JPS5862623A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS5862623A JPS5862623A JP56161586A JP16158681A JPS5862623A JP S5862623 A JPS5862623 A JP S5862623A JP 56161586 A JP56161586 A JP 56161586A JP 16158681 A JP16158681 A JP 16158681A JP S5862623 A JPS5862623 A JP S5862623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- lower plate
- film
- upper plate
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
一本発明一、液晶セルの厚さｔ精度よく定めて、薄いセ
ル厚を実現し、動作速度を高めた液晶表示装置に関する
ものである。
ル厚を実現し、動作速度を高めた液晶表示装置に関する
ものである。
最近、従来の０８丁に代る表示装置として薄型の表示装
置の開発が盛んに進められている。薄型表示装置の中で
も、液晶表示装置は、電力、駆動電圧、寿命の点で他を
凌駕しており１今後の表示装置としての期待は大きい。
置の開発が盛んに進められている。薄型表示装置の中で
も、液晶表示装置は、電力、駆動電圧、寿命の点で他を
凌駕しており１今後の表示装置としての期待は大きい。
従来、液晶表示ａｔにおいては、上板と半導体集積回路
基板である下板の間に挾持された液晶セルの厚さは、液
晶表示装置の周辺で、上板と下板の間にマイラー等の定
まった厚さのスペーサを挾持して足められていた。この
方法では、上板と下板の間隔は、歪みや、上板と下板の
平行度不良のため精度よく定めることが出来ず、液晶セ
ルの厚みむら等も生じ実装上問題がある。ｔた、上記理
由より上板と下板の藺隔は、通常ｌＯμ程度以下にでき
龜い火点を有する。液晶表示装置の動作速度は、液晶セ
ルの厚さの二乗に比例するため、動作速度の速いことが
要求さｎるテレビ等の表示装置として社問題がある。
基板である下板の間に挾持された液晶セルの厚さは、液
晶表示装置の周辺で、上板と下板の間にマイラー等の定
まった厚さのスペーサを挾持して足められていた。この
方法では、上板と下板の間隔は、歪みや、上板と下板の
平行度不良のため精度よく定めることが出来ず、液晶セ
ルの厚みむら等も生じ実装上問題がある。ｔた、上記理
由より上板と下板の藺隔は、通常ｌＯμ程度以下にでき
龜い火点を有する。液晶表示装置の動作速度は、液晶セ
ルの厚さの二乗に比例するため、動作速度の速いことが
要求さｎるテレビ等の表示装置として社問題がある。
本発明の目的は、従来の欠点をな（シ、特に、液晶セル
の厚さｔ精度良く薄くすることにより、動作速度の速い
液晶表示装置を実現する仁とである。
の厚さｔ精度良く薄くすることにより、動作速度の速い
液晶表示装置を実現する仁とである。
以下、図面により本発明の液晶表示装置を詳細−を説明
する。
する。
第１図（Ｇ）と第一１図（６）は、本発明の一実施例を
示し、第１図（＆）は、マトリクス液晶表示装置の一つ
の液晶セルの平面図であり、第１図（ロ）は第１図ψ）
のムーム曹線に沿つ九断面図を示す、テレビのようにマ
トリクス状の多数のセルを表示する場合は、クロストー
クを防止するため、４！ｒ液蟲セルごとにスイッチング
素子（液晶！動用素子］會設ける、Ｍ捜シリコン単結晶
よ）なる下板五の上部にはソース２、ドレイン３、ゲー
ト酸化膜４、シリコンゲート５よ多なるＭＯ８）ランシ
スタが設けられており、このＭｏＳ２）ランジス／＃ｉ
、クロストークの無い表示上行なうためのスイッチング
素子となる。ドレイン３は、ポリシリコンロ、酸１ヒ膜
７、Ｍ 拡散層８よシなるコンデンサーに丁ル建ニウ
ム電極９によって接続さ詐る。このコンデンサーは、液
晶セルの電圧−１Ｍ０８）ランシスターがオフになった
後も維持するために用いらｎる。
示し、第１図（＆）は、マトリクス液晶表示装置の一つ
の液晶セルの平面図であり、第１図（ロ）は第１図ψ）
のムーム曹線に沿つ九断面図を示す、テレビのようにマ
トリクス状の多数のセルを表示する場合は、クロストー
クを防止するため、４！ｒ液蟲セルごとにスイッチング
素子（液晶！動用素子］會設ける、Ｍ捜シリコン単結晶
よ）なる下板五の上部にはソース２、ドレイン３、ゲー
ト酸化膜４、シリコンゲート５よ多なるＭＯ８）ランシ
スタが設けられており、このＭｏＳ２）ランジス／＃ｉ
、クロストークの無い表示上行なうためのスイッチング
素子となる。ドレイン３は、ポリシリコンロ、酸１ヒ膜
７、Ｍ 拡散層８よシなるコンデンサーに丁ル建ニウ
ム電極９によって接続さ詐る。このコンデンサーは、液
晶セルの電圧−１Ｍ０８）ランシスターがオフになった
後も維持するために用いらｎる。
なお、絶縁膜Ｂは減圧ＯＶＤ等で作成さｎる酸化＠を示
す、了ルｉニウム電極９は入射光の反射板も一葦ねてい
る。ガラス等の透明材料２）−らなる上板１０の下部に
は突出部１１、誘明導電、膜１２が形成さ牡、下、板ｌ
との間隔ｔａめている。
す、了ルｉニウム電極９は入射光の反射板も一葦ねてい
る。ガラス等の透明材料２）−らなる上板１０の下部に
は突出部１１、誘明導電、膜１２が形成さ牡、下、板ｌ
との間隔ｔａめている。
なお、突出部１１は、下板１の絶縁膜１３と接触するよ
うに配電塔ｎ１上板１０と下板ｌとの間隔は突出部１１
で定まり、液晶１４が挾ｔｎている。上板ｌＯと下板ｌ
の間隔は、上板１０に設けらｎた突出部１１で定まる。
うに配電塔ｎ１上板１０と下板ｌとの間隔は突出部１１
で定まり、液晶１４が挾ｔｎている。上板ｌＯと下板ｌ
の間隔は、上板１０に設けらｎた突出部１１で定まる。
突出部１１．ｔ−形ｇｊる方法として紘、化学エツチン
グ、イオンエツチングなどの技術で容易に形成すること
ができ、突出部１１の高名ｔｌＦ情程度にするごともで
き、る、なお本実施例は、反射型表示の場合について示
した。下板１としてサファイアを用いて、スイッチング
素子としてＢＯ：１） ８構造のＭ０８トランジスタを用いた透過ｆｆ１表示に
も本発明は適用できる。また、下板１としてガラスを用
い、グロー放電等で形成したア七ルフ了スシリコンを用
いた薄膜トランジスタでスイツ、チング素子ｔ−９成し
ても良い。
グ、イオンエツチングなどの技術で容易に形成すること
ができ、突出部１１の高名ｔｌＦ情程度にするごともで
き、る、なお本実施例は、反射型表示の場合について示
した。下板１としてサファイアを用いて、スイッチング
素子としてＢＯ：１） ８構造のＭ０８トランジスタを用いた透過ｆｆ１表示に
も本発明は適用できる。また、下板１としてガラスを用
い、グロー放電等で形成したア七ルフ了スシリコンを用
いた薄膜トランジスタでスイツ、チング素子ｔ−９成し
ても良い。
、＠２図←）と第２図φ）は、本発明の他の実施例管示
し、第２図０）は、マトリクス液晶表示装置の一つの液
晶セルの平面図でＴｏシ、第２図（Ｇ）は第２図争）の
Ｂ−Ｂｌ線、に沿った断面図を示す０Ｍ屋シリコンより
なる下板１５の上部にはソース１６、ドレイン１７、ゲ
ート酸化膜１８、シリコンゲートＸ９よりなるＭＯ８）
ランシスタが設けらｎてお）、このＭ９８トランジスタ
は、クロストークの無い表示を行なうためのスイッチン
グ素子となる。ドレイン３は、ポリシリコン頒、酸化１
１１２１％ ’十拡散層四よりなるコンデンサーに丁ル
ミニウム電極囚によって接続名詐る。この：！／デイン
ーは、第１図に）とφ）に示した実施例゛と同様に、液
晶セルの電圧ｔＭＯ［トランジスタがオフになった後も
維持するために用いらｎる０丁ルミニウム電１ｊ２３の
上部には、絶縁膜冴が形成されている。絶縁膜囚は、例
えば減圧ＯＶＤ等で作成できる。液晶５を交流駆動で動
作させる場合は電極円上に絶縁膜があっても動作上問題
性なく、、絶縁膜２４は丁ル１＝ウム電極田の保！！膜
となシ、液晶５のマツチングもうまく、
２ いき、好ましい、上板あの下部には、突出部ｎが形成さ
れていて、透明導電膜２８つ形成さｒｔたガラス等の透
明材料からなる上板がと下板１５との間隔を定めている
。准お、上板部の突出部２７は、下板１５のアルミニウ
ム電極田土の絶縁膜囚上に接触するように配置してもよ
い。央出Ｓｔ形成する方法としては、化学エツチング、
イオンエツチングなどの技術含量いて形成でき、突出部
の高さ’ｔｌｐｓ程度にすることもできる。なお本実施
例は、反射型表示の場合について示した。第１図に）と
（６） Ｋ示した実施例と同様に１下板１５としてサフ
ァイアを用いて、スイッチング素子としてａｏａ構造の
ＭＯ８トランジスタを用い九透過製表示にも本発明は適
用できる。ｔた、下板１５としてガラスを用い、グロー
放電等で形成した１モルファスシリプンを用いた薄膜ト
ランジスタでスイッチング素子をＳＹ１ 構成しても良い、また、マトリクス液晶駆動用素子の他
に、上記液晶駆動用素子の表示制御回路を嘱パネル表示
部の回）に形成さｎたものにも適用さｎる。なお突出部
ｎは液晶表示装置の上板の下部に複数個設けら牡ている
。
し、第２図０）は、マトリクス液晶表示装置の一つの液
晶セルの平面図でＴｏシ、第２図（Ｇ）は第２図争）の
Ｂ−Ｂｌ線、に沿った断面図を示す０Ｍ屋シリコンより
なる下板１５の上部にはソース１６、ドレイン１７、ゲ
ート酸化膜１８、シリコンゲートＸ９よりなるＭＯ８）
ランシスタが設けらｎてお）、このＭ９８トランジスタ
は、クロストークの無い表示を行なうためのスイッチン
グ素子となる。ドレイン３は、ポリシリコン頒、酸化１
１１２１％ ’十拡散層四よりなるコンデンサーに丁ル
ミニウム電極囚によって接続名詐る。この：！／デイン
ーは、第１図に）とφ）に示した実施例゛と同様に、液
晶セルの電圧ｔＭＯ［トランジスタがオフになった後も
維持するために用いらｎる０丁ルミニウム電１ｊ２３の
上部には、絶縁膜冴が形成されている。絶縁膜囚は、例
えば減圧ＯＶＤ等で作成できる。液晶５を交流駆動で動
作させる場合は電極円上に絶縁膜があっても動作上問題
性なく、、絶縁膜２４は丁ル１＝ウム電極田の保！！膜
となシ、液晶５のマツチングもうまく、
２ いき、好ましい、上板あの下部には、突出部ｎが形成さ
れていて、透明導電膜２８つ形成さｒｔたガラス等の透
明材料からなる上板がと下板１５との間隔を定めている
。准お、上板部の突出部２７は、下板１５のアルミニウ
ム電極田土の絶縁膜囚上に接触するように配置してもよ
い。央出Ｓｔ形成する方法としては、化学エツチング、
イオンエツチングなどの技術含量いて形成でき、突出部
の高さ’ｔｌｐｓ程度にすることもできる。なお本実施
例は、反射型表示の場合について示した。第１図に）と
（６） Ｋ示した実施例と同様に１下板１５としてサフ
ァイアを用いて、スイッチング素子としてａｏａ構造の
ＭＯ８トランジスタを用い九透過製表示にも本発明は適
用できる。ｔた、下板１５としてガラスを用い、グロー
放電等で形成した１モルファスシリプンを用いた薄膜ト
ランジスタでスイッチング素子をＳＹ１ 構成しても良い、また、マトリクス液晶駆動用素子の他
に、上記液晶駆動用素子の表示制御回路を嘱パネル表示
部の回）に形成さｎたものにも適用さｎる。なお突出部
ｎは液晶表示装置の上板の下部に複数個設けら牡ている
。
以上本発明の実施例により、液晶セルの厚さｔ、従来の
１０Ｐ惰前後から１μ鴨程度にすることが可能になシ、
動作速度（立ち上が９、立ち下がり速度〕が従来の１０
０ｍｍａｏ前後であったもの′ｔ１０講ａａａ以下にす
ることが可能になるばかシでなく、従来の１０ ｐ ｔ
ｎ前後の液晶を封入する際、特に下板のスイッチングト
ランジスタ等が電源処理等の半導体プロセスで作成さｎ
１下板に歪みが加わシ、ソリが発生して、実装がひじよ
うに困難であったが、本実施例に示したように、上板の
下部に複数個の突出部を設けたことくより、上部から圧
力を加えながら実装することにより、突出部が上板と下
板の厚さの調整を可能としたために１実俟が容易になり
信頼性よ（しかも安く実現することが可能となった。こ
れよ）、蓮い動作速度が要求さ詐るテレビの画面の表示
を低消費電力の液晶表示を行ない、しかも信頼性よく実
現することが可能となった。
１０Ｐ惰前後から１μ鴨程度にすることが可能になシ、
動作速度（立ち上が９、立ち下がり速度〕が従来の１０
０ｍｍａｏ前後であったもの′ｔ１０講ａａａ以下にす
ることが可能になるばかシでなく、従来の１０ ｐ ｔ
ｎ前後の液晶を封入する際、特に下板のスイッチングト
ランジスタ等が電源処理等の半導体プロセスで作成さｎ
１下板に歪みが加わシ、ソリが発生して、実装がひじよ
うに困難であったが、本実施例に示したように、上板の
下部に複数個の突出部を設けたことくより、上部から圧
力を加えながら実装することにより、突出部が上板と下
板の厚さの調整を可能としたために１実俟が容易になり
信頼性よ（しかも安く実現することが可能となった。こ
れよ）、蓮い動作速度が要求さ詐るテレビの画面の表示
を低消費電力の液晶表示を行ない、しかも信頼性よく実
現することが可能となった。
第１図φ）は、本発明の液晶表示装置の一実施例を示す
平面図、第１図に）は、第１図φ）のムーム１線に沿っ
た断面図、第２図ψ）は、本発明の液晶表示装置の他の
実施例を示す平面図、第２図←）は、第２−図の）のＢ
、−Ｂｌ線に沿った断面図を示す。 １ 、１５ 、 、 、下板 ９ ＃ ２３ ＠ ｅ
＊電極１０．２６．、、上板 １１．２７．、、突出部
１２．２８．、、透明導電膜 １４，２５．、、液晶冴
０１．絶縁膜 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務 １１１′ 第１０（０−） 第１図（す 第２０（リ タ’＝２ Ｂ］（し）
平面図、第１図に）は、第１図φ）のムーム１線に沿っ
た断面図、第２図ψ）は、本発明の液晶表示装置の他の
実施例を示す平面図、第２図←）は、第２−図の）のＢ
、−Ｂｌ線に沿った断面図を示す。 １ 、１５ 、 、 、下板 ９ ＃ ２３ ＠ ｅ
＊電極１０．２６．、、上板 １１．２７．、、突出部
１２．２８．、、透明導電膜 １４，２５．、、液晶冴
０１．絶縁膜 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務 １１１′ 第１０（０−） 第１図（す 第２０（リ タ’＝２ Ｂ］（し）
Claims (2)
- （１）、上板と複数個の液晶駆動用素子をマトリタス状
に配置した下板、または該液晶駆動用素子と骸箪晶駆動
用素子の表示制御回路とを有する下板との間に、液晶を
挾持し九液晶表示装置Ｋｋいて、上板の下部に一定の高
さｔ有する集出部を複数個設け、該突出部によ）液晶の
厚さ音制御するようにしたことｔＳ微とする液晶表示装
置。 - （２）、下板は、ガラスよ）なることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。 （３１，下板は、シリコン単結晶よ）なること１特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161586A JPS5862623A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161586A JPS5862623A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5862623A true JPS5862623A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15737938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56161586A Pending JPS5862623A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5862623A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266226A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-25 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JPS62223727A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル |
| JPS6378924U (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | ||
| JPS6468727A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor |
| JPS6476036A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor panel |
| US5208690A (en) * | 1990-03-24 | 1993-05-04 | Sony Corporation | Liquid crystal display having a plurality of pixels with switching transistors |
| EP0605146A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Xerox Corporation | Flat panel display assembly and method for making the panel |
| JP2004264606A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5269644A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-09 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display element |
| JPS55108618A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of image display panel |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP56161586A patent/JPS5862623A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5269644A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-09 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display element |
| JPS55108618A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of image display panel |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266226A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-25 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JPS62223727A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル |
| JPS6378924U (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | ||
| JPS6468727A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor |
| JPS6476036A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor panel |
| US5208690A (en) * | 1990-03-24 | 1993-05-04 | Sony Corporation | Liquid crystal display having a plurality of pixels with switching transistors |
| EP0605146A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Xerox Corporation | Flat panel display assembly and method for making the panel |
| JP2004264606A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3708637B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US5798744A (en) | Liquid crystal display apparatus | |
| US9899431B2 (en) | Array substrate, display panel and display device | |
| KR950019865A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| US5491571A (en) | Liquid crystal display including electrodes and driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer | |
| JP2682997B2 (ja) | 補助容量付液晶表示装置及び補助容量付液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2816982B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS5862623A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0568688B2 (ja) | ||
| US6545293B2 (en) | Thin film transistor flat display | |
| CN114879416A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
| JPH0239103B2 (ja) | ||
| JPH09101543A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPS6236687A (ja) | 表示装置 | |
| JPS62296123A (ja) | アクテイブマトリツクス型液晶表示装置 | |
| JPS63292114A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| KR100544814B1 (ko) | 반사형액정표시소자및그제조방법 | |
| JPH0233131A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPS6361672B2 (ja) | ||
| JPH04311929A (ja) | 光弁装置および半導体装置 | |
| KR20030062592A (ko) | 액정표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 | |
| JPS58192379A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPS58178563A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2760458B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JPS5914677A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |