NL9302256A - Dunnefilmtransistor voor vloeibaarkristalweergeefinrichting en werkwijze voor het fabriceren daarvan. - Google Patents

Description

Korte aanduiding: Dunnefilmtransistor voor vloeibaarkristalweergeef-inrichting en werkwijze voor het fabriceren daarvan.

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een dunnefilmtransistor die wordt gebruikt voor een actief matrixtype vloeibaarkristalweergeefinrichting en een werkwijze voor het fabriceren daarvan.

Een actief matrixtype vloeibaarkristalweergeef-inrichting (waarnaar hierna zal worden verwezen als een LCD) heeft een TFT-reeks. Deze TFT-reeks is gevormd door een groot aantal dunne-filmtransistoren (waarnaar hierna zal worden verwezen als TFT's) en weergeefelektroden die in een matrixvorm zijn gevormd. De TFT-reeks omvat een isolerend transparant substraat, een aantal adresbedra-dingslagen dat op het substraat is gevormd om zich in de rijrichting uit te strekken, en een aantal gegevensbedradingslagen dat op het substraat in de kolomrichting is gevormd. De adres- en gegevensbedradingslagen kruisen elkaar loodrecht. De TFT's zijn respectievelijk ingericht bij de kruisingen tussen de adresbedradingslagen en de gegevensbedradingslagen.

De poortelektroden van de TFT's van elke rij zijn respectievelijk met de overeenkomstige adresbedradingslagen verbonden. De afvoerelektroden van de TFT's van elke kolom zijn respectievelijk verbonden met de overeenkomstige gegevensbedradingslagen. De weergeefelektroden zijn respectievelijk ingericht in de richtingen die zijn bepaald door de adres- en gegevensbedradingslagen en zijn verbonden met de toevoerelektroden van de overeenkomstige TFT's.

Als een TFT die voor een dergelijke conventionele LCD wordt gebruikt, bijvoorbeeld een TFT die een inrichting heeft, zoals die, welke in figuren 1 en 2 is getoond, is aan de openbaarheid prijsgegeven in Japanse octrooiaanvrage KOKAI-publicatie nr. 3-9 569. Figuur 1 is een aanzicht in doorsnede van een TFT. Figuur 2 is een bovenaanzicht van een TFT-patroon. Figuur 1 is een aanzicht in doorsnede dat is genomen langs een lijn I-I van het in figuur 2 getoonde patroon.

De in figuren 1 en 2 getoonde TFT wordt op de volgende manier gevormd. Eerst wordt een metaallaag, die bestaat uit Al (aluminium), een Al-legering, Ta (tantaal), een Ta-legering, Cr (chroom) of dergelijke, op een isolerend transparant substraat 1, zoals een glassubstraat, gevormd door sputteren. De gevormde metaal-laag wordt dan gestructureerd door foto-etsen of dergelijke om een poortelektrode 2 te vormen. Het oppervlak van de poortelektrode 2 wordt geanodiseerd om een eerste poortisolerende film 3 te vormen.

Een SiN-film (si 1iciumnitridefilm) 4, die dient als de tweede poortisolerende film, een n'-type amorfe siliciumlaag 5, die dient als een halfgeleiderlaag, en een n+-type amorfe siliciumlaag 6, die met een onzuiverheid is gedoteerd, worden sequentieel op het substraat en de eerste poortisolerende film aangebracht. De n'-type amorfe siliciumlaag 5 en de n+-type amorfe siliciumlaag 6 worden gestructureerd om elementenscheiding te bewerkstelligen.

Daaropvolgend wordt een transparante film, die bestaat uit ITO (indiumtinoxyde), op de resulterende structuur gevormd door sputteren. De ITO-film wordt gestructureerd om een transparante weergeefelektrode 7 te vormen.

Een Mo-film (molybdeenfilm) 8 en een Al-film 9 worden door sputteren in de genoemde volgorde op de resulterende structuur afgezet. Deze films worden dan gestructureerd om een toevoerelektrode 11, een afvoerelektrode 12 en een gegevensbedradings-laag 13 te vormen. De toevoerelektrode 11 is gevormd door een Mo-filmgedeelte 8a en een daarop gevormd Al-filmgedeelte 9a. De afvoerelektrode 12 is gevormd door een Mo-filmgedeelte 8b en een daarop gevormd Al-filmgedeelte 9b. De gegevensbedradingslaag 13 is gevormd door een Mo-filmgedeelte 8c en een daarop gevormd Al-filmgedeelte 9c.

Een deelgebied van het Mo-filmgedeelte 8a van de toevoerelektrode 11 overlapt een eindgedeelte van de weergeefelektrode 7 en is daarmee elektrisch verbonden. Het etsen voor het structureren van de Al-film 9 en de Mo-film 8 wordt bewerkstelligd door een etsoplossing op basis van fosforzuur (een mengsel van fosforzuur, salpeterzuur, azijnzuur en water) te gebruiken. De Mo-filmgedeelten 8a en 8b dienen als ohmse barrièrelagen voor de n+-type amorfe siliciumlaag 6 en de Al-filmgedeelten 9a en 9b. Daardoor kunnen ohmse contacten worden verkregen tussen de n+-type amorfe siliciumlaag 6 en het Al-filmgedeelte 9a, en tussen de n+-type amorfe siliciumlaag 6 en het Al-filmgedeelte 9b. Aangezien Al een lage weerstand heeft, dienen de Al-filmgedeelten 9a, 9b en 9c als hoofdelektroden of hoofddraden.

Daaropvolgend wordt droog etsen bewerkstelligd door het als maskers gebruiken van de toevoerelektrode 11 en de afvoerelek- trode 12 om een gedeelte van de n+-type amorfe siliciumlaag 6 tussen deze elektroden te verwijderen, waardoor een kanaalgebied van een TFT wordt gevormd.

Een oppervlaktebeschermende film 10, die bestaat uit SiN, wordt door de plasma-CVD-werkwijze op de resulterende structuur gevormd. Door het verwijderen van een gedeelte van de op de weergeefelektrode 7 gevormde oppervlaktebeschermende film 10 wordt een TFT voor een vloeibaarkristalweergeefinrichting voltooid.

Zoals in figuur 2 is getoond, is een adresbedra-dingslaag 2i gevormd om zich in de rijrichting uit te strekken, en steekt een gebied, dat dient als de poortelektrode 2 uit in een toekomstig TFT-vormingsgebied. De gegevensbedradingslaag 13 strekt zich in de kolomrichting uit om de adresbedradingslaag 2i loodrecht te kruisen. Het gebied 12 van de gegevensbedradingslaag 13 steekt uit in het toekomstige TFT-vormingsgebied. Het gebied 12 dient als een afvoerelektrode.

De hierboven beschreven TFT voor een LCD is voordelig, doordat de Mo-film en de Al-film voor het vormen van de toe-voer-elektrode 11 en de afvoerelektrode 12 kunnen worden geëtst door dezelfde etsoplossing te gebruiken. In tegenstelling tot dit voordeel, worden de volgende nadelen opgelegd.

De etssnelheid van de Mo-film 8, die dient als een ohmse barrièrelaag, is vier tot zes maal die van de Al-film 9. Om deze reden wordt de Al-film 9 meer geëtst dan de Mo-film 8. Dientengevolge vertoont de Al-film 9 na het etsen de tendens een overhangende door-snedevorm te hebben, hetgeen tendeert tot het veroorzaken van het afbladderen of afstrippen van de Al-film 9. Indien het afbladderen of afstrippen van de Al-film 9 optreedt, is de tendens dat loskoppeling van de toevoerelektrode 11 en de afvoerelektrode 12 in het daaropvolgende proces optreedt. Daarenboven hecht een afgebladdert Al-filmgedeelte aan een andere draad. Als een resultaat is er de tendens dat een kortsluiting optreedt. Om deze reden is er de tendens dat lijn- of puntdefecten van een vloeibaarkristalweergeefelement optreden.

Teneinde de hierboven genoemde overhanging te voorkomen, kan de Mo-film 8 niet worden gevormd, teneinde de Al-film 9 direkt op de n+-type amorfe siliciumlaag 6 en de ITO-film (weergeef- elektrode) 7 te vormen. Bij deze inrichting kan echter geen ohms contact tussen de n+-type amorfe siliciumlaag 6 en de Al-film 9 worden verkregen. Wanneer een resistfilm op de Al-film 9 wordt gevormd, om te worden ontwikkeld voor het structureren van de Al-film 9, stroomt een alkalische ontwikkeloplossing door gaatjes van de Al-film 9 om tussen de ITO-film 7 en de Al-film 9 door te dringen. Om deze reden treedt een accureactie op tussen de Al-film 9 en de ITO-film 7 waardoor de Al-film 9 en de ITO-film 7 afbladderen, waardoor een nieuw probleem wordt geboden.

Daarnaast kan, teneinde de hierboven genoemde overhanging te vermijden, een Mo-W- (wolfraam) legeringsfilm onder de Al-film 9 worden gevormd om de mate van het etsen te sturen. Indien echter een Mo-W-legeringsfilm wordt gevormd is het, aangezien de kwaliteit (samenstellingsverhouding en dergelijke) en reproduceerbaarheid van een door sputteren gevormde film slecht zijn, moeilijk de mate van het etsen te sturen. Verder nemen, aangezien een legerings-trefplaat voor een sputterproces moet worden gevormd, de fabricage-kosten toe.

In de TFT, die de in figuren 1 en 2 getoonde inrichting heeft, wordt het Mo-filmgedeelte 8a gevormd om de weer-geefelektrode 7 te overlappen, teneinde de weergeefelektrode 7 elektrisch met de toevoerelektrode 11 te verbinden. In dit geval neemt, wanneer de oppervlakte van het overlappingsgedeelte toeneemt, de wezenlijke oppervlakte van de weergeefelektrode 7 af. Om deze reden wordt slechts een kleine contactzone tussen de weergeefelektrode 7 en het Mo-filmgedeelte 8a toegestaan, en is het derhalve moeilijk bevredigende elektrische verbinding te verzekeren.

Het is het eerste doel van de onderhavige uitvinding om te voorzien in een dunnefilmtransistor die lijn- en punt-defecten van een vloeibaarkristalweergeefinrichting kan voorkomen, alsmede een werkwijze voor het fabriceren daarvan.

Het is het tweede doel van de onderhavige uitvinding om te voorzien in een dunnefilmtransistor die kan voorkomen dat een hoofdbedradingselektrode in een overhangende structuur wordt geëtst, en een werkwijze voor het fabriceren daarvan.

Het is het derde doel van de onderhavige uitvinding om te voorzien in een dunnefilmtransistor die een inrichting heeft, die is ontworpen om niet gemakkelijk een accureactie en dergelijke bij het fabricageproces te veroorzaken, en een werkwijze voor het fabriceren daarvan.

Het is het vierde doel van de onderhavige uitvinding om te voorzien in een dunnefilmtransistor die de betrouwbaarheid van elektrische verbinding tussen een weergeefelektrode en een toe-voerelektrode kan verbeteren, en een werkwijze voor het fabriceren daarvan.

Het is het vijfde doel van de onderhavige uitvinding om te voorzien in een dunnefilmtransistor die het fabricageproces kan vereenvoudigen en de fabricagekosten kan reduceren, alsmede een werkwijze voor het fabriceren daarvan.

Teneinde de hierboven beschreven doelen te bereiken, is er in overeenstemming met de uitvinding voorzien in een dunnefilmtransistor voor een vloeibaarkristalweergeefinrichting, omvattende een aantal adresbedradingslagen, een aantal gegevensbedra-dingslagen dat de adresbedradingslagen kruist, een aantal dunnefilm-transistoren dat elk een poortelektrode heeft, een halfgeleiderlaag, een toevoerelektrode, en een afvoerelektrode, waarbij de poortelektrode van elke dunnefilmtransistor is verbonden met een overeenkomstige van het aantal adresbedradingslagen, waarbij een van de toevoerelektrode en de afvoerelektrode van elke dunnefilmtransistor elektrisch is verbonden met een overeenkomstige van het aantal gegevens-bedradingslagen, en waarbij elk van de toevoerelektrode en de afvoerelektrode van elke dunnefilmtransistor is voorzien van een eerste laag die op de halfgeleiderlaag is gevormd en dient als een ohmse barrière-laag voor de halfgeleiderlaag, een tweede laag die op de eerste laag is gevormd, in essentie uit een geleidend materiaal bestaat en dient als een hoofdsignaalbedradingslaag, en een derde laag die op de tweede laag is gevormd, ondoordringbaarheid met betrekking tot een vloeistof vertoont en dient als een accureactievoorkomende laag, en weergeef-elektroden die in een matrixvorm zijn ingericht, waarbij elk van de weergeef-elektroden elektrisch is verbonden met de andere van de toevoerelektrode en de afvoerelektrode van een overeenkomstige van de dunnefilmtransistoren.

In overeenstemming met de hierboven beschreven inrichting dient de derde laag om te voorkomen dat verscheidene typen oplossingen, bijvoorbeeld een ontwikkeloplossing voor een resistfilm, de dunnefilmtransistor doordringt, waardoor een accureactie in de dunnefilmtransistor wordt voorkomen. Dit leidt tot een reductie in patroondefecten van elke weergeefelektrode die worden veroorzaakt door een accureactie in de stand van de techniek. Daarenboven kunnen, aangezien de toevoer- en afvoerelektroden elk een meerlagige structuur hebben, en in het bijzonder de tweede laag uit een laag weerstands-materiaal bestaat, hun elektrische weerstanden worden verlaagd. Verder kan, dankzij het effect van de eerste laag ohms contact tussen de halfgeleiderlaag, de toevoerelektrode en de afvoerelektrode worden verzekerd.

Daarnaast is er in overeenstemming met de onderhavige uitvinding voorzien in een werkwijze voor het fabriceren van een dunnefilmtransistor, gekenmerkt door het omvatten van de stappen van het vormen van een poortelektrode op een substraat, het vormen van een isolerende film op de poortelektrode, het vormen van een halfgeleiderlaag op de isolerende film op een positie die overeenkomt met de poortelektrode, het vormen van een eerste laag, die dient als een barrièrelaag, op de halfgeleiderlaag, het vormen van een geleidende tweede laag op de eerste laag, het vormen van een derde laag, die ondoordringbaarheid met betrekking tot een vloeistof vertoont, op de tweede laag, het vormen van een resistfilm op de derde laag, het belichten van de film, en het ontwikkelen van de film door een ont-wikkeloplossing te gebruiken, waardoor een etsmasker wordt gevormd, waarbij de derde laag voorkomt dat de ontwikkeloplossing door de tweede laag dringt in de ontwikkelstap, en het vormen van een toevoerelektrode en een afvoerelektrode door het structureren van ten minste de eerste en tweede lagen door het etsmasker te gebruiken.

In overeenstemming met de dunnefilmtransistor-fabricagewerkwijze die de hierboven beschreven stappen heeft, voorkomt, wanneer de resistfilm wordt ontwikkeld om het etsmasker te vormen, de derde laag dat de ontwikkeloplossing de dunnefilmtransistor doordringt. Daarom treedt geen accureactie op in de dunnefilmtransistor, en kunnen patroondefecten die in de stand van de techniek zijn opgetreden, worden gereduceerd. Daarenboven kan, aangezien de toevoeren afvoerelektroden gelijktijdig worden gestructureerd, het fabricageproces worden vereenvoudigd. Verder kunnen, aangezien de toevoeren afvoerelektroden elk een meerlagige structuur hebben, en in het bijzonder de tweede laag uit een laag weerstandsmateriaal bestaat, hun elektrische weerstanden worden verlaagd. Bovendien kunnen, dankzij het effect van de eerste laag, ohmse contacten tussen de halfgeleiderlaag, de toevoerelektrode en de afvoerelektrode worden verzekerd.

Aanvullende doelen en voordelen van de uitvinding zullen worden uiteengezet in de beschrijving die volgt, en zullen ten dele voor de hand liggend zijn op basis van de beschrijving, of kunnen worden geleerd door het in de praktijk brengen van de uitvinding.

De doelen en voordelen van de uitvinding kunnen worden verwezenlijkt en verkregen door middel van de middelen en combinaties die in het bijzonder zijn uiteengezet in de aangehechte conclusies.

De begeleidende tekening, die-is opgenomen in en deel uitmaakt van de beschrijving illustreren thans de voorkeur hebbende uitvoeringsvormen van de uitvinding en dienen samen met de hierboven gegeven algemene beschrijving en de hieronder gegeven gedetailleerde beschrijving van de de voorkeur hebbende uitvoeringsvormen om de principes van de uitvinding toe te lichten.

Figuur 1 is een aanzicht in doorsnede van een conventionele dunnefilmtransistor; figuur 2 is een bovenaanzicht van de conventionele dunnefilmtransistor; figuur 3 is een aanzicht in doorsnede van een dunnefilmtransistor in overeenstemming met de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 4 is een bovenaanzicht dat een deel van een vloeibaarkristalweergeefinrichting laat zien, dat de dunnefilmtransistor in overeenstemming met de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding heeft; figuren 5A tot en met 5E zijn aanzichten in doorsnede, die sequentieel de stappen bij het fabriceren van de dunnefilmtransistor in overeenstemming met de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding laten zien; figuur 6 is een aanzicht in doorsnede van een dunnefilmtransistor in overeenstemming met de tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; figuur 7 is een bovenaanzicht dat een deel van een vloeibaarkristalweergeefinrichting laat zien, die de dunnefilmtransistor in overeenstemming met de tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding heeft; en figuren 8A tot en met 8E zijn aanzichten in doorsnede die sequentieel de stappen bij het fabriceren van de dunnefilm-transistor in overeenstemming met de tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding laten zien.

Figuur 3 is een aanzicht in doorsnede van een dunnefilmtransistor (TFT) voor een vloeibaarkristalweergeefinrichting (LCD) in overeenstemming met de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Figuur 4 is een bovenaanzicht dat een deel van de LCD laat zien. Figuren 5A tot en met 5E zijn aanzichten in doorsnede die sequentieel de stappen bij het fabriceren van de in figuur 3 getoonde TFT laten zien. Merkt op dat figuur 3 een aanzicht in doorsnede is, dat is genomen langs de lijn III-III in figuur 4.

Zoals in figuur 3 is getoond, is een poortelektrode 22 gevormd op een isolerend transparant substraat 21, zoals een glassubstraat, en is een eerste isolerende film 23 gevormd op het oppervlak van de poortelektrode 22. Een SiN-film (siliciumnitride-film), die dient als een tweede poortisolerende film 24, is gevormd op het isolerende transparante substraat 21 en de eerste isolerende film 23. Een n'-type amorfe siliciumlaag 25 is gevormd op de tweede poortisolerende film 24 op een positie die nagenoeg overeenkomt met de poortelektrode 22. Een blokkeringslaag 26 die bestaat uit SiN is gevormd op een gedeelte van de n'-type amorfe siliciumlaag 25. Ohmse lagen 27a en 27b zijn respectievelijk gevormd op de n'-type amorfe siliciumlaag 25 en de blokkeringslaag 26. Elk van de ohmse lagen 27a en 27b bestaat uit n+-type amorf silicium. De ohmse laag 27a is gevormd in een toekomstig toevoerelektrodevormingsgebied, terwijl de ohmse laag 27b is gevormd in een toekomstig afvoerelektrodevormingsgebied.

Een weergeefelektrode 33 die bestaat uit ITO (indiumtinoxyde) is gevormd op de tweede poortisolerende film 24 en de ohmse laag 27a.

Een toevoerelektrode 41 is gevormd op een gebied van de weergeefelektrode 33 dat zich op de ohmse laag 27a bevindt. Een afvoerelektrode 42 is gevormd op de ohmse laag 27b, en een gegevens-bedradingslaag 43 is gevormd op de tweede poortisolerende film 24. De gegevensbedradingslaag 43 en de afvoerelektrode 42 zijn integraal gevormd. Met andere woorden dient een deelgebied van de gegevensbedradingslaag 43 als de afvoerelektrode 42. Elk van de toevoerelektrode 41, de afvoerelektrode 42 en de gegevensbedradingslaag 43 heeft een structuur die is gevormd door drie op elkaar gestapelde metaallagen.

De eerste (benedenste) metaal laag is gevormd door Cr-lagen 29a, 29b en 29c die elk een dikte van 1 tot en met 5 [m hebben. De tweede (tussen-gelegen) metaallaag is gevormd door Al- of Al-legeringslagen 30a, 30b en 30c die elk een dikte van 10 tot en met 50 /an hebben. Als de Al-legering wordt een legering gebruikt, die Al bevat en ten minste een van Ti, Ho, W, Ta en Cu. De derde (bovenste) metaallaag dient als een accu- of batterijreactievoorkomende laag en is gevormd door Mo-lagen 31a, 31b en 31c die elk een dikte van 1 tot en met 5 /an hebben. Een oppervlaktebeschermende film 32, die bestaat uit SiN, is gevormd op de Mo-lagen 31a, 31b en 31c.

De hierboven beschreven TFT is ingericht zoals in figuur 4 is getoond. Adresbedradingslagen 22i en 22j zijn ingericht om zich evenwijdig in de rijrichting uit te strekken, en een deelgebied van elke laag, dat dient als een poortelektrode, steekt uit in een TFT-vormingsgebied. Gegevensbedradingslagen 43m en 43n strekken zich in de kolomrichting uit om de adresbedradingslagen 22i en 22j loodrecht te kruisen door middel van isolerende films. Een deelgebied 42 van elk van de gegevensbedradingslagen 43m en 43n steekt in een TFT-vormingsgebied uit. Dit uitstekende gebied 42 dient als een afvoer-elektrode. De toevoerelektrode 41 is gevormd om gescheiden van de afvoerelektrode 42 te zijn. De afvoerelektrode 42 en de toevoerelektrode 41 zijn zodanig ingericht, dat het uitstekende gebied (poortelektrode 22) van de adresbedradingslaag 22i tussen de twee elektroden is geplaatst.

Een werkwijze voor het fabriceren van de in figuur 3 en 4 getoonde TFT zal vervolgens onder verwijzing naar figuren 5A tot en met 5E worden beschreven.

Zoals in figuur 5A is getoond, wordt een metaallaag, die bestaat uit Al, een Al-legering, Ta, een Ta-legering, Cr of dergelijke, gevormd op het isolerende transparante substraat 21, zoals een glassubstraat, door sputteren. De metaallaag wordt dan gestructureerd door foto-etsen om de adresbedradingslagen 22i en 22j (die in figuur 5A niet zijn getoond) en de poortelektrode 22 te vormen. Het blootgelegde oppervlak van de poortelektrode 22 wordt geanodiseerd om de eerste isolerende film 23 te vormen.

Een SiN-film, die dient als de tweede poortisole-rende film 24, wordt door de plasma-CVD-werkwijze op de resulterende structuur gevormd. De n'-type amorfe siliciumlaag wordt door de plasma-CVD-werkwijze op de SiN-film afgezet. Een SiN-film wordt door de plasma-CVD-werkwijze op de n‘-type amorfe siliciumlaag 25 afgezet.

Zoals in figuur 5B is getoond, wordt de SiN-film gestructureerd om de blokkeringslaag 26 achter te laten op een gedeelte van de n'-type amorfe siliciumlaag 25 dat zich boven de poortelektrode 22 bevindt.

Zoals in figuur 5C is getoond, wordt een ohmse laag 27, die bestaat uit n+-type amorf silicium, door de plasma-CVD-werkwtjze afgezet. De ohmse laag 27 en de n'-type amorfe siliciumlaag 25 worden door foto-etsen gestructureerd. Bij dit proces zijn de ohmse laag 27a, die een toevoerelektrode vormt, en de ohmse laag 27b, die een afvoerelektrode vormt, van elkaar gescheiden. Daaropvolgend wordt een ITO-film door sputteren of dergelijke op de tweede poortisolerende film 24 en de ohmse laag 27a gevormd. De ITO-film wordt gestructureerd om de weergeefelektrode 33 te vormen, die een deelgebied heeft, dat de ohmse laag 27a overlapt.

Zoals in figuur 5D is getoond, worden door sputteren, opdampen of dergelijke een ohmse barrièrelaag (ohmse laag) 29, die bestaat uit Cr en een dikte van 1 tot en met 5 /on heeft, een hoofdsignaalbedradingslaag 30, en een accureactievoorkomende laag 31 sequentieel op de resulterende structuur gevormd. Als de hoofdsignaalbedradingslaag 30 kan een Al-laag worden gebruikt, die een dikte van 10 tot en met 50 m heeft. Alternatief kan een Al-legeringslaag worden gebruikt, die Al en ten minste één van Ti, Mo, W, Ta en Cu bevat. Als de accureactievoorkomende laag 31 kan een Mo-laag worden gebruikt, die een dikte van 1 tot en met 5 /zm heeft.

Daaropvolgend wordt op de accureactievoorkomende laag 31 een resistfilm gevormd en wordt deze belicht. Daarenboven wordt de resistfilm ontwikkeld door een alkalische ontwikkeloplossing te gebruiken om een etsmasker 34 te vormen, dat door de onderbroken lijn in figuur 5D is aangegeven. In tegenstelling tot een Al-film worden in een Mo-film niet gemakkelijk gaatjes gevormd. Om deze reden kan bij het ontwikkelingsproces de ontwikkeloplossing niet door de accureactievoorkomende laag 31 dringen of passeren en derhalve niet de TFT doordringen, waardoor geen accureactie in de TFT wordt veroorzaakt. Dat wil zeggen dat de accureactievoorkomende laag 31 een accureactie voorkomt, die in de stand van de techniek is opgetreden.

Zoals in figuur 5E is getoond, worden de metaal- lagen 29, 30 en 31 door het hierboven genoemde etsmasker te gebruiken sequentieel gestructureerd om de toevoerelektrode 41, de afvoer-elektrode 42 en de gegevensbedradingslaag 43 te vormen, die elk een drielagige structuur hebben. De accureactievoorkomende laag 31 en de hoofdsignaalbedradingslaag (die bestaat uit Al of een Al-legering) 30 kunnen worden geëtst door dezelfde etsoplossing op basis van fosfor-zuur (een mengsel van fosforzuur, salpeterzuur, azijnzuur en water) te gebruiken. Daarenboven wordt de ohmse barrièrelaag (Cr) 29 gestructureerd door een natte etswerkwijze waarbij een etsoplossing wordt gebruikt, die in hoofdzaak bestaat uit secundair ceriumammonacetaat of een droge etswerkwijze waarbij een gas op basis van C12 wordt gebruikt. Als een resultaat is de toevoerelektrode 41 gevormd door de Cr-laag 29a, de Al-laag 30a en de Mo-laag 31a; de afvoerelektrode 42 door de Cr-laag 29b, Al-laag 30b en de Mo-laag 31b; en de gegevensbedradingslaag 43 door de Cr-laag 29c, de Al-laag 30c en de Mo-laag 31c.

De oppervlaktebeschermende film 32, die bestaat uit SiN, wordt door de plasma-CVD-werkwijze op de resulterende structuur gevormd. De oppervlaktebeschermende film 32 wordt dan gestructureerd om het gedeelte ervan op de weergeefelektrode 33 te verwijderen, waardoor een TFT voor een LCD, zoals die, welke in figuur 3 is getoond, wordt voltooid.

Met de inrichting en de fabricagewerkwijze in overeenstemming met de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding kunnen de volgende effecten (a) tot en met (e) worden verkregen.

(a) De eerste ohmse barrièrelaag (Cr-laag) 29 en de tweede hoofdsignaalbedradingslaag (Al- of Al-legeringslaag) 30 hebben verschillende etssnelheden, en de selectiviteit van een ets-proces is hoog. Om deze reden wordt bij het etsen van de hoofdsignaalbedradingslaag 30 de ohmse barrièrelaag 29 niet geëtst. Bovendien is, aangezien de ohmse barrièrelaag 29 niet een legeringsfilm is, de reproduceerbaarheid van de kwaliteit van de door het sputteren gevormde film goed, en kan de mate van het etsen stabiel worden gestuurd. Daardoor treedt bij het etsproces zijdelings etsen van de ohmse barrièrelaag 29 niet of nauwelijks op, waardoor het afbladderen of afstrippen van de hoofdsignaalbedradingslaag 30 wordt voorkomen.

Daarenboven kan deze inrichting het losraken van de toevoer- en afvoerelektroden door een dergelijk afbladderen of afstrippen voorkomen en kan zij eveneens een kortsluiting voorkomen, die wordt veroorzaakt wanneer afgebladderde Al-filmgedeelten aan andere draden hechten, waardoor lijn- en puntdefecten van de LCD worden voorkomen.

(b) De Mo-film 31 en de Al-film 30 kunnen gelijktijdig worden geëtst door dezelfde oplossing te gebruiken. Daarenboven is de etssnelheid van de Mo-film 31 vier tot zes maal die van de Al-film 30. Daardoor wordt een bovenste gedeelte van de Mo-film 31 taps gemaakt door het etsen bij het proces van het etsen van de Al-film 30. Als een resultaat wordt de stapdekking van de oppervlaktebeschermende film (SiN-film) 32 die in de daaropvolgende stap moet worden gevormd, goed. Dat wil zeggen dat losraking van de oppervlaktebeschermende · film 32 niet optreedt, en er geen gedeelte is, dat niet door de oppervlaktebeschermende film 32 is bedekt.

(c) Aangezien een gedeelte van de weergeefelektro-de 33 is gesandwicht tussen de ohmse laag 27a en de ohmse barrièrelaag 29a, kan een grote contactzone worden verzekerd. Daarenboven zijn de ohmse contactkarakteristieken tussen Cr als het materiaal voor de ohmse barrièrelaag 29 en n+-type amorf silicium als het materiaal voor de ohmse laag 27 goed.

Daardoor kan een ohms contact worden verkregen tussen de weergeefelektrode 33 en de gegevensbedradingslagen 22i en 22j, en kan de betrouwbaarheid van elektrische verbinding worden verbeterd.

(d) In tegenstelling tot een Al-film kan een Mo-film, die geen gaatjes en dergelijke heeft, door sputteren worden gevormd. Om deze reden voorkomt bij het proces van het vormen van het etsmasker 34 door het ontwikkelen van een resistfilm, de Mo-film 31 dat de ontwikkeloplossing de TFT doordringt. Daardoor bereikt geen ontwikkeloplossing de Al-laag van de ITO-film. Dit maakt het moeilijk om een accureactie te veroorzaken, en elimineert een patroondefect van de weergeefelektrode 33.

(e) Het fabricageproces kan worden vereenvoudigd, en de fabricagekosten kunnen worden gereduceerd, omdat de toevoer-elektrode, de afvoerelektrode en de gegevensbedradingslaag gelijktijdig kunnen worden gestructureerd.

Figuur 6 is een aanzicht in doorsnede van een TFT voor een LCD in overeenstemming met de tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Figuur 7 is een bovenaanzicht dat een deel van een de TFT gebruikende LCD laat zien. Figuren 8A tot en met 8E zijn aanzichten in doorsneden die sequentieel de stappen bij het fabriceren van de in figuur 6 getoonde TFT laten zien. Merkt op dat figuur 6 een aanzicht in doorsnede is, dat is genomen langs de lijn VI-VI in figuur 7, en de illustratie van een oppervlaktebeschermende film in figuur 7 achterwege is gelaten.

Zoals in figuur 6 is getoond, wordt een poortelek-trode 122 gevormd op een isolerend transparant substraat 121, zoals een glassubstraat, en wordt een eerste isolerende film 123 op het opperylak van de poortelektrode 122 gevormd. Een SiN-film, die dient als een tweede poortisolerende film 124 wordt op het isolerende transparante substraat 121 en de eerste isolerende film 123 gevormd. Een n'-type amorfe silicumlaag 125 wordt op de tweede poortisolerende film 124 gevormd op een gedeelte dat overeenkomt met de poortelektrode 122. Een blokkeringslaag 126 die bestaat uit SiN wordt op een gedeelte van de n'-type amorfe si 1iciumlaag 125 gevormd. Ohmse lagen 127a en 127b worden respectievelijk op de n'-type amorfe siliciumlaag 125 en de blokkeringslaag 126 gevormd. Elk van de ohmse lagen 127a en 127b bestaat uit n+-type amorf silicium. De ohmse laag 127a wordt gevormd in een toevoerelektrodevormingsgebied, terwijl de ohmse laag 127b in een afvoerelektrodevormingsgebied wordt gevormd.

Een toevoerelektrode 141 wordt op de ohmse laag 127a gevormd. Een afvoerelektrode 142 wordt op de ohmse laag 127b gevormd. Een gegevensbedradingslaag 143 wordt op de tweede poortisolerende film 124 gevormd. De gegevensbedradingslaag 143 en de afvoerelektrode 142 worden integraal gevormd.

De toevoerelektrode 141 en de afvoerelektrode 142 hebben elk een meerlagige structuur die is gevormd door drie metalen lagen. De eerste laag (benedenste laag) is gevormd door Cr-lagen 128a en 128b die elk dienen als een ohmse barrièrelaag en een dikte van 1 tot en met 5 μπ» hebben. De tweede laag is gevormd door Al- of Al-legeringslagen 130a en 130b die elk een dikte van 10 tot en met 50 pm hebben. Als elke Al-legeringslaag, kan een legeringslaag worden gebruikt, die Al en ten minste een van Ti, Mo, W, Ta en Cu bevat. De derde laag is gevormd door Mo-lagen 131a en 131b die elk dienen als een accureactievoorkomende laag en een dikte van 1 tot en met 5 fm hebben. In tegenstelling daartoe heeft de gegevensbedradingslaag 143 een meerlagige structuur die door twee metalen lagen is gevormd. De eerste laag van gegevensbedradingslaag 143 bestaat uit een Al- of Al-legeringslaag 130c die een dikte van 10 tot en met 150 im heeft. Als de Al-legeringslaag wordt een legeringslaag gebruikt, die Al en ten minste een van Ti, Mo, W, Ta en Cu bevat. De tweede laag bestaat uit een Mo-laag 131c die een dikte van 1 tot en met 5 im heeft.

Een weergeefelektrode 133, die bestaat uit een IT0-film, wordt op de tweede poortisolerende film 124 gevormd om zich tussen de Cr-laag 128a en de Al-laag 130a uit te strekken.

Een oppervlaktebeschermende film 132, die bestaat uit SiN, wordt op de Mo-lagen 131a, 131b en 131c gevormd.

De TFT is ingericht zoals in figuur 7 is getoond. Adresbedradingslagen (poortelektroden) 122i en 122j zijn langs de rijrichting ingericht, en een deelgebied van elke laag, dat dient als een poortelektrode 122, steekt uit in een toekomstig TFT-vormings-gebied. Gegevensbedradingslagen 143m en 143n zijn langs de kolom-richting ingericht om de adresbedradingslagen 122i en 122j loodrecht te kruisen. Een deelgebied 142 van elk van de gegevensbedradingslagen 143m en 143n steekt uit in een toekomstig TFT-vormingsgebied. Dit gebied 142 dient als een afvoerelektrode. De toevoerelektrode 141 is gevormd om gescheiden van de afvoerelektrode 142 te zijn. De afvoeren toevoergebieden 142 en 141 zijn zodanig ingericht, dat het uitstekende gebied (poortelektrode 142) van de adresbedradingslaag 122i tussen de twee gebieden is geplaatst.

Een werkwijze voor het fabriceren van de in figuren 6 en 7 getoonde TFT zal vervolgens onder verwijzing naar figuren 8A tot en met 8E worden beschreven.

Zoals in figuur 8A is getoond, wordt een metaal-laag, die bestaat uit Al, een Al-legering, Ta, een Ta-legering, Cr of dergelijke, gevormd op het isolerende transparante substraat 121, zoals een glassubstraat, door sputteren. Deze metaallaag wordt door een foto-etsproces gestructureerd om de adresbedradingslagen 122i en 122j en de poortelektrode 122 te vormen. Het blootgelegde oppervlak van de poortelektrode 122 wordt dan geanodiseerd om de eerste isolerende film 123 te vormen.

Zoals in figuur 8B is getoond, worden een SiN-film, die dient als de tweede poortisolerende film 124, de n'-type amorfe si 1iciumlaag 125 en een SiN-film sequentieel op de resulterende structuur gevormd door de plasma-CVD-werkwijze. De SiN-film wordt gestructureerd om de blokkeringslaag 126 te vormen.

Zoals in figuur 8C is getoond, wordt een ohmse laag 127, die bestaat uit n+-type amorf silicium, door de plasma-CVD-werk-wijze afgezet. Daaropvolgend wordt door sputteren of opdampen een ohmse barrièrelaag 128, die bestaat uit Cr en een dikte van 1 tot en met 5 /an heeft, op de ohmse laag 127 afgezet.

De ohmse barrièrelaag 128, de ohmse laag 127 en de n'-type amorfe siliciumlaag 125 worden door foto-etsen gestructureerd. Dit etsen wordt bewerkstelligd door een natte etswerkwijze (waarbij een etsoplossing wordt gebruikt, die hoofdzakelijk bestaat uit secundair ceriumammonnitraat) of een droge etswerkwijze, waarbij een gas op basis van C12 wordt gebruikt. Met dit proces kunnen vorming en scheiding van de n+-type amorfe siliciumlaag 127a aan de toevoerelektrode-zijde, de n*-type amorfe siliciumlaag 127b aan de afvoerelektrodezijde en de eerste lagen 128a en 128b van de toevoer- en afvoerelektroden van elke TFT gelijktijdig worden bewerkstelligd.

Zoals in figuur 8D is getoond, wordt door sputteren een ITO-film op de tweede poortisolerende film 124 en de ohmse barrièrelaag 128a gevormd. De ITO-film wordt dan gestructureerd om de weergeefelektrode 133 te vormen, die een deelzone heeft, die de ohmse barrièrelaag 128a overlapt.

Een hoofdsignaalbedradingslaag 130 en een accu-reactievoorkomende laag 131 worden door sputteren, opdampen of dergelijke sequentieel op de resulterende structuur gevormd. Als de hoofdsignaalbedradingslaag 130 wordt een Al-laag gebruikt, die een dikte van 10 tot en met 50 /zm heeft. Alternatief kan een Al-legering worden gebruikt, die Al en ten minste een van Ti, Mo, W, Ta en Cu bevat. Als de accureactievoorkomende laag 131 kan een Mo-laag worden gebruikt, die een dikte heeft van 1 tot en met 5 fm.

Daaropvolgend wordt op de resulterende structuur een fotolakfilm gevormd. De fotolakfilm wordt belicht en ontwikkeld door een ontwikkeloplossing te gebruiken om een etsmasker 134 te vormen, dat door de ondoorbroken lijn in figuur 80 is aangegeven. In tegenstelling tot een Al-film worden in een Mo-film niet makkelijk gaatjes gevormd. Om deze reden kan bij het proces van het ontwikkelen de ontwikkeloplossing niet door de accureactievoorkomende laag 131 passeren en derhalve niet de TFT doordringen. Daardoor treedt in de TFT geen accureactie op. Dat wil zeggen dat de accureactievoorkomende laag 131 een accureactie voorkomt, die in de stand van de techniek is opgetreden.

De accureactievoorkomende laag 131 en de hoofd-signaalbedradingslaag 130 worden gestructureerd door dit etsmasker 134 te gebruiken. Bij dit etsproces wordt de n+-type laag 127 in de n+-lagen 127a en 127b gescheiden, en wordt de Cr-laag 128 in de Cr-lagen 128a en 128b gescheiden. De n'-type laag 125 wordt echter niet geëtst, ten gevolge van het effect van de blokkeringslaag 126 die als een etsblokkeringslaag dient. Merkt op dat de Mo-laag 131 en de Al- of Al-legeringslaag 130 kunnen worden geëtst door dezelfde etsoplossing op basis van fosforzuur (een mengsel van fosforzuur, salpeterzuur, azijnzuur en water) te gebruiken.

Met het hierboven beschreven proces worden de gegevensbedradingslagen 143m en 143n, die elk een twee-lagige structuur hebben, en de toevoerelektrode 141 (128a, 130a en 131a) en de afvoer-elektrode 142 (128b, 130b en 131b) voor de TFT, die elk een drie-lagige structuur hebben, gevormd.

Tenslotte wordt de oppervlaktebeschermende film 132, die uit SiN bestaat, op de resulterende structuur gevormd door de plasma-CVD-werkwijze en wordt deze gestructureerd, waardoor een TFT voor een LCD, zoals die, welke in figuur 6 is getoond, wordt voltooid.

Met de inrichting en de fabricagewerkwijze in overeenstemming met de tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding kunnen de volgende effecten (1) tot en met (4) worden verkregen.

(1) De ohmse barrièrelagen 128a en 128b en de hoofdsignaalbedradingslagen 130a en 130b verschillen aanzienlijk in etssnelheid, en derhalve is de selectiviteit van een etsproces hoog.

Om deze reden wordt bij het etsen van de hoofdsignaalbedradingslaag 130 de ohmse barrièrelaag 128 niet geëtst. Daarenboven is, aangezien de ohmse barrièrelaag 128 niet een legeringsfilm is, de reproduceerbaarheid van de kwaliteit van de door het sputteren gevormde film goed, en kan de mate van het etsen stabiel worden gestuurd. Daardoor treedt bij het etsproces zijdelings etsen van de ohmse barrièrelaag 128 nauwelijks op, waarbij afbladeren of afstrippen van de hoofd-signaalbedradingslaag 130 wordt voorkomen. Daarnaast kan deze inrichting losraking van de toevoer- en afvoerelektroden door een dergelijk afbladeren of afstrippen voorkomen, waardoor lijn- en puntdefecten van de LCD worden voorkomen.

(2) De Mo-film 131 en de Al-film 130 kunnen gelijktijdig worden geëtst door dezelfde etsoplossing te gebruiken. Daarenboven is de etssnelheid van de Mo-film 131 vier tot zes maal die van de Al-film 130. Daardoor wordt een bovenste gedeelte van de Mo-film 131 taps gevormd door het etsen bij het proces van het etsen van de Al-film 130. Als een resultaat wordt de stapdekking van de oppervlaktebeschermende film (SiN-film) 32, die in de opvolgende stap wordt gevormd, goed.

(3) Aangezien de weergeefelektrode 133 is gevormd om zich op de Cr-laag 128a uit te strekken, kan de contactzone tussen de toevoerelektrode 141 en de accureactievoorkomende laag 131 worden vergroot. De ohmse contactkarakteristieken tussen ITO en Cr zijn goed. Daarenboven wordt de Al-film (or Al-legeringsfilm) 130a op de weergeefelektrode 133 gevormd, en is de weergeefelektrode 133 gesandwicht tussen de Cr-laag 128a en de Al-film 130a. Daardoor kunnen betere ohmse contactkarakteristieken worden verkregen om de betrouwbaarheid van elektrische verbinding te verbeteren.

(4) In tegenstelling tot een Al-film kan een Mo-film als een hoge kwaliteitsfilm worden gevormd, die geen gaatjes en dergelijke heeft, door sputteren. Om deze reden voorkomt bij het proces van het vormen van het etsmasker 134 door het ontwikkelen van een resistfilm, de Mo-film 131 dat de ontwikkeloplossing de TFT doordringt. Daardoor bereikt geen ontwikkeloplossing de AT-laag van de ITO-film. Dit maakt het moeilijk om accureactie te veroorzaken, en elimineert een patroondefect van de weergeefelektrode 133.

De onderhavige uitvinding is niet beperkt tot de hierboven beschreven eerste en tweede uitvoeringsvormen, en verscheidene veranderingen en modificaties kunnen worden gemaakt zonder buiten de geest en strekking van de uitvinding te komen.

In de hierboven beschreven uitvoeringsvormen bestaat bijvoorbeeld een ohmse barrièrelaag uit Cr; bestaat een hoofdsignaalelektrode uit Al of een Al-legering; en bestaat een accureactievoorkomende laag uit Mo. Andere materialen kunnen echter worden gebruikt, zo lang als de hierboven beschreven effecten kunnen worden verkregen.

Aanvullende voordelen en modificaties zullen zich gemakkelijk voordoen aan vaklui op dit gebied van de techniek. Daarom is de uitvinding in haar breder aspecten niet beperkt tot de specifieke details, representatieve inrichtingen en geïllustreerde voorbeelden, die hierin zijn getoond en beschreven. Dienovereenkomstig kunnen verscheidene modificaties worden gemaakt zonder buiten de geest of strekking van het algemene inventieve concept te komen, zoals door de aangehechte conclusies en hun equivalenten is bepaald.

Claims (25)

1. Dunnefilmtransistor voor een vloeibaarkristal-weergeefinrichting, omvattende een aantal adresbedrdgingslagen (22i, 22 j, 122i, 122j), een aantal gegevensbedradingslagen (43m, 43n, 143m, 143n) dat de adresbedradingslagen kruist, een aantal dunnefilmtran-sistoren dat elk een poortelektrode (22, 122) heeft, een halfgeleider-laag (25, 27a, 27b, 125, 127a, 127b), een toevoerelektrode (41, 141), en een-afvoerelektrode (42, 142), waarbij de poortelektrode (22, 122) van elke dunnefilmtransistor is verbonden met een overeenkomstige van het aantal adresbedradingslagen (22i, 22j, 122i, 122j), waarbij een van de toevoerelektrode (41, 141) en de afvoerelektrode (42, 142) van elke dunnefilmtransistor elektrisch is verbonden met een overeenkomstige van het aantal gegevensbedradingslagen (43m, 43n, 143m, 143n), en waarbij elk van de toevoerelektrode (41, 141) en de afvoerelektrode (42, 142) van elke dunnefilmtransistor is voorzien van een eerste laag (29a, 29b, 128a, 128b) die op de halfgeleiderlaag (25, 27a, 27b, 125, 127a, 127b) is gevormd en dient als een ohmse barrièrelaag voor de halfgeleiderlaag, een tweede laag (30a, 30b, 130a, 130b) die op de eerste laag is gevormd, in essentie uit een geleidend materiaal bestaat en dient als een hoofdsignaalbedradingslaag, en een derde laag (31a, 31b, 131a, 131b) die op de tweede laag is gevormd, ondoordringbaarheid met betrekking tot een vloeistof vertoont en dient als een accureactievoorkomende laag, en weergeefelektroden (33, 133) die in een matrixvorm zijn ingericht, waarbij elk van de weergeefelektroden elektrisch is verbonden met de andere van de toevoerelektrode (41, 141. en de afvoerelektrode (42, 142) van een overeenkomstige van de dunnefUmtransi storen.

2. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat elk van de gegevensbedradingslagen integraal met een van de afvoerelektrode en de toevoerelektrode van een overeenkomstige van het aantal dunnefilmtransistoren is gevormd en een eerste laag (29c), een tweede laag (30c) en een derde laag (31c) omvat.

3. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat elk van de gegevensbedradingslagen integraal met respectievelijk een eerste laag (131b) en een tweede laag (130b) gevormde lagen omvat, die een van de afvoerelektrode en de toevoerelektrode van een overeenkomstige van het aantal dunnefilmtransistoren vormen.

4. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de halfgeleiderlaag is gevormd door een n'-type amorfe siliciumlaag (25, 125) en een daarop gevormde n+-type amorfe siliciumlaag (27, 127).

5. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste laag (28) is voorzien van een Cr-laag.

6. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede laag (29) is voorzien van een Al of Al-legeringslaag.

7. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de·derde laag (31) een Mo-laag is.

8. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de weergeefelektrode (33) een gedeelte heeft, dat zich uitstrekt tussen de halfgeleiderlaag (27a) en de eerste laag (29a).

9. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de weergeefelektrode (133) een gedeelte heeft, dat zich tussen de eerste laag (128a) en de tweede laag (130a) uitstrekt.

10. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de weergeefelektrode (33, 133) in essentie uit indiumtinoxyde bestaat.

11. Dunnefilmtransistor, omvattende een poortelektrode (22, 122), een op de poortelektrode gevormde isolerende film (23, 24, 123, 124), een op de isolerende film op een tegenover de poortelektrode gelegen positie gevormde eerste halfgeleiderlaag (25, 125), op de eerste halfgeleiderlaag gevormde tweede en derde halfgeleiderlagen (27a, 27b, 127a, 127b) om van elkaar gescheiden te zijn, een boven de tweede halfgeleiderlaag (27a, 127a) en op de derde halfgeleiderlaag (27a, 127a) gevormde ohmse barrièrelaag (29a, 29b, 128a, 128b), een op de ohmse barrièrelaag gevormde hoofdsignaalbedradingslaag (30a, 30b, 130a, 130b) en een op de hoofdsignaalbedradingslaag gevormde accu-reactievoorkomende laag (31a, 31b, 131a, 131b) die ondoordringbaarheid met betrekking tot een vloeistof vertoont voor het voorkomen dat een alkalische oplossing door de dunnefilmtransistor dringt bij een fabricageproces van de dunnefilmtransistor waardoor een accureactie daarin zou worden veroorzaakt, waarbij de ohmse barrièrelaag (29a, 128a), de hoofdsignaalbedradingslaag (30a, 130a) en de accureactie-voorkomende laag (31a, 131a), die boven de tweede halfgeleiderlaag (27a, 127a) zijn geplaatst, dienen als een toevoerelektrode (41, 141) en de ohmse barrièrelaag (29b, 128b), de hoofdsignaalbedradingslaag (30b, 130b) en de accureactievoorkomende laag (31b, 131b), die de derde halfgeleiderlaag (27b, 127b) zijn geplaatst, dienen als een afvoerelektrode (42, 142).

12. Transistor volgens conclusie 11, die verder een tussen de tweede halfgeleiderlaag (27a) en de ohmse barrièrelaag (29a) gevormde transparante elektrode (33) omvat.

13. Transistor volgens conclusie 11, die verder een op de isolerende film (124) en tussen de ohmse barrièrelaag (129a) en de hoofdsignaalbedradingslaag (130a) gevormde transparante elektrode (133) omvat.

14. Transistor volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de ohmse barrièrelaag en de hoofdsignaalbedradingslaag in essentie bestaan uit materialen die verschillende etssnelheden hebben.

15. Transistor volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de eerste halfgeleiderlaag in essentie bestaat uit een n‘-type amorfe siliciumlaag (25), en elk van de tweede en derde halfgeleider-lagen in essentie bestaat uit een n+-type amorfe siliciumlaag (27).

16. Transistor volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de ohmse barrièrelaag (29, 128) in essentie uit een Cr-laag bestaat.

17. Transistor volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de hoofdsignaalbedradingslaag (30) in essentie uit een Al- of Al-legeringslaag bestaat.

18. Transistor volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de accureactievoorkomende laag (31) in essentie uit een Mo-laag bestaat.

19. Werkwijze voor het fabriceren van een dunnefilm-transistor, gekenmerkt door het omvatten van de stappen van het vormen van een poortelektrode (22, 122) op een substraat, het vormen van een isolerende film (23, 24, 123, 124) op de poortelektrode (22), het vormen van een halfgeleiderlaag (25, 27, 125, 127) op de isolerende film op een positie die overeenkomt met de poortelektrode, het vormen van een eerste laag (29, 129), die dient als een barrièrelaag, op de halfgeleiderlaag, het vormen van een geleidende tweede laag (30, 130) op de eerste laag, het vormen van een derde laag (31, 131), die ondoordringbaarheid met betrekking tot een vloeistof vertoont, op de tweede laag, het vormen van een resistfilm op de derde laag, het belichten van de film, en het ontwikkelen van de film door een ontwik-keloplossing te gebruiken, waardoor een etsmasker (32, 132) wordt gevormd, waarbij de derde laag voorkomt dat de ontwikkeloplossing door de tweede laag dringt in de ontwikkelstap, en het vormen van een toevoerelektrode (41, 141) en een afvoerelektrode (42, 142) door het structureren van ten minste de eerste en tweede lagen door het ets-masker te gebruiken.

20. Werkwijze volgens conclusie 19, met het kenmerk, dat de eerste en tweede lagen in essentie bestaan uit materialen die verschillende etssnelheden hebben.

21. Werkwijze volgens conclusie 19, die verder een stap ‘omvat van het vormen van een transparante elektrode (33) op de half- geleiderlaag (27a) en de isolerende laag (24), en waarbij de stap van het vormen van de toevoerelektrode en de afvoerelektrode de stap omvat van het vormen van een toevoerelektrode en een afvoerelektrode door het structureren van de eerste, tweede en derde lagen door het ets-masker te gebruiken.

22. Werkwijze volgens conclusie 19, die verder een stap omvat van het vormen van een transparante elektrode (133) op de eerste laag (128a) en de isolerende laag (124).

23. Werkwijze volgens conclusie 19, met het kenmerk, dat de halfgeleiderlaag is gevormd door een n'-type amorfe siliciumlaag (125) en een n+-type amorfe siliciumlaag (27), de eerste laag (128) is gevormd door een Cr-laag, de tweede laag (130a, 130b) is gevormd door een Al- of Al-legeringslaag en de derde laag (131A, 131B) is gevormd door een Mo-laag.

24. Werkwijze voor het fabriceren van een dunnefilm-transistor voor een vloeibaarkristalweergeefinrichting, omvattende de stappen van het op een substraat vormen van een poortelektrode (22), het op de poortelektrode (22) vormen van een isolerende film (23, 24), het op een met de poortelektrode overeenkomende positie op de isolerende film vormen van een halfgeleiderlaag (25, 27), het op de halfgeleiderlaag vormen van eerste en tweede ohmse lagen (27a, 27b) om ohms contact met de halfgeleiderlaag te verkrijgen, het op de isolerende film (24) en de eerste ohmse laag vormen van een transparante elektrode (33), het op de resulterende structuur vormen van een als een ohmse barrièrelaag dienende eerste laag (29), het op de eerste laag vormen van een geleidende tweede laag (30), het op de tweede laag vormen van een derde laag (31), het vormen van een resistfilm op de derde laag, het belichten van de film, en het ontwikkelen van de film door een ontwikkeloplossing te gebruiken, waardoor een etsmasker (34) wordt gevormd voor het vormen van een toevoerelektrode en een afvoer-elektrode, waarbij de derde laag (31) voorkomt dat de ontwikkeloplossing in de ontwikkelstap door de tweede laag (30) dringt, het structureren van de derde en tweede lagen (31, 30) door hetzelfde etsmateriaal en het etsmasker (34) te gebruiken, waarbij de derde laag een hogere etssnelheid heeft dan de tweede laag, waarbij de derde laag door het etsen taps wordt gevormd, en de eerste laag nauwelijks wordt geëtst, en het structureren van de eerste laag door het etsmasker te gebruiken.

25. Werkwijze voor het fabriceren van een dunnefilm- transistor voor een vloeibaarkristalweergeefinrichting, omvattende de stappen van het vormen van een poortelektrode (122), het op de poort-elektrode (122) vormen van een isolerende film (123, 124), het op een met de poortelektrode overeenkomende positie op de isolerende film vormen van een halfgeleiderlaag (125), het apart op de halfgeleider-laag (125) vormen van eerste en tweede ohmse lagen (127a, 127b) om ohms contact daarmee te verkrijgen, het op de eerste en tweede ohmse lagen vormen van een ohmse barrièrelaag (128a, 128b), het op de resulterende structuur vormen van een hoofdsignaalbedradingslaag (130), het op de hoofdsignaalbedradingslaag (130) vormen van een accureactievoorkomende laag (131), het op de accureactievoorkomende laag (130) vormen van een resistfilm, het belichten van de film, en het ontwikkelen van de film door een ontwikkeloplossing te gebruiken, waardoor een etsmasker (134) wordt gevormd voor het vormen van een toevoerelektrode en een afvoerelektrode, waarbij de accureactievoorkomende laag (131) voorkomt dat de ontwikkeloplossing door-de hoofdsignaalbedradingslaag (130) dringt, en het vormen van een toevoerelektrode (141) en een afvoerelektrode (142) door het structureren van de accureactievoorkomende laag (131) en de hoofdsignaalbedradingslaag (130) onder gebruikmaking van hetzelfde etsmateriaal en het etsmasker (34), waarbij de accureactievoorkomende laag (131) een hogere etssnelheid heeft dan die van de hoofdsignaalbedradingslaag (130) en waarbij de accureactievoorkomende laag (131) door het etsen taps wordt gemaakt.