JPS6015680A - マトリクス型表示装置 - Google Patents
マトリクス型表示装置Info
- Publication number
- JPS6015680A JPS6015680A JP58124317A JP12431783A JPS6015680A JP S6015680 A JPS6015680 A JP S6015680A JP 58124317 A JP58124317 A JP 58124317A JP 12431783 A JP12431783 A JP 12431783A JP S6015680 A JPS6015680 A JP S6015680A
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- Japan
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- matrix type
- display
- electrode
- display device
- matrix
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマトリクス型表示装置、とくに、液晶等を用
いたマトリクス型表示装置の表示電極の構造に関するも
のである。
いたマトリクス型表示装置の表示電極の構造に関するも
のである。
従来、この種の装置として、オ五図ないし第４図に示す
ものがあった。
ものがあった。
第１図はマトリクス型表示装置のマトリクスアレー基板
の一表示画素を示す構成図、第２図はマトリクス型表示
装置の部分所面ｉｍ’、オ８図は従来のマトリクス型ア
レー基板の一表示画素を示す部分平面図１．ｆ４図はオ
８図Ａ−Ａ線に沿った部分断面図である。図において、
（ｌ）はゲート線、（２１はゲート線１１）と直交する
ソース線、（３）はドレイン電極、（４）はトランジス
タ等、スイッチ機能を有する能動素子、（５）は表示電
極、（６）は信号蓄積コンデンサ、（７）は液晶等によ
りなる表示材料、（８）Ｒマトリクス型トランジスタア
レー（９）はマトリクス型トランジスタアレー基板で、
複数個のゲート線１１）、このゲート線…と直交する複
数個のソース線（２］を有し、その各交点に能動素子（
４）、表示電極（５）、信号蓄積コンデンサ（６）を配
して一麦示画票を各々構成している。（１０）は透明電
極、（１１）は、マトリクス型アレー基板（９）と対向
する側に透明電極（ｌＯ）を有する対向基板で、この対
向基板（１１）と上記アレー基板（９）との間に表示材
料（７）を挾持してマトリクス型表示装置を構成してい
る。Ｑ２１は、能動素子（４）を構成する半導体、（１
尋はコンタクト、（１４１はゲートコンタクト、（ｌ均
はフィールドＳ ｉ Ｏｓ、θ呻はゲート５１０１及び
コンデンサ誘電体、α７）はドープドポリシリコン層で
あり、コンデンサ（６）電極及びゲート電極の働きをす
る。
の一表示画素を示す構成図、第２図はマトリクス型表示
装置の部分所面ｉｍ’、オ８図は従来のマトリクス型ア
レー基板の一表示画素を示す部分平面図１．ｆ４図はオ
８図Ａ−Ａ線に沿った部分断面図である。図において、
（ｌ）はゲート線、（２１はゲート線１１）と直交する
ソース線、（３）はドレイン電極、（４）はトランジス
タ等、スイッチ機能を有する能動素子、（５）は表示電
極、（６）は信号蓄積コンデンサ、（７）は液晶等によ
りなる表示材料、（８）Ｒマトリクス型トランジスタア
レー（９）はマトリクス型トランジスタアレー基板で、
複数個のゲート線１１）、このゲート線…と直交する複
数個のソース線（２］を有し、その各交点に能動素子（
４）、表示電極（５）、信号蓄積コンデンサ（６）を配
して一麦示画票を各々構成している。（１０）は透明電
極、（１１）は、マトリクス型アレー基板（９）と対向
する側に透明電極（ｌＯ）を有する対向基板で、この対
向基板（１１）と上記アレー基板（９）との間に表示材
料（７）を挾持してマトリクス型表示装置を構成してい
る。Ｑ２１は、能動素子（４）を構成する半導体、（１
尋はコンタクト、（１４１はゲートコンタクト、（ｌ均
はフィールドＳ ｉ Ｏｓ、θ呻はゲート５１０１及び
コンデンサ誘電体、α７）はドープドポリシリコン層で
あり、コンデンサ（６）電極及びゲート電極の働きをす
る。
賭はＰＳＧ（リンシリコンガラス］で、ゲートＳ１０゜
θ呻等のＮａ イオン等を不動化する不動膜である（１
ｇ）はソース領域、翰はドレイン領域である。
θ呻等のＮａ イオン等を不動化する不動膜である（１
ｇ）はソース領域、翰はドレイン領域である。
以下に従来例の詳細を説明する。例えば液晶（７）で高
解像度、高コントラスト、クロストークのない画像表示
を実現するには、表示画面を構成する各表示画素に強い
非直線性を有するトランジスター等のスイッチ機能を有
する能動素子（４１１及びデユーティ１００％駆動のた
めの信号蓄積コンデンサー（６）等を有するマトリクス
型トランジスターアレー（８）が必要である。又非発光
形の液晶表示では本来の低消費電力前作は液晶表示装置
の背部に照明を要しない反射型構造においてはじめて達
成されたものである。マトリクス型トランジスターアレ
ー（８）は８１等のマトリクス型トランジスターアレー
基板［９） ｆｉ 面の、トランジスター＠斌及びコン
デンサー饋板上にＳｉＮを形成し、熱酸化してトランジ
スタ饋域となるアイランド状の半導体＋１２１と、フィ
ールド５１０２０りを形成し、グー）Ｓｉｎｇ（１６１
及びコンデンサ誘電体θ→を、再度熱酸化法により形成
する。
解像度、高コントラスト、クロストークのない画像表示
を実現するには、表示画面を構成する各表示画素に強い
非直線性を有するトランジスター等のスイッチ機能を有
する能動素子（４１１及びデユーティ１００％駆動のた
めの信号蓄積コンデンサー（６）等を有するマトリクス
型トランジスターアレー（８）が必要である。又非発光
形の液晶表示では本来の低消費電力前作は液晶表示装置
の背部に照明を要しない反射型構造においてはじめて達
成されたものである。マトリクス型トランジスターアレ
ー（８）は８１等のマトリクス型トランジスターアレー
基板［９） ｆｉ 面の、トランジスター＠斌及びコン
デンサー饋板上にＳｉＮを形成し、熱酸化してトランジ
スタ饋域となるアイランド状の半導体＋１２１と、フィ
ールド５１０２０りを形成し、グー）Ｓｉｎｇ（１６１
及びコンデンサ誘電体θ→を、再度熱酸化法により形成
する。
次いでリン（ｐ）等の半導体不純物を高濃度にドープし
たドープドポリシリコンａηよりなるゲート電極、コン
デンサー電極を形成した後、ソース頭載０＠、ドレイン
領域喘に砒素３人Ｂ）等のＮ型半辱体不純物をイオン注
入、又は拡散し、Ｐ−Ｎ接合を形成。次いで、リン（ｐ
）をドープしたＰｓＧｏ萄を成膜した後、ソース線（２
）、ドレイン電［＋３１及びコンデンサー電極を兼ねる
表示電極（５）のコンタクトＨを形成して、ソース線（
２）、ドレイン電極（３）、及び表示電極（５）となる
Ａ／−８ｉ等をスパッター法等で形成する。この後ソー
ス線（２１とゲート線＋１１との層間絶縁膜として例え
ばＳｉＮ等を成膜、ゲート線（１）のコンタクト０４）
を形成してゲート線（１１等をＡ／−８ｉ等で形成して
、従来のマトリクス型トランジスターアレー（８）が完
成するＯ 従来のマトリクス型トランジスターアレー（８）は以上
のように構成されているので、低消費電力動作が可能で
、視野角が広い特徴を有するライスデッドネマチックゲ
ストホストｃ以下ＴＮ−ＧＨと称する】型液晶をもちい
たマトリクス型液晶表示装置に構成した場合に、Ａ／
−Ｓｉ等よシなる表示電極（６）の表面が鏡面であるこ
とに起因して、周囲光に対し一定の挟角でしか高コント
ラストの表示が得られず、すなわち視野角が狭くなり実
用的なマトリクス型液晶表示装置が得にくい欠点があっ
た。
たドープドポリシリコンａηよりなるゲート電極、コン
デンサー電極を形成した後、ソース頭載０＠、ドレイン
領域喘に砒素３人Ｂ）等のＮ型半辱体不純物をイオン注
入、又は拡散し、Ｐ−Ｎ接合を形成。次いで、リン（ｐ
）をドープしたＰｓＧｏ萄を成膜した後、ソース線（２
）、ドレイン電［＋３１及びコンデンサー電極を兼ねる
表示電極（５）のコンタクトＨを形成して、ソース線（
２）、ドレイン電極（３）、及び表示電極（５）となる
Ａ／−８ｉ等をスパッター法等で形成する。この後ソー
ス線（２１とゲート線＋１１との層間絶縁膜として例え
ばＳｉＮ等を成膜、ゲート線（１）のコンタクト０４）
を形成してゲート線（１１等をＡ／−８ｉ等で形成して
、従来のマトリクス型トランジスターアレー（８）が完
成するＯ 従来のマトリクス型トランジスターアレー（８）は以上
のように構成されているので、低消費電力動作が可能で
、視野角が広い特徴を有するライスデッドネマチックゲ
ストホストｃ以下ＴＮ−ＧＨと称する】型液晶をもちい
たマトリクス型液晶表示装置に構成した場合に、Ａ／
−Ｓｉ等よシなる表示電極（６）の表面が鏡面であるこ
とに起因して、周囲光に対し一定の挟角でしか高コント
ラストの表示が得られず、すなわち視野角が狭くなり実
用的なマトリクス型液晶表示装置が得にくい欠点があっ
た。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、マトリクス型アレー基板上の表示
電極表面を起伏を有する拡散反射型表面とすることによ
シ、高コントラストで視野角の広い実用的なマトリクス
型表示装置を提供することを目的としている。
めになされたもので、マトリクス型アレー基板上の表示
電極表面を起伏を有する拡散反射型表面とすることによ
シ、高コントラストで視野角の広い実用的なマトリクス
型表示装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第５図はこの発明の一実施例にかかわるマトリクス型ア
レー基板の一表示画素を示す部分平面図、第６図は第５
図Ｂ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
レー基板の一表示画素を示す部分平面図、第６図は第５
図Ｂ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
この発明のマトリクス型トランジスターアレー（８）は
Ｓ１等よシなるマトリクス型トランジスターアレー基板
（９）の表面のトランジスター須坂、及びコンデンサー
頂板上にＳｉＮ よりなるマスクを形成し、熱酸化して
トランジスタ形成頭板となるアイランド状の半導体（ｌ
りとフィールド８１０２０均を形成しグー）ＳｉＯｓＱ
ｆｌ及びコンデンサー誘電体（ｌｔｉｉ再度熱酸化法に
よ多形成し、ひき続きリンｔＩ）１等の半導体不純物を
高濃度にドープしたドープドポリシリコンＣηよシなる
ゲート亀極、コンデンサー電極をパターンニングして形
成しひき続きセル７アライン法によりゲート５ｉｏｔ（
１１及びコンデンサー誘電体（１句を所望形状に形成す
る。この後ソース領域θ鴫及びドレインＴ！Ｉｌｌ域翰
に砒素等の半導体不純物をイオン注入法又は拡散法によ
シドープし、Ｐ−Ｎ接合を形成する。次いでリン（ｐ）
をドープしたＰ Ｓ Ｇ （１８１を成１模した後、ソ
ース線（２）、ドレイン電極（３）及びコンデンサー電
極を兼ねる表示電極（５）のコンタク） （１１を形成
して後、ソース線（２）、ドレイン電極（３ｊ１及び表
示電極（５）としてＡｊ又はＡｊ−８ｉ等のＡ／系合金
をスパッター法等で０．７〜２．０μｍ（例えば１．５
μｍ）の膜厚に成膜した後に、ひき続キスバッターエツ
チングをＲＦパ’７−１１００〜５００ｗ （例えば４
００ Ｗ ）、エツチング時間１０〜６０分（例えば８
０分）の条件で処理した後、所望の形状にパクーニング
して、各電極を形成して後、Ｎ３ガス中で約４５０℃、
６０分程度のＡｔシンターｔ［施する。ひき続きソース
線（２）とゲート線Ｉｌ＋の層間絶縁膜としてプラズマ
ＳｉＮを成膜し、ゲート線１１）のコンタクト圓を形成
した後、Ａｊ −Ｓｉ等をスパッター法等で成−、ゲー
ト線＋１１を形成してこの発明に係るマトリクス型トラ
ンジスターアレー（８）が完成する。このような横取の
マトリクス型トランジスタアレー基板（９）では、Ａｊ
又はｈｔ−ｓｌ等のＡｔ系合金よシなる表示′ｉｌｔ極
（５）表面を上記のようにスパッタエツチングすること
によって、第６図に示されるように起伏を有する拡散反
射型表面が形成される。上記条ｆｆ”でスパッタエツチ
ングを行なえば、拡散反射型表面は、可視光に対して拡
散反射をするように０．８〜１．５μｍ 範囲の同期の
白色の起伏を示す。筐た起伏の高低差は前述のＲＦパワ
ー及びエツチング時間によシ０．８〜１．５μｍの範囲
でＩｌ制御が可能で、マトリクス型表示装置をもちいる
各種システムの用途に応じて必要な視野角に対応できる
。
Ｓ１等よシなるマトリクス型トランジスターアレー基板
（９）の表面のトランジスター須坂、及びコンデンサー
頂板上にＳｉＮ よりなるマスクを形成し、熱酸化して
トランジスタ形成頭板となるアイランド状の半導体（ｌ
りとフィールド８１０２０均を形成しグー）ＳｉＯｓＱ
ｆｌ及びコンデンサー誘電体（ｌｔｉｉ再度熱酸化法に
よ多形成し、ひき続きリンｔＩ）１等の半導体不純物を
高濃度にドープしたドープドポリシリコンＣηよシなる
ゲート亀極、コンデンサー電極をパターンニングして形
成しひき続きセル７アライン法によりゲート５ｉｏｔ（
１１及びコンデンサー誘電体（１句を所望形状に形成す
る。この後ソース領域θ鴫及びドレインＴ！Ｉｌｌ域翰
に砒素等の半導体不純物をイオン注入法又は拡散法によ
シドープし、Ｐ−Ｎ接合を形成する。次いでリン（ｐ）
をドープしたＰ Ｓ Ｇ （１８１を成１模した後、ソ
ース線（２）、ドレイン電極（３）及びコンデンサー電
極を兼ねる表示電極（５）のコンタク） （１１を形成
して後、ソース線（２）、ドレイン電極（３ｊ１及び表
示電極（５）としてＡｊ又はＡｊ−８ｉ等のＡ／系合金
をスパッター法等で０．７〜２．０μｍ（例えば１．５
μｍ）の膜厚に成膜した後に、ひき続キスバッターエツ
チングをＲＦパ’７−１１００〜５００ｗ （例えば４
００ Ｗ ）、エツチング時間１０〜６０分（例えば８
０分）の条件で処理した後、所望の形状にパクーニング
して、各電極を形成して後、Ｎ３ガス中で約４５０℃、
６０分程度のＡｔシンターｔ［施する。ひき続きソース
線（２）とゲート線Ｉｌ＋の層間絶縁膜としてプラズマ
ＳｉＮを成膜し、ゲート線１１）のコンタクト圓を形成
した後、Ａｊ −Ｓｉ等をスパッター法等で成−、ゲー
ト線＋１１を形成してこの発明に係るマトリクス型トラ
ンジスターアレー（８）が完成する。このような横取の
マトリクス型トランジスタアレー基板（９）では、Ａｊ
又はｈｔ−ｓｌ等のＡｔ系合金よシなる表示′ｉｌｔ極
（５）表面を上記のようにスパッタエツチングすること
によって、第６図に示されるように起伏を有する拡散反
射型表面が形成される。上記条ｆｆ”でスパッタエツチ
ングを行なえば、拡散反射型表面は、可視光に対して拡
散反射をするように０．８〜１．５μｍ 範囲の同期の
白色の起伏を示す。筐た起伏の高低差は前述のＲＦパワ
ー及びエツチング時間によシ０．８〜１．５μｍの範囲
でＩｌ制御が可能で、マトリクス型表示装置をもちいる
各種システムの用途に応じて必要な視野角に対応できる
。
なお上記実施例では、スパッタエツチング法により表示
電極（５）表面を拡散反射型表面としたが、上記実施例
と同様に、ソース線（２）、ドレイン越権（３）及び表
示−極（６）のバターニング金完了した後、表示電極（
６）表面に、プラズマエツチングＣＣｌ４＋Ｈｅ混合ガ
スをもちい、ガス圧力、０，４Ｔｏｒｒ程度、ＲＦパワ
ー１００− ｆＨ）Ｏｗ （例えば１５０Ｗ）のプラズ
マエツチングを２〜ｌＯ分Ｃ例えば５分）の条件で実施
した後に、Ｎ、ガス中で約４５０℃、６０分程度のＡ／
シンク−を実施しても、上記と同様の拡散反射型表面の
表示電極（６）が得られる。
電極（５）表面を拡散反射型表面としたが、上記実施例
と同様に、ソース線（２）、ドレイン越権（３）及び表
示−極（６）のバターニング金完了した後、表示電極（
６）表面に、プラズマエツチングＣＣｌ４＋Ｈｅ混合ガ
スをもちい、ガス圧力、０，４Ｔｏｒｒ程度、ＲＦパワ
ー１００− ｆＨ）Ｏｗ （例えば１５０Ｗ）のプラズ
マエツチングを２〜ｌＯ分Ｃ例えば５分）の条件で実施
した後に、Ｎ、ガス中で約４５０℃、６０分程度のＡ／
シンク−を実施しても、上記と同様の拡散反射型表面の
表示電極（６）が得られる。
また、上記実施例では表示材料（７）としてＴＮ−ＧＨ
型液晶をもちいた液晶表示装置について示したが、エレ
クトロクロミック材料を用いたＥＣＤ （Ｋｌｅｃｔｒ
ｏ Ｃｈｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）に対しても、上記
のような表示電極を用いて視野角の広い、萬コントラス
トのものを達成できる。
型液晶をもちいた液晶表示装置について示したが、エレ
クトロクロミック材料を用いたＥＣＤ （Ｋｌｅｃｔｒ
ｏ Ｃｈｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）に対しても、上記
のような表示電極を用いて視野角の広い、萬コントラス
トのものを達成できる。
以上のように、この発明によれば、マトリクス型アレー
基板上の表示電極表面を、起伏を有する拡散反射型表面
としたので、この種の表示装置が木米何していた効果、
即ちクロストークがなく高解像度の特徴も達成され、且
つ、高コントラストで視野角の広い実用的なマトリクス
！！ｌ！表示装置が得られる効果がある。
基板上の表示電極表面を、起伏を有する拡散反射型表面
としたので、この種の表示装置が木米何していた効果、
即ちクロストークがなく高解像度の特徴も達成され、且
つ、高コントラストで視野角の広い実用的なマトリクス
！！ｌ！表示装置が得られる効果がある。
第１図はマトリクス型表示装置のマトリクス型アレー基
板の一表示画素を示す構成図、第２図はマトリクス型表
示装置の部分断面図、第８図は従来のマトリクス型アレ
ー基板の一表示画素を示す部分平面図、第４図はオ８図
Ａ−Ａ線ｒＣ沿った部分断面図、第５図はこの発明の一
実施例に係るマトリクス型アレー基板の一麦示画素金示
す部分平面図、第６図は、第５図Ｂ−Ｂｌ尿に沿った部
分断面図である。図において、）ｌ）はゲート線、（２
）はソース線、（４）は能動素子、（５）は表示域ａｉ
、１６１は信号蓄積コンデンサ、（７）は表、示材料、
（９）はマトリクス型アレー基板、 （１０）は透明電
極％ （１１）は対向基板−である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示すＯ 代理人 大 岩 増 雄 第１図 ど 第２図 第３図 第４図
板の一表示画素を示す構成図、第２図はマトリクス型表
示装置の部分断面図、第８図は従来のマトリクス型アレ
ー基板の一表示画素を示す部分平面図、第４図はオ８図
Ａ−Ａ線ｒＣ沿った部分断面図、第５図はこの発明の一
実施例に係るマトリクス型アレー基板の一麦示画素金示
す部分平面図、第６図は、第５図Ｂ−Ｂｌ尿に沿った部
分断面図である。図において、）ｌ）はゲート線、（２
）はソース線、（４）は能動素子、（５）は表示域ａｉ
、１６１は信号蓄積コンデンサ、（７）は表、示材料、
（９）はマトリクス型アレー基板、 （１０）は透明電
極％ （１１）は対向基板−である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示すＯ 代理人 大 岩 増 雄 第１図 ど 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉｌ＋ 複数個のゲート線、このゲート線と直交する複
数個のソース線を何し、スイッチ機能を何する能動素子
、表示電極及び信号蓄積コンデンサを含むマトリクス型
アレー基板、並びにこの基板と対向する側に透明４極を
有する対向基板との間に表示材料を挾持するマトリクス
型表示装置において、上記表示電極は、その表面が起伏
を有する拡散反射型表面であることを特徴とするマトリ
クス型表示装置。 （２） 表示電極の拡散反射型表面は、可視光に対して
拡散反射をするように０．８〜１．５ミクロンメートル
の起伏を有するようにしたことを特徴とする特許請求の
範囲オ１項記載のマトリクス型表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124317A JPS6015680A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | マトリクス型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124317A JPS6015680A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | マトリクス型表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015680A true JPS6015680A (ja) | 1985-01-26 |
Family
ID=14882334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58124317A Pending JPS6015680A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | マトリクス型表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015680A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245186A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | 工業技術院長 | 広視野型液晶表示装置 |
| JPH03209224A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶表示デバイス |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58124317A patent/JPS6015680A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245186A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | 工業技術院長 | 広視野型液晶表示装置 |
| JPH03209224A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶表示デバイス |
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