JPH07159776A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH07159776A JPH07159776A JP33989293A JP33989293A JPH07159776A JP H07159776 A JPH07159776 A JP H07159776A JP 33989293 A JP33989293 A JP 33989293A JP 33989293 A JP33989293 A JP 33989293A JP H07159776 A JPH07159776 A JP H07159776A
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- Japan
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- liquid crystal
- electrode
- crystal display
- display device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゲストホスト型あるいは高分子分散型であっ
て反射板兼画素電極を備えたアクティブマトリックス型
の反射型液晶表示装置において、外部散乱光の影響を受
けにくいようにする。 【構成】 格子状の補助容量電極17上に層間絶縁膜1
9を介してアルミニウムからなるほぼ方形状の反射板兼
画素電極23が設けられている。したがって、反射板兼
画素電極23の表面は格子状の補助容量電極17に対応
した凹凸形状となっている。この結果、反射板兼画素電
極23の表面で反射される反射光の強度を均一に分散さ
せることができ、ひいては外部散乱光の影響を受けにく
いようにすることができる。
て反射板兼画素電極を備えたアクティブマトリックス型
の反射型液晶表示装置において、外部散乱光の影響を受
けにくいようにする。 【構成】 格子状の補助容量電極17上に層間絶縁膜1
9を介してアルミニウムからなるほぼ方形状の反射板兼
画素電極23が設けられている。したがって、反射板兼
画素電極23の表面は格子状の補助容量電極17に対応
した凹凸形状となっている。この結果、反射板兼画素電
極23の表面で反射される反射光の強度を均一に分散さ
せることができ、ひいては外部散乱光の影響を受けにく
いようにすることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は反射型液晶表示装置に
関する。
関する。
【0002】
【従来の技術】ゲストホスト型あるいは高分子分散型の
反射型液晶表示装置には、偏光板を用いずに、セル内に
反射板を設けたものがある。この場合、表示媒質として
は、ゲストホスト型では液晶(ゲスト)中に染料(ホス
ト)を混合したものを用いており、高分子分散型ではモ
ノマ中に液晶を混合してアニールすることにより、モノ
マを重合してポリマとしたものを用いている。また、セ
ル内の反射板としては、アクティブマトリックス型の場
合には、画素電極によって兼用したものがある。そし
て、反射板兼画素電極の表面からなる鏡面によって外部
光をそのまま反射している。
反射型液晶表示装置には、偏光板を用いずに、セル内に
反射板を設けたものがある。この場合、表示媒質として
は、ゲストホスト型では液晶(ゲスト)中に染料(ホス
ト)を混合したものを用いており、高分子分散型ではモ
ノマ中に液晶を混合してアニールすることにより、モノ
マを重合してポリマとしたものを用いている。また、セ
ル内の反射板としては、アクティブマトリックス型の場
合には、画素電極によって兼用したものがある。そし
て、反射板兼画素電極の表面からなる鏡面によって外部
光をそのまま反射している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような反射型液晶表示装置では、反射板兼画素電極
が平板状であるので、その表面からなる平坦な鏡面によ
って外部光をそのまま反射する際に、外部散乱光の影響
を受けやすく、近くのものが映ったり、回析あるいは干
渉により反射光に色が付いたりして、表示品質が低下す
るという問題があった。この発明の目的は、外部散乱光
の影響を受けにくいようにすることのできる反射型液晶
表示装置を提供することにある。
このような反射型液晶表示装置では、反射板兼画素電極
が平板状であるので、その表面からなる平坦な鏡面によ
って外部光をそのまま反射する際に、外部散乱光の影響
を受けやすく、近くのものが映ったり、回析あるいは干
渉により反射光に色が付いたりして、表示品質が低下す
るという問題があった。この発明の目的は、外部散乱光
の影響を受けにくいようにすることのできる反射型液晶
表示装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明は、反射板兼画
素電極の表面を凹凸形状としたものである。
素電極の表面を凹凸形状としたものである。
【0005】
【作用】この発明によれば、反射板兼画素電極の表面が
凹凸形状であるので、この表面で反射される反射光の強
度を均一に分散することができ、この結果外部散乱光の
影響を受けにくいようにすることができる。
凹凸形状であるので、この表面で反射される反射光の強
度を均一に分散することができ、この結果外部散乱光の
影響を受けにくいようにすることができる。
【0006】
【実施例】図1(A)および(B)はこの発明の一実施
例における反射型液晶表示装置の要部を示したものであ
る。この反射型液晶表示装置は、アクティブマトリック
ス型であって、表示駆動パネル1上に共通電極パネル2
が図示しないスペーサを介して重ね合わされ、その間に
液晶3が封入された構造となっている。なお、ここでい
う液晶3とは、ゲストホスト型の場合には、液晶(ゲス
ト)中に染料(ホスト)を混合したものをいい、高分子
分散型の場合には、モノマ中に液晶を混合してアニール
することにより、モノマを重合してポリマとしたものを
いう。
例における反射型液晶表示装置の要部を示したものであ
る。この反射型液晶表示装置は、アクティブマトリック
ス型であって、表示駆動パネル1上に共通電極パネル2
が図示しないスペーサを介して重ね合わされ、その間に
液晶3が封入された構造となっている。なお、ここでい
う液晶3とは、ゲストホスト型の場合には、液晶(ゲス
ト)中に染料(ホスト)を混合したものをいい、高分子
分散型の場合には、モノマ中に液晶を混合してアニール
することにより、モノマを重合してポリマとしたものを
いう。
【0007】表示駆動パネル1はガラス基板11を備え
ている。ガラス基板11の上面の所定の個所には、薄膜
トランジスタ(スイッチング素子)12の一部を構成す
るアモルファスシリコンまたはポリシリコンからなる半
導体薄膜13が形成され、その上面全体には酸化シリコ
ン等からなるゲート絶縁膜14が形成されている。ゲー
ト絶縁膜14の上面の各所定の個所には、ゲート電極1
5、ゲート電極15に接続されたゲートライン16、格
子状の補助容量電極(下層)17、補助容量電極17に
接続された補助容量ライン18がそれぞれアルミニウム
によって形成され、その上面全体には窒化シリコン等か
らなる層間絶縁膜19が形成されている。層間絶縁膜1
9の上面の各所定の個所には、ドレイン電極20、ドレ
イン電極20に接続されたドレインライン21、ソース
電極22、ソース電極22に接続されたほぼ方形状の反
射板兼画素電極23がそれぞれアルミニウムによって形
成されている。この場合、反射板兼画素電極23は格子
状の補助容量電極17を被っている層間絶縁膜19の上
面に形成されているので、その表面は格子状の補助容量
電極17に対応した凹凸形状となっている。また、ドレ
イン電極20およびソース電極22はコンタクトホール
を介して半導体薄膜13と接続されている。
ている。ガラス基板11の上面の所定の個所には、薄膜
トランジスタ(スイッチング素子)12の一部を構成す
るアモルファスシリコンまたはポリシリコンからなる半
導体薄膜13が形成され、その上面全体には酸化シリコ
ン等からなるゲート絶縁膜14が形成されている。ゲー
ト絶縁膜14の上面の各所定の個所には、ゲート電極1
5、ゲート電極15に接続されたゲートライン16、格
子状の補助容量電極(下層)17、補助容量電極17に
接続された補助容量ライン18がそれぞれアルミニウム
によって形成され、その上面全体には窒化シリコン等か
らなる層間絶縁膜19が形成されている。層間絶縁膜1
9の上面の各所定の個所には、ドレイン電極20、ドレ
イン電極20に接続されたドレインライン21、ソース
電極22、ソース電極22に接続されたほぼ方形状の反
射板兼画素電極23がそれぞれアルミニウムによって形
成されている。この場合、反射板兼画素電極23は格子
状の補助容量電極17を被っている層間絶縁膜19の上
面に形成されているので、その表面は格子状の補助容量
電極17に対応した凹凸形状となっている。また、ドレ
イン電極20およびソース電極22はコンタクトホール
を介して半導体薄膜13と接続されている。
【0008】共通電極パネル2はガラス基板31を備え
ている。ガラス基板31の下面にはITOからなる共通
電極32が形成されている。そして、反射板兼画素電極
23、共通電極32およびその間の液晶3により、画素
静電容量部が構成されている。また、反射板兼画素電極
23、補助容量電極17およびその間の層間絶縁膜19
により、補助静電容量部が構成されている。
ている。ガラス基板31の下面にはITOからなる共通
電極32が形成されている。そして、反射板兼画素電極
23、共通電極32およびその間の液晶3により、画素
静電容量部が構成されている。また、反射板兼画素電極
23、補助容量電極17およびその間の層間絶縁膜19
により、補助静電容量部が構成されている。
【0009】このように、この反射型液晶表示装置で
は、反射板兼画素電極23の表面を格子状の補助容量電
極17に対応した凹凸形状としているので、この表面で
反射される反射光の強度を均一に分散することができ
る。この結果、外部散乱光の影響を受けにくいようにす
ることができ、ひいては近くのものが映ったり、回析あ
るいは干渉により反射光に色が付いたりすることがな
く、表示品質の向上を図ることができる。また、反射板
兼画素電極23の表面の凹凸形状はその下に設けられた
格子状の補助容量電極17に対応する形状としているの
で、反射板兼画素電極23をただ単に形成するだけで、
その表面を格子状の凹凸形状とすることができ、したが
って反射板兼画素電極23の表面を凹凸形状にするため
の特別の工程を必要としない。また、反射板兼画素電極
23の下に補助容量電極17を設けているので、補助容
量電極17を開口部全般の広い範囲にわたって設けて
も、補助容量電極17による開口率の減少が生じないよ
うにすることができる。
は、反射板兼画素電極23の表面を格子状の補助容量電
極17に対応した凹凸形状としているので、この表面で
反射される反射光の強度を均一に分散することができ
る。この結果、外部散乱光の影響を受けにくいようにす
ることができ、ひいては近くのものが映ったり、回析あ
るいは干渉により反射光に色が付いたりすることがな
く、表示品質の向上を図ることができる。また、反射板
兼画素電極23の表面の凹凸形状はその下に設けられた
格子状の補助容量電極17に対応する形状としているの
で、反射板兼画素電極23をただ単に形成するだけで、
その表面を格子状の凹凸形状とすることができ、したが
って反射板兼画素電極23の表面を凹凸形状にするため
の特別の工程を必要としない。また、反射板兼画素電極
23の下に補助容量電極17を設けているので、補助容
量電極17を開口部全般の広い範囲にわたって設けて
も、補助容量電極17による開口率の減少が生じないよ
うにすることができる。
【0010】なお、上記実施例では、補助容量電極17
を格子状とし、反射板兼画素電極23の表面をそれに対
応した形状としているが、これに限らず、例えば補助容
量電極17をモザイク状とし、反射板兼画素電極23の
表面をそれに対応した形状としてもよい。また、上記実
施例ではスイッチング素子として薄膜トランジスタ12
を用いているが、これの代わりにMIM等を用いてもよ
い。
を格子状とし、反射板兼画素電極23の表面をそれに対
応した形状としているが、これに限らず、例えば補助容
量電極17をモザイク状とし、反射板兼画素電極23の
表面をそれに対応した形状としてもよい。また、上記実
施例ではスイッチング素子として薄膜トランジスタ12
を用いているが、これの代わりにMIM等を用いてもよ
い。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、反射板兼画素電極の表面を凹凸形状としているの
で、この表面で反射される反射光の強度を均一に分散す
ることができ、この結果外部散乱光の影響を受けにくい
ようにすることができ、ひいては近くのものが映った
り、回析あるいは干渉により反射光に色が付いたりする
ことがなく、表示品質の向上を図ることができる。
ば、反射板兼画素電極の表面を凹凸形状としているの
で、この表面で反射される反射光の強度を均一に分散す
ることができ、この結果外部散乱光の影響を受けにくい
ようにすることができ、ひいては近くのものが映った
り、回析あるいは干渉により反射光に色が付いたりする
ことがなく、表示品質の向上を図ることができる。
【図1】(A)はこの発明の一実施例における反射型液
晶表示装置の要部の平面図、(B)はそのB−B線に沿
う断面図。
晶表示装置の要部の平面図、(B)はそのB−B線に沿
う断面図。
12 薄膜トランジスタ(スイッチング素子) 17 補助容量電極(下層) 23 反射板兼画素電極
Claims (4)
- 【請求項1】 反射板兼画素電極を備えた反射型液晶表
示装置において、前記反射板兼画素電極の表面を凹凸形
状としたことを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記反射板兼画素電極ごとにスイッチン
グ素子を設けたことを特徴とする請求項1記載の反射型
液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記反射板兼画素電極の表面の凹凸形状
は該反射板兼画素電極下に設けられた格子状の下層に対
応する形状であることを特徴とする請求項1記載の反射
型液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記下層は補助容量電極であることを特
徴とする請求項3記載の反射型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33989293A JPH07159776A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33989293A JPH07159776A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07159776A true JPH07159776A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18331798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33989293A Pending JPH07159776A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07159776A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6172728B1 (en) | 1997-02-07 | 2001-01-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective LCD including address lines shaped to reduce parasitic capacitance |
US6600534B1 (en) | 1997-12-24 | 2003-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective liquid crystal display device |
KR100569052B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2006-04-10 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
JP2006171455A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2007139934A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2007232818A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 画像表示装置 |
CN100389342C (zh) * | 2006-02-16 | 2008-05-21 | 友达光电股份有限公司 | 显示器面板及其中的像素单元 |
US7671929B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-03-02 | Au Optronics Corp. | Display panel and pixel element thereof |
JPWO2010134236A1 (ja) * | 2009-05-18 | 2012-11-08 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
US8873011B2 (en) | 2000-03-16 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
US9048146B2 (en) | 2000-05-09 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9059045B2 (en) | 2000-03-08 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9099355B2 (en) | 2000-03-06 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
-
1993
- 1993-12-07 JP JP33989293A patent/JPH07159776A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6172728B1 (en) | 1997-02-07 | 2001-01-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective LCD including address lines shaped to reduce parasitic capacitance |
US6600534B1 (en) | 1997-12-24 | 2003-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective liquid crystal display device |
US9099355B2 (en) | 2000-03-06 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US9059045B2 (en) | 2000-03-08 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9786687B2 (en) | 2000-03-08 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9368514B2 (en) | 2000-03-08 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8873011B2 (en) | 2000-03-16 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
US9298056B2 (en) | 2000-03-16 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
US9429807B2 (en) | 2000-05-09 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9048146B2 (en) | 2000-05-09 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR100569052B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2006-04-10 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
JP2006171455A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP4578958B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2010-11-10 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2007139934A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
US7817215B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-10-19 | Au Optronics Corp. | Display panel and pixel element thereof |
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CN100389342C (zh) * | 2006-02-16 | 2008-05-21 | 友达光电股份有限公司 | 显示器面板及其中的像素单元 |
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JPWO2010134236A1 (ja) * | 2009-05-18 | 2012-11-08 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
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