CN102789106B - 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 - Google Patents
有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102789106B CN102789106B CN201210269320.8A CN201210269320A CN102789106B CN 102789106 B CN102789106 B CN 102789106B CN 201210269320 A CN201210269320 A CN 201210269320A CN 102789106 B CN102789106 B CN 102789106B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- dike
- opening
- thin film
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 84
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- -1 thiophene compound Chemical class 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供了一种有机半导体阵列基板及其制备方法以及显示装置,属于液晶显示领域,为解决现有技术中制作有机半导体阵列基板时,制备过程繁琐,且消耗大量材料的问题而设计。一种有机薄膜晶体管阵列基板,包括:在透明基板上形成的像素结构;所述像素结构包括:栅线、数据线、有机薄膜晶体管、像素电极、公共电极线和公共电极;所述有机薄膜晶体管包括:栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极;所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层;在所述第一堤绝缘层和所述第二堤绝缘层的开口和通孔处打印所述像素结构。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,尤其涉及一种有机薄膜晶体管阵列及其制备方法以及显示装置。
背景技术
有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,以下简称OTFT)因适用于大面积的加工和柔性基板,并且具有工艺成本较低等优点,在平板显示领域拥有很好的发展前景。通常在OTFT阵列基板的制作中需要多次构图工艺,以形成图案化的层结构,在此过程中消耗大量栅极、栅绝缘层以及有机半导体材料,而且制作效率较低。
ADSDS(高级超维场转换技术,ADvanced Super Dimension Switch,简称ADS)型液晶显示器是现有的一种宽视角显示器,其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(pushMura)等优点。
在ADS模式的液晶显示屏中,有机薄膜晶体管阵列基板的制备,即形成栅极、栅绝缘、有机半导体层源漏电极、信号线以及像素电极时,一般通过多次构图工艺完成,即多次进行沉积、曝光和刻蚀,从而导致有机薄膜晶体管阵列基板的制备的工艺繁琐,效率较低,材料浪费严重。
发明内容
本发明的实施例提供一种有OTFT阵列基板及其制备方法以及显示装置。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种OTFT阵列基板,包括:在透明基板上形成的像素结构;
所述像素结构包括:栅线、数据线、OTFT、像素电极、公共电极线和公共电极;
所述OTFT包括:栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极;
所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层;
其中,在所述第一堤绝缘层上设置有第一通孔、第一开口和第二开口;
所述第一开口中形成所述栅线,所述第二开口中形成所述公共电极线;
所述第一通孔中自下而上依次形成所述有机半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极,所述栅极连接所述栅线;所述有机半导体层连接所述源极和漏极。
一种OTFT阵列基板的制备方法,包括:
S1:在基板上形成像素电极、数据线、源极和漏极;
S2:在经过步骤S1的基板上依次形成有机半导体层、栅绝缘层、栅极、栅线和公共电极线的图形;
S3:在经过步骤S2的基板上形成公共电极和公共电极的图形;。
一种显示装置,包括上述有机薄膜晶体管阵列基板。
本发明实施例提供的一种OTFT阵列基板及其制备方法以及显示装置,通过光敏树脂所分别形成的第一堤绝缘层和第二堤绝缘层,并且在第一堤绝缘层和第二堤绝缘层上的通孔和开口中通过喷墨打印形成有机半导体层,栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线,从而快速高效的形成OTFT阵列基板中的有机半导体层,栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构,节省了形成有机半导体层,栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的材料,并且更好的控制了有机半导体层,栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的精确度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所述的一种OTFT阵列结构的俯视图;
图2为本发明实施例所述的一种OTFT阵列结构沿A-A’的剖视图;
图3为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列结构的俯视图;
图4为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列结构沿C-C’的剖视图;
图5为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法的流程图;
图6为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法中沉积透明导电薄膜和光刻胶后的结构示意图;
图7为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法中刻蚀透明导电薄膜后的俯视图;
图8为本发明实施例所述的一种OTFT阵列基板的制备方法形成第一堤绝缘层及其包裹的结构的剖视图;
图9为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法中第一次构图工艺的具体流程图;
图10为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法中沉积透明导电薄膜和金属薄膜后的剖视图;
图11为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法对光刻胶进行图像化后的剖视图;
图12为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法中第一次刻蚀后的剖视图;
图13为本发明实施例所述的另一种OTFT阵列基板的制备方法中第二次刻蚀后的剖视图。
附图标记说明:
1—透明基板; 2—透明导电薄膜; 2a—像素电极;
2b—数据线; 2c—源极; 2d—漏极;
3-金属薄膜; 4-第一堤绝缘层; 4a-第一通孔;
4b—第一开口; 4c—第二开口; 5—有机半导体层;
6-栅绝缘层; 7a-栅极; 7b-栅线;
7c—公共电极线;8—第二堤绝缘层; 8a—第三开口;
8b—第二通孔; 9—公共电极; 10—光刻胶;
10a—完全保留区域; 10b—部分保留区域; 10c—完全去除区域。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例一种OTFT阵列基板及其制备方法进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
一种OTFT阵列基板,如图1和图2所示(其中图2为图1沿A-A’的剖面图),包括:在透明基板1上形成的像素结构;
所述像素结构包括:栅线7b、数据线2b、OTFT、像素电极2a、公共电极9和公共电极线7c;
所述OTFT包括:栅极7a、栅绝缘层6、有机半导体层5、源极2c和漏极2d;
所述数据线2b、所述源极2c、所述漏极2d和所述像素电极2a上自下而上依次设置有第一堤绝缘层4和第二堤绝缘层8;
其中,在所述第一堤绝缘层4上设置有第一通孔4a、第一开口4b和第二开口4c;进一步的,在堤绝缘层上形成通孔和开口是指所谓通孔贯穿整个堤绝缘层,所谓开口则是在堤绝缘层上形成凹槽,凹槽的底部还存留有部分堤绝缘层。
所述第一开口4b中打印形成所述栅线7b,所述第二开口4c中打印形成所述公共电极线7c;
所述第一通孔4a中自下而上依次打印形成所述有机半导体层5、所述栅绝缘层6和所述栅极7a,所述栅极7a连接所述栅线7b;所述有机半导体层5连接所述源极2c和所述漏极2d。
在所述第二堤绝缘层8上设置有相连通的第三开口8a和第二通孔8b,所述第三开口8a板状覆盖或梳状覆盖所述像素电极2a上方;
所述第二通孔8b与所述第二开口4c连通;
在所述第三开口8a和所述第二通孔8b中打印形成公共电极9,其中所述公共电极9与所述公共电极线7c通过在所述第二通孔8b连接中相接触。
其中源极2c、漏极2d、像素电极2a和数据线2b,分别通过对透明导电薄膜2刻蚀后形成。栅极7a、栅线7b和公共电极线7c分别通过打印形成。所述透明基板1可为塑料基板或玻璃基板。
可选的,在所述源极2c、所述漏极2d和所述数据线2b表面设置有金属薄膜3。
可选的,所述源极2c和所述漏极2d延伸至所述第一通孔4a中,所述源极2c和所述漏极2d不连接,且所述源极2c和所述漏极2d之间的距离小于所述第一通孔4a两侧的所述金属薄膜3之间的距离。
可选的,所述有机半导体层5的厚度大于所述源极2c和所述漏极2d的厚度。
可选的,所述有机半导体层5与所述第一通孔4a两侧的所述源极2c和所述漏极2d的侧壁连接。
可选的,所述第一堤绝缘层4和所述第二堤绝缘层8为光敏树脂材料。
可选的,所述数据线2b、所述源极2c、漏极2d像素电极2a和所述公共电极9的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
可选的,所述有机半导体层5的材料为噻吩化合物或酞菁化合物。
可选的,所述栅绝缘层6的材料为聚乙烯醇。
可选的,所述栅极7a为导电聚噻吩化合物、铜或银中一种。
可选的,设置在所述第一开口4b中的所述栅线7b、设置在所述第二开口4c中的所述公共电极线7c和设置在所述第一通孔4a中的所述栅极7a的上表面与所述第一堤绝缘层4的上表面齐平。
为增强上述的OTFT阵列基板的数据线2b、源极2c、漏极2d的导电性能,加快像素电极2a的充电速度,可选的,如图3和图4所示(其中图4为图3中沿C-C’的剖面图),所述源极2c、所述漏极2d和所述数据线2b表面设置有金属薄膜3。所述金属薄膜3的材料为铝、钨、铬、钽、钼或铜中一种。
因所述有机半导体层5在连接源极2c和漏极2d时,只连接了源极2c和漏极2d的侧壁,易出现虚接的情况。故为扩大有机半导体层5和源极2c和漏极2d的连接面积,避免虚接的情况,可选的,所述源极2c和所述漏极2d延伸至第一通孔4a中,所述源极2c和所述漏极2d不连接,且所述源极2c和所述漏极2d之间的距离小于所述第一通孔4a两侧的所述金属薄膜3之间的距离。
与上述一种OTFT阵列基板相对应,本发明还提供了一种OTFT阵列基板的制备方法,如图4所示,包括:
S1:在基板上形成像素电极、数据线、源极和漏极。
首先,如图6所示在基板上连续形成透明导电薄膜。在透明基板1上通过磁控溅射或热蒸发等方法形成透明导电薄膜2,该透明导电薄膜2为铟锡氧化物或铟锌氧化物,所述透明基板1可为玻璃基板或塑料基板。如图6所示,在透明导电薄膜2上旋涂光刻胶10,通过第一次构图工艺,并对透明导电薄膜2进行刻蚀后,如图7所示,形成像素电极2a、数据线2b、源极2c和漏极2d;刻蚀完成后,通过剥离液将剩余的光刻胶10剥离。
S2:在经过步骤S1的基板上依次形成有机半导体层、栅绝缘层、栅极、栅线和公共电极线的图形。
具体的,在形成有像素电极2a、数据线2b、源极2c和漏极2d的基板上涂覆光敏树脂,固化形成第一堤绝缘层4,在所述第一堤绝缘层4上通过双色调掩模板(半色调掩模板或灰色调掩模板)进行曝光显影,形成第一通孔4a、第一开口4b和第二开口4c,在所述第一通孔4a中打印形成有机半导体层5,在所述有机半导体层5上打印所述栅绝缘层6,并在所述栅绝缘层6上、所述第一开口4b和所述第二开口4c中打印形成所述栅极7a、所述栅线7a和所述公共电极线7c,其中,所述有机半导体层5连接所述源极2c和所述漏极2d。
如图8所示,在所述基板1上涂覆光敏树脂的溶液,所述光敏树脂可为聚甲基丙烯酸酯的溶液;光敏树脂覆盖透明基板1表面后,在约110摄氏度的条件下进行1-30分钟的前烘,以使挥发光敏树脂中的溶剂;利用双色调掩模板进行曝光显影后,形成第一通孔4a、第一开口4b和第二开口4c,具体为:将双色调掩模板覆盖于光敏树脂上方,其中该掩模板为半色调掩膜板或灰色调掩膜板,半色调或灰色调部分所对应的光敏树脂形成较浅的该掩膜版的部分透光区域对应第一开口4b和第二开口4c处;掩模板的完全不透光区域对应光敏树脂的完全保留区域;掩模板上完全透光区域对应光敏树脂的完全去除区域,形成第一通孔4a,在第一通孔4a中,源极2c和漏极2d的侧壁露出;曝光显影完成后,在约130摄氏度的条件下,进行1-30分钟的后烘,使包含第一通孔4a、第一开口4b和第二开口4c的光敏树脂固化,形成第一堤绝缘层4。
形成第一堤绝缘层4后,通过控制打印机打印设备在第一通孔4a、第一开口4b和第二开口4c进行打印;首先在第一通孔4a中打印形成有机半导体层5的有机半导体溶液;蒸发有机半导体溶剂,形成有机半导体层5,其中在蒸发有机半导体溶剂的过程中,实现退火,以使有机半导体溶液中的成分均匀化;该有机半导体层5的厚度大于源极2c和漏极2d,以使有机半导体层5和两侧的源极2c和漏极2d的侧壁充分接触;在有机半导体层5的表面打印形成栅极绝缘层6的溶液,该栅绝缘层可为聚乙烯醇;蒸发溶液,形成栅极绝缘层6;形成栅极绝缘层6后,在栅极绝缘层6表面、第一开口4b和第二开口4c中分别打印栅极材料,所述栅极材料溶液或液体可为导电聚噻吩溶液、铜浆或银浆,蒸发溶剂或凝固该液体后,分别形成栅极7a,栅线7b和公共电极线7c。
在光敏树脂上通过曝光显影形成包含第一通孔4a、第一开口4b和第二开口4c的第一堤绝缘层4;在该第一通孔4a、第一开口4b和第二开口4c的第一堤绝缘层4进行打印,以限制打印的溶液或液体的范围,在堤绝缘层中设置开口和通孔,可以确保喷墨打印的精确度,以保证形成的有机半导体层5、栅绝缘层6、栅极7a、栅线7b和公共电极7c的精确度,确保有机半导体层5与源极2c和漏极2d的接触面积,从而保证了形成的OTFT的性能。
S3:在经过步骤S2的基板上形成公共电极和公共电极的图形。
在经过步骤S2的基板上再次涂覆光敏树脂,固化形成第二堤绝缘层8,在所述第二堤绝缘层8上通过曝光显影形成相连通的第三开口8a和第二通孔8b,所述第三开口8a梳状覆盖于所述像素电极2a上方,并在所述第二通孔8b和所述第三开口8a中打印形成公共电极9。
如图2所示,在第一堤绝缘层4上再次涂覆光敏树脂,光敏树脂覆盖第一堤绝缘层4后,在约110摄氏度的条件下进行1-30分钟的前烘,以使挥发光敏树脂的溶剂;进行第曝光显影,形成相连通的第三开口8a和第二通孔8b和第三开口8a;其中所述第二通孔8b与第二开口4c相连通,所述第三开口8a板状覆盖或梳状覆盖于所述像素电极2a上方;在约110摄氏度的条件下进行1-30分钟的后烘,固化形成第二堤绝缘层8;在所述第二通孔8b和第三开口8a中打印形成公共电极9的溶液,蒸发溶剂,形成公共电极9。
因在第二堤绝缘层8的第二通孔8b和第三开口8a打印形成公共电极9的溶液,限制了形成公共电极9的溶液的扩散,确保了像素结构的精确度,从而保证了像素的显示性能。
喷墨打印工艺是,将制作图案所用墨滴,即形成栅极7a、栅绝缘层6、有机半导体层5、栅线7b、公共电极线7c和公共电极9的材料,打印在需要制作图案的区域,以形成所需图案的工艺。由于这种工艺是一种直接形成图案化层结构的方法,因此采用打印的方式制备有机薄膜晶体管阵列基板,可简化工艺、节省材料、降低成本和提高生产效率,并且确保了有机半导体层5与源极2c和漏极2d的接触面积,及其图案精度有利于提高薄膜晶体管的性能,同时利用喷墨打印工艺制备公共电极线7c可以精确梳妆公共电极9的图案,从而确保该其显示质量。
在OTFT阵列基板中,对于像素电极的充电速度影响了液晶显示屏的显示效果,为加快数据线2b对于公共电极2a的充电速度,可选的,在所述S 1步骤在基板上形成像素电极、数据线、源极和、漏极,还包括:
200、在基板上依次形成透明导电层薄膜和金属层薄膜。
在基板1上沉积透明导电薄膜2后,如图10所示,在透明导电薄膜2表面沉积金属模板3;沉积在溅射设备中进行,通过加速惰性气体的等离子撞击靶材;撞击出靶材的原子颗粒,在电场和磁场的作用下,均匀附着于透明导电薄膜2上,形成金属薄膜3;该金属薄膜3的材料可为铝、钨、铬、钽、钼或铜中一种。
201、在形成有所述透明导电层薄膜和所述金属层薄膜的基板上旋涂光刻胶,通过双色调掩模板进行曝光显影,在所述光刻胶上形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域。
如图9所示,在在形成有所述透明导电层模板和所述金属层薄膜的基板上旋涂光刻胶,通过掩模板进行构图工艺,在所述光刻胶上形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域。
在所述金属薄膜3上旋涂光刻胶,通过双色调掩模板进行构图工艺;曝光显影后,使光刻胶上形成如图11所示的结构,即在所述光刻胶上形成光刻胶完全保留区域10a、部分保留区域10b和完全去除区域10c,其中完全保留区域10a对应掩模板上的完全不透光遮蔽部分区域,部分保留区域10b对应掩模板上的半色调或灰色调掩膜版的部分透光部分区域以及完全去除区域10c对应掩模板上的完全透光区域。
202、刻蚀形成数据线、源极、漏极和像素电极,保留所述数据线、源极、漏极和像素电极表面的所述金属薄膜。
将所述透明基板1放置于刻蚀腔内进行刻蚀;首先将光刻胶10完全去除区域10c下方的金属薄膜3和透明导电薄膜2刻蚀掉,如图12所示,形成由透明导电薄膜2形成的数据线2b、源极2c、漏极2d和像素电极2a,并保留在数据线2b、源极2c、漏极2d和像素电极2a上的金属薄膜3。
203、对所述光刻胶进行灰化,去除所述部分保留区域的光刻胶,并通过刻蚀去除所述像素电极表面的金属薄膜。
如图13所示,对光刻胶10进行灰化,以去除所述部分保留区域10b的光刻胶,使部分保留区域10b下方的金属薄膜3露出;进行刻蚀,去除对应像素电极2a表面的金属薄膜3,露出下层的像素电极2a。在刻蚀金属薄膜3的过程中,可选择只刻蚀金属的刻蚀液或刻蚀气体进行刻蚀,或通过控制刻蚀的时间,从而刻蚀掉部分保留区域10b的金属薄膜3保留透明导电薄膜2。
最后形成后的OTFT阵列如图3和图4所示,在数据线2b、源极2c和漏极2d表面附着有金属薄膜3,并通过金属薄膜3较好的导电性能增强透明导电薄膜2所形成的数据线2b、源极2c和漏极2d的导电性能,从而提高了数据线2b通过源极2c和漏极2d对像素电极2a的充电速度。
与上述一种OTFT阵列基板的制备方法相对应,本发明还提供了一种显示装置,本发明施例提供的显示装置,包括如上所述的顶栅型TFT阵列基板。所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
本发明实施例提供的一种OTFT阵列基板及其制备方法以及显示装置,通过光敏树脂所分别形成的第一堤绝缘层和第二堤绝缘层,并且在第一堤绝缘层和第二堤绝缘层上的通孔和开口中通过喷墨打印形成有机半导体层,栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线,从而快速高效的形成OTFT阵列基板中的有机半导体层,栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构,节省了形成有机半导体层,栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的材料,并且更好的控制了有机半导体层,栅绝缘层、栅极、栅线、公共电极和公共电极线等结构的精确度。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (17)
1.一种有机薄膜晶体管阵列基板,包括:在透明基板上形成的像素结构;
所述像素结构包括:栅线、数据线、有机薄膜晶体管、像素电极、公共电极线和公共电极;
所述有机薄膜晶体管包括:栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极;其特征在于:
所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极上自下而上依次设置有第一堤绝缘层和第二堤绝缘层;
其中,在所述第一堤绝缘层上设置有第一通孔、第一开口和第二开口;所述源极和漏极位于所述第一通孔的两侧;所述第一开口与所述第二开口位于所述第一堤绝缘层朝向所述第二堤绝缘层的表面上,且不穿透所述第一堤绝缘层;
所述第一开口中形成所述栅线,所述第二开口中形成所述公共电极线;
所述第一通孔中自下而上依次形成所述有机半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极,所述栅极连接所述栅线;所述有机半导体层连接所述源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,
在所述第二堤绝缘层上设置有相连通的第三开口和第二通孔,所述第二通孔与所述第二开口连通;
在所述第三开口和所述第二通孔中打印形成公共电极,其中所述公共电极与所述公共电极线通过所述第二通孔连接。
3.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述源极、所述漏极和所述数据线表面设置有金属薄膜。
4.根据权利要求3所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述源极和所述漏极延伸至所述第一通孔中,所述源极和所述漏极不连接,且所述源极和所述漏极之间的距离小于所述第一通孔两侧的所述金属薄膜之间的距离。
5.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述有机半导体层的厚度大于所述源极和所述漏极的厚度。
6.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述有机半导体层与所述第一通孔两侧的所述源极和所述漏极的侧壁连接。
7.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一堤绝缘层和所述第二堤绝缘层为光敏树脂材料。
8.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述数据线、所述源极、所述漏极、所述像素电极和所述公共电极的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
9.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述有机半导体层的材料为噻吩化合物或酞菁化合物。
10.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述栅绝缘层的材料为聚乙烯醇。
11.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述栅极为导电聚噻吩化合物、铜或银中一种。
12.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,设置在所述第一开口中的所述栅线、设置在所述第二开口中的所述公共电极线和设置在所述第一通孔中的所述栅极的上表面与所述第一堤绝缘层的上表面齐平。
13.根据权利要求3或4所述的有机薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述金属薄膜的材料为铝、钨、铬、钽、钼或铜中一种。
14.一种有机薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
S1:在基板上形成像素电极、数据线、源极和、漏极;
S2:在经过步骤S1的基板上依次形成有机半导体层、栅绝缘层、栅极、栅线和公共电极线的图形;
S3:在经过步骤S2的基板上形成公共电极的图形;
所述步骤S2具体包括:
在经过步骤S1的基板上涂覆光敏树脂,固化形成第一堤绝缘层,在所述第一堤绝缘层上通过双色调掩模板进行曝光显影,形成第一通孔、第一开口和第二开口,在所述第一通孔中打印形成有机半导体层,在所述有机半导体层上打印栅绝缘层,并在所述栅绝缘层上、所述第一开口和所述第二开口中打印形成栅极、栅线和公共电极线,其中,所述有机半导体层连接所述源极和所述漏极;
所述步骤S3具体包括:在经过步骤S2的基板上涂覆光敏树酯树脂,固化形成第二堤绝缘层;
所述第一开口与所述第二开口位于所述第一堤绝缘层朝向所述第二堤绝缘层的表面上,且不穿透所述第一堤绝缘层。
15.根据权利要求14所述的有机薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述步骤S3还包括:
在所述第二堤绝缘层上通过曝光显影形成相连通的第三开口和第二通孔,所述第三开口位于所述像素电极上方且呈梳状排布,并在所述第二通孔和所述第三开口中打印形成公共电极。
16.根据权利要求15所述的有机薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述步骤S1还包括:
在基板依次形成透明导电层薄膜和金属层薄膜;
在形成有所述透明导电层模板和所述金属层薄膜的基板上旋涂光刻胶,通过双色调掩模板进行曝光显影,在所述光刻胶上形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域;
刻蚀形成数据线、源极、漏极和像素电极,保留所述数据线、源极、漏极和像素电极表面的所述金属薄膜;
对所述光刻胶进行灰化,去除所述部分保留区域,并通过刻蚀去除所述像素电极表面的金属薄膜,并剥离剩余的所述光刻胶。
17.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括上述权利要求1~13中任意一项有机薄膜晶体管阵列基板。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210269320.8A CN102789106B (zh) | 2012-04-24 | 2012-07-30 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 |
PCT/CN2012/086222 WO2013159538A1 (zh) | 2012-04-24 | 2012-12-07 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 |
JP2015507339A JP6049111B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-12-07 | 有機薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置 |
KR20137009807A KR101485720B1 (ko) | 2012-04-24 | 2012-12-07 | 유기 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조 방법, 및 디스플레이 장치 |
EP12830908.5A EP2672316B1 (en) | 2012-04-24 | 2012-12-07 | Organic thin film transistor array substrate and preparation method thereof, and display device |
US13/824,540 US9281353B2 (en) | 2012-04-24 | 2012-12-07 | Organic thin film transistor array substrate, method for manufacturing the same and display device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210123042.5 | 2012-04-24 | ||
CN201210123042 | 2012-04-24 | ||
CN201210269320.8A CN102789106B (zh) | 2012-04-24 | 2012-07-30 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102789106A CN102789106A (zh) | 2012-11-21 |
CN102789106B true CN102789106B (zh) | 2015-01-07 |
Family
ID=47154547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210269320.8A Active CN102789106B (zh) | 2012-04-24 | 2012-07-30 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9281353B2 (zh) |
EP (1) | EP2672316B1 (zh) |
JP (1) | JP6049111B2 (zh) |
KR (1) | KR101485720B1 (zh) |
CN (1) | CN102789106B (zh) |
WO (1) | WO2013159538A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102789106B (zh) * | 2012-04-24 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 |
JP2015023161A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子機器 |
CN104393019B (zh) * | 2014-11-07 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
KR101712246B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2017-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 자기 정전용량식 터치 센서 일체형 표시장치 |
US9780973B2 (en) | 2015-03-02 | 2017-10-03 | Nxp Usa, Inc. | Channel estimation system for wireless communication system |
CN104749845A (zh) * | 2015-04-17 | 2015-07-01 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR102591636B1 (ko) | 2016-03-24 | 2023-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
EP3607398B1 (en) * | 2017-04-01 | 2022-01-12 | BOE Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display apparatus |
KR20200071511A (ko) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040011681A (ko) * | 2002-07-29 | 2004-02-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 제조방법 |
KR20080030155A (ko) * | 2006-09-29 | 2008-04-04 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN101174071A (zh) * | 2006-10-31 | 2008-05-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置、以及电子设备 |
CN101393897A (zh) * | 2007-09-20 | 2009-03-25 | 乐金显示有限公司 | 制造液晶显示装置的方法 |
KR20090124546A (ko) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7135724B2 (en) * | 2004-09-29 | 2006-11-14 | International Business Machines Corporation | Structure and method for making strained channel field effect transistor using sacrificial spacer |
KR101201017B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20070063300A (ko) | 2005-12-14 | 2007-06-19 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101193381B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2012-10-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
KR101244898B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2013-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101389219B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2014-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드형 액정표시패널 및 그 제조 방법 |
US20080258138A1 (en) | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and fabricating method thereof, and flat panel display with the same |
KR101326129B1 (ko) | 2007-07-24 | 2013-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
TWI509673B (zh) | 2007-09-05 | 2015-11-21 | 尼康股份有限公司 | A manufacturing method of a display element, a manufacturing apparatus for a display element, and a display device |
CN101556417B (zh) * | 2008-04-11 | 2010-12-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | Ffs型tft-lcd阵列基板结构及其制造方法 |
JP4618337B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
CN102742357A (zh) * | 2010-08-06 | 2012-10-17 | 松下电器产业株式会社 | 有机el显示面板、显示装置以及有机el显示面板的制造方法 |
CN102789106B (zh) * | 2012-04-24 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 |
CN107289106A (zh) | 2016-04-12 | 2017-10-24 | 江阴市富明机械有限公司 | 带有把手的不粘密封盖 |
-
2012
- 2012-07-30 CN CN201210269320.8A patent/CN102789106B/zh active Active
- 2012-12-07 JP JP2015507339A patent/JP6049111B2/ja active Active
- 2012-12-07 KR KR20137009807A patent/KR101485720B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-07 WO PCT/CN2012/086222 patent/WO2013159538A1/zh active Application Filing
- 2012-12-07 EP EP12830908.5A patent/EP2672316B1/en active Active
- 2012-12-07 US US13/824,540 patent/US9281353B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040011681A (ko) * | 2002-07-29 | 2004-02-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 제조방법 |
KR20080030155A (ko) * | 2006-09-29 | 2008-04-04 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN101174071A (zh) * | 2006-10-31 | 2008-05-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置、以及电子设备 |
CN101393897A (zh) * | 2007-09-20 | 2009-03-25 | 乐金显示有限公司 | 制造液晶显示装置的方法 |
KR20090124546A (ko) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013159538A1 (zh) | 2013-10-31 |
JP2015520940A (ja) | 2015-07-23 |
CN102789106A (zh) | 2012-11-21 |
US9281353B2 (en) | 2016-03-08 |
US20140110677A1 (en) | 2014-04-24 |
EP2672316A1 (en) | 2013-12-11 |
EP2672316A4 (en) | 2015-09-16 |
EP2672316B1 (en) | 2020-05-06 |
JP6049111B2 (ja) | 2016-12-21 |
KR101485720B1 (ko) | 2015-01-22 |
KR20130143570A (ko) | 2013-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102789106B (zh) | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 | |
CN101907807B (zh) | 具有氧化物薄膜晶体管的显示器及其制造方法 | |
CN103383945B (zh) | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法 | |
CN104216183B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
US20210202464A1 (en) | Electrostatic Discharge Unit, Array Substrate and Display Panel | |
CN104091761B (zh) | 一种图案化薄膜的制备方法、显示基板及显示装置 | |
CN102637636A (zh) | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
WO2017012306A1 (zh) | 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | |
CN103295970A (zh) | 阵列基板、其制造方法及显示装置 | |
JP2005181988A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
CN104037126A (zh) | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 | |
CN102033367B (zh) | 显示基板及其制造方法 | |
CN103048840B (zh) | 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置 | |
US10879278B2 (en) | Display substrate, manufacturing method therefor, and display device | |
CN104810321A (zh) | 一种tft阵列基板及显示装置的制备方法 | |
CN108493194B (zh) | 一种阵列基板、显示面板 | |
CN102646792B (zh) | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 | |
US20120241746A1 (en) | Electrophoresis display and manufacturing method | |
CN102854681B (zh) | 一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法 | |
CN103984147A (zh) | 阵列面板及其制作方法 | |
CN102929053B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN109713020A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN102655114B (zh) | Tft-lcd阵列基板制造方法及其阵列基板和相关器件 | |
CN101330061B (zh) | 像素结构的制作方法 | |
CN107665926A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |