JPH1039336A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置

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JPH1039336A
JPH1039336A JP19758296A JP19758296A JPH1039336A JP H1039336 A JPH1039336 A JP H1039336A JP 19758296 A JP19758296 A JP 19758296A JP 19758296 A JP19758296 A JP 19758296A JP H1039336 A JPH1039336 A JP H1039336A
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liquid crystal
crystal display
display device
signal line
electrode
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JP19758296A
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Tomoko Kitazawa
倫子 北沢
Yasuyuki Hanazawa
康行 花澤
Yoshiharu Izuki
義治 伊月
Kohei Nagayama
耕平 永山
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 開口率が高く、且つ表示品位に優れたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供すること。 【解決手段】 本発明のアクティブマトリクス型液晶表
示装置のアレイ基板は、以下の様に構成される。透明絶
縁基板３０上に信号線３３が配列され、走査線３８は信
号線３３と直交する様に配列される。信号線３３と走査
線３８により区画される領域の上方には層間絶縁膜を介
して画素電極４４がマトリクス状に配置される。信号線
３３と走査線３８の各交点付近には薄膜トランジスタ２
１が形成され、そのドレイン電極４０には信号線３３
が、ソース電極３１にはコンタクトホール４３を介して
画素電極４４が、ゲート電極３７には走査線３８が、そ
れぞれ接続される。信号線３３に沿って信号線の上方に
は、絶縁膜を介してシールド電極３９が配置され、シー
ルド電極３９は隣接する走査線３８ｂに接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マトリクス状に
配列された各画素電極毎にスイッチング素子として薄膜
トランジスタ（Thin Film Transister、以下、ＴＦＴと
呼ぶ）を備えたアクティブマトリクス型液晶示装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、高密度、大容量等の特
性に優れ、ＯＡ機器などのディスプレイとして広く使用
されているが、更に、高機能化、高精細化などを目指し
て開発が進められている。液晶表示装置のうち、各画素
毎にスイッチング素子としてＴＦＴを備えたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置は、隣接する画素間でのクロ
ストークが無く、高コントラスト表示を得られ、透過型
表示が可能であり、且つ大容量化も容易である等の優れ
た性能を備えているので、従来から広く使用されてい
る。
【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置の基
本構成は、アレイ基板、対向基板、及び両基板の間に封
入された液晶物質層から成る。アレイ基板は、ガラスな
どの透明絶縁基板の上に、信号線とこれに直交する走査
線が格子状に配列され、走査線と信号線との交差部の付
近にＴＦＴが形成され、信号線と走査線によって区画さ
れる領域の上方に絶縁膜を介して画素電極が配置された
もので、通常、ＴＦＴのソース電極には画素電極が、ド
レイン電極には信号線が、ゲート電極には走査線がそれ
ぞれ接続される。対向基板は、ガラスなどの透明な絶縁
性の基板の上の全面に、着色層などを介して形成された
対向電極を備えている。また、アクティブマトリクス型
液晶表示装置では、透過型の表示が一般的であり、この
場合、アレイ基板の背面に光源が配置される。
【０００４】アクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、画像の表示は、概略、以下の様に行われる。信号
線に映像信号を印加するとともに、走査線に表示画面の
上方から順に行毎に選択パルスを印加する、これによっ
て信号線に印加された映像信号が選択された画素電極に
書き込まれる。液晶の光透過率は画素電極と対向電極と
間の電位差に応じて変化するので、画素電極に書き込ま
れる映像信号（電圧）を画素電極毎に制御することによ
って、アレイ基板の背面からの透過光量が変化して画像
が表示される。
【０００５】以上の様な透過型のアクティブマトリクス
型液晶表示装置においては、アレイ基板の背面に配置さ
れた光源からの光を有効に利用するため、一画素当たり
の面積に対する、光が透過可能な領域の割合（以下、開
口率と呼ぶ）をできるだけ大きくすることが要求され
る。
【０００６】そこで、例えば、特開平６−１３０４１６
号公報に記載されている様に、ＴＦＴ、走査線及び信号
線などの上を覆う様に層間絶縁膜を堆積し、この層間絶
縁膜上に画素電極を、その周縁部が走査線及び信号線の
一部に重なる様に配置する構造が広く採用されている。
この様な構造を採用した場合、画素電極を比較的大きな
面積で形成することができるとともに、走査線と信号線
で囲まれた領域によって開口部が構成されるので、画素
電極と走査線の間、及び画素電極と信号線の間の領域の
上方に当たる対向基板上に、それまで設けられていたブ
ラックマトリックスが不要となり、開口率を向上させる
ことができる。
【０００７】図９に、上記の構造を備えた従来のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の一例を示す。この図は
信号線を横断する方向の断面図である。アレイ基板７
は、ガラス基板２の上に信号線３、走査線（図示せず）
及びＴＦＴ（図示せず）が形成され、それらの上に層間
絶縁膜５を介して画素電極６が形成されている。対向基
板８は、ガラス基板９の上に赤、緑、青の３色の領域か
らなる着色層１０が形成され、その上に、対向電極１１
が全面に渡って形成されている。液晶表示装置は、アレ
イ基板７と対向基板８の互いに対向する面に、それぞ
れ、配向膜１２、１３を塗布してラビング処理の後、組
立ててセル化し、その間隙部にネマティック型液晶１４
を封入することによって作成される。
【０００８】この様な液晶表示装置では、画素電極の電
位が、画素電極と信号線との間の層間絶縁膜の誘電率に
応じた静電誘導によって変動するという問題がある。信
号線の幅を一定とした場合、信号線の単位長さ当たりの
信号線と画素電極との間のカップリング容量は、信号線
と画素電極が互いに重なり合う幅Ｄspに対して、図１０
中、曲線ａで示される様な関係を示す。即ち、信号線の
一部に画素電極の周縁部が重なった場合、重なり合う部
分の幅Ｄspに比例してカップリング容量が急激に増大す
る。
【０００９】図１１に一画素相当の等価回路図を示す。
図中、Ｄj-1 、Ｄj は信号線、Ｓi は走査線、ＳＣi は
補助容量線、ＴＦＴは薄膜トランジスタ、Ｐは画素電
極、Ｖcom は対向電極の電位を表す。画素電極と対向電
極との間には液晶容量Ｃlcが、画素電極と信号線Ｄi と
の間にはカップリング容量Ｃ1 が、画素電極と隣接する
信号線Ｄj-1 との間にはカップリング容量Ｃ2 が、画素
電極と走査線Ｓi との間にはＴＦＴの寄生容量Ｃgsが、
画素電極と補助容量線ＳＣi との間には補助容量Ｃs
が、それぞれ形成される。
【００１０】例えば、信号線の電圧がΔＶsig 変化した
場合の、画素電位の変化量ΔＶp-cup は次式で表され
る。 ΔＶp-cup ＝Ｃ1 ×ΔVsig／（Ｃgs＋Ｃs ＋Ｃlc＋Ｃ1 ＋Ｃ2 ） この様な問題を軽減するため、先ず、層間絶縁膜の厚さ
を増加させることが考えられるが、実用的な膜厚の範囲
（数μｍまで）では、カッブリング容量Ｃ1 、Ｃ2 に起
因する画素電位の変動を避けることはできず、クロスト
ークが発生するなど、表示への悪影響の要因となる。ま
た、補助容量Ｃs を増加させることは、開口率の低下を
招き、走査線及び信号線の上方に層間絶縁膜を介して画
素電極を配置する構造を採用した目的が損なわれること
になる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の様な背
景に鑑みて成されたもので、本発明の目的は、開口率、
従って光透過率が大きく、バックライトの省電力化に効
果があるとともに、表示品位の高いアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、透明絶縁基板上にマトリクス
状に画素電極が配列されたアレイ基板と、アレイ基板に
対向して配置され、対向電極が形成された対向基板と、
アレイ基板と対向基板との間に封入された液晶物質層
と、を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置であ
って、前記アレイ基板は、前記透明絶縁基板上に配列さ
れ、映像信号が供給される信号線と、信号線の上方に信
号線と直交して配列され、走査信号が供給される走査線
と、信号線の上方に信号線と平行に配置され、固定電位
が供給されるシールド電極と、信号線と走査線の各交点
付近に形成され、ドレイン電極に信号線が接続され、ゲ
ート電極に走査線が接続された、薄膜トランジスタと、
信号線、走査線、シールド電極、及び薄膜トランジスタ
の上を被覆する透明な層間絶縁膜と、この層間絶縁膜の
上、信号線と走査線によって区画される領域の上方にマ
トリクス状に配置され、層間絶縁膜に形成されたコンタ
クトホールを介して前記薄膜トランジスタのソース電極
に接続される画素電極と、を備えた事を特徴とする。
【００１３】なお、前記シールド電極に対して、そのシ
ールド電極の上方に位置する画素電極に隣接する行の画
素電極を制御する走査線を接続することにより、この走
査線を介して前記シールド電極に固定電位を供給するこ
とができる。
【００１４】また、これに代って、補助容量線を走査線
と平行に且つ独立に配列し、この補助容量線に前記シー
ルド電極を接続して、この補助容量線を介して前記シー
ルド電極に固定電位を供給することもできる。
【００１５】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置では、信号線の上方に信号線と平行にシールド電極
を配置して、信号線と画素電極との間に固定電位のシー
ルド電極を介在させているので、画素電極を、その周縁
部が信号線の一部と重なり合う様に配置しても、カップ
リング容量の増加を小さく抑えることができる。
【００１６】シールド電極の幅は、信号線の幅よりも狭
くても、後述する様に、ある程度のシールド効果を示
す。また、シールド電極の幅を、信号線の幅よりも広く
して、シールド電極が信号線の上方を覆って信号線の両
縁から幅方向に張出す様に形成すると、カップリング容
量は、後述する様に、信号線と画素電極の重なり合う幅
に依存せず、透明絶縁基板からの電界の回り込みによっ
て形成される容量のみとなり、非常に小さい値にまで抑
えられ、顕著なシールド効果が得られる。
【００１７】更に、画素電極を、その周縁部がシールド
電極の一部と重なり合う様に形成することによって、画
素電極とシールド電極の間で層間絶縁膜を介して補助容
量が形成すれば、画素電極の補助容量を増加させること
ができる。この結果、カップリング容量の減少と補助容
量の増加とによって、表示特性を向上させるとともに、
補助容量面積を減少させ、開口率を増加させることがで
きる。
【００１８】なお、上記のシールド電極は、前記走査線
と同一材料及び同一工程で形成することができるので、
製造工程の増加を招かずに、本発明に基くアクティブマ
トリクス型液晶表示装置を製造することが可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を用いて説明する。 （例１）図１に、本発明のアクティブマ卜リクス型液晶
表示装置の一例を示す。図１は一画素相当部分の平面図
であり、図中、２１はＴＦＴ、４４は画素電極、３３は
信号線、３８は走査線、３９はシールド電極を表す。
【００２０】先ず、アレイ基板側は以下の様に構成され
ている。即ち、ガラス基板の上に、信号線３３とこれに
直交する走査線３８とが格子状に配列される。信号線３
３と走査線３８との交差部の付近には、ＴＦＴ２１が形
成される。信号線３３と走査線３８によって区画される
領域の上方には、層間絶縁膜を介して画素電極４４が配
置される。ＴＦＴ２１のソース電極３１は、層間絶縁膜
に設けられたコンタクトホール４３を介して画素電極４
４に接続され、ドレイン電極３２はこれに映像信号を供
給する信号線３３と一体的に形成され、ゲート電極３７
はこれに走査信号を供給する走査線３８と一体的に形成
される。なお、信号線３３の上方には、信号線３３と平
行にシールド電極３９が配置され、このシールド電極３
９は一つ手前の行に相当する走査線３８ｂから配線を分
岐させることによって形成されている。
【００２１】一方、全面に対向電極が形成された対向基
板は、液晶層を介してアレイ基板に対向して配置されて
いる。図２に、図１のアクティブマ卜リクス型液晶表示
装置の部分断面図を示す、（ａ）は図１中のＡ−Ａ部に
沿ったＴＦＴ２１を横切る断面図であり、（ｂ）は図１
中のＢ−Ｂ部に沿ったシールド電極を横切る断面図であ
る。これらの断面図を用いて、上記のアクティブマ卜リ
クス型液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。
【００２２】先ず、アレイ基板２２側は以下の様に作成
される。ガラス基板３０の上に、Ｍｏ−Ｗ（モリブデン
・タングステン）合金を堆積し、フォトリソグラフィに
よるエッチングにより、ソース電極３１、ドレイン電極
３２及び信号線３３を形成する。
【００２３】次に、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと
呼ぶ）から成る半導体層３４、３４ｂを堆積し、フォト
リソグラフィによるエッチングによって、ＴＦＴ２１を
形成する部分のパターンを形成する。なお、この例で
は、半導体層３４のパターン形成の際、信号線３３の上
の半導体層３４ｂも残す様にパターンを形成している。
この半導体層３４ｂは、信号線３３とシールド電極３９
との間の絶縁層の一部を構成する。
【００２４】次に、ＴＦＴ２１が形成される部分及び信
号線３３の上に、窒化シリコン膜から成るゲート絶縁膜
３６、３６ｂを堆積する。更に、Ａｌ−Ｍｏ（アルミニ
ウム・モリブデン）合金を堆積し、フォトリソグラフィ
によるエッチングによって、ゲート電極３７及び走査線
３８（図１）を形成する。同時に、この工程でシールド
電極３９も形成する。
【００２５】引き続き、同一パターンを用いてゲー卜絶
縁膜３６をエッチングし、半導体層３４が露出された部
分にゲート電極３７をマスクとしてＰをドーピングした
後、エキシマレーザアニールを行い、ｎ＋ａ−Ｓｉ層か
ら成るソース・ドレイン領域４０を形成する。なお、こ
の時、シールド電極３９の縁から露出した半導体層３４
ｂの一部も同様に低抵抗化されるが、特に影響はない。
【００２６】次に、全体を、窒化シリコン膜から成るＴ
ＦＴの保護膜４１、及び膜厚０．５μｍから３μｍ程度
の透明な層間絶縁膜４２で覆い、コンタクトホール４３
をエッチングにより形成する。なお、保護膜４１及び層
間絶縁膜４２の比誘電率は、一例として、保護膜４１
（窒化シリコン膜）が６．２、層間絶縁膜４２（有機系
絶縁膜）が３．２である。
【００２７】次に、画素電極４４として、透明導電膜で
あるＩＴＯ(Indium Tin Oxide)をスパッタ法により堆積
して、コンタクトホール４３を介してソース電極３１と
接続し、更に、パターニングによって所定のパターンに
加工する。
【００２８】ここで、画素電極４４の周縁部は、図１に
示す様に、走査線３８の一部及び信号線３３の一部と重
なるように配置され、走査線３８及び信号線３３によっ
て開口部が決定される。ＴＦＴ２１周辺の光漏れは、ア
レイ基板上に設けられた遮光層（図示せず）によって防
止される。また、画素電極４４と、一つ手前の行に相当
する走査線３８ｂとが重なり合った領域４５では、走査
線３８ｂの上に堆積された保護膜４１及び層間絶縁膜４
２を介して補助容量が形成される。以上の様にしてアレ
イ基板２２が作成される。
【００２９】一方、対向基板２３側は、以下の様に作成
される（図２（ｂ）参照）。透明なガラス基板５０の上
に、顔料を分散させた層を塗布してパターン露光後、現
像を行って着色層５１を形成する。これを繰り返すこと
により、赤、緑、青の三色の領域をストライプ状に形成
する。更に、スパッタ法により、ＩＴＯから成る対向電
極５２を全面に形成して対向基板２３を形成する。
【００３０】次に、アレイ基板２２の画素電極４４側、
及び対向基板２３の対向電極５２側の全面に、低温キュ
ア型のポリイミド膜から成る配向膜２４、２５を塗布す
る。両基板２２、２３を対向させて配置した際に、配向
軸が９０゜と成る様にラビング処理を施す。両基板２
２、２３を対向させて組立てセル化し、その間隙にネマ
ティック液晶２６を注入して封止する。更に、セルの両
面に偏光板２７、２８を貼り付ける。以上の様にして、
アクティブマ卜リクス型液晶表示装置が作成される。
【００３１】上記の例に示す構造の場合、画素電極４４
の周縁部と信号線３３とは、図２（ｂ）に示す様に、幅
Ｄspの部分で重り合っているが、画素電極４４と信号線
３３の間にシールド電極３９を介在させているので、シ
ールド電極３９に印加されている固定電位の影響によっ
て、図１０の曲線ｂに示す様に、カップリング容量を従
来の構造の場合（曲線ａ）と比較して、３０％〜４０％
程度、減少させることができる。
【００３２】なお、液晶表示装置を対向基板側から見た
場合、特に斜め方向から見た場合の光り漏れ対策とし
て、画素電極の周縁部を信号線に余分に数μｍ重ねる構
造を採用することがある。このような場合、従来の構造
の場合にはカップリング容量が著しく増加するが、上記
の例に示す構造の場合、カップリング容量の増加を小さ
く抑えることができる。
【００３３】上記の例に示す構造によって、信号線及び
走査線の幅によって開口率が決定されると同時に、カッ
プリング容量に起因する画素電位の変動を軽減するため
に必要とされる補助容量を減らすことが可能になり、高
開口率とクロストークの無い高品位表示とを両立させる
ことができる。
【００３４】なお、シールド電極３９を、一つ手前の行
に相当する走査線３８ｂから枝分かれさせて同一の工程
で形成し、また、信号線３３との間の絶縁膜３６ｂをゲ
ート絶縁膜３６と同一の工程で形成し、また、画素電極
４４との間の絶縁膜として層間絶縁膜４２を使用するこ
とによって、工程の増加を招かずにシールド電極３９を
形成することができる。
【００３５】なお、この場合、シールド電極には走査パ
ルスが入力されるが、その期間は、１水平走査期間と短
く、他の期間は、走査線の非選択レベルである固定電位
となるので，同様のシールド効果を得ることができる。
【００３６】（例２）図３に、本発明のアクティブマ卜
リクス型液晶表示装置の第二の例を示す。図３は一画素
相当部分の平面図であり、図４は、図３のＣ−Ｃ部に沿
った断面図である。図中、２１はＴＦＴ、４４は画素電
極、５２は信号線、３８は走査線、５１はシールド電極
を表す。
【００３７】この例は、第一の例においてシールド電極
と信号線の幅及び相互の位置関係のみを変更したもので
ある。他の構成については、第一の例と共通であるの
で、同一部分には同一符号を付けてその説明を省略す
る。
【００３８】この例においては、図４に示す様に、シ−
ルド電極５１の幅Ｗ１を信号線５２の幅Ｗ２よりも広く
するとともに（Ｗ１＞Ｗ２）、信号線５２の上方を覆う
様にシールド電極５１を配置している。更に、画素電極
４４を、その周縁部がシールド電極５１の一部に重なる
ように配置する。以上の様な構造を採用することによっ
て、シールド電極５１と画素電極４４とが互いに重なり
合う領域５４においても補助容量４が形成され、この結
果、第一の例と比較して補助容量が増大する。
【００３９】この構造について、信号線と画素電極間の
カップリング容量を調べた結果、図１０の曲線ｃに示す
様な傾向を示し、従来の構造の場合（曲線ａ）と比較し
てカップリング容量が１／１０程度に減少することが確
認された。また、この構造の場合、カップリング容量が
層間絶縁膜４２の膜厚にも依存しないので、層間絶縁膜
４２を薄くできる。また、この構造では、第一の例と比
較すると開口率を多少、犠牲にすることになるが、やは
り大きな開口率を確保することができる。 （例３）図５に、本発明のアクティブマ卜リクス型液晶
表示装置の第三の例を示す。図５は、一画素相当部分の
平面図であり、図６は、図５のＤ−Ｄ部に沿った断面図
である。図中、２１はＴＦＴ、４４は画素電極、６２は
信号線、３８は走査線、６１はシールド電極を表す。
【００４０】この例は、第二の例においてシールド電極
に信号線と平行方向の開口部を設けたものである。他の
構成については、第一の例と共通であるので、同一部分
には同一符号を付けてその説明を省略する。
【００４１】この例においては、第二の例と同様に、シ
ルード電極６１の幅を信号線６２の幅よりも広くすると
ともに、信号線６２の上方を覆う様にシールド電極６１
を配置し、更に、画素電極４４を、その周縁部がシール
ド電極６５の一部に重なるように配置する。これに加え
て、この例では、図６に示す様に、シールド電極６１の
幅の中央部分に、信号線６２と平行方向に開口部６３を
設けている。
【００４２】以上の様な構成においても、第二の例と同
様に、シールド電極６１と画素電極４４とが互いに重な
り合う領域６５においても補助容量４が形成されるとと
もに、信号線６２と画素電極４４の間のカップリング容
量が減少する。更に、開口部６３部分の面積だけ信号線
６２とシールド電極６１の間の容量が減少して、信号線
駆動回路の負荷容量が減少するので、信号線駆動回路の
消費電力を低減することができる。 （例４）図７に、本発明のアクティブマ卜リクス型液晶
表示装置の第四の例を示す。図７は、信号線を横切る断
面に沿った断面図である。
【００４３】この例は、第三の例においてシールド電極
側に開口部を設けたのに代わって、信号線７３側に開口
部７２を設けたものである。他の構成については、第三
の例（図５）あるいは第一の例（図１）と共通であるの
で、同一部分には同一符号を付けてその説明を省略す
る。
【００４４】この例においては、第二あるいは第三の例
と同様に、シルード電極７１の幅を信号線７３の幅より
も広くするとともに、信号線７３の上方を覆う様にシー
ルド電極７１を配置し、更に、画素電極４４を、その周
縁部がシールド電極７１の一部に重なるように配置す
る。これに加えて、この例では、信号線７３の幅の中央
部分に、信号線７３の長手方向に沿って開口部７２を設
けている。
【００４５】この様な構成においても、第三の例と同様
に、開口部７２部分の面積だけ信号線７３とシールド電
極７１の間の容量が減少して、信号線駆動回路の負荷容
量が減少する。 （例５）図８に、本発明のアクティブマ卜リクス型液晶
表示装置の第五の例を示す。図８は一画素相当部分の平
面図であり、図中、２１はＴＦＴ、４４は画素電極、８
１は信号線、３８は走査線、８５は補助容量線、８２は
シールド電極を表す。
【００４６】この例では、補助容量線８５を走査線３８
とは独立に形成し、この補助容量線８５にシールド電極
８２を接続し、固定電位を供給している。他の構成につ
いては、第一の例あるいは第二の例と共通であるので、
同一部分には同一符号を付けてその説明を省略する。
【００４７】この例においては、第二の例と同様に、シ
ルード電極８２の幅を信号線８１の幅よりも広くすると
ともに、信号線８１の上方を覆う様にシールド電極８２
を配置し、更に、画素電極４４を、その周縁部がシール
ド電極８２の一部に重なるように配置し、この部分で補
助容量が形成される。これに加えて、この例では、補助
容量線８５を設けるとともに、シールド電極８２を補助
容量線８５に接続している。従って、画素電極４４と補
助容量線８５が重なり合う部分８４においても補助容量
が形成される。
【００４８】シールド電極８２及び補助容量線８５は、
走査線３８と同一の工程で形成することができるので、
製造工程の増加を招かない。なお、走査線３８を複数の
層から構成する場合には、それら全ての層あるいは一部
の層と同一の工程で形成することができる。
【００４９】以上の様な構成では、シールド電極８２が
走査線３８、３８ｂに接続されていないので、シールド
電極８２に起因する容量が走査線３８、３８ｂの容量に
追加されない。従って、走査線３８、３８ｂの負荷容量
を増やさずに、第二の例と同様の効果を達成することが
できる。
【００５０】なお、本発明は上記の例に限定されず、種
々の変更あるいは修正を加えて実施することができる。
例えば、第一、第二、第三の例では、信号線３３とシー
ルド電極３９との間に、ゲート絶縁膜３６ｂの他に半導
体層３４ｂを形成して、絶縁性の向上を図っているが、
信号線３３の上に必ずしも半導体層３４ｂを形成する必
要はない。
【００５１】また、ゲート絶縁膜３６が実質的に複数の
膜から構成される場合、複数の絶縁膜をそのままシール
ド電極の下に形成することや、複数の絶縁膜の一部を選
択して形成することもできる。また、上記の例では、シ
ールド電極３９の上にも保護膜４１ｂを形成している
が、層間絶縁膜４２のみで十分な場合には当該保護膜４
１ｂを除去してもよい。また、層間絶縁膜を複数層形成
したり、その材料として透明な無機材料と有機材料を組
み合わせてもよい。また、ガラス基板３０の代りに、ガ
ラス基板上に遮光層を形成し、その上に絶縁膜を形成し
た基板を使用することもできる。
【００５２】また、ＴＦＴの構造に関しても、以上の様
なゲート電極が走査線から分岐して形成された構造に限
定されず、走査線の一部をそのままゲート電極として用
いる構造の場合にも本発明の適用できる。
【００５３】また、走査線及び信号線の形状も上記の例
に限定されない、例えば、第三及び第四の例における、
開口部の形状あるいは個数は任意で、また、シールド電
極あるいは信号線の開口部の一端が閉じずに、枝別れし
た形状となっていてもよい。
【００５４】また、信号線の材料として、上記の例の他
に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ等の単
体、あるいはこれらの積層膜、あるいはこれらの合金な
どが使用できる。走査線の材料として、上記の例の他
に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ等の単
体、あるいはこれらの積層膜、あるいはこれらの合金な
どが使用できる。更に、対向基板上に、着色層と同層
に、ブラックマトリクスを形成してもよい。
【００５５】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス型液晶表
示装置によれば、信号線と画素電極の間に、シールド電
極を走査線と同一の工程で形成することによって、工程
の増加を伴わずに信号線と画素電極間の間のカップリン
グ容量を低減させることができる。従って、クロストー
クの無い良好な表示品位を保ちながら、同時に、開口率
の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造する
ことが可能になり、ひいては消費電力の低減にも効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の第一の例を示す概略平面図。
【図２】図１のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
ＴＦＴ部分及び走査線部分の部分断面図、（ａ）はＡ−
Ａ部断面、（ｂ）はＢ一Ｂ部断面を表す。
【図３】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の第二の例を示す概略平面図。
【図４】図３のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
走査線を横断する断面（Ｃ−Ｃ部）の部分断面図。
【図５】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の第三の例を示す概略平面図。
【図６】図５のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
走査線を横断する断面（Ｄ−Ｄ部）の部分断面図。
【図７】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の第四の例を示す走査線を横断する断面の断面図。
【図８】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の第五の例を示す概略平面図。
【図９】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
例を示す走査線を横切る方向に沿った断面図。
【図１０】画素電極と信号線とが互いに重なり合う幅Ｄ
spと、画素電極と信号線との間のカップリング容量の関
係を説明する図。
【図１１】アクティブマトリクス型液晶表示装置の一画
素部分の等価回路図。
【符号の説明】
２１・・・ＴＦＴ、 ２２・・・アレイ基板、 ２３・・・対向基板、 ２６・・・ネマティック型液晶、 ３１・・・ソース電極、 ３２・・・ドレイン電極、 ３３、５２、６２、７３、８１・・・信号線、 ３４・・・半導体層、 ３６・・・ゲート絶縁膜、 ３７・・・ゲート電極、 ３８・・・走査線、 ３９、５１、６１、７１、８２・・・シールド電極、 ４０・・・ソース・ドレイン領域、 ４１・・・保護膜、 ４２・・・層間絶縁膜、 ４３・・・コンタクトホール、 ４４・・・画素電極、 ６３・・・開口部、 ７２・・・開口部、 ８５・・・補助容量電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永山 耕平 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明絶縁基板上にマトリクス状に画素電
    極が配列されたアレイ基板と、 アレイ基板に対向して配置され、対向電極が形成された
    対向基板と、 アレイ基板と対向基板との間に封入された液晶物質層
    と、 を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置であっ
    て、 前記アレイ基板は、 前記透明絶縁基板上に配列され、映像信号が供給される
    信号線と、 信号線の上方に信号線と直交して配列され、走査信号が
    供給される走査線と、 信号線の上方に信号線と平行に配置され、固定電位が供
    給されるシールド電極と、 信号線と走査線の各交点付近に形成され、ドレイン電極
    に信号線が接続され、ゲート電極に走査線が接続され
    た、薄膜トランジスタと、 信号線、走査線、シールド電極、及び薄膜トランジスタ
    の上を被覆する透明な層間絶縁膜と、 この層間絶縁膜の上、信号線と走査線によって区画され
    る領域の上方にマトリクス状に配置され、層間絶縁膜に
    形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジ
    スタのソース電極に接続される画素電極と、 を備えた事を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  2. 【請求項２】 前記シールド電極は、そのシールド電極
    の上方に位置する画素電極に隣接する行の画素電極を制
    御する走査線に接続され、この走査線を介して固定電位
    が供給されることを特徴とする請求項１に記載のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記シールド電極は、走査線と平行に且
    つ独立に配列された補助容量線に接続され、この補助容
    量線を介して固定電位が供給されることを特徴とする請
    求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記シールド電極の幅は、前記信号線の
    幅よりも狭いことを特徴とする請求項１から請求項３の
    いずれかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  5. 【請求項５】 前記シールド電極の幅は、前記信号線の
    幅よりも広く、前記シールド電極は、前記信号線の上方
    を覆って信号線の両縁から幅方向に張出すよ様に形成さ
    れていることを特徴とする請求項１から請求項３のいず
    れかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記画素電極は、その周縁部が前記シー
    ルド電極の一部と重なり合う様に形成され、前記画素電
    極と前記シールド電極の間で前記層間絶縁膜を介して補
    助容量が形成されていることを特徴とする請求項５に記
    載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 前記信号線と前記シールド電極との間の
    絶縁層は、前記薄膜トランジスタのチャネル部と同一工
    程で形成される非晶質シリコン層、及び前記薄膜トラン
    ジスタのゲート絶縁膜と同一工程で形成される絶縁膜に
    より構成されることを特徴とする請求項１から請求項３
    のいずれかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  8. 【請求項８】 前記シールド電極は、前記走査線と同一
    材料及び同一工程で形成されることを特徴とする請求項
    １あるいは請求項２に記載のアクティブマトリクス型液
    晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記走査線は複数の層から構成され、前
    記シールド電極は、前記走査線を構成する層の一部ある
    いは全部と同一材料及び同一工程で形成されることを特
    徴とする請求項１あるいは請求項２に記載のアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記シールド電極及び前記補助容量線
    は、前記走査線と同一材料及び同一工程で形成されるこ
    とを特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリクス
    型液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記走査線は複数の層から構成され、
    前記シールド電極及び前記補助容量線は、前記走査線を
    構成する層の一部あるいは全部と同一材料及び同一工程
    で形成されることを特徴とする請求項３に記載のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10333181A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
WO2001082273A1 (fr) * 2000-04-21 2001-11-01 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique
US6407418B1 (en) 1998-09-16 2002-06-18 Nec Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same
JP2002297058A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
KR100356990B1 (ko) * 1999-05-28 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 고개구율을 갖는 액정표시장치
EP1329764A2 (en) * 2002-01-11 2003-07-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix display device
JP2005134889A (ja) * 2003-10-01 2005-05-26 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置
JP2005524110A (ja) * 2002-04-24 2005-08-11 イー−インク コーポレイション 電子表示装置
FR2868555A1 (fr) * 2004-03-30 2005-10-07 Lg Philips Lcd Co Ltd Dispositif d'affichage a cristal liquide
JP2006195455A (ja) * 2004-12-24 2006-07-27 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板
JP2006245031A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
US7193663B2 (en) 2002-10-31 2007-03-20 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
GB2412780B (en) * 2004-03-30 2007-03-28 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device
JP2008015488A (ja) * 2006-06-30 2008-01-24 Samsung Electronics Co Ltd 表示基板及びこれを有する表示パネル
JP2008225437A (ja) * 2007-02-16 2008-09-25 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ及びその製造方法及び液晶表示装置
EP2078979A1 (en) * 2007-12-25 2009-07-15 TPO Displays Corp. Pixel design having reduced parasitic capacitance for an active matrix display
US7804551B2 (en) 2008-02-19 2010-09-28 Au Optronics Corp. Liquid crystal display panel and semiconductor array substrate thereof
US7855759B2 (en) 2008-08-05 2010-12-21 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
JP2011118377A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
CN102799033A (zh) * 2012-07-26 2012-11-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN105047611A (zh) * 2015-09-09 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
US9594282B2 (en) 2013-03-12 2017-03-14 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix substrate and display device
CN107479271B (zh) * 2017-08-30 2020-05-22 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板、阵列基板及其暗点化方法

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10333181A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
US6407418B1 (en) 1998-09-16 2002-06-18 Nec Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same
US6583456B2 (en) 1998-09-16 2003-06-24 Nec Corporation Image sensor with light receiving elements of differing areas and image reader both having semiconductor device
KR100356990B1 (ko) * 1999-05-28 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 고개구율을 갖는 액정표시장치
US6825891B2 (en) 2000-04-21 2004-11-30 Seiko Epson Corporation Electro-optical device having storage capacitor laminated between data line and pixel electrode
US6597413B2 (en) 2000-04-21 2003-07-22 Seiko Epson Corporation Electro-optical device having two storage capacitor electrodes overlapping scanning lines
US6665024B2 (en) 2000-04-21 2003-12-16 Seiko Epson Corporation Electro-optical device having storage capacitor laminated between TFT and data line
WO2001082273A1 (fr) * 2000-04-21 2001-11-01 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique
JP2002297058A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
EP1329764A2 (en) * 2002-01-11 2003-07-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix display device
US7248322B2 (en) 2002-01-11 2007-07-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix display device with floating electrode between adjacent pixels
EP1329764A3 (en) * 2002-01-11 2005-01-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix display device
US6999149B2 (en) 2002-01-11 2006-02-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix display device with electrode between adjacent pixels
JP2009211088A (ja) * 2002-04-24 2009-09-17 E Ink Corp 電子表示装置
JP2005524110A (ja) * 2002-04-24 2005-08-11 イー−インク コーポレイション 電子表示装置
US7317497B2 (en) 2002-10-31 2008-01-08 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US7193663B2 (en) 2002-10-31 2007-03-20 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US7894026B2 (en) 2003-10-01 2011-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and liquid crystal display including light shield
JP2005134889A (ja) * 2003-10-01 2005-05-26 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置
GB2412780B (en) * 2004-03-30 2007-03-28 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device
FR2868555A1 (fr) * 2004-03-30 2005-10-07 Lg Philips Lcd Co Ltd Dispositif d'affichage a cristal liquide
US7554630B2 (en) 2004-03-30 2009-06-30 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device having common line parallel to and between gate line and pixel electrode with light shield projecting from common line parallel to data line and overlapping area between data line and pixel electrode
DE102004063550B4 (de) * 2004-03-30 2011-03-31 Lg Display Co., Ltd. Flüssigkristalldisplay
JP2006195455A (ja) * 2004-12-24 2006-07-27 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板
US8129723B2 (en) 2004-12-24 2012-03-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and panel therefor
JP2006245031A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
JP2008015488A (ja) * 2006-06-30 2008-01-24 Samsung Electronics Co Ltd 表示基板及びこれを有する表示パネル
JP2008225437A (ja) * 2007-02-16 2008-09-25 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ及びその製造方法及び液晶表示装置
JP2009157364A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Toppoly Optoelectronics Corp アクティブマトリクスディスプレイの画素設計
EP2078979A1 (en) * 2007-12-25 2009-07-15 TPO Displays Corp. Pixel design having reduced parasitic capacitance for an active matrix display
US7804551B2 (en) 2008-02-19 2010-09-28 Au Optronics Corp. Liquid crystal display panel and semiconductor array substrate thereof
US7855759B2 (en) 2008-08-05 2010-12-21 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
JP2011118377A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US8988623B2 (en) 2009-10-30 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9488890B2 (en) 2009-10-30 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11668988B2 (en) 2009-10-30 2023-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102799033A (zh) * 2012-07-26 2012-11-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
WO2014015637A1 (zh) * 2012-07-26 2014-01-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
US9594282B2 (en) 2013-03-12 2017-03-14 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix substrate and display device
US9766525B2 (en) 2013-03-12 2017-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix substrate and display device
CN105047611A (zh) * 2015-09-09 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN107479271B (zh) * 2017-08-30 2020-05-22 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板、阵列基板及其暗点化方法

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