JP2002311424A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2002311424A JP2001113730A JP2001113730A JP2002311424A JP 2002311424 A JP2002311424 A JP 2002311424A JP 2001113730 A JP2001113730 A JP 2001113730A JP 2001113730 A JP2001113730 A JP 2001113730A JP 2002311424 A JP2002311424 A JP 2002311424A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光反射モードの際に生じるコントラストの低
減を大幅に抑制する。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
れた画素領域を備え、この画素領域には、その光反射部
と光透過部に形成された透光性の第１画素電極と、前記
光反射部の大部分に形成された材料層と、前記光透過部
に開口が形成された絶縁層と、前記光反射部に形成され
た反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積層されて形成
されている

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、いわゆる部分透過型のアクティブ・マトリクス型の
液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示
装置は、液晶を介して対向配置された透明基板のうち一
方の透明基板の液晶側の面に、そのｘ方向に延在しｙ方
向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に
並設されるドレイン信号線とが形成され、これら各信号
線に囲まれた領域を画素領域としている。
【０００３】各画素領域には、片側のゲート信号線から
の走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、こ
の薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極とが形成されている。
【０００４】また、このような液晶表示装置において、
部分透過型と称されるものは、各画素領域において、背
面側に配置されたバックライトからの光が透過できる領
域である光透過部と、太陽等の外来光が反射される領域
である光反射部とを備えるように構成されている。
【０００５】光透過部は透光性の導電層によって画素電
極を構成する領域として形成され、光反射部は光反射機
能を有する非透光性の導電層によって画素電極を構成す
る領域として形成されるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成からなる液晶表示装置は、特に、光反射モード
として使用される場合に表示のコントラストが大幅に低
減してしまうことが指摘されるに至った。
【０００７】この原因を追求した結果、光反射部の部分
に形成された画素電極は非透光性の導電層であるため、
該画素電極の下層側に容量素子等を形成する場合が多
く、これにより反射膜を兼ねる画素電極の基板に対する
高さに差が生じてしまうことが理由となることが判明し
た。
【０００８】反射膜の高さが異なることはそれらの部分
において液晶の層厚が異なることになり、これが原因し
てコントラストの低下を招いてしまうからである。たと
えば、反射膜の高さに０．２μｍの差が生じている場
合、コントラストは半減してしまうという実験結果が得
られている。
【０００９】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は、コントラストを良好にさせた
液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側
の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備
え、この画素領域には、その光反射部と光透過部に形成
された透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分
に形成された材料層と、前記光透過部に開口が形成され
た絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる
第２画素電極とが順次積層されて形成されていることを
特徴とするものである。
【００１１】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画
素領域を備え、この画素領域は一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、か
つ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線か
らの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線の
うち一方のドレイン信号からの映像信号が供給される第
１および第２の画素電極とを備え、前記画素領域には、
その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素
電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、
前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射
部に形成された反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積
層されて形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画
素領域を備え、この画素領域は一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、か
つ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線か
らの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線の
うち一方のドレイン信号からの映像信号が供給される第
１および第２の画素電極とを備え、前記画素領域には、
その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素
電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、
前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射
部に形成された反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積
層されて形成され、前記第１画素電極と材料層の合計膜
厚とゲート信号線の層厚はそれぞれ１００ｎｍ以下に設
定されていることを特徴とするものである。
【００１３】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画
素領域を備え、この画素領域は一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、か
つ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線か
らの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線の
うち一方のドレイン信号からの映像信号が供給される第
１および第２の画素電極とを備え、前記画素領域には、
その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素
電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、
前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射
部に形成された反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積
層されて形成され、前記第１画素電極と材料層の合計膜
厚とゲート信号線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定さ
れていることを特徴とするものである。
【００１４】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画
素領域を備え、この画素領域は一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、か
つ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線か
らの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線の
うち一方のドレイン信号からの映像信号が供給される第
１および第２の画素電極とを備え、前記画素領域には、
その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素
電極と、この第１画素電極と接続され前記光反射部の大
部分に形成された前記薄膜トランジスタのソース電極の
延在層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、
前記光反射部に形成され前記絶縁層に形成されたコンタ
クトホールを介して前記ソース電極と接続された反射膜
を兼ねる第２画素電極とが順次積層されて形成されてい
ることを特徴とするものである。
【００１５】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画
素領域を備え、この画素領域は一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、か
つ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線か
らの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線の
うち一方のドレイン信号からの映像信号が供給される第
１および第２の画素電極とを備え、前記画素領域には、
その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素
電極と、この第１画素電極と接続され前記光反射部の大
部分に形成された前記薄膜トランジスタのソース電極の
延在層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、
前記光反射部に形成され前記絶縁層に形成されたコンタ
クトホールを介して前記ソース電極と接続された反射膜
を兼ねる第２画素電極とが順次積層されて形成され、前
記第１画素電極と前記ソース電極の延在層の合計膜厚と
ゲート信号線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定されて
いることを特徴とするものである。
【００１６】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画
素領域を備え、この画素領域は一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、か
つ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線か
らの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線の
うち一方のドレイン信号からの映像信号が供給される第
１および第２の画素電極とを備え、前記画素領域には、
その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素
電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、
前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射
部に形成された反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積
層されて形成され、前記第２画素電極は前記一対のゲー
ト信号線のうち他方のゲート信号線に重畳されて形成さ
れていることを特徴とするものである。
【００１７】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画
素領域を備え、この画素領域は一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、か
つ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線か
らの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線の
うち一方のドレイン信号からの映像信号が供給される第
１および第２の画素電極とを備え、前記画素領域には、
その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素
電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、
前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射
部に形成された反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積
層されて形成されているとともに、前記第２画素電極は
前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線に重
畳されて形成され、光反射部における第２画素電極の基
板に対する高さと前記他方のゲート信号線に重畳されて
形成された第２画素電極の基板に対する高さの差を０．
１μｍ以下にするための高さ調整材料が前記光反射部お
よび他方のゲート信号線上の少なくともいずれか一方に
介在されていることを特徴とするものである。
【００１８】手段９．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画
素領域を備え、この画素領域は一対のゲート信号線と一
対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、か
つ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線か
らの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線の
うち一方のドレイン信号からの映像信号が供給される第
１および第２の画素電極とを備え、前記画素領域には、
その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素
電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、
前記光反射部および前記光透過部に形成された絶縁層
と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２画素
電極とが順次積層されて形成されていることを特徴とす
るものである。
【００１９】手段１０．本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方
の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された
画素領域を備え、この画素領域は一対のゲート信号線と
一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、
かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線
からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号
線のうち一方のドレイン信号からの映像信号が供給され
る第１および第２の画素電極とを備え、前記画素領域に
は、その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１
画素電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層
と、前記光反射部および前記光透過部に形成された絶縁
層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２画
素電極とが順次積層されて形成され、前記第１画素電極
と材料層との合計膜厚とゲート信号線の層厚との差は
０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とするもの
である。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 《全体の等価回路》図２は、本発明による液晶表示装置
の全体の等価回路の一実施例を示す平面図である。
【００２１】同図において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。
【００２２】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｙ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
【００２３】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
【００２４】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
【００２５】この画素電極ＰＸは前記薄膜トランジスタ
ＴＦＴを駆動させるためのゲート信号線ＧＬとは異なる
他のゲート信号線ＧＬとの間に容量素子Ｃａｄｄを構成
するようになっており、この容量素子Ｃａｄｄによっ
て、該画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く
蓄積させるようになっている。
【００２６】この画素電極ＰＸは、他方の透明基板側Ｓ
ＵＢ２に各画素領域に共通に形成された対向電極ＣＴと
の間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過
率を制御させるようになっている。
【００２７】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示装置の外部に配置されたプリント基板
からの信号が入力されるようになっている。
【００２８】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどお
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
【００２９】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示装置の外部に配置され
たプリント基板からの信号が入力されるようになってい
る。
【００３０】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。前記
各ゲート信号線ＧＬは、前記垂直走査回路Ｖからの走査
信号によってその一つが順次選択されるようになってい
る。
【００３１】また、前記各ドレイン信号線Ｈｅは、前記
映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬ
の選択のタイミングに合わせて、映像信号が供給される
ようになっている。
【００３２】このように構成された液晶表示装置の背面
にはバックライトＢＬが配置され、該液晶表示装置を透
過型のモードとして使用する場合にはその光源を点灯さ
せるようになっている。
【００３３】なお、前記垂直走査回路Ｖおよび映像信号
駆動回路Ｈｅはそれぞれ透明基板ＳＵＢ１に搭載された
構成としたものであるが、これに限定されることはなく
透明基板ＳＵＢ１に対して外付けされていてもよいこと
はもちろんである。
【００３４】《画素の構成》図１は、前記画素領域の一
実施例を示す平面図である。同図はカラー用の画素とし
てＲ、Ｇ、Ｂ用の各画素が示されているが、それらはカ
ラーフィルタの色が異なるのみでそれ以外は同様の構成
となっている。
【００３５】以下の説明では、この３つの画素のうち１
つの画素に着目して説明をする。なお、同図におけるII
I−III線における断面を図３に示している。
【００３６】同図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。このゲート信号
線ＧＬはたとえばＡｌ（アルミニゥム）からなりその表
面は陽極酸化膜ＡＯＦが形成されている。
【００３７】これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のド
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
【００３８】そして、この画素領域の僅かながらの周辺
を除く中央部にはたとえばＩＴＯ（Indium−Tin−Oxid
e）膜のような透光性の画素電極ＰＸ１が形成されてい
る。
【００３９】この画素電極ＰＸ１は画素領域のうちバッ
クライトＢＬからの光が透過できる領域において画素電
極として機能するもので、後述する反射電極を兼ねる画
素電極ＰＸ２とは区別されるものである。
【００４０】このようにゲート信号線ＧＬ、画素電極Ｐ
Ｘ１が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえば
ＳｉＮ（窒化シリコン）からなる絶縁膜ＧＩが形成され
ている。この絶縁膜ＧＩは薄膜トランジスタＴＦＴの形
成領域（ゲート信号線ＧＬの一部領域）およびその近傍
のゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとの交差部に
及んで形成されている。
【００４１】薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域に形成
された絶縁膜ＧＩは該薄膜トランジスタＴＦＴのゲート
絶縁膜としての機能を、ゲート信号線ＧＬとドレイン信
号線ＤＬとの交差部に形成された絶縁膜ＧＩは層間絶縁
膜としての機能を有するようになっている。
【００４２】そして、この絶縁膜の表面に非晶質（アモ
ルファス）のＳｉ（シリコン）からなる半導体層ＡＳが
形成されている。
【００４３】この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩ
Ｓ型トランジスタを構成することができる。
【００４４】なお、前記半導体層ＡＳはゲート信号線Ｇ
Ｌのドレイン信号線ＤＬとの交差部にも延在されて形成
され、これによりそれら各信号線の層間絶縁膜としての
機能を前記絶縁膜ＧＩとともに強化している。
【００４５】また、図３では明確化されていないが、前
記半導体層ＡＳの表面であって前記ドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物
（たとえば燐）がドープされた半導体層が形成され、こ
の半導体層によってコンタクト層ｄ０を構成するように
なっている。
【００４６】前記ドイレン電極ＳＤ１およびソース電極
ＳＤ２は、たとえばドレイン信号線ＤＬの形成の際に同
時に形成されるようになっている。
【００４７】すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。このドレイン信号線ＤＬ
はたとえばＣｒとＡｌの順次積層体から構成されてい
る。
【００４８】ソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳ面から画
素領域側へ至るようにして若干延在されて前記画素電極
ＰＸ１との電気的接続が図れるともに、後述の反射電極
を兼ねる画素電極ＰＸ２との接続を図るためのコンタク
ト部が形成されている。
【００４９】ここで、このソース電極ＳＤ２の延在部
は、上述のように前記画素電極ＰＸ１およびＰＸ２との
接続を図らんとする機能ばかりでなく、光反射部（後述
の画素電極ＰＸ２が形成される領域）において、該画素
電極ＰＸ２に段差による高低差が大幅にでないように、
該光反射部の大部分の領域にまで及んで形成されてい
る。
【００５０】すなわち、前記ソース電極ＳＤ２の延在部
を前記画素電極ＰＸ１およびＰＸ２との接続を図る機能
をもたせるのみとした場合、該延在部をコンタクト部と
して形成すればよく、その延在部も比較的短いものとな
る。すると、その延在部の周辺の段差が後述の反射電極
を兼ねる画素電極ＰＸ２を形成する面（後述する保護膜
ＰＳＶの上面）に顕在化され、該画素電極ＰＸ２の面に
も段差が形成されることになる。
【００５１】また、本実施例のような構成とすることに
よって、前記ソース電極ＳＤ２の延在部は比較的面積の
大きな領域を占め、このことは、その辺が比較的長くな
ることを意味する。
【００５２】このため、液晶表示装置の製造において、
該画素電極ＰＸ２の近傍にごみ等の不純物が残存しにく
くなり、該不純物による弊害を除去できることになる。
【００５３】ちなみに、コンタクト部としての機能を有
する薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極の場合、該コ
ンタクト部の面積は小さく、その辺もフォトリソグラフ
ィ技術による選択エッチングによって若干複雑な形成と
なり、そこにごみ等の不純物が残存してコンタクト部と
しての機能を損なわせる場合が往々にして生じていた。
【００５４】このようにドイレン信号線ＤＬ、薄膜トラ
ンジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１およびソース電極
ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえ
ばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。この
保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との
直接の接触を回避する層で、該薄膜トランジスタＴＦＴ
の特性劣化を防止せんとするものである。
【００５５】そして、この保護膜ＰＳＶには、画素領域
において光透過部とする部分において開口部ＯＭが形成
され、この開口部ＯＭには透光性の前記画素電極ＰＸ１
が露出されるようになっている。この画素電極ＰＸ１が
露出されている保護膜ＰＳＶの開口部ＯＭは光透過部と
なる領域で、画素領域において前記光反射部の領域と区
分けされた領域となっている。
【００５６】また、保護膜ＰＳＶには、たとえば該開口
部ＯＭの形成と同時に形成されるコンタクトホールＣＨ
が形成され、このコンタクトホールＣＨには薄膜トラン
ジスタＴＦＴの前記ソース電極ＳＤ２の一部が露出され
るようになっている。
【００５７】保護膜の上面には反射電極を兼ねる画素電
極ＰＸ２が形成されている。この画素電極はたとえばＣ
ｒおよびＡｌの順次積層体からなる非透光性の導電膜か
ら構成されている。
【００５８】この画素電極ＰＸ２は前記保護膜ＰＳＶの
開口部ＯＭが形成された領域を回避して画素領域の大部
分を占めるようにして形成されている。そして、その一
部が前記保護膜ＰＳＶの一部に形成されたコンタクトホ
ールＣＨを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
ＳＤ２に電気的に接続されている。
【００５９】また、この画素電極ＰＸ２は、前記薄膜ト
ランジスタＴＦＴを駆動させるゲート信号線ＧＬとは異
なる他の隣接するゲート信号線ＧＬに重畳されるまで延
在されて形成され、この部分において前記保護膜ＰＳＶ
を誘電体膜とする容量素子Ｃａｄｄが形成されている。
【００６０】そして、このように画素電極ＰＸ２が形成
された透明基板ＳＵＢ１の上面には該画素電極ＰＸ２等
をも被って配向膜（図示せず）が形成されている。この
配向膜は液晶ＬＣと直接に当接する膜で、その表面に形
成されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向
を決定づけるようになっている。
【００６１】このように構成された透明基板ＳＵＢ１
に、液晶ＬＣを介して透明基板ＳＵＢ２が対向配置さ
れ、この透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、その各画
素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭが形
成されている。すなわち、少なくとも液晶表示部ＡＲに
形成されたブラックマトリクスＢＭは各画素領域の周辺
部を残す領域に開口が形成されたパターンをなし、これ
により表示のコントラストの向上を図っている。
【００６２】また、このブラックマトリクスＢＭは透明
基板ＳＵＢ１側の薄膜トランジスタＴＦＴを充分被うよ
うにして形成され、該薄膜トランジスタＴＦＴへの外来
光の照射を妨げることによって該薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの特性劣化を回避するようになっている。このブラッ
クマトリクスＢＭはたとえば黒色顔料が含有された樹脂
膜で構成されている。
【００６３】ブラックマトリクスＢＭが形成された透明
基板ＳＵＢ２の面には該ブラックマトリクスＢＭの開口
を被ってカラーフィルタＦＩＬが形成されている。この
カラーフィルタはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）
の各色のフィルタからなり、ｙ方向に並設される各画素
領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成され、該
画素領域群にｘ方向に順次隣接する画素領域群に共通に
赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色、赤（Ｒ）色、……、
というような配列で形成されている。これら各フィルタ
はその色に対応する顔料が含有された樹脂膜で構成され
ている。
【００６４】ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィ
ルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面にはこ
れらブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩ
Ｌをも被って平坦化膜ＯＣが形成されている。この平坦
化膜ＯＣは塗布によって形成できる樹脂膜からなり、前
記ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬ
の形成によって顕在化する段差をなくすために設けられ
る。
【００６５】この平坦膜ＯＣの上面には、たとえばＩＴ
Ｏ膜からなる透光性の導電膜が形成され、この導電膜に
よって各画素領域に共通の対向電極ＣＴが形成されてい
る。
【００６６】この平坦化膜ＯＣの表面には配向膜（図示
せず）が形成され、この配向膜は液晶ＬＣと直接に当接
する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液
晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになってい
る。
【００６７】このように形成された液晶表示装置は、薄
膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２が画素領域の
光反射部に相当する領域に及んで延在されて形成されて
いる。このため、この光反射部に保護膜ＰＳＶを介して
形成する画素電極ＰＸ２は、段差による高低差のない平
坦な形状で形成されることになる。
【００６８】このことは、光反射部において、液晶の層
厚は均一になり、このばらつきによって発生するコント
ラストの低減を大幅に抑制できるようになる。
【００６９】また、光反射部とは言えないが、容量素子
Ｃａｄｄが形成される部分における画素電極ＰＸ２の透
明基板ＳＵＢ１に対する高さは、光反射部における画素
電極ＰＸ２の透明基板ＳＵＢ１に対する高さとほぼ等し
くすることができる。
【００７０】容量素子Ｃａｄｄが形成されている部分
は、ブラックマトリクスＢＭによって覆われる部分とな
っているが、該ブラックマトリクスＢＭの開口部内の該
容量素子Ｃａｄｄに近接する部分において、前記画素電
極ＰＸ２の透明基板ＳＵＢ１に対する高さの相違による
影響がでるのを防止することができるようになる。
【００７１】このことから、ゲート信号線ＧＬの層厚お
よび画素電極ＰＸ１と薄膜トランジスタＴＦＴのソース
電極ＳＤ２の合計した層厚をそれぞれ１００ｎｍ以下に
設定することによって、画素電極ＰＸ２の透明基板ＳＵ
Ｂ１に対する高さのばらつきを小さく抑制することがで
きる。
【００７２】そして、ゲート信号線ＧＬの層厚および画
素電極ＰＸ１と薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極Ｓ
Ｄ２の合計した層厚との差を０．１μｍ以下に設定する
ことにより、画素電極ＰＸ２の透明基板ＳＵＢ１に対す
る高さのばらつきを０．１μｍ以下に設定することがで
きる。
【００７３】これにより、画素領域の光反射部において
液晶ＬＣの層厚をほぼ均一にできることから、コントラ
ストの低減を抑制することができる。
【００７４】なお、上述した実施例では、薄膜トランジ
スタＴＦＴのソース電極ＳＤ２を光反射部の領域に充分
延在させることによって、その上方に形成する画素電極
ＰＸ２の段差の発生を回避せんとしたものである。
【００７５】しかし、前記ソース電極ＳＤ２と電気的
（あるいは物理的）に分離された他の材料層を用いるこ
とによって上述したと同様の効果をもたらすようにして
もよいことはいうまでもない。
【００７６】この場合、薄膜トランジスタＴＦＴのソー
ス電極ＳＤ２とは無関係に、該材料層の膜厚を設定でき
るので、画素電極ＰＸ２の平坦化を達成しやすいという
効果を奏する。
【００７７】《製造方法》以下、上述した液晶表示装置
のうち透明基板ＳＵＢ１側の構成の製造方法の一実施例
を図４を用いて説明する。
【００７８】工程１．（図４（ａ）） 透明基板ＳＵＢ１を用意し、その主表面（液晶側の面）
にたとえばスパッタリング法でＡｌを膜厚約２６０ｎｍ
で形成し、これをフォトリソグラフィ技術による選択エ
ッチングをし、ゲート信号線ＧＬを形成する。
【００７９】そして、このゲート信号線ＧＬを酒石酸溶
液中で陽極酸化することにより、その表面に陽極酸化膜
ＡＯＦを形成する。この陽極酸化膜ＡＯＦの膜厚として
は約１５４ｎｍが適当である。
【００８０】工程２．（図４（ｂ）） ゲート信号線ＧＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の主表
面にたとえばＩＴＯ（Indium−Tin−Oxide）膜からなる
透光性の導電膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技
術による選択エッチングをし、画素電極ＰＸ１を形成す
る。
【００８１】工程３．（図４（ｃ）） 画素電極ＰＸ１が形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面
にたとえばＣＶＤ法によりＳｉＮからなる絶縁膜を膜厚
約２４０ｎｍで形成する。そして、同様の方法で非晶質
シリコン層を膜厚約２００ｎｍで形成した後、さらに、
燐（Ｐ）をドープしたｎ+型の非晶質シリコン層を膜厚
約３５ｎｍで形成する。
【００８２】そして、フォトリソグラフィ技術による選
択エッチングをし、前記半導体層および絶縁膜を一括エ
ッチングして絶縁膜ＧＩおよび半導体層ＡＳを形成す
る。この場合のエッチングとしては、六フッ化硫黄ガス
を用いたドライエッチングが適当である。
【００８３】この場合、非晶質シリコンの方が絶縁膜よ
りもエッチング速度が大きいことから、前記絶縁膜ＧＩ
の輪郭を構成する辺に約４°の順テーパが、前記半導体
層ＡＳの輪郭を構成する辺に約７０°の順テーパが形成
されるようになる。
【００８４】工程４．（図４（ｄ）） 絶縁膜ＧＩおよび半導体層ＡＳが形成された透明基板Ｓ
ＵＢ１の主表面にたとえばスパッタリング法によりＣｒ
層およびＡｌ層を順次形成する。この場合、Ｃｒ層の膜
厚を３０ｎｍにＡｌ層の膜厚を２００ｎｍとするのが適
当である。
【００８５】その後、フォトリソグラフィ技術による選
択エッチングをし、二層構造からなるドレイン信号線Ｄ
Ｌ、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１およ
びソース電極ＳＤ２を形成する。この場合、Ａｌのエッ
チング液としては燐酸、塩酸、および硝酸の混合溶液
が、Ｃｒのエッチング液としては硝酸第二セリウムアン
モニウム溶液が適当である。
【００８６】そして、パターン化された薄膜トランジス
タＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２
をマスクとして、これから露出された半導体層ＡＳの表
面のｎ+型の非晶質シリコン層をエッチングする。この
場合のエッチング液としては六フッ化硫黄ガスを用いた
ドライエッチングが適当である。
【００８７】工程５．（図４（ｅ）） ドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイ
ン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２が形成された透明
基板ＳＵＢ１の主表面に、たとえばＣＶＤ法を用いてＳ
ｉＮを膜厚約６００ｎｍで形成し、これをフォトリソグ
ラフィ技術による選択エッチングをし保護膜ＰＳＶを形
成する。
【００８８】このエッチングの際には、前記薄膜トラン
ジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２の延在部の一部を露出
させるためのコンタクトホールＣＨを同時に形成する。
【００８９】工程６．（図４（ｆ）） 保護膜ＰＳＶが形成された透明基板ＳＵＢ１の主表面
に、たとえばスパッタリング法を用いてＣｒ層およびＡ
ｌ層を順次形成し、これをフォトリソグラフィ技術によ
る選択エッチングをし、反射電極を兼ねる画素電極ＰＸ
２を形成する。
【００９０】この場合、Ａｌのエッチング液としては燐
酸、塩酸、および硝酸の混合溶液が、Ｃｒのエッチング
液としては硝酸第二セリウムアンモニウム溶液が適当で
ある。
【００９１】この場合の画素電極ＰＸ２は画素領域の約
半分の領域を占めるように開口が形成される。
【００９２】その後、該画素電極ＰＸ２の開口から露出
された保護膜ＰＳＶの部分に開口を形成し、図３に示す
ように画素電極ＰＸ１を露出させ、この部分を光透過部
とする。
【００９３】なお、画素電極ＰＸ２としてＣｒ層および
Ａｌ層を順次形成する代わりに、Ｍｏ合金とＡｌを順次
形成するか、Ｍｏ合金とＡｌ合金を順次形成する構成と
してもよい。Ｍｏ合金としてはＭｏＣｒが好ましい。こ
の場合には一度にエッチングできるという効果を有す
る。
【００９４】実施例２．図５は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
【００９５】図１の場合と異なる部分は、光反射部およ
び容量素子Ｃａｄｄが形成されている部分に高さ調整用
の材料層ＤＭＬが形成されていることにある。これによ
り、それらの各部分において透明基板ＳＵＢ１に対する
それぞれの画素電極ＰＸ２の高さの差を０．１μｍ以下
に設定することができる。
【００９６】このことから、前記高さ調整用の材料層Ｄ
Ｍｌは、図5に示したように、光反射部および容量素子
Ｃａｄｄが形成されている部分にそれぞれ形成する必要
はなく、そのうちのいずれか一方に形成するようにして
もよいことはもちろんである。
【００９７】実施例３．図６は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
【００９８】図１と異なる構成は、画素電極ＰＸ２の上
面にさらにたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶ２を形
成していることにあり、保護膜ＰＳＶ、ＰＳＶ２とも開
口部ＯＭを設けていない構成となっている。
【００９９】実施例４．図７は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図と
なっている。
【０１００】図６の場合と異なる部分は保護膜ＰＳＶ、
ＰＳＶ２にあり、保護膜ＰＳＶ、ＰＳＶ２のいずれにも
開口部が形成され、かつ保護膜ＰＳＶ２の開口部の側壁
は該保護膜ＰＳＶの側壁を被うようにして形成されてい
る。
【０１０１】実施例５．図８は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図と
なっている。同図は、保護膜ＰＳＶに開口部が設けら
れ、保護膜ＰＳＶ２には開口部が設けられていない構成
となっている。
【０１０２】実施例６．図９は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図と
なっている。同図は、保護膜ＰＳＶ、ＰＳＶ２のいずれ
もが開口部が設けられた構成となっており、その開口部
の側壁には該保護膜ＰＳＶ、ＰＳＶ２の断層が目視され
るようになっている。
【０１０３】実施例７．上述した各実施例では、反射電
極を兼ねる画素電極ＰＸ２は、その平面領域内に開口を
形成したパターンとして形成されたものである。このよ
うにした場合、該画素電極ＰＸ２の線幅が狭い部分で断
線が生じた場合でも電気的に分断されることを回避でき
る効果を有する。
【０１０４】しかし、これに限らす、たとえば図１０
（ａ）、（ｂ）のそれぞれに示すように、前記画素電極
の辺の一部を切り欠いたパターンとして形成するように
してもよいことはもちろんである。
【０１０５】このようにした場合、該画素電極ＰＸ２の
線幅が狭い部分においても上述した実施例の場合よりも
太く形成でき、断線の生じる確率を低く抑えることがで
きる。
【０１０６】また、上述した各実施例では、画素電極を
一端子とする容量素子の他の端子をゲート信号線とした
ものである。しかし、該ゲート信号線とは別個にたとえ
ば容量素子線を画素領域内に形成し、この容量素子線と
該画素電極との間に容量素子を形成する構成のものにも
適用できることはいうまでもない。
【０１０７】この場合、容量素子線は、ゲート信号線と
ほぼ平行に形成されるのが通常であり、電気的な機能が
該ゲート信号線と異なるのみで層構造等の他の構成はま
ったく同様となるから、そのまま本発明を適用すること
ができる。
【０１０８】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、光反射モードの際
に生じるコントラストの低減を大幅に抑制できるように
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す透
過回路図である。
【図３】図１のIII−III線における断面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施
例を示す工程図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す断面図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の反射電極を兼ね
る画素電極の他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、
ＤＬ…ドレイン信号線、ＰＸ１…画素電極（透光性）、
ＰＸ２…画素電極（反射電極）、ＴＦＴ…薄膜トランジ
スタ、Ｃａｄｄ…容量素子、ＣＴ…対向電極。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ 29/786 ６２７Ｃ ６１６Ｓ (72)発明者 佐々木 亨 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H042 DA01 DA02 DA03 DA12 DA22 DB00 DE00 2H048 BA02 BA45 BB01 BB02 BB28 BB44 2H091 FA08X FA08Z FA14Y FA35 FA41Z LA17 LA30 2H092 HA04 HA05 JA24 KA05 MA13 MA17 NA01 PA08 PA12 PA13 5F110 AA30 BB01 CC07 EE03 EE23 EE44 FF01 FF03 FF24 FF29 GG02 GG15 GG24 GG44 HK03 HK04 HK07 HK09 HK16 HK22 HK33 HK34 HL03 HL04 HL23 HM04 HM18 NN03 NN04 NN05 NN24 NN35 NN72 NN73 QQ04

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
    れた画素領域を備え、 この画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形
    成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶
    縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２
    画素電極とが順次積層されて形成されていることを特徴
    とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
    れた画素領域を備え、 この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信
    号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲ
    ート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号に
    よって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレ
    イン信号からの映像信号が供給される第１および第２の
    画素電極とを備え、 前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形
    成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶
    縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２
    画素電極とが順次積層されて形成されていることを特徴
    とする液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
    れた画素領域を備え、 この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信
    号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲ
    ート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号に
    よって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレ
    イン信号からの映像信号が供給される第１および第２の
    画素電極とを備え、 前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形
    成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶
    縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２
    画素電極とが順次積層されて形成され、 前記第１画素電極と材料層の合計膜厚とゲート信号線の
    層厚はそれぞれ１００ｎｍ以下に設定されていることを
    特徴とする液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
    れた画素領域を備え、 この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信
    号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲ
    ート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号に
    よって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレ
    イン信号からの映像信号が供給される第１および第２の
    画素電極とを備え、 前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形
    成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶
    縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２
    画素電極とが順次積層されて形成され、 前記第１画素電極と材料層の合計膜厚とゲート信号線の
    層厚の差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴
    とする液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
    れた画素領域を備え、 この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信
    号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲ
    ート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号に
    よって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレ
    イン信号からの映像信号が供給される第１および第２の
    画素電極とを備え、 前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、この第１画素電極と接続さ
    れ前記光反射部の大部分に形成された前記薄膜トランジ
    スタのソース電極の延在層と、前記光透過部に開口が形
    成された絶縁層と、前記光反射部に形成され前記絶縁層
    に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース電極
    と接続された反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積層
    されて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
    れた画素領域を備え、 この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信
    号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲ
    ート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号に
    よって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレ
    イン信号からの映像信号が供給される第１および第２の
    画素電極とを備え、 前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、この第１画素電極と接続さ
    れ前記光反射部の大部分に形成された前記薄膜トランジ
    スタのソース電極の延在層と、前記光透過部に開口が形
    成された絶縁層と、前記光反射部に形成され前記絶縁層
    に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース電極
    と接続された反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積層
    されて形成され、 前記第１画素電極と前記ソース電極の延在層の合計膜厚
    とゲート信号線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定され
    ていることを特徴とする液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
    れた画素領域を備え、 この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信
    号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲ
    ート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号に
    よって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレ
    イン信号からの映像信号が供給される第１および第２の
    画素電極とを備え、 前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形
    成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶
    縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２
    画素電極とが順次積層されて形成され、 前記第２画素電極は前記一対のゲート信号線のうち他方
    のゲート信号線に重畳されて形成されていることを特徴
    とする液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
    れた画素領域を備え、 この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信
    号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲ
    ート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号に
    よって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレ
    イン信号からの映像信号が供給される第１および第２の
    画素電極とを備え、 前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形
    成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶
    縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２
    画素電極とが順次積層されて形成されているとともに、 前記第２画素電極は前記一対のゲート信号線のうち他方
    のゲート信号線に重畳されて形成され、光反射部におけ
    る第２画素電極の基板に対する高さと前記他方のゲート
    信号線に重畳されて形成された第２画素電極の基板に対
    する高さの差を０．１μｍ以下にするための高さ調整材
    料が前記光反射部および他方のゲート信号線上の少なく
    ともいずれか一方に介在されていることを特徴とする液
    晶表示装置。
  9. 【請求項９】 液晶を介して対向配置される基板のうち
    一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分さ
    れた画素領域を備え、 この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信
    号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲ
    ート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号に
    よって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレ
    イン信号からの映像信号が供給される第１および第２の
    画素電極とを備え、 前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形
    成された材料層と、前記光反射部および前記光透過部に
    形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜
    を兼ねる第２画素電極とが順次積層されて形成されてい
    ることを特徴とする液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 液晶を介して対向配置される基板のう
    ち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分
    された画素領域を備え、 この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信
    号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲ
    ート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号に
    よって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレ
    イン信号からの映像信号が供給される第１および第２の
    画素電極とを備え、 前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成され
    た透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形
    成された材料層と、前記光反射部および前記光透過部に
    形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜
    を兼ねる第２画素電極とが順次積層されて形成され、 前記第１画素電極と材料層との合計膜厚とゲート信号線
    の層厚との差は０．１μｍ以下に設定されていることを
    特徴とする液晶表示装置。
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