JP4078928B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関し、特に透過表示と反射表示を兼ね備えた半透過反射型の電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
反射表示と透過表示の２つの表示方式を兼ね備えた、いわゆる半透過反射型の液晶表示装置は、例えば携帯用電子機器の表示部として近年、多用されている。この半透過反射型液晶表示装置は、周囲の明るさに応じて反射モードまたは透過モードのいずれかの表示方式に切り替えることにより、消費電力を低減しつつ周囲が暗い場合でも明瞭な表示を行うことができるものである。半透過反射型液晶表示装置の中でも、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式の装置においては、ＴＦＴアレイ基板と対向基板が対向配置され、これら基板間に液晶が封入されて構成されている。ＴＦＴアレイ基板上には、複数のデータ線と複数の走査線とが交差して設けられ、これらデータ線および走査線によって区画された複数のドット領域がマトリクス状に配置されている。そして、各ドット領域毎にＴＦＴと画素電極とが設けられている。
【０００３】
半透過反射型液晶表示装置の場合、１つのドット領域内に反射表示領域と透過表示領域とを有している。すなわち、ＴＦＴアレイ基板上の１つのドット領域に、例えばアルミニウム等の高反射率の金属からなる反射層が部分的に形成されており、反射層が存在する領域が反射表示領域、反射層が存在しない領域が透過表示領域として機能する。一方、対向基板については、通常、各ドット領域の境界にあたる領域、すなわちＴＦＴ、データ線、走査線等の形成領域に格子状の遮光膜（ブラックマトリクスともいう）が設けられる。このブラックマトリクスは、対向基板側から入射する外光がＴＦＴに入射して光リーク電流等の特性劣化が生じるのを防ぐ、隣接画素電極間の横電界により各ドット領域の周縁部で発生する液晶の配向乱れ（ディスクリネーション）に起因する光漏れを防止する、等の役目を果たしている。また、対向基板にカラーフィルターを設けた場合には、通常異なる色の３ドットで１画素の表示を行うことになるが、ブラックマトリクスは各色光間の混色を防止する等の役目も果たす（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−１４６４０４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように、液晶表示装置においてブラックマトリクスは重要な役目を果たしているが、逆にブラックマトリクスが存在することで以下のような問題点が生じている。
ブラックマトリクスはＴＦＴを確実に遮光したり、光漏れを確実に防止する必要がある一方、パネル組立工程においてＴＦＴアレイ基板と対向基板の貼り合わせ時の位置ズレは避けられないことである。したがって、許容範囲内の位置ズレがあっても確実に遮光を行うために、ブラックマトリクスは、実際に遮光すべき領域の寸法に基板間の位置合わせ誤差を加えた寸法に設計するのが普通である。そのため、ブラックマトリクスは本来必要とされる以上に広い領域を遮光していることになり、開口率を低下させる原因となる。具体的には、ブラックマトリクスの張り出しによって透過表示領域が狭くなることで透過表示が暗くなり、ＴＦＴアレイ基板上の反射層とブラックマトリクスとの重なりが大きくなることで反射表示も暗くなってしまう。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、透過表示、反射表示ともに明るい半透過反射型の液晶表示装置等の電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、第１の基板と第２の基板との間に電気光学素子が挟持されてなり、第１の基板の外面から入射される光を透過して透過表示を行う透過表示領域と第２の基板の外面から入射される光を反射して反射表示を行う反射表示領域とを有する電気光学装置であって、第１の基板上に、互いに交差する複数のデータ線および複数の走査線と、これらデータ線および走査線に電気的に接続されたＴＦＴと、データ線、走査線、およびＴＦＴの上方を少なくとも覆うように設けられた反射層と、反射層の上層側に設けられた透明導電膜からなる画素電極とが備えられたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の電気光学装置は、第１の基板の外面から入射される光を透過して透過表示を行う透過表示領域と第２の基板の外面から入射される光を反射して反射表示を行う反射表示領域とを有するものである。そして、第１の基板上にデータ線、走査線、ＴＦＴ、反射層、画素電極等が設けられており、第１の基板がいわゆるＴＦＴアレイ基板、第２の基板が対向基板となる。従来の電気光学装置の構成では、反射層はあくまでも反射表示に用いるものであるから、ＴＦＴやデータ線、走査線の形成領域を除く実質的に表示に寄与する領域に設けるものであった。すなわち、反射層がＴＦＴやデータ線、走査線と重なるように配置されることはなかった。これに対して、本発明の電気光学装置の最大の特徴点は、反射層がデータ線や走査線、ＴＦＴの上方を少なくとも覆うように設けられたことにある。この構成において、反射層は、対向基板側から入射する光を反射して反射表示を行う反射層本来の機能だけでなく、データ線や走査線、ＴＦＴへの光の入射を防止する遮光膜（ブラックマトリクス）の機能も有することになる。
【０００９】
したがって、本発明の構成によれば、従来の構成において対向基板（第２の基板）側に設けていた遮光膜を不要とすることができる。対向基板側に遮光膜を設ける場合には、上述したように、２枚の基板を貼り合わせる際の位置ズレを考慮して遮光膜を幅広に設計する必要があったが、本発明ではＴＦＴアレイ基板側に遮光膜を設けるので、上記の位置ズレを考慮する必要がない。その結果、本発明の反射層を遮光膜として見たときに従来の遮光膜に比べて寸法を小さくできるため、１ドット領域の開口率を大きくすることができる。したがって、透過表示領域が従来よりも拡がることで透過表示が明るくなるのと同時に、対向基板側の遮光膜を設けないことでＴＦＴ、配線形成領域を含む反射層が存在する領域の多くの部分（反射層と画素電極との重なり部分）が反射表示領域として機能するので、反射表示も明るくすることができる。このようにして、透過表示、反射表示ともに明るい半透過反射型の電気光学装置を実現することができる。
【００１０】
上記本発明の構成において、前記反射層が、第１の基板面内でデータ線および走査線に沿う方向に格子状に設けられていることが望ましい。
この構成によれば、本発明における反射層がそのまま従来のブラックマトリクスと同様に機能するので、その他の遮光膜を補助的に設けなくてもブラックマトリクスを備えた電気光学装置が構成できる。
【００１１】
また、ＴＦＴの半導体層と画素電極とが、これら半導体層と画素電極との層間に設けられた中継導電層を介して電気的に接続されている構成とするのが望ましい。
この構成によれば、中継導電層を設けたことによって、半導体層−画素電極間の層間距離が例えば１〜２μｍ程度に長くても、両者間を１つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ、比較的小径の２つ以上のコンタクトホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めることが可能となる。一般にＴＦＴを構成する半導体層は非常に薄いものであるが、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
【００１２】
また、遮光性材料からなる中継導電層が反射層よりも下層側に設けられるとともに、画素電極と中継導電層とを電気的に接続する画素コンタクトホールが反射層に設けられた開口部の内部に設けられる構成とすることが望ましい。
中継導電層を反射層よりも下層側に設けた構成においては、反射層よりも上側にある画素電極を反射層と接触しないように中継導電層と接続する必要がある。なぜならば、後述するように、反射層には固定電位を印加したい要求があるからである。必然的に、画素電極と中継導電層とを電気的に接続する画素コンタクトホールを反射層のない領域に配置しなければならない。しかしながら、反射層のパターン外に画素コンタクトホールを配置したのでは、画素コンタクトホールの部分を反射層で遮光することができないので、この部分を遮光するための新たな遮光膜が必要になり、開口率が低下することになる。その点、上記の構成によれば、画素コンタクトホールが反射層のパターン内に設けられた開口部の内側に配置されているので、特に開口率が低下することがない。また、反射層の開口部は本来遮光がなされない領域であるが、本構成ではその下地にある中継導電層が遮光性を有しているので、確実に遮光が行われる。
【００１３】
中継導電層を用いた構成を採る場合、中継導電層はデータ線と同層で構成することが望ましい。
この構成によれば、製造工程において中継導電層をデータ線と同時に形成することができるので、製造プロセスが特に複雑になることがない。
【００１４】
また、走査線とデータ線および中継導電層との間に位置する第１層間絶縁膜と、データ線および中継導電層と反射層との間に位置する第２層間絶縁膜と、反射層と画素電極との間に位置する第３層間絶縁膜とを備えた構成の場合、透過表示領域において、第３層間絶縁膜および第２層間絶縁膜の厚さ方向の少なくとも一部が除去された絶縁膜除去部を設けることが望ましい。
この構成においては、透過表示領域に絶縁膜除去部が設けられたことによって透過表示領域と反射表示領域とにおける画素電極下の層間絶縁膜の膜厚に差異が生じ、例えば本発明の電気光学装置が液晶表示装置である場合、透過表示領域と反射表示領域とで液晶層の層厚（セルギャップ）が異なる構成となる。具体的には、反射表示領域での液晶層厚よりも透過表示領域での液晶層厚の方が大きい状態となる。これにより、以下に説明するマルチギャップ方式の半透過反射型の液晶表示装置を実現することができ、透過表示、反射表示の双方でコントラスト比等の表示品位の向上を図ることができる。
【００１５】
一般に、半透過反射型液晶表示装置において、偏光状態の変化は、液晶の屈折率異方性Δｎと液晶層の層厚ｄとの積（リタデーションΔｎ・ｄ）の関数となるため、この値を最適化すれば視認性の良い表示を行うことができる。しかしながら、透過表示光は液晶層を１回だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は往復で液晶層を２回通過することになるので、透過表示光、反射表示光の双方に対してリタデーションΔｎ・ｄを最適化するのは困難である。したがって、反射モードの表示が視認性の良いものとなるように液晶層厚を設定すると、透過モードの表示が犠牲となる。逆に、透過モードの表示が視認性の良いものとなるように液晶層厚を設定すると、反射モードの表示が犠牲となる。
【００１６】
そこで、反射表示領域における液晶層厚を透過表示領域における液晶層厚よりも小さくする構成が従来から提案されている。このような構成はマルチギャップ方式と称せられ、例えば反射表示領域に絶縁膜等からなる液晶層厚調整層を設けることによって実現できる。この場合、透過表示領域では反射表示領域と比較して液晶層厚調整層の膜厚分だけ液晶層厚が大きくなるので、透過表示光、反射表示光の双方に対してリタデーションΔｎ・ｄを最適化することができる。本発明においては、絶縁膜除去部が上記液晶層厚調整層と同様の作用を奏する。
【００１７】
また、画素コンタクトホールの構造として、第３層間絶縁膜を貫通して第２層間絶縁膜表面まで達する第１コンタクトホールと、第２層間絶縁膜を貫通して中継導電層表面まで達する第２コンタクトホールの２段階のコンタクトホールからなる構造を採ることができる。その場合、上記の絶縁膜除去部においては第３層間絶縁膜の厚さ方向の全てが除去されていることが望ましい。
上述したように、上記の絶縁膜除去部は、マルチギャップ方式の半透過反射型液晶表示装置における液晶層厚の調整の役目を担っている。したがって、例えば第２層間絶縁膜と第３層間絶縁膜を異なる材料で構成したとすると、製造プロセスにおける第１コンタクトホール形成工程で絶縁膜除去部を同時に形成することができ、第２層間絶縁膜と第３層間絶縁膜のエッチング選択性によりエッチングの終点を比較的容易に検出することができる。この場合、第３層間絶縁膜の膜厚が透過表示領域と反射表示領域の液晶層厚の差に相当するため、第３層間絶縁膜の膜厚を適宜設定することにより透過表示、反射表示双方のリタデーションの最適化を図ることができる。
【００１８】
上記構成を採用する場合、第２層間絶縁膜を無機材料で構成し、第３層間絶縁膜を感光性有機材料で構成することが望ましい。
このような材料構成とすれば、上述したようにエッチングの終点を比較的容易に検出できる他、第３層間絶縁膜が感光性有機材料であるため、フォトリソグラフィー工程（塗布、露光、現像工程）のみで第１コンタクトホール形成工程（絶縁膜除去部形成工程）を済ますことができる。つまり、レジストパターンを別途形成した後、第３層間絶縁膜のエッチングを行う必要がないため、製造プロセスが極めて簡単になる。感光性有機材料の例としてはアクリル樹脂を挙げることができ、アクリル樹脂は例えば２〜４μｍ程度に厚く形成することができるので、リタデーションの最適化を行うに際して設計の自由度が高いものとなる。
【００１９】
画素コンタクトホールの他の構造として、第３層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を貫通して中継導電層表面まで達するコンタクトホールで構成することができる。その場合、絶縁膜除去部において第３層間絶縁膜および第２層間絶縁膜の厚さ方向の全てが除去されていることが望ましい。
この構成においては、第３層間絶縁膜と第２層間絶縁膜の膜厚の合計分を透過表示領域と反射表示領域における液晶層厚の差とすることができるため、リタデーションの最適化を行うに際して設計の自由度が高いものとなる。
【００２０】
上記構成を採用する場合、第２層間絶縁膜と第３層間絶縁膜を同じ材料で構成してもよい。
第２層間絶縁膜と第３層間絶縁膜は異なる材料を用いても一向に差し支えないが、例えばシリコン酸化膜とシリコン酸化膜のように、同じ材料を用いた場合、コンタクトホール形成時のエッチングを、第２層間絶縁膜と第３層間絶縁膜とでエッチャントを切り替えることなく、連続して行うことができる。
【００２１】
また、反射層のパターンの縁が、半導体層、データ線、および走査線のパターンの縁よりも外側に位置していることが望ましい。
より完全な遮光を行うという観点から、反射層のパターンの縁が半導体層やデータ線、走査線のパターンの縁よりも外側に位置することが望ましい。それに加えて、本発明では半導体層やデータ線、走査線の上層側に反射層が位置しているので、この構成とした場合、反射層の断面形状は、下層側の段差を反映して中央が高く縁部が低い傾斜面となる。そのため、反射層に入射した光が法線以外の方向に斜めに反射することになり、より広い範囲で明るい反射表示が得られる、という効果も奏することができる。
【００２２】
さらに、反射層のパターンの縁に凹凸を設けてもよい。
反射層のパターンの縁は直線状であっても勿論良いが、凹凸を設けた場合、この凹凸部分に入射した光が散乱する作用が得られるので、上と同様、より広い範囲で明るい反射表示を得ることができる。
【００２３】
また、反射層には固定電位が印加されていることが望ましい。
反射層の上下にはＴＦＴや各種配線、画素電極等が配置されているので、これらに印加される信号を安定させるためにも反射層に固定電位を印加しておくことが望ましい。なお、反射層と画素電極とが画素コンタクトホールの個所で接近している場合、この個所で反射層と画素電極とが短絡する不良が発生することを考慮すると、画素電極に印加した際に液晶が黒（暗）表示となる電位を反射層に印加しておく方が望ましい。上記の不良が発生したドットが画面上で表示不能の点欠陥になった場合を考えると、白点欠陥となるよりも黒点欠陥となった方が欠陥が目立たないからである。
【００２４】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、透過表示、反射表示ともに明るく、携帯機器に好適な表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１〜図９を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の電気光学装置の一例としてアクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶表示装置について説明する。
【００２６】
図１は本実施の形態の液晶表示装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の１ドットのパターン構成を示す平面図である。図３は図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図、図５は図２のＥ−Ｆ線に沿う断面図、図６は図２のＧ−Ｈ線に沿う断面図、図７は図２のＩ−Ｊ線に沿う断面図、である。図８はＴＦＴアレイ基板の製造プロセスの一部を示す工程断面図である。図９はＴＦＴアレイ基板のパターン構成の変形例を示す平面図である。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２７】
図１に示すように、本実施の形態の液晶表示装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のドットには、画素電極９と当該画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とがそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６がＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線３が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレイン領域に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された共通電極（後述する）との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０が付加されている。
【００２８】
次に、ＴＦＴアレイ基板の平面パターンについて説明する。
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、矩形状の画素電極９が設けられており、画素電極９の縦横の縁に各々沿うようにデータ線６および走査線３が設けられている。また、データ線６と走査線３とが交差する部分に対応してＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０のチャネル領域等が形成される半導体層１は、データ線６に沿って前段の走査線３側（図２における上側）に向けて延在する分岐部１ｙと、後述する容量線４に沿って次段のデータ線６側（図２における右側）に向けて延在する分岐部１ｘとを有している。半導体層１の分岐部１ｙと反対側の端部には、後述する半導体層１の高濃度ソース領域とデータ線６とを電気的に接続するソースコンタクトホール２１が設けられている。
【００２９】
本実施の形態においては、図２中の横方向に延びる走査線３の本線が半導体層１と平面的に交差しており、走査線３自体がそのままＴＦＴ３０のゲート電極として機能する（よって、以下の説明では、走査線３のうち、半導体層１と交差する部分のみをゲート電極と呼ぶこともある）。半導体層１のうち、走査線３と交差する部分がチャネル領域１ａとなる。また、容量線４が走査線３と同じ層で設けられている。容量線４は、その本線が走査線３と並行して図２中の横方向に延びるとともに、本線から分岐してデータ線６に沿って前段の走査線３側（図２における上側）に向けて延在する分岐部４ｙを有している。この構成により、半導体層１の分岐部１ｘと容量線４の本線との重なり部分と、半導体層１の分岐部１ｙと容量線４の分岐部４ｙとの重なり部分が保持容量７０を構成する。
【００３０】
中継導電層４７が、データ線６と同じ層で設けられている。中継導電層４７は、少なくとも半導体層１の高濃度ドレイン領域および画素電極９と平面的に重なるように矩形状に孤立して設けられており、半導体層１の高濃度ドレイン領域と画素電極９とを電気的に接続する役目を果たしている。したがって、中継導電層４７上には、半導体層１の高濃度ドレイン領域と中継導電層４７とを電気的に接続するドレインコンタクトホール２４が設けられるとともに、中継導電層４７と画素電極９とを電気的に接続する画素コンタクトホール２５が設けられている。半導体層１の上層側に位置する容量線４は、半導体層１や中継導電層４７から電気的に絶縁されるべく、ドレインコンタクトホール２４を避けるように切り欠き部４ａが設けられている。本実施の形態の場合、画素コンタクトホール２５は、後述するように、径が異なる２段のコンタクトホール２６，２７で構成されているので、平面パターン上は２重の矩形で表されている。
【００３１】
反射層２９が、ＴＦＴアレイ基板の画像表示領域の全体にわたってデータ線６および走査線３の方向に沿って格子状に設けられている。また、反射層２９のパターンは、データ線６、走査線３、ＴＦＴ３０の半導体層１、容量線４、中継導電層４７のパターンを全て覆うように構成されている。断面構造については後述するが、反射層２９は、中継導電層４７の上層側で画素電極９の下層側に位置し、かつ中継導電層４７や画素電極９と電気的に接続されないように構成されるため、中継導電層４７と画素電極９とを電気的に接続する画素コンタクトホール２５の部分は、反射層２９が存在しない開口部２９ａとなっている。また、図中符号３２で示す矩形のパターンは、第３層間絶縁膜がエッチング除去された絶縁膜除去部の輪郭を表している。なお、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１の下層側には下側遮光膜が存在するが、図２においては図面を見やすくするため、図示を省略する。また、開口部２９ａの一辺が反射層２９の一辺と重なる（反射層２９に切り欠き部を設けるように開口部を形成）ように設けても良い。この場合は中継導電層４７と反射層２９とで非透過光領域を決定するが、両者が一直線になるように形成しても良い。
【００３２】
次に、液晶表示装置の断面構造について説明する。
本実施の形態の液晶表示装置は、図３、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板（第１の基板）１０と、これに対向配置される対向基板２０（第２の基板）とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａ、対向基板２０の基板本体２０Ａは、例えばガラス基板、石英基板等の透明基板から構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成されている。液晶層５０は、画素電極９からの電界が印加されていない状態で配向膜１６、２２の作用により所定の配向状態をとっている。また、液晶層５０は、例えば一種または数種類のネマティック液晶を混合した液晶から構成されている。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるためのものであり、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂から形成され、両基板間の距離を所定の値とするためのグラスファイバーやガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａ上に下側遮光膜４５が形成されている。この下側遮光膜４５は、ＴＦＴ素子３０に対して基板本体１０Ａの下面側から光が入射されるのを防止する機能を有しており、例えばＷＳｉ等の遮光性の高い材料で形成されている。そして、下側遮光膜４５を覆う基板本体１０Ａの全面に下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜４５からＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等でＴＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有している。
【００３４】
図３に示すように、本実施の形態の場合、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造のＴＦＴであり、ゲート電極３５、当該ゲート電極３５からの電界によりチャネルが形成される半導体層１のチャネル領域１ａ、ゲート電極３５と半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１の低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１の高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。半導体層１には、アモルファスシリコンや多結晶シリコン、あるいは単結晶シリコンなどを用いることができる。
【００３５】
半導体層１の高濃度ドレイン領域１ｅは、そのまま側方に延在して容量電極４４となっている（図３に示されている部分は、図２の半導体層１の分岐部１ｘ側）。そして、容量電極４４の上方には、絶縁薄膜２を介してゲート電極３５（走査線３）と同層の容量線４が形成されている。よって、容量電極４４と容量線４とが絶縁薄膜２を介して対向配置されていることで保持容量７０が構成されている。ゲート電極３５（走査線３）および容量線４は、例えば多結晶シリコンで形成することができる。ゲート電極３５および容量線４を覆うように、例えばシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜１３が形成されている。第１層間絶縁膜１３上にはデータ線６および中継導電層４７が同層で形成されている。データ線６および中継導電層４７は、例えばアルミニウム等の低抵抗金属で形成することができる。また、第１層間絶縁膜１３を貫通するソースコンタクトホール２１が形成され、ソースコンタクトホール２１を介してデータ線６と半導体層１の高濃度ソース領域１ｄとが電気的に接続されている。一方、第１層間絶縁膜１３を貫通するドレインコンタクトホール２４が形成され、ドレインコンタクトホール２４を介して中継導電層４７と半導体層１の高濃度ドレイン領域１ｅとが電気的に接続されている。
【００３６】
データ線６および中継導電層４７を覆うように第２層間絶縁膜１４が形成されている。そして、第２層間絶縁膜１４上に反射層２９が形成されている。反射層２９は、アルミニウム、銀等の高反射率の金属で形成されている。反射層２９には、画素コンタクトホール２５の部分に対応して開口部２９ａが設けられている。反射層２９は、例えば画像表示領域からその周囲に延設され、任意の定電位源と電気的に接続されることによって固定電位が与えられている。定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３に供給するための走査線駆動回路（後述する）や、画像信号をデータ線６に供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の共通電極に供給される定電位でも構わない。ただし、反射層２９と画素電極９とが画素コンタクトホール２５の個所で接近しており、この個所で反射層２９と画素電極９とが短絡する不良が発生することを考慮すると、画素電極９に印加した際に液晶が黒（暗）表示となる側の電位を反射層２９に与えておく方が望ましい。上記の不良が発生したドットが画面上で表示不能の点欠陥になった場合を考えると、白点欠陥となるよりも黒点欠陥となった方が目立たないからである。
【００３７】
反射層２９を覆うように第３層間絶縁膜１５が形成されており、第３層間絶縁膜１５上には画素電極９が形成されている。画素電極９は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜で形成されている。反射層２９の開口部２９ａには、第３層間絶縁膜１５を貫通して第２層間絶縁膜１４の表面に達する第１コンタクトホール２６と、第１コンタクトホール２６よりも径が小さく、第２層間絶縁膜１４を貫通して中継導電層４７の表面に達する第２コンタクトホール２７の２段のコンタクトホールからなる画素コンタクトホール２５が形成されている。この画素コンタクトホール２５によって、画素電極９と中継導電層４７とが電気的に接続されている。この構成により、中継導電層４７を介して半導体層１の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９とが電気的に接続されている。
【００３８】
第２層間絶縁膜１４、第３層間絶縁膜１５の構成材料は特に限定されるものではないが、本実施の形態の場合、第２層間絶縁膜１４は例えばシリコン酸化膜、第３層間絶縁膜１５は例えば感光性アクリル樹脂で構成されている。そして、図４に示すように、ドット領域の中央にあたる反射層２９が存在しない領域（図２の符号３２の矩形で囲まれた領域）では、第３層間絶縁膜１５の膜厚方向の全てが除去されており、この部分が絶縁膜除去部３２を構成している。図２においては、この絶縁膜除去部３２を含む画素電極９の形成領域内であって反射層２９の存在しない領域が透過表示領域Ｔとなり、画素電極９の形成領域内であって反射層２９の存在する領域が反射表示領域Ｒとなる。この場合、図４に示すように、透過表示領域Ｔでは反射表示領域Ｒに比べて絶縁膜除去部３２の深さ（第３層間絶縁膜１５の膜厚）分だけ液晶層の層厚（セルギャップ）が大きくなる。この構成により、本実施の形態の液晶表示装置はマルチギャップ方式の半透過反射型液晶表示装置となる。さらに、画素電極９の上方を含むＴＦＴアレイ基板１０の最表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施されたポリイミド膜等からなる配向膜１６が設けられている。
【００３９】
他方、対向基板２０側の構成については、基板本体２０Ａ上の全面にわたって共通電極４８が設けられ、共通電極４８の下面側には、ＴＦＴアレイ基板１０側と同様、ラビング処理等の所定の配向処理が施されたポリイミド膜等からなる配向膜２２が設けられている。共通電極４８は、画素電極９と同様、例えばＩＴＯなどの透明導電膜で形成されている。また、対向基板の外面に偏光板４９が設けられている。なお、実際には、以上説明した液晶セルの構成の他、位相差板等の光学部材、透過表示に用いるバックライト、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板等が設けられるが、ここでは図示を省略する。
【００４０】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０の製造工程、特に本実施の形態において特徴的な画素コンタクトホール２５の形成工程について図８を用いて説明する。
第１層間絶縁膜１３上にデータ線６、中継導電層４７を形成した後、シリコン酸化膜からなる第２層間絶縁膜１４を基板全面にＣＶＤ法等により成膜する。次いで、図８（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー、エッチング技術を用いて中継導電層４７上にあたる部分の第２層間絶縁膜１４をパターニングし、画素コンタクトホール２５の一部をなす第２コンタクトホール２７を形成する。
次いで、アルミニウム、銀等の金属膜を第２層間絶縁膜１４上にスパッタ法等により成膜した後、図８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー、エッチング技術を用いて上記金属膜をパターニングし、第２コンタクトホール２７の形成領域に開口部２９ａを有する格子状の反射層２９を形成する。
【００４１】
次いで、第３層間絶縁膜１５として感光性アクリル樹脂を全面に塗布した後、図８（ｃ）に示すように、マスク露光、現像により感光性アクリル樹脂をパターニングし、第２コンタクトホール２７よりも径の大きな第１コンタクトホール２６を形成する。なお図示しないが、この工程では、第１コンタクトホール２６を形成するのと同時に、透過表示領域Ｔにおいて第３層間絶縁膜１５を開口させ、絶縁膜除去部３２を形成する。
次いで、ＩＴＯ等の透明導電膜を基板全面にスパッタ法等により成膜した後、図８（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー、エッチング技術を用いて上記透明導電膜をパターニングし、画素電極９を形成する。
【００４２】
画素コンタクトホール２５の形成方法については、上記の方法に限ることはなく、例えば第３層間絶縁膜１５に感光性材料でないものを用い、第２層間絶縁膜１４と同様、レジストパターンをマスクとして第３層間絶縁膜１５をエッチングすることによって第１コンタクトホール２６を形成することもできる。しかしながら、上記の方法においては、感光性アクリル樹脂の現像液でシリコン酸化膜からなる第２層間絶縁膜１４がエッチングされることはないので、第３層間絶縁膜１５のエッチング（感光性アクリル樹脂の現像）は第２層間絶縁膜１４の表面に達した時点で確実に停止する。すると、第１コンタクトホール２６は勿論のこと、絶縁膜除去部３２の深さの製造バラツキが少なく、絶縁膜除去部３２の深さはほぼ第３層間絶縁膜１５の膜厚のみで決まることになる。上述したように、絶縁膜除去部３２の深さによって透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒでのセルギャップ差が決まるため、上記の方法は透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒにリターデーションの最適化が行い易い方法であると言える。特に感光性アクリル樹脂は２〜４μｍ程度に容易に厚く形成できるため、リターデーションの最適化がより行い易い。
【００４３】
本実施の形態の液晶表示装置の最大の特徴点は、反射層２９がデータ線６や走査線３、ＴＦＴ３０、保持容量７０等の形成領域を少なくとも覆うように格子状に設けられたことにある。この構成において、反射層２９は、対向基板２０側から入射する光を反射して反射表示を行う反射層本来の役目だけでなく、データ線６や走査線３、ＴＦＴ３０への光の入射を防止する遮光膜（ブラックマトリクス）の役目も兼ねることになる。したがって、本実施の形態の構成によれば、従来の構成において対向基板側に設けていた遮光膜を不要とすることができる。対向基板側に設ける遮光膜の場合には、２枚の基板を貼り合わせる際の位置ズレを考慮して遮光膜を幅広に設計する必要があったが、本実施の形態ではＴＦＴアレイ基板１０側に遮光膜を兼ねる反射層２９を設けるので、上記の位置ズレを考慮する必要がない。その結果、本実施の形態の反射層２９を遮光膜として見たときに従来の遮光膜に比べて寸法を小さくできるため、開口率を大きくすることができる。したがって、透過表示領域Ｔが従来よりも拡がることで透過表示が明るくなるのと同時に、反射層２９が存在する領域の多く（反射層２９と画素電極９との重なり部分）が反射表示領域Ｒとして機能するので、反射表示も明るくすることができる。このようにして、透過表示、反射表示ともに明るい半透過反射型の液晶表示装置を実現することができる。
【００４４】
また本実施の形態では、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９を中継導電層４７を介して電気的に接続しているが、この中継導電層４７がデータ線６と同層でアルミニウム等で形成されているので、画素コンタクトホール２５を反射層２９のない領域に配置しても、画素コンタクトホール２５の部分も確実に遮光されるとともに、開口率が低下することがない。つまり、反射層２９の開口部２９ａは本来遮光がなされない領域であるが、本構成ではその下地にある中継導電層４７が遮光性を有しているので、確実に遮光が行われる。さらに、中継導電層４７がデータ線６と同層で構成されているので、製造工程において中継導電層４７とデータ線６とを同時に形成することができるので、製造プロセスが特に複雑になることがない。
【００４５】
データ線６を横断する部分の断面（図２のＥ−Ｆ線断面）については、図５に示すように、下地絶縁膜１２上に半導体層１（容量電極４４）、絶縁薄膜２、容量線４が順次積層され、保持容量７０が構成されている。その上にデータ線６が形成され、さらに第２層間絶縁膜１４を介して反射層２９が形成されている。半導体層１、容量線４、データ線６の３つのパターンの縁は同一線上になく、しかもこれらのパターンの縁よりも外側に反射層２９のパターンの縁が位置している。この構成により、反射層２９の縁部は比較的なだらかな傾斜面となっている。図２のＧ−Ｈ線断面については、図６に示すように、反射層２９のパターンの縁が中継導電層４７のパターンの縁よりも外側に位置している。この構成により、反射層２９の縁部は比較的なだらかな傾斜面となっている。
図２のＩ−Ｊ線断面については、図７に示すように、反射層２９のパターンの縁が走査線３のパターンの縁よりも外側に位置している。この構成により、反射層２９の縁部は比較的なだらかな傾斜面となっている。
【００４６】
より完全な遮光を行うという観点から、反射層２９のパターンの縁が半導体層１やデータ線６、走査線３のパターンの縁よりも外側に位置することが望ましいが、この構成の採用により、遮光の面のみならず、以下の効果を奏することができる。すなわち、反射層２９の断面形状が、中央が高く縁部が低いなだらかな傾斜面となっているため、反射層２９に入射した光Ｌの一部が法線以外の方向に斜めに反射することになり、より広い範囲で明るい反射表示を得ることができる。
【００４７】
なお、本実施の形態において、格子状の反射層２９のパターンの縁を直線状としたが、例えば図９に示すように、反射層２９のパターンの縁に凹凸２９Ｃを設けてもよい。このような凹凸を設けた場合、この凹凸部分に入射した光が散乱する作用が得られるので、より広い範囲で明るい反射表示を得ることができる。
【００４８】
また、ＴＦＴ３０は、好ましくはＬＤＤ構造を有するものであるが、低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。もしくは、ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソースおよびドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲートあるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソースおよびドレイン領域との接合部の光リーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造あるいはオフセット構造にすれば、より一層オフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００４９】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図１０、図１１を参照して説明する。
本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と全く同様であり、画素コンタクトホールの構成が若干異なるのみである。
図１０は本実施の形態の液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板の１ドットのパターン構成を示す平面図である。図１１は図１０のＫ−Ｌ線に沿う断面図（第１の実施の形態における図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図（図４）に相当）である。よって、図１０、図１１において図２、図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、共通部分の説明は省略する。
【００５０】
第１の実施の形態においては、画素コンタクトホール２５が径の異なる２段階のコンタクトホール２６，２７で構成されていたのに対し、本実施の形態では、図１１に示すように、画素コンタクトホール３７が、第３層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１４を連続して貫通し、中継導電層４７に達する１つのコンタクトホールで構成されている。したがって、本実施の形態では、図１０に示すように、画素コンタクトホール３７のパターンが１重の矩形で表されている。また、図１１に示すように、透過表示領域Ｔの絶縁膜除去部３２ａについても、画素コンタクトホール３７と同様、第３層間絶縁膜１５および第２層間絶縁膜１４の膜厚方向の全てが除去された状態となる。よって、絶縁膜除去部３２ａの深さは、ほぼ第３層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１４の膜厚の合計となる。
【００５１】
本実施の形態においても、１ドットあたりの開口率が大きくなり、透過表示領域Ｔ、反射表示領域Ｒの面積がともに従来よりも拡がることで透過表示、反射表示ともに明るくなる、という第１の実施の形態と同様の効果が得られる。また、本実施の形態における第２層間絶縁膜１４、第３層間絶縁膜１５の構成材料は特に限定されるものではないが、例えばシリコン酸化膜とシリコン酸化膜のように同じ材料を用いた場合、画素コンタクトホール３７および絶縁膜除去部３２ａの形成時のエッチングを、第２層間絶縁膜１４と第３層間絶縁膜１５とでエッチャントを切り替えることなく、連続して行うことができる。本実施の形態の場合、透過表示領域Ｔ、反射表示領域Ｒのリターデーションの調整にあたって第２層間絶縁膜１４と第３層間絶縁膜１５の合計膜厚の範囲内で設定することができるので、１層の層間絶縁膜だけであまり厚い膜厚が得られない場合にも対応しやすくなる。
【００５２】
［液晶表示装置の全体構成］
以上のように構成された各実施形態における液晶表示装置の全体構成を図１２および図１３を参照して説明する。なお、図１２はＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図１３は図１２のＭ−Ｎ線に沿う断面図である。
図１２、図１３において、ＴＦＴアレイ基板１０は、上述した第１、第２の実施の形態において説明したＴＦＴアレイ基板である。ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域の周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６に画像信号を所定のタイミングで供給することによりデータ線６を駆動するデータ線駆動回路２０１および外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線３に走査信号を所定のタイミングで供給することにより走査線３を駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路２０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。さらにＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
【００５３】
また、対向基板２０は、上述した第１の実施の形態において説明した対向基板であり、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための基板間導通材１０６が設けられている。そして、図１３に示すように、図１２に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００５４】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路２０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６に画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。また、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
【００５５】
［電子機器］
以下、上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の例について説明する。図１４は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１４において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
図１５は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１５において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
図１６は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１６において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
図１４、図１５、図１６に示す電子機器は、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた液晶表示部を備えているので、透過表示、反射表示ともに明るい表示を提供可能な電子機器を実現することができる。
【００５６】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えばＴＦＴアレイ基板上の絶縁膜除去部において、第１の実施の形態では第３層間絶縁膜の膜厚方向の全て、第１の実施の形態では第３層間絶縁膜および第２層間絶縁膜の膜厚方向の全てを除去した構成としたが、これら層間絶縁膜の膜厚方向の途中までを除去する構成としても良い。すなわち、透過表示領域と反射表示領域のセルギャップ差の調整を層間絶縁膜の膜厚のみで決めるのではなく、エッチング深さも含めて調整するようにしても良い。
【００５７】
また、本発明においては対向基板側の遮光膜（ブラックマトリクス）が不要になることが大きな利点であるが、遮光をより確実にするために、対向基板に遮光膜を設けてもよい。このときは必ずしも格子状に設ける必要はない。ただし、本発明においては、透過表示領域や反射表示領域の面積が従来よりも拡がることが表示を明るくする効果を生むので、少なくともＴＦＴアレイ基板側の遮光膜を兼ねる反射層よりは小さい寸法に形成しなければならない。
【００５８】
さらに、各実施形態では対向基板にカラーフィルターを設けていないが、画素電極に対向する所定の領域にＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタをその保護膜と共に形成してもよい。このようにすれば、カラーの半透過反射型液晶表示装置を実現することができる。また、各部のパターン形状、断面構造、各膜の構成材料等に関する記載はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
また、上述した説明にあっては、電気光学装置を、液晶表示装置として説明したが、本発明はこれに限るものではなく、電気泳動装置、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、或いは、プラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学素子を用いた電気光学装置および該電気光学装置を備えた電子機器に対しても適用可能であるということは言うまでもない。
【００５９】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、１ドットあたりの開口率が大きくなり、透過表示領域、反射表示領域の面積がともに従来よりも拡がることで透過表示、反射表示ともに明るい半透過反射型の液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の等価回路図である。
【図２】 同、液晶表示装置の１ドットのパターンを示す平面図である。
【図３】 図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】 図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。
【図５】 図２のＥ−Ｆ線に沿う断面図である。
【図６】 図２のＧ−Ｈ線に沿う断面図である。
【図７】 図２のＩ−Ｊ線に沿う断面図である。
【図８】 同、液晶表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図９】 同、１ドットのパターンの変形例を示す平面図である。
【図１０】 本発明の第２実施形態のパターン構成を示す平面図である。
【図１１】 図１０のＫ−Ｌ線に沿う断面図である。
【図１２】 上記実施形態の液晶表示装置の全体構成を示す図である。
【図１３】 図１２のＭ−Ｎ線に沿う断面図である。
【図１４】 本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１５】 同、電子機器の他の例を示す斜視図である。
【図１６】 同、電子機器のさらに他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
３…走査線、６…データ線、９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１の基板）、１３…第１層間絶縁膜、１４…第２層間絶縁膜、１５…第３層間絶縁膜、２０…対向基板（第２の基板）、２５，３７…画素コンタクトホール、２６…第１コンタクトホール、２７…第２コンタクトホール、２９…反射層、２９ａ…（反射層のパターンの）凹凸、３０…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、３２，３２ａ…絶縁膜除去部、４７…中継導電層、５０…液晶層、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域

Claims (14)

1. 第１の基板と第２の基板との間に電気光学素子が挟持されてなり、前記第１の基板の外面から入射される光を透過して透過表示を行う透過表示領域と前記第２の基板の外面から入射される光を反射して反射表示を行う反射表示領域とを有する電気光学装置であって、
   前記第１の基板上に、互いに交差する複数のデータ線および複数の走査線と、これらデータ線および走査線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、前記データ線、前記走査線、および前記薄膜トランジスタの上方を少なくとも覆い、前記データ線および前記走査線に沿う方向に格子状に設けられた反射層と、前記反射層の上層側に設けられた透明導電膜からなる画素電極とが備えられたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記薄膜トランジスタの半導体層と前記画素電極とが、これら半導体層と画素電極との層間に設けられた中継導電層を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 遮光性材料からなる前記中継導電層が前記反射層よりも下層側に設けられるとともに、前記画素電極と前記中継導電層とを電気的に接続する画素コンタクトホールが前記反射層に設けられた開口部の内部に設けられたことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記中継導電層が前記データ線と同層で構成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置。
5. 前記走査線と前記データ線および前記中継導電層との間に位置する第１層間絶縁膜と、前記データ線および前記中継導電層と前記反射層との間に位置する第２層間絶縁膜と、前記反射層と前記画素電極との間に位置する第３層間絶縁膜とが備えられ、前記透過表示領域において、前記第３層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜の厚さ方向の少なくとも一部が除去された絶縁膜除去部が設けられたことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記画素コンタクトホールが、前記第３層間絶縁膜を貫通して前記第２層間絶縁膜表面まで達する第１コンタクトホールと、前記第２層間絶縁膜を貫通して前記中継導電層表面まで達する第２コンタクトホールとからなり、前記絶縁膜除去部において前記第３層間絶縁膜の厚さ方向の全てが除去されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記第２層間絶縁膜が無機材料からなり、前記第３層間絶縁膜が感光性有機材料からなることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記画素コンタクトホールが、前記第３層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜を貫通して前記中継導電層表面まで達するコンタクトホールであり、前記絶縁膜除去部において前記第３層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜の厚さ方向の全てが除去されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
9. 前記第２層間絶縁膜と前記第３層間絶縁膜とが同じ構成材料からなることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
10. 前記反射層のパターンの縁が、前記半導体層、前記データ線、および前記走査線のパターンの縁よりも外側に位置していることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 前記反射層のパターンの縁に凹凸が設けられていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 前記反射層に固定電位が印加されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 少なくとも１つのドット領域の１辺において前記反射層と前記画素電極とが平面的に重なっていることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
14. 請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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