JPH01930A

JPH01930A - 液晶素子

Info

Publication number: JPH01930A
Application number: JP62-156931A
Authority: JP
Inventors: 旬中野渡; 岡部　和弥; 松田　英行
Original assignee: アルプス電気株式会社
Filing date: 1987-06-24
Publication date: 1989-01-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ
を用いた液晶素子に関する。

〔従来の技術〕

従来、このような液晶素子として、例えば第４図および
第５図に示す構造のものが知られている。

図中符号１は液晶素子である。この液晶素子ｌは互いに
対向する下基板２と上基板３との間に形成される空隙に
液晶４を注入し、この液晶４を上記両基板２．３の周縁
部に配設したシール材５により液密に封止してなるもの
である。

下基板２は、上基板３より若干大きく形成され、この下
基板２の対向面（図面において上面）には、シール材５
により囲まれた部分の内側に、第４図に示すようにスイ
ッチング素子としての薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴ
と言う。）６が設けられ、このＴＰＴ６に隣接して薄膜
状のＩＴＯ等からなる画素電極７が形成されている。ま
た、この下基板２には、下基板２と上基板３との間のセ
ルギャップを一定に維持するためのスペーサ（図示しな
い）が設けられている。

一方、上基板３の対向面（図面において下面）には、シ
ール材５で囲まれた部分の内側に薄膜状のＩＴＯ等から
なる透明電極８が形成されている。

そして、このような構成の液晶素子ｌては、従来、上記
透明電極８と素子外部との電気的な連絡を行なうための
導通経路を銀ベースＩ・などから形成している。この導
通経路を形成するには、まず下基板２の上面にスパッタ
法、金属蒸着法などの薄膜形成法によりクロム等からな
る金属薄膜９を帯状に形成する。ここで、この金属薄膜
９は、下基板２の周縁部分から下基板２の内方にかけて
形成される。そして、下基板２の周縁部分の一端９ａは
、透明電極８の外部取り出し用端子として形成され、他
端９ｂはシール材５で囲まれた部分の内側に延びるよう
に形成される。次いで、この金属薄膜９の他端９ｂの上
に銀ペーストを塗布して導通部ＩＯを形成する。次に、
下基板２の上に上基板３を重ね合わせて上記導通部ＩＯ
と上基板３の透明電極８の縁部とを接触させたのち、下
基板２と上基板３との間の空隙をシール材５で閉塞して
セル構造とする。

このような液晶素子１にあっては、透明電極８と導通部
ＩＯと金属薄膜９とが電気的に接続されており、これら
金属薄膜９と導通部ｌＯとは透明電極８の導通経路を構
成している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、このような液晶素子ｌでは、透明電極８
の導通経路を作製する際の工程数が多くなるため、製造
に手間がかかるなどの問題があった。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明では、互いに対向する２枚の基板のうち、一方
の基板の対向面にＴＰＴおよびスペーサを設け、これら
ＴＰＴあるいはスペーサと他方の基板の対向面に形成さ
れた透明７Ｉ＆極との間にＴＦ′ｒのライトシールドあ
るいはスペーサの上部金属層と同時に形成される金属配
線の一端を配し、この金属配線の他端を上記一方の基板
の周縁部に延出したことをその解決手段とした。

このような液晶素子では、透明電極の導通経路となる金
属配線を、ＴＰＴのライトシールドあるいはスペーサの
上部金属層と同時に形成するようにしたので、製造工程
数を少なくできる。

以下、第１図ないし第３図を参照してこの発明の詳細な
説明する。

この発明の液晶素子の構成と従来の液晶素子の構成との
共通部分については、同一符号を符し、その部分の説明
を省略する。

この例の液晶素子ｌにあっては、透明電極８の導通経路
として、ＴＰＴ６のライトシールド６ａと同時に形成さ
れる金属配線２０を用いた点に特徴がある。

この金属配線２０は、第１図に示すように、その一端が
ＴＰＴ６のライトシールド６ａに一体に形成され、ここ
からＴＰＴ６の側壁部分を下り他端２０ａが下基板２の
周縁部分にまで延出したものである。そして、この金属
配線２０の平面形状は、第２図および第３図に示すよう
に、はぼ線状あるいは短ざく状とされ、その他端２０ａ
は外部取り出し端子用に接地面積の大きい形状、例えば
矩形状とされている。そして、この金属配線２０を形成
する材料としては、ＴＰＴ６のライトシールド６ａと同
じ材料で、かつガラス等からなる下具体的にはアルミニ
ウムなどの金属材料が好適に用いられる。

そして、このような金属配線２０は、ＴＰＴ６にライト
シールド６ａを形成する工程と同時に製造される。すな
わち、ＴＰＴ６の上部にはライトシールド６ａ用のマス
ク、これに続いてＴＰＴ６の側壁部分および下基板２の
上面には上記ライトシールド６ａ用のマスクの開口に続
く開口を有する金属配線２０用のマスクを施したうえで
、例えばスパッタ法、金属蒸着法などの薄膜形成法によ
り形成する。このようにして製造された金属配線２０の
一端は、ＴＰＴ６のライトシールド６ａと一体に形成さ
れ、その中間部分は第２図および第３図に示すように、
多数のソース・バス２１・・・と多数のゲート・バス２
２・・・とが格子状に設けられた下基板２の空き間部分
に配設される。そして、金属配線２０の他端２０ａは、
上記ソース・バス２１の端子２１ａやゲート・バス２２
の端子２２ａと同様に下基板２の周縁部分にまで延出さ
れる。

てＴＰＴ６のライトシールド６ａと一体となった金属配
線２０の一端を透明電極８に接触させる。

次いで、下基板２と上基板３との間の空隙に液晶１１を
注入したのち、この空隙をシール材５で閉塞してセル構
造とする。

このような構成からなる液晶素子１にあっては、透明電
極８の導通経路として、ＴＰＴ６のライトシールド６ａ
と同時に形成された金属配線２０を用いた乙のであるの
で、製造工程数を少なくできることから、製造が容易と
なるとともに、製造コストの低減を図れ、安価なものと
なる。

また、液晶４としてカイラルスメクチックＣ相を呈する
強誘電性液晶を用いた液晶素子Ｉでは、強誘電性液晶が
双安定状態を有し、表示のメモリ性を持ち、かつ高速応
答性を備えていることから、大容量デイスプレィ、メモ
リ形デイスプレィ、高速光シャッタなどとして好適に使
用可能なものとなる。

なお、この例では、金属配線２０として、ＴＰＴ６のラ
イトシールド６ａと同時に形成したちのを用いたが、金
属配線２０として、下基板２と上基板３との間のセルギ
ャップを一定に維持するためのスペーサ（図示しない）
の上部金属層と同時に形成したものを用いた構成であっ
てもよい。このスペーサは、ＴＰＴ６とほぼ同様に導電
層、半導電層、絶縁層等を積層して形成してなるもので
ある。そして、このようなスペーサの上部金属層の形成
と導通経路としての金属配線２０の形成とを同時に行な
ったものでも、製造工程数を少なくできる効果が得られ
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明の液晶素子は、透明電極
の導通経路となる金属配線を、ＴＰＴのライトシールド
あるいはスペーサの上部金属層と同時に形成したもので
あるので、製造工程数を少なくできることから、製造が
容易となるとともに、製造コストの低減を図れ、安価な
ものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は、この発明の液晶素子の一例を示
すもので、第１図は要部の概略断面図、第２図は概略平
面図、第３図は第２図の一部を拡大視した概略平面図で
ある。第４図および第５図は、従来の液晶素子の一例を示すも
ので、第４図は概略断面図、第５図は概略平面図である
。ｌ・・・液晶素子、２・・・下基板、３・・・上基板、４・・・液晶、６・・・薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）、６ａ・・・ライ
トシールド、８・・・透明電極、２０・・・金属配線、２０ａ・・・金属配線の他端。

Claims

【特許請求の範囲】

互いに対向する２枚の基板のうち、一方の基板の対向面
に薄膜トランジスタおよびスペーサが設けられ、これら
薄膜トランジスタあるいはスペーサと他方の基板の対向
面に形成された透明電極との間に薄膜トランジスタのラ
イトシールドあるいはスペーサの上部金属層と同時に形
成される金属配線の一端を配し、この金属配線の他端を
上記一方の基板の周縁部に延出したことを特徴とする液
晶素子。