JPS6077420A - 半導体装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板あるいは絶縁基板上に形成された
第１の導電層上に絶縁層を積層し、前記絶縁層にコンタ
クトホールを開口したのち、第１の導電層とは異なる第
２の導電層を前記絶縁層上に積層しパターン形成された
半導体装置において、第２の導電層のパターンを形成す
るときにエツチング液、エツチングガスの浸入によって
第１の導電層が浸食され、第１と第２の導電層の接触抵
抗が高くなることを防止するフンタクトホール部の構造
に関するものである。
第１の導電層上に絶縁層を積層し、前記絶縁層にコンタ
クトホールを開口したのち、第１の導電層とは異なる第
２の導電層を前記絶縁層上に積層しパターン形成された
半導体装置において、第２の導電層のパターンを形成す
るときにエツチング液、エツチングガスの浸入によって
第１の導電層が浸食され、第１と第２の導電層の接触抵
抗が高くなることを防止するフンタクトホール部の構造
に関するものである。
第１図は、第１の導電層と第２の導電Ｈが絶縁層のコン
タクトホールにより接続された構造をもつ半導体装置の
製造工程図の従来例である。透［ＩＪ絶縁基板１上に、
ＰＶＤ法（スパッタリングや蒸着のように、物質を物理
的反応で、気体の状態にした後基板に堆積さぜる方法ン
により、第１の導電層アルミニウム薄膜２を堆積させる
。次にホトエツチング技術によりパターン形成をしてか
らＣＶＤ法（気相から化学反応を媒介として基板上に結
晶や非晶質を被着させる方法）により酸化シリコン絶縁
膜６を積層し、エツチング液（フッカアンモニウム液、
７ツ醗、酢酸の混合液）により、コンタクトホール４を
開口する。
タクトホールにより接続された構造をもつ半導体装置の
製造工程図の従来例である。透［ＩＪ絶縁基板１上に、
ＰＶＤ法（スパッタリングや蒸着のように、物質を物理
的反応で、気体の状態にした後基板に堆積さぜる方法ン
により、第１の導電層アルミニウム薄膜２を堆積させる
。次にホトエツチング技術によりパターン形成をしてか
らＣＶＤ法（気相から化学反応を媒介として基板上に結
晶や非晶質を被着させる方法）により酸化シリコン絶縁
膜６を積層し、エツチング液（フッカアンモニウム液、
７ツ醗、酢酸の混合液）により、コンタクトホール４を
開口する。
次に、第１の導電層アルミニウム薄膜１とは異なる第２
の導電層の透明導電膜５をＰＶＤ法により被着する。こ
のとき透明導電膜としては、酸化スズ、酸化インジウム
から成る工ＴＯ膜が使われることが多い。第２の導電層
工ＴＯ膜５は、塩酸を用いてバターニングされるがこの
とき第２の導電層工ＴＯ膜５と酸化シリコン絶縁膜３と
の間の密着が弱いと、第２の導電層金薄膜５と酸化シリ
コン絶縁膜３との界面からエツチング液が浸入したり、
また第２の導電１（Ｊ ：［Ｔ ｏ膜５のパターニング
マスクとして用いたレジストにピンホールがあると、そ
こからエツチング液やエツチングガスめ浸入がおこり、
第１の導電層アルミニウム薄膜１が浸食されて、第１の
導電１ｖアルミニウム薄Ｍ１と第２の導電層工ＴＯ膜５
の接触抵抗が高くなるという不具合が生ずる。
の導電層の透明導電膜５をＰＶＤ法により被着する。こ
のとき透明導電膜としては、酸化スズ、酸化インジウム
から成る工ＴＯ膜が使われることが多い。第２の導電層
工ＴＯ膜５は、塩酸を用いてバターニングされるがこの
とき第２の導電層工ＴＯ膜５と酸化シリコン絶縁膜３と
の間の密着が弱いと、第２の導電層金薄膜５と酸化シリ
コン絶縁膜３との界面からエツチング液が浸入したり、
また第２の導電１（Ｊ ：［Ｔ ｏ膜５のパターニング
マスクとして用いたレジストにピンホールがあると、そ
こからエツチング液やエツチングガスめ浸入がおこり、
第１の導電層アルミニウム薄膜１が浸食されて、第１の
導電１ｖアルミニウム薄Ｍ１と第２の導電層工ＴＯ膜５
の接触抵抗が高くなるという不具合が生ずる。
本発明は、かかる欠点を除去したもので、その目的は、
第１の導電層と第２の導電層を接続するコンタクトホー
ル部に少なくともコンタクトホールより大きな面積で、
第２の導電層のエツチング液やエツチングガスに耐える
第３の導電層を介在させて、第１の導電層が第２の導電
層のエツチング液に浸食されないように保護することで
ある。
第１の導電層と第２の導電層を接続するコンタクトホー
ル部に少なくともコンタクトホールより大きな面積で、
第２の導電層のエツチング液やエツチングガスに耐える
第３の導電層を介在させて、第１の導電層が第２の導電
層のエツチング液に浸食されないように保護することで
ある。
以下実施例に基づいて本発明をｎ’ｒ−、ｔ、 ＜説明
する。
する。
第２図は、本発明の一実ＩＭ例である。第１の導電層ア
ルミニウム簿膜１上に、第２の導電層重Ｔ。
ルミニウム簿膜１上に、第２の導電層重Ｔ。
ｖ５のエツチング液に耐える第３の導電層として金薄膜
６を連続で積層する。次に、第６の導電金薄膜６をコン
タクトホールよりいくぶん大きな面積をもつパターンに
、反応ガスとしてハロゲン化炭素を用いたプラズマによ
って乾式エツチングを行なってパターン形成した後、ひ
き続いて笥１の導電層アルミニウム薄ＢｆＡ１をパター
ン形成する。
６を連続で積層する。次に、第６の導電金薄膜６をコン
タクトホールよりいくぶん大きな面積をもつパターンに
、反応ガスとしてハロゲン化炭素を用いたプラズマによ
って乾式エツチングを行なってパターン形成した後、ひ
き続いて笥１の導電層アルミニウム薄ＢｆＡ１をパター
ン形成する。
このとき、第３の導電Ｊ＝、り薄膜のパターンは、第１
の導電層薄膜のパターンと同一形状でもよく、第３の導
［Ｒ１ｉ＠ｉ Ｎのパターンをマスクとしてパターニン
グすることもできる。次にＣＶＤ法により酸化シリコン
絶縁膜３を積層し、コンタクトホール４を開口して、第
２の導電層工ＴＯ膜５を積層した後パターン形成して作
製する。このとき第２の導電層工ＴＯ膜５の塩酸のエツ
チング液は、ごくまれに密着の悪い第２の導電層工ＴＯ
膜５と酸化シリコン絶縁膜３の界面から浸入したり、ま
た第２の導電層重Ｔ ｏｖ！：ｓのパターニングマスク
として用いたレジストにピンホールがあって浸入がおこ
っても、？Ｐ、５の導電層金薄膜乙により、第１の導電
層アルミニウム薄膜の浸食を保護することができる。
の導電層薄膜のパターンと同一形状でもよく、第３の導
［Ｒ１ｉ＠ｉ Ｎのパターンをマスクとしてパターニン
グすることもできる。次にＣＶＤ法により酸化シリコン
絶縁膜３を積層し、コンタクトホール４を開口して、第
２の導電層工ＴＯ膜５を積層した後パターン形成して作
製する。このとき第２の導電層工ＴＯ膜５の塩酸のエツ
チング液は、ごくまれに密着の悪い第２の導電層工ＴＯ
膜５と酸化シリコン絶縁膜３の界面から浸入したり、ま
た第２の導電層重Ｔ ｏｖ！：ｓのパターニングマスク
として用いたレジストにピンホールがあって浸入がおこ
っても、？Ｐ、５の導電層金薄膜乙により、第１の導電
層アルミニウム薄膜の浸食を保護することができる。
本実施例は、第３の導電ＲＩ金薄膜のエツチング方法と
して、乾式のプラズマエツチングを用いているが湿式の
エツチングも、下の第１の導電層アルミニウム薄膜の膜
厚が第３の導電層金薄膜に対して十分厚く、エツチング
選択比に余裕があれば可能であり、例えば、ヨウ化カリ
ウム溶液にヨード液を溶解したエツチング液が考えられ
る。
して、乾式のプラズマエツチングを用いているが湿式の
エツチングも、下の第１の導電層アルミニウム薄膜の膜
厚が第３の導電層金薄膜に対して十分厚く、エツチング
選択比に余裕があれば可能であり、例えば、ヨウ化カリ
ウム溶液にヨード液を溶解したエツチング液が考えられ
る。
また本実施例は、第３の導電層として安定で耐酸性の強
い金を例にあげているが、他にも白金や銀のようなもの
も考えられる。また第１の導電層としてモリブデンやタ
ングステンのような高融点金属を用いれば、高濃度に不
純物をドープした低抵抗の半導体薄膜も第３の導電層と
して使うことができる。
い金を例にあげているが、他にも白金や銀のようなもの
も考えられる。また第１の導電層としてモリブデンやタ
ングステンのような高融点金属を用いれば、高濃度に不
純物をドープした低抵抗の半導体薄膜も第３の導電層と
して使うことができる。
また本実施例は、第２の導電層のエツチング方法として
湿式のエツチングを例にとって説明をしているが、乾式
のエツチングにおし１ても、第２の導電層のパターニン
グマスクとして用いたレジストにピンホールがある場合
などは、第１層の異常エツチングを防止することが可能
である。
湿式のエツチングを例にとって説明をしているが、乾式
のエツチングにおし１ても、第２の導電層のパターニン
グマスクとして用いたレジストにピンホールがある場合
などは、第１層の異常エツチングを防止することが可能
である。
以上ｃＩＪように本発明は、絶縁層をはさんで、異種の
導電層を絶Ｒ層のコンタクトホールにより接続する場合
、上側の導電層のエツチング液やエツチングガスに耐え
る導電層を下側導電層の上に連続で形成することで、下
側導電層の異常エツチングを防止し、上下の導電層の接
触を正常に保つというすぐれた効果を有するものである
。
導電層を絶Ｒ層のコンタクトホールにより接続する場合
、上側の導電層のエツチング液やエツチングガスに耐え
る導電層を下側導電層の上に連続で形成することで、下
側導電層の異常エツチングを防止し、上下の導電層の接
触を正常に保つというすぐれた効果を有するものである
。
第１図（α）〜（ｙ）は、従来の半導体装置の製造工程
図であり、第２図（α）〜（ｇ）は、本発明による半導
体装置の製造工程図である。 １・・・・・・透明絶Ｒ基板 ２・・・・・・第１の導電層アルミニウム薄膜３・・・
・・・酸化シリコン絶縁膜 ４・・・・・・コンタクトホール ５・・・・・・第２の導堀層重Ｔｏ膜 ６・・・・・・第３の導電層金薄膜 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 ５２図
図であり、第２図（α）〜（ｇ）は、本発明による半導
体装置の製造工程図である。 １・・・・・・透明絶Ｒ基板 ２・・・・・・第１の導電層アルミニウム薄膜３・・・
・・・酸化シリコン絶縁膜 ４・・・・・・コンタクトホール ５・・・・・・第２の導堀層重Ｔｏ膜 ６・・・・・・第３の導電層金薄膜 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 ５２図
Claims (3)
- （１） 第１の導電層上に絶縁層を積層し、前記絶縁Ｒ
りにコンタクトホールを開口したのち、第１の導電層と
は異なる第２の導電層を前記絶縁層上に積層しパターン
形成された半導体装置において、第２の導電層のパター
ン形成時における第２の導電層のエツチング速度に対し
十分小さいエツチング速度をもつ第３の導電層が、第１
の導電層と第２の導電層を接続するコンタクトホール部
に、少なくともコンタクトホールより大きい面積を占有
して介在することを特徴とする半導体装置。 - （２） 第１の導電層が金属薄膜、第２の導電層が透明
導電膜、第３の導電層が金属薄膜からなる特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。 - （３） 第１の導電層が金属薄膜、第２の導電層が透明
導電膜、第３の導電層が高濃度不純物半導体薄膜からな
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18556683A JPS6077420A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18556683A JPS6077420A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077420A true JPS6077420A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16173048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18556683A Pending JPS6077420A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9302256A (nl) * | 1992-12-28 | 1994-07-18 | Casio Computer Co Ltd | Dunnefilmtransistor voor vloeibaarkristalweergeefinrichting en werkwijze voor het fabriceren daarvan. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5326691A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-11 | Hitachi Ltd | Multi-layer wiring struc ture |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18556683A patent/JPS6077420A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5326691A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-11 | Hitachi Ltd | Multi-layer wiring struc ture |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9302256A (nl) * | 1992-12-28 | 1994-07-18 | Casio Computer Co Ltd | Dunnefilmtransistor voor vloeibaarkristalweergeefinrichting en werkwijze voor het fabriceren daarvan. |
| US5539551A (en) * | 1992-12-28 | 1996-07-23 | Casio Computer Co., Ltd. | LCD TFT drain and source electrodes having ohmic barrier, primary conductor, and liquid impermeable layers and method of making |
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