JP2005157391A - 下部基板、横電界モード液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の横電界モード液晶表示装置は、第1の基板上に形成され、画素領域を定義するゲートラインおよびデータラインと、前記ゲートラインおよびデータラインに連結されている薄膜トランジスタと、前記画素領域上の中心部分に形成され、前記薄膜トランジスタと連結されており、多数の画素電極バーを有する画素電極と、前記多数の画素電極バーと交互にずれて配列された多数の共通電極バーを有し、前記ゲートライン、データラインおよび薄膜トランジスタと重畳するように形成された共通電極と、前記画素電極および共通電極の下部に形成されたカラーフィルタ層と、前記第1の基板と一定の間隔で離間して配置された第2の基板と、前記第1および第2の基板の間に注入された液晶層とを含む。
【選択図】図5
Description
図1を参照するに、従来の横電界モード液晶表示装置の下部基板には、ゲートライン11とデータライン13とが垂直に交差して形成され、前記ゲートライン11と同一方向に平行に共通電極15が形成される。
即ち、前記ゲートライン11と同一方向に平行に形成された共通電極15には、前記共通電極15から垂直に突出延長した多数の共通電極バー15aが形成される。
これにより、前記画素電極17および共通電極15に印加された所定の電圧により各画素電極バー17aと各共通電極バー15aとの間に横電界が分布するようになる。従って、このような横電界の強さに応じて液晶の配列が変化することで画素が表示されるようになる。
前記画素領域(P)上には、共通電極115と画素電極117とがそれぞれフィンガー状に形成され、互いに噛み合った構造にパターニングされる。
先ず、図3Aに示されたように、基板109上に導電性金属を蒸着し、パターニングしてゲートライン(図2の111)とゲート電極119を形成する。
図4を参照するに、下部基板は、図3Cに示されたバーと同様であるため、詳細な説明は、省略する。前記下部基板に対応した上部基板140には、下部基板に形成された各画素領域(P)と対応するように形成された赤サブカラーフィルタ、緑サブカラーフィルタ、青サブカラーフィルタからなるカラーフィルタ層144と、前記各サブカラーフィルタの間、下部基板の薄膜トランジスタ部分に形成されたBM膜142と、前記カラーフィルタ層144およびBM膜142上に形成されたオーバーコート(以下「OC」と略する)層146とが設けられている。なお、図示していないが、前記上部基板140と下部基板との間には、液晶層が形成されている。
また、本発明によれば、カラーフィルタ層および遮光層を全て下部基板上に形成することにより、開口率が向上すると共に薄膜トランジスタの光電流を完全に遮断することができる効果を奏する。
図5を参照するに、本発明の一実施例に係る横電界モード液晶表示装置は、下部基板上にゲートライン511とデータライン513とが交差して形成され、前記ゲートライン511と同一方向に平行に共通電極ライン515が形成される。ここで、前記共通電極ライン515は、前記ゲートライン515の間の中心部分に形成されることが好ましい。このとき、前記ゲートライン511とデータライン513とにより画素領域(P)が定義される。
このとき、前記画素電極522は、前記画素領域(P)の中心部分に横方向に長く形成される。
このとき、前記共通電極ライン515を介してそれぞれの画素領域(P)に形成された共通電極520および多数の共通電極バー520aに同一の電圧が印加される。このため、前記共通電極ライン515と前記共通電極520とが交差する地点は、電気的に連結される。
このとき、前記画素電極522は、前記画素領域(P)の中心部分に横方向に長く形成される。
513 データライン
515 共通電極ライン
517 TFT
520 共通電極
520a 共通電極バー
522 画素電極
522a 画素電極バー
530 カラーフィルタ層
600 絶縁基板
610 ゲート電極
611 ゲートライン
612 共通電極ライン
614 ゲートパッドの下部電極
620 絶縁膜
624 アモルファスシリコン
625 ソース電極
626 ドレイン電極
627 データライン
628 データパッドの下部電極
630 保護層
632 カラーフィルタ層
640 OC層
642 ドレインコンタクトホール
644、646 パッドコンタクトホール
650 透明金属
652 有色金属
Claims (26)
- 基板と、
前記基板上に形成されたゲートラインと、
前記ゲートラインを横切って前記基板上に形成されたデータラインと、
前記ゲートラインと前記データラインに連結された薄膜トランジスタと、
前記ゲートラインと前記データラインとの交差により定義された画素領域に形成され、前記薄膜トランジスタと連結され、複数の第1のバーを備え、透明金属層と有色金属層との積層構造を有する画素電極と、
前記画素電極の前記第1のバーと交互にずれて配列された多数の第2のバーを備え、透明金属層と有色金属層との積層構造を有し、前記ゲートライン、データラインおよび薄膜トランジスタと重畳されるように形成された共通電極と、
前記基板の前記画素領域に相応する位置に配置されたカラーフィルタ層と、
を含むことを特徴とする横電界モード液晶表示装置の下部基板。 - 前記カラーフィルタ層は、前記薄膜トランジスタ上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記共通電極は、遮光層として使用されることを特徴とする請求項1に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記透明金属層は、ITOとIZOからなる透明導電性金属の群から選ばれた酸化金属で形成されることを特徴とする請求項1に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記有色金属層は、クロム、モリブデン、チタン、タンタルおよびタングステンからなる群から選ばれた金属で形成されることを特徴とする請求項1に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記有色金属層は、クロム、モリブデン、チタン、タンタルおよびタングステンのいずれか1つとこれらの金属の酸化物との積層構造からなることを特徴とする請求項1に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記画素電極、前記画素電極の前記複数の第1のバーおよび前記画素領域上の前記共通電極の前記複数の第2のバーは、透明金属物質からなることを特徴とする請求項1に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記共通電極は、遮光層として使用されることを特徴とする請求項7に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記透明金属層は、ITOとIZOからなる透明導電性金属の群から選ばれた酸化金属で形成されることを特徴とする請求項7に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記有色金属層は、クロム、モリブデン、チタン、タンタルおよびタングステンからなる群から選ばれた金属で形成されることを特徴とする請求項7に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記有色金属層は、クロム、モリブデン、チタン、タンタルおよびタングステンのいずれか1つとこれらの金属の酸化物との積層構造からなることを特徴とする請求項7に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 前記画素電極は、前記画素領域の中心部分に形成されることを特徴とする請求項1に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板。
- 基板と、前記基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートラインを横切って前記基板上に形成されたデータラインと、前記ゲートラインと前記データラインに連結された薄膜トランジスタと、前記ゲートラインと前記データラインとの交差により定義された画素領域に形成され、前記薄膜トランジスタと連結され、複数の第1のバーを備え、透明金属層と有色金属層との積層構造を有する画素電極と、前記画素電極の前記第1のバーと交互にずれて配列された多数の第2のバーを備え、透明金属層と有色金属層との積層構造を有し、前記ゲートライン、データラインおよび薄膜トランジスタと重畳されるように形成された共通電極と、前記下部基板の前記画素領域に相応する位置に配置されたカラーフィルタ層とを含む下部基板と、
前記下部基板から所定の間隔で離間して配置された上部基板と、
前記上部基板と前記下部基板との間に注入された液晶層と、
を含むことを特徴とする横電界モード液晶表示装置。 - 基板上にゲートラインを形成するステップと、
前記ゲートラインを横切って前記基板上にデータラインを形成するステップと、
前記ゲートラインと前記データラインに連結された薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記ゲートラインと前記データラインとの交差により画素領域が定義され、前記薄膜トランジスタに連結され、複数の第1のバーを備える画素電極と、前記ゲートライン、前記データラインおよび前記薄膜トランジスタと重畳され、前記画素電極の前記複数の第1のバーと交互にずれて配列された多数の第2のバーを備え、透明金属層と有色金属層との積層構造を有する共通電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。 - 前記画素電極は、透明金属層と有色金属層との積層構造を有することを特徴とする請求項14に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記共通電極は、遮光層として使用されることを特徴とする請求項14に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記透明金属層は、ITOとIZOからなる透明導電性金属の群から選ばれた酸化金属で形成されることを特徴とする請求項15に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記有色金属層は、クロム、モリブデン、チタン、タンタルおよびタングステンからなる群から選ばれた金属で形成されることを特徴とする請求項15に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記有色金属層は、クロム、モリブデン、チタン、タンタルおよびタングステンのいずれか1つとこれらの金属の酸化物との積層構造からなることを特徴とする請求項15に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記画素電極、前記画素電極の前記複数の第1のバーおよび前記画素領域上の前記共通電極の前記複数の第2のバーは、透明金属物質からなることを特徴とする請求項14に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記共通電極は、遮光層として使用されることを特徴とする請求項20に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記透明金属層は、ITOとIZOからなる透明導電性金属の群から選ばれた酸化金属で形成されることを特徴とする請求項20に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記有色金属層は、クロム、モリブデン、チタン、タンタルおよびタングステンからなる群から選ばれた金属で形成されることを特徴とする請求項20に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記有色金属層は、クロム、モリブデン、チタン、タンタルおよびタングステンのいずれか1つとこれらの金属の酸化物との積層構造からなることを特徴とする請求項20に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 前記画素電極は、前記画素領域の中心部分に形成されることを特徴とする請求項20に記載の横電界モード液晶表示装置の下部基板の製造方法。
- 下部基板上にゲートラインを形成するステップと、
前記ゲートラインを横切って前記基板上にデータラインを形成するステップと、
前記ゲートラインと前記データラインに連結された薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記ゲートラインと前記データラインとの交差により画素領域が定義され、前記薄膜トランジスタに連結され、複数の第1のバーを備える画素電極と、前記ゲートライン、前記データラインおよび前記薄膜トランジスタと重畳され、前記画素電極の前記複数の第1のバーと交互にずれて配列された多数の第2のバーを備え、透明金属層と有色金属層との積層構造を有する共通電極を形成するステップと、
前記下部基板と上部基板とを合着するステップと、
前記下部基板と前記上部基板との間に液晶層を注入するステップと、
を含むことを特徴とする横電界モード液晶表示装置の製造方法。
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