JP2950737B2 - アクティブマトリクス基板及びその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板及びその製造方法Info
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- JP2950737B2 JP2950737B2 JP25573894A JP25573894A JP2950737B2 JP 2950737 B2 JP2950737 B2 JP 2950737B2 JP 25573894 A JP25573894 A JP 25573894A JP 25573894 A JP25573894 A JP 25573894A JP 2950737 B2 JP2950737 B2 JP 2950737B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置を構成す
るための非線形素子、特に薄膜トランジスタ（以下「Ｔ
ＦＴ」という）を形成したアクティブマトリクス基板及
びその製造方法に関するものである。
るための非線形素子、特に薄膜トランジスタ（以下「Ｔ
ＦＴ」という）を形成したアクティブマトリクス基板及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置においては、高品位な画像
を得るためにＴＦＴやＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）な
どを用いたアクティブマトリクス基板が使用されてい
る。
を得るためにＴＦＴやＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）な
どを用いたアクティブマトリクス基板が使用されてい
る。
【０００３】図５に、従来のＴＦＴを用いたアクティブ
マトリックス基板の平面図を示し、図６に、このアクテ
ィブマトリックス基板を用いて構成した液晶表示素子に
おいて、図５のIII−IIIの位置に対応する断面を示す。
マトリックス基板の平面図を示し、図６に、このアクテ
ィブマトリックス基板を用いて構成した液晶表示素子に
おいて、図５のIII−IIIの位置に対応する断面を示す。
【０００４】図５に示すように、ガラス基板１の上に
は、行配線２と列配線３とが交差するそれぞれの位置に
非線形素子であるＴＦＴ４が形成されており、ＴＦＴ４
のゲート電極は行配線２に、ソース電極４ｂは列配線３
にそれぞれ接続されている。また、ガラス基板１の上に
は、液晶に電圧を印加するためのＩＴＯからなる透明表
示電極５が形成されており、この透明表示電極５はＴＦ
Ｔ４のドレイン電極４ａに接続されている。
は、行配線２と列配線３とが交差するそれぞれの位置に
非線形素子であるＴＦＴ４が形成されており、ＴＦＴ４
のゲート電極は行配線２に、ソース電極４ｂは列配線３
にそれぞれ接続されている。また、ガラス基板１の上に
は、液晶に電圧を印加するためのＩＴＯからなる透明表
示電極５が形成されており、この透明表示電極５はＴＦ
Ｔ４のドレイン電極４ａに接続されている。
【０００５】図６に示すように、液晶表示装置は、通
常、このアクティブマトリクス基板Ｃと、赤、緑、青の
カラーフィルタ６ａ及び透明電極６ｂが形成された対向
基板６との間に液晶７を挟持し、アクティブマトリクス
基板Ｃの裏側にバックライトを配設した構成となってい
る。画像はバックライトの光が液晶７、カラーフィルタ
６ａを透過して表示されるが、アクティブマトリクス基
板Ｃの透明表示電極５と列配線３又は行配線２との間隙
を透過した光は画像のコントラスト比を低下させるた
め、各カラーフィルタ６ａの間隙には、通常、透明表示
電極５、５間の透過光を遮光するためのＣｒからなるブ
ラックストライプ８が形成されている。
常、このアクティブマトリクス基板Ｃと、赤、緑、青の
カラーフィルタ６ａ及び透明電極６ｂが形成された対向
基板６との間に液晶７を挟持し、アクティブマトリクス
基板Ｃの裏側にバックライトを配設した構成となってい
る。画像はバックライトの光が液晶７、カラーフィルタ
６ａを透過して表示されるが、アクティブマトリクス基
板Ｃの透明表示電極５と列配線３又は行配線２との間隙
を透過した光は画像のコントラスト比を低下させるた
め、各カラーフィルタ６ａの間隙には、通常、透明表示
電極５、５間の透過光を遮光するためのＣｒからなるブ
ラックストライプ８が形成されている。
【０００６】しかし、ブラックストライプ８が形成され
た対向基板６をアクティブマトリクス基板Ｃと対向させ
て液晶表示装置を構成する場合、ブラックストライプ８
と透明表示電極５とを精度よく整合させることは容易で
ない。そこで、整合精度が悪い場合でも透明表示電極
５、５間の透過光を遮光することができるようにブラッ
クストライプ８の幅を十分広くする必要がある。例え
ば、整合精度が±５μｍの場合には、ブラックストライ
プ８の幅を、配線の幅に配線の両側の透明表示電極５と
間に存在する間隙の幅を加えたものよりも、マージンと
してさらに１０μｍ広くする必要がある。
た対向基板６をアクティブマトリクス基板Ｃと対向させ
て液晶表示装置を構成する場合、ブラックストライプ８
と透明表示電極５とを精度よく整合させることは容易で
ない。そこで、整合精度が悪い場合でも透明表示電極
５、５間の透過光を遮光することができるようにブラッ
クストライプ８の幅を十分広くする必要がある。例え
ば、整合精度が±５μｍの場合には、ブラックストライ
プ８の幅を、配線の幅に配線の両側の透明表示電極５と
間に存在する間隙の幅を加えたものよりも、マージンと
してさらに１０μｍ広くする必要がある。
【０００７】ところで、ツイストネマティック液晶を用
いて液晶に電圧を印加したときに黒を表示する、いわゆ
るノーマリホワイトモードの表示モードの場合には、透
明表示電極５に電圧が供給されているとき、すなわち黒
を表示している状態のときに、透明表示電極５と行配線
２との間、又は透明表示電極５と列配線３との間に電界
が発生し、その部分だけ液晶の配向方向が他と異なって
しまう。その結果、その境界部分において配向が乱れ
（ディスクリネーション）、境界線のところで黒表示の
中に光が洩れ、コントラスト比を低下させてしまう。こ
のディスクリネーションは、通常、行配線２又は列配線
３に沿って透明表示電極５の端から３μｍ程度内側の透
明表示電極５の上に発生するため、これによる光洩れを
遮光するためにはブラックストライプ８の幅を前記した
幅よりもマージンとしてさらに３μｍ広くする必要があ
る。尚、ディスクリネーションの発生する位置は、液晶
配向処理の方向と関係があり、行配線２、列配線３の各
片側に沿った位置のみに発生する。
いて液晶に電圧を印加したときに黒を表示する、いわゆ
るノーマリホワイトモードの表示モードの場合には、透
明表示電極５に電圧が供給されているとき、すなわち黒
を表示している状態のときに、透明表示電極５と行配線
２との間、又は透明表示電極５と列配線３との間に電界
が発生し、その部分だけ液晶の配向方向が他と異なって
しまう。その結果、その境界部分において配向が乱れ
（ディスクリネーション）、境界線のところで黒表示の
中に光が洩れ、コントラスト比を低下させてしまう。こ
のディスクリネーションは、通常、行配線２又は列配線
３に沿って透明表示電極５の端から３μｍ程度内側の透
明表示電極５の上に発生するため、これによる光洩れを
遮光するためにはブラックストライプ８の幅を前記した
幅よりもマージンとしてさらに３μｍ広くする必要があ
る。尚、ディスクリネーションの発生する位置は、液晶
配向処理の方向と関係があり、行配線２、列配線３の各
片側に沿った位置のみに発生する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように、
アクティブマトリクス基板Ｃと対向基板６との整合精度
が悪い場合の透明表示電極５、５間の透過光を遮光した
り、ディスクリネーションによる光洩れを遮光するため
にブラックストライプ８の幅を広くすると、対向基板６
のうちバックライトの光が透過する部分の面積の比率
（開口率）が小さくなる。その結果、バックライトの光
量を一定にした場合に、表示画像の輝度が低下するとい
った問題点がある。
アクティブマトリクス基板Ｃと対向基板６との整合精度
が悪い場合の透明表示電極５、５間の透過光を遮光した
り、ディスクリネーションによる光洩れを遮光するため
にブラックストライプ８の幅を広くすると、対向基板６
のうちバックライトの光が透過する部分の面積の比率
（開口率）が小さくなる。その結果、バックライトの光
量を一定にした場合に、表示画像の輝度が低下するとい
った問題点がある。
【０００９】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するため、簡便な構成でリバースチルトによる光抜け
を防止して表示不良を抑制し、ブラックストライプの幅
を減少させて開口率を向上させることのできるアクティ
ブマトリクス基板及びその製造方法を提供することを目
的とする。
決するため、簡便な構成でリバースチルトによる光抜け
を防止して表示不良を抑制し、ブラックストライプの幅
を減少させて開口率を向上させることのできるアクティ
ブマトリクス基板及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るアクティブマトリクス基板の構成は、
透明絶縁基板上に、複数本の行配線と、複数本の列配線
と、これらの配線から信号が供給されるように接続され
た非線形素子と、前記非線形素子に接続された透明表示
電極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、前
記透明表示電極の周囲のみに重なるように前記行配線又
は列配線と同一の材料からなる遮光層を設けたことを特
徴とする。
め、本発明に係るアクティブマトリクス基板の構成は、
透明絶縁基板上に、複数本の行配線と、複数本の列配線
と、これらの配線から信号が供給されるように接続され
た非線形素子と、前記非線形素子に接続された透明表示
電極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、前
記透明表示電極の周囲のみに重なるように前記行配線又
は列配線と同一の材料からなる遮光層を設けたことを特
徴とする。
【００１１】また、本発明に係るアクティブマトリクス
基板の製造方法の構成は、透明絶縁基板上に、複数本の
行配線と、複数本の列配線と、これらの配線から信号が
供給されるように接続された非線形素子と、前記非線形
素子に接続された透明表示電極とを備えたアクティブマ
トリクス基板の製造方法であって、前記透明絶縁基板上
に前記行配線又は列配線を形成する工程において前記行
配線又は列配線と同一の材料で前記透明表示電極の周囲
のみに重なるように遮光層を形成することを特徴とす
る。
基板の製造方法の構成は、透明絶縁基板上に、複数本の
行配線と、複数本の列配線と、これらの配線から信号が
供給されるように接続された非線形素子と、前記非線形
素子に接続された透明表示電極とを備えたアクティブマ
トリクス基板の製造方法であって、前記透明絶縁基板上
に前記行配線又は列配線を形成する工程において前記行
配線又は列配線と同一の材料で前記透明表示電極の周囲
のみに重なるように遮光層を形成することを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】前記本発明の構成によれば、フォトリソグラフ
ィーの技術を用いて、透明表示電極の周囲への遮光層を
±２μｍ以内で容易に形成することができるために、ア
クティブマトリクス基板と対向基板の整合精度のマージ
ンを加えたブラックストライプの幅以内でディスクリネ
ーションによる光洩れを遮光することができる。その結
果、ディスクリネーションによる光洩れを遮光するため
にブラックストライプの幅に加えるマージンが不要とな
るので、その分だけ開口率を向上させることができる。
また、遮光層は透明表示電極の周囲のみに設けられてい
るので、遮光層と行配線又は列配線との間に浮遊容量が
生じることはなく、その結果、非線形素子の動作に影響
を及ぼすこともない。
ィーの技術を用いて、透明表示電極の周囲への遮光層を
±２μｍ以内で容易に形成することができるために、ア
クティブマトリクス基板と対向基板の整合精度のマージ
ンを加えたブラックストライプの幅以内でディスクリネ
ーションによる光洩れを遮光することができる。その結
果、ディスクリネーションによる光洩れを遮光するため
にブラックストライプの幅に加えるマージンが不要とな
るので、その分だけ開口率を向上させることができる。
また、遮光層は透明表示電極の周囲のみに設けられてい
るので、遮光層と行配線又は列配線との間に浮遊容量が
生じることはなく、その結果、非線形素子の動作に影響
を及ぼすこともない。
【００１３】また、遮光層が行配線又は列配線と同一の
材料からなることにより、行配線又は列配線を形成する
工程で遮光層を同時に形成することができるので、アク
ティブマトリクス基板の製造工程が増加することはな
い。
材料からなることにより、行配線又は列配線を形成する
工程で遮光層を同時に形成することができるので、アク
ティブマトリクス基板の製造工程が増加することはな
い。
【００１４】また、前記本発明方法の構成によれば、透
明絶縁基板上に行配線又は列配線を形成する工程におい
て前記行配線又は列配線と同一の材料で透明表示電極の
周囲のみに重なるように遮光層を形成するものであるた
め、アクティブマトリクス基板の製造工程が増加するこ
とはない。
明絶縁基板上に行配線又は列配線を形成する工程におい
て前記行配線又は列配線と同一の材料で透明表示電極の
周囲のみに重なるように遮光層を形成するものであるた
め、アクティブマトリクス基板の製造工程が増加するこ
とはない。
【００１５】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。 ＜第１の実施例＞図１は本発明に係るアクティブマトリ
クス基板の一実施例を示す平面図である。図１に示すよ
うに、ガラス基板１の上には、行配線２と列配線３とが
交差するそれぞれの位置に非線形素子であるＴＦＴ４が
形成されており、ＴＦＴ４のゲート電極は行配線２に、
ソース電極は列配線にそれぞれ接続されている。また、
ガラス基板１の上には、液晶に電圧を印加するための透
明表示電極５が形成されており、この透明表示電極５は
ＴＦＴ４のドレイン電極４ａに接続されている。そし
て、ドレイン電極４ａを透明表示電極５の周囲に延長す
ることにより遮光層９が形成されている。この遮光層９
は、透明表示電極５に対して±２μｍの合わせ精度で形
成されること、及びディスクリネーションの境界線が透
明表示電極５の端部から３μｍ内側のところに発生する
ことを考慮して、その幅が５μｍに設定されている。
に説明する。 ＜第１の実施例＞図１は本発明に係るアクティブマトリ
クス基板の一実施例を示す平面図である。図１に示すよ
うに、ガラス基板１の上には、行配線２と列配線３とが
交差するそれぞれの位置に非線形素子であるＴＦＴ４が
形成されており、ＴＦＴ４のゲート電極は行配線２に、
ソース電極は列配線にそれぞれ接続されている。また、
ガラス基板１の上には、液晶に電圧を印加するための透
明表示電極５が形成されており、この透明表示電極５は
ＴＦＴ４のドレイン電極４ａに接続されている。そし
て、ドレイン電極４ａを透明表示電極５の周囲に延長す
ることにより遮光層９が形成されている。この遮光層９
は、透明表示電極５に対して±２μｍの合わせ精度で形
成されること、及びディスクリネーションの境界線が透
明表示電極５の端部から３μｍ内側のところに発生する
ことを考慮して、その幅が５μｍに設定されている。
【００１６】以下、このアクティブマトリクス基板の製
造方法について説明する。まず、ガラスなどの透明絶縁
基板１の上に、行配線２及びゲート電極となるＣｒ、Ｔ
ａ、Ａｌなどの金属を成膜し、フォトリソグラフィー技
術により所望のパターンに形成する。次いで、ＴＦＴ４
の主材料である窒化シリコン（ＳｉＮx ）等のゲート絶
縁体層、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層、
及びソース、ドレイン電極−半導体層間でオーミック接
触を得るためのｎ+ −ａ−Ｓｉからなるオーミックコン
タクト層をプラズマＣＶＤ法により連続成膜し、ＴＦＴ
４を形成する箇所以外のａ−Ｓｉ半導体層及びオーミッ
クコンタクト層をフォトリソグラフィー技術によりエッ
チング除去する。次いで、酸化インジウムズズ（ＩＴ
Ｏ）を成膜し、フォトリソグラフィー技術により透明表
示電極５を形成する。次いで、チタン（Ｔｉ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）などの金属を順に成膜し、フォトリソグ
ラフィー技術により列配線３、ソース電極、ドレイン電
極４ａ及び遮光層９を形成する。このように、遮光層９
を列配線３と同一の工程で形成するようにしたので、従
来と同じ工程数でアクティブマトリクス基板を製造する
ことができる。そして最後に、ＴＦＴ４のチャンネル部
上のｎ+ −ａ−Ｓｉ層を除去すれば、上記の構成を有す
るアクティブマトリクス基板Ａが完成する。
造方法について説明する。まず、ガラスなどの透明絶縁
基板１の上に、行配線２及びゲート電極となるＣｒ、Ｔ
ａ、Ａｌなどの金属を成膜し、フォトリソグラフィー技
術により所望のパターンに形成する。次いで、ＴＦＴ４
の主材料である窒化シリコン（ＳｉＮx ）等のゲート絶
縁体層、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層、
及びソース、ドレイン電極−半導体層間でオーミック接
触を得るためのｎ+ −ａ−Ｓｉからなるオーミックコン
タクト層をプラズマＣＶＤ法により連続成膜し、ＴＦＴ
４を形成する箇所以外のａ−Ｓｉ半導体層及びオーミッ
クコンタクト層をフォトリソグラフィー技術によりエッ
チング除去する。次いで、酸化インジウムズズ（ＩＴ
Ｏ）を成膜し、フォトリソグラフィー技術により透明表
示電極５を形成する。次いで、チタン（Ｔｉ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）などの金属を順に成膜し、フォトリソグ
ラフィー技術により列配線３、ソース電極、ドレイン電
極４ａ及び遮光層９を形成する。このように、遮光層９
を列配線３と同一の工程で形成するようにしたので、従
来と同じ工程数でアクティブマトリクス基板を製造する
ことができる。そして最後に、ＴＦＴ４のチャンネル部
上のｎ+ −ａ−Ｓｉ層を除去すれば、上記の構成を有す
るアクティブマトリクス基板Ａが完成する。
【００１７】上記のアクティブマトリクス基板Ａを用い
て構成した液晶表示装置において、図１のＩ−Ｉの位置
に対応する断面を図２に示す。図２に示すように、アク
ティブマトリクス基板Ａと、赤、緑、青のカラーフィル
タ６ａ及び透明電極６ｂが形成された対向基板６との間
には液晶７が挟持されている。また、対向基板６には、
各カラーフィルタ６ａの間隙に透明表示電極５、５間の
透過光を遮光するためのＣｒからなるブラックストライ
プ８が形成されている。また、アクティブマトリクス基
板Ａの裏側にバックライト（図示せず）が配設されてい
る。
て構成した液晶表示装置において、図１のＩ−Ｉの位置
に対応する断面を図２に示す。図２に示すように、アク
ティブマトリクス基板Ａと、赤、緑、青のカラーフィル
タ６ａ及び透明電極６ｂが形成された対向基板６との間
には液晶７が挟持されている。また、対向基板６には、
各カラーフィルタ６ａの間隙に透明表示電極５、５間の
透過光を遮光するためのＣｒからなるブラックストライ
プ８が形成されている。また、アクティブマトリクス基
板Ａの裏側にバックライト（図示せず）が配設されてい
る。
【００１８】この液晶表示装置を製造する際のアクティ
ブマトリクス基板Ａと対向基板６の整合精度は±５μｍ
であった。尚、図２は整合精度の中心で製造された場合
の状態を示している。図２に示すように、対向基板６の
ブラックストライプ８の左右の端部は、それぞれ透明表
示電極５の端部から内側に５μｍだけ入り込んだ位置に
存している。従って、例えば、対向基板６がアクティブ
マトリクス基板Ａに対して左側に５μｍずれた場合で
も、透明表示電極５と列配線３との間隙の透過光は対向
基板６のブラックストライプ８によって遮光され、ま
た、ディスクリネーションによる光洩れはアクティブマ
トリクス基板Ａの透明表示電極５の上に形成された遮光
層９によって遮光される。このため、コントラスト比の
低下等の表示画像の劣化は発生しない。しかも、ブラッ
クストライプ８の全体の幅は、図６に示す従来の液晶表
示装置のブラックストライプの幅よりも３μｍ小さい。
従って、その分だけ開口率が増加し、結果的に表示画像
の輝度を向上させることができる。また、遮光層９は透
明表示電極５の周囲のみに設けられているので、遮光層
９と行配線２又は列配線３との間に浮遊容量が生じるこ
とはなく、その結果、非線形素子であるＴＦＴ４の動作
に影響を及ぼすことはない。
ブマトリクス基板Ａと対向基板６の整合精度は±５μｍ
であった。尚、図２は整合精度の中心で製造された場合
の状態を示している。図２に示すように、対向基板６の
ブラックストライプ８の左右の端部は、それぞれ透明表
示電極５の端部から内側に５μｍだけ入り込んだ位置に
存している。従って、例えば、対向基板６がアクティブ
マトリクス基板Ａに対して左側に５μｍずれた場合で
も、透明表示電極５と列配線３との間隙の透過光は対向
基板６のブラックストライプ８によって遮光され、ま
た、ディスクリネーションによる光洩れはアクティブマ
トリクス基板Ａの透明表示電極５の上に形成された遮光
層９によって遮光される。このため、コントラスト比の
低下等の表示画像の劣化は発生しない。しかも、ブラッ
クストライプ８の全体の幅は、図６に示す従来の液晶表
示装置のブラックストライプの幅よりも３μｍ小さい。
従って、その分だけ開口率が増加し、結果的に表示画像
の輝度を向上させることができる。また、遮光層９は透
明表示電極５の周囲のみに設けられているので、遮光層
９と行配線２又は列配線３との間に浮遊容量が生じるこ
とはなく、その結果、非線形素子であるＴＦＴ４の動作
に影響を及ぼすことはない。
【００１９】尚、本実施例においては、遮光層９を列配
線３と同一の材料で形成しているが、必ずしも同一の材
料で形成する必要はない。 ＜第２の実施例＞図３は本発明に係るアクティブマトリ
クス基板の他の実施例を示す平面図である。図３に示す
ように、ガラス基板１の上には、行配線２と列配線３と
が交差するそれぞれの位置に非線形素子であるＴＦＴ４
が形成されており、ＴＦＴ４のゲート電極は行配線２
に、ソース電極は列配線３にそれぞれ接続されている。
また、ガラス基板１の上には、液晶に電圧を印加するた
めの透明表示電極５が形成されており、この透明表示電
極５はＴＦＴ４のドレイン電極４ａに接続されている。
そして、行配線２と同一材料の金属を透明表示電極５の
周囲に形成することにより遮光層９が形成されている。
この遮光層９は、透明表示電極５に対して±２μｍの合
わせ精度で形成されること、及びディスクリネーション
の境界線が透明表示電極５の端部から３μｍ内側の箇所
に発生することを考慮して、その幅が５μｍに設定され
ている。
線３と同一の材料で形成しているが、必ずしも同一の材
料で形成する必要はない。 ＜第２の実施例＞図３は本発明に係るアクティブマトリ
クス基板の他の実施例を示す平面図である。図３に示す
ように、ガラス基板１の上には、行配線２と列配線３と
が交差するそれぞれの位置に非線形素子であるＴＦＴ４
が形成されており、ＴＦＴ４のゲート電極は行配線２
に、ソース電極は列配線３にそれぞれ接続されている。
また、ガラス基板１の上には、液晶に電圧を印加するた
めの透明表示電極５が形成されており、この透明表示電
極５はＴＦＴ４のドレイン電極４ａに接続されている。
そして、行配線２と同一材料の金属を透明表示電極５の
周囲に形成することにより遮光層９が形成されている。
この遮光層９は、透明表示電極５に対して±２μｍの合
わせ精度で形成されること、及びディスクリネーション
の境界線が透明表示電極５の端部から３μｍ内側の箇所
に発生することを考慮して、その幅が５μｍに設定され
ている。
【００２０】以下、このアクティブマトリクス基板の製
造方法について説明する。まず、ガラスなどの透明絶縁
基板１の上に行配線２及びゲート電極となるＣｒ、Ｔ
ａ、Ａｌなどの金属を成膜し、フォトリソグラフィー技
術により行配線２、ゲート電極及び遮光層９を同時に形
成する。このように、遮光層９を行配線２と同一の工程
で形成するようにしたので、従来と同じ工程数でアクテ
ィブマトリクス基板を製造することができる。次いで、
ＴＦＴ４の主材料である窒化シリコン（ＳｉＮx）等の
ゲート絶縁体層、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半
導体層、及びソース、ドレイン電極−半導体層間でオー
ミック接触を得るためのｎ+ −ａ−Ｓｉからなるオーミ
ックコンタクト層をプラズマＣＶＤ法により連続成膜
し、ＴＦＴ４を形成する箇所以外のａ−Ｓｉ半導体層及
びオーミックコンタクト層をフォトリソグラフィー技術
によりエッチング除去する。次いで、酸化インジウムズ
ズ（ＩＴＯ）を成膜し、フォトリソグラフィー技術によ
り透明表示電極５を形成する。次いで、ソース電極、ド
レイン電極となるチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａ
ｌ）の２層構造の金属やＴａなどの金属を成膜し、フォ
トリソグラフィー技術により所望のパターンを形成す
る。そして最後に、ＴＦＴ４のチャンネル部上のｎ + −
ａ−Ｓｉ層を除去すれば、上記構成を有するアクティブ
マトリクス基板が完成する。
造方法について説明する。まず、ガラスなどの透明絶縁
基板１の上に行配線２及びゲート電極となるＣｒ、Ｔ
ａ、Ａｌなどの金属を成膜し、フォトリソグラフィー技
術により行配線２、ゲート電極及び遮光層９を同時に形
成する。このように、遮光層９を行配線２と同一の工程
で形成するようにしたので、従来と同じ工程数でアクテ
ィブマトリクス基板を製造することができる。次いで、
ＴＦＴ４の主材料である窒化シリコン（ＳｉＮx）等の
ゲート絶縁体層、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半
導体層、及びソース、ドレイン電極−半導体層間でオー
ミック接触を得るためのｎ+ −ａ−Ｓｉからなるオーミ
ックコンタクト層をプラズマＣＶＤ法により連続成膜
し、ＴＦＴ４を形成する箇所以外のａ−Ｓｉ半導体層及
びオーミックコンタクト層をフォトリソグラフィー技術
によりエッチング除去する。次いで、酸化インジウムズ
ズ（ＩＴＯ）を成膜し、フォトリソグラフィー技術によ
り透明表示電極５を形成する。次いで、ソース電極、ド
レイン電極となるチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａ
ｌ）の２層構造の金属やＴａなどの金属を成膜し、フォ
トリソグラフィー技術により所望のパターンを形成す
る。そして最後に、ＴＦＴ４のチャンネル部上のｎ + −
ａ−Ｓｉ層を除去すれば、上記構成を有するアクティブ
マトリクス基板が完成する。
【００２１】上記のアクティブマトリクス基板を用いて
構成した液晶表示装置において、図３のII−IIの位置に
対応する断面を図４に示す。図４に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板Ｂと、赤、緑、青のカラーフィルタ
６ａ及び透明電極６ｂが形成された対向基板６との間に
は液晶７が挟持されている。また、対向基板６には、各
カラーフィルタ６ａの間隙に透明表示電極５、５間の透
過光を遮光するためのＣｒからなるブラックストライプ
８が形成されている。また、アクティブマトリクス基板
Ｂの裏側にバックライト（図示せず）が配設されてい
る。
構成した液晶表示装置において、図３のII−IIの位置に
対応する断面を図４に示す。図４に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板Ｂと、赤、緑、青のカラーフィルタ
６ａ及び透明電極６ｂが形成された対向基板６との間に
は液晶７が挟持されている。また、対向基板６には、各
カラーフィルタ６ａの間隙に透明表示電極５、５間の透
過光を遮光するためのＣｒからなるブラックストライプ
８が形成されている。また、アクティブマトリクス基板
Ｂの裏側にバックライト（図示せず）が配設されてい
る。
【００２２】この液晶表示装置を製造する際のアクティ
ブマトリクス基板Ｂと対向基板６の整合精度は±５μｍ
であった。尚、図４は整合精度の中心で製造された場合
の状態を示している。図４に示すように、対向基板６の
ブラックストライプ８の左右の端部は、それぞれ透明表
示電極５の端部から内側に５μｍだけ入り込んだ位置に
存している。従って、この場合にも、上記第１の実施例
の場合と同様の効果を得ることができた。
ブマトリクス基板Ｂと対向基板６の整合精度は±５μｍ
であった。尚、図４は整合精度の中心で製造された場合
の状態を示している。図４に示すように、対向基板６の
ブラックストライプ８の左右の端部は、それぞれ透明表
示電極５の端部から内側に５μｍだけ入り込んだ位置に
存している。従って、この場合にも、上記第１の実施例
の場合と同様の効果を得ることができた。
【００２３】尚、本実施例においては、遮光層９を行配
線２と同一の材料で形成しているが、必ずしも同一の材
料で形成する必要はない。また、上記第１及び第２の実
施例においては、非線形素子としてＴＦＴを用いた場合
を例に挙げて説明しているが、必ずしもこの構成に限定
されるものではない。本発明は、例えば、ＭＩＭやダイ
オードを用いたアクティブマトリクス基板に適用するこ
ともできる。
線２と同一の材料で形成しているが、必ずしも同一の材
料で形成する必要はない。また、上記第１及び第２の実
施例においては、非線形素子としてＴＦＴを用いた場合
を例に挙げて説明しているが、必ずしもこの構成に限定
されるものではない。本発明は、例えば、ＭＩＭやダイ
オードを用いたアクティブマトリクス基板に適用するこ
ともできる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るアク
ティブマトリクス基板によれば、フォトリソグラフィー
の技術を用いて、透明表示電極の周囲への遮光層を±２
μｍ以内で容易に形成することができるために、アクテ
ィブマトリクス基板と対向基板の整合精度のマージンを
加えたブラックストライプの幅以内でディスクリネーシ
ョンによる光洩れを遮光することができる。その結果、
ディスクリネーションによる光洩れを遮光するためにブ
ラックストライプの幅に加えるマージンが不要となるの
で、その分だけ開口率を向上させることができる。ま
た、遮光層は透明表示電極の周囲のみに設けられている
ので、遮光層と行配線又は列配線との間に浮遊容量が生
じることはなく、その結果、非線形素子の動作に影響を
及ぼすこともない。
ティブマトリクス基板によれば、フォトリソグラフィー
の技術を用いて、透明表示電極の周囲への遮光層を±２
μｍ以内で容易に形成することができるために、アクテ
ィブマトリクス基板と対向基板の整合精度のマージンを
加えたブラックストライプの幅以内でディスクリネーシ
ョンによる光洩れを遮光することができる。その結果、
ディスクリネーションによる光洩れを遮光するためにブ
ラックストライプの幅に加えるマージンが不要となるの
で、その分だけ開口率を向上させることができる。ま
た、遮光層は透明表示電極の周囲のみに設けられている
ので、遮光層と行配線又は列配線との間に浮遊容量が生
じることはなく、その結果、非線形素子の動作に影響を
及ぼすこともない。
【００２５】また、遮光層が行配線又は列配線と同一の
材料からなることにより、行配線又は列配線を形成する
工程で同時に遮光層を形成することができるので、アク
ティブマトリクス基板の製造工程が増加することはな
い。
材料からなることにより、行配線又は列配線を形成する
工程で同時に遮光層を形成することができるので、アク
ティブマトリクス基板の製造工程が増加することはな
い。
【００２６】また、本発明に係るアクティブマトリクス
基板の製造方法によれば、透明絶縁基板上に行配線又は
列配線を形成する工程において前記行配線又は列配線と
同一の材料で透明表示電極の周囲のみに重なるように遮
光層を形成するものであるため、アクティブマトリクス
基板の製造工程が増加することはない。
基板の製造方法によれば、透明絶縁基板上に行配線又は
列配線を形成する工程において前記行配線又は列配線と
同一の材料で透明表示電極の周囲のみに重なるように遮
光層を形成するものであるため、アクティブマトリクス
基板の製造工程が増加することはない。
【図１】本発明に係るアクティブマトリクス基板の一実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【図２】本発明に係るアクティブマトリクス基板の一実
施例を用いて構成した液晶表示装置の断面図である。
施例を用いて構成した液晶表示装置の断面図である。
【図３】本発明に係るアクティブマトリクス基板の他の
実施例を示す平面図である。
実施例を示す平面図である。
【図４】本発明に係るアクティブマトリクス基板の他の
実施例を用いて構成した液晶表示装置の断面図である。
実施例を用いて構成した液晶表示装置の断面図である。
【図５】従来技術におけるアクティブマトリクス基板の
平面図である。
平面図である。
【図６】従来技術におけるアクティブマトリクス基板を
用いて構成した液晶表示装置の断面図である。
用いて構成した液晶表示装置の断面図である。
Ａ、Ｂ アクティブマトリクス基板 １ ガラス基板 ２ 行配線 ３ 列配線 ４ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ５ 透明表示電極 ６ 対向基板 ６ａ カラーフィルタ ６ｂ 透明電極 ７ 液晶 ８ ブラックストライプ ９ 遮光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−216054（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−227126（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−280724（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−236529（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−152023（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−106923（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 500 G02F 1/1335 500 G02F 1/1345
Claims (2)
- 【請求項１】 透明絶縁基板上に、複数本の行配線と、
複数本の列配線と、これらの配線から信号が供給される
ように接続された非線形素子と、前記非線形素子に接続
された透明表示電極とを備えたアクティブマトリクス基
板であって、前記透明表示電極の周囲のみに重なるよう
に前記行配線又は列配線と同一の材料からなる遮光層を
設けたことを特徴とするアクティブマトリクス基板 - 【請求項２】 透明絶縁基板上に、複数本の行配線と、
複数本の列配線と、これらの配線から信号が供給される
ように接続された非線形素子と、前記非線形素子に接続
された透明表示電極とを備えたアクティブマトリクス基
板の製造方法であって、前記透明絶縁基板上に前記行配
線又は列配線を形成する工程において前記行配線又は列
配線と同一の材料で前記透明表示電極の周囲のみに重な
るように遮光層を形成することを特徴とするアクティブ
マトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25573894A JP2950737B2 (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25573894A JP2950737B2 (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08122815A JPH08122815A (ja) | 1996-05-17 |
| JP2950737B2 true JP2950737B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=17282950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25573894A Expired - Lifetime JP2950737B2 (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2950737B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737702B1 (ko) * | 2002-10-16 | 2007-07-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR100662780B1 (ko) * | 2002-12-18 | 2007-01-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 테스트화소를 구비한 액정표시장치 및 이를 이용한 블랙 매트릭스를 제작하는 방법 |
| US7372528B2 (en) * | 2003-06-09 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display apparatus having the same |
| JP4634721B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2011-02-16 | オプトレックス株式会社 | 液晶表示パネル |
| JP5075427B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2012-11-21 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 液晶表示装置 |
-
1994
- 1994-10-20 JP JP25573894A patent/JP2950737B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08122815A (ja) | 1996-05-17 |
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