JPS61208029A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツタアレイ等に
適用する液晶素子に関し、詳しくは液晶分子の初期配向
状態を改善することにより、表示ならびに駆動特性を改
善した液晶素子に関する。

〔従来の技術〕

従来の液晶素子としては、例えばエム・シャンｌ−（Ｍ
、５ｃｈａｄｔ）とダブリュー・へルフリツヒ（Ｗ、　
Ｈｅ　ｌ　ｆ　ｒ　ｉ　ｃｈ）著゛′アプライド・フィ
ジックス串しダーズ″（Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ”）第１８巻、第４号（１９７１年２月
１５日発行）、第１２７頁〜１２８頁の″ボルテージ・
ディペンダント・オプティカル・アクティビティ−・オ
ブ・ア・ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリス
タル″（Ｖｏｌｔａｇｅ　　ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔ
ｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａＴｗｉｓ
ｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ　　ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔ
ａｌ”）に示されたツィステッド・ネマチック（ｔｗｉ
ｓｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたものが知ら
れている。このＴＮ液晶は、画素密度を高くしたマトリ
クス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを
発生する問題点があるため、画素数が制限されていた。

又、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素子
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが難しい問題点がある。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ１
ａｒｋ）およびラガウェル（Ｌａｇｅ　ｒｗａ　１　＋
）により提案されている（特開昭５６−１０７２１６号
公報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）、双安定
性を有する液晶としては、一般に、カイラルスメクテイ
ツクＣ相（ＳｍＣ末）又はＨ相（Ｓ　ｍＨ”）を有する
強誘電性液晶が用いられる。

この液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２の
光学安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述の
ＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、例
えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定状態
に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第２の
光学的安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶
は、加えられる電界に応答して、極めて速やかに上記２
つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のない
ときはその状態を維持する性質を有する。このような性
質を利用することにより、上述した従来のＴＮ型素子の
問題点の多くに対して、かなり本質的な改善が得られる
。この点は、本発明と関連して、以下に、更に詳細に説
明する。しかしながら、この双安定性を有する強誘電性
液晶が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行
基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関係
に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起るよ
うな分子配列状態にあることが必要である。

例えばＳｍＣ”又はＳｍＨ”相を有する強誘電性液晶に
ついては、ＳｍＣ”又はＳｍＨ”相を有する液晶分子層
が基板面に対して垂直で、したがって液晶分子軸が基板
面にほぼ平行に配列した領域（モノドメイン）が形成さ
れる必要がある。しかしながら、従来の双安定性を有す
る強誘電性液晶素子においては、このようなドメイン構
造を有する液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成され
なかったために、充分な特性が得られなかったのが実情
である。

たとえば、Ｃ１ａｒｋらによれば、このような配向状態
を与えるために、磁界を印加する方法、せん断力を印加
する方法、基板間に小間隔で平行なリッジ（ｒｉｄｇｅ
）を配列する方法などが提案されている。しかしながら
、これらは、いずれも必ずしも満足すべき結果を与える
ものではなかった。たとえば、磁界を印加する方法は、
大規模な装置を要求するとともに作動特性の良好な薄層
セルとは両立しがたいという難点があり、また、せん断
力を印加する方法は、セルを作成後に液晶を注入する方
法と両立しないという難点がある。又、セル内に平行な
りツジを配列する方法では、それのみによっては、安定
な配向効果を与えられない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、上述した事情に鑑み、高速応答性、高
密度画素と大面積を有する表示素子、或いは高速度のシ
ャッタスピードを有する光学シャッター等として潜在的
な適性を有する強誘電性液晶素子において、従来問題で
あったモノドメイン形成性ないしは初期配向性を改善す
ることにより、その特性を充分に発揮させ得る強誘電性
液晶素子を提供する°ことにある。

〔作用〕

本発明者らは、前述の目的に沿って研究した結果、液晶
を挟持する一対の平行基板のうち少なくとも一方の基板
の面がラビング等による一軸性配向処理効果と一対の基
板間に配置したストライプ状の側壁を有する構造部材の
配列による効果を併用するとともに、下記一般式（１）
で示される液晶化合物又はそれを含有した液晶組成物の
スメクテイツク相、例えばＳｍＡ（スメクテイツクＡ相
）、カイラルスメクテイツク例えばコレステリック相（
カイラルネマチック相）、ネマチック相、等方和からの
徐冷にょる相転移を用いた場合、スメクティック相のモ
ノドメインを形成することができ、この結果強誘電性液
晶の双安定性に基づく素子の作動と液晶層のモノドメイ
ン性を両立し得る構造の液晶素子が得られることを見い
出した。

（式中、ｆＬ及びｍは０又はｌであり、ｎはｌ。

２又は３である。Ｒは炭素数１〜１８のアル午ル基又は
アルコキシ基を示し、木は光学活性な不斉炭素原子を示
す、） 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の液晶素子は、前述の知見に基づくものであり、
より詳しくは一対の平行基板間に液晶を挟持させてなる
液晶素子において、該一対の平行基板のうちの第１の基
板の液晶と接触する側の面には、夫々側壁を有する複数
の構造部材がストライプ状に配置され、第２の基板の液
晶と接する側の面には、前記第１の基板上の複数の構造
部材の延長方向とほぼ平行もしくは垂直な方向の一軸性
配向処理が施されていると共に、前記一般式（１）で示
される液晶化合物又はそれを含有した液晶組成物のスメ
クテイツク相を該スメクテイツク相より高温側の相から
の徐冷による相転移により形成した点に特徴を有してい
る。

〔実施例〕

以下、必要に応じて図面を参照しつつ１本発明を更に詳
細に説明する。

本発明で用いる液晶は、強誘電性を有するものであって
、具体的にはカイラルスメクテイツクＣ相（Ｓ　ｍＣ”
）　、　Ｈ相（ＳｍＨ末）、ｘｉｍ（ＳｍＩ”）、Ｊ相
（ＳｍＪ”）、に相（Ｓ　ｍ　Ｋ　”　）　＋Ｇ相（Ｓ
ｍＧ”）又はＦ相（ＳｍＦ末）を有する液晶を用いるこ
とができる。

前記一般式（１）で示される液晶化合物の代上記表に於
いてＣは結晶相を、ＳＧはスメクチックＧ相を、ＳＢは
スメクチックＢ相を、ｃｈはコレステリック相を、■は
等方性液体相（透明相）を夫々表わし、各相の欄°の・
及びその右側の数字は、その相から右側の相への相転移
温度を示し、−はその相を示さないことを示す、（）は
モノトロピック相転移温度であることを示す。

これらの液晶化合物は１例えば特開昭５９−２３１０４
３号公報に開示された合成法によって得ることができる
。

これらの液晶は単独又は２種以上組合せて用いることが
できる他、他の強誘電性液晶、例えばＤＯＢＡＭＢｃ；
デシロキシへンジリデンーｙ−アミノー２−メチルブチ
ルシンナメート、ＨＯＢＡＣＰＣ、ヘキシルオキシベン
ジリデン−ｙ−アミノ−２−クロロプロピルシンナメー
トなどと組合せることによっても、良好な結果を得るこ
とができる。

これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
がＳ　ｍ　Ｃ”相又はＳｍＨ”相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。

第１図は、強誘電性液晶の動作説明の為に、セルの例を
模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂは、Ｉｎ２
Ｏ３，３ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被覆され
た基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子層２２が
ガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ”相又はＳ　
ｍ　Ｈ”相の液晶が封入されている。

太線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液
晶分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメン
）　（Ｐ土）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上
の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分
子２３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ上
）２４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配
向方向を変えることができる、ｍ品分子２３は、細長い
形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異
方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロ
スニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学
特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理
解される。

本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えばｌＯｋ以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造がほどけ、非らせん構造を採り、その双極子
モーメントＰａまたはｐｂは上向き（３４ａ）又は下向
き（３４ｂ）のどちらかの状態をとるにのようなセルに
、第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅ
ａ又はＥｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与す
ると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界ベ
クトルに対応して上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向き
を変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３
ａか或いは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向す
る。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。

第２の点を、例えば第２図によって更に説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。

又、与える電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それ
ぞれの配向状態にやはり維持されている。このような応
答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセル
としては出来るだけ薄い方が好ましい。

この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述べたように、Ｓ　ｍ
　ＣＸ相又はＳ　ｍ　ＨＸ相を有する層が基板面に対し
て垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配向し
た、モノドメイン性の高いセルを形成することが困難な
ことであり、この点に解決を与えることが本発明の主要
な目的である。

第３図（Ａ）−（Ｃ）は、本発明の液晶素子の一実施例
を示している。第３図（Ａ）は同実施例の斜視図であり
、第３図（Ｂ）はその側面の断面図、第３図（Ｃ）はそ
の正面の断面図である。但し第３図（Ａ）においては、
液晶ならびに偏光子の図示は省略しである。

第３１ｆｆｌ　（Ａ）　−ＣＣ）において、ガラス板ま
たはプラスチック板などからなる基板１０１の上に、複
数の電極１０２からなる電極群（例え′ば走査電極群を
構成）が、所定のパターンにエツチング等により形成さ
れている。更に、これら電極１０２と交互に且つ並列す
る位置関係で、ストライプ形状で複数配置された側壁１
０６および１０７を有するスペーサ部材１０４が形成さ
れている。

さらに基板１０１上のスペーサ部材１０４形成部を除き
電極１０２を覆って絶縁膜１０３が形成されている。

スペーサ部材１０４は、例えばポリビニルアルコール、
ポリイミド、ポリアミドイミド。

ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン。

ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセター
ル、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポ
リスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹
脂、アクリル樹脂などの樹脂類、或いは感光性ポリイミ
ド、感光性ポリアミド、環化ゴム系フォトレジスト、フ
ェノールノボラック系フォトレジスト或いは電子線フォ
トレジスト（ポリメチルメタクリレート、エポキシ化−
１，４−ポリブタジェンなど）などから選択して形成す
ることが好ましい。

絶縁膜１０３は、電極１０２から液晶層への電荷の注入
を防止する機能を有し、例えば−酸化ケイ素、二酸化ケ
イ素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシ
ウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物
シリコン炭化物、ホウ素窒化物、などの化合物を用いて
例えば蒸着により被膜形成して得ることができる。また
それ以外にも、例えばポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラ
キシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポ
リアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリャ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂類の塗膜とし
て形成することもできる。絶縁膜１０３の膜厚は、材料
のもつ電荷注入防止能力と、液晶層の厚さにも依存する
が、通常５０人〜５ＪＬ、好適には、５００人〜５００
０人の範囲で設定される。

一方、液晶層の層厚は、液晶材料に特有の配向のし易さ
と素子として要求される応答速度に依存するが、スペー
サ部材１０４の高さによって決定され、通常０．２　Ｊ
Ｌ〜２００−１好適には、０．５用〜１０＝の範囲で設
定される。また、スペーサ部材１０４の幅は、通常０．
５ル〜５０弘、好適には１ｗ〜２ｏ戸の範囲で設定され
る。スペーサ部材１０４のピッチ（間隔）は、あまり大
きすぎると液晶分子の均一な配向性を阻害し、一方、あ
まり小さ過ぎると液晶光学素子としての有効面積の減少
を招く、この為、通常１０ｗ〜２ｍｍ、好適には、５０
〜７００ｇの範囲でピッチが設定される。

これらスペーサ部材１０４は、例えばスクリーン印刷等
の各種印刷法、或いは、より好ましくはフォトリソグラ
フィー、電子線リソグラフィー等の技術により所定のパ
ターンならびに寸法に形成される。

本発明の液晶素子は、上記のようにして処理された基板
ｌＯ１と平行に重ね合されたもう一方の基板１１０を備
えており、この基板１１０の上には複数の電極（たとえ
ば信号電極）ｊｌｌからなる電極群と、さらにその上に
絶縁膜１１２が形成されている。複数の（信号）電極ｔ
ｔｉと、もう一方の複数の（走査）電極１０２は、マト
リクス構造で配線されることができる。基板１１０上の
絶縁Ｍ１１２は、前述の絶縁膜１０３と同様に液晶層１
０５に流れる電流の発生を防止するものであり、前述の
絶縁膜１０３と同様の物質によって被膜形成される０本
発明に従い、この基板１０１の絶縁ｌｌ１１１２のなす
平面１１３には一軸配向性処理を行ない、その配向方向
を、前記基板１０１上のスペーサ部材１０４の延長方向
とほぼ平行（すなわち、これら二方向のなす角度をθと
して、好ましくはＯ″≦θく１５°）または直交（好ま
しくは、８０°くθ＜１００”）させる、この際、これ
ら二方向のなす角度θを直交した場合の液晶セルは、角
度θを平行とした場合の液晶セルと比較して配向欠陥を
生じる傾向が大きく、特に一軸性配向処理として下達の
ラビング処理を適用した場合では角度θを平行とした液
晶セルの方が角度θを直交とした液晶セルに較べ配向火
陥のないモノドメインを形成することができる０本発明
者等の研究によれば、このような平行または直交関係が
満たされないと、スペーサのエツジ部分で液晶分子の配
向が乱れたり、記憶作用を有するセルにおいては、双安
定状態間でのスイッチングがうまく行なわれない現象が
生じる。但し上記したθの範囲表現からもわかるように
、１５″程度までのずれは実用上問題ない。

このような一軸配向性処理は、ＴＮ型液晶セルについて
よく知られているように、絶縁膜１１２をビロード、布
または紙などによりラビング処理するか、あるいは絶縁
膜１１２の斜め蒸着法により達成することができる。

なお上記したような一軸配向性処理は、基本的には基板
１０１については行なう必要はないが、基板１０１につ
いても行なうことができ、この際は、スペーサ部材１０
４の延長方向とほぼ平行または直交する一軸配向性処理
後に、絶縁膜１０３を蒸着により形成するか、或いは絶
縁膜１０３の形成後に一軸配向性処理を行ない、その後
に絶縁膜１０３のなす面１０８の配向処理効果を選択的
に除くことにより、スペーサ部材１０４の側壁１０６お
よび１０７に選択的に配向処理効果を付与することが。

得られる液晶素子の応答速度を速くする為に望ましい。

本発明の液晶素子には、一対の平行基板１０１と１１０
の両側、すなわち基板１０１と１１０を挟む一対の偏光
手段（偏光子１１４と検光子１１５）を用いることがで
きる。偏光子１１４と検光子１１５としては、通常の偏
光板、偏光膜や偏光ビームスプリッタ−を用いることが
でき、この際、この偏光手段をクロスニコル状態又はパ
ラレルニコル状態で、配置することが可能である。

本発明の液晶素子は、一対の平行基板を・上記したスペ
ーサ部材の延長方向と一軸性配向処理方向の相互関係を
満たすように固定し、それらの周辺をエポキシ系接着剤
や低融点ガラスで封市した後、強誘電性液晶を封入し等
方（ｉ　ｓｏｔ　ｒｏｐ　ｉ　ｃ）相にまで加熱した状
態より、精密に温度コントロールし乍ら徐冷することに
よって、得ることができる。

上記においては、本発明の液晶素子を、その好ましい一
実施例に基づいて説明した。しかしながら本発明の範囲
内で、上記実施例を種々変形することができることは、
容易に理解できよう、たとえば、上記例においてスペー
サ部材１０４として説明した部材は、液晶に対して必要
な壁効果を及ぼすための側壁を有するならば、一対の平
行基板の両方に接触してスペーサ部材としても機能する
ものでなくてもよｌ／１゜但し上述の例からも分る通り
、スペーサ部材ｔよ好ましい構造部材の例であり、又、
スペーサ部材１０４が直線に沿って、ドツト状に配置し
た変形ストライプ状スペーサとすることも可能である。

また、電極は上記した単純ストライプ状のマトリクス電
極に限らず、他の形状、例えば７セグメント構造の電極
配線で形成されていてもよい。

以下、本発明の液晶の具体的な製造例を説明実施例１ 一対のＩ　Ｔｏ　（Ｉ　ｎ　ｄ　ｉ　ｕｎ−Ｔ　ｉｎ　
−０Ｘｉｄｅ）からなるストライプ状のパターン電極が
形成された基板の一方に、ポリイミド膜を１５００人程
度０膜厚で形成し、一方向にラビング処理した。また他
方の基板にはポリイミド膜を２１Ｌｍの膜厚で形成し、
フォトエツチングにより、２００ｇｍピッチで巾２０ｐ
ｍのストライプ状スペーサを形成した。

ポリイミドとしては、東し社製５Ｐ−５１０を用い、そ
のＮ−メチルピロリドン溶液をディッピングもしくはス
ピナーコーティングにより塗布してポリイミド膜を形成
した。

エツチングは、ヒドラジン：　Ｎａ０Ｈ＝　ｌ　：１の
混合液をエツチング液として、これを３０°Ｃに昇温し
、ポリイミド膜を形成した基板を３分間浸漬してエツチ
ングを行なった。

以上の工程で作成した一対の電極基板を。

ストライプ状のスペーサの方向とラビング方向をほぼ平
行に一致させて液晶セル（セル厚；２ルｍ）を構成した
。

この液晶セルに等吉相の下記組成物Ａを注入した後に、
セルの温度を５°Ｃ／時間の割合で徐冷し、ＳｍＣ＊の
液晶セルを作成した。このＳｍＣ＊の液晶セルを偏光顕
微鏡で観察したところ、配向欠陥を生じていない非らせ
ん構造のモノドメインが形成されていることが判明した
。

実施例２と３ 前記実施例１で用いた組成物Ａに代えて。

下記組成物Ｂ（実施例２）、及び前記液晶化合物（１３
）単独（実施例３）を用いたほかは、実施ｉ１と全く同
様の方法で液晶セルを作成し、それぞれのＳｍＣ＊の液
晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、何れの場合でも
配向欠陥を生じていない非らせん構造のモノドメインの
形式が確認できた。

糺皮上」 前記液晶化合物　（６）　　　　　　　　　　１０刺す
前記液晶化合物　（１４）　　　　　　　　　　１０刺
い実施例４ 一対のＩＴＯからなるストライプ状のパターン電極が形
成された基板の一方に、ポリイミド膜を１５００人程度
０膜厚で形成し、一方向にラビング処理した。また他方
の基板にはポリイミド膜を２ＪＬｍの膜厚で形成し、フ
ォトエツチングにより、２００ｇｍピッチで巾２０７ｚ
ｍのストライプ状スペーサを形成し、ストライプ状のス
ペーサの方向と平行にラビング処理した。

ポリイミドとしては、東し社製５Ｐ−５１０を用い、そ
のＮ−メチルピロリドン溶液をディッピングもしくはス
ピンナーコーティングにより塗布してポリイミド膜を形
成した。

エツチングは、ヒドラジン：　Ｎａ０Ｈ＝　１　：１の
混合液をエツチング液として、これを３０℃に昇温し、
ポリイミド膜を形成した基板を３分間浸漬してエツチン
グを行なった。

以上の工程で作成した一対の電極基板を、ストライプ状
のスペーサの方向とラビング方向をほぼ平行に一致させ
て液晶セル（セル厚；２ＪＬｍ）を構成した。

この液晶セルに実施例１で用いた等吉相の組成物Ａを注
入した後に、セルの温度を５℃／時間の割合で徐冷し、
ＳｍＣ＊の液晶セルを作成した。このＳｍＣ＊の液晶セ
ルを偏光顕微鏡で観察した処、配向欠陥を生じていない
非らせん構造のモノドメイが形成されていた。

実施例５ 実施例１において、一対の基板を、それらのラビング処
理方向とストライプ状スペーサノ延長方向が直交するよ
うに組合わせ、それ以外は実施例１と同様にして液晶セ
ルを構成した。

この液晶セルを偏光顕微鏡で観察した処。

ストライプ状スペーサのエッヂ部付近に若干の配向欠陥
が観察された。

実施例６ 一対のＩＴＯからなるストライプ状のパターン電極が形
成された基板の一方に、ポリイミド膜を１０００人程度
０膜厚で形成し、一方向にラビング処理した。また他方
の基板にはポリイミド膜を２７ｚｍの膜厚で形成し、フ
ォトエツチングにより、２００ｇｍピッチで巾２０１Ｌ
ｍのストライプ状スペーサを形成した。

ポリイミドとしては、東し社製５Ｐ−５１０を用い、そ
のＮ−メチルピロリドン溶液をディッピングもしくはス
ピナーコーティングにより塗布してポリイミド膜を形成
した。

エツチングは、ヒドラジン：　Ｎａ０Ｈ＝　ｌ　：ｌの
混合液をエツチング液として、これを３０℃に昇温し、
ポリイミド膜を形成した基板を３分間浸漬してエツチン
グを行なった０次いで、このストライプ状スペーサが形
成されている基板上に前述と同様のポリイミド膜を全面
に亘って形成した。但し、この時のポリイミドの膜厚を
１０００人とした。次いで、このポリイミド膜の表面に
ストライプ状スペーサの延長方向と平行方向にラビング
処理を施した。

以北の工程で作成した一対の電極基板を。

それぞれのラビング方向が平行となる様にセル組（セル
厚；２ｐｍ）みし、このセル中に等吉相下の組成物Ａを
注入し、徐冷によって非らせん構造のＳｍＣ＊液晶セル
を作成してから、実施例１と同様の方法で観察したとこ
ろ、同様の結果が得られた。

この液晶セルは、他の実施例で用いた液晶セルに比較し
て数日間放置後でもＳｍＣ＊には配向欠陥を生じない安
定したモノドメインを形成していることが判明した。

さらに、この液晶素子に２０Ｖで１ｍ５ｅｃのパルス信
号を印加して駆動させたところ、実施例１の場合と較べ
、明状態と暗状態のコントラストが大きくなることが判
明した。

比較例１ 実施例１の液晶セルを作成した際のセル組み時に、一対
の電極基板を、ストライプ状スペーサの方向とラビング
方向とのなす角度θを２５°に設定して、重ね合せた他
は、実施例１と同様の方法で非らせん構造のＳｍＣ＊液
晶セルを作成した。

このＳｍＣ＊液晶セルを実施例１と同様の方法で観察し
たところ、ストライプ状スペーサのエッヂ付近に無数の
配向欠陥に帰因する黒すじ状態が観察され、この黒すじ
体が電極形成部を覆っており、この一対の電極間に互い
に極性の異なる２種の電気信号を印加しても、この黒す
じ体が形成されている部分では双安定性を全く示さない
ことが判明した。

比較例２ 実施例６の液晶セルを作成した際に用いたストライプ状
スペーサとポリイミド膜を設けた電極基板と同一のもの
を用意し、このポリイミド膜の表面にストライプ状スペ
ーサの延長方向に対して角度２５°の方向にラビング処
理を施した。

次いで、実施例６で使用した片側の電極基板と同一のも
のを用意し、これに一方向にラビング処理を施した。

この２枚の電極基板をそれぞれのラビング方向が平行と
なる様に重ね合せてからセル組みし、以下、実施例１と
同様の手順で非らせん構造のＳｍＣ＊液晶セルを作成し
てから、この液晶セルを実施例１と同様の方法で観察し
たところ、やはり比較例１と同様にディスプレイデバイ
スとしては致命的な配向欠陥が観察された。

又、前述と同様に一対の電極間に電気信号を印加したが
、双安定性は全く示していなかった。

〔発明の効果〕

前記したように、本発明によれば、一対の電極基板の一
方の電極基板にストライプ状の側壁を有する構造部材（
好ましくは兼スペーサ）を形成し、他方の基板に一軸性
配向処理（例えば、ラビング）を行ない、その処理方向
を上記構造部材とほぼ平行もしくは直交する方向に規制
するとともに、液晶として前記一般式（１）で示される
液晶化合物又はそれを含有した液晶組成物を用いること
により、特に欠陥の現われやすい記憶状態においてもス
ペーサエツジでの欠陥を除くことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、カイラルスメクテイツク液晶を用いた液晶素
子を模式的に示す斜視図である。第２図は、同液晶素子
の双安定性を模式的に示す斜視図である。第３図（Ａ）
は、本発明の液晶素子の斜視図、第３図（Ｂ、）はその
側断面図、＄３図（Ｃ）はその正断面図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一対の基板間に液晶を配置した液晶素子に於いて
   、前記一対の基板のうち一方の基板がストライプ状に配
   列した側壁を有する複数の構造部材を有し、前記一対の
   基板のうち少なくとも一方の基板が前記複数の構造部材
   の延長方向とほぼ平行又は垂直な方向に一軸性配向処理
   が施されているとともに、下記一般式（１）で示される
   液晶化合物又はそれを含有した液晶組成物のスメクテイ
   ツク相を該スメクテイツク相より高温側の相からの相転
   移により形成したことを特徴とする液晶素子。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｌ及びｍは０又は１であり、ｎは１、２又は３
   である。Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基又はアルコキ
   シ基を示し、＊は光学活性な不斉炭素原子を示す。）
2. （２）前記側壁を有する複数の構造部材が、一対の基板
   間のストライプ状スペーサー部材として機能し、かつ強
   誘電性液晶に双安定性を付与するに適当な厚さを有する
   特許請求の範囲第１項に記載の液晶素子。
3. （３）前記側壁を有する複数の構造部材の延長方向と前
   記一軸性配向処理方向のなす角度θが、０°≦θ＜１５
   °または８０°＜θ＜１００°の関係を満たす特許請求
   の範囲第１項に記載の液晶素子。