JP3675427B2 - 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半透過・反射型液晶装置に関するものである。さらに詳しくは、１画素内で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層の層厚を適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
各種の液晶装置のうち、透過モードおよび反射モードの双方で画像を表示可能なものは半透過・反射型液晶装置と称せられ、あらゆるシーンで使用されている。
【０００３】
この半透過・反射型液晶装置では、図２１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、表面に第１の透明電極１１が形成された透明な第１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮ（ツイステッドネマティック）モードの液晶層５とを有している。また、第１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する画素領域３に反射表示領域３１を構成する光反射層４が形成され、この光反射層４の形成されていない残りの領域は、透過表示領域３２になっている。第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置されている。
【０００４】
このような構成の液晶装置１では、バックライト装置７から出射された光のうち、透過表示領域３２に入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、第１の基板１０の側から液晶層５に入射し、液晶層５で光変調された後、第２の基板２０の側から透過表示光として出射されて画像を表示する（透過モード）。
【０００５】
また、第２の基板２０の側から入射した外光のうち、反射表示領域３１に入射した光は、矢印Ｌ２で示すように、液晶層５を通って反射層４に届き、この反射層４で反射されて再び、液晶層５を通って第２の基板２０の側から反射表示光として出射されて画像を表示する（反射モード）。
【０００６】
ここで、第１の基板１０上には、反射表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成されているので、カラー表示が可能である。
【０００７】
このような光変調が行われる際、液晶のツイスト角を小さく設定した場合には、偏光状態の変化が屈折率差Δｎと液晶層５の層厚ｄの積（リターデーションΔｎ・ｄ）の関数になるため、この値を適正化しておけば視認性のよい表示を行うことができる。しかしながら、半透過・反射型の液晶装置１において、透過表示光は、液晶層５を一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層５を２度、通過することになるため、透過表示光および反射表示光の双方において、リターデーションΔｎ・ｄを最適化することは困難である。従って、反射モードでの表示が視認性のよいものとなるように液晶層５の層厚ｄを設定すると、透過モードでの表示が犠牲となる。逆に、透過モードでの表示が視認性のよいものとなるように液晶層５の層厚ｄを設定すると、反射モードでの表示が犠牲となる。
【０００８】
そこで、特開平１１−２４２２２６号には、反射表示領域３１における液晶層の層厚ｄを透過表示領域３２における液晶層５の層厚ｄよりも小さくする構成が開示されている。このような構成はマルチギャップタイプと称せられ、例えば、図２１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）５に示すように、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側に、透過表示領域３２に相当する領域が開口となっている層厚調整層６によって実現できる。すなわち、透過表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄを最適化することが可能である。ここで、層厚調整層６で液晶層５の層厚ｄを調整するには、層厚調整層６を分厚く形成する必要があり、このような分厚い層の形成には感光性樹脂などが用いられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、感光性樹脂層で層厚調整層６を形成する際、フォトリソグラフィ技術が用いられるが、その際の露光精度、あるいは現像の際のサイドエッチングなどが原因で、層厚調整層６は、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分で斜め上向きの斜面６０となってしまう。その結果、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分では、液晶層５の層厚ｄが連続的に変化する結果、リターデーションΔｎ・ｄも連続的に変化してしまう。また、液晶層５に含まれる液晶分子は、第１の基板１０および第２の基板２０の最表層に形成した配向膜１２、２２によって初期の配向状態が規定されているが、斜面６０では、配向膜１２の配向規制力が斜めに作用するので、この部分では液晶分子の配向が乱れている。
【００１０】
斜面にならない場合でも基板と段差部が垂直となり、境界で液晶分子の配向が乱れる可能性がある。
【００１１】
このため、従来の液晶装置１では、例えば、ノーマリホワイトで設計した場合、電場を印加状態において全面黒表示となるはずであるが、斜面６０に相当する部分で光が漏れてしまい、コントラストが低下するなどといった表示不良が発生してしまう。
【００１２】
以上の問題点に鑑みて、本発明では、１画素領域内で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層の層厚を適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶装置、およびそれを用いた電子機器において、透過表示領域と反射表示領域との境界部分でリターデーションが不適正な状態、あるいは液晶分子の配向が乱れている状態にあっても、品位の高い表示を行うことのできる構成を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、第１の基板と第２の基板の間に液晶層を介在させて構成され、複数の隣接する画素領域を備える液晶表示装置であって、前記画素領域に設けられた光反射層により構成される反射表示領域と、前記画素領域の残りの領域により構成される透過表示領域と、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層厚調整層と、を有し、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明において、反射表示領域と透過表示領域との境界領域とは、光反射層又は光反射電極の端縁で規定される反射表示領域と透過表示領域との境界と、この境界に隣接する反射表示領域の端部および／または該境界に隣接する透過表示領域の端部とからなる領域をいう。
本発明では、反射表示領域と透過表示領域との境界領域に重なるように遮光膜が形成されている。このため、反射表示領域と透過表示領域との境界領域において層厚調整層の厚さが連続的に変化して、この部分においてリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化している場合、あるいは、液晶分子の配向が乱れている場合でも、このような領域からは反射表示光も透過表示光も出射されない。
従って、黒表示時に光漏れが発生するなどといった不具合の発生を回避することができるので、コントラストが高い、品位の高い表示を行うことができる。
【００１８】
本発明において、前記遮光膜は、例えば、前記第１の透明基板側に形成されている。或いは、前記遮光膜は、前記第２の透明基板側に形成してもよい。
【００１９】
本発明において、前記層厚調整層は、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域が斜面になっていることが好ましい。
本発明において、前記遮光膜は、前記層厚調整層の前記斜面と平面的に重なる領域に形成されていることが好ましい。
ここで、遮光膜が前記斜面と平面的に重なる領域に形成されているとは、平面視したときに、前記斜面と前記遮光膜とが重なり合うことをいい、前記斜面が前記遮光膜に含まれてもよい。
【００２０】
本発明において、前記遮光膜は、前記光反射層の端部と平面的に重なるように形成されていることが好ましい。本発明においては、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域が遮光膜で覆われるように設計されるが、光反射膜の形成時の誤差や遮光膜の形成時の誤差等により、反射表示領域と透過表示領域との境界、すなわち光反射層又は光反射電極が形成されている領域と残りの領域との境界から光漏れが発生し、この漏れた光が層厚調整層の厚さが変化している部分や液晶分子の配向が乱れている部分を透過して出射されることによってコントラスト低下などの不具合を生じる可能性がある。そこで、遮光膜を、光反射層又は光反射電極の端部と平面的に重なるように形成することにより、反射表示領域と前記透過表示領域との境界からの光漏れを確実に防止することができる。
【００２１】
本発明において、前記透過表示領域は、例えば、前記反射表示領域内に島状に配置されている。
【００２２】
本発明において、前記透過表示領域は、前記画素領域の端部に配置されている場合もある。
【００２３】
本発明において、前記画素領域が矩形領域として形成されている場合には、前記透過表示領域は、例えば、前記画素領域の辺に少なくとも１辺が重なる矩形形状を有していることが好ましい。遮光膜の形成領域が広いほど、表示に寄与する光量が低下するため表示が暗くなるが、画素領域の辺に透過表示領域の辺を重ねると、その分、透過表示領域と反射表示領域との境界領域の全長、すなわち、遮光層の全長を短くできるので、表示に寄与する光量低下を最小限に抑えることができる。また、隣接する画素領域の境界領域には、一般に、遮光膜や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域の周りのうち、これらの遮光膜で覆われた部分は、もとより表示に寄与しないので、この部分でリターデーションや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下することはない。
【００２４】
このような構成としては、例えば、前記透過表示領域は、前記画素領域の辺に１辺が重なる位置に配置されている構成、前記画素領域の辺に２辺が重なる位置に配置されている構成、前記画素領域の辺に３辺が重なる位置に配置されている構成のいずれであってもよい。ここで、前記画素領域を２分するように遮光性の配線が前記遮光膜として通っており、該配線を挟む両側に前記反射表示領域および前記透過表示領域がそれぞれ配置すれば、前記透過表示領域が前記画素領域の辺に３辺が重なる位置に配置されている構成となる。
【００２５】
本発明において、前記画像表示領域にカラーフィルタを形成すれば、カラー表示用の半透過・反射型液晶装置を構成できる。この場合、前記反射表示領域には、反射表示用カラーフィルタを形成する一方、前記透過表示領域には、前記反射表示用カラーフィルタよりも着色度の強い透過表示用カラーフィルタを形成することが好ましい。
【００２６】
本発明において、前記反射表示領域が前記透過表示領域よりも広い構成、前記反射表示領域が前記透過表示領域よりも狭い構成、前記反射表示領域と前記透過表示領域とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
【００２７】
本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなといった電子機器の表示装置として用いることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いる各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２９】
［実施の形態１］
図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面図である。なお、本形態の液晶装置は、基本的な構成が従来の液晶装置と共通するので、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。
【００３０】
図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す画素領域は、後述するアクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置１は、ＩＴＯ膜などからなる第１の透明電極１１が表面に形成された石英やガラスなどの透明な第１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に同じくＩＴＯ膜などからなる第２の透明電極２１が形成された石英やガラスなどの透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。
【００３１】
液晶装置１において、画素領域３はマトリクス状に多数、形成されているが、これらの画素領域３同士の境界領域を平面的にみると、第１の基板１０あるいは第２の基板２０に形成されているブラックマクスやブラックストライプと称せられる遮光膜９０、あるいは遮光性の配線（図示せず）が通っている。従って、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状態にある。
【００３２】
第１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に反射表示領域３１を構成する矩形の光反射層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４の中央には矩形の開口４０が形成されている。このため、画素領域３において、光反射層４が形成されている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていない島状、かつ、矩形の透過表示領域３２になっている。
【００３３】
第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置されている。
【００３４】
このように構成した液晶装置１において、バックライト装置７から出射された光のうち、透過表示領域３２に入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、第１の基板１０の側から液晶層５０に入射し、そこで、光変調された後、第２の基板２０の側から透過表示光として出射されて画像を表示する（透過モード）。
【００３５】
また、第２の基板２０の側から入射した外光のうち、反射表示領域３１に入射した光は、矢印Ｌ２で示すように、液晶層５０を通って反射層４に届き、この反射層４で反射されて再び、液晶層５０を通って第２の基板２０の側から反射表示光として出射されて画像を表示する（反射モード）。
【００３６】
ここで、第１の基板１０上には、反射表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成されているので、カラー表示が可能である。透過表示用カラーフィルタ８２としては、顔料が多量に配合されているなど、反射表示用カラーフィルタ８１よりも着色度が強いものが用いられている。
【００３７】
このような半透過・反射型の液晶装置１において、透過表示光は、液晶層５０を一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層５０を２度、通過することになる。そこで、第１の基板１０において、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄを最適化できる。
【００３８】
この層厚調整層６を形成する際にはフォトリソグラフィ技術が用いられるが、その際の露光精度、あるいは現像の際のサイドエッチングなどが原因で、層厚調整層６は、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分が斜め上向きの斜面６０になっており、この斜面６０を平面的にみると８μｍの幅をもって形成されている状態にある。従って、透過表示領域３２との境界部分では、液晶層５０の層厚ｄが連続的に変化する結果、リターデーションΔｎ・ｄも連続的に変化している。また、液晶層５０に含まれる液晶分子は、第１の基板１０および第２の基板２０の最表層に形成した配向膜１２、２２によって初期の配向状態が規定されているが、斜面６０では、配向膜１２の配向規制力が斜めに作用するので、この部分では液晶分子の配向が乱れている。
【００３９】
このような不安定な状態にある境界領域は、表示の品位を低下させる原因となるので、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が形成されている。また遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。すなわち、本形態では、反射表示領域３１と透過表示領域３２とを仕切る光反射層４の内周縁全体に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うように、矩形の枠状に形成してある。
【００４０】
このように本形態では、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域において層厚調整層６の厚さが連続的に変化して、この部分においてリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化しても、また液晶分子の配向が乱れていても、このような領域からは、反射表示光も透過表示光も出射されない。また、遮光膜９は、光反射層４の内周端部と平面的に重なるように形成されているので、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界で光漏れが生じることがない。従って、黒表示時に光漏れするなどといった不具合の発生を回避することができるので、コントラストが高くて品位の高い表示を行うことができる。
【００４１】
また、透過表示用カラーフィルタ８２として、反射表示用カラーフィルタ８１よりも着色度が強いものが用いられているため、透過表示光がカラーフィルタを１度しか通過しない構成であっても、カラーフィルタを２度、通過する反射表示光と同等の着色を受けるので、品位の高いカラー表示を行うことができる。
【００４２】
このような構造の液晶装置１を製造する際、第１の基板１０は以下のようにして形成する。
【００４３】
まず、石英やガラスなどからなる第１の基板１０を準備した後、その全面にアルミニウムや銀合金などの反射性の金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、この金属膜をパターニングして光反射層４を形成する。 散乱機能を第１の基板にもたせる場合には金属膜を形成する前にガラスのエッチング又は樹脂等を用いて散乱構造を形成する場合もある。
【００４４】
次に、第１の基板１０の全面にクロムなどの遮光性の金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用してこの金属膜をパターニングして遮光膜９を形成する。
【００４５】
次に、フレキソ印刷法、フォトリグラフィ技術、あるいはインクジェット法を利用して、所定の領域に反射表示用カラーフィルタ８１、および透過表示用カラーフィルタ８２を形成する。
【００４６】
次に、スピンコート法を利用して、第１の基板１０の全面に感光性樹脂を塗布した後、露光、現像して層厚調整層６を形成する。
【００４７】
次に、第１の基板１０の全面にＩＴＯ膜などの透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、この透明導電膜をパターニングして第１の透明電極１１を形成する。
【００４８】
次に、スピンコート法を利用して、第１の基板１０の全面にポリイミド樹脂を塗布した後、焼成し、しかる後にラビング処理などの配向処理を施して配向膜１２を形成する。
【００４９】
このように形成した第１の基板１０については、別途、形成しておいた第２の基板２０と所定の間隔を介して貼り合わせ、しかる後に、基板間に液晶を注入して液晶層５０を形成する。
【００５０】
なお、液晶装置１では、第１の基板１０の側にＴＦＤやＴＦＴなどといった画素スイッチング用の非線形素子が形成される場合があるので、遮光膜９、その他の層については、ＴＦＤやＴＦＴなどを形成する工程の一部を利用して形成してもよい。
【００５１】
また、透過表示領域３１および透過表示領域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
【００５２】
［実施の形態２］
図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面図である。なお、本形態、および以下に説明する実施の形態３〜８に係る液晶装置は、基本的な構成が実施の形態１と共通するので、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、製造方法も実施の形態１と同様であるので、その説明を省略する。
【００５３】
図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す画素領域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置１も、第１の透明電極１１が表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状態にある。
【００５４】
第１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に反射表示領域３１を構成する光反射層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４の１辺に相当する部分には矩形の開口４０が形成されている。このため、画素領域３において、光反射層４が形成されている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていない矩形の透過表示領域３２になっている。ここで、透過表示領域３２は、その１辺が画素領域３の１辺と重なっている。
【００５５】
なお、第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置されている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成されているので、カラー表示が可能である。
【００５６】
本形態でも、第１の基板１０において、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されている。
【００５７】
ここで、層厚調整層６には、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこで、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が平面コの字形状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。すなわち、本形態では、矩形の透過表示領域３２の４辺のうち、画素領域３の１辺と重なっている領域を除く３辺に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うように、コの字形状に形成してある。
【００５８】
このように本形態では、実施の形態１と同様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００５９】
また、遮光膜９についてはその形成領域が広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜９が平面コの字形状に形成され、透過表示領域３２の１辺に相当する部分には遮光膜９が形成されていない。このため、遮光膜９の全長が短いので、その分、表示に寄与する光量の低下を最小限に抑えることができる。ここで、隣接する画素領域３の境界領域には、一般に、遮光膜９０や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域３２の周りのうち、これらの遮光膜９０で覆われた部分は、もとより表示に寄与しないので、この部分でリターデーションや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下することはない。
【００６０】
なお、本形態において、遮光膜９の端部は、隣接する画素領域３の境界領域まで届いているので、この境界領域を通る他の遮光膜９０、あるいは遮光性の配線から延長した部分として遮光膜９を形成してもよい。
【００６１】
また、透過表示領域３１および透過表示領域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
【００６２】
［実施の形態３］
図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
【００６３】
図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す画素領域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置１も、第１の透明電極１１が表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状態にある。
【００６４】
第１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に反射表示領域３１を構成する光反射層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４の角に相当する部分には矩形の開口４０が形成されている。このため、画素領域３において、光反射層４が形成されている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていない矩形の透過表示領域３２になっている。ここで、透過表示領域３２は、その２辺が画素領域３の２辺と各々重なっている。
【００６５】
なお、第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置されている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成されているので、カラー表示が可能である。
【００６６】
さらに、第１の基板１０において、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されている。
【００６７】
ここで、層厚調整層６には、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこで、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が平面Ｌ字形状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。すなわち、本形態では、矩形の透過表示領域３２の４辺のうち、画素領域３の２辺と重なっている領域を除く２辺に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うように、Ｌ字形状に形成してある。
【００６８】
このように本形態では、実施の形態１と同様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６９】
また、遮光膜９についてはその形成領域が広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜９が平面Ｌ字形状に形成され、透過表示領域３２の２辺に相当する部分には遮光膜９が形成されていない。このため、遮光膜９の全長が短いので、その分、表示に寄与する光量の低下を最小限に抑えることができる。ここで、隣接する画素領域３の境界領域には、一般に、遮光膜９０や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域３２の周りのうち、これらの遮光膜９０で覆われた部分は、もとより表示に寄与しないので、この部分でリターデーションや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下することはない。
【００７０】
なお、本形態において、遮光膜９の端部は、隣接する画素領域３の境界領域まで届いているので、この境界領域を通る他の遮光膜９０、あるいは遮光性の配線から延長した部分として遮光膜９を形成してもよい。
【００７１】
また、透過表示領域３１および透過表示領域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
【００７２】
［実施の形態４］
図４（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図である。
【００７３】
図４（Ａ）、（Ｂ）に示す画素領域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置１も、ＩＴＯ膜などからなる第１の透明電極１１が表面に形成された石英やガラスなどの透明な第１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に、同じくＩＴＯ膜などからなる第２の透明電極２１が形成された石英やガラスなどの透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮタイプの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状態にある。
【００７４】
第１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に反射表示領域３１を構成する光反射層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって矩形に形成されているが、画素領域３の約半分に相当する領域は、光反射層４の形成されていない矩形の開口４０になっている。このため、画素領域３において、光反射層４が形成されている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていない矩形の透過表示領域３２になっている。ここで、透過表示領域３２は、その３辺が画素領域３の３辺と各々重なっている。
【００７５】
なお、第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置されている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成されているので、カラー表示が可能である。
【００７６】
さらに、第１の基板１０において、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されている。
【００７７】
ここで、層厚調整層６には、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこで、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が一直線に形成されている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。すなわち、本形態では、矩形の透過表示領域３２の４辺のうち、画素領域３の３辺と重なっている領域を除く１辺に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うように、一直線に形成してある。
【００７８】
このように本形態では、実施の形態１と同様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７９】
また、遮光膜９についてはその形成領域が広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜９が一直線に形成され、透過表示領域３２の４辺のうち、３辺に相当する部分には遮光膜９が形成されていない。このため、遮光膜９の全長が短いので、その分、表示に寄与する光量の低下を最小限に抑えることができる。ここで、隣接する画素領域３の境界領域には、一般に、遮光膜９０や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域３２の周りのうち、これらの遮光膜９０で覆われた部分は、もとより表示に寄与しないので、この部分でリターデーションや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下することはない。
【００８０】
なお、本形態において、遮光膜９の端部は、隣接する画素領域３の境界領域まで届いているので、この境界領域を通る他の遮光膜９０、あるいは遮光性の配線から延長した部分として遮光膜９を形成してもよい。
【００８１】
また、透過表示領域３１および透過表示領域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
【００８２】
［実施の形態５］
本実施形態の液晶装置は、実施の形態１に係る液晶装置の遮光膜９の配置を変形したものであり、その画素領域の平面図に関しては図１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断面図のみ図５に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図５と同様であるため、省略している。また、図５示す画素領域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してある。
【００８３】
ここに示す液晶装置１も、第１の透明電極１１が表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状態にある。そして、第１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に反射表示領域３１を構成する矩形の光反射層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４の中央には矩形の開口４０が形成されている。このため、画素領域３において、光反射層４が形成されている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていない島状、かつ、矩形の透過表示領域３２になっている。
【００８４】
なお、第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置されている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成されているので、カラー表示が可能である。本形態でも、第１の基板１０において、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されている。
【００８５】
ここで、層厚調整層６には、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこで、本形態では、第２の基板２０において、平面視したときに反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。
このように本形態では、実施の形態１と同様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００８６】
［実施の形態６］
本実施形態の液晶装置は、実施の形態１に係る液晶装置の第１の基板１０上に形成される画素電極の構成及びカラーフィルタの配置を変形したものであり、その画素領域の平面図に関しては図１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断面図のみ図６に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図６と同様であるため、省略している。また、図６示す画素領域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してある。
【００８７】
ここに示す液晶装置１は、画素電極１１Ｔ，１１Ｒが表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１の基板１０と対向する面側に第２の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、画素電極１１Ｔ，１１Ｒと第２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状態にある。開口４０に配置される。
【００８８】
ここで、第１の基板１０の表面に形成された画素電極は、アルミニウム膜や銀合金膜からなる光反射電極１１Ｒと、ＩＴＯ等からなる第１の透明電極１１Ｔとから構成されている。この光反射電極１１Ｒは画素領域３の外周に沿うように矩形枠状に配され、中央部の開口４０の内側に第１の透明電極１１Ｔが配されている。つまり、本形態では、光反射層を画素電極として兼用した構成となっている。このため、画素領域３において、光反射電極１１Ｒが形成されている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光反射電極１１Ｒが形成されていない島状、かつ、矩形の透過表示領域３２になっている。
【００８９】
なお、第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置されている。また、本形態では、第２の基板２０上に、反射表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成されており、カラー表示を可能としている。そして、このカラーフィルタ８１，８２の上に上記の第２の透明電極２１が形成されている。
【００９０】
本形態では、画素電極１１Ｒ，１１Ｔの下層側に、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されている。
ここで、層厚調整層６には、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこで、本形態では、第１の基板１０において、平面視したときに反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。
【００９１】
このように本形態では、実施の形態１と同様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
なお、上述の実施の形態６では遮光膜９は第１の基板１０側に形成されているが、実施の形態５のように第２の基板２０側に形成してもよく、この場合でも同様の効果を得ることができる。
【００９２】
［実施の形態７］
本実施形態の液晶装置は、実施の形態１に係る液晶装置の層厚調整層６の配置を変形したものであり、その画素領域の平面図に関しては図１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断面図のみ図７に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図７と同様であるため、省略している。また、図７示す画素領域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してある。
【００９３】
ここに示す液晶装置１も、第１の透明電極１１が表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状態にある。そして、第１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に反射表示領域３１を構成する矩形の光反射層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４の中央には矩形の開口４０が形成されている。このため、画素領域３において、光反射層４が形成されている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていない島状、かつ、矩形の透過表示領域３２になっている。
【００９４】
なお、第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置されている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成されているので、カラー表示が可能である。
【００９５】
本形態では、第２の基板２０において、第２の透明電極２１の下層側に、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されている。
ここで、層厚調整層６には、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこで、本形態では、第１の基板１０において、平面視したときに反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。
【００９６】
このように本形態では、実施の形態１と同様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
なお、上述の実施の形態７では遮光膜９は第１の基板１０側に形成されているが、実施の形態５のように第２の基板２０側に形成してもよく、この場合でも同様の効果を得ることができる。
【００９７】
［実施の形態８］
本実施形態の液晶装置は、実施の形態６に係る液晶装置の層厚調整層，遮光膜９及び層厚調整層６の配置を変形したものであり、その画素領域の平面図に関しては図１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断面図のみ図８に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図８と同様であるため、省略している。また、図８示す画素領域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してある。
【００９８】
ここに示す液晶装置１は、画素電極１１Ｔ，１１Ｒが表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１の基板１０と対向する面側に第２の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、画素電極１１Ｔ，１１Ｒと第２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状態にある。開口４０に配置される。
【００９９】
ここで、第１の基板１０の表面に形成された画素電極は、アルミニウム膜や銀合金膜からなる光反射電極１１Ｒと、ＩＴＯ等からなる第１の透明電極１１Ｔとから構成されている。この光反射電極１１Ｒは画素領域３の外周に沿うように矩形枠状に配され、中央部の開口４０の内側に第１の透明電極１１Ｔが配されている。つまり、本形態では、光反射層を画素電極として兼用した構成となっている。このため、画素領域３において、光反射電極１１Ｒが形成されている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、光反射電極１１Ｒが形成されていない島状、かつ、矩形の透過表示領域３２になっている。
なお、第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置されている。また、本形態では、第２の基板２０上に、反射表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成され、カラー表示が可能となっている。
【０１００】
本形態では、第２の基板２０において、第２の透明電極２１の下層側、かつ、カラーフィルタ８１，８２の上層側に、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されている。
ここで、層厚調整層６には、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこで、本形態では、第２の基板２０において、平面視したときに反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。
【０１０１】
このように本形態では、実施の形態１と同様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
なお、上述の実施の形態７では遮光膜９は第１の基板１０側に形成されているが、実施の形態５のように第２の基板２０側に形成してもよく、この場合でも同様の効果を得ることができる。
【０１０２】
［実施の形態９］
次に、実施の形態１ないし８に係る構成が採用されるＴＦＤアクティブマトリクス型液晶装置の構成を説明する。
【０１０３】
図９は、液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。図１０は、この液晶装置の構造を示す分解斜視図である。図１１は、液晶装置において液晶を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図である。図１２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１１のIII−III′線断面図、および各画素に形成されているＴＦＤ素子の斜視図である。
【０１０４】
図９に示す液晶装置１００では、複数の配線としての走査線１５１が行方向（Ｘ方向）に形成され、複数のデータ線１５２が列方向（Ｙ方向）に形成されている。走査線１５１とデータ線１５２との各交差点に対応する位置には画素１５３が形成され、この画素１５３では、液晶層１５４と、画素スイッチング用のＴＦＤ素子１５６（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線１５１は走査線駆動回路１５７によって駆動され、各データ線１５２はデータ線駆動回路１５８によって駆動される。
【０１０５】
このような構成のアクティブマトリクス方式の液晶装置１００は、図１０に示すように、液晶１０６を保持する透明な一対の基板のうち、素子基板１２０では、複数本の走査線１５１が延びており、各走査線１５１には、ＴＦＤ素子１５６を介して、画素電極１６６が電気的に接続している。これに対して、対向基板１１０には、素子基板１２０の走査線１５１と交差する方向に延びた複数列の帯状のデータ線１５２がＩＴＯ膜によって形成され、各データ線１５２の間にはブラックストライプと称せられる遮光膜１５９が形成されている。従って、画素電極１６６の周りは、平面的には、遮光膜１５９および走査線１５１で囲まれた状態にある。
【０１０６】
なお、液晶１０６として通常のＴＮモードの液晶１０６が用いられ、この種の液晶１０６は、光の偏光方向を変えることにより光変調を行うので、対向基板１１０および素子基板１２０の各外側表面には偏光板１０８、１０９が重ねて配置される。また、偏光板１０８の側にはバックライト装置１０３が対向配置される。
【０１０７】
なお、ここに示す例では、素子基板１２０に走査線１５１を形成し、対向基板１０にデータ線１５２を形成したが、素子基板１２０にデータ線を形成し、対向基板１１０に走査線を形成してもよい。
【０１０８】
ＴＦＤ素子１５６は、例えば、図１１および図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１２０の表面に成膜された下地層１６１の上に形成された第１のＴＦＤ素子１５６ａ、および第２のＴＦＤ素子１５６ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子１５６は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層１６１は、例えば、厚さが５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）によって構成されている。
【０１０９】
第１のＴＦＤ素子１５６ａ、および第２のＴＦＤ素子１５６ｂは、第１の金属膜１６２と、この第１の金属膜１６２の表面に形成された絶縁膜１６３と、絶縁膜１６３の表面に互いに離間して形成された第２の金属膜１６４ａ、１６４ｂとによって構成されている。第１の金属膜１６２は、例えば、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、あるいはＴａ−Ｗ（タングステン）合金膜などのＴａ合金膜によって形成され、絶縁膜１６３は、例えば、陽極酸化法によって第１の金属膜１６２の表面を酸化することによって形成された厚さが１０ｎｍ〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）である。
【０１１０】
第２の金属膜１６４ａ、１６４ｂは、クロム（Ｃｒ）等といった遮光性の金属膜によって５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２の金属膜１６４ａは、そのまま走査線１５１となり、他方の第２の金属膜１６４ｂは、ＩＴＯなどからなる画素電極１６６に接続されている。
【０１１１】
このように構成した液晶装置１００において、画素電極１６６とデータ線１５２とが対向している領域が実施の形態１ないし８で説明した画素領域３となる。従って、素子基板１２０、対向基板１１０、画素電極１６６、およびデータ線１５２はそれぞれ、実施の形態１ないし８における第１の基板１０、第２の基板２０、第１の電極１１、および第２の電極２１に相当し、画素電極１６６の下層側に、図１ないし図４を参照して説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示用カラーフィルタ８１、透過表示用カラーフィルタ８２、および層厚調整層６が形成されることになる。
【０１１２】
ここで、実施の形態４で説明した構成を液晶装置１００に適用する場合には、走査線１５１を跨ぐように画素電極１６６を形成し、走査線１５１を挟む両側の一方を透過表示領域３１とし、他方を透過表示領域３２とすれば、その境界領域に沿って走査線１５１が形成されることになる。従って、走査線１５１を、図４に示した遮光膜９として利用することができる。
【０１１３】
また、液晶装置１００において、素子基板１２０、対向基板、画素電極１６６、およびデータ線１５２をそれぞれ、実施の形態１ないし８における第２の基板２０、第１の基板１０、第２の電極２１、および第１の電極１１としてもよい。この場合には、データ線１５２の下層側に、図１ないし図４を参照して説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示用カラーフィルタ８１、透過表示用カラーフィルタ８２、および層厚調整層６が形成されることになり、対向基板２００にバックライト装置１６３が対向配置されることになる。
【０１１４】
［実施の形態１０］
次に、実施の形態１ないし８に係る構成が採用されるＴＦＴアクティブマトリクス型液晶装置の構成を説明する。
【０１１５】
図１３は、ＴＦＴアクティブマトリクス型液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図１４は、図１３のＨ−Ｈ′断面図である。図１５は、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【０１１６】
図１３および図１４において、本形態の液晶装置２００は、ＴＦＴアレイ基板２１０と対向基板２２０とがシール材２５２によって貼り合わされ、このシール材２５２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電気光学物質としての液晶２５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板２１０および対向基板２２０の各々には偏光板２８８、２８９が配置され、偏光板２８８の側に対してはバックライト装置２９０が対向配置されている。
【０１１７】
シール材２５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り２５３が形成されている。シール材２５２の外側の領域には、データ線駆動回路３０１、および実装端子３０２がＴＦＴアレイ基板２１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路３０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板２１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路３０４の間をつなぐための複数の配線３０５が設けられており、更に、周辺見切り２５３の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板２１０と対向基板２２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材３０６が形成されている。
【０１１８】
なお、データ線駆動回路３０１および走査線駆動回路３０４をＴＦＴアレイ基板２１０の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ オートメイテッド、ボンディング）基板をＴＦＴアレイ基板２１０の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。なお、本形態の液晶装置２００でも、液晶５０はＴＮモードで使用されている。
【０１１９】
このような構造を有する液晶装置２００の画像表示領域においては、図１５に示すように、複数の画素２００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素２００ａの各々には、画素電極２０９ａ、およびこの画素電極２０９ａを駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ２３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線２０６ａが当該ＴＦＴ２３０のソースに電気的に接続されている。データ線２０６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線２０６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ２３０のゲートには走査線２０３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線２０３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極２０９ａは、ＴＦＴ２３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ２３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線２０６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極２０９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図１４に示す対向基板２２０の対向電極２２１との間で一定期間保持される。
【０１２０】
ここで、液晶２５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶２５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶２５０の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として液晶装置２００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【０１２１】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極２０９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量２６０を付加することがある。例えば、画素電極２０９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量２６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶装置２００が実現できる。なお、蓄積容量２６０を形成する方法としては、図１５に例示するように、蓄積容量２６０を形成するための配線である容量線２０３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線２０３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【０１２２】
図１６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１３に示す液晶装置において、実施の形態１ないし３又は５ないし８に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図、および実施の形態４に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。図１７は、本形態の液晶装置の画素の一部を図１６（Ａ）、（Ｂ）のＣ−Ｃ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【０１２３】
図１６（Ａ）において、図１３に示す液晶装置において、実施の形態１ないし３又は５ないし８に係る構成を適用した場合、ＴＦＴアレイ基板２１０上には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極２０９ａがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極２０９ａに対して画素スイッチング用のＴＦＴ２３０がそれぞれ接続している。また、画素電極２０９ａの縦横の境界に沿って、データ線２０６ａ、走査線２０３ａ、および容量線２０３ｂが形成され、ＴＦＴ２３０は、データ線２０６ａおよび走査線２０３ａに対して接続している。すなわち、データ線２０６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ２３０の高濃度ソース領域２０１ｄに電気的に接続し、画素電極２０９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ２０３の高濃度ドレイン領域２０１ｅに電気的に接続している。また、ＴＦＴ２３０のチャネル領域２０１ａ′に対向するように走査線２０３ａが延びている。なお、蓄積容量２６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ２３０を形成するための半導体膜２０１の延設部分２０１ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極２４１に、走査線２０３ｂと同層の容量線２０３ｂが上電極として重なった構造になっている。
【０１２４】
ここで、容量線２０３ｂは、走査線２０３ｂの近傍で走査線２０３ｂに沿って延びた本線部分２０３ｂ′と、この本線部分２０３ｂ′からデータ線２０６ａに沿って突き出た突出部分２０３ｂ″とから構成されている。
【０１２５】
但し、図１３に示す液晶装置において、実施の形態４に係る構成を適用した場合には、図１２（Ｂ）に示すように、容量線２０３ｂは、隣接する２本の走査線２０３ｂの略中間位置で走査線２０３ｂに沿って延びた本線部分２０３ｂ′と、この本線部分２０３ｂ′からデータ線２０６ａに沿って突き出た後、走査線２０３ｂの近傍で走査線２０３ｂに沿って延びた突出部分２０３ｂ″とから構成される。
この場合、容量線２０３ｂの本線部分２０３ｂ′を挟む両側の一方を透過表示領域３１とし、他方を透過表示領域３２とすれば、その境界領域に沿って容量線３ｂが形成されることになる。従って、容量線３ｂの本線部分２０３ｂ′を、図４に示した遮光膜９として利用することができる。
【０１２６】
このように構成した液晶装置２００において、ＴＦＴアレイ基板２１０の表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜２０１ａが形成されている。半導体膜２０１ａの表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２０２が形成され、このゲート絶縁膜２０２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線２０３ａがゲート電極として通っている。半導体膜２０１ａのうち、走査線２０３ａに対してゲート絶縁膜２０２を介して対峙する領域がチャネル領域２０１ａ′になっている。このチャネル領域２０１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域２０１ｂおよび高濃度ソース領域２０１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域２０１ｃおよび高濃度ドレイン領域２０１ｅを備えるドレイン領域が形成されている。
【０１２７】
画素スイッチング用のＴＦＴ２３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜２０４、および厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜２０５が形成されている。第１層間絶縁膜２０４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線２０６ａが形成され、このデータ線２０６ａは、第１層間絶縁膜２０４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域２０１ｄに電気的に接続している。
【０１２８】
第２層間絶縁膜２０５の上層には、ＩＴＯ膜からなる画素電極２０９ａが形成されている。画素電極２０９ａは、第２層間絶縁膜２０５に形成されたコンタクトホールなどを介してドレイン電極２０６ｂに電気的に接続している。画素電極２０９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜２１２が形成されている。この配向膜２１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【０１２９】
また、高濃度ドレイン領域２０１ｅからの延設部分２０１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２０２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線２０３ａと同層の容量線２０３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量２６０が構成されている。
【０１３０】
なお、ＴＦＴ２３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域２０１ｂ、および低濃度ドレイン領域２０１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ２３０は、ゲート電極（走査線２０３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【０１３１】
また、本形態では、ＴＦＴ２３０のゲート電極（走査線２０３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ２３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【０１３２】
図１７において、対向基板２２０では、ＴＦＴアレイ基板２１０に形成されている画素電極２０９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２２１が形成されている。また、対向電極２２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２２が形成され、この配向膜２２２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【０１３３】
このように構成した液晶装置２００において、画素電極２０９ａと対向電極２２１とが対向している領域が実施の形態１ないし８で説明した画素領域３となる。従って、ＴＦＴアレイ基板２１０、対向基板２２０、画素電極２０９ａ、および対向電極２２１はそれぞれ、実施の形態１ないし８における第１の基板１０、第２の基板２０、第１の電極１１、および第２の電極２１に相当し、画素電極２０９ａの下層側には、図１ないし図４を参照して説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示用カラーフィルタ８１、透過表示用カラーフィルタ８２、および層厚調整層６が形成されることになる。
【０１３４】
また、液晶装置２００において、ＴＦＴアレイ基板２１０、対向基板２２０、画素電極２０９ａ、および対向電極２２１をそれぞれ、実施の形態１ないし８における第２の基板２０、第１の基板１０、第２の電極２１、および第１の電極１１としてもよい。この場合には、対向電極２２１の下層側に、図１ないし図８を参照して説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示用カラーフィルタ８１、透過表示用カラーフィルタ８２、および層厚調整層６が形成されることになり、対向基板２００にバックライト装置２９０が対向配置されることになる。
【０１３５】
［液晶装置の電子機器への適用］
このように構成した反射型、あるいは半透過・反射型の液晶装置は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図１８、図１９、および図２０を参照して説明する。
【０１３６】
図１８は、本発明に係る液晶装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【０１３７】
図１８において、電子機器は、表示情報出力源５７０、表示情報処理回路５７１、電源回路５７２、タイミングジェネレータ５７３、そして液晶装置５７４を有する。また、液晶装置５７４は、液晶表示パネル５７５および駆動回路５７６を有する。液晶装置５７４としては、本発明を適用した液晶装置１、１００、２００を用いることができる。
【０１３８】
表示情報出力源５７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ５７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路５７１に供給する。
【０１３９】
表示情報処理回路５７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路５７６へ供給する。電源回路５７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１４０】
図１９は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ５８０は、キーボード５８１を備えた本体部５８２と、液晶表示ユニット５８３とを有する。液晶表示ユニット５８３は、本発明を適用した液晶装置１、１００、２００を含んで構成される。
【０１４１】
図２０は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機５９０は、複数の操作ボタン５９１と、本発明を適用した液晶装置１、１００、２００からなる表示部とを有している。
【０１４２】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明に係る半透過・反射型の液晶装置では、反射表示領域と透過表示領域との境界領域に重なるように遮光膜が形成されている。このため、反射表示領域と透過表示領域との境界領域において層厚調整層の厚さが連続的に変化して、この部分においてリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化している場合、あるいは、液晶分子の配向が乱れている場合でも、このような領域からは反射表示光も透過表示光も出射されない。従って、黒表示時に光漏れが発生するなどといった不具合の発生を回避することができるので、コントラストが高い、品位の高い表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明の実施の形態１に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
【図２】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明の実施の形態２に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
【図３】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明の実施の形態３に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
【図４】 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態４に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図である。
【図５】 本発明の実施の形態５に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
【図６】 本発明の実施の形態６に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
【図７】 本発明の実施の形態７に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
【図８】 本発明の実施の形態８に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
【図９】 本発明の実施の形態９に係る半透過・反射型のＴＦＤアクティブマトリクス型液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。
【図１０】 図９に示す液晶装置の構造を示す分解斜視図である。
【図１１】 図１０に示す液晶装置において液晶を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図である。
【図１２】 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１１のIII−III′線断面図、および図１１に示すＴＦＤ素子の斜視図である。
【図１３】 本発明の実施の形態１０に係る半透過・反射型のＴＦＴアクティブマトリクス型液晶装置を対向基板の側からみたときの平面図である。
【図１４】 図１３のＨ−Ｈ′線における断面図である。
【図１５】 図１３に示す液晶装置において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。
【図１６】 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１３に示す液晶装置において、実施の形態１ないし３又は５ないし８に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図、および実施の形態４に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図１７】 図１３に示す液晶装置の画素の一部を図１６（Ａ）、（Ｂ）のＣ−Ｃ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図１８】 本発明に係る液晶装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１９】 本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図２０】 本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図２１】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、従来の半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
【符号の説明】
１、１００、２００ 液晶装置
３ 画素領域
５ 液晶層
６ 層厚調整層
７ バックライト装置
９ 遮光膜
１０ 第１の基板
１１，１１Ｔ 第１の透明電極
１１Ｒ 光反射電極
２０ 第２の基板
２１ 第２の透明電極
３１ 反射表示領域
３２ 透過表示領域
４０ 光反射層の開口
４１、４２ 偏光板
６０ 層厚調整層の斜面
６１ 層厚調整層の開口
８１ 反射表示用カラーフィルタ
８２ 透過表示用カラーフィルタ
９０ 画素領域を囲む遮光膜

Claims (19)

1. 第１の基板と第２の基板の間に液晶層を介在させて構成され、複数の隣接する画素領域を備える液晶表示装置であって、
   前記画素領域に設けられた光反射層により構成される反射表示領域と、
   前記画素領域の残りの領域により構成される透過表示領域と、
   前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層厚調整層と、を有し、
   前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１において、前記遮光膜は、前記第１の基板側に形成されていることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１において、前記遮光膜は、前記第２の基板側に形成されていることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１〜３のいずれかの項において、前記層厚調整層は、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域が斜面になっていることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項４において、前記遮光膜は、前記層厚調整層の前記斜面と平面的に重なる領域に形成されていることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１〜５のいずれかの項において、前記遮光膜は、前記光反射層の端部と平面的に重なるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
7. 請求項１〜６のいずれかの項において、前記透過表示領域は、前記反射表示領域内に島状に配置されていることを特徴とする液晶装置。
8. 請求項１〜６のいずれかの項において、前記透過表示領域は、前記画素領域の端部に配置されていることを特徴とする液晶装置。
9. 請求項８において、前記画素領域は、矩形領域として形成され、前記透過表示領域は、前記画素領域の辺に少なくとも１辺が重なる矩形形状を有していることを特徴とする液晶装置。
10. 請求項９において、前記透過表示領域は、前記画素領域の辺に１辺が重なる位置に配置されていることを特徴とする液晶装置。
11. 請求項９において、前記透過表示領域は、前記画素領域の辺に２辺が重なる位置に配置されていることを特徴とする液晶装置。
12. 請求項９において、前記透過表示領域は、前記画素領域の辺に３辺が重なる位置に配置されていることを特徴とする液晶装置。
13. 請求項１２において、前記画素領域を２分するように遮光する配線が前記遮光膜として通っており、該配線を挟む両側に前記反射表示領域および前記透過表示領域がそれぞれ配置されていることを特徴とする液晶装置。
14. 請求項１〜１３のいずれかの項において、画像表示領域にはカラーフィルタが形成されていることを特徴とする液晶装置。
15. 請求項１〜１３のいずれかの項において、前記反射表示領域には、反射表示用カラーフィルタが形成されている一方、前記透過表示領域には、前記反射表示用カラーフィルタよりも着色度の強い透過表示用カラーフィルタが形成されていることを特徴とする液晶装置。
16. 請求項１〜１５のいずれかの項において、前記反射表示領域は、前記透過表示領域よりも広いことを特徴とする液晶装置。
17. 請求項１〜１５のいずれかの項において、前記反射表示領域は、前記透過表示領域よりも狭いことを特徴とする液晶装置。
18. 請求項１〜１５のいずれかの項において、前記反射表示領域と前記透過表示領域とは、面積が等しいことを特徴とする液晶装置。
19. 請求項１〜１８のいずれかの項に記載されている液晶装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。

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