JP2001257350A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 149
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 30
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 26
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 318
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 10
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Further Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000701286 Pseudomonas aeruginosa (strain ATCC 15692 / DSM 22644 / CIP 104116 / JCM 14847 / LMG 12228 / 1C / PRS 101 / PAO1) Alkanesulfonate monooxygenase Proteins 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000983349 Solanum commersonii Osmotin-like protein OSML13 Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
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- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67236—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations the substrates being processed being not semiconductor wafers, e.g. leadframes or chips
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
- H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/103—Materials and properties semiconductor a-Si
-
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Abstract
フォトマスクを使用してTFTを作製していたため製造
コストが大きかった。 【解決手段】3枚目のフォトマスクにより画素電極12
7、ソース領域123及びドレイン領域124の形成を
行うことにより、3回のフォトリソグラフィー工程で、
逆スタガ型のnチャネル型TFTを有する画素TFT
部、及び保持容量を備えた液晶表示装置を実現すること
ができる。
Description
(以下、TFTという)で構成された回路を有する半導
体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示
パネルに代表される電気光学装置およびその様な電気光
学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を
指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て
半導体装置である。
れた半導体薄膜(厚さ数〜数百nm程度)を用いて薄膜
トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されてい
る。薄膜トランジスタはICや電気光学装置のような電
子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッ
チング素子として開発が急がれている。
置が知られている。パッシブ型の液晶表示装置に比べ高
精細な画像が得られることからアクティブマトリクス型
の液晶表示装置が多く用いられるようになっている。ア
クティブマトリクス型の液晶表示装置においては、マト
リクス状に配置された画素電極を駆動することによっ
て、画面上に表示パターンが形成される。詳しくは選択
された画素電極と該画素電極に対応する対向電極との間
に電圧が印加されることによって、画素電極と対向電極
との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、この光
学変調が表示パターンとして観察者に認識される。
表示装置の用途は広がっており、画面サイズの大面積化
とともに高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高ま
っている。また、同時に生産性の向上や低コスト化の要
求も高まっている。
基板上に形成可能であることから非晶質半導体膜として
非晶質シリコン膜が好適に用いられている。また、非晶
質半導体膜で形成されたチャネル形成領域を有する逆ス
タガ型(若しくはボトムゲート型)のTFTが多く用い
られている。
リクス型の液晶表示装置は、写真蝕刻(フォトリソグラ
フィー)技術により、最低でも5枚以上のフォトマスク
を使用してTFTを基板上に作製していたため製造コス
トが大きかった。生産性を向上させ歩留まりを向上させ
るためには、工程数を削減することが有効な手段として
考えられる。
マスクの枚数を削減することが必要である。フォトマス
クはフォトリソグラフィーの技術において、エッチング
工程のマスクとするフォトレジストパターンを基板上に
形成するために用いる。
って、レジスト塗布、プレベーク、露光、現像、ポスト
ベークなどの工程と、その前後の工程において、被膜の
成膜およびエッチングなどの工程、さらにレジスト剥
離、洗浄や乾燥工程などが付加され、煩雑なものとな
り、問題となっていた。
中における摩擦などによって静電気が発生していた。こ
の静電気が発生すると基板上に設けられた配線の交差部
でショートしたり、静電気によってTFTが劣化または
破壊されて液晶表示装置に表示欠陥や画質の劣化が生じ
ていた。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビ
ング時に静電気が発生し問題となっていた。
り、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表され
る半導体装置において、TFTを作製する工程数を削減
して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する
ことを課題としている。
の特性劣化という問題点を解決しうる構造およびその作
製方法を提供することを課題としている。
に、本発明では、まず、フォトマスク1枚目でゲート配
線を形成する。
質シリコン膜(以下、a―Si膜と呼ぶ)、n型を付与
する不純物元素を含む非晶質シリコン膜(以下、n+a
―Si膜と呼ぶ)、及び導電膜を連続的に成膜する。
膜、a―Si膜からなる活性層、ソース配線(ソース電
極含む)及びドレイン電極をパターニング形成する。
トマスク3枚目で透明導電膜からなる画素電極の形成を
行い、さらにn+a―Si膜からなるソース領域及びド
レイン領域を形成すると同時にa―Si膜の一部を除去
する。
グラフィー技術で使用するフォトマスクの数を3枚とす
ることができる。
ある透明導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から
保護する構造とする。また、透明導電膜で保護回路を形
成する構造としてもよい。このような構成とすること
で、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦に
よる静電気の発生を防止することができる。特に、製造
工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静
電気からTFT等を保護することができる。
配線と、ソース配線と、画素電極とを有する半導体装置
であって、絶縁表面上に形成されたゲート配線102
と、前記ゲート配線上に形成された絶縁膜110と、前
記絶縁膜上に形成された非晶質半導体膜122と、前記
非晶質半導体膜上に形成されたソース領域123及びド
レイン領域124と、前記ソース領域または前記ドレイ
ン領域上に形成されたソース配線125または電極12
6と、前記電極上に形成された画素電極127とを有
し、前記ドレイン領域124または前記ソース領域12
3の一つの端面は、前記絶縁膜110の端面、前記非晶
質半導体膜122の端面、及び前記電極126の端面と
概略一致することを特徴とする半導体装置である。
ソース配線と、画素電極とを有する半導体装置であっ
て、絶縁表面上に形成されたゲート配線102と、前記
ゲート配線上に形成された絶縁膜110と、前記絶縁膜
上に形成された非晶質半導体膜122と、前記非晶質半
導体膜上に形成されたソース領域123及びドレイン領
域124と、前記ソース領域または前記ドレイン領域上
に形成されたソース配線125または電極126と、前
記電極上に形成された画素電極127とを有し、前記ド
レイン領域124または前記ソース123領域の一つの
端面は、前記絶縁膜110の端面、前記非晶質半導体膜
122の端面及び前記電極126の端面と概略一致し、
もう一つの端面は、前記画素電極127の端面及び前記
電極126のもう一つの端面と概略一致することを特徴
とする半導体装置である。
域及び前記ドレイン領域は、n型を付与する不純物元素
を含む非晶質半導体膜からなることを特徴としている。
前記非晶質半導体膜、前記ソース領域、及び前記ドレイ
ン領域は、大気に曝されることなく連続的に形成された
ことを特徴としている。
前記非晶質半導体膜、前記ソース領域、または前記ドレ
イン領域は、スパッタ法により形成されたことを特徴と
している。
示したように、前記ソース領域123及び前記ドレイン
領域124は、前記非晶質半導体膜122及び前記電極
126と同一のマスクにより形成されたことを特徴とし
ている。また、記ソース領域及び前記ドレイン領域は、
前記ソース配線125と同一のマスクにより形成された
ことを特徴としている。
示したように、前記ソース領域123及び前記ドレイン
領域124は、前記ソース配線125及び前記画素電極
127と同一のマスクにより形成されたことを特徴とし
ている。
エッチング工程によって、前記非晶質半導体膜のうち、
前記ソース領域及びドレイン領域と接する領域における
膜厚は、前記ソース領域と接する領域と前記ドレイン領
域と接する領域との間の領域における膜厚より厚い構
成、即ちチャネルエッチ型のボトムゲート構造となって
いる。
成は、第1のマスクを用いてゲート配線102を形成す
る第1工程と、前記ゲート配線を覆う絶縁膜104を形
成する第2工程と、前記絶縁膜上に第1の非晶質半導体
膜105を形成する第3工程と、前記第1の非晶質半導
体膜上にn型を付与する不純物元素を含む第2の非晶質
半導体膜106を形成する第4工程と、前記第2の非晶
質半導体膜上に第1の導電膜107を形成する第5工程
と、第2のマスクを用いて前記絶縁膜104、前記第1
の非晶質半導体膜105、第2の非晶質半導体膜10
6、及び前記第1の導電膜107を選択的に除去して配
線116(ソース配線及び電極)を形成する第6工程
と、前記配線116(ソース配線及び電極)と接して重
なる第2の導電膜118を形成する第7工程と、第3の
マスクを用いて前記第1の非晶質半導体膜112の一
部、第2の非晶質半導体膜114、前記第1の導電膜1
16、及び前記第2の導電膜118を選択的に除去し
て、前記第2の非晶質半導体膜からなるソース領域12
3及びドレイン領域124と、前記第2の導電膜からな
る画素電極127とを形成する第8工程と、を有するこ
とを特徴とする半導体装置の作製方法である。
ら前記第5工程まで、大気に曝されることなく連続的に
形成することを特徴としている。
から前記第5工程まで、同一チャンバー内で連続的に形
成することを特徴としている。
は、スパッタ法あるいはプラズマCVD法により形成し
てもよい。
晶質半導体膜は、スパッタ法あるいはプラズマCVD法
により形成してもよい。
晶質半導体膜は、スパッタ法あるいはプラズマCVD法
により形成してもよい。
電膜は、透明導電膜、あるいは反射性を有する導電膜で
あることを特徴としている。
下に説明を行う。
の平面図の一例であり、ここでは簡略化のため、マトリ
クス状に配置された複数の画素のうちの1つの画素構成
を示している。また、図2及び図3は作製工程を示す図
である。
クス基板は、互いに平行に配置された複数のゲート配線
と、各ゲート配線に直交するソース配線を複数有してい
る。
た領域には透明導電膜からなる画素電極127が配置さ
れている。また、この画素電極127と重ならないよう
に、透明導電膜128がソース配線と重なっている。
2本のゲート配線の間には、ゲート配線102と平行に
容量配線103が配置されている。この容量配線103
は全画素に設けられており、図2(B)に示す絶縁膜1
11を誘電体として保持容量を形成している。
5の交差部近傍にはスイッチング素子としてのTFTが
設けられている。このTFTは非晶質構造を有する半導
体膜(以下、非晶質半導体膜と呼ぶ)で形成されたチャ
ネル形成領域を有する逆スタガ型(若しくはボトムゲー
ト型)のTFTである。
次、ゲート電極(ゲート配線102と一体形成された)
と、ゲート絶縁膜と、a―Si膜と、n+a―Si膜か
らなるソース領域及びドレイン領域と、ソース電極(ソ
ース配線125と一体形成された)及び電極126(以
下、ドレイン電極とも呼ぶ)とが積層形成されている。
らない領域においては、ゲート配線上にはゲート絶縁膜
が存在していない。
7はゲート配線と重ならないように形成されている。
おいては、ショートしないようにソース配線端部の透明
導電膜が除去されている。また、容量配線と画素電極と
がショートしないように電極117の端部が除去されて
いる。
ドレイン電極126の下方には、絶縁性基板上に順次、
ゲート絶縁膜と、a―Si膜と、n+a―Si膜とが積
層形成されている。
する領域とドレイン領域と接する領域との間の領域は、
他の領域と比べ膜厚が薄くなっている。膜厚が薄くなっ
たのは、n+a―Si膜をエッチングにより分離してソ
ース領域とドレイン領域とを形成する際、a―Si膜の
一部が除去されたためである。また、このエッチングに
よって画素電極の端面、ドレイン電極の端面、及びドレ
イン領域の端面が一致している。
の端面、ソース領域の端面、及びソース配線の端面が一
致している。
に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととす
る。
本発明の実施例を説明する。本実施例は液晶表示装置の
作製方法を示し、基板上に画素部のTFTを逆スタガ型
で形成し、該TFTに接続する保持容量を作製する方法
について工程に従って詳細に説明する。また、同図には
該基板の端部に設けられ、他の基板に設けた回路の配線
と電気的に接続するための入力端子部の作製工程を同時
に示す。
100にはコーニング社の#7059ガラスや#173
7ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラスや
アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いるこ
とができる。その他に、石英基板、プラスチック基板な
どの透光性基板を使用することもできる。
第1のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマス
クを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配
線及び電極(ゲート電極を含むゲート配線102、容量
配線103、及び端子101)を形成する。このとき少
なくともゲート電極102の端部にテーパー部が形成さ
れるようにエッチングする。この段階での上面図を図4
に示した。
配線103、端子部の端子101は、アルミニウム(A
l)などの低抵抗導電性材料で形成することが望ましい
が、Al単体では耐熱性が劣り、また腐蝕しやすい等の
問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成
する。耐熱性導電性材料としては、チタン(Ti)、タ
ンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(M
o)、クロム(Cr)、Nd(ネオジム)から選ばれた
元素、または前記元素を成分とする合金か、前記元素を
組み合わせた合金膜、または前記元素を成分とする窒化
物で形成する。また、Ti、Si、Cr、Nd等の耐熱
性導電性材料と組み合わせて形成した場合、平坦性が向
上するため好ましい。また、このような耐熱性導電性材
料のみ、例えばMoとWを組み合わせて形成しても良
い。
電極およびゲート配線は耐熱性導電性材料と低抵抗導電
性材料とを組み合わせて形成することが望ましい。この
時の適した組み合わせを説明する。
性材料の窒化物から成る導電層(A)と耐熱性導電性材
料から成る導電層(B)とを積層したニ層構造とする。
導電層(B)はAl、Ta、Ti、W、Nd、Crから
選ばれた元素、または前記元素を成分とする合金か、前
記元素を組み合わせた合金膜で形成すれば良く、導電層
(A)は窒化タンタル(TaN)膜、窒化タングステン
(WN)膜、窒化チタン(TiN)膜などで形成する。
例えば、導電層(A)としてCr、導電層(B)として
Ndを含有するAlとを積層したニ層構造とすることが
好ましい。導電層(A)は10〜100nm(好ましく
は20〜50nm)とし、導電層(B)は200〜40
0nm(好ましくは250〜350nm)とする。
材料から成る導電層(A)と低抵抗導電性材料から成る
導電層(B)と耐熱性導電性材料から成る導電層(C)
とを積層した三層構造とすることが好ましい。低抵抗導
電性材料から成る導電層(B)は、アルミニウム(A
l)を成分とする材料で形成し、純Alの他に、0.0
1〜5atomic%のスカンジウム(Sc)、Ti、Nd、
シリコン(Si)等を含有するAlを使用する。導電層
(C)は導電層(B)のAlにヒロックが発生するのを
防ぐ効果がある。導電層(A)は10〜100nm(好
ましくは20〜50nm)とし、導電層(B)は200
〜400nm(好ましくは250〜350nm)とし、
導電層(C)は10〜100nm(好ましくは20〜5
0nm)とする。本実施例では、Tiをターゲットとし
たスパッタ法により導電層(A)をTi膜で50nmの厚
さに形成し、Alをターゲットとしたスパッタ法により
導電層(B)をAl膜で200nmの厚さに形成し、Ti
をターゲットとしたスパッタ法により導電層(C)をT
i膜で50nmの厚さに形成した。
絶縁膜104はスパッタ法を用い、膜厚を50〜200
nmとする。
膜を用い、150nmの厚さで形成する。勿論、ゲート
絶縁膜はこのような窒化シリコン膜に限定されるもので
なく、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化タン
タル膜などの他の絶縁膜を用い、これらの材料から成る
単層または積層構造として形成しても良い。例えば、下
層を窒化シリコン膜とし、上層を酸化シリコン膜とする
積層構造としても良い。
(好ましくは100〜150nm)の厚さで非晶質半導
体膜105を、プラズマCVD法やスパッタ法などの公
知の方法で全面に形成する(図示せず)。代表的には、
シリコンのターゲットを用いたスパッタ法で非晶質シリ
コン(a−Si)膜を100nmの厚さに形成する。そ
の他、この非晶質半導体膜には、微結晶半導体膜、非晶
質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化
合物半導体膜を適用することも可能である。
導体膜106として、n型を付与する不純物元素を含む
非晶質半導体膜106を20〜80nmの厚さで形成す
る。n型を付与する不純物元素を含む非晶質半導体膜1
06は、プラズマCVD法やスパッタ法などの公知の方
法で全面に形成する。代表的には、n+a−Si:H膜
を形成すれば良く、そのためにリン(P)が添加された
シリコンターゲットを用いて成膜する。あるいは、シリ
コンターゲットを用い、リンを含む雰囲気中でスパッタ
リングを行い成膜してもよい。或いは、n型を付与する
不純物元素を含む非晶質半導体膜106を水素化微結晶
シリコン膜(μc−Si:H)で形成しても良い。
や真空蒸着法で形成する。導電性の金属膜107の材料
としては、n+a―Si膜106とオーミックコンタク
トのとれる金属材料であれば特に限定されず、Al、C
r、Ta、Tiから選ばれた元素、または前記元素を成
分とする合金か、前記元素を組み合わせた合金膜等が挙
げられる。ただし、導電性の金属膜107は後のエッチ
ング工程で端子及びゲート配線と十分な選択比を有する
ものを選ぶ必要がある。本実施例ではスパッタ法を用
い、金属膜107として、300〜600nmの厚さでC
r膜を形成した。(図2(A))
導電型の不純物元素を含有する半導体膜106、及び導
電性の金属膜107はいずれも公知の方法で作製するも
のであり、プラズマCVD法やスパッタ法で作製するこ
とができる。本実施例では、スパッタ法を用い、ターゲ
ット及びスパッタガスを適宣切り替えることにより連続
的に形成した。この時、スパッタ装置において、同一の
反応室または複数の反応室を用い、これらの膜を大気に
晒すことなく連続して積層させることが好ましい。この
ように、大気に曝さないことで不純物の混入を防止する
ことができる。
行い、レジストマスク108、109を形成し、エッチ
ングにより不要な部分を除去して絶縁膜110、11
1、配線及び電極(ソース配線)を形成する。この際の
エッチング方法としてウエットエッチングまたはドライ
エッチングを用いる。第2のフォトリソグラフィー工程
により、絶縁膜104、非晶質半導体膜105、一導電
型の不純物元素を含有する半導体膜106、及び導電性
の金属膜107がエッチングされ、画素TFT部におい
ては、絶縁膜110、非晶質半導体膜112、一導電型
の不純物元素を含有する半導体膜114、及び導電性の
金属膜116を形成する。よって、これらの膜の端面は
概略一致する。また、容量部においては、絶縁膜11
1、非晶質半導体膜113、一導電型の不純物元素を含
有する半導体膜115、及び導電性の金属膜117を形
成する。同様に、これらの膜の端面は一致する。
程により、端子部においては、端子101のみを残して
エッチングする。また、他の配線との交差部のみを残し
てゲート配線上の絶縁膜を除去する。このため、端子1
01やゲート配線の材料と絶縁膜は、十分な選択比を有
するものを選ぶ必要があり、さらに端子の材料と導電性
の金属膜も十分な選択比を有するものを選ぶ必要があ
る。即ち、端子及びゲート配線の材料と導電性の金属膜
とは異なる材料を選択する必要がある。本実施例ではド
ライエッチングにより、Cl2とO2の混合ガスを用いて
金属膜107をエッチングし、反応ガスをCF4とO2の
混合ガスに代えて一導電型の不純物元素を含有する半導
体膜106、非晶質半導体膜105、絶縁膜104を選
択的に除去した。(図2(B))
後、全面に透明導電膜118を成膜する。(図2
(C))また、この時の上面図を図5に示す。ただし、
簡略化のため図5では全面に成膜された透明導電膜11
8は図示していない。
ジウム(In2O3)や酸化インジウム酸化スズ合金(I
n2O3―SnO2、ITOと略記する)などをスパッタ
法や真空蒸着法などを用いて形成する。このような材料
のエッチング処理は塩酸系の溶液により行う。しかし、
特にITOのエッチングは残渣が発生しやすいので、エ
ッチング加工性を改善するために酸化インジウム酸化亜
鉛合金(In2O3―ZnO)を用いても良い。酸化イン
ジウム酸化亜鉛合金は表面平滑性に優れ、ITOと比較
して熱安定性にも優れているので、接触する電極116
をAl膜で形成しても腐蝕反応をすることを防止でき
る。同様に、酸化亜鉛(ZnO)も適した材料であり、
さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウム
(Ga)を添加した酸化亜鉛(ZnO:Ga)などを用
いることができる。
行い、レジストマスク119、120、121を形成
し、エッチングにより不要な部分を除去して非晶質半導
体膜122、ソース領域123及びドレイン領域12
4、ソース電極125及びドレイン電極126、画素電
極127を形成する。(図2(D))
透明導電膜118をパターニングすると同時に、導電性
を有する金属膜116とn+a―Si膜114と非晶質
半導体膜112の一部をエッチングにより除去して開孔
を形成する。本実施例では、まず、ITOからなる画素
電極を硝酸と塩酸の混合溶液または塩化系第2鉄系の溶
液を用いたウエットエッチングにより選択的に除去し、
ウエットエッチングにより導電性を有する金属膜116
を除去した後、ドライエッチングによりn+a―Si膜
114と非晶質半導体膜112の一部をエッチングし
た。なお、本実施例では、ウエットエッチングとドライ
エッチングとを用いたが、実施者が反応ガスを適宜選択
してドライエッチングのみで行ってもよいし、実施者が
反応溶液を適宜選択してウエットエッチングのみで行っ
てもよい。
ており、凹部を有する非晶質半導体膜114が形成され
る。この開孔によって導電性を有する金属膜116はソ
ース電極125とドレイン電極126に分離され、n+
a―Si膜114はソース領域123とドレイン領域1
24に分離される。また、ソース電極125と接する透
明導電膜128は、ソース配線を覆い、後の製造工程、
特にラビング処理で生じる静電気を防止する役目を果た
す。本実施例では、ソース配線上に透明導電膜128を
形成した例を示したが、上記ITO膜のエッチングの際
に透明導電膜128を除去してもよい。また、上記IT
O膜のエッチングの際に上記ITO膜を利用して静電気
から保護するための回路を形成してもよい。
ソグラフィー工程によりゲート配線上に形成された透明
導電膜を選択的に除去するため、ゲート配線は、非晶質
半導体膜や金属膜116と選択比が必要となる。ただ
し、ゲート配線端子部には部分的に透明導電膜を残す。
去した。この状態の断面図を図3(A)に示した。な
お、図1は1つの画素の上面図であり、A−A'線 及び
B−B'線に沿った断面図がそれぞれ図3(A)に相当
する。
線端子部501、及びソース配線端子部502の上面図
をそれぞれ図示している。なお、図1〜図3と対応する
箇所には同じ符号を用いている。また、図9(B)は図
9(A)中のE−E'線 及びF−F'線に沿った断面図
に相当する。図9(A)において、透明導電膜からなる
503は入力端子として機能する接続用の電極である。
また、図9(B)において、504は絶縁膜(110か
ら延在する)、505は非晶質半導体膜(122から延
在する)、506はn+a―Si膜(123から延在す
る)である。
誘電体として、容量配線103と金属膜117(あるい
はn+a―Si膜115あるいは半導体膜)とで保持容
量が形成される。
により、3枚のフォトマスクを使用して、逆スタガ型の
nチャネル型TFT201を有する画素TFT部、保持
容量202を完成させることができる。そして、これら
を個々の画素に対応してマトリクス状に配置して画素部
を構成することによりアクティブマトリクス型の液晶表
示装置を作製するための一方の基板とすることができ
る。本明細書では便宜上このような基板をアクティブマ
トリクス基板と呼ぶ。
のみに配向膜130を選択的に形成する。配向膜130
を選択的に形成する方法としては、スクリーン印刷法を
用いてもよいし、配向膜を塗布後、シャドーマスクを用
いてレジストマスクを形成して除去する方法を用いても
よい。通常、液晶表示素子の配向膜にはポリイミド樹脂
が多く用いられている。
て液晶分子がある一定のプレチルト角を持って配向する
ようにする。
向電極132と配向膜131とが設けられた対向基板1
33とをスペーサで基板間隔を保持しながらシール剤に
より貼り合わせた後、アクティブマトリクス基板と対向
基板の間に液晶材料134を注入する。液晶材料134
は公知のものを適用すれば良く代表的にはTN液晶を用
いる。液晶材料を注入した後、注入口は樹脂材料で封止
する。
プリント配線板(Flexible PrintedCircuit:FPC)
を接続する。FPCはポリイミドなどの有機樹脂フィル
ム138に銅配線137が形成されていて、異方性導電
性接着剤で透明導電膜からなる入力端子129(図9中
の503に相当する)と接続する。異方性導電性接着剤
は接着剤135と、その中に混入され金などがメッキさ
れた数十〜数百μm径の導電性表面を有する粒子136
により構成され、この粒子136が入力端子129と銅
配線137とに接触することによりこの部分で電気的な
接触が形成される。さらに、この部分の機械的強度を高
めるために樹脂層139を設ける。(図3(B))
と端子部の配置を説明する図である。基板210上には
画素部211が設けられ、画素部にはゲート配線208
とソース配線207が交差して形成され、これに接続す
るnチャネル型TFT201が各画素に対応して設けら
れている。nチャネル型TFT201のドレイン側には
画素電極127及び保持容量202が接続し、保持容量
202のもう一方の端子は容量配線209に接続してい
る。nチャネル型TFT201と保持容量202の構造
は図3(A)で示すnチャネル型TFT201と保持容
量202と同じものとする。
る入力端子部205が形成され、接続配線206によっ
てゲート配線208に接続している。また、他の端部に
は画像信号を入力する入力端子部203が形成され、接
続配線204によってソース配線207に接続してい
る。ゲート配線208、ソース配線207、容量配線2
09は画素密度に応じて複数本設けられるものであり、
その本数は前述の如くである。また、画像信号を入力す
る入力端子部212と接続配線213を設け、入力端子
部203と交互にソース配線と接続させても良い。入力
端子部203、205、212はそれぞれ任意な数で設
ければ良いものとし、実施者が適宣決定すれば良い。
法の一例である。液晶表示装置は、TFTが作製された
基板301の端部には、入力端子部302が形成されこ
れは実施例1で示したようにゲート配線と同じ材料で形
成される端子303で形成される。そして対向基板30
4とスペーサ306を内包するシール剤305により貼
り合わされ、さらに偏光板307、308が設けられて
いる。そして、スペーサ322によって筐体321に固
定される。
コン膜で活性層を形成したTFTは、電界効果移動度が
小さく1cm2/Vsec程度しか得られていない。そのため
に、画像表示を行うための駆動回路はLSIチップで形
成され、TAB(tape automated bonding)方式やCO
G(chip on glass)方式で実装されている。本実施例
では、LSIチップ313に駆動回路を形成し、TAB
方式で実装する例を示す。これにはフレキシブルプリン
ト配線板(Flexible Printed Circuit:FPC)が用い
られ、FPCはポリイミドなどの有機樹脂フィルム30
9に銅配線310が形成されていて、異方性導電性接着
剤で入力端子302と接続する。入力端子は配線303
上に接して設けられた透明導電膜である。異方性導電性
接着剤は接着剤311と、その中に混入され金などがメ
ッキされた数十〜数百μm径の導電性表面を有する粒子
312により構成され、この粒子312が入力端子30
2と銅配線310とに接触することにより、この部分で
電気的な接触が形成される。そしてこの部分の機械的強
度を高めるために樹脂層318が設けられている。
線310に接続し、樹脂材料315で封止されている。
そして銅配線310は接続端子316でその他の信号処
理回路、増幅回路、電源回路などが形成されたプリント
基板317に接続されている。そして、透過型の液晶表
示装置では対向基板304に光源319と光導光体32
0が設けられてバックライトとして使用される。
した例を図6に示す。なお、本実施例は、実施例1の図
2(D)の状態まで同一であるので異なる点について以
下に説明する。また、図2(D)に対応する箇所は同一
の符号を用いた。
を得た後、薄い無機絶縁膜を全面に形成する。この薄い
無機絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン
膜、酸化窒化シリコン膜、酸化タンタル膜などの無機絶
縁膜を用い、これらの材料から成る単層または積層構造
として形成しても良い。
を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不
要な部分を除去して、画素TFT部においては絶縁膜4
02、端子部においては無機絶縁膜401をそれぞれ形
成する。この無機絶縁膜401、402は、パッシベー
ション膜として機能する。また、端子部においては、第
4のフォトリソグラフィー工程により薄い無機絶縁膜4
01を除去して、端子部の端子101を露呈させる。
グラフィー工程により、4枚のフォトマスクを使用し
て、無機絶縁膜で保護された逆スタガ型のnチャネル型
TFT、保持容量を完成させることができる。そして、
これらを個々の画素に対応してマトリクス状に配置し、
画素部を構成することによりアクティブマトリクス型の
液晶表示装置を作製するための一方の基板とすることが
できる。
2の構成と自由に組み合わせることが可能である。
質半導体膜、n型を付与する不純物元素を含む非晶質半
導体膜、及び金属膜をスパッタ法で積層形成した例を示
したが、本実施例では、プラズマCVD法を用いた例を
示す。
及びn型を付与する不純物元素を含む非晶質半導体膜を
プラズマCVD法で形成した。
コン膜を用い、プラズマCVD法により150nmの厚
さで形成する。この時、プラズマCVD装置において、
電源周波数13〜70MHz、好ましくは27〜60M
Hzで行えばよい。電源周波数27〜60MHzを使う
ことにより緻密な絶縁膜を形成することができ、ゲート
絶縁膜としての耐圧を高めることができる。また、Si
H4とN2OにO2を添加させて作製された酸化窒化シリ
コン膜は、膜中の固定電荷密度が低減されているので、
この用途に対して好ましい材料となる。勿論、ゲート絶
縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるもの
でなく、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化タンタ
ル膜などの他の絶縁膜を用い、これらの材料から成る単
層または積層構造として形成しても良い。また、下層を
窒化シリコン膜とし、上層を酸化シリコン膜とする積層
構造としても良い。
は、プラズマCVD法で、オルトケイ酸テトラエチル
(Tetraethyl Orthosilicate:TEOS)とO2とを混
合し、反応圧力40Pa、基板温度250〜350℃と
し、高周波(13.56MHz)電力密度0.5〜0.8W
/cm2で放電させて形成することができる。このようにし
て作製された酸化シリコン膜は、その後300〜400
℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を
得ることができる。
は、プラズマCVD法で水素化非晶質シリコン(a−S
i:H)膜を100nmの厚さに形成する。この時、プ
ラズマCVD装置において、電源周波数13〜70MH
z、好ましくは27〜60MHzで行えばよい。電源周
波数27〜60MHzを使うことにより成膜速度を向上
することが可能となり、成膜された膜は、欠陥密度の少
ないa−Si膜となるため好ましい。その他、この非晶
質半導体膜には、微結晶半導体膜、非晶質シリコンゲル
マニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を
適用することも可能である。
のプラズマCVD法による成膜において、100〜10
0kHzのパルス変調放電を行えば、プラズマCVD法
の気相反応によるパーティクルの発生を防ぐことがで
き、成膜においてピンホールの発生を防ぐことができる
ため好ましい。
素を含有する半導体膜として、n型を付与する不純物元
素を含む非晶質半導体膜を20〜80nmの厚さで形成
する。例えば、n型のa−Si:H膜を形成すれば良
く、そのためにシラン(SiH 4)に対して0.1〜5
%の濃度でフォスフィン(PH3)を添加する。或い
は、n型を付与する不純物元素を含む非晶質半導体膜1
06を水素化微結晶シリコン膜(μc−Si:H)で形
成しても良い。
ことにより、連続的に形成することができる。また、プ
ラズマCVD装置において、同一の反応室または複数の
反応室を用い、これらの膜を大気に晒すことなく連続し
て積層させることもできる。このように、大気に曝さな
いで連続成膜することで非晶質半導体膜への不純物の混
入を防止することができる。
ることが可能である。
は、絶縁膜、非晶質半導体膜、n+a−Si膜、金属膜
を順次、連続的に積層する例を示した。このように連続
的に成膜する場合において使用する複数のチャンバーを
備えた装置の一例を図10に示した。
ステム)の上面からみた概要を示す。図10において、
10〜15が気密性を有するチャンバーである。各チャ
ンバーには、真空排気ポンプ、不活性ガス導入系が配置
されている。
(処理基板)30をシステムに搬入するためのロードロ
ック室である。11は絶縁膜104を成膜するための第
1のチャンバーである。12は非晶質半導体膜105を
成膜するための第2のチャンバーである。13はn型を
付与する非晶質半導体膜106を成膜するための第3の
チャンバーである。14は金属膜107を成膜するため
の第4のチャンバーである。また、20は各チャンバー
に対して共通に配置された試料の共通室である。
態に真空引きされた後、さらに不活性ガス、ここでは窒
素によりパージされている状態(常圧)とする。また、
全てのゲート弁22〜27を閉鎖した状態とする。
ット28ごとロードロック室10に搬入される。カセッ
トの搬入後、図示しないロードロック室の扉を閉鎖す
る。この状態において、ゲート弁22を開けてカセット
から処理基板30を1枚取り出し、ロボットアーム21
によって共通室20に取り出す。この際、共通室におい
て位置合わせが行われる。なお、この基板30は実施例
1に従って得られた配線101、102、103が形成
されたものを用いた。
ト弁23を開ける。そして第1のチャンバー11へ処理
基板30を移送する。第1のチャンバー内では150℃
から300℃の温度で成膜処理を行い、絶縁膜104を
得る。なお、絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪素
膜、窒化酸化珪素膜、またはこれらの積層膜等を使用す
ることができる。本実施例では単層の窒化珪素膜を採用
しているが、二層または三層以上の積層構造としてもよ
い。なお、ここではプラズマCVD法が可能なチャンバ
ーを用いたが、ターゲットを用いたスパッタ法が可能な
チャンバーを用いても良い。
アームによって共通室に引き出され、第2のチャンバー
12に移送される。第2のチャンバー内では第1のチャ
ンバーと同様に150℃〜300℃の温度で成膜処理を
行い、プラズマCVD法で非晶質半導体膜105を得
る。なお、非晶質半導体膜としては、微結晶半導体膜、
非晶質ゲルマニウム膜、非晶質シリコンゲルマニウム
膜、またはこれらの積層膜等を使用することができる。
また、非晶質半導体膜の形成温度を350℃〜500℃
として水素濃度を低減するための熱処理を省略してもよ
い。なお、ここではプラズマCVD法が可能なチャンバ
ーを用いたが、ターゲットを用いたスパッタ法が可能な
チャンバーを用いても良い。
共通室に引き出され、第3のチャンバー13に移送され
る。第3のチャンバー内では第2のチャンバーと同様に
150℃〜300℃の温度で成膜処理を行い、プラズマ
CVD法でn型を付与する不純物元素(PまたはAs)
を含む非晶質半導体膜106を得る。なお、ここではプ
ラズマCVD法が可能なチャンバーを用いたが、ターゲ
ットを用いたスパッタ法が可能なチャンバーを用いても
良い。
導体膜の成膜終了後、処理基板は共通室に引き出され、
第4のチャンバー14に移送される。第4のチャンバー
内では金属ターゲットを用いたスパッタ法で金属膜10
7を得る。
被処理基板はロボットアームによってロードロック室1
5に移送されカセット29に収納される。
いことはいうまでもない。また、本実施例は実施例1乃
至4のいずれか一と自由に組み合わせることが必要であ
る。
バーを用いて連続的に積層する例を示したが、本実施例
では図11に示した装置を用いて一つのチャンバー内で
高真空を保ったまま連続的に積層した。
を用いた。図11において、40は処理基板、50は共
通室、44、46はロードロック室、45はチャンバ
ー、42、43はカセットである。本実施例では基板搬
送時に生じる汚染を防ぐために同一チャンバーで積層形
成した。
自由に組み合わせることができる。
ャンバー45に複数のターゲットを用意し、順次、反応
ガスを入れ替えて絶縁膜104、非晶質半導体膜10
5、n型を付与する不純物元素を含む非晶質半導体膜1
06、金属膜107を積層形成すればよい。
次、反応ガスを入れ替えて絶縁膜104、非晶質半導体
膜105、n型を付与する不純物元素を含む非晶質半導
体膜106を積層形成すればよい。
膜をスパッタ法で形成した例を示したが、本実施例で
は、プラズマCVD法で形成する例を示す。なお、本実
施例はn+a―Si膜の形成方法以外は実施例1と同一
であるため異なる点についてのみ以下に述べる。
シラン(SiH4)に対して0.1〜5%の濃度でフォ
スフィン(PH3)を添加すれば、n+a―Si膜を得る
ことができる。
膜をプラズマCVD法で形成した例を示したが、本実施
例では、n型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体
膜を用いた例を示す。
40〜200℃とし、水素で希釈したシランガス(Si
H4:H2=1:10〜100)とフォスフィン(P
H3)との混合ガスを反応ガスとし、ガス圧を0.1〜
10Torr、放電電力を10〜300mW/cm2と
することで微結晶珪素膜を得ることができる。また、こ
の微結晶珪素膜成膜後にリンをプラズマドーピングして
形成してもよい。
て、液晶表示装置の組み立てる様子を模式的に示す図で
ある。第1の基板には画素領域803、外部入出力端子
804、接続配線805が形成されている。点線で囲ま
れた領域は、走査線側のICチップ貼り合わせ領域80
1とデータ線側のICチップ貼り合わせ領域802であ
る。第2の基板808には対向電極809が形成され、
シール材810で第1の基板800と貼り合わせる。シ
ール材810の内側には液晶が封入され液晶層811を
形成する。第1の基板と第2の基板とは所定の間隔を持
って貼り合わせるが、ネマチック液晶の場合には3〜8
μm、スメチック液晶の場合には1〜4μmとする。
と走査線側とで回路構成が異なる。ICチップは第1の
基板に実装する。外部入出力端子804には、外部から
電源及び制御信号を入力するためのFPC(フレキシブ
ルプリント配線板:Flexible Printed Circuit)812
を貼り付ける。FPC812の接着強度を高めるために
補強板813を設けても良い。こうして液晶表示装置を
完成させることができる。ICチップは第1の基板に実
装する前に電気検査を行えば液晶表示装置の最終工程で
の歩留まりを向上させることができ、また、信頼性を高
めることができる。
る方法は、異方性導電材を用いた接続方法やワイヤボン
ディング方式などを採用することができる。図13にそ
の一例を示す。図13(A)は第1の基板901にIC
チップ908が異方性導電材を用いて実装する例を示し
ている。第1の基板901上には画素領域902、引出
線906、接続配線及び入出力端子907が設けられて
いる。第2の基板はシール材904で第1の基板901
と接着されており、その間に液晶層905が設けられて
いる。
方の端にはFPC912が異方性導電材で接着されてい
る。異方性導電材は樹脂915と表面にAuなどがメッ
キされた数十〜数百μm径の導電性粒子914から成
り、導電性粒子914により接続配線及び入出力端子9
07とFPC912に形成された配線913とが電気的
に接続されている。ICチップ908も同様に異方性導
電材で第1の基板に接着され、樹脂911中に混入され
た導電性粒子910により、ICチップ908に設けら
れた入出力端子909と引出線906または接続配線及
び入出力端子907と電気的に接続されている。
板にICチップを接着材916で固定して、Auワイヤ
917によりスティックドライバの入出力端子と引出線
または接続配線とを接続しても良い。そして樹脂918
で封止する。
を基にした方法に限定されるものではなく、ここで説明
した以外にも公知のCOG方法やワイヤボンディング方
法、或いはTAB方法を用いることが可能である。
可能である。
表示装置に対応するアクティブマトリクス基板の作製方
法を示したが、本実施例では図14を用い、反射型の液
晶表示装置に適用する例について示す。
に示す工程までを行う。そして、有機樹脂膜からなる層
間絶縁膜を形成する。次いで、層間絶縁膜の凹凸化処理
を行い凹凸部を有する層間絶縁膜601を形成する。こ
の凹凸化処理としては、ファイバーやスペーサを含む有
機樹脂膜を塗布する方法を用いてもよいし、マスクを使
用して有機樹脂膜を部分的にエッチングして形成する方
法を用いてもよいし、マスクを使用して感光性樹脂をエ
ッチングして円柱状とした後、加熱してリフローを施し
て形成する方法を用いてもよい。
リソグラフィー工程によりソース配線及びドレイン電極
に達するコンタクトホールを形成する。また、同工程で
保持容量を形成するために電極に達するコンタクトホー
ルを形成するとともに、端子部上の層間絶縁膜を除去す
る。
g等)を形成する。
によりレジストマスクパターンを形成し、エッチングに
よって反射性を有する導電膜からなる画素電極602を
形成する。こうして形成された画素電極602は凹凸部
を有しており、光を散乱させることができ鏡面化を防止
することができる。また、同時にソース電極に達する引
き出し配線603を形成する。
で省略する。こうして4回のフォトリソグラフィー工程
により、4枚のフォトマスクを使用して反射型の液晶表
示装置に対応したアクティブマトリクス基板を作製する
ことができる。
と組み合わせることが可能である。
れたCMOS回路や画素部は様々な電気光学装置(アク
ティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマト
リクス型ECディスプレイ)に用いることができる。即
ち、それら電気光学装置を表示部に組み込んだ電子機器
全てに本願発明を実施できる。
ラ、デジタルカメラ、プロジェクター(リア型またはフ
ロント型)、ヘッドマウントディスプレイ(ゴーグル型
ディスプレイ)、カーナビゲーション、カーステレオ、
パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコン
ピュータ、携帯電話または電子書籍等)などが挙げられ
る。それらの一例を図15、図16及び図17に示す。
あり、本体2001、画像入力部2002、表示部20
03、キーボード2004等を含む。本発明を画像入力
部2002、表示部2003やその他の信号駆動回路に
適用することができる。
2101、表示部2102、音声入力部2103、操作
スイッチ2104、バッテリー2105、受像部210
6等を含む。本発明を表示部2102やその他の信号駆
動回路に適用することができる。
ービルコンピュータ)であり、本体2201、カメラ部
2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表
示部2205等を含む。本発明は表示部2205やその
他の信号駆動回路に適用できる。
あり、本体2301、表示部2302、アーム部230
3等を含む。本発明は表示部2302やその他の信号駆
動回路に適用することができる。
媒体(以下、記録媒体と呼ぶ)を用いるプレーヤーであ
り、本体2401、表示部2402、スピーカ部240
3、記録媒体2404、操作スイッチ2405等を含
む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(D
igtial Versatile Disc)、CD
等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネッ
トを行うことができる。本発明は表示部2402やその
他の信号駆動回路に適用することができる。
体2501、表示部2502、接眼部2503、操作ス
イッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。本願
発明を表示部2502やその他の信号駆動回路に適用す
ることができる。
であり、投射装置2601、スクリーン2602等を含
む。本発明は投射装置2601の一部を構成する液晶表
示装置2808やその他の信号駆動回路に適用すること
ができる。
り、本体2701、投射装置2702、ミラー270
3、スクリーン2704等を含む。本発明は投射装置2
702の一部を構成する液晶表示装置2808やその他
の信号駆動回路に適用することができる。
図16(B)中における投射装置2601、2702の
構造の一例を示した図である。投射装置2601、27
02は、光源光学系2801、ミラー2802、280
4〜2806、ダイクロイックミラー2803、プリズ
ム2807、液晶表示装置2808、位相差板280
9、投射光学系2810で構成される。投射光学系28
10は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施
例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単
板式であってもよい。また、図16(C)中において矢
印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機
能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィル
ム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
おける光源光学系2801の構造の一例を示した図であ
る。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクタ
ー2811、光源2812、レンズアレイ2813、2
814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で
構成される。なお、図16(D)に示した光源光学系は
一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に
実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィル
ムや、位相差を調節するフィルム、IRフィルム等の光
学系を設けてもよい。
おいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示して
おり、反射型の電気光学装置での適用例は図示していな
い。
01、音声出力部2902、音声入力部2903、表示
部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906
等を含む。本願発明を音声出力部2902、音声入力部
2903、表示部2904やその他の信号駆動回路に適
用することができる。
り、本体3001、表示部3002、3003、記憶媒
体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006
等を含む。本発明は表示部3002、3003やその他
の信号回路に適用することができる。
3101、支持台3102、表示部3103等を含む。
本発明は表示部3103に適用することができる。本発
明のディスプレイは特に大画面化した場合において有利
であり、対角10インチ以上(特に30インチ以上)の
ディスプレイには有利である。
広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能で
ある。また、本実施例の電子機器は実施例1〜10のど
のような組み合わせからなる構成を用いても実現するこ
とができる。
ィー工程により、3枚のフォトマスクを使用して、逆ス
タガ型のnチャネル型TFTを有する画素TFT部、及
び保持容量を備えた液晶表示装置を実現することができ
る。
4回のフォトリソグラフィー工程により、4枚のフォト
マスクを使用して、無機絶縁膜で保護された逆スタガ型
のnチャネル型TFTを有する画素TFT部、及び保持
容量を備えた液晶表示装置を実現することができる。
を説明する上面図。
Claims (25)
- 【請求項1】ゲート配線と、ソース配線と、画素電極と
を有する半導体装置であって、 絶縁表面上に形成されたゲート配線と、 前記ゲート配線上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された非晶質半導体膜と、 前記非晶質半導体膜上に形成されたソース領域及びドレ
イン領域と、 前記ソース領域または前記ドレイン領域上に形成された
ソース配線または電極と、 前記電極上に形成された画素電極とを有し、 前記ドレイン領域または前記ソース領域の一つの端面
は、前記絶縁膜の端面、前記非晶質半導体膜の端面、及
び前記電極の端面と概略一致することを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項2】ゲート配線と、ソース配線と、画素電極と
を有する半導体装置であって、 絶縁表面上に形成されたゲート配線と、 前記ゲート配線上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された非晶質半導体膜と、 前記非晶質半導体膜上に形成されたソース領域及びドレ
イン領域と、 前記ソース領域または前記ドレイン領域上に形成された
ソース配線または電極と、 前記電極上に形成された画素電極とを有し、 前記ドレイン領域または前記ソース領域の一つの端面
は、前記絶縁膜の端面、前記非晶質半導体膜の端面、及
び前記電極の端面と概略一致し、もう一つの端面は、前
記画素電極の端面及び前記電極のもう一つの端面と概略
一致することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項3】請求項1または請求項2において、前記ソ
ース領域及び前記ドレイン領域は、n型を付与する不純
物元素を含む非晶質半導体膜からなることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項4】請求項1乃至3のいずれか一において、前
記絶縁膜、前記非晶質半導体膜、前記ソース領域、及び
前記ドレイン領域は、大気に曝されることなく連続的に
形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】請求項1乃至4のいずれか一において、前
記絶縁膜、前記非晶質半導体膜、前記ソース領域、また
は前記ドレイン領域は、スパッタ法により形成されたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項6】請求項1乃至5のいずれか一において、前
記絶縁膜、前記非晶質半導体膜、前記ソース領域、また
は前記ドレイン領域は、プラズマCVD法により形成さ
れたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項7】請求項1乃至6のいずれか一において、前
記ゲート配線は、Al、Ti、Mo、W、Ta、Ndま
たはCrから選ばれた元素を主成分とする膜またはそれ
らの合金膜またはそれらの積層膜からなることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項8】請求項1乃至7のいずれか一において、前
記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記絶縁膜、前
記非晶質半導体膜、及び前記電極と同一のマスクにより
形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項9】請求項1乃至8のいずれか一において、前
記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記ソース配線
と同一のマスクにより形成されたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項10】請求項1乃至8のいずれか一において、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記ソース配
線及び前記画素電極と同一のマスクにより形成されたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項11】請求項1乃至10のいずれか一におい
て、前記非晶質半導体膜のうち、前記ソース領域及びド
レイン領域と接する領域における膜厚は、前記ソース領
域と接する領域と前記ドレイン領域と接する領域との間
の領域における膜厚より厚いことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項12】請求項1乃至11のいずれか一におい
て、前記半導体装置は、前記画素電極が透明導電膜から
なる透過型の液晶表示装置であることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項13】請求項1乃至11のいずれか一におい
て、前記半導体装置は、前記画素電極がAlまたはAg
を主成分とする膜またはそれらの積層膜からなる反射型
の液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項14】請求項1乃至13のいずれか一におい
て、前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデ
オカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタル
ビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器である
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項15】第1のマスクを用いてゲート配線を形成
する第1工程と、 前記ゲート配線を覆う絶縁膜を形成する第2工程と、 前記絶縁膜上に第1の非晶質半導体膜を形成する第3工
程と、 前記第1の非晶質半導体膜上にn型を付与する不純物元
素を含む第2の非晶質半導体膜を形成する第4工程と、 前記第2の非晶質半導体膜上に第1の導電膜を形成する
第5工程と、 第2のマスクを用いて前記絶縁膜、前記第1の非晶質半
導体膜、第2の非晶質半導体膜、及び前記第1の導電膜
を選択的に除去してソース配線及び電極を形成する第6
工程と、 前記ソース配線及び電極と接して重なる第2の導電膜を
形成する第7工程と、 第3のマスクを用いて前記第1の非晶質半導体膜の一
部、第2の非晶質半導体膜、前記第1の導電膜、及び前
記第2の導電膜を選択的に除去して、前記第2の非晶質
半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域と、前記
第2の導電膜からなる画素電極とを形成する第8工程
と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項16】請求項15において、前記第2工程から
前記第5工程まで、大気に曝されることなく連続的に形
成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項17】請求項15または請求項16において、
前記絶縁膜は、スパッタ法により形成することを特徴と
する半導体装置の作製方法。 - 【請求項18】請求項15乃至17のいずれか一におい
て、前記第1の非晶質半導体膜は、スパッタ法により形
成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項19】請求項15乃至18のいずれか一におい
て、前記第2の非晶質半導体膜は、スパッタ法により形
成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項20】請求項15乃至18のいずれか一におい
て、前記第2工程から前記第5工程まで、同一チャンバ
ー内で連続的に形成することを特徴とする半導体装置の
作製方法。 - 【請求項21】請求項15において、前記絶縁膜は、プ
ラズマCVD法により形成することを特徴とする半導体
装置の作製方法。 - 【請求項22】請求項15または請求項21において、
前記第1の非晶質半導体膜は、プラズマCVD法により
形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項23】請求項15、請求項21、または請求項
22において、前記第2の非晶質半導体膜は、プラズマ
CVD法により形成することを特徴とする半導体装置の
作製方法。 - 【請求項24】請求項15乃至23のいずれか一におい
て、前記第2の導電膜は、透明導電膜であることを特徴
とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項25】請求項15乃至23のいずれか一におい
て、前記第2の導電膜は、反射性を有する導電膜である
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (14)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000064227A JP2001257350A (ja) | 2000-03-08 | 2000-03-08 | 半導体装置およびその作製方法 |
US09/566,735 US6387737B1 (en) | 2000-03-08 | 2000-05-09 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TW090105330A TW503444B (en) | 2000-03-08 | 2001-03-07 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR1020010012029A KR100753785B1 (ko) | 2000-03-08 | 2001-03-08 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
US10/144,067 US6747288B2 (en) | 2000-03-08 | 2002-05-14 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10/852,260 US7019329B2 (en) | 2000-03-08 | 2004-05-25 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11/387,800 US7414266B2 (en) | 2000-03-08 | 2006-03-24 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US12/222,687 US7728334B2 (en) | 2000-03-08 | 2008-08-14 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US12/232,310 US7652294B2 (en) | 2000-03-08 | 2008-09-15 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US12/789,382 US8198630B2 (en) | 2000-03-08 | 2010-05-27 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US13/488,926 US8586988B2 (en) | 2000-03-08 | 2012-06-05 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US14/082,659 US9059045B2 (en) | 2000-03-08 | 2013-11-18 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US14/737,672 US9368514B2 (en) | 2000-03-08 | 2015-06-12 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US15/178,919 US9786687B2 (en) | 2000-03-08 | 2016-06-10 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000064227A JP2001257350A (ja) | 2000-03-08 | 2000-03-08 | 半導体装置およびその作製方法 |
Related Child Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003047553A Division JP4118705B2 (ja) | 2003-02-25 | 2003-02-25 | 半導体装置の作製方法 |
JP2006058636A Division JP4128588B2 (ja) | 2006-03-03 | 2006-03-03 | 液晶表示装置 |
JP2006058634A Division JP2006235638A (ja) | 2006-03-03 | 2006-03-03 | 液晶表示装置 |
JP2006326118A Division JP2007134730A (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001257350A true JP2001257350A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18583955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000064227A Withdrawn JP2001257350A (ja) | 2000-03-08 | 2000-03-08 | 半導体装置およびその作製方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (11) | US6387737B1 (ja) |
JP (1) | JP2001257350A (ja) |
KR (1) | KR100753785B1 (ja) |
TW (1) | TW503444B (ja) |
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US20090026464A1 (en) | 2009-01-29 |
US7414266B2 (en) | 2008-08-19 |
US6747288B2 (en) | 2004-06-08 |
TW503444B (en) | 2002-09-21 |
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US9059045B2 (en) | 2015-06-16 |
US9368514B2 (en) | 2016-06-14 |
US20120299001A1 (en) | 2012-11-29 |
US20060163574A1 (en) | 2006-07-27 |
US20020132396A1 (en) | 2002-09-19 |
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US20080315208A1 (en) | 2008-12-25 |
KR100753785B1 (ko) | 2007-08-31 |
US20160358941A1 (en) | 2016-12-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070724 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070820 |