JPS6361672B2 - - Google Patents
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- JPS6361672B2 JPS6361672B2 JP54098369A JP9836979A JPS6361672B2 JP S6361672 B2 JPS6361672 B2 JP S6361672B2 JP 54098369 A JP54098369 A JP 54098369A JP 9836979 A JP9836979 A JP 9836979A JP S6361672 B2 JPS6361672 B2 JP S6361672B2
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- display
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 208000003580 polydactyly Diseases 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜トランジスタ（以下TFTと称す）
を備えた液晶表示装置（以下LCDと称す）に関
するものである。
を備えた液晶表示装置（以下LCDと称す）に関
するものである。
LCDは受光型表示、低消費電力といつた利点
を活かし、すでに電卓、時計等に広く実用化され
ており、その主流はねじれたネマテイツク電界効
果モード（TN―FEM）が採用されている。一
方走査ライン数の多いダイナミツク駆動を行なう
と、視角範囲が狭くなつたり、コントラスト、応
答速度の低下等表示品位低下の問題が発生する。
この問題を解決する為、TFTを用いてLCDをダ
イナミツク駆動すれば、事実上スタテイツクと同
程度の品位を有する表示を維持できることが、
T.P.Brody，etal.，IEEE Transactions on
Electron Devices，20，995（1973）等ですでに
発表されている。
を活かし、すでに電卓、時計等に広く実用化され
ており、その主流はねじれたネマテイツク電界効
果モード（TN―FEM）が採用されている。一
方走査ライン数の多いダイナミツク駆動を行なう
と、視角範囲が狭くなつたり、コントラスト、応
答速度の低下等表示品位低下の問題が発生する。
この問題を解決する為、TFTを用いてLCDをダ
イナミツク駆動すれば、事実上スタテイツクと同
程度の品位を有する表示を維持できることが、
T.P.Brody，etal.，IEEE Transactions on
Electron Devices，20，995（1973）等ですでに
発表されている。
その方法を以下簡単に述べる。
TFTを用いて液晶表示を行なうための１絵素
分に相当する等価回路を第１図に示す。ここで１
１はゲート電極、１２はソース電極、１３はドレ
イン電極、１４は表示電極と薄膜コンデンサ（以
下Csと称す）の一方の電極を兼ねたものでドレ
イン電極１３と表示電極１４は等価なものであ
る。１５は絶縁膜、１６はCsのもう一方の電極
で、Csは表示電極１４、絶縁膜１５、電極１６
で構成されている。また１７は液晶層で、１８は
表示電極１４の対向電極である。この表示装置は
TFTのゲート電極１１に順次走査信号を印加し、
これに同期してソース電極１２に表示のON―
OFF信号を送り込むと、Csと液晶層１７の表示
内容に応じた信号が印加され、ON―OFFの表示
が行なわれる。
分に相当する等価回路を第１図に示す。ここで１
１はゲート電極、１２はソース電極、１３はドレ
イン電極、１４は表示電極と薄膜コンデンサ（以
下Csと称す）の一方の電極を兼ねたものでドレ
イン電極１３と表示電極１４は等価なものであ
る。１５は絶縁膜、１６はCsのもう一方の電極
で、Csは表示電極１４、絶縁膜１５、電極１６
で構成されている。また１７は液晶層で、１８は
表示電極１４の対向電極である。この表示装置は
TFTのゲート電極１１に順次走査信号を印加し、
これに同期してソース電極１２に表示のON―
OFF信号を送り込むと、Csと液晶層１７の表示
内容に応じた信号が印加され、ON―OFFの表示
が行なわれる。
第２図は従来のTFTによる７セグメント表示
LCDのTFTおよび７セグメント表示の絵素電極
構成図である。第２図ａはTFTの設けられた第
１の透明基板の電極構成平面図であり、第２図ｂ
は第２図ａに対向して置かれるもう一方の第２の
透明基板の電極構成平面図である。２１はゲート
電極で第１図のゲート電極１１に相当し、２２は
ソース電極の配列で第１図のソース電極１２に相
当し、２３はドレイン電極群で第１図のドレイン
電極１３に相当する。２４は表示（絵素）電極と
Csの一方の電極を兼ねたもので、第１図の表示
電極１４に相当し、２６はCsのもう一方の電極
で第１図の電極１６に相当する。２８はセグメン
ト（絵素）電極の対向電極で第１図の対向電極１
８に相当し、２９はTFTの配列体を示す。液晶
は第１及び第２の両透明基板間に封入される。
LCDのTFTおよび７セグメント表示の絵素電極
構成図である。第２図ａはTFTの設けられた第
１の透明基板の電極構成平面図であり、第２図ｂ
は第２図ａに対向して置かれるもう一方の第２の
透明基板の電極構成平面図である。２１はゲート
電極で第１図のゲート電極１１に相当し、２２は
ソース電極の配列で第１図のソース電極１２に相
当し、２３はドレイン電極群で第１図のドレイン
電極１３に相当する。２４は表示（絵素）電極と
Csの一方の電極を兼ねたもので、第１図の表示
電極１４に相当し、２６はCsのもう一方の電極
で第１図の電極１６に相当する。２８はセグメン
ト（絵素）電極の対向電極で第１図の対向電極１
８に相当し、２９はTFTの配列体を示す。液晶
は第１及び第２の両透明基板間に封入される。
第２図ｃは第１及び第２透明基板間に液晶を封
入して構成したLCDを第２図ａに示すＡ―Ｂで
切断した断面図である。尚、一般的には電極を保
護膜で被覆して電極を保護するが、ここでは図面
簡素化のため保護膜の図示は省略する。２５は絶
縁膜で第１図の絶縁膜１５に相当し、２７は液晶
層で第１図の液晶層１７に相当する。３０は封止
剤である。
入して構成したLCDを第２図ａに示すＡ―Ｂで
切断した断面図である。尚、一般的には電極を保
護膜で被覆して電極を保護するが、ここでは図面
簡素化のため保護膜の図示は省略する。２５は絶
縁膜で第１図の絶縁膜１５に相当し、２７は液晶
層で第１図の液晶層１７に相当する。３０は封止
剤である。
第２図ａから明らかなように第１の透明基板に
はTFTとCsが同時に高密度で形成されているた
め、製作上の歩留の悪いのが欠点であつた。さら
に基板内での素子密度の高いことが接続端子の密
度をも高くしてしまい、製作操作を難しくして、
ことさら歩留を悪化させていた。
はTFTとCsが同時に高密度で形成されているた
め、製作上の歩留の悪いのが欠点であつた。さら
に基板内での素子密度の高いことが接続端子の密
度をも高くしてしまい、製作操作を難しくして、
ことさら歩留を悪化させていた。
本発明は上記問題点に鑑み、同一基板での
TFTとCsの集積化密度を減少させてTFT付き基
板の歩留を向上させると共に、外部との接続端子
密度をも減少させ、端子接続操作を容易にし、ひ
いてはLCDの製作歩留を向上させるに有効な液
晶表示装置を提供することを目的とするものであ
る。
TFTとCsの集積化密度を減少させてTFT付き基
板の歩留を向上させると共に、外部との接続端子
密度をも減少させ、端子接続操作を容易にし、ひ
いてはLCDの製作歩留を向上させるに有効な液
晶表示装置を提供することを目的とするものであ
る。
上記の目的を達成するため、本発明は互いに対
向配置された第１及び第２の電極基板間に液晶層
が層設され、前記の電極基板に形成された表示電
極構造に薄膜トランジスタを介して信号電圧を印
加することにより表示が実行される液晶表示装置
において、前記の表示電極を構成する複数の絵素
電極の一部を前記の第１の電極基板に配置して、
この第１の電極基板に設けられた薄膜トランジス
タのそれぞれと個別に接続し、前記の複数の絵素
電極の一部に対向して設けられる対向電極を前記
の第２の電極基板に配置し、前記の表示電極を構
成する複数の絵素電極の残部を前記の第２の電極
基板に配置して、この第２の電極基板に設けられ
た薄膜トランジスタのそれぞれと個別に接続し、
前記の複数の絵素電極の残部に対向して設けられ
る対向電極を前記の第１の電極基板に配置してな
るように構成している。
向配置された第１及び第２の電極基板間に液晶層
が層設され、前記の電極基板に形成された表示電
極構造に薄膜トランジスタを介して信号電圧を印
加することにより表示が実行される液晶表示装置
において、前記の表示電極を構成する複数の絵素
電極の一部を前記の第１の電極基板に配置して、
この第１の電極基板に設けられた薄膜トランジス
タのそれぞれと個別に接続し、前記の複数の絵素
電極の一部に対向して設けられる対向電極を前記
の第２の電極基板に配置し、前記の表示電極を構
成する複数の絵素電極の残部を前記の第２の電極
基板に配置して、この第２の電極基板に設けられ
た薄膜トランジスタのそれぞれと個別に接続し、
前記の複数の絵素電極の残部に対向して設けられ
る対向電極を前記の第１の電極基板に配置してな
るように構成している。
以下、図面を参照して、絵素電極をセグメント
型電極で構成した場合の本発明の実施例を詳細に
説明する。
型電極で構成した場合の本発明の実施例を詳細に
説明する。
本発明により実施されたTFT駆動セグメント
表示LCDのTFTと電極構成の１実施例を第３図
に示す。
表示LCDのTFTと電極構成の１実施例を第３図
に示す。
第３図ａ及びｂはそれぞれ本発明により実施さ
れたLCDを構成する第１及び第２の透明基板の
電極構成平面図であり、第３図ａ及びｂのそれぞ
れに示す第１及び第２の透明基板を互いに対向す
るように配置し、液晶を封入してLCDのセルを
構成する。尚、第３図ｃは第１及び第２の透明基
板間に液晶を封入して構成したLCDを第３図ａ
に示すＣ―Ｄで切断した断面図である。
れたLCDを構成する第１及び第２の透明基板の
電極構成平面図であり、第３図ａ及びｂのそれぞ
れに示す第１及び第２の透明基板を互いに対向す
るように配置し、液晶を封入してLCDのセルを
構成する。尚、第３図ｃは第１及び第２の透明基
板間に液晶を封入して構成したLCDを第３図ａ
に示すＣ―Ｄで切断した断面図である。
従来のように一方の例えば第１の透明基板にの
み一方的にTFTとCsが設けられているのではな
く、本発明にあつては他方の第２の基板にも
TFTとCsが振り分けられて設けられている。
み一方的にTFTとCsが設けられているのではな
く、本発明にあつては他方の第２の基板にも
TFTとCsが振り分けられて設けられている。
即ち、本実施例では複数桁の表示電極のうち、
第１の基板に第３図ａに示すように偶数桁のセグ
メント絵素電極及びこのセグメント絵素電極に対
応したTFT，Csを設けると共に奇数桁の対向電
極を設け、第２の基板に第３図ｂに示すように奇
数桁のセグメント絵素電極及びこのセグメント絵
素電極に対応したTFT，Csを設けると共に偶数
桁の対向電極を設けるように構成しており、従つ
て本実施例では１枚の基板内のTFTとCsの密度
が従来に比して1/2に減少した結果となり、さら
に外部との接続端子密度も減少している。このよ
うに素子と端子の密度を低下させることにより、
製作作業を容易にし、ひいてはLCDの歩留も向
上する。
第１の基板に第３図ａに示すように偶数桁のセグ
メント絵素電極及びこのセグメント絵素電極に対
応したTFT，Csを設けると共に奇数桁の対向電
極を設け、第２の基板に第３図ｂに示すように奇
数桁のセグメント絵素電極及びこのセグメント絵
素電極に対応したTFT，Csを設けると共に偶数
桁の対向電極を設けるように構成しており、従つ
て本実施例では１枚の基板内のTFTとCsの密度
が従来に比して1/2に減少した結果となり、さら
に外部との接続端子密度も減少している。このよ
うに素子と端子の密度を低下させることにより、
製作作業を容易にし、ひいてはLCDの歩留も向
上する。
ここで３１はゲート電極、３２はソース電極
群、３３はドレイン電極群であり、３４は表示
（絵素）電極とCsの一方の電極を兼ねたもので、
３６はCsのもう一方の電極である。また３５は
絶縁膜、３７は液晶層を示す。３８はセグメント
（絵素）電極の対向電極であり、３９はTFTの配
列体、４０は封止剤である。
群、３３はドレイン電極群であり、３４は表示
（絵素）電極とCsの一方の電極を兼ねたもので、
３６はCsのもう一方の電極である。また３５は
絶縁膜、３７は液晶層を示す。３８はセグメント
（絵素）電極の対向電極であり、３９はTFTの配
列体、４０は封止剤である。
第４図は本発明の他の実施例を示し、第４図ａ
及びｂはそれぞれ本発明により実施されたLCD
を構成する第１及び第２の透明基板の電極構成平
面図であり、第４図ａ及びｂに示すそれぞれの第
１及び第２の透明基板を互いに対向するように配
置し、液晶を封入してLCDのセル構造を構成す
る。第４図ｃは第４図ａ及びｂに示す第１及び第
２の透明基板間に液晶を封入して構成したLCD
を第４図ａに示すＥ―Ｆで切断した断面図であ
る。
及びｂはそれぞれ本発明により実施されたLCD
を構成する第１及び第２の透明基板の電極構成平
面図であり、第４図ａ及びｂに示すそれぞれの第
１及び第２の透明基板を互いに対向するように配
置し、液晶を封入してLCDのセル構造を構成す
る。第４図ｃは第４図ａ及びｂに示す第１及び第
２の透明基板間に液晶を封入して構成したLCD
を第４図ａに示すＥ―Ｆで切断した断面図であ
る。
第３図の実施例では交互に表示（絵素）電極と
対向電極とが構成されているが、本実施例では表
示（絵素）電極と対向電極がそれぞれの第１及び
第２の透明基板の右半分あるいは左半分に集めら
れている。
対向電極とが構成されているが、本実施例では表
示（絵素）電極と対向電極がそれぞれの第１及び
第２の透明基板の右半分あるいは左半分に集めら
れている。
本実施例でも前記と同様の効果が得られた。
ここで、４１はゲート電極、４２はソース電極
群、４３はドレイン電極群であり、４４は表示
（絵素）電極とCsの一方の電極を兼ねたものであ
る。４５は絶縁膜、４６はCsのもう一方の電極
である。４７は液晶層、４８はセグメントの対向
電極、４９はTFTの配列体、５０は封止剤を示
す。
群、４３はドレイン電極群であり、４４は表示
（絵素）電極とCsの一方の電極を兼ねたものであ
る。４５は絶縁膜、４６はCsのもう一方の電極
である。４７は液晶層、４８はセグメントの対向
電極、４９はTFTの配列体、５０は封止剤を示
す。
上記各実施例では４桁の７セグメント表示を例
にとり説明したが、桁数がこれ以上の場合でも本
発明の効果はもちろん有効であり、さらに第５図
に示したようなアルフアニユーメリツク表示ので
きる16セグメントあるいは田の字型セグメントの
場合には、TFTとCsの集積化密度が前記７セグ
メントの場合と比べて大きくなるので、２枚の基
板に素子を振り分けてLCDを構成する本発明は
特に有効である。
にとり説明したが、桁数がこれ以上の場合でも本
発明の効果はもちろん有効であり、さらに第５図
に示したようなアルフアニユーメリツク表示ので
きる16セグメントあるいは田の字型セグメントの
場合には、TFTとCsの集積化密度が前記７セグ
メントの場合と比べて大きくなるので、２枚の基
板に素子を振り分けてLCDを構成する本発明は
特に有効である。
また、本発明に係るTFTとCsと表示電極をそ
れぞれ対向する２枚の透明基板に振り分けたセル
構造をマトリツクス型LCDに実施すると、セグ
メントタイプ同様、素子密度減少によつて、
TFTつき基板の歩留が向上しマトリツクス型
LCDの製作歩留を向上させることができる。
れぞれ対向する２枚の透明基板に振り分けたセル
構造をマトリツクス型LCDに実施すると、セグ
メントタイプ同様、素子密度減少によつて、
TFTつき基板の歩留が向上しマトリツクス型
LCDの製作歩留を向上させることができる。
このようにTFTを用いたLCDを構成する場合、
TFTよりなるスイツチング回路を２枚の基板に
振り分けて構成する、即ち、複数のTFTよりな
るスイツチング回路の一部を第１の基板に設ける
と共に複数のTFTよりなるスイツチング回路の
残部を第２の基板に設ける本発明のセル構造にす
れば、素子密度および接続端子密度を減少させる
ことができ、LCD製作作業を容易にし歩留を向
上させる手段として非常に有効である。
TFTよりなるスイツチング回路を２枚の基板に
振り分けて構成する、即ち、複数のTFTよりな
るスイツチング回路の一部を第１の基板に設ける
と共に複数のTFTよりなるスイツチング回路の
残部を第２の基板に設ける本発明のセル構造にす
れば、素子密度および接続端子密度を減少させる
ことができ、LCD製作作業を容易にし歩留を向
上させる手段として非常に有効である。
第１図はTFTを用いて液晶表示を行なうため
の１絵素分に相当する等価回路図、第２図は従来
のTFTによるセグメント表示LCDの電極構成図、
第３図及び第４図はそれぞれ本発明により実施さ
れたTFTによるセグメント表示LCDの電極構成
図、第５図はアルフアニユーメリツク表示をする
ために用いたセグメントパターン図である。
の１絵素分に相当する等価回路図、第２図は従来
のTFTによるセグメント表示LCDの電極構成図、
第３図及び第４図はそれぞれ本発明により実施さ
れたTFTによるセグメント表示LCDの電極構成
図、第５図はアルフアニユーメリツク表示をする
ために用いたセグメントパターン図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 互いに対向配置された第１及び第２の電極基
板間に液晶層が層設され、前記電極基板に形成さ
れた表示電極構造に薄膜トランジスタを介して信
号電圧を印加することにより表示が実行される液
晶表示装置において、 前記表示電極を構成する複数の絵素電極の一部
を前記第１の電極基板に配置して、当該第１の電
極基板に設けられた薄膜トランジスタのそれぞれ
と個別に接続し、 前記複数の絵素電極の一部に対向して設けられ
る対向電極を前記第２の電極基板に配置し、 前記表示電極を構成する複数の絵素電極の残部
を前記第２の電極基板に配置して、当該第２の電
極基板に設けられた薄膜トランジスタのそれぞれ
と個別に接続し、 前記複数の絵素電極の残部に対向して設けられ
る対向電極を前記第１の電極基板に配置したこと
を特徴とする液晶表示装置。 ２ 絵素電極がセグメント型電極で構成された特
許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9836979A JPS5622474A (en) | 1979-07-31 | 1979-07-31 | Liquid crystal display unit |
| GB8024121A GB2056739B (en) | 1979-07-30 | 1980-07-23 | Segmented type liquid crystal display and driving method thereof |
| US06/172,175 US4385292A (en) | 1979-07-30 | 1980-07-25 | Segmented type liquid crystal display and driving method thereof |
| DE3028717A DE3028717C2 (de) | 1979-07-30 | 1980-07-29 | Flüssigkristallanzeige |
| US06/419,015 US4486748A (en) | 1979-07-30 | 1982-09-16 | Segmented type liquid crystal display and driving method thereof |
| GB08317206A GB2126400B (en) | 1979-07-30 | 1983-06-24 | A segmented type liquid crystal display and driving memory thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9836979A JPS5622474A (en) | 1979-07-31 | 1979-07-31 | Liquid crystal display unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5622474A JPS5622474A (en) | 1981-03-03 |
| JPS6361672B2 true JPS6361672B2 (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=14217957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9836979A Granted JPS5622474A (en) | 1979-07-30 | 1979-07-31 | Liquid crystal display unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5622474A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116618A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マトリクス液晶表示装置 |
| JPS60172535A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-06 | オカモト株式会社 | 耐溶剤性圧延成形ゴム引布 |
| JP2600200B2 (ja) * | 1987-10-13 | 1997-04-16 | 旭硝子株式会社 | 薄膜能動素子基板 |
| JP7011891B2 (ja) * | 2016-10-24 | 2022-01-27 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示素子 |
-
1979
- 1979-07-31 JP JP9836979A patent/JPS5622474A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5622474A (en) | 1981-03-03 |
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