JP3377447B2 - 液晶表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透過型、反射型、
もしくはその併用型として使用できる液晶表示パネル及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示パネルは、薄型で低消費電力で
あるという特長を生かして、ワードープロセッサやパー
ソナルコンピューターなどのＯＡ機器や、電子手帳等の
携帯情報機器、あるいは、液晶モニターを備えたカメラ
一体型ＶＴＲ等に広く用いられている。

【０００３】また、上記液晶表示パネルに搭載する液晶
表示パネルはＣＲＴ（ブラウン管）やＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）表示とは異なり自らは発光しないた
め、バックライトと呼ばれる蛍光管からなる照明装置を
その背面または側方に設置して、バックライト光の透過
量を液晶表示パネルで制御して画像表示を行なう所謂透
過型液晶表示パネルがよく用いられている。

【０００４】しかしながら、透過型液晶表示パネルで
は、通常バックライトが液晶表示パネルの全消費電力の
うち５０％以上を占めるため、バックライトを設けるこ
とで消費電力が増大してしまう。

【０００５】また、透過型液晶表示パネルは反射型液晶
表示パネルとは逆に、周囲光が非常に明るい場合には周
囲光に比べて表示光が暗く見え、表示を認識することが
困難であった。

【０００６】よって、上記透過型液晶表示パネルとは別
途、戸外や常時携帯して使用する機械の多い携帯情報機
器ではバックライトの代わりに一方基板に反射板を設置
し、周囲光を反射板表面で反射させることにより表示を
行なう反射型液晶表示パネルが用いられている。

【０００７】しかしながら、周囲光の反射光を利用する
反射型液晶表示パネルは、周囲光が暗い場合には視認性
が極端に低下するという欠点を有する。

【０００８】また、このような反射型液晶表示パネルで
は、低消費電力を目的として周囲光を利用して表示を行
なうため、十分な電源を供給できる環境下でも周囲光が
ある限界値よりも暗い場合には表示を認識することがで
きなくなる。このことは、反射型液晶表示パネルの最大
の欠点であった。

【０００９】また、その製造において反射電極の反射特
性がばらつくと周囲光の利用効率にもばらつきが生じる
ため、表示を認識することができなくなる周囲光強度も
パネル間でばらつくことになる。そのため、製造の際に
は従来の透過型液晶表示パネルにおける開口率のばらつ
き以上に反射特性のばらつきを制御しなければ安定した
表示特性を有する液晶表示パネルを得ることができなか
った。

【００１０】以上のような反射型液晶表示パネル及び透
過型液晶表示パネルの問題点を解消するために、従来で
は特開平７−３３３５９８号公報に示されるように、バ
ックライト光の一部を透過させると共に、周囲光の一部
を反射させるような半透過反射膜を用いることにより、
透過型表示と反射型表示の両方を一つの液晶液晶表示パ
ネルにて実現する構成が開示されている。

【００１１】図１６に上記半透過反射膜を用いた液晶表
示パネルを示す。液晶表示パネルは、偏光板３０、位相
差板３１、透明基板３２、ブラックマスク３３、対向電
極３４、配向膜３５、液晶層３６、ＭＩＭ３７、画素電
極３８、光源３９、反射膜４０から構成されている。

【００１２】半透過反射膜である画素電極３８は、金属
粒子を画素内一面にごく薄く堆積させるか、或いは、面
内に微小な孔欠陥や凹入欠陥等が点在するよう形成され
たものであり、光源３９からの光を、画素電極３８を透
過させると共に、自然光や室内照明光等の外光を画素電
極３８で反射させることによって透過型表示機能と反射
型表示機能とを同時に実現することができる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１６
に示された表示装置では以下のような不具合が生じる。
まず、上述の半透過反射膜として金属粒子をごく薄く堆
積させたものを用いた場合、吸収係数の大きな材料を用
いる必要があるため入射光の内部吸収が大きく、また表
示に利用されない吸収光や散乱光が生じてしまい光の利
用効率が悪い（例えば、ある機種では５５％の光が表示
に利用されない）という問題を有していた。

【００１４】他方、画素電極３８として面内に微小な孔
欠陥や凹入欠陥等（以下、開口部と称する）が点在する
膜を用いた場合、膜の構造があまりにも複雑で、製造に
おいては緻密な設計条件が伴うために膜質の制御が困難
であり、均一な特性の膜を製造することが困難であると
いう問題を有していた。言い換えれば、電気特性や光学
特性の再現性が悪く、液晶表示パネルとして表示品位を
制御することが極めて困難であった。

【００１５】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、透過型表示と反射型表示を一枚の基
板で同時に行なう液晶表示パネルを、従来の液晶表示パ
ネルよりも周囲光及び照明光（バックライト光）の利用
効率を向上させ、品質を安定化させると共に製造を簡単
化した液晶表示パネル及びその製造方法を提供すること
を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示パネル
は、基板上に複数のゲート配線と、該ゲート配線と直交
するように配置された複数のソース配線とによって包囲
される複数の画素からなり、該画素内に、前記ゲート配
線と前記ソース配線の交差部付近に設けられたスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子に接続された画素電極
とが形成され、透過型表示と反射型表示とが同時に行わ
れる液晶表示パネルにおいて、前記画素電極は、互いに
電気的に接続された光透過効率の高い第一の導電層と光
反射効率の高い第二の導電層とを同一画素領域内に有し
ていることを特徴とし、そのことにより上記課題が解決
される。

【００１７】前記第一の導電層と第二の導電層とが、互
いに絶縁層を介して別層に設けられていることが好まし
い。

【００１８】前記第一の導電層と第二の導電層とが、第
三の導電層を介して接続されていることがさらに好まし
い。

【００１９】また、望ましくは前記第一の導電層、第二
の導電層または第三の導電層が、前記ゲート配線または
ソース配線を構成している材料の一部と同一の材料から
なる。

【００２０】さらに望ましくは、前記絶縁層のうち、前
記第二の導電層に対応する表面は複数の凹凸を有してい
る。

【００２１】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、順
に、前記第一の導電層を形成する工程と、少なくとも、
前記第一の導電層上に前記絶縁層を成膜する工程と、前
記絶縁層上に前記第二の導電層を成膜する工程と、前記
第一の導電層上に形成された前記第二の導電層の一部を
除去する工程とを含むことを特徴とし、そのことにより
上記課題が解決される。

【００２２】また、他の前記液晶表示パネルの製造方法
においては、前記第一の導電層を形成する工程と、少な
くとも前記第一の導電層上の、前記第一の導電層と第二
の導電層との接続領域に相当する部分に前記第三の導電
層を形成する工程と、前記絶縁層を成膜する工程と、少
なくとも前記第一の導電層と第二の導電層との接続領域
に相当する部分の前記絶縁層を除去する工程と、前記第
二の導電層を成膜する工程と、前記第一の導電層上に形
成された前記第二の導電層の一部を除去する工程と、を
含むことを特徴とを特徴し、そのことにより上記課題が
解決される。

【００２３】さらに、前記絶縁層を除去する工程と、前
記第一の導電層上の一部に存在する絶縁層を除去する工
程とを同時に行なうことが好ましい。

【００２４】以下、上記構成による作用を説明する。

【００２５】本発明によれば、画素電極が、互いに電気
的に接続された光透過効率の高い第一の導電層と光反射
効率の高い第二の導電層とを同一画素領域内に有してい
るので、従来のハーフミラーを用いた液晶表示パネルと
比較して周囲光や照明光をロスなく利用する事ができ、
格段に光の利用効率を向上させることができる。第一の
導電層としては例えば透明導電性膜であるＩＴＯやＳｎ
Ｏ ₂ 等、第二の導電層としてはＡｌ、Ｗ、Ｃｒやそれら
の合金等、何れも一般的な反射型液晶表示パネルや透過
型液晶表示パネルに使用している材料を用いることがで
きるため製造が簡単で、表示特性及び信頼性が非常に安
定した液晶表示パネルを実現することができる。

【００２６】また、従来の透過型液晶表示パネルが有し
ていた、周囲光が明るい環境下で表面反射により視認性
が低下するという課題と、従来の反射型液晶表示パネル
が有していた、周囲光が暗い環境下でパネル輝度低下に
より表示観察が困難となるという課題の、両方を同時に
解消することができると共に、何れの特長をも有する優
れたものとなった。すなわち、本発明の液晶表示パネル
は十分な電源を供給できる環境下では従来の透過型液晶
表示パネルと同様にバックライト光を利用するため、周
囲光の強度にかかわらず表示認識が可能となり、上述の
反射特性のばらつきによる周囲光の利用効率のばらつき
も反射型液晶表示パネルほど緻密に制御する必要はな
い。使用にあたっては、同一の画素内に存在する第一の
導電層を有する光透過効率の高い領域と第二の導電層と
を有する光反射効率の高い領域が相補的に表示に寄与す
るので、周囲光がどんな明るさであっても画像は鮮明に
表示される。

【００２７】さらに、本発明の液晶表示パネルをバッテ
リ駆動方式のデジタルカメラやビデオカメラのビューフ
ァインダー（モニター画面）として採用したところ、周
囲光がどのような明るさであっても、バックライトの輝
度を調節することによって常に観察しやすい明るさに保
つことができた。

【００２８】特に、晴天下、屋外にて使用した際には従
来の透過型液晶液晶表示装置ではバックライトの輝度を
高くしても表示がかすんでしまい見づらくなる。このよ
うな時はバックライトを消して反射型表示として、或い
は、バックライトの輝度を低くして透過型表示と反射型
表示を併用することで、観察上の画質が向上し、電力消
費量を少なくすることができる。他方、明るい日差しが
差し込む室内にて使用した際には被写体の方向によって
反射型表示と透過型表示とを切換えたり、或いは、それ
らを併用することによって見やすい表示とすることがで
きる。モニター画面に日が差し込む場合には晴天下の屋
外で使用した場合と同様に使用すればよい。また、部屋
の薄暗い隅から被写体を撮影する場合にはバックライト
を使用して透過型表示と併用すればよい。

【００２９】さらに、本発明の液晶表示パネルをカーナ
ビゲーション等の車載用のモニター画面として採用した
ときも、周囲光がどのような明るさであっても常に観察
しやすい表示を行なうことが可能となる。従来の透過型
液晶表示装置を使用した車載用モニターは、パソコン等
に使用されるバックライトよりも高い輝度のバックライ
トが使用されている。その理由は、晴天下や外部からの
光が画面に差し込む場合に対応するためである。しかし
ながら、それでも表示がかすんでしまって見づらくなる
ことがある。その反面、夜間や急にトンネル内を走行す
る場合には、昼間やトンネル外と同様のバックライトの
輝度のままでは明るすぎて見にくいという不具合が生じ
ていた。このようなときにも、本発明の液晶表示パネル
によれば、常に反射型表示を併用することが可能なの
で、バックライトの輝度を高く設定しなくても明るい環
境下では良好な表示を実現できる。また、真っ暗な環境
下であっても少しの輝度（約５０〜１００ｃｄ／ｍ²）
で点灯するだけで見やすい表示を実現することができ
る。

【００３０】また、画素電極を構成する第一の導電層と
第二の導電層とが互いに絶縁層を介して別層に設けられ
ているので、第一の導電層と第二の導電層の領域で、絶
縁層の膜厚を変更することによって液晶層の層厚を制御
することができる。このことにより、両領域における光
学特性の整合をとることができる。一方、製造工程にお
いても互いに異なる電極電位を有する二層が絶縁層を介
してそれぞれ存在している。よって、画素電極のパター
ニング時の現像液やレジスト剥離時の剥離液等を電解液
として電食反応を生じることがないので、信頼性の高い
液晶表示パネルを得ることができる。

【００３１】例えば、本発明のように絶縁層を挟まずに
画素電極の二層（例えば下層にＩＴＯ、上層にＡｌ）を
続けて形成する場合、Ａｌ層とＩＴＯ層との電極電位差
が極めて大きく、薄膜中には多くの欠陥部（微小な開口
部）が存在しているので、画素電極のパターニング時の
現像液やレジスト剥離時の剥離液等を電解液として電食
反応を生じてＩＴＯ層の溶出が進行し、画素欠陥、配線
の断線、液晶層の汚染を招きやすい。これに対し、本発
明のように間に絶縁層を形成することにより、この絶縁
層が保護膜となって電食反応の原因となる液の浸入等を
防ぐことができる。

【００３２】また、画素電極を構成する二層が電食を発
生しやすい関係にあっても、その両者の性質を緩和させ
るような第三の導電層を介して接続されているので、よ
り電食反応による接触不良や信頼性の低下を抑止するこ
とが可能となる。

【００３３】また、第一、第二、第三の導電層の何れか
が、ゲート配線またはソース配線の材料の一部と同一で
あるので、製造プロセスを簡略することが可能となる。

【００３４】また、絶縁層のうち、第二の導電層が形成
される表面が複数の凹凸を有していれば、周囲光を反射
させるだけでなく、外部へ散乱させることができ、広い
視野角を得ることで、別途散乱板を使用することなくペ
ーパーホワイト表示が可能となる。

【００３５】本発明の液晶表示パネルの製造方法によれ
ば、従来のハーフミラーを用いた液晶表示パネルのよう
な複雑な製造条件は必要でなく、従来の透過型液晶表示
パネルや反射型液晶表示パネルに用いた一般的な電極材
料や配線材料ならびに製造条件を用いればよいため、容
易に製造することができ、その再現性も良好である。ま
た、第一の導電層と第二の導電層とが電食を起こしやす
い関係にあっても、絶縁層や第三の導電層を介在させる
ことにより両者が直接接したり、電解液に触れることが
ない状態で製造することができる。したがって、電食反
応の発生が抑止され、高い信頼性を有する液晶表示パネ
ルを効率よく提供することができる。

【００３６】また、第一の導電層と第二の導電層との接
続領域に対応する部分の絶縁層を除去する工程と、第一
の導電層上の一部に存在する絶縁層を除去する工程とを
同時に行なうので、工程数を増やすことなく高い信頼性
を有する液晶表示パネルを得ることができる。

【００３７】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の実施形態
１の液晶表示パネルに関し、図面に基づき以下に説明を
行なう。図１は本実施形態の液晶表示パネルにおけるア
クティブマトリクス基板の部分平面図であり、図２は図
１のＡ−Ａ断面図である。

【００３８】図１において、ガラスまたはプラスチック
等からなる透明な絶縁性基板１（図示せず）上に、複数
のゲート配線３と複数のソース配線９ａが直交するよう
に配設され、前記配線の交差部近傍にはＴＦＴ７が設け
られている。ＴＦＴ７のドレイン電極９ｃには画素電極
として反射電極１１と透過電極８ａが接続されている。
これら画素電極が形成された部分は、基板上方から観察
すると光透過効率の高い領域Ａと光反射効率の高い領域
Ｂの２つの領域からなる。

【００３９】また、図示しないが、図１のアクティブマ
トリクス基板の表面には液晶配向機能を有する配向膜が
設けられている。

【００４０】本実施形態及び以下の実施形態に係る液晶
表示パネルは、以上のようなアクティブマトリクス基板
が、透明電極及び配向膜を備えた対向基板とを貼り合わ
され、基板間に液晶が封入されてなるものである。尚、
必要に応じ、カラーフィルタや位相差板、偏光板等が別
途備え付けられていてもよい。

【００４１】本実施形態では、領域Ａは絵素中央部に位
置する四角形であり、その断面構造は光透過効率の高い
材料が積層されてなると共にＴＦＴ７のドレイン電極９
ｃに接続された透過電極８ａを画素電極として備えてい
る。他方、領域Ｂは上記領域Ａを包囲するようにして形
成され、その上面にはＴＦＴ７のドレイン電極９ｃに接
続された光反射効率の高いＡｌまたはＡｌ系合金からな
る反射電極１１を画素電極として備えている。これによ
り領域Ｂは入射光を外部へ効率よく反射させることがで
きる。また、反射電極１１はさらにその表面になだらか
な凹凸形状を有しているので、入射光を適度な範囲へ散
乱させることができるような構成となっている。

【００４２】尚、液晶としては、黒色色素を混入したゲ
ストホスト液晶ＺＬＩ２３２７（メルク社製）に、光学
活性物質Ｓ−８１１（メルク社製）を０．５％混入した
ものを用いた。

【００４３】図２において、上記ＴＦＴ７はゲート配線
３（図１に示す）から分岐するゲート電極２の上部に、
ゲート絶縁膜４、半導体層５、半導体コンタクト層６
ａ、６ｂ、ソース電極９ｂ及びドレイン電極９ｃが順に
積層されてなる。

【００４４】ＴＦＴ７のドレイン電極９ｃには透過電極
８ａが接続されており、この透過電極８ａが画素電極の
役割をなしている。前記領域Ｂに相当する部分には透過
電極８ａの上部に層間絶縁膜１０及び反射電極１１が設
けられており、この反射電極１１は層間絶縁膜１０に形
成されたコンタクトホール１３を介して下部の透過電極
８ａと電気的に接続されて、透過電極８ａと同様に液晶
に電圧を印加するための画素電極となっている。このと
き、透過電極８ａと反射電極１１とは直接接続させず、
間に導電性の金属層１２を挟むことによって電気的に接
続させている。

【００４５】これを製造するプロセスにおいては、反射
電極１１のパターン形成時に透過電極８ａ上を絶縁層１
０で被覆しておくことができるため（詳細は下記にて説
明）、ＩＴＯとＡｌとが電食反応を生じて、配線が断線
する等の不具合を効果的に防止することができる。ま
た、透過電極８ａ上に絶縁層１０をある程度薄く残し、
完全に透過電極８ａを覆う構造とすることで、製造後も
ＩＴＯとＡｌとの間で電食反応を生じるのを防止でき
る。

【００４６】尚、本実施形態では上記金属層１２として
Ｔｉを用いたがこの限りではなく、Ａｌ系以外の導電性
材料であればＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の材料を用いても
同様の効果を得ることが可能である。或いは、金属層１
２を形成する代わりに、上記反射電極１１として、Ａｌ
へＷ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｖ、Ｚｒ等の、Ａｌよりも電極電位
の高い金属材料を添加したＡｌ系合金材料を用いること
によっても、上記ＩＴＯとＡｌとの間の電食反応を抑止
することが可能である。例えば、ＡｌにＷを５．０ａｔ
％程度添加することにより上述の電食反応をより効果的
に抑止することができる。

【００４７】以下、本実施形態のアクティブマトリクス
基板の製造方法について図３に基づき説明を行なう。ま
ず、図３（ａ）に示すように、絶縁性基板１の上に導電
性薄膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて所望
の形状にパターニングし、ゲート電極２、ゲート配線
（図示せず）を形成する。本実施形態では、絶縁性基板
１としてはガラス、ゲート電極２及びゲート配線３の材
料（以下、ゲート材料と称する）としてＴａを用いた。
但し、絶縁性基板１としてはガラス以外にもプラスチッ
ク等の材料を用いても構わない。また、ゲート材料とし
てもＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有
する他の材料でも構わない。

【００４８】次に、図３（ｂ）に示すように、ゲート絶
縁膜４、半導体層５、半導体コンタクト層６ａ、６ｂを
成膜する。本実施形態ではゲート絶縁膜４としてＳｉＮ
ｘ、半導体層５としてａ−Ｓｉ、半導体コンタクト層６
ａ、６ｂとしてＰをドープしたｎ＋型ａ−ＳｉをＣＶＤ
法で連続成膜した。そして、フォトリソグラフィ技術を
用いて所定の形状にパターニングを行い、半導体層５と
半導体コンタクト層６ａ、６ｂを形成する。

【００４９】次に導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ
技術を用いて所定の形状にパターニングし、ソース配線
９ａ、ソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃを形成する。
本実施形態では導電膜としてＣｒ系材料を用いた。但し
本材料としてはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の
導電性を有する他の材料でも構わない。

【００５０】次に、図３（ｃ）に示すように、光透過性
を有する導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用
いて透過電極８ａを形成する。本実施形態ではこの透過
電極８ａとしてＩＴＯを用いた。

【００５１】次に、金属膜を成膜しフォトリソグラフィ
技術を用いて金属層１２を形成する。この金属層１２
は、前記透過電極８ａと後の工程にて形成する反射電極
１１とを接続する際に両者を介するもので、本実施形態
では材料としてＴｉを用いた。但し、Ａｌ系以外の材料
であればＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の他の材料でも構わな
い。

【００５２】次にソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃを
マスクとして半導体コンタクト層をエッチングし、半導
体コンタクト層としてソース側６ａ、とドレイン側６ｂ
に分けることでＴＦＴ７を形成する。

【００５３】このときソース、ドレイン電極層９ａ、９
ｂ、９ｃが、透過電極８ａの上層に形成されていても構
わない。

【００５４】次に、図３（ｄ）に示すように、層間絶縁
膜１０を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて後に
コンタクトホール１３、透過領域（領域Ａ）等となる部
分を層間絶縁膜１０から削除する。またこれと同時に、
領域Ｂ、すなわち反射電極１１を形成する部分の層間絶
縁膜１０上になだらかな凹凸部１５を形成する。

【００５５】尚、領域Ａに対応する部分の層間絶縁膜１
０を除去することにより、領域Ａの透過率を向上させる
ことができる。但し、本実施形態のように完全に除去し
なくてもよく、ある程度残存させてもよいし、或いは全
く除去するものでなくても構わない。例えば、除去する
膜厚を制御することにより、液晶にかかる電圧を領域Ａ
と領域Ｂとで互いに等しくすることができる。すなわ
ち、液晶の配向状態を画素内で略均一にできる。

【００５６】また、基板端部に設けられている配線の接
続端子上にも絶縁層が形成されている場合にはその絶縁
層をこの工程と同時に除去してもよい。すなわち、ソー
ス配線端子部分、ゲート配線端子部分にはＩＣドライバ
等と接続するための接続電極がＩＴＯで形成されている
ことが多いが、この接続電極上に直接Ａｌ電極を形成す
る場合、画素部と同様の電食反応が発生することがあ
る。そこで、ＩＴＯとＡｌとの間に絶縁層を設けること
で問題は解決されるが、最終的に接続電極上の絶縁層を
除去しなければならないので、この除去を画素部の領域
Ａ上の層間絶縁膜１０を除去する工程と同時に行なえば
工程数を増すことがなく好適である。

【００５７】本実施形態の凹凸部１５の形状は、上方か
ら観察したときに円形をしており（図１、３に示す）、
その断面は連続的に変化するなだらかな形状のものであ
る。このように、表面に凹凸部１５を備えた層間絶縁膜
１０の上に、次工程にて形成される反射電極１１が設け
られると、入射光が反射電極１１表面で効率よく反射さ
れると共に、その反射光を適度な方向へ散乱させること
ができる。尚、形成する凹凸部１５の形状は所望とする
表示特性に応じて適宜決定すればよく、或いは、反射光
を散乱させる必要のない場合等には上記凹凸部１５を形
成しなくてもよい。

【００５８】尚、本実施形態では層間絶縁膜１０として
単層（２．５μｍ程度）の有機樹脂を用いたがこれに限
定されることはなく、異なる複数の材料からなる積層膜
であっても構わない。しかし本実施形態のように、有機
樹脂からなる層間絶縁膜１０を比較的厚く形成すると、
ＴＦＴ７の上部にも反射電極１１の一部を重畳させて
も、寄生容量が発生することはなく、表示品位が良好か
つ開口率の高い液晶表示パネルとなる。また、このよう
に厚い有機樹脂層であれば、上記凹凸部１５の形成も行
いやすい。

【００５９】或いは、この層間絶縁膜の代わりに、Ｓｉ
Ｎｘを初めとする一般的な無機膜を絶縁層として用いて
も構わない。但し、一般的に比較的薄くても高い絶縁性
を得ることができる代わりに、エッチングによる凹凸形
成は困難となりやすい。しかし、所望とする液晶表示パ
ネルの表示特性により、凹凸部を形成する必要はない場
合には好適である。

【００６０】続いて、図３（ｅ）に示すように、Ａｌを
成膜し、フォトリソグラフィ技術によって領域Ｂに相当
する部分をパターニングして反射電極１１を形成する。
この反射電極１１はコンタクトホール１３及び金属層１
２を介して下部の透過電極８ａ、ＴＦＴ７のドレイン電
極９ｃと電気的に接続される。本実施形態では反射電極
１１としてＡｌを用いたがこの限りではなく、Ａｌ系の
合金材料又は光反射光率の高い導電性材料であっても構
わない。以上の工程によりアクティブマトリクス基板が
完成する。

【００６１】また、図示しないが、以上のアクティブマ
トリクス基板の表面に配向膜を形成し、この基板と透明
電極及び配向膜を備えた対向基板とを貼り合わせ、基板
間に液晶を封入することにより本実施形態の液晶表示パ
ネルが完成する。必要であればカラーフィルタや位相差
板等を別途備え付けてもよい。

【００６２】尚、液晶としては、黒色色素を混入したゲ
ストホスト液晶ＺＬＩ２３２７（メルク社製）に、光学
活性物質Ｓ−８１１（メルク社製）を０．５％混入した
ものを用いた。

【００６３】また、本実施形態では領域Ａと領域Ｂの面
積比率を４０：６０とすることにより、良好な表示特性
を有する液晶表示パネルを得ることができた。尚、面積
比率はこの値に限定されることはなく、領域Ａ、Ｂの透
過効率または反射効率、及び使用目的に応じて適宜変更
してもよい。また、本実施形態では領域Ａを絵素中央部
に１個所のみ設けたがこれに限定されることはなく、複
数箇所に分割されていても構わないし、その形状も四角
形に限らない。

【００６４】以上説明した本実施形態の液晶表示パネル
や、以下に示す実施形態の液晶表示パネルでは、画素電
極６として画素中央部に光透過効率の高い領域Ａを、そ
れ以外に光反射効率の高い領域Ｂを設けているので、従
来のハーフミラーを用いた液晶表示パネルと比較して周
囲光や照明光をロスなく利用する事が可能となる。ま
た、液晶表示パネルは従来の透過型液晶表示パネルにお
いて周囲光が明るい環境下で表面反射により視認性が低
下するという課題と、従来の反射型液晶表示パネルにお
いて周囲光が暗い環境下でパネル輝度低下により表示観
察が困難となるという課題の、両方を同時に解消するこ
とができると共に、何れの特長をも有する優れたものと
なった。すなわち、本発明の液晶表示パネルは周囲光の
強度にかかわらず表示認識が可能となり、上述の反射特
性のばらつきによる周囲光の利用効率のばらつきも反射
型液晶表示パネルほど緻密に制御する必要はない。

【００６５】また、本実施形態の液晶表示パネルの製造
方法については、従来のハーフミラーを用いた液晶表示
パネルのように複雑な製造条件は必要でなく、従来の透
過型液晶表示パネルや反射型液晶表示パネルに用いた一
般的な電極材料や配線材料ならびに製造条件を用いれば
よいため、比較的容易に製造することができ、その再現
性も良好である。また、従来のハーフミラーを用いた液
晶表示パネルでは困難であった、表示特性の制御等も比
較的容易に行なうことができる。

【００６６】（実施形態２）本発明の実施形態２の液晶
表示パネルに関し、図面に基づき以下に説明を行なう。
図４は本実施形態の液晶表示パネルにおけるアクテイブ
マトリクス基板の部分平面図であり、図５は図４のＢ−
Ｂ断面図である。

【００６７】本実施形態の液晶表示パネル及びその製造
方法は、画素電極としての反射電極１１とＴＦＴ７との
電気的接続構造及びその構成にかかわる製造方法が上記
実施形態１と相違する。

【００６８】図４、５において、ＴＦＴ７のドレイン電
極には透過電極８ａが接続されており、この透過電極８
ａは領域Ａにおいて液晶に電圧を印加する画素電極とし
て機能する。前記領域Ｂに相当する部分には透過電極８
ａの上部に層間絶縁膜１０及び反射電極１１が設けられ
ており、この反射電極１１は層間絶縁膜１０に形成され
たコンタクトホール１３を介して下部のドレイン電極９
ｃに直接接続され、前記透過電極８ａと同様に画素電極
として機能する。本実施形態においても上記実施形態１
と同様に、透過電極８ａの材料であるＩＴＯと反射電極
１１の材料であるＡｌとを直接接続させない構成となっ
ているため、領域ＢではＡｌによる周囲光の高い光反射
効率を、他方の領域ＡではＩＴＯによるバックライト光
の高い透過効率を有しながら、ＴＦＴとこれらの材料と
の電気的接続を電食等のおそれなく確実に行なうことが
可能となる。

【００６９】尚、本実施形態ではＩＴＯとＡｌとの電食
反応に関して記載しているが、本発明はこの組合わせに
のみに適用されるということではなく、電食反応の生じ
易い、互いに異なる電極電位を有する異種の材料の組合
せに対して用いれば効果的である。

【００７０】以下に、本実施形態のアクティブマトリク
ス基板の製造方法について説明を行なう。ＴＦＴ７の半
導体層５と半導体コンタクト層６ａ、６ｂの一島をパタ
ーニングするところまでは上記実施形態１と同様であ
る。

【００７１】次に導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ
技術を用いて所望の形状にパターニングしてソース配線
９ａ、ソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃ、接続用金属
層９ｄを形成する。本実施形態では導電膜としてＣｒ系
材料を用いた。但し、本材料としてはＡｌ、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する他の材料でも構
わない。

【００７２】続いて、上記実施形態１と同様の透過電極
８ａを形成する。このとき、透過電極８ａを接続用金属
層９ｄの上部に一部重ねる構造とした。この構造でなく
とも、透過電極８ａの一部に上記接続用金属層９ｄの一
部を重ねてもよい。尚、本実施形態でも透過電極８ａと
してＩＴＯを用いた。

【００７３】このとき、ソース配線９ａ、ソース電極９
ｂ、ドレイン電極９ｃ、接続用金属層９ｄが、透過電極
８ａの上層に形成されていても構わない。

【００７４】次に、上記実施形態１と同様の方法にて層
間絶縁膜１０を形成し、コンタクトホール１３及び透過
領域（領域Ａ）の部分の層間絶縁膜１０を開孔した後、
反射電極１１を形成する。本実施形態でも反射電極１１
の材料としてＡｌを用いた。

【００７５】以上説明したように、本実施形態において
も反射電極１１としてのと透過電極８ａとしてのＩＴＯ
とを直接接続させず、特に信頼性においてコンタクト部
でのＡｌとＩＴＯとの電食による不良の発生を抑えるこ
とができる。この接続用金属層はＴＦＴのソース電極の
材料で形成することができるため、その製造を簡略化す
ることができる。

【００７６】（実施形態３）本実施形態では、上記実施
形態２の液晶表示パネルの別の製造方法について、図面
に基づき説明を行なう。

【００７７】図６（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の液晶
表示パネルの製造方法を説明するための断面図であっ
て、図５のＢ−Ｂ断面に相当する。尚、説明は省略する
が、本実施形態において層間絶縁膜を形成する以前の工
程は、上記実施形態２にて説明した方法に準じて行なっ
たものとする。

【００７８】以下に詳細に説明する。まず、上記実施形
態２と同様の方法により層間絶縁膜１０を形成した後、
図６（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用
いてコンタクトホール１３領域の層間絶縁膜１０を削除
する。このとき、同一工程において反射電極１１を形成
する部分の層間絶縁膜１０表面には入射光を散乱させる
ための凹凸部１５を上記実施形態１と同様に形成する。
尚、上記実施形態とは異なり、領域Ａとなる部分の層間
絶縁膜１０は削除しない。

【００７９】そして、その上層に反射電極１１用のＡ
ｌ、若しくはＡｌ系合金膜を成膜する。本実施形態では
層間絶縁膜１０として単層の有機樹脂を用いた。但し、
層間絶縁膜１０は異なる複数材料からなる積層膜であっ
ても構わない。また、必要なければ表面の凹凸は形成し
なくても構わない。

【００８０】次に、図６（ｂ）に示すように、上記Ａｌ
をフォトリソグラフィ技術によってパターニングし、反
射電極１１を形成する。

【００８１】その後、図６（ｃ）に示すように透過領域
（領域Ａ）を覆う層間絶縁膜１０のすべて若しくは一部
を除去する。

【００８２】以上により、透過型表示と反射型表示を同
時に行なう本実施形態の液晶表示パネルにおいて、反射
電極１１としてのＡｌと透過電極８ａとしてのＩＴＯの
直接接続を行わない構造を取り、信頼性においてコンタ
クト部でのＡｌとＩＴＯとの電食による不良の発生を抑
えることのでき、かつ製造工程においても反射電極材料
のＡｌの加工プロセス時に透過電極８ａのＩＴＯが露出
しないことにより、製造中のＡｌとＩＴＯとの電食反応
を抑制できる、液晶表示パネルを製造できる。

【００８３】（実施形態４）本発明の実施形態４の液晶
表示パネルの製造方法に関し、図面に基づき以下に説明
を行なう。本実施形態の液晶表示パネルは、画素電極と
しての透過電極８ａ、及びＴＦＴ７のドレイン電極９ｃ
の形成順序と、層間絶縁膜１０を開孔する工程が上記実
施形態２、３と相違する。

【００８４】図７（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の液晶
表示パネルの製造方法を説明するための断面図であっ
て、図５のＢ−Ｂ断面に相当する。尚、説明は省略する
が、本実施形態において半導体コンタクト層を形成する
以前の工程は、上記実施形態１、２にて説明した方法に
準じて行なったものとする。

【００８５】以下に詳細に説明する。図７（ａ）に示す
ように、半導体コンタクト層を形成した後、光透過性導
電膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてパター
ニングすることにより透過電極８ａを形成する。本実施
形態では透過電極８ａとしてＩＴＯを用いた。

【００８６】次に導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ
技術を用いてソース配線９ａ、ソース電極９ｂ、ドレイ
ン電極９ｃ、接続用金属層９ｄ、及び透過領域用金属層
９ｅをパターニングする。ソース配線９ｃとソース配線
９ａとは電気的に接続されている。また、ドレイン電極
９ｃ、接続用金属層９ｄ、及び透過領域用金属層９ｅは
互いに電気的に接続されている。本実施形態では上記導
電膜としてＴａ系材料を用いた。但し本材料としてはＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する他
の材料でも構わない。

【００８７】次にソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃを
マスクとして半導体コンタクト層をエッチングし、ソー
ス側６ａ、とドレイン側６ｂに分けることでＴＦＴ７を
形成する。

【００８８】この後、層間絶縁膜１０を成膜し、フォト
リソグラフィ技術を用いて透過領域Ａに対応する部分及
びコンタクトホール１３の部分の層間絶縁膜１０を開孔
する。このとき、反射電極１１を形成する部分の層間絶
縁膜１０表面には入射光を散乱させるための凹凸部１５
を形成する。そして、その上層に反射電極１１用のＡ
ｌ、若しくはＡｌ系合金膜を成膜する。尚、本実施形態
では層間絶縁膜１０として単層の有機樹脂を用いた。但
し層間絶縁膜は異なる材料の積層膜であっても構わな
い。或いは表面に凹凸を形成しなくても構わない。

【００８９】図７（ｂ）に示すように、上記Ａｌをフォ
トリソグラフィ技術によってパターニングし反射電極１
１を形成する。

【００９０】この後、図７（ｃ）に示すように、透過領
域（領域Ａ）上を覆っている金属層９ｅのすべて若しく
は一部を除去する。このとき、金属層９ｅの除去は、フ
ォトリソグラフィ技術を用いることによっても、或い
は、反射電極１１をマスクとしてエッチング除去しても
構わない。または、反射電極１１のエッチング形成時に
連続してエッチング形成しても構わない。

【００９１】以上本実施形態の液晶表示パネル及びその
製造方法は、Ａｌの反射電極とＩＴＯの透過電極８ａの
直接接続を行わないため、信頼性についてはコンタクト
部でのＡｌとＩＴＯとの電食による不良の発生を抑える
ことができ、かつ、製造工程については反射電極材料の
Ａｌの加工プロセス時に透過電極８ａのＩＴＯが露出し
ないため、製造中のＡｌとＩＴＯとの電食反応を抑制で
きるという利点を有する。

【００９２】（実施形態５）本発明の実施形態５の液晶
表示パネルの製造方法に関し、図面に基づき以下に説明
を行なう。本実施形態の液晶表示パネル及びその製造方
法は、透過電極８ａ及びＴＦＴ７の構造、層間絶縁膜１
０に開孔部を設ける工程に特徴があり、この点で上記実
施形態２、３と相違する。

【００９３】図８（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の液晶
表示パネルの製造方法を説明するための断面図であっ
て、図５のＢ−Ｂ断面に相当する。尚、説明は省略する
が、本実施形態において半導体コンタクト層を形成する
以前の工程は上記実施形態１、２にて説明した方法に準
じて行なったものとする。

【００９４】以下に詳細に説明する。図８（ａ）に示す
ように、半導体コンタクト層を形成した後に、光透過性
導電膜と金属膜を連続して成膜し、ソース配線９ａ、ソ
ース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃ、反射電極−透過電極
接続用金属層９ｄ、及び透過領域用金属層９ｅとしてフ
ォトリソグラフィ技術を用いて金属膜をパターニングす
る。続いて下層の光透過性導電膜を、前記ソース配線９
ａ、ソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃ、反射電極−透
過電極接続用金属層９ｄ、及び透過領域用金属層９ｅと
同一のパターンに加工し、透過電極８ａ、ソース電極８
ｂ、ドレイン電極８ｃ等を形成する。

【００９５】すなわち、ソース電極、ソース配線、ドレ
イン電極を二層構造とすることにより、一方の層の一部
に何らかの断線不良が生じている場合にも正常な信号は
他方の層を伝播するため、正常に表示を行うことができ
る。また、本実施形態では光透過性導電膜としてＩＴ
Ｏ、金属膜としてＴａ系材料を用いた。このとき光透過
性導電膜の加工に関しては、金属膜と連続してエッチン
グ加工しても、また金属膜を加工するときに用いたマス
クを除去した後、金属膜のパターンを用いて光透過性導
電膜をエッチング加工しても構わない。

【００９６】次にソース電極９ｂ、８ｂとドレイン電極
９ｃ、８ｃをマスクとして半導体コンタクト層をエッチ
ングし、ソース側６ａとドレイン側６ｂに分けることで
ＴＦＴ７を形成する。

【００９７】続いて、層間絶縁膜１０を成膜し、フォト
リソグラフィ技術を用いて層間絶縁膜１０に透過領域
（領域Ａ）とコンタクトホール１３の部分を開孔する。
このとき、反射電極１１を形成する部分の層間絶縁膜１
０表面には入射光を散乱させるための凹凸部１５を形成
する。そして、その上層に反射電極１１としてのＡｌ、
若しくはＡｌ系合金膜を成膜する。

【００９８】本実施形態では該層間絶縁膜に単層の有機
樹脂を用いた。但し層間絶縁膜は複数の異なる材料の積
層膜であっても構わない。また表面に凹凸を形成しなく
ても構わない。

【００９９】次に、図８（ｂ）に示すように前記Ａｌま
たはＡｌ系合金膜をフォトリソグラフィ技術によってパ
ターニングし、反射電極１１を形成する。

【０１００】その後、図８（ｃ）に示すように領域Ａ上
を覆っている金属層９ｅのすべて若しくは一部を除去す
る。このとき、金属層９ｅの除去は、フォトリソグラフ
ィ技術によって行なってもよいし、或いは、反射電極１
１をマスクとしてエッチングすることにより行なっても
よい。さらに、反射電極１１のエッチング形成時に連続
してエッチング形成しても構わない。

【０１０１】以上本実施形態の液晶表示パネル及びその
製造方法は、Ａｌの反射電極とＩＴＯの透過電極８ａの
直接接続を行わないため、信頼性についてはコンタクト
部でのＡｌとＩＴＯとの電食による不良の発生を抑える
ことができ、かつ、製造工程については反射電極材料の
Ａｌの加工プロセス時に透過電極８ａのＩＴＯが露出し
ないため、製造中のＡｌとＩＴＯとの電食反応を抑制で
きるという利点を有する。さらに、画素電極の形成を、
他の配線と同一プロセスにて行うため、製造工程を簡略
化することができる。

【０１０２】尚、本実施形態では、画素電極の形成をソ
ース配線、ソース電極及びドレイン電極と同一の工程に
て行ったがこれに限定されることはなく、ゲート配線ま
たはゲート電極と同一工程にて形成してもよいし、画素
電極としては透過電極ではなく反射電極を他の配線と同
一工程にて形成するものであってもよい。

【０１０３】（実施形態６）本発明の実施形態６の液晶
表示パネル及びその製造方法に関し、図面に基づき以下
に説明を行なう。また、本実施形態においては、上記実
施形態６の液晶表示パネルに関し、端子部の構造及びそ
の製造方法についても説明を行なう。

【０１０４】本実施形態の液晶表示パネル及びその製造
方法は、透明電極をゲート電極及びゲート配線と同層に
設ける点で上記実施形態１〜５と相違する。

【０１０５】図９（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の液晶
表示パネルに用いるアクティブマトリクス基板の画素部
および液晶パネル端子部の構造を説明するための断面図
である。尚、図９（ａ）は本実施形態に係るアクティブ
マトリクス基板の画素部の断面構造を示す図であり、図
４のＢ−Ｂ断面に相当する。また、図９（ｂ）はゲート
側端子構造を示す図であり、図１０のＣ−Ｃ断面に相当
し、図９（ｃ）はソース側端子構造を示す図であり、図
１０のＤ−Ｄ断面に相当する。また、ここで図１０は本
発明の液晶パネルの概略上面図である。

【０１０６】以下に、本実施形態の液晶表示パネルに係
る構成について詳細に説明する。図９（ａ）において、
絶縁性基板１上には、上記実施形態と同様のＴＦＴ７が
設けられている。また、このＴＦＴ７のゲート電極２及
びゲート配線（図示せず）と同層に、透過電極８ａが設
けられている。さらに、ＴＦＴ７のドレイン電極９ｃ
は、層間絶縁膜１０中に形成されたコンタクトホール１
３を介して上層の反射電極１１と接続されていると共
に、他方、ゲート絶縁膜４に形成されたコンタクトホー
ル１６を介して下層の透過電極８ａと接続されている。

【０１０７】この構成により、本実施形態のように、画
素電極として互いに異種金属からなる透過電極及び反射
電極を同一画素内に作り込む構成とする場合に、例え
ば、透過電極８ａの加工工程後より、反射電極１１の加
工工程が終了するまでの間に、少なくとも透過電極８ａ
が形成された部分を少なくともゲート絶縁膜４で被覆し
続けることにより、各金属間の電極電位差により電食が
発生する問題を防ぐことができる。

【０１０８】また、図９（ｂ）、（ｃ）に示す端子部構
造についても同様に、上記透過電極８ａと同時に形成さ
れた端子部の上部に絶縁膜（ゲート絶縁膜４及び層間絶
縁膜１０）が設けられた構成となっているので、層間絶
縁膜の形成後に形成される反射電極１１の加工工程が終
了するまでの間、下層の端子部を少なくともより緻密な
ゲート絶縁膜によって被覆しておくことが可能なので、
異種金属である反射電極と端子部間での電食の発生を阻
止することができる。

【０１０９】以下に、図９（ａ）のアクティブマトリク
ス基板の製造方法について図１１、１２を参照しながら
説明を行なう。尚、図１１、１２は図９（ａ）のアクテ
ィブマトリクス基板の製造方法を説明するための断面図
である。

【０１１０】図１１（ａ）において、絶縁性基板１上に
透過性を有する導電膜を形成し、フォトリソグラフィ技
術により透過電極８ａを形成する。本実施形態では、絶
縁性基板１としてガラス基板、透過電極８ａとしてはＩ
ＴＯを用いた。

【０１１１】また、フォトリソグラフィ技術により、ゲ
ート電極２、ゲート配線３をパターニングする。本実施
形態ではゲート材料としてＴａ系材料を用いた。但し、
ゲート材料としてはＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ
等の導電性を有する他の材料であってもよい。

【０１１２】尚、以上の工程においては、透過電極８ａ
の形成工程と、ゲート電極２及びゲート配線３の形成工
程の順序を入れ替えることもできる。

【０１１３】次に、図１１（ｂ）において、ゲート絶縁
膜４、半導体層５、半導体コンタクト層６ａ、６ｂとし
て、それぞれＳｉＮｘ、アモルファスシリコン、Ｐをド
ープしたｎ＋型アモルファスシリコンをＣＶＤ法により
連続成膜し、フォトリソグラフィ技術により半導体層
５、半導体コンタクト層６ａ、６ｂをパターニングす
る。

【０１１４】さらに、ゲート絶縁膜４に、透過電極８ａ
と、後に形成するドレイン電極とを電気的に接続するた
めのコンタクトホール１５を形成する。尚、このとき、
図９（ｂ）、（ｃ）に示すゲート側端子２０またはソー
ス側端子２１上のゲート絶縁膜４を同時に除去しても構
わない。

【０１１５】続いて、図１１（ｃ）に示すように、導電
膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術によりソース配線
９ａ、ソース電極９ｂ及びドレイン電極９ｃをパターニ
ングする。本実施形態ではこの導電膜としてＣｒ系材料
を用いた。但し、他にもＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、
Ｔｉ等の導電性を有する材料を用いてもよい。

【０１１６】次に、ソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃ
をマスクとして半導体コンタクト層６ａ、６ｂの中央部
をエッチングすることにより、ソース側６ａとドレイン
側６ｂとに分ける。以上の工程によりＴＦＴ７が完成す
る。

【０１１７】続いて、図１１（ｄ）に示すように、層間
絶縁膜１０を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて
層間絶縁膜１０にコンタクトホール１３を開孔する。但
し、透過領域（領域Ａ）に対応する層間絶縁膜１０につ
いては本工程では除去せず、後程、反射電極を形成した
後に除去する。

【０１１８】次に、図１１（ｅ）に示すように、領域Ｂ
に対応する層間絶縁膜１０の表面に凹凸部１５を、前工
程と同様にフォトリソグラフィによって形成する。

【０１１９】尚、本実施形態では層間絶縁膜１０として
は有機絶縁膜を用いたが、これに限らず、異なる材料の
積層膜であってもよい。また、層間絶縁膜１０の表面に
は必ずしも凹凸を形成しなくても構わない。

【０１２０】次に、図１２（ａ）に示すように、反射電
極１１の材料として反射効率の高い導電膜を成膜する。

【０１２１】さらに図１２（ｂ）に示すように、フォト
リソグラフィ技術により反射電極１１をパターニングす
る。画素内においては、少なくとも領域Ａとなる部分の
反射電極１１は除去するものとする。

【０１２２】最後に、図１２（ｃ）に示すように、領域
Ａに相当する透過電極８ａ上の層間絶縁膜１０を除去す
る。さらに、ゲート絶縁膜４についても、領域Ａに相当
する部分を除去する。

【０１２３】尚、このとき、ゲート絶縁膜４または層間
絶縁膜１０を残存させると電圧降下が生じ、液晶へ電圧
が十分に印加されないことが懸念されるため、何れの絶
縁膜も除去しておくことが好ましい。特に、本発明のよ
うに、互いに電気的に接続された透過電極８ａと反射電
極１１によって液晶へ電圧を印加するときには、領域
Ａ、Ｂに対応する液晶へ印加される電圧には差が生じて
しまうため、好適ではない。

【０１２４】以上の方法により、アクティブマトリクス
基板が完成する。さらに、このアクティブマトリクス基
板に、配向膜を塗布後、必要ならば配向処理を行ない、
上述の対向基板と貼り合せ、基板間に液晶を封入するこ
とにより本発明の液晶表示パネルが完成する。

【０１２５】以下、基板周縁部に設けられた端子部の形
成方法について図１３を参照しながら説明を行なう。

【０１２６】図１３は、本実施形態の液晶表示パネルに
係るゲート側端子部の製造方法を説明するための図であ
る。尚、この端子部については、上述した画素部の形成
工程と同時に形成することが可能である。

【０１２７】図１３（ａ）において、絶縁性基板１上
に、ゲート側端子２０として透明導電膜を形成する。
尚、この工程と同時に、画素部においては透過電極を形
成する。この後、端子２０の上にゲート配線３を形成す
ることによって、端子２０とゲート配線３とが電気的に
接続される（図１１（ａ）の工程に対応）。

【０１２８】次に、図１３（ｂ）において、ゲート配線
３及びゲート側端子部２０上にゲート絶縁膜４を成膜す
る。尚、端子２０上のゲート絶縁膜４の除去は本工程で
は行なわず、後の工程にて行なう（図１１（ｂ）の工程
に対応）。

【０１２９】この後、画素部においてはＴＦＴを完成さ
せる（図１１（ｃ）の工程に対応）。

【０１３０】図１３（ｃ）において、ゲート絶縁膜４上
に層間絶縁膜１０を成膜する（図１１（ｄ）の工程に対
応）。

【０１３１】図１３（ｄ）において、層間絶縁膜１０上
に反射電極１１となる導電膜を成膜する（図１２（ａ）
の工程に対応）。

【０１３２】図１３（ｅ）において、端子部近傍に成膜
されていた反射電極１１を除去する。尚、この工程と同
時に、画素内においては、領域Ａに形成されていた反射
電極１１を除去する（図１２（ｂ）の工程に対応）。

【０１３３】図１３（ｆ）において、端子２０上のゲー
ト絶縁膜４及び層間絶縁膜１０を除去する。尚、この工
程と同時に、画素内では領域Ａにあるゲート絶縁膜４と
層間絶縁膜１０を除去する（図１２（ｃ）の工程に対
応）。

【０１３４】以上のように、画素領域のみならず端子部
においても、反射電極１１の加工工程が終了するまで、
端子２０及びゲート配線３が絶縁層（ゲート絶縁膜４、
層間絶縁膜１０）によって被覆されるので、互いに異種
金属である端子２０及びゲート配線３と、反射電極１１
との間で電食が生じるのを阻止することが可能である。

【０１３５】尚、詳細な説明は省略するが、図９（ｃ）
に示すソース端子部についても、画素部の形成工程と同
時に形成することができ、かつ、ゲート端子部同様に電
食の発生を阻止することが可能である。

【０１３６】また、画素部において、透過電極８ａを形
成する工程（図１１（ａ）に示す工程）とゲート電極２
及びゲート配線３を形成する工程（図１１（ｂ）に示す
工程）の順序を逆にした場合にも、有効に電食の発生を
阻止することが可能である。

【０１３７】このときのゲート側端子構造を図１４
（ａ）に、ソース側端子構造を図１４（ｂ）に示す。
尚、何れの端子部においても、端子はゲート電極及びゲ
ート配線を構成するゲート材料と、透過電極８を構成す
る透明導電膜からなる二層構造となっている。この場合
にも、反射電極の加工工程が終了するまでの間、端子を
少なくともゲート絶縁膜により被覆しつづけることがで
きるので、電食の発生を効果的に阻止することが可能で
ある。

【０１３８】（実施形態７）上記実施形態６にて説明し
た図１１（ｃ）に続く工程としては、図１５（ａ）〜
（ｃ）に示すような方法を用いても、有効に電食を阻止
することが可能である。本実施形態では、上記実施形態
６に係るアクティブマトリクス基板の他の製造方法につ
いて以下に説明を行なう。

【０１３９】図１５（ａ）において、層間絶縁膜１０を
成膜し、フォトリソグラフィによりコンタクトホール１
３を開孔すると同時に、領域Ａに相当する部分の層間絶
縁膜を除去する。また、領域Ｂに相当する部分の層間絶
縁膜１０表面には凹凸部１５を形成しておく。

【０１４０】次に、図１５（ｂ）に示すように、層間絶
縁膜１０上に反射電極１１として導電膜を成膜する。

【０１４１】最後に、図１５（ｃ）に示すように、領域
Ａに相当する部分に形成されている反射電極１１を除去
する。

【０１４２】このプロセスによっても反射電極１１の加
工工程が終了するまで、下部の透過電極８ａがゲート絶
縁膜４によって被覆されるので、反射電極１１と透過電
極８ａとを異種金属で形成した場合に生じ易い電食の発
生が食い止められる。但し、本プロセスでは透過電極８
ａを被覆する絶縁層としては、ゲート絶縁膜４の一層の
みとなるので図１１、１２に示すプロセスの方がより有
効に電食反応を阻止することができる。

【０１４３】また、このプロセスによれば、図１５
（ａ）に示す通り、コンタクトホール１３の形成と同時
に領域Ａに相当する層間絶縁膜を除去するので、図１
１、１２に示すプロセスと比較して、工程数を低減する
ことが可能である。

【０１４４】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の液
晶表示パネル及びその製造方法によれば、画素電極が互
いに電気的に接続された光透過効率の高い層と光反射効
率の高い層とを同一画素領域内に有しているので、従来
のハーフミラーを用いた液晶表示パネルと比較して周囲
光や照明光をロスなく利用する事ができ、格段に光の利
用効率を向上させることができる。光透過効率の高い層
としては例えば透明導電性膜であるＩＴＯやＳｎＯ
₂等、光反射効率の高い層としてはＡｌ、Ｗ、Ｃｒやそ
れらの合金等、何れも一般的な反射型液晶表示パネルや
透過型液晶表示パネルに使用している材料を用いること
ができるため製造が簡単で、表示特性及び信頼性の点で
非常に安定した液晶表示パネルを実現することができ
る。

【０１４５】また、従来の透過型液晶表示パネルが有し
ていた、周囲光が明るい環境下で表面反射により視認性
が低下するという課題と、従来の反射型液晶表示パネル
が有していた周囲光が暗い環境下でパネル輝度低下によ
り表示観察が困難となるという課題の両方を同時に解消
することができると共に、何れの特長をも有する優れた
ものとなった。

【０１４６】すなわち、本発明の液晶表示パネルは十分
な電源を供給できる環境下では従来の透過型液晶表示パ
ネルと同様にバックライト光を利用するため、周囲光の
強度にかかわらず表示認識が可能となり、上述の反射特
性のばらつきによる周囲光の利用効率のばらつきも反射
型液晶表示パネルほど緻密に制御する必要はない。使用
にあたっては、同一画素内において光透過効率の高い層
と光反射効率の高い層とが相補的に表示に寄与するの
で、周囲光がどんな明るさであっても画像は鮮明に表示
される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施形態１の液晶表示パネルを説明する
ための平面図である。

【図２】本発明実施形態１の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。

【図３】本発明実施形態１の液晶表示パネルの製造方法
を説明するための断面図である。

【図４】本発明実施形態２の液晶表示パネルを説明する
ための平面図である。

【図５】本発明実施形態２の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。

【図６】本発明実施形態３の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。

【図７】本発明実施形態４の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。

【図８】本発明実施形態５の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。

【図９】本発明実施形態６の液晶表示パネルを説明する
ための断面図である。

【図１０】本発明の液晶表示パネルの概略平面図であ
る。

【図１１】本発明実施形態６の液晶表示パネルの製造方
法を説明するための断面図である。

【図１２】本発明実施形態６の液晶表示パネルの製造方
法を説明するための断面図である。

【図１３】本発明実施形態６の液晶表示パネルのゲート
側端子部の製造方法を説明するための断面図である。

【図１４】本発明実施形態６の液晶表示パネルの別の端
子部構造を説明するための断面図である。

【図１５】本発明実施形態７の液晶表示パネルの製造方
法を説明するための断面図である。

【図１６】従来の液晶表示パネルを説明するための断面
図である。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート配線 ４ ゲート絶縁膜 ５ 半導体層 ６ａ 半導体コンタクト層（ソース電極側） ６ｂ 半導体コンタクト層（ドレイン電極側） ７ ＴＦＴ ８ａ 透過電極 ８ｂ ソース電極（透過電極材料） ８ｃ ドレイン電極（透過電極材料） ９ａ ソース配線 ９ｂ ソース電極 ９ｃ ドレイン電極 ９ｄ （反射電極−透過電極接続用）金属層 ９ｅ （透過領域用）金属層 １０ 層間絶縁膜 １１ 反射電極 １２ 金属層 １３ （ドレイン）コンタクトホール １５ 凹凸部 ２０ 端子（ゲート配線側） ２１ 端子（ソース配線側）

フロントページの続き (72)発明者 鳴瀧 陽三 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 島田 尚幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 吉村 洋二 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 石井 裕 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−318929（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−209224（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−37310（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−20930（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−254714（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−201851（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−136951（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−341308（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−230364（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−337432（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−125084（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1333 G02F 1/1335 G02F 1/1362

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に複数のゲート配線と、該ゲート
   配線と直交するように配置された複数のソース配線とに
   よって包囲される複数の画素からなり、該画素内に、前
   記ゲート配線と前記ソース配線の交差部付近に設けられ
   たスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続され
   た画素電極とが形成され、透過型表示と反射型表示とが
   同時に行われる液晶表示パネルにおいて、 前記画素電極は、互いに電気的に接続された光透過効率
   の高い第一の導電層と光反射効率の高い第二の導電層と
   を同一画素領域内に有しており、 前記第一の導電層と第二の導電層とが、互いに絶縁層を
   介して別層に設けられて いることを特徴とする液晶表示
   パネル。
2. 【請求項２】 基板上に複数のゲート配線と、該ゲート
   配線と直交するように配置された複数のソース配線とに
   よって包囲される複数の画素からなり、該画素内に、前
   記ゲート配線と前記ソース配線の交差部付近に設けられ
   たスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続され
   た画素電極とが形成され、透過型表示と反射型表示とが
   同時に行われる液晶表示パネルにおいて、 前記画素電極は、互いに電気的に接続された光透過効率
   の高い第一の導電層と光反射効率の高い第二の導電層と
   を同一画素領域内に有しており、 前記第一の導電層と第二の導電層とが、第三の導電層を
   介して接続されていることを特徴とする液晶表示パネ
   ル。
3. 【請求項３】 前記第一の導電層、第二の導電層または
   第三の導電層が、前記ゲート配線またはソース配線を構
   成している材料の一部と同一の材料からなること特徴と
   する請求項１または２に記載の液晶表示パネル。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れか記載の液晶表示
   パネルの製造方法において、 順に、前記第一の導電層を形成する工程と、 少なくとも、前記第一の導電層上に前記絶縁層を成膜す
   る工程と、 前記絶縁層上に前記第二の導電層を成膜する工程と、 前記第一の導電層上に形成された前記第二の導電層の一
   部を除去する工程とを含むことを特徴とする液晶表示パ
   ネルの製造方法。
5. 【請求項５】 請求項２記載の液晶表示パネルの製造方
   法において、 前記第一の導電層を形成する工程と、 少なくとも前記第一の導電層上の、前記第一の導電層と
   第二の導電層との接続領域に相当する部分に前記第三の
   導電層を形成する工程と、 前記絶縁層を成膜する工程と、 少なくとも前記第一の導電層と第二の導電層との接続領
   域に相当する部分の前記絶縁層を除去する工程と、 前記第二の導電層を成膜する工程と、 前記第一の導電層上に形成された前記第二の導電層の一
   部を除去する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示
   パネルの製造方法。
6. 【請求項６】 前記絶縁層を除去する工程と、前記第一
   の導電層上の一部に存在する絶縁層を除去する工程とを
   同時に行なうことを特徴とする請求項５記載の液晶表示
   パネルの製造方法。