JP2003172923A - 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マルチギャップタイプの液晶装置、およびそ
れを用いた電子機器において、透過表示領域と反射表示
領域との境界部分で液晶分子の配向が乱れていても、品
位の高い表示を行うことのできる構成を提供することに
ある。 【解決手段】 液晶装置１は、第1の透明電極１１が表
面に形成された透明な第１の基板１０と、第２の透明電
極２１が形成された透明な第２の基板２０と、液晶層５
０とを有する。画素領域３には、反射表示領域３１およ
び透過表示領域３２を規定する光反射層４が形成され、
その上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開
口６１となっている層厚調整層６が形成されている。層
厚調整層６において、反射表示領域３１と透過表示領域
３２との境界部分は斜面６０になっており、その上端縁
６５と光反射層４の端縁４５とが平面的に重なってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半透過・反射型液
晶装置に関するものである。さらに詳しくは、１画素内
で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層の層厚を
適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】各種の液晶装置のうち、透過モードおよ
び反射モードの双方で画像を表示可能なものは半透過・
反射型液晶装置と称せられ、あらゆるシーンで使用され
ている。

【０００３】この半透過・反射型液晶装置では、図２４
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、表面に第１の透
明電極１１が形成された透明な第１の基板１０と、第１
の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成
された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２
の基板２０との間に保持されたＴＮ（ツイステッドネマ
ティック）モードの液晶層５とを有している。また、第
１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電
極２１とが対向する画素領域３に反射表示領域３１を構
成する光反射層４が形成され、この光反射層４の開口４
０に相当する領域が透過表示領域３２になっている。第
１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面に
は偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバ
ックライト装置７が対向配置されている。

【０００４】このような構成の液晶装置１では、バック
ライト装置７から出射された光のうち、透過表示領域３
２に入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、第１の基板
１０の側から液晶層５に入射し、液晶層５で光変調され
た後、第２の基板２０の側から透過表示光として出射さ
れて画像を表示する（透過モード）。

【０００５】また、第２の基板２０の側から入射した外
光のうち、反射表示領域３１に入射した光は、矢印Ｌ２
で示すように、液晶層５を通って反射層４に届き、この
反射層４で反射されて再び、液晶層５を通って第２の基
板２０の側から反射表示光として出射されて画像を表示
する（反射モード）。

【０００６】ここで、第１の基板１０上には、反射表示
領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カ
ラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２
が形成されているので、カラー表示が可能である。

【０００７】このような光変調が行われる際、液晶のツ
イスト角を小さく設定した場合には、偏光状態の変化が
屈折率差Δｎと液晶層５の層厚ｄの積（リターデーショ
ンΔｎ・ｄ）の関数になるため、この値を適正化してお
けば視認性のよい表示を行うことができる。しかしなが
ら、半透過・反射型の液晶装置１において、透過表示光
は、液晶層５を一度だけ通過して出射されるのに対し
て、反射表示光は、液晶層５を２度、通過することにな
るため、透過表示光および反射表示光の双方において、
リターデーションΔｎ・ｄを最適化することは困難であ
る。従って、反射モードでの表示が視認性のよいものと
なるように液晶層５の層厚ｄを設定すると、透過モード
での表示が犠牲となる。逆に、透過モードでの表示が視
認性のよいものとなるように液晶層５の層厚ｄを設定す
ると、反射モードでの表示が犠牲となる。

【０００８】そこで、特開平１１−２４２２２６号に
は、反射表示領域３１における液晶層の層厚ｄを透過表
示領域３２における液晶層５の層厚ｄよりも小さくする
構成が開示されている。このような構成はマルチギャッ
プタイプと称せられ、例えば、図２４（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）に示すように、第１の透明電極１１の下層側、か
つ、光反射層４の上層側に、透過表示領域３２に相当す
る領域が開口６１となっている層厚調整層６によって実
現できる。すなわち、透過表示領域３２では、反射表示
領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶
層５の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示
光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄを最適化す
ることが可能である。ここで、層厚調整層６で液晶層５
の層厚ｄを調整するには、層厚調整層６を分厚く形成す
る必要があり、このような分厚い層の形成には感光性樹
脂などが用いられる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、感光性
樹脂層で層厚調整層６を形成する際、フォトリソグラフ
ィ技術が用いられるが、その際の露光精度、あるいは現
像の際のサイドエッチングなどが原因で、層厚調整層６
は、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分
で斜め上向きの斜面６０となってしまう。その結果、反
射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分では、
液晶層５の層厚ｄが連続的に変化する結果、リターデー
ションΔｎ・ｄも連続的に変化してしまう。また、液晶
層５に含まれる液晶分子は、第１の基板１０および第２
の基板２０の最表層に形成した配向膜１２、２２によっ
て初期の配向状態が規定されているが、斜面６０では、
配向膜１２の配向規制力が斜めに作用するので、この部
分では、図２５に模式的に示すように、液晶分子の配向
の乱れ、いわゆるディスクリネーションが発生してい
る。

【００１０】このため、従来の液晶装置１では、例え
ば、ノーマリホワイトで設計した場合、電場を印加状態
において全面黒表示となるはずであるが、斜面６０に相
当する部分で光が漏れてしまい、コントラストが低下す
るなどといった表示不良が発生してしまう。例えば、図
２６（Ａ）に、黒表示時において、反射表示領域３１か
ら透過表示領域３２にかけての反射光強度の分布を各ラ
ビング方向についてシュミレーションした結果を示すよ
うに、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領
域では、光の漏れが発生する。ここで、光の漏れが連続
的に変化しているのはリターデーションΔｎ・ｄが不適
合であることに起因し、光の漏れが急激なピークを示し
ているのは、液晶の配向不良に起因するものである。ま
た、図２６（Ｂ）に、黒表示時において、反射表示領域
３１から透過表示領域３２にかけての透過光強度の分布
を各ラビング方向についてシュミレーションした結果を
示すように、反射表示領域３１と透過表示領域３２との
境界領域では、光の漏れが発生する。ここでも、光の漏
れが連続的に変化しているのはリターデーションΔｎ・
ｄが不適合であることに起因し、光の漏れが急激なピー
クを示しているのは、液晶の配向不良に起因するもので
あるが、透過光の場合には、反射光に比較して漏れの度
合いが著しくレベルが低い。

【００１１】以上の問題点に鑑みて、本発明では、１画
素領域内で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層
の層厚を適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶
装置、およびそれを用いた電子機器において、透過表示
領域と反射表示領域との境界部分でリターデーションが
不適正な状態、あるいは液晶分子の配向が乱れている状
態にあっても、品位の高い表示を行うことのできる構成
を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、表面に第１の透明電極が形成された第
１の基板と、前記第１の電極と対向する面側に第２の透
明電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前
記第２の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記
第１の基板は、前記第１の透明電極と前記第２の透明電
極とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該
画素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、
前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過
表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層
厚調整層、および前記第１の透明電極を下層側から上層
側に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置に
おいて、 前記反射表示領域と前記透過表示領域との境
界領域では、前記光反射層の端縁が、前記層厚調整層の
端部に形成されている斜面と平面的にほぼ重なる領域内
に存在していることを特徴とする 。

【００１３】本発明によれば、反射表示領域と前記透過
表示領域との境界領域のうち、光反射層と層厚調整層の
端部に形成されている斜面とが平面的に重なっている部
分では光が透過しないので、透過モードにおいて、前記
斜面を透過して出射される光を低減させることができ
る。これにより、反射表示領域と透過表示領域との境界
領域において、層厚調整層の厚さが連続的に変化してリ
ターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化したとしても、
また、液晶分子の配向が乱れていたとしても、透過モー
ドにおいて、このような領域を透過して出射される光を
低減させることができる。又、反射表示領域と前記透過
表示領域との境界領域のうち、光反射層と層厚調整層の
端部に形成されている斜面とが平面的に重なっていない
部分では光が反射しないので、反射モードにおいて、前
記斜面を透過して出射される反射光を低減させることが
できる。これにより、反射表示領域と透過表示領域との
境界領域において、層厚調整層の厚さが連続的に変化し
てリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化したとして
も、また、液晶分子の配向が乱れていたとしても、反射
モードにおいて、このような領域を透過して出射される
光を低減させることができる。よって、透過モードおよ
び反射モードのそれぞれにおいて、コントラストを向上
させ、表示の品位を向上させることができる。また、反
射表示領域と透過表示領域との境界領域全体を遮光膜で
覆った場合と比較して、表示光量が低減しないので、明
るい表示を行うことができる。

【００１４】特に、反射表示領域と透過表示領域との境
界領域において、光反射層の端縁が、層厚調整層の端部
に形成されている斜面の上端縁と平面的に重なっている
構成とすれば、反射表示領域と透過表示領域との境界領
域において、層厚調整層の端部に形成されている斜面と
平面的に重なる領域には、光反射層が形成されない。従
って、反射表示領域と透過表示領域との境界領域（層厚
調整層が端部で斜面となっている領域）からは光が反射
してこない。それ故、反射表示領域と透過表示領域との
境界領域においては、層厚調整層の厚さが連続的に変化
してリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化したとし
ても、また、液晶分子の配向が乱れていたとしても、反
射モードにおいて、このような領域で光が漏れるおそれ
がない。よって、コントラストが高い、品位の高い表示
を行うことができる。また、反射表示領域と透過表示領
域との境界領域全体を遮光膜で覆った場合と比較して、
表示光量が低減しないので、明るい表示を行うことがで
きる。

【００１５】また、反射表示領域と透過表示領域との境
界領域において、光反射層の端縁が、層厚調整層の端部
に形成されている斜面の下端縁と平面的に重なっている
構成とすれば、反射表示領域と透過表示領域との境界領
域において、層厚調整層の端部に形成されている斜面に
は光反射層が平面的に重なっている。従って、反射表示
領域と透過表示領域との境界領域（層厚調整層が端部で
斜面となっている領域）からは光が透過してこない。そ
れ故、反射表示領域と透過表示領域との境界領域におい
ては、層厚調整層の厚さが連続的に変化してリターデー
ションΔｎ・ｄが連続的に変化したとしても、また、液
晶分子の配向が乱れていたとしても、透過モードにおい
て、このような領域で光が漏れるおそれがない。よっ
て、コントラストが高い、品位の高い表示を行うことが
できる。また、反射表示領域と透過表示領域との境界領
域全体を遮光膜で覆った場合と比較して、表示光量が低
減しないので、明るい表示を行うことができる。

【００１６】本発明のさらに別の形態では、表面に第１
の透明電極が形成された第１の基板と、前記第１の電極
と対向する面側に第２の透明電極が形成された第２の基
板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持さ
れた液晶層とを有し、前記第１の基板は、前記第１の透
明電極と前記第２の透明電極とが対向する画素領域に反
射表示領域を構成し、当該画素領域の残りの領域を透過
表示領域とする光反射層、前記反射表示領域における前
記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層
の層厚よりも小さくする層厚調整層、および前記第１の
透明電極を下層側から上層側に向かってこの順に備える
半透過・反射型液晶装置において、前記画素領域は矩形
領域として形成されている一方、前記透過表示領域は、
明視方向側に位置する辺が前記画素領域の辺に平面的に
ほぼ重なる矩形領域として形成され、かつ、前記画素領
域と前記透過表示領域の辺同士が重なる側には、当該辺
に対して平面的にほぼ重なるように遮光膜が形成されて
いることを特徴とする。かかる構成において、前記反射
表示領域と前記透過表示領域との境界領域では、前記光
反射層の端縁が、前記層厚調整層の端部に形成されてい
る斜面と平面的にほぼ重なる領域内に存在している構
成、前記光反射層の端縁が、前記層厚調整層の端部に形
成されている斜面の上端縁と平面的にほぼ重なっている
構成、または前記光反射層の端縁が、前記層厚調整層の
端部に形成されている斜面の下端縁と平面的にほぼ重な
っている構成としてもよい。

【００１７】液晶装置では、透過表示領域の周りのう
ち、明視方向側に位置する辺において、光の漏れが視認
されやすいが、本発明において、明視方向側に位置する
辺は、画素領域の辺と重なっている。ここで、隣接する
画素領域同士の境界領域には、ブラックマトリクスやブ
ラックストライプと称せられる遮光膜、あるいは遮光性
の配線が通っているので、透過表示領域の周りのうち、
明視方向側に位置する辺側で漏れようとする光は、遮光
膜で遮られて出射されない。よって、コントラストが高
い、品位の高い表示を行うことができる。また、反射表
示領域と透過表示領域との境界領域全体を遮光膜で覆っ
た場合と比較して、表示光量が低減しないので、明るい
表示を行うことができる。

【００１８】また、前記画素領域と前記透過表示領域と
が重なっている辺に隣接して、隣の画素領域の反射表示
領域が形成されていることが好ましい。かかる構成によ
れば、透過表示領域の明視方向側の辺に隣接して、隣の
反射表示領域が形成されているので、これら透過表示領
域と隣の反射表示領域との境界領域（層厚調整層が端部
で斜面となっている領域）で漏れようとする光は、遮光
膜で遮られる。それ故、この透過表示領域と隣の反射表
示領域との境界領域においては、層厚調整層の厚さが連
続的に変化してリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変
化したとしても、また、液晶分子の配向が乱れていたと
しても、ここを透過する光の一部または全部を遮光層で
遮ることができるので、これによりコントラストを向上
させ、表示品位を向上させることができる。また、反射
表示領域と透過表示領域との境界領域全体を遮光膜で覆
った場合と比較して、表示光量が低減しないので、明る
い表示を行うことができる。

【００１９】本発明において、前記反射表示領域に形成
された反射表示用カラーフィルタと、前記透過表示領域
に形成された、前記反射表示用カラーフィルタよりも着
色度の強い透過表示用カラーフィルタを備えることが好
ましい。かかる構成によれば、反射モード時にカラーフ
ィルターを２回透過して得られる光と、透過モード時に
カラーフィルターを１回透過して得られる光との色の濃
淡差を小さくすることができるので、視認性の高い表示
を得ることができる。

【００２０】特に、前記反射表示領域と前記透過表示領
域との境界領域で、前記反射表示用カラーフィルタの端
縁が、前記光反射層の端縁と平面的にほぼ重なっている
構成とすれば、光反射層で反射された光を、確実に反射
表示用カラーフィルタを透過させることができるので、
視認性をより向上させることができる。

【００２１】あるいは、前記反射表示領域と前記透過表
示領域との境界領域には、前記反射表示用カラーフィル
タを構成する層および／または前記透過表示用カラーフ
ィルタを構成する層であって、色調の異なる２層以上が
積層されたオーバーラップ部を設けてもよい。かかる構
成とすれば、２層以上の着色層を積層させてオーバーラ
ップ部を形成することにより、このオーバーラップ部で
の光の吸収率を高くすることができる、このためオーバ
ーラップ部を透過して出射される出射光量が減少し、オ
ーバーラップ部は視覚的に暗く見える。それ故、透過表
示領域と反射表示領域との境界領域において、層厚調整
層の厚さが連続的に変化してリターデーションΔｎ・ｄ
が連続的に変化したとしても、また、液晶分子の配向が
乱れていたとしても、ここから漏れる光は、その一部が
オーバーラップ部で吸収されるので視覚的に目立たなく
なる。よって、コントラストが高い、品位の高い表示を
行うことができる。

【００２２】特に、前記オーバーラップ部では、前記反
射表示用カラーフィルタの端部と前記透過表示用カラー
フィルタの端部とが重なり合っている構成とすれば、比
較的容易にオーバーラップ部を形成することができる。
また、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領
域では、前記層厚調整層の端部に斜面が形成されてお
り、前記オーバーラップ部と平面的に重なる領域内に、
前記斜面が存在していることが好ましい。かかる構成と
すれば、層厚調整層の厚さが連続的に変化している斜面
部で、リターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化したと
しても、また、液晶分子の配向が乱れていたとしても、
ここから光が漏れる光を、確実にオーバーラップ部を透
させて視覚的に目立たなくすることができる。

【００２３】本発明において、前記反射表示領域と前記
透過表示領域との境界領域で、前記層厚調整層の端部に
斜面が形成されている構成において、該斜面の平面的な
幅が８μｍ以下であることが好ましい。

【００２４】本発明において、前記液晶層では、例え
ば、液晶のツイスト角が９０°以下である。

【００２５】本発明に係る半透過・反射型液晶装置は、
携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機
器の表示部として用いることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下の説明に用いる各図では、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００２７】［実施の形態１］図１（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）はそれぞれ、液晶装置にマトリクス状に形成され
ている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的
に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断
面図である。図２は、この液晶装置に形成した光反射層
と層厚調整層の位置関係を示す説明図である。なお、本
形態の液晶装置は、基本的な構成が従来の液晶装置と共
通するので、共通する機能を有する部分には同一の符号
を付して説明する。

【００２８】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す画素領
域は、後述するアクティブマトリクス型液晶装置のう
ち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤお
よびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜
き出して示してある。ここに示す液晶装置１は、ＩＴＯ
膜などからなる第１の透明電極１１が表面に形成された
石英やガラスなどの透明な第１の基板１０と、第１の電
極１１と対向する面側に同じくＩＴＯ膜などからなる第
２の透明電極２１が形成された石英やガラスなどの透明
な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０
との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５
０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透明電
極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領
域３となっている。

【００２９】また、第１の基板１０において、第１の透
明電極１１の表面には配向膜１２が形成され、第２の基
板２０において、第２の透明電極２１の表面には配向膜
２２が形成されている。ここで、配向膜１２、２２は、
ポリイミド膜などを塗布、焼成後、所定の方向にラビン
グ処理を施してなるもので、このラビング処理によっ
て、配向膜１２、２２は、液晶層５０を構成する液晶分
子を９０°以下のツイスト角で配向させ、画素領域３の
四辺のうち、図面における下側（６時方向）の位置が明
視方向になっている。

【００３０】液晶装置１において、画素領域３はマトリ
クス状に多数、形成されているが、これらの画素領域３
同士の境界領域を平面的にみると、第２の基板２０に形
成されているブラックマクスやブラックストライプと称
せられる遮光膜９、あるいは第１の基板１０の側に形成
された遮光性の配線（図示せず）が通っている。従っ
て、画素領域３は、平面的には遮光膜９や遮光性の配線
によって周りを囲まれた状態にある。

【００３１】第１の基板１０には、第１の透明電極１１
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する矩形の光反射層４（図１
（Ａ）に右下がりの斜線領域で示す）がアルミニウム膜
や銀合金膜によって形成され、この光反射層４には矩形
の開口４０が形成されている。このため、画素領域３に
おいて、光反射層４が形成されている領域は反射表示領
域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光
反射層４が形成されていない矩形の透過表示領域３２に
なっている。ここで、透過表示領域３２の四辺のうち、
明視方向（６時側）に位置する辺３３は、画素領域の辺
３４と重なっている。また、透過表示領域３２の明視方
向側に位置する辺３３に隣接して、隣の画素領域の反射
表示領域３１ａが形成されている。

【００３２】第１の基板１０および第２の基板２０の各
々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板
４１の側にはバックライト装置７が対向配置されてい
る。

【００３３】このように構成した液晶装置１において、
バックライト装置７から出射された光のうち、透過表示
領域３２に入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、第１
の基板１０の側から液晶層５０に入射し、そこで、光変
調された後、第２の基板２０の側から透過表示光として
出射されて画像を表示する（透過モード）。

【００３４】また、第２の基板２０の側から入射した外
光のうち、反射表示領域３１に入射した光は、矢印Ｌ２
で示すように、液晶層５０を通って反射層４に届き、こ
の反射層４で反射されて再び、液晶層５０を通って第２
の基板２０の側から反射表示光として出射されて画像を
表示する（反射モード）。

【００３５】ここで、第１の基板１０上には、反射表示
領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カ
ラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２
が形成されているので、カラー表示が可能である。透過
表示用カラーフィルタ８２としては、顔料が多量に配合
されているなど、反射表示用カラーフィルタ８１よりも
着色度が強いものが用いられている。ここで、反射表示
用カラーフィルタ８１の端縁は、光反射層４の端縁と平
面的に重なる位置にある。

【００３６】このような半透過・反射型の液晶装置１に
おいて、透過表示光は、液晶層５０を一度だけ通過して
出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層５０を２
度、通過することになる。そこで、第１の基板１０にお
いて、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４
の上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口
６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が
形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射
表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、
液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反
射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄを最
適化できる。

【００３７】この層厚調整層６を形成する際にはフォト
リソグラフィ技術が用いられるが、その際の露光精度、
あるいは現像の際のサイドエッチングなどが原因で、層
厚調整層６は、反射表示領域３１と透過表示領域３２と
の境界部分が斜め上向きの斜面６０になっており、この
斜面６０を平面的にみると８μｍの幅をもって形成され
ている状態にある。従って、透過表示領域３２との境界
部分では、液晶層５０の層厚ｄが連続的に変化する結
果、リターデーションΔｎ・ｄも連続的に変化してい
る。また、液晶層５０に含まれる液晶分子は、第１の基
板１０および第２の基板２０の最表層に形成した配向膜
１２、２２によって初期の配向状態が規定されている
が、斜面６０では、配向膜１２の配向規制力が斜めに作
用するので、この部分では液晶分子の配向が乱れてい
る。

【００３８】このような不安定な状態にある境界領域
は、表示の品位を低下させる原因となる。そこで、本形
態では、反射モードでの表示品位の向上を目的として、
図２に拡大して示すように、反射表示領域３１と透過表
示領域３２との境界領域では、光反射層４の端縁４５
が、層厚調整層６の端部に形成されている斜面６０の上
端縁６５と平面的に重なっている。

【００３９】このため、本形態では、反射表示領域３１
と透過表示領域３２との境界領域において、層厚調整層
６の端部に形成されている斜面６０と平面的に重なる領
域には、光反射層４が形成されていない。従って、反射
表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域（層厚調
整層６が端部で斜面６０となっている領域）からは光が
反射してこない。なお、反射表示領域３１と透過表示領
域３２との境界領域（層厚調整層６が端部で斜面６０と
なっている領域）からは光が透過してくるが、図２６
（Ｂ）を参照して説明したように、透過光での光の漏れ
のレベルは、反射光での光の漏れと比較して著しく低
い。それ故、反射表示領域３１と透過表示領域３２との
境界領域において、層厚調整層６の厚さが連続的に変化
してリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化したとし
ても、また、液晶分子の配向が乱れていたとしても、反
射モードにおいて、このような領域で反射光が漏れてく
るおそれがない。よって、コントラストが高い、品位の
高い表示を行うことができる。また、反射表示領域３１
と透過表示領域３２との境界領域全体を遮光膜で覆った
場合と比較して、表示光量が低減しないので、明るい表
示を行うことができる。

【００４０】また、本形態では、透過表示領域３２の四
辺のうち、明視方向（６時側）に位置する辺３３は、画
素領域の辺３４と重なっており、この部分は遮光膜９と
平面的に重なっている。このため、透過表示領域３２の
周りのうち、明視方向側で光の漏れが発生しやすい傾向
にあるが、ここから漏れようとする光は、遮光膜９で遮
られて出射されない。それ故、コントラストが高い、品
位の高い表示を行うことができる。さらに、透過表示領
域３２の明視方向側の辺３３に隣接して、隣の反射表示
領域３１ａが形成されているので、この透過表示領域３
２と隣の反射表示領域３１ａとの境界領域（層厚調整層
６が端部で斜面６０となっている領域）で漏れようとす
る光は、遮光膜９で遮られる。したがって、層厚調整層
６が斜面６０となっている領域でリターデーションΔｎ
・ｄが連続的に変化したとしても、また、液晶分子の配
向が乱れていたとしても、ここから漏れる光は遮光層９
で遮られるので、これによりコントラストを向上させ、
表示の品位を向上させることができる。

【００４１】また、透過表示用カラーフィルタ８２とし
て、反射表示用カラーフィルタ８１よりも着色度が強い
ものが用いられているため、透過表示光がカラーフィル
タを１度しか通過しない構成であっても、カラーフィル
タを２度、通過する反射表示光と同等の着色を受けるの
で、品位の高いカラー表示を行うことができる。

【００４２】このような構造の液晶装置１を製造する
際、第１の基板１０は以下のようにして形成する。

【００４３】まず、石英やガラスなどからなる第１の基
板１０を準備した後、その全面にアルミニウムや銀合金
などの反射性の金属膜を形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を利用して、この金属膜をパターニングして光反
射層４を形成する。

【００４４】次に、フレキソ印刷法、フォトリグラフィ
技術、あるいはインクジェット法を利用して、所定の領
域に反射表示用カラーフィルタ８１、および透過表示用
カラーフィルタ８２を形成する。

【００４５】次に、スピンコート法を利用して、第１の
基板１０の全面に感光性樹脂を塗布した後、露光、現像
して層厚調整層６を形成する。

【００４６】次に、第１の基板１０の全面にＩＴＯ膜な
どの透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術
を利用して、この透明導電膜をパターニングして第１の
透明電極１１を形成する。

【００４７】次に、スピンコート法を利用して、第１の
基板１０の全面にポリイミド樹脂を塗布した後、焼成
し、しかる後にラビング処理などの配向処理を施して配
向膜１２を形成する。

【００４８】このように形成した第１の基板１０につい
ては、別途、形成しておいた第２の基板２０と所定の間
隔を介して貼り合わせ、しかる後に、基板間に液晶を注
入して液晶層５０を形成する。

【００４９】なお、液晶装置１では、第１の基板１０の
側にＴＦＤやＴＦＴなどといった画素スイッチング用の
非線形素子が形成される場合があるので、境界用遮光膜
９、その他の層については、ＴＦＤやＴＦＴなどを形成
する工程の一部を利用して形成してもよい。

【００５０】［実施の形態２］図３（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に形成されて
いる複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に
示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図である。なお、
本形態の液晶装置は、基本的な構成が実施の形態１と共
通するので、共通する機能を有する部分には同一の符号
を付してそれらの説明を省略する。また、製造方法も実
施の形態１と同様であるので、その説明を省略する。

【００５１】図３（Ａ）、（Ｂ）に示す画素領域も、実
施の形態１と同様、後述するアクティブマトリクス型液
晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子とし
て、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通
する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置
１も、第１の透明電極１１が表面に形成された透明な第
１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２
の透明電極２１が形成された第２の基板２０と、第１の
基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモー
ドの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第１の透
明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領域が表
示に直接、寄与する画素領域３となっている。

【００５２】また、第１の基板１０において、第１の透
明電極１１の表面には配向膜１２が形成され、第２の基
板２０において、第２の透明電極２１の表面には配向膜
２２が形成されている。ここで、配向膜１２、２２は、
ポリイミド膜などを塗布、焼成後、所定の方向にラビン
グ処理を施してなるもので、このラビング処理によっ
て、配向膜１２、２２は、液晶層５０を構成する液晶分
子を９０°以下のツイスト角で配向させ、画素領域３の
四辺のうち、図面における下側（６時方向）の位置が明
視方向になっている。

【００５３】液晶装置１において、画素領域３はマトリ
クス状に多数、形成されているが、これらの画素領域３
同士の境界領域を平面的にみると、第２の基板２０に形
成されているブラックマクスやブラックストライプと称
せられる遮光膜９、あるいは第１の基板１０の側に形成
された遮光性の配線（図示せず）が通っている。従っ
て、画素領域３は、平面的には遮光膜９や遮光性の配線
によって周りを囲まれた状態にある。

【００５４】第１の基板１０には、第１の透明電極１１
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する矩形の光反射層４（図３
（Ａ）に右下がりの斜線領域で示す）がアルミニウム膜
や銀合金膜によって形成され、この光反射層４には矩形
の開口４０が形成されている。このため、画素領域３に
おいて、光反射層４が形成されている領域は反射表示領
域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光
反射層４が形成されていない矩形の透過表示領域３２に
なっている。ここで、透過表示領域３２の四辺のうち、
明視方向（６時側）に位置する辺３３は、画素領域の辺
３４と重なっている。また、透過表示領域３２の四辺の
うち、明視方向（６時側）に位置する辺３３と隣接する
辺３５、３６はそれぞれ、画素領域３の辺３７、３８と
重なっている。また、透過表示領域３２の明視方向側に
位置する辺３３に隣接して、隣の画素領域の反射表示領
域３１ａが形成されている。

【００５５】第１の基板１０および第２の基板２０の各
々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板
４１の側にはバックライト装置７が対向配置されてい
る。

【００５６】このように構成した液晶装置１において、
バックライト装置７から出射された光のうち、透過表示
領域３２に入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、第１
の基板１０の側から液晶層５０に入射し、そこで、光変
調された後、第２の基板２０の側から透過表示光として
出射されて画像を表示する（透過モード）。

【００５７】また、第２の基板２０の側から入射した外
光のうち、反射表示領域３１に入射した光は、矢印Ｌ２
で示すように、液晶層５０を通って反射層４に届き、こ
の反射層４で反射されて再び、液晶層５０を通って第２
の基板２０の側から反射表示光として出射されて画像を
表示する（反射モード）。

【００５８】ここで、第１の基板１０上には、反射表示
領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カ
ラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２
が形成されているので、カラー表示が可能である。透過
表示用カラーフィルタ８２としては、顔料が多量に配合
されているなど、反射表示用カラーフィルタ８１よりも
着色度が強いものが用いられている。ここで、反射表示
用カラーフィルタ８１の端縁は、光反射層４の端縁と平
面的に重なる位置にある。

【００５９】このような半透過・反射型の液晶装置１に
おいて、透過表示光は、液晶層５０を一度だけ通過して
出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層５０を２
度、通過することになる。そこで、第１の基板１０にお
いて、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４
の上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口
６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が
形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射
表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、
液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反
射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄを最
適化できる。

【００６０】この層厚調整層６を形成する際にはフォト
リソグラフィ技術が用いられるが、その際の露光精度、
あるいは現像の際のサイドエッチングなどが原因で、層
厚調整層６は、反射表示領域３１と透過表示領域３２と
の境界部分が斜め上向きの斜面６０になっており、この
斜面６０を平面的にみると８μｍの幅をもって形成され
ている状態にある。従って、透過表示領域３２との境界
部分では、液晶層５０の層厚ｄが連続的に変化する結
果、リターデーションΔｎ・ｄも連続的に変化してい
る。また、液晶層５０に含まれる液晶分子は、第１の基
板１０および第２の基板２０の最表層に形成した配向膜
１２、２２によって初期の配向状態が規定されている
が、斜面６０では、配向膜１２の配向規制力が斜めに作
用するので、この部分では液晶分子の配向が乱れてい
る。

【００６１】このような不安定な状態にある境界領域
は、表示の品位を低下させる原因となる。そこで、本形
態では、反射モードでの表示品位の向上を目的として、
図２に拡大して示したように、反射表示領域３１と透過
表示領域３２との境界領域では、光反射層４の端縁４５
が、層厚調整層６の端部に形成されている斜面６０の上
端縁６５と平面的に重なっている。

【００６２】このため、本形態では、反射表示領域３１
と透過表示領域３２との境界領域において、層厚調整層
６の端部に形成されている斜面６０と平面的に重なる領
域には、光反射層４が形成されていない。従って、反射
表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域（層厚調
整層６が端部で斜面６０となっている領域）からは光が
反射してこない。なお、反射表示領域３１と透過表示領
域３２との境界領域（層厚調整層６が端部で斜面６０と
なっている領域）からは光が透過してくるが、図２６
（Ｂ）を参照して説明したように、透過光での光の漏れ
のレベルは、反射光での光の漏れと比較して著しく低
い。それ故、反射表示領域３１と透過表示領域３２との
境界領域において、層厚調整層６の厚さが連続的に変化
してリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化したとし
ても、また、液晶分子の配向が乱れていたとしても、反
射モードにおいて、このような領域で反射光が漏れてく
るおそれがない。よって、コントラストが高い、品位の
高い表示を行うことができる。また、反射表示領域３１
と透過表示領域３２との境界領域全体を遮光膜で覆った
場合と比較して、表示光量が低減しないので、明るい表
示を行うことができるなど、実施の形態１と同様な効果
を奏する。

【００６３】また、本形態では、透過表示領域３２の四
辺のうち、明視方向（６時側）に位置する辺３３は、画
素領域の辺３４と重なっており、この部分は遮光膜９と
平面的に重なっている。このため、透過表示領域３２の
周りのうち、明視方向側で光の漏れが発生しやすい傾向
にあるが、ここから漏れようとする光は、遮光膜９で遮
られて出射されない。それ故、コントラストが高い、品
位の高い表示を行うことができる。

【００６４】さらに、透過表示領域３２の四辺のうち、
辺３５、３６も、画素領域３の辺３７、３８と重なって
おり、この部分は遮光膜９と平面的に重なっている。こ
のため、透過表示領域３２の辺３５、３６に相当する領
域から漏れようとする光は、遮光膜９で遮られて出射さ
れない。それ故、コントラストが高い、品位の高い表示
を行うことができる。さらに、透過表示領域３２の明視
方向側の辺３３に隣接して、隣の反射表示領域３１ａが
形成されているので、この透過表示領域３２と隣の反射
表示領域３１ａとの境界領域（層厚調整層６が端部で斜
面６０となっている領域）で漏れようとする光は、遮光
膜９で遮られる。したがって、層厚調整層６が斜面６０
となっている領域でリターデーションΔｎ・ｄが連続的
に変化したとしても、また、液晶分子の配向が乱れてい
たとしても、ここから漏れる光が光層９で遮られるの
で、これにより、コントラストを向上させ、表示の品位
を向上させることができる。

【００６５】［実施の形態３］図４（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）はそれぞれ、液晶装置にマトリクス状に形成され
ている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的
に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断
面図である。図５は、この液晶装置に形成した光反射層
と層厚調整層の位置関係を示す説明図である。

【００６６】上記形態１、２はいずれも、反射光の漏れ
を防止する点に特徴を有しているのに対して、本形態お
よび後述する実施の形態４は、いずれも透過光の漏れを
防止する点に特徴を有し、その他の構成は共通してい
る。従って、以下の説明では、共通する機能を有する部
分については同一の符号を付して図示し、それらの説明
を省略する。

【００６７】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、および図５
において、本形態では、透過モードでの表示品位の向上
を目的として、反射表示領域３１と透過表示領域３２と
の境界領域では、光反射層４の端縁４５が、層厚調整層
６の端部に形成されている斜面６０の下端縁６６と平面
的に重なっている。また、反射表示用カラーフィルタ８
１の端縁は、光反射層４の端縁と平面的に重なる位置に
ある。

【００６８】このため、本形態では、反射表示領域３１
と透過表示領域３２との境界領域において、層厚調整層
６の端部に形成されている斜面６０には光反射層４が平
面的に重なっている。従って、反射表示領域３１と透過
表示領域３２との境界領域（層厚調整層６が端部で斜面
６０となっている領域）からは光が透過してこない。そ
れ故、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領
域においては、層厚調整層６の厚さが連続的に変化して
リターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化したとして
も、また、液晶分子の配向が乱れていたとしても、透過
モードにおいて、このような領域で光が漏れるおそれが
ない。よって、コントラストが高い、品位の高い表示を
行うことができる。また、反射表示領域３１と透過表示
領域３２との境界領域全体を遮光膜で覆った場合と比較
して、表示光量が低減しないので、明るい表示を行うこ
とができる。

【００６９】また、本形態では、透過表示領域３２の四
辺のうち、明視方向（６時側）に位置する辺３３は、画
素領域の辺３４と重なっており、この部分は遮光膜９と
平面的に重なっている。このため、透過表示領域３２の
周りのうち、明視方向側で光の漏れが発生しやすい傾向
にあるが、ここから漏れようとする光は、遮光膜９で遮
られて出射されない。それ故、コントラストが高い、品
位の高い表示を行うことができる。さらに、透過表示領
域３２の明視方向側の辺３３に隣接して、隣の反射表示
領域３１ａが形成されているので、この透過表示領域３
２と隣の反射表示領域３１ａとの境界領域（層厚調整層
６が端部で斜面６０となっている領域）で漏れようとす
る光は、遮光膜９で遮られる。したがって、層厚調整層
６が斜面６０となっている領域でリターデーションΔｎ
・ｄが連続的に変化したとしても、また、液晶分子の配
向が乱れていたとしても、ここから漏れる光は遮光層９
で遮られるので、これにより、コントラストを向上さ
せ、表示の品位を向上させることができる。

【００７０】［実施の形態４］図６（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ、液晶装置にマトリクス状に形成されている複数
の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面
図、およびそのＢ−Ｂ′断面図である。

【００７１】図６（Ａ）、（Ｂ）および図５において、
本形態でも、実施の形態３と同様、透過モードでの表示
品位の向上を目的として、反射表示領域３１と透過表示
領域３２との境界領域では、光反射層４の端縁４５が、
層厚調整層６の端部に形成されている斜面６０の下端縁
６６と平面的に重なっている。また、反射表示用カラー
フィルタ８１の端縁は、光反射層４の端縁と平面的に重
なる位置にある。

【００７２】このため、本形態では、反射表示領域３１
と透過表示領域３２との境界領域において、層厚調整層
６の端部に形成されている斜面６０には光反射層４が平
面的に重なっている。従って、反射表示領域３１と透過
表示領域３２との境界領域（層厚調整層６が端部で斜面
６０となっている領域）からは光が透過してこない。そ
れ故、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領
域においては、層厚調整層６の厚さが連続的に変化して
リターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化したとして
も、また、液晶分子の配向が乱れていたとしても、透過
モードにおいて、このような領域で光が漏れるおそれが
ない。よって、コントラストが高い、品位の高い表示を
行うことができる。また、反射表示領域３１と透過表示
領域３２との境界領域全体を遮光膜で覆った場合と比較
して、表示光量が低減しないので、明るい表示を行うこ
とができる。

【００７３】また、本形態では、透過表示領域３２の四
辺のうち、明視方向（６時側）に位置する辺３３は、画
素領域３の辺３４と重なっており、この部分は遮光膜９
と平面的に重なっている。このため、透過表示領域３２
の周りのうち、明視方向側で光の漏れが発生しやすい傾
向にあるが、ここから漏れようとする光は、遮光膜９で
遮られて出射されない。それ故、コントラストが高い、
品位の高い表示を行うことができる。さらに、透過表示
領域３２の明視方向側の辺３３に隣接して、隣の反射表
示領域３１ａが形成されているので、この透過表示領域
３２と隣の反射表示領域３１ａとの境界領域（層厚調整
層６が端部で斜面６０となっている領域）で漏れようと
する光は、遮光膜９で遮られる。したがって、層厚調整
層６が斜面６０となっている領域でリターデーションΔ
ｎ・ｄが連続的に変化したとしても、また、液晶分子の
配向が乱れていたとしても、ここから漏れる光が遮光層
９で遮られるので、これにより、コントラストを向上さ
せ、表示の品位を向上させることができる。

【００７４】さらに、透過表示領域３２の四辺のうち、
辺３５、３６も、画素領域３の辺３７、３８と重なって
おり、この部分は遮光膜９と平面的に重なっている。こ
のため、透過表示領域３２の辺３５、３６に相当する領
域から漏れようとする光は、遮光膜９で遮られて出射さ
れない。それ故、コントラストが高い、品位の高い表示
を行うことができる。

【００７５】［実施の形態５］図７は、図１に示した実
施の形態１の変形例を示すもので、図７（Ａ）、（Ｂ）
はそれぞれ、液晶装置にマトリクス状に形成されている
複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す
平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図である。なお、本形
態の液晶装置において、実施の形態１と同一の構成要素
には同一の符号を付して説明を省略する。

【００７６】本形態が、前記実施の形態１と大きく異な
る点は、透過表示領域３２と隣の反射表示領域３１ａと
の境界領域において、反射表示用カラーフィルタ８１と
透過表示用カラーフィルタ８２との間に遮光膜９ａが設
けられている点である。この遮光膜９ａと透過表示用カ
ラーフィルタ８２との境界は、層厚調整層６の端部に形
成されている斜面６０の下端縁６６と平面的にほぼ重な
っており、遮光膜９ａと反射表示用カラーフィルタ８１
との境界および光反射層４と遮光膜９ａとの境界は、斜
面６０の上端縁６５と平面的にほぼ重なっている。遮光
膜９ａは、例えばカーボンブラックを含有させたアクリ
ル系樹脂を用いて構成され、スピンコーターで塗布後、
パターニングを行うことによって形成することができ
る。

【００７７】かかる構成によれば、前記実施の形態１と
同様の作用効果が得られるほか、特に透過表示領域３２
と隣の反射表示領域３１ａとの境界領域において、反射
表示用カラーフィルタ８１と透過表示用カラーフィルタ
８２との間に遮光膜９ａが設けられており、層厚調整層
６が端部で斜面６０となっている領域が、遮光層９ａと
平面的に重なっているので、この境界領域から光が漏れ
るおそれがない。またこの境界領域は、元々隣接する画
素領域同士の境界でもあり、遮光性の膜や配線が形成さ
れる領域であるので、反射表示用カラーフィルタ８と透
過表示用カラーフィルタ８２との間に遮光膜９ａを設け
ることによる表示光量の減少量が少なくて済む。したが
って、層厚調整層６の斜面６０から漏れる光を効果的に
遮光して、コントラストの向上および表示品位の向上を
図ることができる。

【００７８】なお、ここでは説明を省略するが、前記実
施の形態２においても同様に、透過表示領域３２と隣の
反射表示領域３１ａとの境界領域において、反射表示用
カラーフィルタ８１と透過表示用カラーフィルタ８２と
の間に、本形態と同様の遮光膜９ａを設けてもよい。

【００７９】［実施の形態６］図８は、本形態の液晶装
置の下基板における各層の位置関係を示す説明図であ
る。本形態が前記実施の形態１と大きく異なる点は、層
厚調整層６の端部に斜面６０が形成されている領域にお
いて、反射表示用カラーフィルタ８１ａの端部と透過表
示用カラーフィルタ８２ａの端部とが重なり合ってオー
バーラップ部８３が形成されている点である。なお、本
形態の液晶装置において、実施の形態１と同一の構成要
素には同一の符号を付して説明を省略する。

【００８０】本形態において、第１の基板１０上にはア
ルミニウム膜や銀合金膜等からなる光反射層４が形成さ
れ、この光反射層４には矩形の開口４０が形成されてい
る。このため、画素領域において、光反射層４が形成さ
れている領域は反射表示領域３１となっているが、開口
４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていない
矩形の透過表示領域３２になっている。光反射層４の端
縁は層厚調整層６の端部に形成されている斜面６０の上
端縁６５と平面的にほぼ重なっている。

【００８１】また、光反射層４上には反射表示用カラー
フィルタ８１ａが形成されており、この反射表示用カラ
ーフィルタ８１ａの端縁は、層厚調整層６の端部に形成
されている斜面６０の下端縁６６とほぼ平面的に重なっ
ている。一方、光反射層４の開口４０内においては、第
１の基板１０上に透過表示用カラーフィルタ８２ａが形
成されている。この透過表示用カラーフィルタ８２ａの
端縁は、層厚調整層６の端部に形成されている斜面６０
の上端縁６５とほぼ平面的に重なっており、層厚調整層
６の端部に斜面６０が形成されている領域においては、
反射表示用カラーフィルタ８１ａの端部上に透過表示用
カラーフィルタ８２ａの端部が積層されたオーバーラッ
プ部８３が形成されている。透過表示用カラーフィルタ
８２ａの上面はオーバーラップ部８３で若干盛り上がっ
ており、オーバーラップ部８３における反射表示用カラ
ーフィルタ８１ａと透過表示用カラーフィルタ８２ａの
合計の膜厚は、他の部分での反射表示用カラーフィルタ
８１ａの膜厚および透過表示用カラーフィルタ８２ａの
膜厚のいずれよりも厚くなっている。

【００８２】かかる構成を有する下基板は、例えば以下
のようにして形成することができる。まず、前記実施の
形態１と同様にして、第１の基板１０の全面に反射性の
金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用し
て、この金属膜をパターニングして光反射層４を形成す
る。

【００８３】次に、フレキソ印刷法やインクジェット法
等を利用して、第１の基板１０の全面上に反射表示用カ
ラーフィルタ８１ａを形成した後、フォトリグラフィ技
術を用いて不要部分（透過表示領域３２のうちのオーバ
ーラップ部８３を除く部分）を除去する。次いで、フレ
キソ印刷法、インクジェット法、フォトリグラフィ技術
等を用いて透過表示領域３２に透過表示用カラーフィル
タ８２ａを形成する。

【００８４】次に、スピンコート法を利用して、第１の
基板１０の全面に感光性樹脂を塗布した後、露光、現像
して層厚調整層６を形成する。

【００８５】この後、前記実施の形態１と同様にして、
第１の透明電極１１および配向膜１２（いずれも図示
略）を形成する。

【００８６】本形態によれば、層厚調整層６の端部に斜
面６０が形成されている領域と平面的に重なるようにオ
ーバーラップ部８３が形成されており、この領域には光
反射層４は形成されていない。したがって、斜面６０が
形成されている領域においては、バックライトからの光
がオーバーラップ部８３を透過した後に液晶層を通って
出射されるので、視覚的に目立たなくなる。これにより
斜面６０で形成されている領域で生じる表示不良を目立
たなくして、コントラストの向上、表示品位の向上を図
ることができる。また、反射表示領域３１と透過表示領
域３２との境界領域に、表示に寄与しないオーバーラッ
プ部８３が設けられているので、製造工程で生じる誤差
による表示不良が生じ難い。

【００８７】［実施の形態７］図９は、本形態の液晶装
置の下基板における各層の位置関係を示す説明図であ
る。本形態が前記実施の形態６と大きく異なる点は、光
反射層４の端縁４５が、層厚調整層６の斜面６０の下端
縁６６と平面的に重なっている点である。なお、本形態
の液晶装置において、実施の形態６と同一の構成要素に
は同一の符号を付して説明を省略する。

【００８８】本形態の液晶装置における下基板は、前記
実施の形態６の下基板の製造において、光反射層４を、
その端縁４５が層厚調整層６の斜面６０の下端縁６６と
平面的に重なるように形成するほかは、同様の手順で製
造することができる。

【００８９】本形態によれば、層厚調整層６の端部に斜
面６０が形成されている領域と平面的に重なるように、
オーバーラップ部８３が形成されており、さらにこの領
域には光反射層４が形成されている。したがって、斜面
６０が形成されている領域においては、光反射層４で反
射した光がオーバーラップ部８３を透過した後に液晶層
を通って出射されるので、視覚的に目立たなくなる。こ
れにより斜面６０が形成されている領域で生じる表示不
良を目立たなくして、コントラストの向上、表示品位の
向上を図ることができる。また、反射表示領域３１と透
過表示領域３２との境界領域に、表示に寄与しないオー
バーラップ部８３が設けられているので、製造工程で生
じる誤差による表示不良が生じ難い。

【００９０】［実施の形態８］図１０は、本形態の液晶
装置の下基板における各層の位置関係を示す説明図であ
る。本形態が前記実施の形態６と大きく異なる点は、光
反射層４の端縁４５が、平面的に、層厚調整層６の斜面
６０の上端縁６５と下端縁６６との間に位置している点
である。また、本形態では、反射表示用カラーフィルタ
８１ａの端縁が、斜面６０の下端縁６６よりも、若干、
開口部４０の内側方向に位置しており、透過表示用カラ
ーフィルタ８１ａの端縁が、斜面６０の上端縁６５より
も、若干、開口部４０の外側方向に位置している。な
お、本形態の液晶装置において、実施の形態６と同一の
構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

【００９１】本形態の液晶装置における下基板は、前記
実施の形態６の下基板の製造において、光反射層４を、
その端縁４５が、平面的に層厚調整層６の斜面６０の上
端縁６５と下端縁６６との間に位置するように形成する
とともに、反射表示用カラーフィルタ８１ａおよび透過
表示用カラーフィルタ８２ａの端縁の位置を若干変更す
るほかは、同様の手順で製造することができる。

【００９２】本形態によれば、層厚調整層６の端部に斜
面６０が形成されている領域と平面的に重なるように、
オーバーラップ部８３が形成されており、この領域内に
は外周部にのみ光反射層４が形成されている。したがっ
て、斜面６０が形成されている領域においては、光反射
層４で反射した光およびバックライトからの光がオーバ
ーラップ部８３を透過した後に液晶層を通って出射され
るので、視覚的に目立たなくなる。これにより斜面６０
が形成されている領域で生じる表示不良を目立たなくし
て、コントラストの向上、表示品位の向上を図ることが
できる。また、本形態ではオーバーラップ部８３の幅
が、斜面６０の平面的な幅よりも大きく、平面視したと
きに斜面６０が完全にオーバーラップ部８３に含まれて
いるので、オーバーラップ部８３を透過しない光が斜面
６０を透過して出射されるのを確実に防止することがで
きる。

【００９３】［実施の形態９］図１１は、本形態の液晶
装置の下基板における各層の位置関係を示す説明図であ
る。本形態が前記実施の形態６と大きく異なる点は、オ
ーバーラップ部８３が、反射表示用カラーフィルタ８１
ａ、および３層の色調の異なる透過表示用カラーフィル
タ８２Ｒ、８２Ｇ、８２Ｂの４層を積層して形成されて
いる点である。また、本形態では、反射表示用カラーフ
ィルタ８１ａの端縁が、斜面６０の下端縁６６よりも、
若干、開口部４０の内側方向に位置しており、上から２
層の透過表示用カラーフィルタ８２Ｇ、８２Ｂ端縁が、
斜面６０の上端縁６５よりも、若干、開口部４０の外側
方向に位置している。なお、本形態の液晶装置におい
て、実施の形態６と同一の構成要素には同一の符号を付
して説明を省略する。

【００９４】本形態の液晶装置における下基板は、次の
ようにして製造することができる。まず、前記実施の形
態１と同様にして、第１の基板１０の全面に反射性の金
属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用し
て、この金属膜をパターニングして光反射層４を形成す
る。

【００９５】次に、フレキソ印刷法やインクジェット法
等を利用して、第１の基板１０の全面上に反射表示用カ
ラーフィルタ８１ａを形成した後、フォトリグラフィ技
術を用いて透過表示領域３２内の不要部分を除去する。

【００９６】次いで、フレキソ印刷法、インクジェット
法、フォトリグラフィ技術等を用いて透過表示領域３２
に透過表示用カラーフィルタ８２Ｒを形成する。このと
き、各透過表示領域３２には、まず赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色調の層（図の例では赤
の透過表示用カラーフィルタ８２Ｒ）を所定の配列パタ
ーンとなるように形成した後、オーバーラップ部８３
に、該透過表示領域３２に形成されていない２色の層
（図の例では緑の透過表示用カラーフィルタ８２Ｇおよ
び青の透過表示用カラーフィルタ８２Ｂ）を順に積層さ
せる。

【００９７】次に、スピンコート法を利用して、第１の
基板１０の全面に感光性樹脂を塗布した後、露光、現像
して層厚調整層６を形成する。この後、前記実施の形態
１と同様にして、第１の透明電極１１および配向膜１２
（いずれも図示略）を形成する。

【００９８】本形態によれば、特にオーバーラップ部８
３に、反射表示用カラーフィルタ８１ａ、および３層の
色調の異なる透過表示用カラーフィルタ８２Ｒ、８２
Ｇ、８２Ｂの、色調の異なる４層が積層されているの
で、このオーバーラップ部８３がブラックマトリクスと
しての役割を果たす。したがって、層厚調整層６の端部
に斜面６０が形成されている領域においては、バックラ
イトからの透過光の大部分がオーバーラップ部８３で吸
収されるので、視覚的にはこの領域はほぼ黒表示とな
る。よって、斜面６０が形成されていることに起因して
生じる表示不良を目立たなくして、コントラストの向
上、表示品位の向上を図ることができる。また、本形態
ではオーバーラップ部８３の幅が、斜面６０の平面的な
幅ｗよりも大きく、平面視したときに斜面６０が完全に
オーバーラップ部８３に含まれているので、オーバーラ
ップ部８３を透過しない光が斜面６０を透過して出射さ
れるのを確実に防止することができる。

【００９９】［実施の形態１０］次に、実施の形態１な
いし９に係る構成が採用されるＴＦＤアクティブマトリ
クス型液晶装置の構成を説明する。

【０１００】図１２は、液晶装置の電気的構成を模式的
に示すブロック図である。図１３は、この液晶装置の構
造を示す分解斜視図である。図１４は、液晶装置におい
て液晶を挟持する１対の基板のうち、素子基板における
１画素分の平面図である。図１５（Ａ）、（Ｂ）はそれ
ぞれ、図１４のIII−III′線断面図、および各画素に形
成されているＴＦＤ素子の斜視図である。

【０１０１】図１２に示す液晶装置１００では、複数の
配線としての走査線１５１が行方向（Ｘ方向）に形成さ
れ、複数のデータ線１５２が列方向（Ｙ方向）に形成さ
れている。走査線１５１とデータ線１５２との各交差点
に対応する位置には画素１５３が形成され、この画素１
５３では、液晶層１５４と、画素スイッチング用のＴＦ
Ｄ素子１５６（非線形素子）とが直列に接続されてい
る。各走査線１５１は走査線駆動回路１５７によって駆
動され、各データ線１５２はデータ線駆動回路１５８に
よって駆動される。

【０１０２】このような構成のアクティブマトリクス方
式の液晶装置１００は、図１３に示すように、液晶１０
６を保持する透明な一対の基板のうち、素子基板１２０
では、複数本の走査線１５１が延びており、各走査線１
５１には、ＴＦＤ素子１５６を介して、画素電極１６６
が電気的に接続している。これに対して、対向基板１１
０には、素子基板１２０の走査線１５１と交差する方向
に延びた複数列の帯状のデータ線１５２がＩＴＯ膜によ
って形成され、各データ線１５２の間にはブラックスト
ライプと称せられる遮光膜１５９が形成されている。従
って、画素電極１６６の周りは、平面的には、遮光膜１
５９および走査線１５１で囲まれた状態にある。

【０１０３】なお、液晶１０６として通常のＴＮモード
の液晶１０６が用いられ、この種の液晶１０６は、光の
偏光方向を変えることにより光変調を行うので、対向基
板１１０および素子基板１２０の各外側表面には偏光板
１０８、１０９が重ねて配置される。また、偏光板１０
８の側にはバックライト装置１０３が対向配置される。

【０１０４】なお、ここに示す例では、素子基板１２０
に走査線１５１を形成し、対向基板１０にデータ線１５
２を形成したが、素子基板１２０にデータ線を形成し、
対向基板１１０に走査線を形成してもよい。

【０１０５】ＴＦＤ素子１５６は、例えば、図１４およ
び図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１２０
の表面に成膜された下地層１６１の上に形成された第１
のＴＦＤ素子１５６ａ、および第２のＴＦＤ素子１５６
ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢ
ａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。こ
のため、ＴＦＤ素子１５６は、電流−電圧の非線形特性
が正負双方向にわたって対称化されている。下地層１６
１は、例えば、厚さが５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の酸化
タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）によって構成されている。

【０１０６】第１のＴＦＤ素子１５６ａ、および第２の
ＴＦＤ素子１５６ｂは、第１の金属膜１６２と、この第
１の金属膜１６２の表面に形成された絶縁膜１６３と、
絶縁膜１６３の表面に互いに離間して形成された第２の
金属膜１６４ａ、１６４ｂとによって構成されている。
第１の金属膜１６２は、例えば、厚さが１００ｎｍ〜５
００ｎｍ程度のＴａ単体膜、あるいはＴａ−Ｗ（タング
ステン）合金膜などのＴａ合金膜によって形成され、絶
縁膜１６３は、例えば、陽極酸化法によって第１の金属
膜１６２の表面を酸化することによって形成された厚さ
が１０ｎｍ〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）であ
る。

【０１０７】第２の金属膜１６４ａ、１６４ｂは、クロ
ム（Ｃｒ）等といった遮光性の金属膜によって５０ｎｍ
〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２の金属
膜１６４ａは、そのまま走査線１５１となり、他方の第
２の金属膜１６４ｂは、ＩＴＯなどからなる画素電極１
６６に接続されている。

【０１０８】このように構成した液晶装置１００におい
て、画素電極１６６とデータ線１５２とが対向している
領域が実施の形態１ないし９で説明した画素領域３とな
る。従って、素子基板１２０、対向基板１１０、画素電
極１６６、データ線１５２、および遮光膜１５９はそれ
ぞれ、実施の形態１ないし９における第１の基板１０、
第２の基板２０、第１の電極１１、第２の電極２１、お
よび遮光膜９に相当し、画素電極１６６の下層側に、図
１ないし図１１を参照して説明した光反射膜４、反射表
示用カラーフィルタ８１（８１ａ）、透過表示用カラー
フィルタ８２（８２ａ、８２Ｒ、８２Ｇ、８２Ｂ）およ
び層厚調整層６が形成されることになる。

【０１０９】［実施の形態１１］次に、実施の形態１な
いし９に係る構成が採用されるＴＦＴアクティブマトリ
クス型液晶装置の構成を説明する。

【０１１０】図１６は、ＴＦＴアクティブマトリクス型
液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平
面図であり、図１７は、図１６のＨ−Ｈ′断面図であ
る。図１８は、液晶装置の画像表示領域においてマトリ
クス状に形成された複数の画素における各種素子、配線
等の等価回路図である。

【０１１１】図１６および図１７において、本形態の液
晶装置２００は、ＴＦＴアレイ基板２１０と対向基板２
２０とがシール材２５２によって貼り合わされ、このシ
ール材２５２によって区画された領域（液晶封入領域）
内には、電気光学物質としての液晶２５０が挟持されて
いる。ＴＦＴアレイ基板２１０および対向基板２２０の
各々には偏光板２８８、２８９が配置され、偏光板２８
８の側に対してはバックライト装置２９０が対向配置さ
れている。

【０１１２】シール材２５２の形成領域の内側領域に
は、遮光性材料からなる周辺見切り２５３が形成されて
いる。シール材２５２の外側の領域には、データ線駆動
回路３０１、および実装端子３０２がＴＦＴアレイ基板
２１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接
する２辺に沿って走査線駆動回路３０４が形成されてい
る。ＴＦＴアレイ基板２１０の残る一辺には、画像表示
領域の両側に設けられた走査線駆動回路３０４の間をつ
なぐための複数の配線３０５が設けられており、更に、
周辺見切り２５３の下などを利用して、プリチャージ回
路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板
２２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板２１０と対向基板２２０との間で電気的
導通をとるための基板間導通材３０６が形成されてい
る。

【０１１３】なお、データ線駆動回路３０１および走査
線駆動回路３０４をＴＦＴアレイ基板２１０の上に形成
する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴ
ＡＢ（テープ オートメイテッド、ボンディング）基板
をＴＦＴアレイ基板２１０の周辺部に形成された端子群
に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接
続するようにしてもよい。なお、本形態の液晶装置２０
０でも、液晶５０はＴＮモードで使用されている。

【０１１４】このような構造を有する液晶装置２００の
画像表示領域においては、図１８に示すように、複数の
画素２００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素２００ａの各々には、画素電極２０９
ａ、およびこの画素電極２０９ａを駆動するための画素
スイッチング用のＴＦＴ２３０が形成されており、画素
信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線２０６ａ
が当該ＴＦＴ２３０のソースに電気的に接続されてい
る。データ線２０６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・
・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、
相隣接する複数のデータ線２０６ａ同士に対して、グル
ープ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ２３
０のゲートには走査線２０３ａが電気的に接続されてお
り、所定のタイミングで、走査線２０３ａにパルス的に
走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加
するように構成されている。画素電極２０９ａは、ＴＦ
Ｔ２３０のドレインに電気的に接続されており、スイッ
チング素子であるＴＦＴ２３０を一定期間だけそのオン
状態とすることにより、データ線２０６ａから供給され
る画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイ
ミングで書き込む。このようにして画素電極２０９ａを
介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、
Ｓ２、・・・Ｓｎは、図１７に示す対向基板２２０の対
向電極２２１との間で一定期間保持される。

【０１１５】ここで、液晶２５０は、印加される電圧レ
ベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光
がこの液晶２５０の部分を通過する光量が低下し、ノー
マリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じ
て入射光がこの液晶２５０の部分を通過する光量が増大
していく。その結果、全体として液晶装置２００からは
画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラスト
を持つ光が出射される。

【０１１６】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極２０９
ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積
容量２６０を付加することがある。例えば、画素電極２
０９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３
桁も長い時間だけ蓄積容量２６０により保持される。こ
れにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比
の高い液晶装置２００が実現できる。なお、蓄積容量２
６０を形成する方法としては、図１８に例示するよう
に、蓄積容量２６０を形成するための配線である容量線
２０３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線
２０３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよ
い。

【０１１７】図１９は、本形態の液晶装置に用いたＴＦ
Ｔアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であ
る。図２０は、本形態の液晶装置の画素の一部を図１９
のＣ−Ｃ′線に相当する位置で切断したときの断面図で
ある。

【０１１８】図１９において、ＴＦＴアレイ基板２１０
上には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極２０９ａがマトリクス
状に形成されており、これら各画素電極２０９ａに対し
て画素スイッチング用のＴＦＴ２３０がそれぞれ接続し
ている。また、画素電極２０９ａの縦横の境界に沿っ
て、データ線２０６ａ、走査線２０３ａ、および容量線
２０３ｂが形成され、ＴＦＴ２３０は、データ線２０６
ａおよび走査線２０３ａに対して接続している。すなわ
ち、データ線２０６ａは、コンタクトホールを介してＴ
ＦＴ２３０の高濃度ソース領域２０１ｄに電気的に接続
し、画素電極２０９ａは、コンタクトホールを介してＴ
ＦＴ２０３の高濃度ドレイン領域２０１ｅに電気的に接
続している。また、ＴＦＴ２３０のチャネル領域２０１
ａ′に対向するように走査線２０３ａが延びている。な
お、蓄積容量２６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ２
３０を形成するための半導体膜２０１の延設部分２０１
ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極２４１
に、走査線２０３ｂと同層の容量線２０３ｂが上電極と
して重なった構造になっている。

【０１１９】このように構成した液晶装置２００におい
て、ＴＦＴアレイ基板２１０の表面には、厚さが５０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜２０１ａが形成されて
いる。半導体膜２０１ａの表面には、厚さが約５０〜１
５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２０２
が形成され、このゲート絶縁膜２０２の表面に、厚さが
３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線２０３ａがゲート電極
として通っている。半導体膜２０１ａのうち、走査線２
０３ａに対してゲート絶縁膜２０２を介して対峙する領
域がチャネル領域２０１ａ′になっている。このチャネ
ル領域２０１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領
域２０１ｂおよび高濃度ソース領域２０１ｄを備えるソ
ース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域２
０１ｃおよび高濃度ドレイン領域２０１ｅを備えるドレ
イン領域が形成されている。

【０１２０】画素スイッチング用のＴＦＴ２３０の表面
側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化
膜からなる第１層間絶縁膜２０４、および厚さが１００
ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶
縁膜２０５が形成されている。第１層間絶縁膜２０４の
表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線２
０６ａが形成され、このデータ線２０６ａは、第１層間
絶縁膜２０４に形成されたコンタクトホールを介して高
濃度ソース領域２０１ｄに電気的に接続している。

【０１２１】第２層間絶縁膜２０５の上層には、ＩＴＯ
膜からなる画素電極２０９ａが形成されている。画素電
極２０９ａは、第２層間絶縁膜２０５に形成されたコン
タクトホールなどを介してドレイン電極２０６ｂに電気
的に接続している。画素電極２０９ａの表面側にはポリ
イミド膜からなる配向膜２１２が形成されている。この
配向膜２１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が
施された膜である。

【０１２２】また、高濃度ドレイン領域２０１ｅからの
延設部分２０１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜
２０２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、
走査線２０３ａと同層の容量線２０３ｂが上電極として
対向することにより、蓄積容量２６０が構成されてい
る。

【０１２３】なお、ＴＦＴ２３０は、好ましくは上述の
ようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域２０１
ｂ、および低濃度ドレイン領域２０１ｃに相当する領域
に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を
有していてもよい。また、ＴＦＴ２３０は、ゲート電極
（走査線２０３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純
物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよ
びドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴで
あってもよい。

【０１２４】また、本形態では、ＴＦＴ２３０のゲート
電極（走査線２０３ａ）をソース−ドレイン領域の間に
１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これら
の間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるよう
にする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、
あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ２３０を構成すれ
ば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリー
ク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来
る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造
或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減
でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。

【０１２５】図２０において、対向基板２２０では、Ｔ
ＦＴアレイ基板２１０に形成されている画素電極２０９
ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリク
ス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光
膜２２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からな
る対向電極２２１が形成されている。また、対向電極２
２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２２
が形成され、この配向膜２２２は、ポリイミド膜に対し
てラビング処理が施された膜である。

【０１２６】このように構成した液晶装置２００におい
て、画素電極２０９ａと対向電極２２１とが対向してい
る領域が実施の形態１ないし９で説明した画素領域３と
なる。従って、ＴＦＴアレイ基板２１０、対向基板２２
０、画素電極２０９ａ、対向電極２２１、および遮光膜
２２３はそれぞれ、実施の形態１ないし９における第１
の基板１０、第２の基板２０、第１の電極１１、第２の
電極２１、および遮光膜９に相当し、画素電極２０９ａ
の下層側には、図１ないし図１１を参照して説明した反
射膜４、反射表示用カラーフィルタ８１（８１ａ）、透
過表示用カラーフィルタ８２（８２ａ、８２Ｒ、８２
Ｇ、８２Ｂ）および層厚調整層６が形成されることにな
る。

【０１２７】［液晶装置の電子機器への適用］このよう
に構成した反射型、あるいは半透過・反射型の液晶装置
は、各種の電子機器の表示部として用いることができる
が、その一例を、図２１、図２２、および図２３を参照
して説明する。

【０１２８】図２１は、本発明に係る液晶装置を表示装
置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図で
ある。

【０１２９】図２１において、電子機器は、表示情報出
力源５７０、表示情報処理回路５７１、電源回路５７
２、タイミングジェネレータ５７３、そして液晶装置５
７４を有する。また、液晶装置５７４は、液晶表示パネ
ル５７５および駆動回路５７６を有する。液晶装置５７
４としては、本発明を適用した液晶装置１、１００、２
００を用いることができる。

【０１３０】表示情報出力源５７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａ
ｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各
種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画
像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジ
ェネレータ５７３によって生成された各種のクロック信
号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった
表示情報を表示情報処理回路５７１に供給する。

【０１３１】表示情報処理回路５７１は、シリアル−パ
ラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路５７６
へ供給する。電源回路５７２は、各構成要素に所定の電
圧を供給する。

【０１３２】図２２は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ５８０は、
キーボード５８１を備えた本体部５８２と、液晶表示ユ
ニット５８３とを有する。液晶表示ユニット５８３は、
本発明を適用した液晶装置１、１００、２００を含んで
構成される。

【０１３３】図２３は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機５９０は、複数の操作ボタン５９１と、本発明を
適用した液晶装置１、１００、２００からなる表示部と
を有している。

【０１３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
１画素領域内で透過表示領域と反射表示領域との間で液
晶層の層厚を適正な値に変えたマルチギャップタイプの
液晶装置、およびそれを用いた電子機器において、反射
表示領域と前記透過表示領域との境界領域のうち、光反
射層と層厚調整層の端部に形成されている斜面とが平面
的に重なっている部分では光が透過しないので、透過モ
ードにおいて、前記斜面を透過して出射される光を低減
させることができる。これにより、透過表示領域と反射
表示領域との境界部分でリターデーションが不適正な状
態、あるいは液晶分子の配向が乱れている状態にあって
も、品位の高い表示を行うことのできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明の
実施の形態１に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリ
クス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを
抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、
およびＢ−Ｂ′断面図である。

【図２】図１に示す液晶装置に形成されている光反射膜
と層厚調整層の位置関係を示す説明図である。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形
態２に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に
形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出し
て模式的に示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図であ
る。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明の
実施の形態３に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリ
クス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを
抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、
およびＢ−Ｂ′断面図である。

【図５】図４に示す液晶装置に形成されている光反射膜
と層厚調整層の位置関係を示す説明図である。

【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形
態４に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に
形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出し
て模式的に示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図であ
る。

【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形
態５に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に
形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出し
て模式的に示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図であ
る。

【図８】本発明の実施の形態６に係る液晶装置の下基板
における各層の位置関係を示す説明図である。

【図９】本発明の実施の形態７に係る液晶装置の下基板
における各層の位置関係を示す説明図である。

【図１０】本発明の実施の形態８に係る液晶装置の下基
板における各層の位置関係を示す説明図である。

【図１１】本発明の実施の形態９に係る液晶装置の下基
板における各層の位置関係を示す説明図である。

【図１２】本発明に係る半透過・反射型のＴＦＤアクテ
ィブマトリクス型液晶装置の電気的構成を模式的に示す
ブロック図である。

【図１３】図１２に示す液晶装置の構造を示す分解斜視
図である。

【図１４】図１３に示す液晶装置において液晶を挟持す
る１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面
図である。

【図１５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１４のIII−I
II′線断面図、および図１４に示すＴＦＤ素子の斜視図
である。

【図１６】本発明に係る半透過・反射型のＴＦＴアクテ
ィブマトリクス型液晶装置を対向基板の側からみたとき
の平面図である。

【図１７】図１６のＨ−Ｈ′線における断面図である。

【図１８】図１６に示す液晶装置において、マトリクス
状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線
などの等価回路図である。

【図１９】図１６に示す液晶装置において、ＴＦＴアレ
イ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。

【図２０】図１６に示す液晶装置の画素の一部を図１９
のＣ−Ｃ′線に相当する位置で切断したときの断面図で
ある。

【図２１】本発明に係る液晶装置を表示装置として用い
た電子機器の回路構成を示すブロック図である。

【図２２】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一
実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ
を示す説明図である。

【図２３】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一
実施形態としての携帯電話機の説明図である。

【図２４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、従来の
半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されて
いる複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に
示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面
図である。

【図２５】従来の半透過・反射型の液晶装置において、
層厚調整層の斜面で発生する液晶分子の配向異常を示す
説明図である。

【図２６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、従来の半透過・
反射型の液晶装置で黒表示を行った時、反射表示領域か
ら透過表示領域にかけての反射光強度の分布を各ラビン
グ方向についてシュミレーションした結果を示す説明
図、および従来の半透過・反射型の液晶装置で黒表示を
行った時、反射表示領域から透過表示領域にかけての透
過光強度の分布を各ラビング方向についてシュミレーシ
ョンした結果を示す説明図である。

【符号の説明】

１、１００、２００ 液晶装置 ３ 画素領域 ５、５０ 液晶層 ６ 層厚調整層 ７ バックライト装置 ９ 境界用遮光膜 １０ 第１の基板 １１ 第１の透明電極 ２０ 第２の基板 ２１ 第２の透明電極 ３１ 反射表示領域 ３２ 透過表示領域 ４０ 光反射層の開口 ４１、４２ 偏光板 ４５ 光反射層の端縁 ６０ 層厚調整層の斜面 ６１ 層厚調整層の開口 ６５ 層厚調整層の斜面の上端縁 ６６ 層厚調整層の斜面の下端縁 ８１、８１ａ 反射表示用カラーフィルタ ８２、８２ａ、８２Ｒ、８２Ｇ、８２Ｂ 透過表示用カ
ラーフィルタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA14Z FA41Z FB04 FD06 GA01 GA06 GA13 HA07 LA16

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に第１の透明電極が形成された第１
   の基板と、前記第１の電極と対向する面側に第２の透明
   電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記
   第２の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第
   １の基板は、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極
   とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該画
   素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、前
   記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表
   示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層厚
   調整層、および前記第１の透明電極を下層側から上層側
   に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置にお
   いて、 前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域で
   は、前記光反射層の端縁が、前記層厚調整層の端部に形
   成されている斜面と平面的にほぼ重なる領域内に存在し
   ていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。
2. 【請求項２】前記光反射層の端縁が、前記層厚調整層の
   端部に形成されている斜面の上端縁と平面的にほぼ重な
   っていることを特徴とする請求項１記載の半透過・反射
   型液晶装置。
3. 【請求項３】 前記光反射層の端縁が、前記層厚調整層
   の端部に形成されている斜面の下端縁と平面的にほぼ重
   なっていることを特徴とする請求項１記載の半透過・反
   射型液晶装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
   前記画素領域は矩形領域として形成されている一方、前
   記透過表示領域は、明視方向側に位置する辺が前記画素
   領域の辺に平面的にほぼ重なる矩形領域として形成さ
   れ、かつ、 前記画素領域と前記透過表示領域の辺同士が重なる側に
   は、当該辺に対して平面的にほぼ重なるように遮光膜が
   形成されていることを特徴とする半透過・反射型液晶装
   置。
5. 【請求項５】 前記画素領域と前記透過表示領域とが重
   なっている辺に隣接して、隣の画素領域の反射表示領域
   が形成されていることを特徴とする請求項４記載の半透
   過・反射型液晶装置。
6. 【請求項６】 表面に第１の透明電極が形成された第１
   の基板と、前記第１の電極と対向する面側に第２の透明
   電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記
   第２の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第
   １の基板は、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極
   とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該画
   素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、前
   記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表
   示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層厚
   調整層、および前記第１の透明電極を下層側から上層側
   に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置にお
   いて、 前記画素領域は矩形領域として形成されている一方、前
   記透過表示領域は、明視方向側に位置する辺が前記画素
   領域の辺に平面的にほぼ重なる矩形領域として形成さ
   れ、かつ、 前記画素領域と前記透過表示領域の辺同士が重なる側に
   は、当該辺に対して平面的にほぼ重なるように遮光膜が
   形成されていることを特徴とする半透過・反射型液晶装
   置。
7. 【請求項７】 前記画素領域と前記透過表示領域とが重
   なっている辺に隣接して、隣の画素領域の反射表示領域
   が形成されていることを特徴とする請求項６記載の半透
   過・反射型液晶装置。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかにおいて、
   前記反射表示領域に形成された反射表示用カラーフィル
   タと、前記透過表示領域に形成された、前記反射表示用
   カラーフィルタよりも着色度の強い透過表示用カラーフ
   ィルタを備えていることを特徴とする半透過・反射型液
   晶装置。
9. 【請求項９】前記反射表示領域と前記透過表示領域との
   境界領域では、前記反射表示用カラーフィルタの端縁
   が、前記光反射層の端縁と平面的にほぼ重なっているこ
   とを特徴とする請求項８記載の半透過・反射型液晶装
   置。
10. 【請求項１０】前記反射表示領域と前記透過表示領域と
    の境界領域には、前記反射表示用カラーフィルタを構成
    する層および／または前記透過表示用カラーフィルタを
    構成する層であって、色調の異なる２層以上が積層され
    たオーバーラップ部が設けられていることを特徴とする
    請求項８記載の半透過・反射型液晶装置。
11. 【請求項１１】前記オーバーラップ部では、前記反射表
    示用カラーフィルタの端部と前記透過表示用カラーフィ
    ルタの端部とが重なり合っていることを特徴とする請求
    項１０記載の半透過・反射型液晶装置。
12. 【請求項１２】前記反射表示領域と前記透過表示領域と
    の境界領域では、前記層厚調整層の端部に斜面が形成さ
    れており、前記オーバーラップ部と平面的に重なる領域
    内に、前記斜面が存在していることを特徴とする請求項
    １０または１１のいずれかに記載の半透過・反射型液晶
    装置。
13. 【請求項１３】 請求項１ないし１２のいずれかにおい
    て、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域
    では、前記層厚調整層の端部に斜面が形成されており、
    該斜面の平面的な幅が８μｍ以下であることを特徴とす
    る半透過・反射型液晶装置。
14. 【請求項１４】 請求項１ないし１３のいずれかにおい
    て、前記液晶層では、液晶のツイスト角が９０°以下で
    あることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。
15. 【請求項１５】 請求項１ないし１４のいずれかに記載
    の半透過・反射型液晶装置を表示部に備えることを特徴
    とする電子機器。