッチングする)の
際に、層３aのエッチング中に層３bがオーバエッチされ
るのを防止することができる。したがって、電極形成工
程を安定化することができ、量産に寄与することができ
る。
させることなく、かつ、良好なオーミック接触をとるこ
とができる。これは、本発明者が、実際に実験して確認
した効果である。また、Ｎ2ガスを用いて形成した層３b
は、Ａrガスを用いて形成した層３aよりもエッチングレ
ート(同一エッチング液による)が著しく低下する。した
がって、上述のように層３a上に層３bを設けた場合、パ
ターン加工(層３b,層３aをこの順にエッチングする)の
際に、層３aのエッチング中に層３bがオーバエッチされ
るのを防止することができる。したがって、電極形成工
程を安定化することができ、量産に寄与することができ
る。
【００１１】次に、第２の実施例を説明する。図２に示
すように、化合物半導体素子の表面に、第１実施例と同
様に、ＧaＰからなるエピタキシャル層１が形成されて
いるものとする。 ′まず、この上に、蒸着法またはスパッタ法により、
ＡuＢeなどからなり、エピタキシャル層１とオーミック
接触する接触層２を約４０００Åの厚さに形成する。 ′次に、スパッタ法により、ＡrとＮ2との混合ガス
(圧力５.０×１０-3Ｔorr)を用い、その分圧比(Ｎ2／Ａ
r)＝０.２５〜１.０の条件下で、Ｔi,Ｍo,Ｐtなどから
なるバリア層３′を約２０００Åの厚さに形成する。バ
リア層３′を１回のスパッタによって形成しているの
で、第１実施例に比して作業性および生産性を高めるこ
とができる。 ′最後に、蒸着法またはスパッタ法により、Ａlまた
はＡuからなるパッド層４を約５０００Å〜２μmの厚さ
に形成する。
すように、化合物半導体素子の表面に、第１実施例と同
様に、ＧaＰからなるエピタキシャル層１が形成されて
いるものとする。 ′まず、この上に、蒸着法またはスパッタ法により、
ＡuＢeなどからなり、エピタキシャル層１とオーミック
接触する接触層２を約４０００Åの厚さに形成する。 ′次に、スパッタ法により、ＡrとＮ2との混合ガス
(圧力５.０×１０-3Ｔorr)を用い、その分圧比(Ｎ2／Ａ
r)＝０.２５〜１.０の条件下で、Ｔi,Ｍo,Ｐtなどから
なるバリア層３′を約２０００Åの厚さに形成する。バ
リア層３′を１回のスパッタによって形成しているの
で、第１実施例に比して作業性および生産性を高めるこ
とができる。 ′最後に、蒸着法またはスパッタ法により、Ａlまた
はＡuからなるパッド層４を約５０００Å〜２μmの厚さ
に形成する。
【００１２】このようにした場合、第１実施例よりは若
干光出力が低下するが、極端な光出力低下を抑え、か
つ、良好なオーミック接触をとることができる。これ
は、第１実施例と同様に、本発明者が、実際に実験して
確認した効果である。なお、工程′で示した分圧比の
範囲を外れた場合、光出力が低下したり、オーミック接
触がとれないなどの不具合が生ずる。
干光出力が低下するが、極端な光出力低下を抑え、か
つ、良好なオーミック接触をとることができる。これ
は、第１実施例と同様に、本発明者が、実際に実験して
確認した効果である。なお、工程′で示した分圧比の
範囲を外れた場合、光出力が低下したり、オーミック接
触がとれないなどの不具合が生ずる。
【００１３】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明は、
化合物半導体素子の表面に、この素子の表面層とオーミ
ック接触する接触層と、高融点金属からなるバリア層
と、ワイヤボンディングが行なわれるパッド層とを順に
積層する化合物半導体素子の電極形成方法において、上
記バリア層を、スパッタ法により、まずＡrガスを用い
て所定の厚さだけ形成し、続いて、Ｎ2ガスを用いて所
定の厚さだけ形成しているので、素子の光出力を低下さ
せることなく、良好なオーミック接触をとることができ
る。
化合物半導体素子の表面に、この素子の表面層とオーミ
ック接触する接触層と、高融点金属からなるバリア層
と、ワイヤボンディングが行なわれるパッド層とを順に
積層する化合物半導体素子の電極形成方法において、上
記バリア層を、スパッタ法により、まずＡrガスを用い
て所定の厚さだけ形成し、続いて、Ｎ2ガスを用いて所
定の厚さだけ形成しているので、素子の光出力を低下さ
せることなく、良好なオーミック接触をとることができ
る。
【００１４】また、この発明は、化合物半導体素子の表
面に、この素子の表面層とオーミック接触する接触層
と、高融点金属からなるバリア層と、ワイヤボンディン
グが行なわれるパッド層とを順に積層する化合物半導体
素子の電極形成方法において、上記バリア層を、スパッ
タ法により、ＡrとＮ2との混合ガスを用いて形成してい
るので、素子の光出力を低下させることなく、良好なオ
ーミック接触をとることができる。
面に、この素子の表面層とオーミック接触する接触層
と、高融点金属からなるバリア層と、ワイヤボンディン
グが行なわれるパッド層とを順に積層する化合物半導体
素子の電極形成方法において、上記バリア層を、スパッ
タ法により、ＡrとＮ2との混合ガスを用いて形成してい
るので、素子の光出力を低下させることなく、良好なオ
ーミック接触をとることができる。
【図１】 この発明の第１の実施例の化合物半導体素子
の電極形成方法を説明する図である。
の電極形成方法を説明する図である。
【図２】 この発明の第２の実施例の化合物半導体素子
の電極形成方法を説明する図である。
の電極形成方法を説明する図である。
【図３】 従来の化合物半導体素子の電極形成方法を説
明する図である。
明する図である。
１ ＧaＰエピタキシャル層 ２ 接触層 ３,３′バリア層 ３a,３b 層 ４ パッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/43 H01L 29/47 H01L 29/872 H01L 33/00
Claims (2)
- 【請求項１】 化合物半導体素子の表面に、この素子の
表面層とオーミック接触する接触層と、高融点金属から
なるバリア層と、ワイヤボンディングが行なわれるパッ
ド層とを順に積層する化合物半導体素子の電極形成方法
において、 上記バリア層を、スパッタ法により、まずＡrガスを用
いて所定の厚さだけ形成し、続いて、Ｎ2ガスを用いて
所定の厚さだけ形成することを特徴とする化合物半導体
素子の電極形成方法。 - 【請求項２】 化合物半導体素子の表面に、この素子の
表面層とオーミック接触する接触層と、高融点金属から
なるバリア層と、ワイヤボンディングが行なわれるパッ
ド層とを順に積層する化合物半導体素子の電極形成方法
において、 上記バリア層を、スパッタ法により、ＡrとＮ2との混合
ガスを用いて形成することを特徴とする化合物半導体素
子の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16891792A JP3128165B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 化合物半導体素子の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16891792A JP3128165B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 化合物半導体素子の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613343A JPH0613343A (ja) | 1994-01-21 |
| JP3128165B2 true JP3128165B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=15876956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16891792A Expired - Fee Related JP3128165B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 化合物半導体素子の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128165B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101081193B1 (ko) | 2009-10-15 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101014013B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101072034B1 (ko) | 2009-10-15 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP16891792A patent/JP3128165B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613343A (ja) | 1994-01-21 |
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