JP4392390B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4392390B2 JP4392390B2 JP2005190897A JP2005190897A JP4392390B2 JP 4392390 B2 JP4392390 B2 JP 4392390B2 JP 2005190897 A JP2005190897 A JP 2005190897A JP 2005190897 A JP2005190897 A JP 2005190897A JP 4392390 B2 JP4392390 B2 JP 4392390B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- electrode
- forming
- photoresist pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 178
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 151
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 148
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 93
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 74
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 35
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 34
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 90
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 88
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 36
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 33
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 acrylic organic compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
4:ブラックマトリクス
6:カラーフィルター
8:共通電極
10:カラーフィルター基板
12:下部グラス基板
14,102:ゲートライン
16,104:データライン
18,106:薄膜トランジスター
20:薄膜トランジスター基板
22,118:画素電極
24:液晶
108:ゲート電極
110:ソース電極
112:ドレイン電極
114:活性層
106:薄膜トランジスター
117:透明導電層
130,138,164,238,254:コンタクトホール
126:ゲートパッド
128:ゲートパッド下部電極
132:ゲートパッド上部電極
134,234:データパッド
236:データパッド下部電極
240:データパッド上部電極
142:基板
144:ゲート絶縁膜
116:オミック接触層
115:半導体層
150:保護膜
152,310,312:配向膜
170:画素ホール
200,210,220:フォトレジストパターン
300:カラーフィルター基板
320:シーラント
124:酸化シリコン層
250:データリンク
252:コンタクト電極
160:共通パッド
162:共通パッド下部電極
166:共通パッド上部電極
Claims (23)
- 第1基板及び第2基板を提供する工程と、
ゲートラインとゲート電極と共通ライン及び共通電極を含む第1マスクパターン群を第1基板上に形成する第1マスク工程と、
前記第1マスクパターン群上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、画素領域に前記半導体層を貫通する画素ホールを形成し、前記画素ホール内に画素電極を形成すると共に、前記半導体層及びゲート絶縁膜を貫通してコンタクトホールを形成し、該コンタクトホール内にデータパッドを形成する第2マスク工程及び
前記データパッドに接続され、前記ゲートラインと交差して前記画素領域を規定するデータラインと、ソース電極及びドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンを前記第1基板上に形成し、前記半導体パターンの活性層を露出させ、前記ソース電極とドレイン電極間のチャンネルを規定する第3マスク工程とを含み、
前記第2マスク工程は、
前記第1マスクパターン群が形成された第1基板上に、前記ゲート絶縁膜および前記半導体層を順次に形成する第1の段階と、
前記半導体層上に、第1の相対的に厚さの薄い領域、第1の相対的に厚さの厚い領域、および第1の開口部を有する第1のフォトレジストパターンを形成する第2の段階であって、前記半導体層の、前記画素ホールが形成される領域上に前記第1の相対的に厚さの薄い領域が位置し、前記コンタクトホールが形成される領域上に前記第1の開口部が位置し、前記半導体層の、前記第1の相対的に厚さの薄い領域および前記第1の開口部が位置しない領域上に前記第1の相対的に厚さの厚い領域が位置するように前記第1のフォトレジストパターンを形成する第2の段階と、
前記第1のフォトレジストパターンを利用したエッチングを行うことにより、前記第1の相対的に厚さの薄い領域および該第1の相対的に厚さの薄い領域の下の半導体層を除去し、前記第1の開口部内に位置する半導体層および該半導体層の下のゲート絶縁膜を除去して、前記画素ホールおよび前記コンタクトホールを形成する第3の段階と、
前記第1基板上に透明導電層を形成して、前記画素ホール内に前記画素電極を形成し、前記コンタクトホール内に前記データパッドを形成する第4の段階とを有し、
前記第3マスク工程は、
前記第1基板上の全面に金属層を形成することにより、該第1基板上の、ソース電極およびドレイン電極が形成される第1の領域、およびデータラインが形成される第2の領域にそれぞれ金属層を形成する第5の段階と、
前記金属層上に、第2の相対的に厚さの薄い領域、第2の相対的に厚さの厚い領域、および第2の開口部を有する第2のフォトレジストパターンを形成する第6の段階であって、前記第1の領域の、前記チャンネルが形成される領域上に前記第2の相対的に厚さの薄い領域が位置し、前記第1の領域の、前記チャンネルが形成されない領域上および前記第2の領域上に前記第2の相対的に厚さの厚い領域が位置し、前記金属層上の、前記第2の相対的に厚さの薄い領域および前記第2の相対的に厚さの厚い領域が位置しない領域上に前記第2の開口部が位置するように前記第2のフォトレジストパターンを形成する第6の段階と、
前記第2のフォトレジストパターンを利用したエッチングを行うことにより、前記第2の開口部内に位置する金属層および半導体層を除去し、前記データライン、前記ソース電極および前記ドレイン電極をパターンニングして、前記データラインと、前記ソース・ドレイン金属パターンとを形成する第7の段階と、
前記第2のフォトレジストパターンの、前記第2の相対的に厚さの薄い領域を除去し、該第2の相対的に厚さの薄い領域が除去された第2のフォトレジストパターンを利用したエッチングを行うことにより、前記ソース・ドレイン金属パターンの、前記チャンネル層が形成される領域に位置する金属層を除去して前記半導体パターンの活性層を露出させ、前記チャンネルを形成する第8の段階とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲートラインとゲート電極及び共通ラインは透明導電層を含む少なくとも二つの導電層が積層された積層形の構造を有し、前記共通電極は前記共通ラインの透明導電層が延長され形成されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極が前記共通ラインと重畳されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1マスク工程は、
少なくとも二つの導電層を前記第1基板上に形成する段階であって、前記少なくとも二つの導電層からなる積層の下層が透明導電層となるように前記少なくとも二つの導電層を形成する段階と、
部分透過マスクを利用したフォトリソグラフィ工程を利用して、前記少なくとも二つの導電層上に、第3の相対的に厚さの薄い領域、第3の相対的に厚さの厚い領域、および第3の開口部を有する第3のフォトレジストパターンを形成する段階であって、前記少なくとも二つの導電層の、前記共通電極に対応する部分上に前記第3の相対的に厚さの薄い領域が位置し、前記ゲートラインおよび前記共通ラインに対応する部分上に前記第3のフォトレジストパターンの相対的に厚さの厚い領域が位置し、前記共通電極に対応する部分、並びに前記ゲートラインおよび前記共通ラインに対応する部分以外の部分上に前記第2の開口部が位置するように前記第3のフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第3のフォトレジストパターンを利用したエッチング工程によって前記共通電極を含む前記第1マスクパターン群を形成する段階及び
前記第3のフォトレジストパターンの、前記第3の相対的に厚さの薄い領域を除去し、該第3の相対的に厚さの薄い領域が除去された第3のフォトレジストパターンを利用したエッチング工程を行うことにより、前記共通電極の透明導電層が残るように前記共通電極をエッチングする段階
を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記半導体層は、前記ソース・ドレイン金属パターンと前記画素電極とが重畳している部分以外の部分に重畳していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ソース・ドレイン金属パターンは、前記ソース電極と一体化されたドレイン電極を含むパターンであり、
前記第8の段階では、前記第2の相対的に厚さの薄い領域が除去された第2のフォトレジストパターンを利用したエッチングにより、前記ドレイン電極から前記ソース電極を分離して、前記活性層を露出させて前記チャンネルを規定することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第3マスク工程は前記ドレイン電極が前記共通電極の一部と重畳されるキャッパシターを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1マスク工程は、
前記ゲートライン及び共通ラインの内、少なくとも一つと接続されたパッド下部電極を形成する段階を更に含み、
前記第2マスク工程は、
前記第2の段階では、前記半導体層上の、前記パッド下部電極が形成された領域上に前記第1の開口部がさらに位置するように前記第1のフォトレジストパターンを形成し、
前記第3の段階において、前記第1のフォトレジストパターンを利用したエッチングを行うことにより、前記パッド下部電極を露出させる第2のコンタクトホールをさらに形成し、
前記第4の段階において、前記透明導電層の形成により、前記第2のコンタクトホール内に前記パッド下部電極と接続されたパッド上部電極をさらに形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1マスク工程は、
データリンクと、前記データリンクと接続されたパッド下部電極を前記基板上に形成する段階を更に含み、
前記第2マスク工程は、
前記第2の段階では、前記半導体層上の、前記パッド下部電極が形成された領域上および前記データリンクが形成された領域上のそれぞれに前記第1の開口部がさらに位置するように前記第1のフォトレジストパターンを形成し、
前記第3の段階において、前記第1のフォトレジストパターンを利用したエッチングを行うことにより、前記パッド下部電極を露出させる第3のコンタクトホール、および前記データリンクを露出させる第4のコンタクトホールを形成し、
前記第4の段階において、前記透明導電層の形成により、前記第4のコンタクトホール内に前記データリンクと前記データラインとを接続させるためのコンタクト電極をさらに形成し、かつ前記第3のコンタクトホール内において前記下部パッド電極と接続されたパッド上部電極を形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記パッド上部電極が形成された前記第3のコンタクトホールは前記データリンクに沿って延長され前記第4のコンタクトホールと一体化され、前記パッド上部電極は前記コンタクト電極と一体化されることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記透明導電層により形成される、前記パッド上部電極およびコンタクト電極の少なくとも一つは、対応するコンタクトホールを包むゲート絶縁膜のエッジ部と境界を成すことを特徴とする請求項9または10に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データラインと前記コンタクト電極とのコンタクト部は 前記第1基板を前記第2基板と合着する際、シーラントによって密封される領域内に位置することを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データパッドは前記コンタクトホールを包むゲート絶縁膜のエッジ部と境界を成すことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データラインは 前記第1基板を前記第2基板と合着する際、シーラントによって密封される領域内に位置することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第3マスク工程は、
前記第8の段階の後に、前記第2の相対的に厚さの薄い領域が除去された第2のフォトレジストパターンが形成された状態で前記チャンネルをプラズマで表面処理して表面層を酸化させる段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記半導体層及び前記ソース・ドレイン金属パターンは階段の形態を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2マスク工程は、
前記第4の段階において、前記透明導電層を前記第1のフォトレジストパターン上、前記画素ホール内、および前記コンタクトホール内に形成して、前記画素ホール及びコンタクトホール内にそれぞれ、前記画素電極および前記データパッドを形成し、
前記第4の段階が終了すると、前記透明導電層が形成された第1のフォトレジストパターンを除去する段階を含むことを特徴とする請求項8または9に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素ホール及びコンタクトホールのエッジ部が前記フォトレジストパターンの内側及び下側に位置されるように前記半導体層及びゲート絶縁膜が過エッチングされることを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1基板上の、前記データパッドが位置するパッド領域を除いた領域に保護膜を形成する第4マスク工程を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データパッドが位置するパッド領域に形成されないように、前記ソース・ドレイン金属パターンが形成された基板上に保護膜を印刷する段階を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ソース・ドレイン金属パターンが形成された全体基板上に保護膜を形成する段階と、前記保護膜の上に配向膜を形成する段階及び前記配向膜をマスクに利用したエッチング工程でパッド領域から前記保護膜を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1基板と前記第2基板の間に液晶層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- ゲートラインと前記ゲートラインと接続されたゲート電極と前記ゲートラインと並立した共通ライン及び前記共通ラインと接続された共通電極を含む第1マスクパターン群を基板上に形成する第1マスク工程と、
前記第1マスクパターン群上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、画素領域に前記半導体層を貫通する画素ホールを形成し、前記画素ホール内に画素電極を形成すると共に、前記半導体層及びゲート絶縁膜を貫通してコンタクトホールを形成し、該コンタクトホール内にデータパッドを形成する第2マスク工程及び
前記データパッドに接続され、前記ゲートラインと交差して前記画素領域を規定するデータラインと、前記データラインと接続されたソース電極及び前記画素電極と接続されたドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンを前記基板上に形成し、前記半導体パターンの活性層を露出させ、前記ソース電極とドレイン電極間のチャンネルを規定する第3マスク工程とを含み、
前記第2マスク工程は、
前記第1マスクパターン群が形成された基板上に、前記ゲート絶縁膜および前記半導体層を順次に形成する段階と、
前記半導体層の上に、第1の相対的に厚さの薄い領域、第1の相対的に厚さの厚い領域および第1の開口部を有する第1のフォトレジストパターンを形成する段階であって、前記半導体層の、前記画素ホールが形成される領域上に前記第1の相対的に厚さの薄い領域が位置し、前記コンタクトホールが形成される領域上に前記第1の開口部が位置し、前記半導体層の、前記第1の相対的に厚さの薄い領域および前記第1の開口部が位置しない領域上に前記第1の相対的に厚さの厚い領域が位置するように前記第1のフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第1のフォトレジストパターンをマスクに利用してエッチングを行うことにより、前記第1の相対的に厚さの薄い領域および該第1の相対的に厚さの薄い領域の下の半導体層を除去し、前記第1の開口部内に位置する半導体層および該半導体層の下のゲート絶縁膜を除去して、前記画素ホール及びコンタクトホールを形成する段階と、
前記第1のフォトレジストパターン上、前記画素ホール内、および前記コンタクトホール内に透明導電膜を形成して前記画素ホール及びコンタクトホール内のそれぞれに、前記画素電極および前記データパッドを形成する段階と、
前記透明導電膜が形成された第1のフォトレジストパターンを除去する段階とを有し、
前記第3マスク工程は、
前記基板上の全面に金属層を形成することにより、該基板上の、ソース電極およびドレイン電極が形成される第1の領域、およびデータラインが形成される第2の領域にそれぞれ金属層を形成する段階と、
前記金属層上に、第2の相対的に厚さの薄い領域、第2の相対的に厚さの厚い領域、および第2の開口部を有する第2のフォトレジストパターンを形成する段階であって、前記第1の領域の、前記チャンネルが形成される領域上に前記第2の相対的に厚さの薄い領域が位置し、前記第1の領域の、前記チャンネルが形成されない領域上および前記第2の領域上に前記第2の相対的に厚さの厚い領域が位置し、前記金属層上の、前記第2の相対的に厚さの薄い領域および前記第2の相対的に厚さの厚い領域が位置しない領域上に前記第2の開口部が位置するように前記第2のフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第2のフォトレジストパターンを利用したエッチングを行うことにより、前記第2の開口部内に位置する金属層および半導体層を除去し、前記データライン、前記ソース電極および前記ドレイン電極をパターンニングして、前記データラインと、前記ソース・ドレイン金属パターンとを形成する段階と、
前記第2のフォトレジストパターンの、前記第2の相対的に厚さの薄い領域を除去し、該第2の相対的に厚さの薄い領域が除去された第2のフォトレジストパターンを利用したエッチングを行うことにより、前記ソース・ドレイン金属パターンの、前記チャンネル層が形成される領域に位置する金属層を除去して前記半導体パターンの活性層を露出させ、前記チャンネルを形成する段階とを有し、
前記第3マスク工程の後に行う工程であって、
前記基板上に保護膜を形成する工程と、
シーラントによってカラーフィルター基板を前記保護膜が形成された基板と合着する工程及び
前記カラーフィルター基板をマスクに利用したエッチング工程によって前記データパッドが位置するパッド領域から前記保護膜を除去する工程
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040118597A KR101107265B1 (ko) | 2004-12-31 | 2004-12-31 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006189768A JP2006189768A (ja) | 2006-07-20 |
JP4392390B2 true JP4392390B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=36639951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005190897A Active JP4392390B2 (ja) | 2004-12-31 | 2005-06-30 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7679699B2 (ja) |
JP (1) | JP4392390B2 (ja) |
KR (1) | KR101107265B1 (ja) |
CN (1) | CN100394293C (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101085142B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101125254B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
US8092102B2 (en) * | 2006-05-31 | 2012-01-10 | Flextronics Ap Llc | Camera module with premolded lens housing and method of manufacture |
TWI373680B (en) * | 2008-10-06 | 2012-10-01 | Au Optronics Corp | Fabricating method of pixel structure |
KR101100853B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2012-01-02 | 도재훈 | 단일시트형 정전용량 터치패널 및 그 제조방법 |
CN101976655B (zh) * | 2010-08-17 | 2012-09-05 | 华映视讯(吴江)有限公司 | 液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法 |
CN102486587A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-06 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示器的像素结构及形成方法 |
CN102629570A (zh) * | 2011-05-18 | 2012-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Ffs型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制造方法 |
CN103293796B (zh) * | 2012-03-19 | 2015-09-23 | 上海中航光电子有限公司 | 平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其修复方法 |
US8842252B2 (en) | 2012-07-02 | 2014-09-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate, LCD device, and method for manufacturing array substrate |
CN102749776A (zh) * | 2012-07-02 | 2012-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法 |
CN102769040B (zh) | 2012-07-25 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN103311312A (zh) | 2013-06-07 | 2013-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜场效应晶体管及其驱动方法、阵列基板、显示装置 |
CN103346160B (zh) * | 2013-07-10 | 2016-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN104617115A (zh) * | 2015-03-02 | 2015-05-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Ffs型薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 |
WO2019064592A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
CN115188768A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-10-14 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4542960A (en) | 1982-06-30 | 1985-09-24 | International Business Machines Corporation | Fringe-field switched storage-effect liquid crystal display devices |
JPS62280789A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-05 | 株式会社東芝 | アクテイブマトリツクス型表示装置用表示電極アレイの製造方法 |
JPH06101479B2 (ja) * | 1987-10-08 | 1994-12-12 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2877363B2 (ja) * | 1989-07-27 | 1999-03-31 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US5162933A (en) | 1990-05-16 | 1992-11-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium |
KR940004322B1 (ko) | 1991-09-05 | 1994-05-19 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US5317433A (en) | 1991-12-02 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side |
DE4339721C1 (de) | 1993-11-22 | 1995-02-02 | Lueder Ernst | Verfahren zur Herstellung einer Matrix aus Dünnschichttransistoren |
TW321731B (ja) | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
JP3866783B2 (ja) | 1995-07-25 | 2007-01-10 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
KR0156202B1 (ko) | 1995-08-22 | 1998-11-16 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP3474975B2 (ja) | 1995-09-06 | 2003-12-08 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH09113931A (ja) | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JPH09185083A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Toshiba Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US5959708A (en) | 1996-06-21 | 1999-09-28 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display having a conductive high molecular film for preventing the fringe field in the in-plane switching mode |
US6343987B2 (en) * | 1996-11-07 | 2002-02-05 | Kabushiki Kaisha Sega Enterprises | Image processing device, image processing method and recording medium |
KR100244710B1 (ko) | 1997-04-18 | 2000-02-15 | 김영환 | 액정 표시 장치 |
JP3966614B2 (ja) | 1997-05-29 | 2007-08-29 | 三星電子株式会社 | 広視野角液晶表示装置 |
KR100286762B1 (ko) | 1997-06-27 | 2001-04-16 | 박종섭 | 액정 표시 소자 |
TW387997B (en) | 1997-12-29 | 2000-04-21 | Hyundai Electronics Ind | Liquid crystal display and fabrication method |
KR100293811B1 (ko) | 1998-05-29 | 2001-10-26 | 박종섭 | 아이피에스모드의액정표시장치 |
KR100306798B1 (ko) | 1998-05-29 | 2001-11-30 | 박종섭 | 컬러쉬프트를방지한고개구율및고투과율액정표시장치 |
KR100336886B1 (ko) | 1998-08-24 | 2003-06-09 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율및고투과율을갖는반사형액정표시장치및그제조방법 |
KR100299381B1 (ko) | 1998-08-24 | 2002-06-20 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율을 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100325072B1 (ko) | 1998-10-28 | 2002-08-24 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율및고투과율액정표시장치의제조방법 |
KR20000027776A (ko) | 1998-10-29 | 2000-05-15 | 김영환 | 액정 표시 장치의 제조방법 |
KR20000027768A (ko) | 1998-10-29 | 2000-05-15 | 김영환 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 |
KR20000039794A (ko) | 1998-12-16 | 2000-07-05 | 김영환 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
KR100311210B1 (ko) | 1998-12-29 | 2002-09-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 액정 표시 장치 |
KR100336900B1 (ko) | 1998-12-30 | 2003-06-12 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율및고투과율액정표시장치 |
US6287899B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
KR100580394B1 (ko) * | 1999-01-15 | 2006-05-15 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR100356832B1 (ko) | 1999-04-23 | 2002-10-18 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 제조방법 |
US6449026B1 (en) | 1999-06-25 | 2002-09-10 | Hyundai Display Technology Inc. | Fringe field switching liquid crystal display and method for manufacturing the same |
KR100311211B1 (ko) | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 반사형 액정 표시 장치 |
KR100311214B1 (ko) | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 |
KR100494682B1 (ko) | 1999-06-30 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100507271B1 (ko) | 1999-06-30 | 2005-08-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치 및 그 제조방법 |
CN1195243C (zh) * | 1999-09-30 | 2005-03-30 | 三星电子株式会社 | 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法 |
KR100493867B1 (ko) * | 1999-12-09 | 2005-06-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이기판 및 액정표시장치 |
KR100325079B1 (ko) | 1999-12-22 | 2002-03-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
KR100322968B1 (ko) | 1999-12-22 | 2002-02-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법 |
KR100322967B1 (ko) | 1999-12-22 | 2002-02-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치 |
KR100322970B1 (ko) | 1999-12-24 | 2002-02-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법 |
JP3687452B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2005-08-24 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
KR100500684B1 (ko) | 1999-12-29 | 2005-07-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 4-마스크 공정을 이용한 액정 디스플레이의 제조 방법 |
JP2001339072A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-12-07 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
EP1143406A3 (en) | 2000-03-28 | 2003-01-22 | Varintelligent (Bvi) Limited | A driving scheme for liquid crystal displays |
JP2001324725A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
KR100520381B1 (ko) | 2000-05-31 | 2005-10-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동 액정표시장치 |
KR100671509B1 (ko) | 2000-06-01 | 2007-01-19 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동 액정표시장치 |
JP3719939B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2005-11-24 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置 |
KR20020002134A (ko) | 2000-06-29 | 2002-01-09 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치 |
KR20020002052A (ko) * | 2000-06-29 | 2002-01-09 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치의 제조방법 |
KR100482468B1 (ko) | 2000-10-10 | 2005-04-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치 |
KR100713882B1 (ko) | 2000-12-01 | 2007-05-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Ffs 모드 박막트랜지스터 액정표시장치 |
KR100448046B1 (ko) | 2000-12-05 | 2004-09-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치 |
US6642983B2 (en) | 2001-01-05 | 2003-11-04 | Industrial Technology Research Institute | Multi-domain liquid crystal display having concave virtual bump structures |
KR20020085244A (ko) | 2001-05-07 | 2002-11-16 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정표시장치 |
KR100471397B1 (ko) | 2001-05-31 | 2005-02-21 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법 |
CN1170196C (zh) | 2001-06-04 | 2004-10-06 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器的制作方法 |
US6882395B2 (en) | 2001-10-19 | 2005-04-19 | Industrial Technology Research Institute | Wide viewing angle fringe field multi-domain aligned LCD with electrically conductive grids and method for fabricating |
KR100494702B1 (ko) | 2001-12-26 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 |
US6650385B1 (en) | 2002-04-24 | 2003-11-18 | Prime View International Co., Ltd. | Scattering fringe field optical-compensated reflective and transflective liquid crystal display |
KR100538327B1 (ko) * | 2003-04-03 | 2005-12-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그제조 방법 |
JP2004302466A (ja) | 2003-03-29 | 2004-10-28 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 水平電界印加型液晶表示装置及びその製造方法 |
KR100470208B1 (ko) * | 2003-04-03 | 2005-02-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN1304896C (zh) * | 2003-04-29 | 2007-03-14 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法 |
KR100598737B1 (ko) | 2003-05-06 | 2006-07-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
TWI222546B (en) * | 2003-05-28 | 2004-10-21 | Au Optronics Corp | TFT LCD and manufacturing method thereof |
TWI226484B (en) | 2003-08-06 | 2005-01-11 | Display Optronics Corp M | Pixel for a fringe field switching reflective and transflective liquid crystal display |
KR100617612B1 (ko) | 2003-08-26 | 2006-09-01 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 에프에프에스 모드 액정표시장치 |
KR100653474B1 (ko) | 2003-09-26 | 2006-12-04 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 |
-
2004
- 2004-12-31 KR KR1020040118597A patent/KR101107265B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-06-29 US US11/168,554 patent/US7679699B2/en active Active
- 2005-06-29 CN CNB200510081473XA patent/CN100394293C/zh active Active
- 2005-06-30 JP JP2005190897A patent/JP4392390B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100394293C (zh) | 2008-06-11 |
CN1797151A (zh) | 2006-07-05 |
US7679699B2 (en) | 2010-03-16 |
KR101107265B1 (ko) | 2012-01-19 |
US20060146213A1 (en) | 2006-07-06 |
JP2006189768A (ja) | 2006-07-20 |
KR20090104146A (ko) | 2009-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4392390B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP4499628B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
KR101125254B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 | |
JP4612539B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4537946B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4619997B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP4433480B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP5450476B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
KR101107245B1 (ko) | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20060079040A (ko) | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 | |
KR20060078582A (ko) | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 | |
JP4537929B2 (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 | |
KR101085142B1 (ko) | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
JP4397859B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
US7705947B2 (en) | Method of fabricating an LCD with second mask process for making common electrode at a portion consist of one conductive layer, and with pixel electrode having a single layer structure | |
KR101127822B1 (ko) | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090427 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090914 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091009 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4392390 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |