JP3240858B2 - カラー表示装置 - Google Patents

カラー表示装置

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JP3240858B2
JP3240858B2 JP28009694A JP28009694A JP3240858B2 JP 3240858 B2 JP3240858 B2 JP 3240858B2 JP 28009694 A JP28009694 A JP 28009694A JP 28009694 A JP28009694 A JP 28009694A JP 3240858 B2 JP3240858 B2 JP 3240858B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカラー表示装置に関す
る。より詳しくは、画素電極を駆動するスイッチング素
子が形成された駆動基板側にカラーフィルタを備えた構
造を有するアクティブマトリクス型のカラー表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタを画素電極駆動用のス
イッチング素子として用いるカラー液晶表示装置は近年
その開発が活発に行なわれている。従来、この種の液晶
表示装置としては、例えば図５に示す様な構成が知られ
ている。この従来例では、ガラス基板０上に画素電極１
を駆動する為の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が集積形成
されている。ＴＦＴは半導体薄膜２を素子領域とし、ゲ
ート絶縁膜を介してゲート電極３がパタニング形成され
ている。半導体薄膜２にはソース領域Ｓとドレイン領域
Ｄが設けられている。かかる構成を有するＴＦＴは第一
層間絶縁膜４により被覆されている。この上には所定の
形状にパタニングされた配線電極６が設けられており、
コンタクトホールを介してソース領域Ｓに電気接続して
いる。この配線電極６は信号ラインの一部を構成する。
配線電極６は第二層間絶縁膜５により被覆されている。
前述した画素電極１は第二層間絶縁膜５及び第一層間絶
縁膜４に開口したコンタクトホールを介してドレイン領
域Ｄに電気接続している。各画素電極１をＲＧＢ三原色
で着色する為カラーフィルタ９が形成されている。カラ
ーフィルタ９は細分化されており、個々の画素電極１と
第二層間絶縁膜５の間に介在する。カラーフィルタ９は
赤色のセグメント９Ｒと緑色のセグメント９Ｇと青色の
セグメント９Ｂとからなる。この様に、カラーフィルタ
９はガラス基板０の上に直接形成されており、所謂オン
チップカラーフィルタ構造となっている。なお、ＴＦ
Ｔ、画素電極１及びカラーフィルタ９が集積形成された
ガラス基板０を以下ＴＦＴ基板と呼ぶ事にする。このＴ
ＦＴ基板０に対し所定の間隙を介して対向基板１２が接
合している。対向基板１２の内表面には対向電極１１が
形成されている。両基板０，１２の間には液晶１３が保
持されている。
【０００３】オンチップカラーフィルタ構造は、例えば
特開平２−５４２１７号公報、特開平３−２３７４３２
号公報、特開平３−７２３２２号公報、特開平３−１１
９８２９号公報、特開平４−２５３０２８号公報、特開
平２−１５３３２５号公報、特開平５−５８７４号公報
等に開示されている。ＴＦＴ基板側にカラーフィルタを
設けた構造は、対向基板側にカラーフィルタを形成した
構造に比べ種々の利点を有している。例えば、カラーフ
ィルタ９が画素電極１と重なっている為両者の間に視差
が生ぜず、画素部の開口率を大きくとれる。又、画素電
極１とカラーフィルタ９のアライメント誤差が殆どなく
なるので、画素部が微細化しても高開口率を維持でき
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示す従来構造は、カラーフィルタ９に透明な画素電極１
が直接接触している。この様な構造をとると、カラーフ
ィルタ９はＩＴＯ等からなる透明画素電極１の成膜時等
にスパッタダメージを受ける為、カラーフィルタ９の表
面荒れが起りやすかった。又、カラーフィルタ９の各セ
グメント９Ｒ，９Ｇ，９Ｂは一定の間隔で分離されてい
るが、この分離帯にＩＴＯがスパッタされると、画素電
極１のパタニング加工時エッチング残りが生じやすく、
不良発生の原因となっていた。加えて、下地のカラーフ
ィルタ９の凹凸の影響を受け画素電極１に段差が生じる
為、これが液晶１３の配向乱れ、ディスクリネーショ
ン、リバースチルトドメイン等を引き起す原因ともなっ
ていた。さらに、カラーフィルタ９に含まれる不純物が
液晶１３やその配向膜（図示省略）を汚染し、これらを
劣化させたり焼き付き等の不良を起す原因となってい
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した問題点
を解決するもので、その目的はカラーフィルタの表面荒
れ、エッチング残り、リバースチルトドメインの発生等
が生じないオンチップカラーフィルタ構造を提供する事
にある。かかる目的を達成する為に以下の手段を講じ
た。即ち、本発明にかかるカラー表示装置は基本的な構
成として、マトリクス状に配列した画素電極、個々の画
素電極を駆動するスイッチング素子及び各画素電極に整
合するカラーフィルタが形成された一方の基板と、対向
電極を有すると共に該一方の基板に所定の間隙を介して
接合した他方の基板と、該間隙に保持された電気光学物
質とを備えている。特徴事項として、前記一方の基板
は、該スイッチング素子及びその配線電極を含む第一層
と、該カラーフィルタを含む第二層と、該スイッチング
素子及び該カラーフィルタの凹凸を埋める平坦化膜から
なる第三層と、該カラーフィルタに整合配置した該画素
電極を含む第四層とを順に重ねた積層構造を有する。前
記第二層は該カラーフィルタに加えてブラックマスクを
含んでおり、少なくとも該スイッチング素子を遮光す
る。このブラックマスクは金属膜からなり、第四層に属
する画素電極は該金属膜を介して第一層に属する該配線
電極を通し該スイッチング素子に電気接続している。あ
るいは、このブラックマスクは絶縁膜からなり、第四層
に属する画素電極は該平坦化膜及び該絶縁膜を貫通して
直接第一層に属するスイッチング素子に電気接続してい
る。
【０００６】具体的な構成では、前記平坦化膜は有機透
明材料を用いる事ができる。又、前記カラーフィルタは
顔料を分散した有機感光材料を用いる事ができる。好ま
しくは、前記スイッチング素子は、例えばトップゲート
型又はボトムゲート型の薄膜トランジスタからなる。な
お、前記電気光学物質は例えば液晶を用いる事ができ
る。
【０００７】
【作用】本発明にかかるオンチップカラーフィルタ構造
では、カラーフィルタを含む第二層と該カラーフィルタ
に整合配置した画素電極を含む第四層との間に、スイッ
チング素子及びカラーフィルタの凹凸を埋める平坦化膜
からなる第三層が介在している。即ち、カラーフィルタ
は平坦化膜により保護された構造となっており、この平
坦化膜の上に画素電極がパタニング形成される。従っ
て、画素電極の成膜時やパタニング時、カラーフィルタ
の表面荒れが起らない。又、画素電極１は極めて平滑な
表面を有する平坦化膜の上に形成されるので、従来問題
となっていたエッチング残り等が生じない。さらに画素
電極の表面状態も略平らになるので、従来問題となって
いた液晶の配向乱れ、ディスクリネーション、リバース
チルトドメイン等も発生しない。さらに、前述した第二
層はカラーフィルタに加えてブラックマスクを含む様に
しており、オンチップカラーフィルタ構造ばかりでなく
所謂オンチップブラック構造をも実現している。これに
より、画素の高精細化及び高開口率化が一層促進でき
る。特に、ブラックマスクを金属膜で構成し、これを介
して画素電極とスイッチング素子を電気接続する。この
構造により両者間の電気接続の信頼性が向上する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明にかかるカラー表示装置の好適
な実施例を詳細に説明する。図１は第一実施例の要部を
示す模式的な断面図である。図１において、０はガラス
等の絶縁材料からなるＴＦＴ基板、１は画素（液晶セ
ル）を構成する透明な画素電極、２はＴＦＴの活性層と
なる半導体薄膜、３はゲート電極、４は第一層間絶縁
膜、５は第二層間絶縁膜、６はＴＦＴのソース領域Ｓに
電気接続する信号ライン側の配線電極、７は同じくＴＦ
Ｔのドレイン領域Ｄに電気接続する画素電極１側の配線
電極、８はＴＦＴを遮光するブラックマスク、９は細分
化されたセグメント９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの集合からなるカ
ラーフィルタ、１０は平坦化膜、１１は透明導電膜から
なる対向電極、１２は対向基板、１３は電気光学物質と
して用いられる液晶である。
【０００９】ガラス等の透明絶縁基板０上に薄膜トラン
ジスタＴＦＴを構成する半導体薄膜２、例えば多結晶シ
リコン薄膜が形成され、この半導体薄膜２上にゲート絶
縁膜を介してゲート電極３がパタニング形成されてい
る。かかる構成を有するＴＦＴはＰＳＧ等からなる第一
層間絶縁膜４により被覆されている。第一層間絶縁膜４
の上にはソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに接続する配
線電極６，７がパタニング形成されている。これらの配
線電極６，７は同じくＰＳＧ等からなる第二層間絶縁膜
５により被覆されている。この上にはブラックマスク
８、カラーフィルタ９、平坦化膜１０、ＩＴＯ等の透明
導電膜等からなる画素電極１がこの順序で形成されてい
る。ドレイン領域Ｄ側の配線電極７は金属膜からなるブ
ラックマスク８を介して画素電極１と電気的に接続して
いる。配線電極７と画素電極１の間に介在するこの金属
膜はバリヤフィルムとして機能し、両電極７，１間の電
気的な接触を良好なものとしている。なお、このバリヤ
フィルムはブラックマスク８と同一の金属膜であれば良
く、バリヤフィルム自体が下地のＴＦＴを遮光する位置
になくても良い。一方、対向電極１１が全面に形成され
たガラス等からなる対向基板１２はＴＦＴ基板０に対向
して配置され、両基板０，１２間に液晶１３が保持され
カラー表示装置を構成する。
【００１０】本発明の特徴事項として、ＴＦＴ基板０は
第一層ないし第四層を順に重ねた積層構造を有してい
る。図示する様に、一番下の第一層はＴＦＴに加え配線
電極６，７や第一層間絶縁膜４、第二層間絶縁膜５を含
んでいる。次の第二層はカラーフィルタ９を含んでい
る。前述した様に、カラーフィルタ９は個々のセグメン
ト９Ｒ，９Ｇ，９Ｂに分割されており、表面は凹凸状態
となっている。その上の第三層はＴＦＴやカラーフィル
タ９の凹凸を埋める平坦化膜１０で構成されている。一
番上の第四層は画素電極１を含んでおり、カラーフィル
タ９の各セグメント９Ｒ，９Ｇ，９Ｂに整合配置されて
いる。なお、第四層には画素電極１に加え液晶１３の配
向膜（図示省略）等も含まれる。かかる積層構造の特徴
は、第二層と第四層との間に第三層が介在している事で
あり、換言するとカラーフィルタ９と画素電極１は平坦
化膜１０により隔てられている。カラーフィルタ９は平
坦化膜１０により保護されており、後工程でのダメージ
を受ける事がない。画素電極１は平坦化膜１０の上にパ
タニングされる為、加工性が良いばかりでなく液晶１３
の配向を乱す惧れがない。
【００１１】第二層はカラーフィルタ９に加えてブラッ
クマスク８を含んでおり、少なくともＴＦＴを遮光して
いる。オンチップカラーフィルタ構造に加えオンチップ
ブラック構造が実現でき、画素の高精細化及び高開口率
化を促進できる。本例では、ブラックマスク８は金属膜
からなり、第四層に属する画素電極１はこの金属膜を介
して第一層に属するＴＦＴの配線電極７に電気接続して
いる。この金属膜はバリヤフィルムとして機能し両電極
１，７の電気接続を良好なものとする。ＴＦＴは画素電
極１を駆動するスイッチング素子であり、本例ではトッ
プゲート型構造を採用している。
【００１２】引き続き図１を参照して、本発明にかかる
カラー表示装置の製造方法を詳細に説明する。先ず、ガ
ラス等からなる絶縁基板０の上に半導体薄膜２、例えば
多結晶シリコンを７０〜１００nmの厚みで成膜する。必
要ならば、Ｓｉ＋イオンを打ち込み非晶質化した後、６
００℃程度で加熱処理（アニール）して大粒径化を図
る。あるいは、エキシマレーザ光を照射してアニールを
行なっても良い。この半導体薄膜２は所定の形状にパタ
ニングされる。この上に熱酸化法あるいはＬＰＣＶＤ法
等の手段を用いてゲート絶縁膜を１０〜１００nmの厚み
で成膜する。次いで、多結晶シリコンあるいはＭｏＳ
ｉ，ＷＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ／Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔ
ｉ，Ｃｒ等の金属を成膜し、パタニングしてゲート電極
３に加工する。なお、ゲート電極３として多結晶シリコ
ンを用いた場合は低抵抗化を図る為、Ｐ等を熱拡散する
工程が入る事がある。この後、ゲート電極３をマスクと
してイオンインプランテーションあるいはイオンドーピ
ングにより不純物イオンを打ち込み、ソース領域Ｓ及び
ドレイン領域Ｄを形成する。多結晶シリコンからなるゲ
ート構造を採用した場合、１０００℃程度の熱アニール
を加え不純物の活性化を図る。金属ゲート構造を採用し
た場合、耐熱性の観点から、低温アニール又はレーザア
ニールを加え不純物の活性化を図る。
【００１３】続いて、ＰＳＧ，ＮＳＧ等を約６００nmの
厚みで常圧ＣＶＤ法により成膜し第一層間絶縁膜４とす
る。これにソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに連通する
コンタクトホールを開口する。次いで、Ａｌ等の導電性
薄膜をスパッタ等により４００〜６００nmの厚みで成膜
する。これを所定の形状にパタニングし、配線電極６，
７に加工する。この上に、例えばＰＳＧ等を常圧ＣＶＤ
法により約４００nmの厚みで堆積し、第二層間絶縁膜５
を形成する。この後、ＴＦＴの性能を改善する為水素化
工程を行なう。この水素化工程では、例えば水素プラズ
マ中にＴＦＴ基板０を曝露する。あるいは、Ｐ−ＳｉＮ
ｘ膜を積層し、アニールして水素を半導体薄膜２に拡散
させる。この水素化工程後、画素電極と電気接続をとる
為のコンタクトホールを第二層間絶縁膜５に開口する。
この上に、遮光性を有する金属膜、例えばＴｉ，Ａｌ，
ＴｉＮx ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ又はこれらのシリサイドをス
パッタ等の手段により５０〜１０００nm程度の厚みで成
膜し、所定の形状にパタニングしてブラックマスク８に
加工する。
【００１４】このブラックマスク８上に、例えば顔料を
分散した有機感光材料からなるカラーレジストを０．５
〜３．０μｍ程度の膜厚で塗布し、露光、現像、焼成を
行ない、カラーフィルタ９の各セグメントを形成する。
この工程は、ＲＧＢ毎に異なったカラーレジストを用
い、上述した露光、現像、焼成を３回繰り返し、セグメ
ント９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを集積形成する。
【００１５】このカラーフィルタ９上に、有機透明材料
からなる平坦化膜をスピンコートし、１．０〜３．０μ
ｍ程度の膜厚で塗布する。この有機透明材料としてはア
クリル樹脂やポリイミド樹脂を用いる事ができる。この
工程で、ＴＦＴ基板０上の凹凸が平坦化され、液晶の配
向性に優れた基板構造が得られる。同時に、カラーフィ
ルタ９中に含まれる不純物が液晶１３に拡散する事を防
止できる。この後、平坦化膜１０にコンタクトホールを
開口する。次いで、例えばＩＴＯ等からなる透明導電膜
を５０〜２００nmの厚みでスパッタ等により成膜し、所
定の形状にパタニングして画素電極１に加工する。以上
で図１に示したＴＦＴ基板０の積層構造が完成する。こ
の後、配向膜を塗布しラビング処理後、所定の間隙を介
して対向基板１２と接合する。この間隙に液晶１３を注
入して、アクティブマトリクス型のカラー表示装置が完
成する。
【００１６】図２は、本発明にかかるカラー表示装置の
第二実施例を示す模式的な部分断面図である。基本的な
構成は図１に示した第一実施例と同様であり、対応する
部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしてい
る。異なる点は第二層の構造である。第一実施例ではブ
ラックマスク８を形成した後、カラーフィルタ９を形成
している。これに対し、第二実施例では先にカラーフィ
ルタ９を形成し、その上に重ねてブラックマスク８を形
成している。工程設計上の観点等から、図１又は図２に
示した構造のどちらかが適宜選択される。
【００１７】図３は、本発明にかかるカラー表示装置の
第三実施例を示す模式的な部分断面図である。基本的に
は図１に示した第一実施例と同様であり、対応する部分
には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。
異なる点は、画素電極１とＴＦＴの電気接続構造にあ
る。本実施例では、ブラックマスク８が絶縁膜からなる
一方、第四層に属する画素電極１は平坦化膜１０及びブ
ラックマスク８を貫通して、直接第一層に属するＴＦＴ
のドレイン領域Ｄに電気接続している。ブラックマスク
８はバリヤフィルムとして機能しないので、金属膜であ
る必要はなく絶縁膜からなる。例えば、有機系又は水溶
系顔料分散膜を用いる事ができ、０．５〜３．０μｍの
膜厚で成膜し、ブラックマスク８とする。
【００１８】図４は、本発明にかかるカラー表示装置の
第四実施例を示す模式的な部分断面図である。基本的に
は図１に示した第一実施例と同様であり、対応する部分
には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。
異なる点は、第一実施例がトップゲート型のＴＦＴを採
用したのに対し、本実施例はボトムゲート型のＴＦＴを
画素電極駆動用のスイッチング素子に用いている。この
構造を作成する場合には以下の工程を行なう。先ず、基
板０上に多結晶シリコンあるいはＭｏＳｉ，ＷＳｉ，Ａ
ｌ，Ｔａ，Ｍｏ／Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ等の金属
を成膜し、所定の形状にパタニングしてゲート電極３に
加工する。このゲート電極形成後、ＳｉＯ2 ，ＳｉＯx
Ｎy 等をスパッタ法又はプラズマＣＶＤ法等により約１
００〜２００nmの厚みで成膜し、ゲート絶縁膜１４とす
る。場合によっては、金属ゲート電極３の陽極酸化膜を
ゲート絶縁膜に用いても良い。あるいは、陽極酸化膜と
ＳｉＯ2 ，ＳｉＯx Ｎy 等を重ねてゲート絶縁膜にして
も良い。続いて多結晶シリコン、非晶質シリコン等をス
パッタ法、プラズマＣＶＤ法等により約３０〜８０nmの
厚みで成膜し、活性層となる半導体薄膜２を設ける。必
要ならば、エキシマレーザ等を照射し結晶化させる。プ
ラズマＣＶＤ法を用いる場合は、ゲート絶縁膜１４と半
導体薄膜２を連続的に成膜できる。半導体薄膜２を形成
した後、ＳｉＯ2 を成膜し所定の形状にパタニングして
エッチングストッパ１５とする。これをマスクとしてイ
オンドーピング又はイオンインプランテーションにより
不純物を半導体薄膜２に打ち込みソース／ドレイン領域
を形成する。イオン打ち込みに替え、プラズマＣＶＤを
用いたドープト非晶質シリコン等を用い不純物拡散を行
なっても良い。この後、ＭｏＳｉ，ＷＳｉ，Ａｌ，Ｔ
ａ，Ｍｏ／Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ等の金属膜を形
成し、所定の形状にパタニングして配線電極６，７に加
工する。次いで、常圧ＣＶＤ法等により層間絶縁膜４を
形成する。この層間絶縁膜４にコンタクトホールを開口
する。次いで、金属膜、例えばＴｉ，Ａｌ，ＴｉＮx ，
Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ又はこれらの金属シリサイド等をスパッ
タ法等により５０〜１０００nm程度の厚みで成膜し、所
定の形状にパタニングしてブラックマスク８に加工す
る。このブラックマスク８の上にカラーフィルタ９を形
成する。この形成方法は第一実施例と同様である。さら
に、カラーフィルタ９を被覆する様に平坦化膜１０を成
膜する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、カ
ラーフィルタと画素電極は平坦化膜を介して隔てられて
いる為、カラーフィルタの表面がスパッタダメージを受
ける事はなく、フィルタの表面荒れの問題は解決でき
た。さらにカラーフィルタ中に含まれる不純物の液晶層
への拡散を防ぐ事ができる。又、カラーフィルタの段差
も平坦化膜で緩和される為、段差起因のリバースチルト
ドメインも大幅に減少した。以上により、実用的なオン
チップカラーフィルタ構造を提供する事が可能になっ
た。勿論、オンチップカラーフィルタ構造では、画素部
の開口率を大きくとれ、又画素電極とカラーフィルタの
アライメント誤差が殆んどなくなるので、画素部が微細
化しても高開口率を保持できる様になり、アクティブマ
トリクス型カラー表示装置の高開口率化及び高透過率化
に大きな効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかるカラー表示装置の第一実施例を
示す要部断面図である。
【図２】本発明にかかるカラー表示装置の第二実施例を
示す要部断面図である。
【図３】本発明にかかるカラー表示装置の第三実施例を
示す要部断面図である。
【図４】本発明にかかるカラー表示装置の第四実施例を
示す要部断面図である。
【図５】従来のカラー表示装置の一例を示す模式的な部
分断面図である。
【符号の説明】
０ ＴＦＴ基板 １ 画素電極 ２ 半導体薄膜 ３ ゲート電極 ４ 第一層間絶縁膜 ５ 第二層間絶縁膜 ６ 配線電極 ７ 配線電極 ８ ブラックマスク ９ カラーフィルタ １０ 平坦化膜 １１ 対向電極 １２ 対向基板 １３ 液晶 １４ ゲート絶縁膜 １５ エッチングストッパ
フロントページの続き (72)発明者 国井 正文 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 中村 真治 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−242433（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−253028（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−257164（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1335 500 G02F 1/1335 505 H01L 29/786

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マトリクス状に配列した画素電極、個々
    の画素電極を駆動するスイッチング素子及び各画素電極
    に整合するカラーフィルタが形成された一方の基板と、
    対向電極を有すると共に該一方の基板に所定の間隙を介
    して接合した他方の基板と、該間隙に保持された電気光
    学物質とを備えたカラー表示装置であって、 前記一方の基板は、該スイッチング素子及びその配線電
    極を含む第一層と、該カラーフィルタを含む第二層と、
    該スイッチング素子及び該カラーフィルタの凹凸を埋め
    る平坦化膜からなる第三層と、該カラーフィルタに整合
    配置した該画素電極を含む第四層とを順に重ねた積層構
    造を有し、 前記第二層は、該カラーフィルタに加えてブラックマス
    クを含んでおり、少なくとも該スイッチング素子を遮光
    し、 前記ブラックマスクは金属膜からなり、第四層に属する
    画素電極は該金属膜を介して第一層に属する該配線電極
    を通し該スイッチング素子に電気接続している 事を特徴
    とするカラー表示装置。
  2. 【請求項２】 マトリクス状に配列した画素電極、個々
    の画素電極を駆動するスイッチング素子及び各画素電極
    に整合するカラーフィルタが形成された一方の基板と、
    対向電極を有すると共に該一方の基板に所定の間隙を介
    して接合した他方の基板と、該間隙に保持された電気光
    学物質とを備えたカラー表示装置であって、 前記一方の基板は、該スイッチング素子を含む第一層
    と、該カラーフィルタを含む第二層と、該スイッチング
    素子及び該カラーフィルタの凹凸を埋める平坦化膜から
    なる第三層と、該カラーフィルタに整合配置した該画素
    電極を含む第四層とを順に重ねた積層構造を有し、 前記第二層は、該カラーフィルタに加えてブラックマス
    クを含んでおり、少なくとも該スイッチング素子を遮光
    し、 前記ブラックマスクは絶縁膜からなり、第四層に属する
    画素電極は該平坦化膜及び該絶縁膜を貫通して直接第一
    層に属するスイッチング素子に電気接続している事を特
    徴とするカラー表示装置。
  3. 【請求項３】 前記平坦化膜は有機透明材料からなる事
    を特徴とする請求項１又は２記載のカラー表示装置。
  4. 【請求項４】 前記カラーフィルタは顔料を分散した有
    機感光材料からなる事を特徴とする請求項１又は２記載
    のカラー表示装置。
  5. 【請求項５】 前記スイッチング素子は、トップゲート
    型又はボトムゲート型の薄膜トランジスタである事を特
    徴とする請求項１又は２記載のカラー表示装置。
  6. 【請求項６】 前記電気光学物質は、液晶である事を特
    徴とする請求項１又は２記載のカラー表示装置。
  7. 【請求項７】 マトリクス状に配列した画素電極、個々
    の画素電極を駆動するスイッチング素子及び各画素電極
    に整合するカラーフィルタが形成された一方の基板と、
    対向電極を有すると共に該一方の基板に所定の間隙を介
    して接合した他方の基板と、該間隙に保持された電気光
    学物質とを備えたカラー表示装置の製造方法であって、 前記一方の基板には、該スイッチング素子及びその配線
    電極を含む第一層と、該カラーフィルタを含む第二層
    と、該スイッチング素子及び該カラーフィルタの凹凸を
    埋める平坦化膜からなる第三層と、該カラーフィルタに
    整合配置した該画素電極を含む第四層とを順に重ねた積
    層構造を形成し、 前記第二層には、該カラーフィルタに加えて金属膜から
    なるブラックマスクを形成し、 第四層に属する画素電極は該金属膜を介して第一層に属
    する該配線電極を通し該スイッチング素子に電気接続さ
    せる事を特徴とするカラー表示装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 マトリクス状に配列した画素電極、個々
    の画素電極を駆動するスイッチング素子及び各画素電極
    に整合するカラーフィルタが形成された一方の基板と、
    対向電極を有すると共に該一方の基板に所定の間隙を介
    して接合した他方の基板と、該間隙に保持された電気光
    学物質とを備えたカラー表示装置の製造方法であって、 前記一方の基板には、該スイッチング素子を含む第一層
    と、該カラーフィルタ を含む第二層と、該スイッチング
    素子及び該カラーフィルタの凹凸を埋める平坦化膜から
    なる第三層と、該カラーフィルタに整合配置した該画素
    電極を含む第四層とを順に重ねた積層構造を形成し、 前記第二層には、該カラーフィルタに加えて絶縁膜から
    なるブラックマスクを形成して少なくとも該スイッチン
    グ素子を遮光し、 第四層に属する画素電極は該平坦化膜及び該絶縁膜を貫
    通して直接第一層に属するスイッチング素子に電気接続
    させる事を特徴とするカラー表示装置の製造方法。
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Families Citing this family (153)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5814529A (en) 1995-01-17 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing a semiconductor integrated circuit including a thin film transistor and a capacitor
US6372534B1 (en) * 1995-06-06 2002-04-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
US5994721A (en) * 1995-06-06 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate
JP3458562B2 (ja) * 1995-10-12 2003-10-20 株式会社日立製作所 液晶表示装置及びその製造方法
US5917563A (en) * 1995-10-16 1999-06-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having an insulation film made of organic material between an additional capacity and a bus line
US6800875B1 (en) * 1995-11-17 2004-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer
JPH09146108A (ja) * 1995-11-17 1997-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその駆動方法
TW439003B (en) 1995-11-17 2001-06-07 Semiconductor Energy Lab Display device
JP2007298992A (ja) * 1995-11-17 2007-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US6162654A (en) * 1995-11-29 2000-12-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Display and method of producing the display
TW309633B (ja) * 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3698809B2 (ja) * 1996-03-23 2005-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶装置作製方法
KR100244450B1 (ko) * 1996-08-30 2000-02-01 구본준 액정표시장치의 기판의 제조방법 및 그 제조방법에 의하여 제조 되는 기판의 구조
US6211928B1 (en) * 1996-03-26 2001-04-03 Lg Electronics Inc. Liquid crystal display and method for manufacturing the same
KR100209277B1 (ko) * 1996-04-25 1999-07-15 구자홍 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100223153B1 (ko) * 1996-05-23 1999-10-15 구자홍 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6038006A (en) * 1996-09-02 2000-03-14 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device with light shield and color filter overlapping two edges of pixel electrode
JPH10104606A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Toray Ind Inc 液晶表示装置
FR2754377B1 (fr) * 1996-10-07 1998-11-06 Thomson Lcd Ecran de visualisation a matrice active
JP3420675B2 (ja) * 1996-12-26 2003-06-30 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JPH10198292A (ja) 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP3343645B2 (ja) * 1997-03-25 2002-11-11 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US6927826B2 (en) * 1997-03-26 2005-08-09 Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. Display device
KR100262402B1 (ko) * 1997-04-18 2000-08-01 김영환 박막 트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법
JP3566028B2 (ja) 1997-05-15 2004-09-15 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3738530B2 (ja) * 1997-06-30 2006-01-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
KR100468594B1 (ko) * 1997-08-13 2005-07-11 삼성전자주식회사 액정표시소자및그제조방법
KR100471766B1 (ko) * 1997-08-25 2005-07-18 삼성전자주식회사 반도체장치의제조장치
KR100262954B1 (ko) * 1997-09-03 2000-08-01 구본준 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 구조
US6011274A (en) * 1997-10-20 2000-01-04 Ois Optical Imaging Systems, Inc. X-ray imager or LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and dual insulating layers therebetween
US6359672B2 (en) 1997-10-20 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Method of making an LCD or X-ray imaging device with first and second insulating layers
KR100529555B1 (ko) * 1997-10-28 2006-03-03 삼성전자주식회사 액정표시장치및그제조방법
JP3723336B2 (ja) * 1997-11-18 2005-12-07 三洋電機株式会社 液晶表示装置
KR19990059999A (ko) * 1997-12-31 1999-07-26 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US6157426A (en) * 1998-02-13 2000-12-05 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Liquid crystal display with SiOx Ny inclusive multilayer black matrix
KR100687318B1 (ko) * 1998-06-29 2007-05-17 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Ips 모드 액정 표시 소자의 제조방법
JP3114723B2 (ja) * 1998-08-03 2000-12-04 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US6350673B1 (en) * 1998-08-13 2002-02-26 Texas Instruments Incorporated Method for decreasing CHC degradation
US6372558B1 (en) * 1998-08-18 2002-04-16 Sony Corporation Electrooptic device, driving substrate for electrooptic device, and method of manufacturing the device and substrate
US7022556B1 (en) * 1998-11-11 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
JP3458382B2 (ja) * 1998-11-26 2003-10-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3267271B2 (ja) * 1998-12-10 2002-03-18 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造法
JP2000194286A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Fujitsu Ltd カラ―表示装置
JP4242963B2 (ja) * 1999-02-10 2009-03-25 三洋電機株式会社 カラー液晶表示装置
US7821065B2 (en) 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
JP3512665B2 (ja) * 1999-03-03 2004-03-31 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 カラー液晶パネル及びその製造方法
US6475836B1 (en) 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2000292801A (ja) * 1999-04-06 2000-10-20 Nec Corp 液晶表示装置
US6512504B1 (en) 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP4538111B2 (ja) * 1999-05-14 2010-09-08 エーユー オプトロニクス コーポレイション カラー液晶表示装置製造方法
US6169005B1 (en) * 1999-05-26 2001-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Formation of junctions by diffusion from a doped amorphous silicon film during silicidation
US6111619A (en) * 1999-05-27 2000-08-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of forming polycrystalline silicon TFTs with TiN/Cu/TiN interconnections for a liquid crystal display pixel array
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
JP3576871B2 (ja) 1999-06-04 2004-10-13 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100473930B1 (ko) 1999-07-06 2005-03-08 산요 이렉트릭 캄파니 리미티드 액정표시장치
JP3538073B2 (ja) 1999-07-29 2004-06-14 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 Ｔｆｔを搭載する基板側に色層を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
US6380040B1 (en) 1999-08-02 2002-04-30 Advanced Micro Devices, Inc. Prevention of dopant out-diffusion during silicidation and junction formation
US6466281B1 (en) * 1999-08-23 2002-10-15 Industrial Technology Research Institute Integrated black matrix/color filter structure for TFT-LCD
US6654073B1 (en) * 1999-09-01 2003-11-25 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display having storage capacitance electrodes and method of fabricating the same
TW522453B (en) * 1999-09-17 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
CN1195243C (zh) * 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
JP2001117085A (ja) 1999-10-15 2001-04-27 Nec Corp カラー液晶表示パネル及びその製造方法
JP3501698B2 (ja) * 1999-10-18 2004-03-02 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型カラー液晶表示装置及びその製造方法
KR100628679B1 (ko) 1999-11-15 2006-09-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 어레이 패널, 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에따른액정표시장치
JP2001175198A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6844910B2 (en) * 1999-12-28 2005-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4089123B2 (ja) * 2000-02-29 2008-05-28 ソニー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR20010088329A (ko) * 2000-03-07 2001-09-26 가네꼬 히사시 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2002006321A (ja) * 2000-04-17 2002-01-09 Seiko Epson Corp 液晶装置、投射型表示装置及び電子機器
US7525165B2 (en) 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
DE10124986B4 (de) * 2000-05-25 2005-03-10 Lg Philips Lcd Co Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
KR100713639B1 (ko) * 2000-05-30 2007-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법
WO2001093652A2 (en) * 2000-06-06 2001-12-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid crystal display device and method of manufacturing such
KR100684580B1 (ko) * 2000-07-12 2007-02-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP3793402B2 (ja) * 2000-07-28 2006-07-05 株式会社日立製作所 カラー液晶表示装置
US6734924B2 (en) * 2000-09-08 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
GB0028877D0 (en) * 2000-11-28 2001-01-10 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal displays
JP2002182243A (ja) 2000-12-15 2002-06-26 Nec Corp 液晶表示装置用トランジスタ基板及びその製造方法
KR100518051B1 (ko) 2001-01-11 2005-09-28 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치와 그 제조 방법
KR100393389B1 (ko) * 2001-02-07 2003-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 이용한 반사형 액정표시장치
KR100777699B1 (ko) * 2001-04-19 2007-11-21 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4002410B2 (ja) * 2001-06-22 2007-10-31 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法
JP4041336B2 (ja) * 2001-06-29 2008-01-30 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
KR100820104B1 (ko) * 2001-07-25 2008-04-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100855884B1 (ko) * 2001-12-24 2008-09-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 얼라인 키
KR100830524B1 (ko) * 2001-12-29 2008-05-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 빛샘 방지 구조
JP4047586B2 (ja) * 2002-01-10 2008-02-13 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
TWI297407B (ja) * 2002-01-29 2008-06-01 Au Optronics Corp
US6933520B2 (en) * 2002-02-13 2005-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3989761B2 (ja) 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7038239B2 (en) 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
JP4463493B2 (ja) 2002-04-15 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP3989763B2 (ja) 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7242021B2 (en) * 2002-04-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display element using semiconductor device
TWI272556B (en) 2002-05-13 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
US20030214624A1 (en) * 2002-05-14 2003-11-20 Takamichi Fujii Liquid crystal display device and optical laminate
TWI263339B (en) 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
US7256421B2 (en) 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
KR100857133B1 (ko) * 2002-06-28 2008-09-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR100470022B1 (ko) * 2002-07-29 2005-02-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
US6692983B1 (en) * 2002-08-01 2004-02-17 Chih-Chiang Chen Method of forming a color filter on a substrate having pixel driving elements
JP2004070196A (ja) * 2002-08-09 2004-03-04 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示装置用基板及びその製造方法並びに液晶表示装置
US20040046908A1 (en) * 2002-09-10 2004-03-11 Toppoly Optoelectronics Corp. Liquid crystal display device with multiple dielectric layers
TW564327B (en) * 2002-10-14 2003-12-01 Hannstar Display Corp Active color filter on array structure and its manufacturing method
KR100870700B1 (ko) * 2002-12-09 2008-11-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US9374828B2 (en) * 2003-01-13 2016-06-21 Hamilton Sundstrand Corporation Channel allocation for a multi-device communication system
US6788367B2 (en) * 2003-01-21 2004-09-07 Toppoly Optoelectronics Corp. Liquid crystal display device
US20070176840A1 (en) * 2003-02-06 2007-08-02 James Pristas Multi-receiver communication system with distributed aperture antenna
KR20040080778A (ko) 2003-03-13 2004-09-20 삼성전자주식회사 4색 구동 액정 표시 장치 및 이에 사용하는 표시판
US20040196423A1 (en) * 2003-04-03 2004-10-07 Toppoly Optoelectronics Corp. Color filter for liquid crystal display
KR20040089921A (ko) * 2003-04-15 2004-10-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널
KR101001963B1 (ko) * 2003-05-15 2010-12-17 삼성전자주식회사 액정표시장치
TWI228384B (en) * 2003-06-26 2005-02-21 Ind Tech Res Inst Active matrix organic light emitting diode
KR100938887B1 (ko) * 2003-06-30 2010-01-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100900404B1 (ko) * 2003-12-22 2009-06-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 제조 방법
KR100995020B1 (ko) * 2003-12-27 2010-11-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101072375B1 (ko) * 2003-12-29 2011-10-11 엘지디스플레이 주식회사 화소별 개구율 자동제어가 가능한 액정표시장치
KR100961385B1 (ko) * 2003-12-30 2010-06-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101012718B1 (ko) * 2003-12-30 2011-02-09 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
TWI234011B (en) * 2004-01-16 2005-06-11 Hannstar Display Corp Active color filter on array structure, manufacturing method thereof, and color LCD device including active color filter on array
US20050243023A1 (en) * 2004-04-06 2005-11-03 Damoder Reddy Color filter integrated with sensor array for flat panel display
KR101003829B1 (ko) * 2004-04-30 2010-12-23 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR100968339B1 (ko) * 2004-06-30 2010-07-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20060030577A (ko) * 2004-10-06 2006-04-11 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR100672648B1 (ko) * 2004-12-14 2007-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20060115778A (ko) * 2005-05-06 2006-11-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 액정표시장치와 그제조 방법
JP2005346100A (ja) * 2005-07-07 2005-12-15 Nec Lcd Technologies Ltd Ｃｆオンｔｆｔパネル及びその製造方法
JP2008241726A (ja) * 2005-07-13 2008-10-09 Sharp Corp 液晶ディスプレイ用基板
TWI267213B (en) * 2006-01-27 2006-11-21 Ind Tech Res Inst Organic light emitting device with integrated color filter and method of manufacturing the same
KR101374887B1 (ko) * 2006-05-16 2014-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR101288427B1 (ko) * 2006-08-07 2013-08-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그 제조방법
KR101358328B1 (ko) * 2007-04-25 2014-02-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2009052089A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for solution processed electronic devices
US8772774B2 (en) * 2007-12-14 2014-07-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for organic light emitting electronic devices using a TFT substrate
JP5217752B2 (ja) * 2008-08-05 2013-06-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101597288B1 (ko) * 2008-11-19 2016-03-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP5574773B2 (ja) * 2010-03-23 2014-08-20 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置用ｔｆｔ基板及び液晶表示装置の製造方法
JP2012243935A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Sony Corp デバイスおよび表示装置
KR101944704B1 (ko) 2012-03-02 2019-04-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101247331B1 (ko) * 2012-11-28 2013-03-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
US10170504B2 (en) 2013-02-22 2019-01-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Manufacturing method of TFT array substrate, TFT array substrate and display device
CN103165530B (zh) 2013-02-22 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制造方法、显示装置
JP2015055816A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
KR102084177B1 (ko) * 2013-11-07 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 그것을 포함하는 표시 장치, 및 그것의 제조 방법
JP2015007806A (ja) * 2014-09-12 2015-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2016200645A (ja) * 2015-04-07 2016-12-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN105204254B (zh) * 2015-10-09 2019-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft阵列基板、显示面板及其制作方法
TWI578504B (zh) 2016-02-05 2017-04-11 友達光電股份有限公司 畫素結構與其製造方法
KR102661122B1 (ko) 2016-11-21 2024-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109962084B (zh) 2017-12-14 2020-08-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板、显示装置及制作方法
WO2021007769A1 (zh) * 2019-07-16 2021-01-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5327001A (en) * 1987-09-09 1994-07-05 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines
JPH01156725A (ja) * 1987-12-15 1989-06-20 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2758410B2 (ja) 1988-08-19 1998-05-28 三菱電機株式会社 マトリクス型表示装置
CA1313563C (en) * 1988-10-26 1993-02-09 Makoto Sasaki Thin film transistor panel
JPH02153325A (ja) 1988-12-05 1990-06-13 Sharp Corp 表示電極基板の製造方法
EP0387805B1 (en) * 1989-03-15 1995-07-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing liquid crystal display device
JPH0372332A (ja) 1989-08-11 1991-03-27 Victor Co Of Japan Ltd 投写型カラー表示装置
JPH03119829A (ja) 1989-10-02 1991-05-22 Hitachi Ltd Ｄａ変換器
JPH03237432A (ja) 1990-02-14 1991-10-23 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
JPH06208132A (ja) * 1990-03-24 1994-07-26 Sony Corp 液晶表示装置
JPH04184423A (ja) * 1990-11-20 1992-07-01 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法
JP2655941B2 (ja) 1991-01-30 1997-09-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JPH055874A (ja) 1991-06-28 1993-01-14 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子用基板の製造方法
JPH05249478A (ja) * 1991-12-25 1993-09-28 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH06118400A (ja) * 1992-10-07 1994-04-28 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ型液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法
EP0603866B1 (en) * 1992-12-25 2002-07-24 Sony Corporation Active matrix substrate
US5539551A (en) * 1992-12-28 1996-07-23 Casio Computer Co., Ltd. LCD TFT drain and source electrodes having ohmic barrier, primary conductor, and liquid impermeable layers and method of making

Also Published As

Publication number Publication date
DE69534667T2 (de) 2006-08-10
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