JP2007011343A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上でゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと、前記ゲートライン及び前記データラインの間に形成された絶縁膜と、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を含み前記ゲートライン及び前記データラインと接続された薄膜トランジスタと、前記画素領域それぞれで前記薄膜トランジスタと接続される複数の画素電極と、前記画素領域でそれぞれ前記画素電極と並べて形成された複数の共通電極と、前記複数の共通電極と接続された共通ラインと、前記ゲートライン、前記データライン及び前記共通ラインのうちの少なくとも一つと接続されたパッドを備え、前記ゲートライン、前記ゲート電極、前記画素電極、前記共通電極、前記共通ライン及び前記パッドは透明導電層を含む。
【選択図】図3
Description
図2は、本発明の実施の形態1に係る水平電界液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板を示す平面図であり、図3は、図2に示す薄膜トランジスタ基板をI−I’、II−II’、III−III’、IV−IV’線に沿って切断して示す断面図である。
Shift)物質を用いて紫外線を部分的に透過させるハーフトーン透過部、全部透過させる透過部を備える。このようなハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により第1のフォトレジストパターン160は、互いに異なる厚さを有する第1A及び第1Bのフォトレジストパターン160A、160Bと、開口部とを有するようになる。相対的に厚い第1Aのフォトレジストパターン160Aはハーフトーンマスクの遮断部と重畳された第1のフォトレジストの遮断領域P1に、前記第1Aのフォトレジストパターン160Aより薄い第1Bのフォトレジストパターン160Bはハーフトーン透過部と重畳されたハーフトーン露光部P2に、開口部は透過部と重畳されたフル(Full)露光領域P3に形成される。
図18は、本発明の実施の形態2に係る水平電界薄膜トランジスタ基板を示す断面図であり、平面図は図2に示す通りである。
図23及び図24は、本発明の実施の形態3に係る水平電界液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板を示す平面図及び断面図である。
Claims (35)
- 基板上でゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと、
前記ゲートライン及び前記データラインの間に形成された絶縁膜と、
ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を含み、前記ゲートライン及び前記データラインと接続された薄膜トランジスタと、
前記画素領域でそれぞれ前記薄膜トランジスタと接続される複数の画素電極と、
前記画素領域でそれぞれ前記画素電極と並べて形成された複数の共通電極と、
前記複数の共通電極と接続された共通ラインと、
前記ゲートライン、前記データライン及び前記共通ラインのうちの少なくとも一つと接続されたパッドを備え、
前記ゲートライン、前記ゲート電極、前記画素電極、前記共通電極、前記共通ライン及び前記パッドは透明導電層を含むことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ゲートライン、前記ゲート電極及び前記共通ラインは、前記透明導電層と不透明な導電層とを含む複層構造を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記共通電極のうちの一部の共通電極は、前記透明導電層と不透明な導電層とを含む複層構造を有し、別の一部共通電極は、前記透明導電層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素領域で最外郭に配置される共通電極は、前記透明導電層と不透明な導電層とを含む複層構造を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲートライン、前記ゲート電極、前記共通ライン、少なくとも一つの前記共通電極、少なくとも一つの前記画素電極及び前記パッドは、前記透明導電層と不透明な導電層とを含む複層構造を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記透明導電層は、前記不透明な導電層の外郭に沿って一定に露出されることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記ドレイン電極から伸張された画素連結ラインが前記絶縁膜を介して前記共通ラインの一部と重畳して形成される第1のストレージキャパシタを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極と接続されたストレージ上部電極が前記絶縁膜を介して前記ゲートラインの一部と重畳して形成される第2のストレージキャパシタを更に備えることを特徴とする請求項1または請求項7に記載の液晶表示装置。
- 前記画素連結ラインは前記絶縁膜を貫通する第1のコンタクトホールを通じて前記画素電極と接続され、前記ストレージ上部電極は前記絶縁膜を貫通する第2のコンタクトホールを通じて前記画素電極と接続されることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極の間に露出されたチャンネルは、その表面が酸化されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタ及び前記データラインは配向膜により覆われていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲートライン、前記ゲート電極、少なくとも一つの前記画素電極、少なくとも一つの前記共通電極、前記共通ライン及び前記パッドのうち、前記透明導電層を含む複層導電層上に形成された第2の絶縁膜を更に備えることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記データラインは前記絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記パッドと接続されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 基板上にゲートライン、ゲートラインに連結された薄膜トランジスタのゲート電極、共通ライン及び前記共通ラインに連結された共通電極、複数の画素電極及びパッドを含む第1の導電パターン群を形成する工程と、
前記第1の導電パターン群上に複数のコンタクトホールを含む絶縁膜と半導体パターンを形成する工程と、
前記半導体パターンが形成された絶縁膜上に、データライン、前記データラインに連結された薄膜トランジスタのソース電極、ドレイン電極及び前記ドレイン電極から伸張された画素連結ラインを含む第2の導電パターン群を形成し、前記半導体パターンの活性層を露出させる工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲートライン、前記ゲート電極及び前記共通ラインは、透明導電層と不透明な導電層とを含む複層構造であることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記共通電極のうちの一部の共通電極は、透明導電層と不透明な導電層とを含む複層構造に形成され、他の一部の共通電極は、前記透明導電層に形成されることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極と前記パッドとは透明導電層として形成されることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の導電パターン群を形成する工程は、前記基板上に透明導電層及び前記不透明な導電層を積層する工程、前記透明導電層及び前記不透明な導電層をパターニングする工程及び前記不透明な導電層のうちの一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の導電パターン群は、ハーフトーンマスク及び回折露光マスクのうちの何れか一つを用いて形成されることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ゲートライン、前記ゲート電極、前記共通ライン、少なくとも一つの前記共通電極、少なくとも一つの前記画素電極及び前記パッドは、前記透明導電層と不透明な導電層とを含む複層構造に形成されることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記透明導電層は前記不透明な導電層の外郭に沿って一定に露出されるように形成されることを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の導電パターン群を形成する工程は、前記基板上に前記透明導電層及び不透明な導電層を積層する工程、前記不透明な導電層上にフォトレジストパターンを形成する工程、前記フォトレジストパターンをマスクに用いて前記透明導電層及び前記不透明な導電層をパターニングする工程、前記フォトレジストパターンをアッシングする工程及び前記アッシングされたフォトレジストパターンにより露出された前記不透明な導電層をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記パッドの透明導電層は、不透明な導電層まで貫通するコンタクトホールにより露出されることを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記絶縁膜と前記半導体パターンとを形成する工程は、前記第1の導電パターン群が形成された基板上に絶縁膜及び半導体層を積層する工程、前記絶縁膜まで貫通する前記複数のコンタクトホールを形成する工程、前記半導体層をパターニングして前記半導体パターンを形成する工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記複数のコンタクトホールと前記半導体パターンは、ハーフトーンマスク及び回折露光マスクのうちの何れか一つを用いて形成されることを特徴とする請求項24に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ドレイン電極から伸張された前記画素連結ラインが前記絶縁膜を介して前記共通ラインの一部と重畳する第1のストレージキャパシタを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極と接続され、前記絶縁膜を介して前記ゲートラインの一部と重畳するストレージ上部電極を前記第2の導電パターン群と共に形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項14または請求項26に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素連結ラインは前記絶縁膜を貫通する第1のコンタクトホールを通じて前記画素電極と接続され、前記ストレージ上部電極は前記絶縁膜を貫通する第2のコンタクトホールを通じて前記画素電極と接続されることを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極の間に露出された活性層の表面をプラズマ表面処理で酸化させる工程を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記プラズマ表面処理は、前記第2の導電パターン群の形成のためのフォトレジストパターンが存在する状態で行うことを特徴とする請求項29に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2の導電パターン群を覆う配向膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の導電パターン群を形成する工程は、前記ゲートライン、前記ゲート電極、少なくとも一つの前記画素電極、少なくとも一つの前記共通電極、前記共通ライン及び前記パッドの複層構造上に第2の絶縁膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項31に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データラインは前記絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記パッドと接続されることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記パッドにおいて、前記コンタクトホールを通じて露出された不透明な導電層は前記第2の導電パターン群の形成の際に除去されることを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ゲートラインと前記データラインは画素領域を定義し、前記画素領域で最外郭に配置される前記共通電極は、前記透明導電層と不透明な導電層とを有する複層構造であることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。
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