JPH03237432A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH03237432A JPH03237432A JP2034446A JP3444690A JPH03237432A JP H03237432 A JPH03237432 A JP H03237432A JP 2034446 A JP2034446 A JP 2034446A JP 3444690 A JP3444690 A JP 3444690A JP H03237432 A JPH03237432 A JP H03237432A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、液晶テレビ、コンピュータの端末表示等に
用いる液晶デイスプレィにおいて、カラー表示のための
カラーフィルタおよびブランクマトリクス等を、薄膜ト
ランジスタ(以下TPTと称する)等を形成した、TF
Tアレイ基板側の表面に接するように、感光性のハロゲ
ン化銀、ゼラチンを主材とする層を形成し、写真法によ
り発色させた構成を特徴とする表示装置に関するもので
ある。
用いる液晶デイスプレィにおいて、カラー表示のための
カラーフィルタおよびブランクマトリクス等を、薄膜ト
ランジスタ(以下TPTと称する)等を形成した、TF
Tアレイ基板側の表面に接するように、感光性のハロゲ
ン化銀、ゼラチンを主材とする層を形成し、写真法によ
り発色させた構成を特徴とする表示装置に関するもので
ある。
Japan Display ’89 P502〜50
5には、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(以下
、a −3t TPTという)を使用した液晶表示装置
に関して記載されている。
5には、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(以下
、a −3t TPTという)を使用した液晶表示装置
に関して記載されている。
すなわち、a −5i TFTを使用した液晶表示g直
はコンピュータや事務機器のデイスプレィ用に好適な技
術であり、それは大画面、純色、高解像度を実現するこ
とが可能であるからである。
はコンピュータや事務機器のデイスプレィ用に好適な技
術であり、それは大画面、純色、高解像度を実現するこ
とが可能であるからである。
しかしながら、表示面積と画素数の増加につれて、ゲー
トパルス遅延の減少とa −3t TPTの欠陥の減少
が必要である。
トパルス遅延の減少とa −3t TPTの欠陥の減少
が必要である。
そこで、ゲートパルスの遅延を改善するための新しい低
抵抗ゲート電極形成方法と、ゲートとドレイン電極間の
クロスオーバショートによるa −5i TFTライン
の欠陥を防止するために新しい2層ゲート絶縁体を提案
している。
抵抗ゲート電極形成方法と、ゲートとドレイン電極間の
クロスオーバショートによるa −5i TFTライン
の欠陥を防止するために新しい2層ゲート絶縁体を提案
している。
この新しいa −5i TFTの製造は、192nX1
20wMの実効面積に640X3X400ドツトの9イ
ンチ対角線の純色カラーa −5i TFTe、高表示
装置に適用したものであり、この液晶表示装置は16レ
ヘルのグレイスケールの表示能力と、画素(10ドツト
/fl)の高解像度、高コントラスト比80と、広視寛
(±60°)を有している。
20wMの実効面積に640X3X400ドツトの9イ
ンチ対角線の純色カラーa −5i TFTe、高表示
装置に適用したものであり、この液晶表示装置は16レ
ヘルのグレイスケールの表示能力と、画素(10ドツト
/fl)の高解像度、高コントラスト比80と、広視寛
(±60°)を有している。
上記ゲートパルスの遅延を改善するために、低抵抗タン
グステン(W)−タンタル(Ta)(Tり合金フィルム
を開発し、スパッタリング条件(W/W+Taレシオ)
と抵抗率または結晶化間の関係が研究された。
グステン(W)−タンタル(Ta)(Tり合金フィルム
を開発し、スパッタリング条件(W/W+Taレシオ)
と抵抗率または結晶化間の関係が研究された。
W−Ta合金フィルムはガラス基板上に高周波スパッタ
リング法で得られ、周囲気圧は5X10−”torr以
下、基板温度は200℃、スパッタリングガスは純粋A
r、 Arガス圧は5 X 10−’torrである。
リング法で得られ、周囲気圧は5X10−”torr以
下、基板温度は200℃、スパッタリングガスは純粋A
r、 Arガス圧は5 X 10−’torrである。
また、W−Taフィルムの厚さは約200nm、100
%Taターゲットの抵抗率は180−200μΩ・備で
あり、100%Wターゲットのフィルムの抵抗率は12
0μΩ・値である。
%Taターゲットの抵抗率は180−200μΩ・備で
あり、100%Wターゲットのフィルムの抵抗率は12
0μΩ・値である。
W−Ta合金フィルムの抵抗率はW/Taターゲットレ
ジオの増加により減少する。W−Ta合金フィルムはW
/W +Ta= 36%(40μΩ・C11)で最小抵
抗率となる。
ジオの増加により減少する。W−Ta合金フィルムはW
/W +Ta= 36%(40μΩ・C11)で最小抵
抗率となる。
これらの結果から、a −5i TFTのゲート電極物
質は、ゲートパルス歪を減少するために、楽観的にW/
Ta混合比(W / W +Ta= 36%)が選定さ
れた。
質は、ゲートパルス歪を減少するために、楽観的にW/
Ta混合比(W / W +Ta= 36%)が選定さ
れた。
このようなa −Si TFTカラー液晶表示装置の構
造は、a −5i TFTアレイと、TN液晶、ブラッ
クマスクと偏光子と3波長螢光光を有するRGBカラー
フィルタとから構成されている。
造は、a −5i TFTアレイと、TN液晶、ブラッ
クマスクと偏光子と3波長螢光光を有するRGBカラー
フィルタとから構成されている。
また、SID 1984 DIGEST P316〜3
19には、低消費電力と低電圧作動の液晶表示装置がポ
ータプルまたはポケットサイズのTVの適用に特に好適
であることが記載されている。
19には、低消費電力と低電圧作動の液晶表示装置がポ
ータプルまたはポケットサイズのTVの適用に特に好適
であることが記載されている。
すなわち、対角!4.25イ7チ、480X480画素
のアクティブマトリクスの液晶表示装置を開発した旨が
記載されている。
のアクティブマトリクスの液晶表示装置を開発した旨が
記載されている。
この液晶表示装置に関しては、ローオフ電流とハイオン
電流のために、2層ゲートポリシリコンTPTを対角線
4.25インチの液晶表示装置に採用し、マトリクス電
極と周辺ドライバの両方の集積化に適しており、ローオ
フ電流は高表示コントラスとドライバの低消費電力のた
めに必要であり、ハイオン[流はドライバの高速作動に
必要である。
電流のために、2層ゲートポリシリコンTPTを対角線
4.25インチの液晶表示装置に採用し、マトリクス電
極と周辺ドライバの両方の集積化に適しており、ローオ
フ電流は高表示コントラスとドライバの低消費電力のた
めに必要であり、ハイオン[流はドライバの高速作動に
必要である。
この場合、マトリクス電極のTFTのオンを流はVGS
−16Vで約5X10−”Aであり、オフ電流はl X
IO”A以下であり、これらの特性はマトリクス電極と
ドライバの集積化に十分である。
−16Vで約5X10−”Aであり、オフ電流はl X
IO”A以下であり、これらの特性はマトリクス電極と
ドライバの集積化に十分である。
また、液晶パネルは、五つの部分から構成され、2枚の
偏向板、カラーフィルタ層とコモン電極を有する上部グ
ラス基板、TFTアレイを有する下部グラス基板、液晶
物質を有している。
偏向板、カラーフィルタ層とコモン電極を有する上部グ
ラス基板、TFTアレイを有する下部グラス基板、液晶
物質を有している。
液晶は光量とバックライの透過のコントロールに応して
作動し、液晶物質は60℃、湿度90%、でさえ、半年
以上の特性の変化が見られないような高信頼性を有する
。
作動し、液晶物質は60℃、湿度90%、でさえ、半年
以上の特性の変化が見られないような高信頼性を有する
。
さらに、特開昭61−236586号公報には、透明ガ
ラス基板上に複数のゲートラインとソースラインをマト
リクス状に配置して各ラインの交点に画素電極、N素ト
ランジスタを形成したアクティブマトリクスを基板と基
板の片側全面に透明電極を形成した透明基板を一定の間
隙を形成するように貼り合わせ、この間隙に液晶を封入
してなるアクティブマトリクス基板の画素電極と対向し
ない透明基板上の部分に光吸収膜を形成した液晶表示体
が開示されている。
ラス基板上に複数のゲートラインとソースラインをマト
リクス状に配置して各ラインの交点に画素電極、N素ト
ランジスタを形成したアクティブマトリクスを基板と基
板の片側全面に透明電極を形成した透明基板を一定の間
隙を形成するように貼り合わせ、この間隙に液晶を封入
してなるアクティブマトリクス基板の画素電極と対向し
ない透明基板上の部分に光吸収膜を形成した液晶表示体
が開示されている。
一方、第9図はマトリクス表示装置の一般的な単位画素
の動作を説明するための構成図であり、第10図は従来
の表示装置の断面図である。
の動作を説明するための構成図であり、第10図は従来
の表示装置の断面図である。
この第9図、第10図の両図において、1はゲート電極
線、2はソース電極線、3はドレイン電極線、4はTP
T、5は画素電極、6は信号蓄積コンデンサ、7は液晶
、8はTFTアレイ基板、9は対向′gLI!ja板、
10はブラックマトリクス4光層、11はカラーフィル
タ(赤)、12はカラーフィルタ(緑)、I3はカラー
フィルタ(青)、14は対向電極である。
線、2はソース電極線、3はドレイン電極線、4はTP
T、5は画素電極、6は信号蓄積コンデンサ、7は液晶
、8はTFTアレイ基板、9は対向′gLI!ja板、
10はブラックマトリクス4光層、11はカラーフィル
タ(赤)、12はカラーフィルタ(緑)、I3はカラー
フィルタ(青)、14は対向電極である。
すなわち、マトリクス型表示装置は、第9図に単位画素
のtllI戒を示したように、複数のゲー)を極線l、
このゲート”を極vAlと交差する複数のソース電極1
2によりなるマトリクス型の電極配線を有し、その各交
点に能動素子としてのTFT4、ドレイン電極線3番こ
接続された’ifj素電極5、信号蓄積コンデンサ6等
よりなる例えば、TFTアレイ基板8と、第1O図に示
すように1iii素電極5に対向する位Wにカラー表示
のためのカラーフィルタの例えば赤色のカラーフィルタ
11.緑色のカラーフィルタ12.青色のカラーフィル
タ13等を配置し、その上部に透明i電膜等の対向電極
14を設けた対向を極基板9を備え、このTFTアレイ
基板8と対向電極基Fi、9の間に、液晶7等の表示材
料を挟持した構造となっている。
のtllI戒を示したように、複数のゲー)を極線l、
このゲート”を極vAlと交差する複数のソース電極1
2によりなるマトリクス型の電極配線を有し、その各交
点に能動素子としてのTFT4、ドレイン電極線3番こ
接続された’ifj素電極5、信号蓄積コンデンサ6等
よりなる例えば、TFTアレイ基板8と、第1O図に示
すように1iii素電極5に対向する位Wにカラー表示
のためのカラーフィルタの例えば赤色のカラーフィルタ
11.緑色のカラーフィルタ12.青色のカラーフィル
タ13等を配置し、その上部に透明i電膜等の対向電極
14を設けた対向を極基板9を備え、このTFTアレイ
基板8と対向電極基Fi、9の間に、液晶7等の表示材
料を挟持した構造となっている。
次に動作について説明する。マトリクス型表示装置の動
作は、前述のように構成された表示装置のゲー)を極m
lに走査信号を供給し、同し行のゲート電極線1に接続
されたTPT4等の能動素子を一斉にオン状態とし、こ
れと交差する各列のソース電極線2に所望のビデオ信号
を供給して、ドレイン電極13に接続された信号蓄積コ
ンデンサ6と液晶7等の表示材料により形成されるコン
デンサに、ビデオ信号を供給して表示する。
作は、前述のように構成された表示装置のゲー)を極m
lに走査信号を供給し、同し行のゲート電極線1に接続
されたTPT4等の能動素子を一斉にオン状態とし、こ
れと交差する各列のソース電極線2に所望のビデオ信号
を供給して、ドレイン電極13に接続された信号蓄積コ
ンデンサ6と液晶7等の表示材料により形成されるコン
デンサに、ビデオ信号を供給して表示する。
この一連の動作をゲート電極線1の数だけ繰り返して所
望のビデオパターンを表示する6また、このマトリクス
型表示装置でテレビジラン等の映像や、コンピュータ等
の端末表示で文字やグラフインク像等を高解像度に表示
するには、前述のゲート電極11が少なくとも400本
以上、ソース電極12が約2000本以上必要である。
望のビデオパターンを表示する6また、このマトリクス
型表示装置でテレビジラン等の映像や、コンピュータ等
の端末表示で文字やグラフインク像等を高解像度に表示
するには、前述のゲート電極11が少なくとも400本
以上、ソース電極12が約2000本以上必要である。
第9図に示した単位画素の大きさは、画面サイズにも依
存するが、対角線で約10インチ程度の画面サイズで、
100.m(横)X300m(縦)程度で、極めて微細
で、かつ単位iii素の必要数は上述したように、約8
0万個以上が必要である。
存するが、対角線で約10インチ程度の画面サイズで、
100.m(横)X300m(縦)程度で、極めて微細
で、かつ単位iii素の必要数は上述したように、約8
0万個以上が必要である。
また、画素電極5、およびカラーフィルタ11〜13の
各色のセグメントの数も単位画素数と同数個二こよりI
II威され、2枚の異なるTFTアレイ基板8と対向電
極基板9上に分散配置されている。
各色のセグメントの数も単位画素数と同数個二こよりI
II威され、2枚の異なるTFTアレイ基板8と対向電
極基板9上に分散配置されている。
第10図に示すように、従来例では、カラーフィルタ1
1〜13およびブラックマトリクス10等が対向電極基
板9側に、例えばゼラチンを主体とじた染色法または固
着法等で形成されている。
1〜13およびブラックマトリクス10等が対向電極基
板9側に、例えばゼラチンを主体とじた染色法または固
着法等で形成されている。
一方、このカラーフィルタ11〜13に高精度に対向す
べき画素電極5は、TFTアレイ基板8側に形成されて
おり、この結果、TFTアレイ基Fi8と対向電極基板
9上に形成されたij素電極5とカラーフィルタ11〜
13のセグメントを高精度に位置決めし、重ね合せ、T
FTアレイ基板8と対向電極基板9の両基板間に液晶7
等の表示材料を注入してマトリクス型表示装置を形成す
る際に、両基板間に約10#程度の位置ずれが生じる。
べき画素電極5は、TFTアレイ基板8側に形成されて
おり、この結果、TFTアレイ基Fi8と対向電極基板
9上に形成されたij素電極5とカラーフィルタ11〜
13のセグメントを高精度に位置決めし、重ね合せ、T
FTアレイ基板8と対向電極基板9の両基板間に液晶7
等の表示材料を注入してマトリクス型表示装置を形成す
る際に、両基板間に約10#程度の位置ずれが生じる。
また、表示特性のコントラスト等を改良するためのブラ
ックマトリクス燻光層10も対at極基Fi9側に設け
られており、液晶7のギャップ(約5R〜10μ)を介
して、外部光が透過、または散乱等により、TPT4等
の能動素子の領域に侵入し、フォトコンダクティブイフ
ェクト等により、TFT4のオフ電流等の特性の劣化を
ひきおこす。
ックマトリクス燻光層10も対at極基Fi9側に設け
られており、液晶7のギャップ(約5R〜10μ)を介
して、外部光が透過、または散乱等により、TPT4等
の能動素子の領域に侵入し、フォトコンダクティブイフ
ェクト等により、TFT4のオフ電流等の特性の劣化を
ひきおこす。
さらに、この外部光による特性劣化を防止するために、
TFT4の上部に専用の遮光膜等を設ける場合には、製
造プロセスが複雑になり、製造歩留が低下、製造コスト
高の要因となる。
TFT4の上部に専用の遮光膜等を設ける場合には、製
造プロセスが複雑になり、製造歩留が低下、製造コスト
高の要因となる。
従来のマトリクス型表示装置は以上のように構成されて
いるので、TPT4等の能動素子画素電極5等とカラー
フィルタ11〜13.ブラックマトリクス遮光層10等
がそれぞれ別個のTPTアレイ基板8.対向電極基板9
に形成されているため、TFTアレイ基板8.対向電極
基板9を組み合せてマトリクス型表示装置を形成する際
に、画素電極5とカラーフィルタ11〜13間に位置ず
れが生じ、赤、緑、青1等、各色の有効な透過面積が減
少する。
いるので、TPT4等の能動素子画素電極5等とカラー
フィルタ11〜13.ブラックマトリクス遮光層10等
がそれぞれ別個のTPTアレイ基板8.対向電極基板9
に形成されているため、TFTアレイ基板8.対向電極
基板9を組み合せてマトリクス型表示装置を形成する際
に、画素電極5とカラーフィルタ11〜13間に位置ず
れが生じ、赤、緑、青1等、各色の有効な透過面積が減
少する。
すなわち、表示装置の開口率が低下し、輝度。
コントラスト等の表示性能が低下する。
また、液晶7等の間隙に主に起因して、ブラックマトリ
クス遮光層10のTPT4等能動素子の外部光に対する
遮光効果が不十分となり、フォトコンダクティプイフェ
クト等による特性の劣化が発生する。
クス遮光層10のTPT4等能動素子の外部光に対する
遮光効果が不十分となり、フォトコンダクティプイフェ
クト等による特性の劣化が発生する。
さらに、この劣化を防止するために、TPT4等能動素
子に専用の遮光膜を設ける構成では、TFT7レイ基板
8の加工プロセスが増加し、製造歩留が低下する他、製
造コストが高くなる等、多くの欠点を有していた。
子に専用の遮光膜を設ける構成では、TFT7レイ基板
8の加工プロセスが増加し、製造歩留が低下する他、製
造コストが高くなる等、多くの欠点を有していた。
加えて、従来のカラーフィルタIf−13およびブラン
クマトリクス遮光層10は例えばゼラチンを用いた染色
または固着法、ポリイミド樹脂等を用いた顔料分散法、
およびITOなどの透明電極を下地電極に用いた1ii
ii法等により形成されており、いずれも製造プロセス
が複雑で、製造歩留等が悪く、カラーフィルタ11−1
3およびブラックマトリクス遮光層10等をTFTアレ
イ基板8上に一体化して形成することは困難である等の
多くの不具合があった。
クマトリクス遮光層10は例えばゼラチンを用いた染色
または固着法、ポリイミド樹脂等を用いた顔料分散法、
およびITOなどの透明電極を下地電極に用いた1ii
ii法等により形成されており、いずれも製造プロセス
が複雑で、製造歩留等が悪く、カラーフィルタ11−1
3およびブラックマトリクス遮光層10等をTFTアレ
イ基板8上に一体化して形成することは困難である等の
多くの不具合があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、カラー表示のためのカラーフィルタの形成が
容易で、TFTアレイ基板との一体化を可能にすること
により画素電極とカラーフィルタの位置合せ精度が高<
、ii!i素の開口率が高いとともに、TPT等の能動
素子に専用の遮光膜が不要で、製造プロセスの簡易な構
造にでき、良好な表示性能を有するし、しかも低コスト
で製造できる表示装置を得ることを目的とする。
たもので、カラー表示のためのカラーフィルタの形成が
容易で、TFTアレイ基板との一体化を可能にすること
により画素電極とカラーフィルタの位置合せ精度が高<
、ii!i素の開口率が高いとともに、TPT等の能動
素子に専用の遮光膜が不要で、製造プロセスの簡易な構
造にでき、良好な表示性能を有するし、しかも低コスト
で製造できる表示装置を得ることを目的とする。
この発明に係る表示装置は、TFTアレイ基板上に互い
に接するように一体化して形成されたカラーフィルタと
遮光性を有するブラックマトリクスを設けたものである
。
に接するように一体化して形成されたカラーフィルタと
遮光性を有するブラックマトリクスを設けたものである
。
この発明におけるカラーフィルタとブラックマトリクス
がTFTアレイ基板上に互いに接するよう一体的に形成
することにより、対向T!1w1基vi側は基本的に透
明電極を形成するのみでよくなり、画St極とカラーフ
ィルタは同−TFTアレイ基板上で形成され、画素電極
とカラーフィルタの位置ずれを抑制することになる。
がTFTアレイ基板上に互いに接するよう一体的に形成
することにより、対向T!1w1基vi側は基本的に透
明電極を形成するのみでよくなり、画St極とカラーフ
ィルタは同−TFTアレイ基板上で形成され、画素電極
とカラーフィルタの位置ずれを抑制することになる。
以下、この発明の表示装置の実施例について図面に基づ
き説明する。第1図はその一実施例における表示部の画
素の説明図、第2図は第1図の■■線の断面図、第3図
は第1図のm−m線の断面図であり、まず第1図〜第3
図により説明する。
き説明する。第1図はその一実施例における表示部の画
素の説明図、第2図は第1図の■■線の断面図、第3図
は第1図のm−m線の断面図であり、まず第1図〜第3
図により説明する。
この第1図〜第3図において、第9図1第1O図と同一
部分には同一符号を付して説明する。
部分には同一符号を付して説明する。
第1図、第2図、第3図に示すようにガラス等の透明基
板上に、ゲート電極線lとして例えばクロム(Cr)を
スパッタ法等で底膜し、写真製版法等でパターンニング
する。
板上に、ゲート電極線lとして例えばクロム(Cr)を
スパッタ法等で底膜し、写真製版法等でパターンニング
する。
また、ゲート絶縁膜15と半導体16としてシリコンナ
イトライド(SiN)アモルファスシリコン(a−3i
)等をプラズマCVD法等で連続的にtclした後、順
次、写真製版法等でパターンニングして形成する。
イトライド(SiN)アモルファスシリコン(a−3i
)等をプラズマCVD法等で連続的にtclした後、順
次、写真製版法等でパターンニングして形成する。
引き続き、ソース電極12とドレイン電極線3として、
例えばCrおよびアルミニューム(AI )等をスパッ
タ法等で連続的に*IIL、各々、所望形状にパターン
ニングして、各ソース電極線2.ドレイン電極線3を形
成する。
例えばCrおよびアルミニューム(AI )等をスパッ
タ法等で連続的に*IIL、各々、所望形状にパターン
ニングして、各ソース電極線2.ドレイン電極線3を形
成する。
また、第4図は第1図に示すTFTアレイ基板8上にこ
の発明におけるカラーフィルタとブラックマトリクスを
形成するための補色フィルタマスクの平面図であり、第
5図は第4図のV−V線の断面図、第6図は第4図のV
l−Vl線の断面図、第7図は第4図の補色フィルタマ
スクを用いてTPTアレイ基板上にカラーフィルタを写
真製版法により形成する場合の露光の説明図であり、第
8図は第4図の補色フィルタマスクを用いてブラックマ
トリクス遮光層を写真製版法により形成する場合の露光
の説明図である。
の発明におけるカラーフィルタとブラックマトリクスを
形成するための補色フィルタマスクの平面図であり、第
5図は第4図のV−V線の断面図、第6図は第4図のV
l−Vl線の断面図、第7図は第4図の補色フィルタマ
スクを用いてTPTアレイ基板上にカラーフィルタを写
真製版法により形成する場合の露光の説明図であり、第
8図は第4図の補色フィルタマスクを用いてブラックマ
トリクス遮光層を写真製版法により形成する場合の露光
の説明図である。
次に、この第4図〜第8図を用いて、上記ソース電極線
2、ドレイン電極vA3の形成後の工程について説明す
る。
2、ドレイン電極vA3の形成後の工程について説明す
る。
ソース電極線2.ドレイン電極線3の形成後、引き続い
て、カラー表示のためのカラーフィルタ11〜13を形
成するために、例えばAgC1,^gBrおよびAgl
等の感光性ハロゲン化銀、ゼラチン等を主材とするン
アン感層、マゼンタ感層およびイエロー感層等を例えば
カーテンコート法等により順次連続的に形成した後、カ
ラーフィルタ11(赤色)、カラーフィルタ12 (緑
色)、カラーフィルタ13 (青色)の各色に対し、補
色の関係を有するマスクシアン部22.マスクマゼンタ
部23、マスクイエロ一部24の各色およゴマスフ遮光
部21等で構成された第4図、第5図、第6図に示すカ
ラーフィルタ露光用の補色マスク20を用いて平行光1
7で露光し、現像して、第7図に示すように、カラーフ
ィルタ11(赤色)、カラーフィルタ+2(11色)、
カラーフィルタ13(青色)および第8図に示すように
、黒色のブラックマトリクス遮光層lOを形成して、カ
ラーフィルタ11〜13とTPT4等の能動素子を一体
形成したTFTアレイ基板8が完成する。
て、カラー表示のためのカラーフィルタ11〜13を形
成するために、例えばAgC1,^gBrおよびAgl
等の感光性ハロゲン化銀、ゼラチン等を主材とするン
アン感層、マゼンタ感層およびイエロー感層等を例えば
カーテンコート法等により順次連続的に形成した後、カ
ラーフィルタ11(赤色)、カラーフィルタ12 (緑
色)、カラーフィルタ13 (青色)の各色に対し、補
色の関係を有するマスクシアン部22.マスクマゼンタ
部23、マスクイエロ一部24の各色およゴマスフ遮光
部21等で構成された第4図、第5図、第6図に示すカ
ラーフィルタ露光用の補色マスク20を用いて平行光1
7で露光し、現像して、第7図に示すように、カラーフ
ィルタ11(赤色)、カラーフィルタ+2(11色)、
カラーフィルタ13(青色)および第8図に示すように
、黒色のブラックマトリクス遮光層lOを形成して、カ
ラーフィルタ11〜13とTPT4等の能動素子を一体
形成したTFTアレイ基板8が完成する。
なお、上記実施例では、カラーフィルタ11〜13の上
部にカラーフィルタ層の保護、またはカラーフィルタ材
料による液晶等の汚染防止等を目的としたオーバコート
、またはトップコート等の保護層を形成しない構成とし
たが、例えば、このオーバコート層として、アクリル樹
脂等を1〜3n程度の膜厚に形成することにより、液晶
材料等の汚染が低減され、表示装置の信頼性が向上する
。
部にカラーフィルタ層の保護、またはカラーフィルタ材
料による液晶等の汚染防止等を目的としたオーバコート
、またはトップコート等の保護層を形成しない構成とし
たが、例えば、このオーバコート層として、アクリル樹
脂等を1〜3n程度の膜厚に形成することにより、液晶
材料等の汚染が低減され、表示装置の信頼性が向上する
。
また、透明導電膜等で形成される画素を極5は、カラー
フィルタ11〜13FJの膜厚が通常lO〜20Bの膜
厚に形成されるため、このカラーフィルタt 1−13
の上部に例えば反応性スパッタ法等でITO膜等を形成
し、ドレイン電極線3に接続されるが、カラーフィルタ
層の膜厚を例えば5n程度以下に横或し、画素を極5を
形成してから、その上部にカラーフィルタ11〜13を
形成してもよい。
フィルタ11〜13FJの膜厚が通常lO〜20Bの膜
厚に形成されるため、このカラーフィルタt 1−13
の上部に例えば反応性スパッタ法等でITO膜等を形成
し、ドレイン電極線3に接続されるが、カラーフィルタ
層の膜厚を例えば5n程度以下に横或し、画素を極5を
形成してから、その上部にカラーフィルタ11〜13を
形成してもよい。
さらに、ハロゲン化銀を主材とするカラーフィルタ11
〜13を形成する際に、各層間の相互作用による色特性
の劣化を防止するための中間層、およびハレー−2・ヨ
ン現象を防止するためのハレーション防止膜等を設け、
カラーフィルタ11〜13の色特性の改良、特性の安定
化をはかってもよい。
〜13を形成する際に、各層間の相互作用による色特性
の劣化を防止するための中間層、およびハレー−2・ヨ
ン現象を防止するためのハレーション防止膜等を設け、
カラーフィルタ11〜13の色特性の改良、特性の安定
化をはかってもよい。
(発明の効果)
以上のように、この発明によれば、TFTアレイ% t
ffi iにカラーフィルタとブラックマトリクス遮光
層を接するように形成したので、対向1i極基板側は基
本的に、ITO等の透明!極を形成するのみでよく、画
素!極とカラーフィルタは同一のTFTアレイ基板上に
形成されているから、位置合せは例えば写真製版法によ
り、露光装置上で実施されるため、IR以下の重ね合せ
精度が得られ、表示装置の開口率の低下等は発生しない
。
ffi iにカラーフィルタとブラックマトリクス遮光
層を接するように形成したので、対向1i極基板側は基
本的に、ITO等の透明!極を形成するのみでよく、画
素!極とカラーフィルタは同一のTFTアレイ基板上に
形成されているから、位置合せは例えば写真製版法によ
り、露光装置上で実施されるため、IR以下の重ね合せ
精度が得られ、表示装置の開口率の低下等は発生しない
。
また、TPT等の能動素子の表面に接してブラックマト
リクス遮光層が形成されるため、TPTの遮光効果が十
分で、フォトコンダクティブイフェクト等による光劣化
がない。
リクス遮光層が形成されるため、TPTの遮光効果が十
分で、フォトコンダクティブイフェクト等による光劣化
がない。
さらに、カラーフィルタとブラックマトリクス遮光層は
ハロゲン化銀とゼラチンを主材とし、写真法による発色
を利用しているので、各感材層の形成から発色までの製
造プロセスが極めて簡単で、歩留りが高く、量産性に優
れており、良好な表示特性を有するとともに、マトリク
ス型表示装置が低い製造コストで、再現性よく得られる
等の効果を有する。
ハロゲン化銀とゼラチンを主材とし、写真法による発色
を利用しているので、各感材層の形成から発色までの製
造プロセスが極めて簡単で、歩留りが高く、量産性に優
れており、良好な表示特性を有するとともに、マトリク
ス型表示装置が低い製造コストで、再現性よく得られる
等の効果を有する。
第1図はこの発明の第一実施例による表示装置の画素説
明図、第2図は第1図の■−■線の断面図、第3図は第
1図の■−■線の断面図、第4図は第1図に示すTFT
アレイ基板上にカラーフィルタを形成する際に用いる補
色カラーフィルタマスクの平面図、第5図は第4図のv
−■線の断面図、第6図は第4図の■−■線の断面図、
第7図は第4図の補色カラーフィルタマスクを用いてT
FTアレイ基板上にカラーフィルタを形成する状態を示
す断面図、第8図は第4図の補助カラーフィルタマスク
を用いてTFTアレイ基板上にブラックマトリクス遮光
層を形成する状態を示す断面図、第9図はマトリクス型
表示装置の一般的な画素の構成説明図、第】0図は従来
の表示装置の断面図である。 1・・・ゲート電極線、2・・・ソース電極線、3・・
・ドレイン電極、4・・・TFT、5・・・画素電極、
7・・・液晶、8・・・TFTアレイ基板、9・・・対
向電極基板、10・・・ブラックマトリクス遮光層、1
1〜13・・・カラーフィルタ、15・・・ゲート絶!
!膜、16・・・半導体、20・・・マスク、21・・
・マスク遮光部、22・・・マスクシアン部、23・・
・マスクマゼンタ部、24・・・マスクイエロ一部。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
明図、第2図は第1図の■−■線の断面図、第3図は第
1図の■−■線の断面図、第4図は第1図に示すTFT
アレイ基板上にカラーフィルタを形成する際に用いる補
色カラーフィルタマスクの平面図、第5図は第4図のv
−■線の断面図、第6図は第4図の■−■線の断面図、
第7図は第4図の補色カラーフィルタマスクを用いてT
FTアレイ基板上にカラーフィルタを形成する状態を示
す断面図、第8図は第4図の補助カラーフィルタマスク
を用いてTFTアレイ基板上にブラックマトリクス遮光
層を形成する状態を示す断面図、第9図はマトリクス型
表示装置の一般的な画素の構成説明図、第】0図は従来
の表示装置の断面図である。 1・・・ゲート電極線、2・・・ソース電極線、3・・
・ドレイン電極、4・・・TFT、5・・・画素電極、
7・・・液晶、8・・・TFTアレイ基板、9・・・対
向電極基板、10・・・ブラックマトリクス遮光層、1
1〜13・・・カラーフィルタ、15・・・ゲート絶!
!膜、16・・・半導体、20・・・マスク、21・・
・マスク遮光部、22・・・マスクシアン部、23・・
・マスクマゼンタ部、24・・・マスクイエロ一部。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 複数の走査電極線と交差する複数の信号電極線との各交
点に非線形特性を有する薄膜トランジスタ等の能動素子
および信号蓄積用のコンデンサと透明導電膜等の画素電
極等とにより構成される薄膜トランジスタアレイ基板と
、透明導電膜等の対向電極を形成した対向電極基板と、
上記薄膜トランジスタアレイ基板と上記対向電極基板間
に挟持された液晶等の表示材料と、カラー表示のための
カラーフィルタとを有するマトリクス型の表示装置にお
いて、カラー表示のための上記カラーフィルタおよびブ
ラックマトリクス遮光層を上記薄膜トランジスタアレイ
基板上に接するように、その表面に一体化して形成され
たことを特徴とするマトリクス型表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2034446A JPH03237432A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2034446A JPH03237432A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03237432A true JPH03237432A (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=12414475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2034446A Pending JPH03237432A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03237432A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0708356A2 (en) | 1994-10-19 | 1996-04-24 | Sony Corporation | Color display device |
US6417898B1 (en) | 1997-05-15 | 2002-07-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
US6693697B2 (en) | 2001-01-11 | 2004-02-17 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Active-matrix type liquid crystal display device having thick and thin overcoat layers layered over a black matrix |
US7098970B2 (en) | 2001-02-23 | 2006-08-29 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
US10409128B2 (en) | 2016-11-21 | 2019-09-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and display device |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP2034446A patent/JPH03237432A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0708356A2 (en) | 1994-10-19 | 1996-04-24 | Sony Corporation | Color display device |
US6417898B1 (en) | 1997-05-15 | 2002-07-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
US6693697B2 (en) | 2001-01-11 | 2004-02-17 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Active-matrix type liquid crystal display device having thick and thin overcoat layers layered over a black matrix |
US7098970B2 (en) | 2001-02-23 | 2006-08-29 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
US10409128B2 (en) | 2016-11-21 | 2019-09-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and display device |
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