JPH03209224A - 反射型液晶表示デバイス - Google Patents

反射型液晶表示デバイス

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、表示装置に利用するＦｉｌ膜トランジスタを
有した反射型液晶表示デバイスに関するものである． 従来の技術 近年、アクティブ素子を利用した液晶表示デバイスはポ
ケットテレビまたは情報端末機器として利用されるよう
になってきた。
以下に従来の反射型液晶表示デバイスについて説明する
． 第３図は従来の反射型液晶表示デバイスの断面図であり
、１は絶縁基板、２はソース電極、３はスイッチング素
子、４は絶縁体層、５は反射百素電極、６はゲート絶縁
膜、７は絶縁体層、８は液晶、９は対向共通電極、ｌＯ
は対向透明基板、ｌ１はブラックストライプである． 以上のように構威された反射型液晶表示デバイスについ
て、以下その動作を説明する．まず、画素を選択するゲ
ート信号がゲート電極３に加わると半導体部４がオン状
態になり、”ノース電極の画像信号が半導体部４を通り
、反射両素１［５に電流が流れる．これにより、反射画
素電極５と対向共通電極１０に挟まれた液晶層９に電■
Ｅが印加され、液晶が動作する。ζのとき、表示を見や
すくするための光は対向透明基板１０側から照射され、
反射画素電極５で入射光は反射される．ここで、光は液
晶層８を通る際に偏光され、偏光されなかった画素との
間にコンｌ−ラストの差が生し、画像が得られる．ブラ
ックストライプ１ｌは表示Ｊ＝画素を分離し画質を向−
Ｌさせる役割をもつ 発明が解決し７ようとする課題 しかしながら上記従来の構成ではスインチング素子の−
１二部に絶縁体層７を戒膜し、コンタクトホールを形成
した後、反射画素電極５を形成する構造であるために、
透過型液晶表示デバイスに比べ製造工程が複雑であり、
マスク枚数が多く、かつ、高コストである問題が生して
いた． 本発明は上記従来の問題点を解決するもので製造′ｆ．
程を箭略イ】．でき、マスク枚数を削減できるため、コ
ス１．４人幅に削減できる反射型液晶表示デバイスを提
供φ−ることを目的とする、、課題を解決するための手
段 この目的を達戒するために本発明の反射型液晶表示デバ
イスは、薄膜トランジスタ構造のスイツヂング素子をゲ
ート電極のバス配線上部にゲート電極幅より小さく形成
し、上記薄膜トランジスタのドレイン電極が高反射率を
有し、かつ、光の拡散効率の高い導電性材料で形成され
た画素電極の構成を有している． 作用 この構或Ｃごよって、製造工程を従来の反射型液晶表示
デバイスより少なくとも４工程を簡略化でき、マスク枚
数を２枚削減できるため、コストを大幅に削減すること
ができる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
第ｌ図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスのアレイ側基板の平面構造を示すものである。第１
図において、２２はソース・バス電極である。２３はゲ
ート・バス電極としてスパンタリングで形成したクロム
金属、２４はプラズマＣＶＤで形成した非晶質珪素であ
る。この半導体部をゲート・パス電極２３より小さくし
、ゲート・バス配線Ｌに形成する。２５は低真空状態で
蒸着したアル稟ニウムで形戒された拡散反射電極である
。アルミニウム表面に細かな凹凸を設けることによって
拡散反射物質として使用する．２６はプラズマＣＶＤに
より成膜した非晶質窒化珪素からなるゲート絶縁膜であ
る． 第２図は第Ｉ図における平面図のＡ−Ａ”断面を示す反
射型表示デバイスの断面図である．２１は絶縁基板とし
てガラス基板、２２．２３．２４．２５と２６は上記第
１図に示すとおり、２９はゲスト・ホストモードの液晶
、３０は対向透明電極としてスパッタリングによって成
膜したインジュウムー錫酸化ＭＣＩＴＯ）、３１は対向
基板としてガラス基板、３２はクロム金属で形成したブ
ラノクストライプ、３３はドレイン電極と半導体層との
接触をオーム接触にするための中間メタル層としてのコ
ンタクトメタルである。
以上のように構或された反射形液晶表示デバイスについ
て、その動作は従来例の動作と同様である。
以上のように本実施例によれば、薄膜トランジスタの半
導体部をゲート・バス電極上に形成し、ドレイン電極を
低真空圧状態で蒸着したアルミニウムで構威した拡散反
射電極とすることによって、従来の反射型液晶表示デバ
イスより製造工程を簡略化でき、マスク枚数を削減でき
るため、コストを大幅に削減することができる。
また、薄膜トランジスタのドレイン電極と画素電極の接
続のための配線が不要なため、高開口率を実現できる． さらに、薄膜トランジスタのドレイン電極である拡散画
素電極をＩＴＯで形戒すれば透過型液晶表示デバイスと
して用いることができる．すなわち、同じマスクで反射
型と透過型の構造が可能となり、コトスがさらに削減す
ることができる利点もある． なお、上記実施例では、拡散反射電極をアルミニウムで
形成したが、酸化マグネシュウムを反射拡散材料として
画素電極部に形成し、ＩＴＯをその上部に形成した構成
でもよい． 発明の効果 以上のように本発明は反射型液晶表示デバイスにおいて
、薄膜トランジスタの半導体部をゲート・バス電極上に
形成し、ドレイン電極を低直空圧状態で蒸着したアル宅
ニウムで横威した拡散反射電極とすることによって、薄
膜トランジスタのドレイン電極と画素電極の接続のため
の配線が不要なため、高開口率を実現でき、かつ、ａ！
！造工程を従来の反射型液晶表示デバイスより簡略化で
き、マスク枚数を削減できるため、コストを大幅に削減
することができる優れた反射型液晶表示デバイスを実現
できるものである．
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの平面図、第２図は第ｌ図Ａ−Ａ″断面における断
面図、第３図は従来の反射型液晶表示デバイスを示す断
面図である．

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）スイッチング素子として薄膜トランジスタを用い
    たアクティブマトリックス方式の液晶表示デバイスにお
    いて、ゲート電極のバス配線上部にゲート電極幅と同等
    もしくは小さい薄膜トランジスタの半導体層部を有し、
    上記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続さ
    れた画素電極が光を反射する部材で構成されていること
    を特徴とする反射型液晶表示デバイス。
  2. （２）薄膜トランジスタが各画素に複数形成されている
    ことを特徴とする請求項（１）記載の反射型液晶表示デ
    バイス。
  3. （３）各表示画素に補助容量が形成されていることを特
    徴とする請求項（１）記載の反射型液晶表示デバイス。
  4. （４）画素電極が光拡散板であることを特徴とする請求
    項（１）記載の反射型液晶表示デバイス。
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