JP3474975B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置およびその
製造方法に係り、特に、いわゆる横電界方式と称される
液晶表示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、いわゆる横電界方式と称される液
晶表示装置が知られるようになってきた。これに対して
従前の液晶表示装置は対比的に縦電界方式と称されるも
のである。

【０００３】すなわち、縦電界方式と称されるものは、
液晶層を介して互いに対向配置される透明基板のそれぞ
れに電極を備え、これら各電極によって透明基板と垂直
方向に電界を発生させることによって該液晶層の光透過
率を変化させる構成となっている。

【０００４】これに対して、横電界方式と称されるもの
は、液晶層を介して互いに対向配置される透明基板のう
ち一方または両方の透明基板に一対の電極（画素電極お
よび対向電極）を備え、これら各電極によって透明基板
と平行な方向に電界を発生させることによって該液晶層
の光透過率を変化させる構成となっている。

【０００５】横電界方式の液晶表示装置は、その表示面
に対して大きな角度方向から該表示面を観察しても鮮明
な画像が得られ、いわゆる広視野角で画像認識できると
いう効果を備えるものである。

【０００６】なお、このような液晶表示装置は、たとえ
ば特許出願公表平５−５０５２４７公報あるいは特開平
６−１６０８７８号公報等の文献に詳述されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような構成からな
る液晶表示装置において、通常、その画素電極と対向電
極はそれぞれ比較的抵抗値の小さな金属層によって形成
されているとともに、各画素に相当する領域にそれぞれ
複数備えられ、かつそれらを交互に配置させて構成され
たものであった。

【０００８】しかし、このような構成において、各画素
あたりのいわゆる開口率（光を透過する開口領域の割
合）が小さくなってしまいその改善策が要望されるに至
った。

【０００９】表示画面を明るくするため、消費電力の大
きな明るいバックライトを必要とするからである。

【００１０】また、金属層からなる電極は、表示面側か
らの観察の際において光反射を惹起せしめる要因とな
り、これにより、該表示面に観察者側の光景等が写って
しまうという弊害が認められるに至った。

【００１１】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、開口率の向上を図った液
晶表示装置およびその製造方法を提供するにある。

【００１２】また、本発明の他の目的は、表示面におけ
る光反射の減少を図った液晶表示装置およびその製造方
法を提供するにある。

【００１３】また、本発明の他の目的は、コントラスト
の良好な表示を図った液晶表示装置およびその製造方法
を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１５】すなわち、液晶層を介して互いに対向して
配置される透明基板のうち、その一方のまたは両方の透
明基板の液晶層側の面に画素電極と対向電極とが備えら
れ、これら画素電極と対向電極との間の電圧印加によっ
て透明基板と平行に電界を発生させる液晶表示装置にお
いて、前記画素電極と対向電極との間の電圧無印加によ
って一方の透明基板から前記液晶を介して他方の透明基
板への光透過を遮蔽する液晶の配向状態および偏光板の
偏光状態が設定されているとともに、前記画素電極と対
向電極とのうち少なくともいずれかが透明導電膜で構成
されていることを特徴とするものである。

【００１６】

【作用】このように構成された液晶表示装置は、画素電
極と対向電極とのうち少なくともいずれかが透明導電膜
で構成されていることから、従来全く光を透過させない
金属層で構成されたものと比べて各画素当たりの開口率
を向上させることができるようになる。

【００１７】また、透明導電膜は金属層と比較して光の
反射率は極めて小さいことから、表示面に観察者側の光
景等が写ってしまうというようなことはなくなる。

【００１８】さらに、このように構成された液晶表示装
置は、画素電極と対向電極との間の電圧無印加によって
一方の透明基板から前記液晶を介して他方の透明基板へ
の光透過を遮蔽する液晶の配向状態および偏光板の偏光
状態が設定されたいわゆるノーマリブラックモードとな
っているものである。このことは、上記電極を透明導電
膜で構成しても、その部分において光を透過することが
なくなるので極めて良質の黒表示を達成できコントラス
トの向上を図ることができるようになる。

【００１９】仮に、電圧印加時に黒を表示しなければな
らないノーマリホワイトモードにした場合、その電圧印
加時には上記電極部分において光を完全に遮断できなく
なるので、その部分の透過光が黒表示の透過率を押し上
げる結果、良質な黒を表示できなくなってしまう。

【００２０】

【実施例】本発明、本発明の更に他の目的及び本発明の
更に他の特徴は図面を参照した以下の説明から明らかと
なるであろう。

【００２１】（実施例１） 《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》以下、アクテ
ィブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装置に本発明を
適用した実施例を説明する。なお、以下説明する図面
で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２２】《マトリクス部（画素部）の平面構成》図
１は本発明のアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表
示装置の一画素とその周辺を示す平面図、である。（図
の斜線部分は透明導電膜ｇ２を示す。） 図１に示すように、各画素は走査信号線（ゲート信号線
または水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号線（対向電極
配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信
号線または垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信
号線で囲まれた領域内）に配置されている。各画素は薄
膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃstg、画素電極ＰＸ
および対向電極ＣＴを含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧
信号線ＣＬは図では左右方向に延在し、上下方向に複数
本配置されている。映像信号線ＤＬは上下方向に延在
し、左右方向に複数本配置されている。画素電極ＰＸは
ソース電極ＳＤ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴと接
続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体にな
っている。

【００２３】映像信号線ＤＬに沿って上下に隣接する２
画素では、図１Ａ線で折曲げたとき、平面構成が重なり
合う構成となっている。これは、対向電圧信号線ＣＬを
映像信号線ＤＬに沿って上下に隣接する２画素で共通化
し、対向電圧信号線ＣＬの電極幅を拡大することによ
り、対向電圧信号線ＣＬの抵抗を低減するためである。
これにより、外部回路から左右方向の各画素の対向電極
ＣＴへ対向電圧を十分に供給することが容易になる。

【００２４】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向
し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により
液晶ＬＣの光学的な状態を制御し、表示を制御する。画
素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成され、それぞ
れ、図の上下方向に長細い電極となっている。

【００２５】１画素内の対向電極ＣＴの本数Ｏ（櫛歯の
本数）は、画素電極ＰＸの本数（櫛歯の本数）ＰとＯ＝
Ｐ＋１の関係を必ず持つように構成する（本実施例で
は、Ｏ＝３、Ｐ＝２）。これは、対向電極ＣＴと画素電
極ＰＸを交互に配置し、かつ、対向電極ＣＴを映像信号
線ＤＬに必ず隣接させるためである。これにより、対向
電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の電界が、映像信号線ＤＬ
から発生する電界から影響を受けないように、対向電極
ＣＴで映像信号線ＤＬからの電気力線をシールドするこ
とができる。対向電極ＣＴは、後述の対向電圧信号線Ｃ
Ｌにより常に外部から電位を供給されているため、電位
は安定している。そのため、映像信号線ＤＬに隣接して
も、電位の変動がほとんどない。また、これにより、画
素電極ＰＸの映像信号線ＤＬからの幾何学的な位置が遠
くなるので、画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬの間の寄生
容量が大幅に減少し、画素電極電位Ｖsの映像信号電圧
による変動も抑制できる。これらにより、上下方向に発
生するクロストーク（縦スミアと呼ばれる画質不良）を
抑制することができる。

【００２６】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの電極幅はそ
れぞれ６μｍとする。これは、液晶層の厚み方向に対し
て、液晶層全体に十分な電界を印加するために、後述の
液晶層の厚み３.９μｍよりも十分大きく設定し、かつ
開口率を大きくするためにできるだけ細くする。また、
映像信号線ＤＬの電極幅は断線を防止するために、画素
電極ＰＸと対向電極ＣＴに比較して若干広く８μｍとす
る。ここで、映像信号線ＤＬの電極幅が、隣接する対向
電極ＣＴの電極幅の２倍以下になるように設定する。ま
たは、映像信号線ＤＬの電極幅が歩留りの生産性から決
まっている場合には、映像信号線ＤＬに隣接する対向電
極ＣＴの電極幅を映像信号線ＤＬの電極幅の１／２以上
にする。これは、映像信号線ＤＬから発生する電気力線
をそれぞれ両脇の対向電極ＣＴで吸収するためであり、
ある電極幅から発生する電気力線を吸収するには、それ
と同一幅以上の電極幅を持つ電極が必要である。したが
って、映像信号線ＤＬの電極の半分（４μｍずつ）から
発生する電気力線をそれぞれ両脇の対向電極ＣＴが吸収
すればよいため、映像信号線ＤＬに隣接する対向電極Ｃ
Ｔの電極幅が１／２以上とする。これにより、映像信号
の影響により発生するクロストークを、特に上下方向に
発生するクロストーク（縦方向のクロストーク）を防止
する。

【００２７】走査信号線ＧＬは末端側の画素（後述の走
査電極端子ＧＴＭの反対側）のゲート電極ＧＴに十分に
走査電圧が印加するだけの抵抗値を満足するように電極
幅を設定する。また、対向電圧信号線ＣＬも末端側の画
素（後述の共通バスラインＣＢの反対側）の対向電極Ｃ
Ｔに十分に対向電圧が印加できるだけの抵抗値を満足す
るように電極幅を設定する。

【００２８】一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の
電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、
液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異な
るため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映
像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される
信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるよ
うにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間
隔は、１６μｍとなる。

【００２９】《マトリクス部（画素部）の断面構成》図
２は図１の３−３切断線における断面を示す図、図３は
図１の４−４切断線における薄膜トランジスタＴＦＴの
断面図、図４は図１の５−５切断線における蓄積容量Ｃ
stgの断面を示す図である。図２〜図４に示すように、
液晶層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側
には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃstgおよび電
極群が形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカ
ラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスパター
ンＢＭが形成されている。

【００３０】また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２
のそれぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初
期配向を制御する配向膜ＯＲＩ、ＯＲＩ２が設けられて
おり、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの
外側の表面には、偏光軸が直交して配置された（クロス
ニコル配置）偏光板が設けられている。

【００３１】《ＴＦＴ基板》まず、下側透明ガラス基板
ＳＵＢ１側（ＴＦＴ基板）の構成を詳しく説明する。

【００３２】《薄膜トランジスタＴＦＴ》薄膜トランジ
スタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴに正のバイアスを印加す
ると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくな
り、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きくなる
ように動作する。

【００３３】薄膜トランジスタＴＦＴは、図３に示すよ
うに、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真
性、intrinsic、導電型決定不純物がドープされていな
い）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層Ａ
Ｓ、一対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有
す。なお、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極
性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路では
その極性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動
作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明で
は、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表
現する。

【００３４】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線ＧＬ
の一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されて
いる。ゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの能動
領域を超える部分であり、ｉ型半導体層ＡＳを完全に覆
うよう（下方からみて）それより大き目に形成されてい
る。これにより、ゲート電極ＧＴの役割のほかに、ｉ型
半導体層ＡＳに外光やバックライト光が当たらないよう
に工夫されている。本例では、ゲート電極ＧＴは、単層
の導電膜ｇ１で形成されている。導電膜ｇ１としては例
えばスパッタで形成されたアルミニウム（Ａｌ）膜が用
いられ、その上にはＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられ
ている。

【００３５】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは導電
膜ｇ１で構成されている。この走査信号線ＧＬの導電膜
ｇ１はゲート電極ＧＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形
成され、かつ一体に構成されている。この走査信号線Ｇ
Ｌにより、外部回路からゲート電圧Ｖgをゲート電極Ｇ
Ｔに供給する。また、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極
酸化膜ＡＯＦが設けられている。なお、映像信号線ＤＬ
と交差する部分は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さ
くするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミ
ングで切り離すことができるように二股にしている。

【００３６】《対向電極ＣＴ》対向電極ＣＴはゲート電
極ＧＴおよび走査信号線ＧＬと同層の導電膜ｇ１で構成
されている。また、対向電極ＣＴ上にもＡｌの陽極酸化
膜ＡＯＦが設けられている。対向電極ＣＴには対向電圧
Ｖcomが印加されるように構成されている。本実施例で
は、対向電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加される最小
レベルの駆動電圧Ｖｄminと最大レベルの駆動電圧Ｖｄm
axとの中間直流電位から、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴ
をオフ状態にするときに発生するフィードスルー電圧Δ
Ｖs分だけ低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路
で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい
場合は、交流電圧を印加すれば良い。

【００３７】《対向電圧信号線ＣＬ》対向電圧信号線Ｃ
Ｌは導電膜ｇ１で構成されている。この対向電圧信号線
ＣＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬお
よび対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成さ
れ、かつ対向電極ＣＴと一体に構成されている。この対
向電圧信号線ＣＬにより、外部回路から対向電圧Ｖcom
を対向電極ＣＴに供給する。また、対向電圧信号線ＣＬ
上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。な
お、映像信号線ＤＬと交差する部分は、走査信号線ＧＬ
と同様に映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするた
め細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切
り離すことができるように二股にしている。

【００３８】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴにおいて、ゲート電極ＧＴと共に半導体層
ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用され
る。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走査信号線ＧＬ
の上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとしては例えばプ
ラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜が選ばれ、１
２００〜２７００Åの厚さに（本実施例では、２４００
Å程度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩは、マトリクス
部ＡＲの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続
端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露出するよう除去されている。絶
縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと
映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。

【００３９】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、非晶質シリコンで、２００〜２２００Åの厚さに
（本実施例では、２０００Å程度の膜厚）で形成され
る。層ｄ０はオーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をド
ープしたＮ(＋)型非晶質シリコン半導体層であり、下側
にｉ型半導体層ＡＳが存在し、上側に導電層ｄ１（ｄ
２）が存在するところのみに残されている。

【００４０】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの交差部（クロ
スオーバ部）の両者間にも設けられている。この交差部
のｉ型半導体層ＡＳは交差部における走査信号線ＧＬお
よび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの短絡を低
減する。

【００４１】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０に接触する導電膜ｄ１とその
上に形成された導電膜ｄ２とから構成されている。

【００４２】導電膜ｄ１はスパッタで形成したクロム
（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの厚さに（本実
施例では、６００Å程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜厚
を厚く形成するとストレスが大きくなるので、２０００
Å程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
(＋)型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、導電膜ｄ２
のＡｌがＮ(＋)型半導体層ｄ０に拡散することを防止す
る（いわゆるバリア層の）目的で使用される。導電膜ｄ
１として、Ｃｒ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ₂、Ｔｉ
Ｓｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂）膜を用いてもよい。

【００４３】導電膜ｄ２はＡｌのスパッタリングで３０
００〜５０００Åの厚さに（本実施例では、４０００Å
程度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレスが
小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極
ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵
抗値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層ＡＳ
に起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバー
レッジを良くする）働きがある。

【００４４】導電膜ｄ１、導電膜ｄ２を同じマスクパタ
ーンでパターニングした後、同じマスクを用いて、ある
いは導電膜ｄ１、導電膜ｄ２をマスクとして、Ｎ(＋)型
半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ型半導体層ＡＳ
上に残っていたＮ(＋)型半導体層ｄ０は導電膜ｄ１、導
電膜ｄ２以外の部分がセルフアラインで除去される。こ
のとき、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０はその厚さ分は全て除去
されるようエッチングされるので、ｉ型半導体層ＡＳも
若干その表面部分がエッチングされるが、その程度はエ
ッチング時間で制御すればよい。

【００４５】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の導電膜ｄ
１、導電膜ｄ２で構成されている。また、映像信号線Ｄ
Ｌはドレイン電極ＳＤ２と一体に形成されている。

【００４６】《画素電極ＰＸ》画素電極ＰＸは、本実施
例では特に透明導電層ｇ２で形成されている。この透明
導電膜ｇ２はスパッタリングで形成された透明導電膜
（Indium-Tin-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０
００〜２０００Åの厚さに（本実施例では、１４００Å
程度の膜厚）形成される。

【００４７】このように、画素電極ＰＸを透明導電層ｇ
２によって構成することにより、その部分の透過光によ
る白表示を行う際の最大透過率を向上させることがで
き、たとえば画素電極ＰＸを不透明な材料層で形成する
場合と比較して、より明るい表示を行うことができるよ
うになる。

【００４８】また、透明導電層は金属層と比較して光の
反射率は極めて小さいことから、表示面に観察者側の光
景等が写ってしまうというようなことはなくなる。

【００４９】さらに、後述するように、画素電極ＰＸと
対向電極ＣＴとの間の電圧無印加時には、液晶分子は初
期の配向状態を保ち、その状態で黒表示をするように偏
光板の配置を構成するようにしている（ノーマリブラッ
クモード）ので、該画素電極ＰＸを透明導電層ｇ２で構
成しても、その部分の光を全く透過することがなく、し
たがって、良質な黒を表示することができるようにな
る。

【００５０】このことにより、最大透過率を向上させる
ことができるとともに、充分なコントラスト比の向上を
達成させることができる。

【００５１】《蓄積容量Ｃstg》画素電極ＰＸは、薄膜
トランジスタＴＦＴと接続される端部と反対側の端部に
おいて、対向電圧信号線ＣＬと重なるように形成されて
いる。この重ね合わせは、図４からも明らかなように、
画素電極ＰＸを一方の電極ＰＬ２とし、対向電圧信号Ｃ
Ｌを他方の電極ＰＬ１とする蓄積容量（静電容量素子）
Ｃstgを構成する。この蓄積容量Ｃstgの誘電体膜は、薄
膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される
絶縁膜ＧＩおよび陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。

【００５２】図１に示すように平面的には蓄積容量Ｃst
gは対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１の幅を広げた部分
に形成されている。

【００５３】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ上には保護膜ＰＳＶ１が設けられている。保護膜ＰＳ
Ｖ１は主に薄膜トランジスタＴＦＴを湿気等から保護す
るために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の
良いものを使用する。保護膜ＰＳＶ１はたとえばプラズ
マＣＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン
膜で形成されており、１μｍ程度の膜厚で形成する。

【００５４】保護膜ＰＳＶ１は、マトリクス部ＡＲの全
体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴ
Ｍ，ＧＴＭを露出するよう除去されている。保護膜ＰＳ
Ｖ１とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は
保護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コ
ンダクタンスｇｍが考慮されて薄くされる。従って、保
護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺部もできるだけ広い
範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜ＧＩよりも大き
く形成されている。

【００５５】《カラーフィルタ基板》次に、図１、図２
に戻り、上側透明ガラス基板ＳＵＢ２側（カラーフィル
タ基板）の構成を詳しく説明する。

【００５６】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、不要な間隙部（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
の間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、
コントラスト比等を低下させないように遮光膜ＢＭ（い
わゆるブラックマトリクス）を形成している。遮光膜Ｂ
Ｍは、外部光またはバックライト光がｉ型半導体層ＡＳ
に入射しないようにする役割も果たしている。すなわ
ち、薄膜トランジスタＴＦＴのｉ型半導体層ＡＳは上下
にある遮光膜ＢＭおよび大き目のゲート電極ＧＴによっ
てサンドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光
が当たらなくなる。

【００５７】遮光膜ＢＭは光に対する遮蔽性を有し、か
つ、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電界に影響を与
えないように絶縁性の高い膜で形成されており、本実施
例では黒色の顔料をレジスト材に混入し、１.２μm程度
の厚さで形成している。

【００５８】遮光膜ＢＭは各画素の周囲に格子状に形成
され、この格子で１画素の有効表示領域が仕切られてい
る。従って、各画素の輪郭が遮光膜ＢＭによってはっき
りとする。つまり、遮光膜ＢＭはブラックマトリクスと
ｉ型半導体層ＡＳに対する遮光との２つの機能をもつ。

【００５９】遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成さ
れ、そのパターンはドット状に複数の開口を設けた図１
に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されてい
る。周辺部の遮光膜ＢＭは、シール部ＳＬの外側に延長
され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ光
がマトリクス部に入り込むのを防いでいる。他方、この
遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．０
ｍｍ程内側に留められ、基板ＳＵＢ２の切断領域を避け
て形成されている。

【００６０】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは遮
光膜ＢＭのエッジ部分と重なるように形成されている。

【００６１】カラーフィルタＦＩＬは次のように形成す
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリ
ソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材
を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固着
処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同様
な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フィ
ルタＢを順次形成する。

【００６２】《オーバーコート膜ＯＣ》オーバーコート
膜ＯＣはカラーフィルタＦＩＬの染料の液晶ＬＣへの漏
洩の防止、および、カラーフィルタＦＩＬ、遮光膜ＢＭ
による段差の平坦化のために設けられている。オーバー
コート膜ＯＣはたとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等
の透明樹脂材料で形成されている。

【００６３】《液晶層および偏向板》次に、液晶層、配
向膜、偏光板等について説明する。

【００６４】《液晶層》液晶材料ＬＣとしては、誘電率
異方性Δεが正でその値が１３．２、屈折率異方性Δｎ
が０．０８１（５８９ｎｍ、２０℃）のネマティック液
晶を用いる。液晶層の厚み（ギャップ）は、３．９μｍ
とし、リタデーションΔｎ・ｄは０．３１６とする。こ
のリタデーションΔｎ・ｄの値により、後述の配向膜と
偏光板と組み合わせ、液晶分子がラビング方向から電界
方向に４５°回転したとき最大透過率を得ることがで
き、可視光の範囲内で波長依存性がほとんどない透過光
を得ることができる。

【００６５】なお、液晶層の厚み（ギャップ）は、ポリ
マビーズで制御している。

【００６６】また、液晶材料ＬＣは、特に限定したもの
ではなく、誘電率異方性Δεは負でもよい。また、誘電
率異方性Δεは、その値が大きいほうが、駆動電圧が低
減できる。また、屈折率異方性Δｎは小さいほうが、液
晶層の厚み（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入時間が
短縮され、かつギャップばらつきを少なくすることがで
きる。

【００６７】《配向膜》配向膜ＯＲＩとしては、ポリイ
ミドを用いる。ラビング方向ＲＤＲは上下基板で互いに
平行にし、かつ印加電界方向ＥＤＲとのなす角度は７５
°とする。図２０にその関係を示す。

【００６８】なお、ラビング方向ＲＤＲと印加電界方向
ＥＤＲとのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性Δεが
正であれば、４５℃以上９０℃未満、誘電率異方性Δε
が負であれば、０°を超え４５°以下でなければならな
い。

【００６９】《偏光板》偏光板ＰＯＬとしては、日東電
工社製Ｇ１２２０ＤＵを用い、下側の偏光板ＰＯＬ１の
偏光透過軸ＭＡＸ１をラビング方向ＲＤＲと一致させ、
上側の偏向板ＰＯＬ２の偏光透過軸ＭＡＸ２を、それに
直交させる。図１９にその関係を示す。これにより、本
発明の画素に印加される電圧（画素電極ＰＸと対向電極
ＣＴの間の電圧）を増加させるに伴い、透過率が上昇す
るノーマリクローズ特性を得ることができ、また、電圧
無印加時には、良質な黒表示ができる。

【００７０】《マトリクス周辺の構成》図５は上下のガ
ラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬの
マトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を示す図である。ま
た、図６は、左側に走査回路が接続されるべき外部接続
端子ＧＴＭ付近の断面を、右側に外部接続端子が無いと
ころのシール部付近の断面を示す図である。

【００７１】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。図５、図６は後者の例を示すも
ので、図５、図６の両図とも上下基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ
２の切断後を表しており、ＬＮは両基板の切断前の縁を
示す。いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔ
ｇ，Ｔｄおよび端子ＣＯＴ（添字略）が存在する（図で
上辺と左辺の）部分はそれらを露出するように上側基板
ＳＵＢ２の大きさが下側基板ＳＵＢ１よりも内側に制限
されている。端子群Ｔｇ，Ｔｄはそれぞれ後述する走査
回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回路接続用端子ＤＴＭ
とそれらの引出配線部を集積回路チップＣＨＩが搭載さ
れたテープキャリアパッケージＴＣＰ（図１６、図１
７）の単位に複数本まとめて名付けたものである。各群
のマトリクス部から外部接続端子部に至るまでの引出配
線は、両端に近づくにつれ傾斜している。これは、パッ
ケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パッケージＴＣＰにお
ける接続端子ピッチに表示パネルＰＮＬの端子ＤＴＭ，
ＧＴＭを合わせるためである。また、対向電極端子ＣＯ
Ｔは、対向電極ＣＴに対向電圧を外部回路から与えるた
めの端子である。マトリクス部の対向電圧信号線ＣＬ
は、走査回路用端子ＧＴＭの反対側（図では右側）に引
き出し、各対向電圧信号線を共通バスラインＣＢで一纏
めにして、対向電極端子ＣＯＴに接続している。

【００７２】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂から成る。

【００７３】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２の層は、シール
パターンＳＬの内側に形成される。偏光板ＰＯＬ１、Ｐ
ＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に構成されている。
液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩ
１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパターンＳＬで
仕切られた領域に封入されている。下部配向膜ＯＲＩ１
は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶ１の上
部に形成される。

【００７４】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。

【００７５】《ゲート端子部》図７は表示マトリクスの
走査信号線ＧＬからその外部接続端子ＧＴＭまでの接続
構造を示す図であり、（Ａ）は平面であり（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示している。な
お、同図は図５下方付近に対応し、斜め配線の部分は便
宜状一直線状で表した。

【００７６】ＡＯはホトレジスト直接描画の境界線、言
い換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンであ
る。従って、このホトレジストは陽極酸化後除去され、
図に示すパターンＡＯは完成品としては残らないが、ゲ
ート配線ＧＬには断面図に示すように酸化膜ＡＯＦが選
択的に形成されるのでその軌跡が残る。平面図におい
て、ホトレジストの境界線ＡＯを基準にして左側はレジ
ストで覆い陽極酸化をしない領域、右側はレジストから
露出され陽極酸化される領域である。陽極酸化されたＡ
Ｌ層ｇ１は表面にその酸化物Ａｌ₂Ｏ₃膜ＡＯＦが形成さ
れ下方の導電部は体積が減少する。勿論、陽極酸化はそ
の導電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して
行われる。

【００７７】図中ＡＬ層ｇ１は、判り易くするためハッ
チを施してあるが、陽極化成されない領域は櫛状にパタ
ーニングされている。これは、Ａｌ層の幅が広いと表面
にホイスカが発生するので、１本１本の幅は狭くし、そ
れらを複数本並列に束ねた構成とすることにより、ホイ
スカの発生を防ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最
低限に押さえる狙いである。

【００７８】ゲート端子ＧＴＭはＡｌ層ｇ１と、更にそ
の表面を保護し、かつ、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉ
ｅｒ Ｐａｃｋｅｇｅ）との接続の信頼性を向上させる
ための透明導電層ｇ２とで構成されている。この透明導
電膜ｇ２は画素電極ＰＸと同一工程で形成された透明導
電膜ＩＴＯを用いている。またＡｌ層ｇ１上及びその側
面部に形成された導電層ｄ１及びｄ２は、Ａｌ層と透明
導電層ｇ２との接続不良を補うために、Ａｌ層と透明導
電層ｇ２の両方に接続性の良いＣｒ層ｄ１を接続し、接
続抵抗の低減を図るためのものであり、導電層ｄ２は導
電層ｄ１と同一マスク形成しているために残っているも
のである。

【００７９】平面図において、ゲート絶縁膜ＧＩはその
境界線よりも右側に、保護膜ＰＳＶ１もその境界線より
も右側に形成されており、左端に位置する端子部ＧＴＭ
はそれらから露出し外部回路との電気的接触ができるよ
うになっている。図では、ゲート線ＧＬとゲート端子の
一つの対のみが示されているが、実際はこのような対が
図７に示すように上下に複数本並べられ端子群Ｔｇ（図
５）が構成され、ゲート端子の左端は、製造過程では、
基板の切断領域を越えて延長され配線ＳＨｇ（図示せ
ず）によって短絡される。製造過程におけるこのような
短絡線ＳＨｇは陽極化成時の給電と、配向膜ＯＲＩ１の
ラビング時等の静電破壊防止に役立つ。

【００８０】《ドレイン端子ＤＴＭ》図８は映像信号線
ＤＬからその外部接続端子ＤＴＭまでの接続を示す図で
あり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−
Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図５右上付
近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方向
が基板ＳＵＢ１の上端部に該当する。

【００８１】ＴＳＴｄは検査端子でありここには外部回
路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配
線部より幅が広げられている。同様に、ドレイン端子Ｄ
ＴＭも外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広
げられている。外部接続ドレイン端子ＤＴＭは上下方向
に配列され、ドレイン端子ＤＴＭは、図５に示すように
端子群Ｔｄ（添字省略）を構成し基板ＳＵＢ１の切断線
を越えて更に延長され、製造過程中は静電破壊防止のた
めその全てが互いに配線ＳＨｄ（図示せず）によって短
絡される。検査端子ＴＳＴｄは図８に示すように一本置
きの映像信号線ＤＬに形成される。

【００８２】ドレイン接続端子ＤＴＭは透明導電層ｇ２
単層で形成されており、ゲート絶縁膜ＧＩを除去した部
分で映像信号線ＤＬと接続されている。この透明導電膜
ｇ２はゲート端子ＧＴＭの時と同様に画素電極ＰＸと同
一工程で形成された透明導電膜ＩＴＯを用いている。ゲ
ート絶縁膜ＧＩの端部上に形成された半導体層ＡＳはゲ
ート絶縁膜ＧＩの縁をテーパ状にエッチングするための
ものである。ドレイン端子ＤＴＭ上では外部回路との接
続を行うため保護膜ＰＳＶ１は勿論のこと取り除かれて
いる。

【００８３】マトリクス部からドレイン端子部ＤＴＭま
での引出配線は、映像信号線ＤＬと同じレベルの層ｄ
１，ｄ２が保護膜ＰＳＶ１の途中まで構成されており、
保護膜ＰＳＶ１の中で透明導電膜ｇ２と接続されてい
る。これは、電触し易いＡｌ層ｄ２を保護膜ＰＳＶ１や
シールパターンＳＬでできるだけ保護する狙いである。

【００８４】《対向電極端子ＣＴＭ》図９は対向電圧信
号線ＣＬからその外部接続端子ＣＴＭまでの接続を示す
図であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）の
Ｂ−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図５左
上付近に対応する。

【００８５】各対向電圧信号線ＣＬは共通バスラインＣ
Ｂで一纏めして対向電極端子ＣＴＭに引き出されてい
る。共通バスラインＣＢは導電層ｇ１の上に導電層ｄ
１、導電層ｄ２を積層した構造となっている。これは、
共通バスラインＣＢの抵抗を低減し、対向電圧が外部回
路から各対向電圧信号線ＣＬに十分に供給されるように
するためである。本構造では、特に新たに導電層を負荷
することなく、共通バスラインの抵抗を下げられるのが
特徴である。共通バスラインＣＢの導電層ｇ１は導電層
ｄ１、導電層ｄ２と電気的に接続されるように、陽極化
成はされていない。また、ゲート絶縁膜ＧＩからも露出
している。

【００８６】対向電極端子ＣＴＭは、導電層ｇ１の上に
透明導電層ｇ２が積層された構造になっている。この透
明導電膜ｇ２は他の端子の時と同様に画素電極ＰＸと同
一工程で形成された透明導電膜ＩＴＯを用いている。透
明導電層ｇ２により、その表面を保護し、電食等を防ぐ
ために耐久性のよい透明導電層ｇ２で、導電層ｇ１を覆
っている。

【００８７】《表示装置全体等価回路》表示マトリクス
部の等価回路とその周辺回路の結線図を図１０に示す。
同図は回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応し
て描かれている。ＡＲは複数の画素を二次元状に配列し
たマトリクス・アレイである。

【００８８】図中、Ｘは映像信号線ＤＬを意味し、添字
Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応し
て付加されている。Ｙは走査信号線ＧＬを意味し、添字
１，２，３，…，ｅｎｄは走査タイミングの順序に従っ
て付加されている。

【００８９】走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路
Ｖに接続されており、映像信号線Ｘ（添字省略）は映像
信号駆動回路Ｈに接続されている。

【００９０】ＳＵＰは１つの電圧源から複数の分圧した
安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上
位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を
ＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路
である。

【００９１】《駆動方法》図１１に本発明の液晶表示装
置の駆動波形を示す。対向電圧をＶchとＶclの２値の交
流矩型波にし、それに同期させて走査信号Ｖg(i-1)、Ｖ
g(i)の非選択電圧を１走査期間ごとに、ＶglhとＶgllの
２値で変化させる。対向電圧の振幅値と非選択電圧の振
幅値は同一にする。映像信号電圧は、液晶層に印加した
い電圧から、対向電圧の振幅の１／２を差し引いた電圧
である。

【００９２】対向電圧は直流でもよいが、交流化するこ
とで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動
回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いること
が可能になる。

【００９３】《蓄積容量Ｃstgの働き》蓄積容量Ｃstg
は、画素に書き込まれた（薄膜トランジスタＴＦＴがオ
フした後の）映像情報を、長く蓄積するために設ける。
本発明で用いている電界を基板面と平行に印加する方式
では、電界を基板面に垂直に印加する方式と異なり、画
素電極と対向電極で構成される容量（いわゆる液晶容
量）がほとんど無いため、蓄積容量Ｃstgが映像情報を
画素に蓄積することができない。したがって、電界を基
板面と平行に印加する方式では、蓄積容量Ｃstgは必須
の構成要素である。

【００９４】また、蓄積容量Ｃstgは、薄膜トランジス
タＴＦＴがスイッチングするとき、画素電極電位Ｖsに
対するゲート電位変化ΔＶgの影響を低減するようにも
働く。この様子を式で表すと、次のようになる。

【００９５】

【数１】ΔＶs＝{Ｃgs/(Ｃgs+Ｃstg+Ｃpix)}×ΔＶg ここで、Ｃgsは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極Ｇ
Ｔとソース電極ＳＤ１との間に形成される寄生容量、Ｃ
pixは画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に形成される
容量、ΔＶsはΔＶgによる画素電極電位の変化分いわゆ
るフィードスルー電圧を表わす。この変化分ΔＶsは液
晶ＬＣに加わる直流成分の原因となるが、保持容量Ｃst
gを大きくすればする程、その値を小さくすることがで
きる。液晶ＬＣに印加される直流成分の低減は、液晶Ｌ
Ｃの寿命を向上し、液晶表示画面の切り替え時に前の画
像が残るいわゆる焼き付きを低減することができる。

【００９６】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバラップ面
積が増え、従って寄生容量Ｃgsが大きくなり、画素電極
電位Ｖsはゲート（走査）信号Ｖgの影響を受け易くなる
という逆効果が生じる。しかし、蓄積容量Ｃstgを設け
ることによりこのデメリットも解消することができる。

【００９７】《製造方法》つぎに、上述した液晶表示装
置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について図１２〜図１４
を参照して説明する。なお同図において、中央の文字は
工程名の略称であり、左側は図３に示す薄膜トランジス
タＴＦＴ部分、右側は図７に示すゲート端子付近の断面
形状でみた加工の流れを示す。工程Ｂ、工程Ｄを除き工
程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に対応して区分けしたもの
で、各工程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わ
りフォトレジストを除去した段階を示している。なお、
写真処理とは本説明ではフォトレジストの塗布からマス
クを使用した選択露光を経てそれを現像するまでの一連
の作業を示すものとし、繰り返しの説明は避ける。以下
区分けした工程に従って、説明する。

【００９８】工程Ａ、図１２ ＡＮ６３５ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基
板ＳＵＢ１上に膜厚が３０００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−
Ｓｉ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等からなる導電膜
ｇ１をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン
酸と硝酸と氷酢酸との混酸液で導電膜ｇ１を選択的にエ
ッチングする。それによって、ゲート電極ＧＴ、走査信
号線ＧＬ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ、電極Ｐ
Ｌ１、ゲート端子ＧＴＭ、共通バスラインＣＢの第１導
電層、対向電極端子ＣＴＭの第１導電層、ゲート端子Ｇ
ＴＭを接続する陽極酸化バスラインＳＨｇ（図示せず）
および陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽極酸化
パッド（図示せず）を形成する。

【００９９】工程Ｂ、図１２ 直接描画による陽極酸化マスクＡＯの形成後、３％酒石
酸をアンモニアによりＰＨ６.２５±０.０５に調整した
溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した液から
なる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成電流密
度が０.５ｍＡ／ｃｍ²になるように調整する（定電流化
成）。次に所定のＡｌ₂Ｏ₃膜厚が得られるのに必要な化
成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。その後こ
の状態で数１０分保持することが望ましい（定電圧化
成）。これは均一なＡｌ₂Ｏ₃膜を得る上で大事なことで
ある。それによって、導電膜ｇ１を陽極酸化され、ゲー
ト電極ＧＴ、走査信号線ＧＬ、対向電極ＣＴ、対向電圧
信号線ＣＬおよび電極ＰＬ１上に膜厚が１８００Åの陽
極酸化膜ＡＯＦが形成される。

【０１００】工程Ｃ、図１２ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２２００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜を設
ける。

【０１０１】工程Ｄ、図１３ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆、ＣＣ
ｌ₄を使用してＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ
膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層
ＡＳの島を形成する。

【０１０２】工程Ｅ、図１３ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。

【０１０３】工程Ｆ、図１３ 膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる透明導電膜ｇ２を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜ｇ２を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭの最
上層、ドレイン端子ＤＴＭおよび対向電極端子ＣＴＭの
第２導電層を形成する。

【０１０４】工程Ｇ、図１４ 膜厚が６００ÅのＣｒからなる導電膜ｄ１をスパッタリ
ングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−Ｐ
ｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等から
なる導電膜ｄ２をスパッタリングにより設ける。写真処
理後、導電膜ｄ２を工程Ｂと同様な液でエッチングし、
導電膜ｄ１を工程Ａと同様な液でエッチングし、映像信
号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２、画
素電極ＰＸ、電極ＰＬ２、共通バスラインＣＢの第２導
電層、第３導電層およびドレイン端子ＤＴＭを短絡する
バスラインＳＨｄ（図示せず）を形成する。つぎに、ド
ライエッチング装置にＣＣｌ₄、ＳＦ₆を導入して、Ｎ
(＋)型非晶質Ｓｉ膜をエッチングすることにより、ソー
スとドレイン間のＮ(＋)型半導体層ｄ０を選択的に除去
する。

【０１０５】工程Ｈ、図１４ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設け
る。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を
使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチン
グすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。

【０１０６】《表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ
１》図１５は、図５等に示した表示パネルＰＮＬに映像
信号駆動回路Ｈと垂直走査回路Ｖを接続した状態を示す
上面図である。

【０１０７】ＣＨＩは表示パネルＰＮＬを駆動させる駆
動ＩＣチップ（下側の５個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左の１０個ずつは映像信号駆動回路側の駆動Ｉ
Ｃチップ）である。ＴＣＰは図１６、図１７で後述する
ように駆動用ＩＣチップＣＨＩがテープ・オートメイテ
ィド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテー
プキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰやコンデ
ンサ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆動回路
用と走査信号駆動回路用の２つに分割されている。ＦＧ
Ｐはフレームグランドパッドであり、シールドケースＳ
ＨＤに切り込んで設けられたバネ状の破片が半田付けさ
れる。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣＢ１と左側の駆動
回路基板ＰＣＢ１を電気的に接続するフラットケーブル
である。フラットケーブルＦＣとしては図に示すよう
に、複数のリード線（りん青銅の素材にＳｎ鍍金を施し
たもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリビニル
アルコール層とでサンドイッチして支持したものを使用
する。

【０１０８】《ＴＣＰの接続構造》図１６は走査信号駆
動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈを構成する、集積回路チ
ップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載されたテープ
キャリアパッケージＴＣＰの断面構造を示す図であり、
図１７はそれを液晶表示パネルの、本例では走査信号回
路用端子ＧＴＭに接続した状態を示す要部断面図であ
る。

【０１０９】同図において、ＴＴＢは集積回路ＣＨＩの
入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出
力端子・配線部であり、例えばＣｕから成り、それぞれ
の内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路Ｃ
ＨＩのボンディングパッドＰＡＤがいわゆるフェースダ
ウンボンディング法により接続される。端子ＴＴＢ，Ｔ
ＴＭの外側の先端部（通称アウターリード）はそれぞれ
半導体集積回路チップＣＨＩの入力及び出力に対応し、
半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路Ｓ
ＵＰに、異方性導電膜ＡＣＦによって液晶表示パネルＰ
ＮＬに接続される。パッケージＴＣＰは、その先端部が
パネルＰＮＬ側の接続端子ＧＴＭを露出した保護膜ＰＳ
Ｖ１を覆うようにパネルに接続されており、従って、外
部接続端子ＧＴＭ（ＤＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッケ
ージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対し
て強くなる。

【０１１０】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところ
へつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜で
ある。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の隙
間は洗浄後エポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、パッ
ケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更にシリコー
ン樹脂ＳＩＬが充填され保護が多重化されている。

【０１１１】《駆動回路基板ＰＣＢ２》駆動回路基板Ｐ
ＣＢ２は、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載
されている。この駆動回路基板ＰＣＢ２には、１つの電
圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るため
の電源回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲ
Ｔ（陰極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報
に変換する回路を含む回路ＳＵＰが搭載されている。Ｃ
Ｊは外部と接続される図示しないコネクタが接続される
コネクタ接続部である。

【０１１２】駆動回路基板ＰＣＢ１と駆動回路基板ＰＣ
Ｂ２とはフラットケーブルＦＣにより電気的に接続され
ている。

【０１１３】《液晶表示モジュールの全体構成》図１８
は、液晶表示モジュールＭＤＬの各構成部品を示す分解
斜視図である。

【０１１４】ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールドケ
ース（メタルフレーム）、ＬＣＷはその表示窓、ＰＮＬ
は液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＬＣＢは導光
体、ＲＭは反射板、ＢＬはバックライト蛍光管、ＬＣＡ
はバックライトケースであり、図に示すような上下の配
置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＤＬが組
み立てられる。

【０１１５】モジュールＭＤＬは、シールドケースＳＨ
Ｄに設けられた爪とフックによって全体が固定されるよ
うになっている。

【０１１６】バックライトケースＬＣＡはバックライト
蛍光管ＢＬ、光拡散板ＳＰＢ、導光体ＬＣＢ、反射板Ｒ
Ｍを収納する形状になっており、導光体ＬＣＢの側面に
配置されたバックライト蛍光管ＢＬの光を、導光体ＬＣ
Ｂ、反射板ＲＭ、光拡散板ＳＰＢにより表示面で一様な
バックライトにし、液晶表示パネルＰＮＬ側に出射す
る。

【０１１７】バックライト蛍光管ＢＬにはインバータ回
路基板ＰＣＢ３が接続されており、バックライト蛍光管
ＢＬの電源となっている。

【０１１８】以上、本実施例では、上述したように画素
電極ＰＸを透明導電層ｇ２によって構成することによ
り、白表示を行うときの最大透過率を約３０％程度（本
実施例の場合３１．８％）と大幅に向上させることがで
きるようになる。また、端子の信頼性を向上するための
ＩＴＯ膜も同時に形成することができ、信頼性と生産性
を両立させることができる。

【０１１９】（実施例２）本実施例は下記の要件を除け
ば、実施例１と同一である。図２０に画素の平面図を示
す。図の斜線部分は透明導電膜ｇ２を示す。

【０１２０】《画素電極ＰＸ》本実施例では、画素電極
ＰＸはソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の
導電膜ｄ１、導電膜ｄ２で構成されている。また、画素
電極ＰＸはソース電極ＳＤ１と一体に形成されている。

【０１２１】《対向電極ＣＴ》本実施例では、対向電極
ＣＴを透明導電膜ｇ２で構成する。この透明導電膜ｇ２
は実施例１と同様、スパッタリングで形成された透明導
電膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ ＩＴＯ：ネ
サ膜）からなり、１０００〜２０００Åの厚さに（本実
施例では、１４００Å程度の膜厚）形成される。

【０１２２】《対向電圧信号線ＣＬ》対向電圧信号線Ｃ
Ｌは透明導電膜ｇ２で構成されて、かつ対向電極ＣＴと
一体に構成されている。

【０１２３】《ゲート端子部》本実施例では、ゲート端
子ＧＴＭのＡｌ層ｇ１の表面を保護し、かつ、ＴＣＰ
（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋｅｇｅ）との接
続の信頼性を向上させるための透明導電層ｇ２を対向電
極ＣＴと同一工程で形成する。構成は実施例１と何ら変
わりはなく、図７に示す通りである。

【０１２４】《ドレイン端子ＤＴＭ》本実施例では、ド
レイン接続端子ＤＴＭの透明導電層ｇ２にゲート端子Ｇ
ＴＭの時と同様に対向電極ＣＴと同一工程で形成された
透明導電膜ＩＴＯを用いている。構成は層の上下関係が
実施例１と少し異なるが、本質的ではないので図は省略
する。

【０１２５】《対向電極端子ＣＴＭ》対向電極端子ＣＴ
Ｍの導電層ｇ１の上の透明導電層ｇ２は他の端子の時と
同様に対向電極ＣＴと同一工程で形成された透明導電膜
ＩＴＯを用いている。構成は実施例１と何ら変わりはな
く、図９に示す通りである。

【０１２６】《製造方法》本実施例では、実施例１の工
程Ｂと工程Ｃの間に工程Ｆが入る順番になる。工程の順
序としては図１２から図１５のＡからＨが、Ａ−Ｂ−Ｆ
−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｇ−Ｈの順になる。マスクパターンは、
走査信号線ＧＬ，走査電極ＧＴと対向電圧信号線ＣＬが
分離し、各端子の透明導電層ｇ２と対向電圧信号線ＣＬ
のパターンが同一マスクに形成される。

【０１２７】このように、対向電極ＣＴを透明導電層ｇ
２によって構成することによっても実施例１において説
明した効果を奏するようになる。この場合、最大透過率
を約１６％程度（本実施例では１５．９％）に向上させ
ることができるようになる。

【０１２８】また、本実施例では対向電極をＴＦＴを有
する基板側に構成したが、Ｃ／Ｆ（カラーフィルタ）を
有する基板に構成しても同様な効果が得られ、本発明の
範中に含まれる。ただし、製造方法、対向電極端子ＣＴ
Ｍの構造は異なる。

【０１２９】（実施例３）本実施例は下記の要件を除け
ば、実施例１および実施例２と同一である。図２１に画
素の平面図を示す。図の斜線部分は透明導電膜ｇ２を示
す。

【０１３０】《対向電極ＣＴ》本実施例では、対向電極
ＣＴを透明導電膜ｇ２で構成する。この透明導電膜ｇ２
は実施例１と同様にスパッタリングで形成された透明導
電膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ ＩＴＯ：ネ
サ膜）からなり、１０００〜２０００Åの厚さに（本実
施例では、１４００Å程度の膜厚）形成される。

【０１３１】《対向電圧信号線ＣＬ》対向電圧信号線Ｃ
Ｌは透明導電膜ｇ２で構成されて、かつ対向電極ＣＴと
一体に構成されている。

【０１３２】《製造方法》本実施例では、実施例１の工
程Ｂと工程Ｃの間に工程Ｆが追加される順番になる。工
程の順序としては図１２から図１５のＡからＨが、Ａ−
Ｂ−Ｆ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈの順になる。マスクパ
ターンは、走査信号線ＧＬ，走査電極ＧＴと対向電圧信
号線ＣＬのパターンが独立したマスクに形成される。

【０１３３】このように、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
のいずれをも透明導電層ｇ２によって構成することによ
り、実施例１および実施例２に示したと同様の効果を奏
することになる。この場合、白表示を行うときの最大透
過率は実施例１および実施例２以上の値となり、約５０
％程度（本実施例では４７．７％）に向上させることが
できるようになる。

【０１３４】（実施例４）本実施例は下記の要件を除け
ば、実施例１および実施例３と同一である。図２２に画
素の平面図を示す。図の斜線部分は透明導電膜ｇ２を示
す。

【０１３５】《対向電圧信号線ＣＬ》対向電圧信号線Ｃ
Ｌは導電膜ｇ１で構成する。本実施例では、導電膜ｇ１
にＣｒを用いる。また、対向電圧信号線ＣＬと対向電極
ＣＴとを接続するために、陽極化成を行わない。また、
ゲート絶縁膜ＧＩにスルーホールＰＨを形成する。ま
た、導電膜ｇ１はＣｒ以外にも、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、
Ｗ、Ａｌまたはそれらの合金、もしくは、それらを積層
したクラッド構造で形成してもよい。

【０１３６】《製造方法》本実施例では、実施例１の工
程Ｂが削除される。また、工程Ｅ時にスルーホールＰＨ
を形成し、工程Ｆ時に画素電極ＰＸと対向電極ＣＴを同
一マスクで同時に形成する。

【０１３７】本実施例では、実施例１および実施例３に
示した効果に加え、対向電圧信号線ＣＬの抵抗を低減す
ることにより、対向電極間の電圧の伝わりを円滑にし、
電圧の歪みを低減することができ、水平方向に発生する
クロストーク（横スミア）を低減できる。

【０１３８】また、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴを同一
マスクで同時に形成することにより、実施例４で２回行
っている工程Ｆが１回になり、生産性も向上する。

【０１３９】（実施例５）本実施例は下記の要件を除け
ば、実施例１および実施例４と同一である。図２３に画
素の平面図を示す。図の斜線部分は透明導電膜ｇ２を示
す。

【０１４０】《対向電極ＣＴ》本実施例では、中央の対
向電極ＣＴだけを透明導電膜ｇ２で構成する。映像信号
線に隣接した対向電極は対向電圧信号線と一体に金属膜
で形成する。

【０１４１】本実施例では、実施例１から実施例４の効
果に加え、映像信号線に隣接した対向電極を不透明にす
ることにより、映像信号に伴うクロストークを抑制する
ことができる。

【０１４２】その理由は次のとおりである。すなわち、
対向電極ＣＴが映像信号線ＤＬに隣接して形成されるこ
とにより、映像信号線ＤＬからの電界（電気力線）は、
この対向電極ＣＴに吸収され、映像信号線ＤＬからの電
界が画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電界に影響を及
ぼすことがなくなるので、映像信号にともなうクロスト
ーク、特に基板の上下方向のクロストークの発生を抑制
することができる。しかし、映像信号線ＤＬに隣接した
対向電極ＣＴ上の液晶分子の挙動は、映像信号の変動と
もなって不安定であるため、映像信号線ＤＬに隣接した
対向電極ＣＴをも透明にすると、その部分の透過光によ
ってクロストークが観測されてしまう。このため、上述
した実施例のように、映像信号線ＤＬに隣接した対向電
極ＣＴを不透明することにより、映像信号にともなうク
ロストークを抑制することができるようになる。

【０１４３】（実施例６）上述した実施例２および３
は、そのいずれにおいても対向電極ＣＴとともに対向電
極信号線ＣＬが透明導電層ｇ２で構成されたものであ
る。

【０１４４】この場合において、本実施例は図２４に示
す構成によって該対向電極信号線ＣＬの抵抗値を大幅に
低減させるようにしたものである。

【０１４５】図２４（ａ）は、図２０の対向電極信号線
ＣＬの部分を示す平面図であり、図２４（ｂ）は同図
（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。

【０１４６】同図において、対向電極信号線ＣＬは２層
構造からなり、その下層として抵抗値が小さいＡｌ層１
０が形成され、このＡｌ層１０の上面に該Ａｌ層１０を
完全に被覆してＩＴＯ膜１１が形成されている。そし
て、対向電極ＣＴは前記ＩＴＯ膜１１の一部を延在させ
た延在部で構成したものとなっている。

【０１４７】このようにした場合、対向電極信号線ＣＬ
の低抵抗化を図れるともに、Ａｌ層１０に発生するいわ
ゆるホイスカと称されるひげ状の突起による層間絶縁膜
を介した他の導電層と（たとえば映像信号線ＤＬ）の電
気的短絡を防止できるようになる。すなわち、Ａｌ層１
０はその上層に映像信号線ＤＬに対する層間絶縁膜を形
成する際にホイスカが発生し上述した弊害をもたらすこ
とが知られているが、このＡｌ層１０を完全に被覆する
ようにしてＩＴＯ膜を形成することによって該ホィスカ
が発生しないことが確かめられている。

【０１４８】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置およびその製造方法によれ
ば、開口率の向上を図ることができるようになる。

【０１４９】また、表示面における光反射の減少を図る
ことができるようになる。

【０１５０】さらに、コントラストの良好な表示を図る
ことができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例（実施例
１）である液晶表示部の一画素とその周辺を示す要部平
面図である。

【図２】図１の３−３線における断面図である。

【図３】図１の４−４線における断面図である。

【図４】図１の５−５線における断面図である。

【図５】表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明す
るための平面図である。

【図６】本発明による液晶表示装置のパネル縁部分の一
実施例を示す断面図である。

【図７】ゲート端子ＧＴＭとゲート配線ＧＬの接続部近
辺を示す平面と断面の図である。

【図８】ドレイン端子ＤＴＭと映像信号線ＤＬとの接続
部付近を示す平面と断面の図である。

【図９】共通電極端子ＣＴＭ、共通バスラインＣＢおよ
び共通電圧信号線ＣＬの接続部付近を示す平面と断面の
図である。

【図１０】本発明のアクティブ・マトリックス型カラー
液晶表示装置のマトリクス部とその周辺を含む回路図で
ある。

【図１１】本発明のアクティブ・マトリックス型カラー
液晶表示装置の駆動波形を示す図である。

【図１２】基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１３】基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１４】基板ＳＵＢ１側の工程Ｇ〜Ｈの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１５】液晶表示パネルに周辺の駆動回路を実装した
状態を示す上面図である。

【図１６】駆動回路を構成する集積回路チップＣＨＩが
フレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッ
ケージＴＣＰの断面構造を示す図である。

【図１７】テープキャリアパッケージＴＣＰを液晶表示
パネルＰＮＬの走査信号回路用端子ＧＴＭに接続した状
態を示す要部断面図である。

【図１８】液晶表示モジュールの分解斜視図である。

【図１９】印加電界方向、ラビング方向、偏光板透過軸
の関係を示す図。

【図２０】本発明による液晶表示装置の他の実施例（実
施例２）である液晶表示部の一画素とその周辺を示す要
部平面図である。

【図２１】本発明による液晶表示装置の他の実施例（実
施例３）である液晶表示部の一画素とその周辺を示す要
部平面図である。

【図２２】本発明による液晶表示装置の他の実施例（実
施例４）である液晶表示部の一画素とその周辺を示す要
部平面図である。

【図２３】本発明による液晶表示装置の他の実施例（実
施例５）である液晶表示部の一画素とその周辺を示す要
部平面図である。

【図２４】本発明による液晶表示装置の他の実施例（実
施例６）である液晶表示部の一画素の要部部平面図と断
面図である。

【符号の説明】

ＳＵＢ…透明ガラス基板、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映
像信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＰＸ…画素電極、Ｃ
Ｔ…対向電極、ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ
…ｉ型半導体層、ＳＤ…ソース電極またはドレイン電
極、ＰＳＶ…保護膜、ＢＭ…遮光膜、ＬＣ…液晶、ＴＦ
Ｔ…薄膜トランジスタ、ＰＨ…スルーホール、ｇ、ｄ…
導電膜、Ｃstg…蓄積容量、ＡＯＦ…陽極酸化膜、ＡＯ
…陽極酸化マスク、ＧＴＭ…ゲート端子、ＤＴＭ…ドレ
イン端子、ＣＢ…共通バスライン、ＤＴＭ…共通電極端
子、ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ…液晶表示パネ
ル、ＳＰＢ…光拡散板、ＬＣＢ…導光体、ＢＬ…バック
ライト蛍光管、ＬＣＡ…バックライトケース、ＲＭ…反
射板、（以上添字省略）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳川 和彦 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所 電子デバイス事業部内 (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所 電子デバイス事業部内 (72)発明者 小西 信武 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所 電子デバイス事業部内 (56)参考文献 特開 昭56−91277（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−92504（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−190104（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−61842（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−202153（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−175084（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−128683（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1343

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶層を介して互いに対向して配置され
   る透明基板のうち、透明基板の液晶層側の面に画素電極
   と対向電極とが備えられ、これら画素電極と対向電極と
   の間の電圧印加によって透明基板と平行に電界を発生さ
   せる液晶表示装置において、 前記画素電極と対向電極との間の電圧無印加によって一
   方の透明基板から前記液晶を介して他方の透明基板への
   光透過を遮蔽する液晶の配向状態および偏光板の偏光状
   態が設定されているとともに、前記画素電極と対向電極
   とのうち少なくともいずれかが透明導電膜であり、 薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタをオンさせ
   る走査信号線と、このオンされた薄膜トランジスタを介
   して画素電極に映像信号を供給する映像信号線と、対向
   電極に対向電圧を印加する対向電極信号線とを備えるも
   のであって、対向電極は、隣接する映像信号線にそれぞ
   れ近接して配置される２個を含む３個以上の電極からな
   るとともに、そのうち映像信号線に近接する２個の電極
   は透明導電膜以外の導電膜で構成され、他の電極は透明
   導電膜 で構成されていることを特徴とする液晶表示装
   置。
2. 【請求項２】 液晶層を介して互いに対向して配置され
   る透明基板のうち、一方の透明基板の液晶層側の面に画
   素電極と対向電極とが備えられ、これら画素電極と対向
   電極との間の電圧印加によって前記液晶層に電界を発生
   させる液晶表示装置において、 前記画素電極と対向電極との間の電圧無印加によって一
   方の透明基板から前記液晶を介して他方の透明基板への
   光透過を遮蔽する液晶の配向状態および偏光板の偏光状
   態が設定されているとともに、前記画素電極と対向電極
   とのうち少なくともいずれかが透明導電膜であり、 薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタをオンさせ
   る走査信号線と、このオンされた薄膜トランジスタを介
   して画素電極に映像信号を供給する映像信号線と、対向
   電極に対向電圧を印加する対向電極信号線とを備えるも
   のであって、対向電極は、隣接する映像信号線にそれぞ
   れ近接して配置される２個を含む３個以上の電極からな
   るとともに、そのうち映像信号線に近接する２個の電極
   は透明導 電膜以外の導電膜で構成され、他の電極は透明
   導電膜 で構成されていることを特徴とする液晶表示装
   置。
3. 【請求項３】 前記対向電極信号線は前記透明導電膜と
   異なる他の導電膜で構成されていることを特徴とする請
   求項１、２のいずれかに記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記対向電極信号線を構成する導電膜は
   前記透明導電膜よりも小さな抵抗値を有する材料からな
   ることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記透明導電層はインジウム−チン−オ
   キサイド（ＩＴＯ）膜で構成されていることを特徴とす
   る請求項１から４記載のうちいずれか記載の液晶表示装
   置。
6. 【請求項６】 前記対向電極信号線を構成する導電膜は
   Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、またはそれらの合
   金、もしくはそれらのうちの選択された材料の積層体か
   ら構成されることを特徴とする請求項４記載の液晶表示
   装置。
7. 【請求項７】 液晶層を介して互いに対向して配置され
   る透明基板のうち、一方の透明基板の液晶層側の面に画
   素電極と対向電極とが備えられ、これら画素電極と対向
   電極との間の電圧印加によって前記液晶層に電界を発生
   させる液晶表示装置において、 前記画素電極と対向電極との間の電圧無印加によって一
   方の透明基板から前記液晶を介して他方の透明基板への
   光透過を遮蔽する液晶の配向状態および偏光板の偏光状
   態が設定されているとともに、前記画素電極と対向電極
   のうち少なくともいずれかが透明導電膜であり、 薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタをオンさせ
   る走査信号線と、このオンされた薄膜トランジスタを介
   して画素電極に映像信号を供給する映像信号線と、対向
   電極に対向電圧を印加する対向電極信号線とを備えるも
   のであって、前記対向電極信号線はアルミニュウム層お
   よびこのアルミニュウム層を完全に被覆するＩＴＯ膜と
   の積層体とで構成されるとともに、前記対向電極は前記
   ＩＴＯ膜を一部延在させた延在部で構成されていること
   を特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】 液晶層を介して互いに対向して配置され
   る透明基板のうち、 一方の透明基板の液晶層側の面に画
   素電極と対向電極とが備えられ、これら画素電極と対向
   電極との間の電圧印加によって前記液晶層に電界を発生
   させる液晶表示装置において、 前記画素電極と対向電極との間の電圧無印加によって一
   方の透明基板から前記液晶を介して他方の透明基板への
   光透過を遮蔽する液晶の配向状態および偏光板の偏光状
   態が設定されているとともに、前記画素電極と対向電極
   とのうち少なくともいずれかが透明導電膜であり、 薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタをオンさせ
   る走査信号線と、このオンされた薄膜トランジスタを介
   して画素電極に映像信号を供給する映像信号線と、対向
   電極に対向電圧を印加する対向電極信号線とを備えるも
   のであって、前記対向電極信号線はアルミニュウム層お
   よびＩＴＯ膜を有し、前記対向電極は前記ＩＴＯ膜を一
   部延在させた延在部で構成されていることを特徴とする
   液晶表示装置。