JPS61183625A - 液晶表示パネルの製造法 - Google Patents
液晶表示パネルの製造法Info
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- JPS61183625A JPS61183625A JP2384985A JP2384985A JPS61183625A JP S61183625 A JPS61183625 A JP S61183625A JP 2384985 A JP2384985 A JP 2384985A JP 2384985 A JP2384985 A JP 2384985A JP S61183625 A JPS61183625 A JP S61183625A
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- Japan
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- liquid crystal
- panel
- phase
- polyimide
- crystal display
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶表示パネルの製造法に係わり、液晶表示パ
ネルのパネル間隙を所定の厚みで均一に製造する方法に
関し、特に強誘電性を示すスメクチック液晶を用いた液
晶パネルのパネル間隙を所定の厚みで均一に且つモノド
メイン化された液晶表示パネルを製造する方法に関する
ものである。
ネルのパネル間隙を所定の厚みで均一に製造する方法に
関し、特に強誘電性を示すスメクチック液晶を用いた液
晶パネルのパネル間隙を所定の厚みで均一に且つモノド
メイン化された液晶表示パネルを製造する方法に関する
ものである。
従来の技術
近年、強誘電性を示すスメクチック液晶を用いた表示パ
ネルが高速応答性を示すことから注目されている。（参
考文献 エヌ、ニー、クラークとニス、ティー、ラガパ
Ａ／ Ｎ 、 Ａ 、 Ｃ１ａｒｋ ａｎｄＳ 、
Ｔ 、 Ｌａｇｅｒｗａｌｌ ： ７プライト、フィジ
ックス。
ネルが高速応答性を示すことから注目されている。（参
考文献 エヌ、ニー、クラークとニス、ティー、ラガパ
Ａ／ Ｎ 、 Ａ 、 Ｃ１ａｒｋ ａｎｄＳ 、
Ｔ 、 Ｌａｇｅｒｗａｌｌ ： ７プライト、フィジ
ックス。
レター、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ｎｅｔｔ、 ３６
（１１） ｐｐ８９９〜９０１ （１９８０））すなわ
ち従来から液晶表示パネルとしての主流を占めているネ
マチック液晶を用いたＴＮ（ツィステッドネマチックＴ
ｗｉｓｔｅｄＮｅｍａ ｔ ｉ ｃ ）型液晶表示パネ
ルはその応答時間が数ミリ秒（ｍ８）以上と遅く、その
用途拡大の障害となっており、新しい表示素子の出現が
望まれていた。
（１１） ｐｐ８９９〜９０１ （１９８０））すなわ
ち従来から液晶表示パネルとしての主流を占めているネ
マチック液晶を用いたＴＮ（ツィステッドネマチックＴ
ｗｉｓｔｅｄＮｅｍａ ｔ ｉ ｃ ）型液晶表示パネ
ルはその応答時間が数ミリ秒（ｍ８）以上と遅く、その
用途拡大の障害となっており、新しい表示素子の出現が
望まれていた。
強誘電性を示すスメクチック液晶を用いた表示パネルは
その応答時間が数マイクロ秒（μ８）から数十μＢと速
いことから電気光学的効果を利用した液晶表示装置はも
ちろんのこと従来、応答速度の点から困難視されていた
光学機器の光シャツタ装置等への応用も考えられており
、その実用化が急がれている。
その応答時間が数マイクロ秒（μ８）から数十μＢと速
いことから電気光学的効果を利用した液晶表示装置はも
ちろんのこと従来、応答速度の点から困難視されていた
光学機器の光シャツタ装置等への応用も考えられており
、その実用化が急がれている。
ところで上記の強誘電性を示すスメクチック液晶を用い
た表示パネルの応答時間が数マイクロ秒（μＢ）から数
十μｓ と高速応答性を示すにはそのパネル間隙が１ミ
クロンメータ（μｍ）から３μｍ程度とする事が必要で
あり、従来のネマチック液晶を用いたＴＮ型液晶表示パ
ネルのパネル間隙とは異なシかなり狭いことから、これ
までのＴＮ型液晶表示パネルと同様のパネル間隙の形成
方法では良好なパネルを得ることが困難である。すなわ
ち従来のＴＮ型液晶パネルの間隙の制御は所定径のスペ
ーサ例えばグラスファイバーを一方の基板上に分散した
後に所定の方法により上下両基板を貼り合わせ、その後
、鉄プロフクの様なもので荷重をかけながら所定温度に
てシール樹脂を硬化させて行なっている。この様な工法
を用いる限シでは、スペーサの粒径分布の問題や上記基
板の”ウネリ”や”ソリ”の問題や更には荷重の均−性
等の問題から１〜３μｍ程度のパネル間隙を精度よく形
成することが困難である。またグラスファイバーは所定
の粒径より厚い方への制御効果が無いことから往々にし
てスペーサの粒径より厚いパネルが出来てしまう。一方
従来のネマチック液晶を用いたＴＮ型液晶表示パネルの
配向制御はラビングや誘電体物質の斜方蒸着によりモノ
ドメイン化処理がなされていた。しかしスメクチック液
晶の場合には粘度が高く流動性が無いため−Ｈスメクチ
ック層が形成され界面によって固定されると層全体を動
かすには大きな力を必要とする。
た表示パネルの応答時間が数マイクロ秒（μＢ）から数
十μｓ と高速応答性を示すにはそのパネル間隙が１ミ
クロンメータ（μｍ）から３μｍ程度とする事が必要で
あり、従来のネマチック液晶を用いたＴＮ型液晶表示パ
ネルのパネル間隙とは異なシかなり狭いことから、これ
までのＴＮ型液晶表示パネルと同様のパネル間隙の形成
方法では良好なパネルを得ることが困難である。すなわ
ち従来のＴＮ型液晶パネルの間隙の制御は所定径のスペ
ーサ例えばグラスファイバーを一方の基板上に分散した
後に所定の方法により上下両基板を貼り合わせ、その後
、鉄プロフクの様なもので荷重をかけながら所定温度に
てシール樹脂を硬化させて行なっている。この様な工法
を用いる限シでは、スペーサの粒径分布の問題や上記基
板の”ウネリ”や”ソリ”の問題や更には荷重の均−性
等の問題から１〜３μｍ程度のパネル間隙を精度よく形
成することが困難である。またグラスファイバーは所定
の粒径より厚い方への制御効果が無いことから往々にし
てスペーサの粒径より厚いパネルが出来てしまう。一方
従来のネマチック液晶を用いたＴＮ型液晶表示パネルの
配向制御はラビングや誘電体物質の斜方蒸着によりモノ
ドメイン化処理がなされていた。しかしスメクチック液
晶の場合には粘度が高く流動性が無いため−Ｈスメクチ
ック層が形成され界面によって固定されると層全体を動
かすには大きな力を必要とする。
現在公知であるスメクチック液晶の配向処理方法として
ラビングないし斜方蒸着を施したパネルを熱処理炉等で
高温（等方性液体温度以上）に保持し、スメクチック液
晶を等方性液体状態で注入した後、長時間かけて徐冷し
つつＳＡ相を結晶成長させる。その後所定の強誘電性を
示すスメクチック相、例えばカイラルスメクチックＣ相
（ＳＣ−ｘ相）やカイラルスメクチックＦ相（ＳＦ＋相
）を示す温度領域までゆっくりと降温処理を行い、目的
とする強誘電性を示すスメクチック相のモノドメイン化
を行なっている。この様な方法で作成したスメクチック
液晶パネルを偏光顕微鏡下で観察すると、非常に多くの
欠陥が在シ、その欠陥を境界とした多くのドメインの集
合体であり、ミクロ的に見てモノドメイン化されていな
い。このことは表示装置としてはコントラストの低下を
招くばかりでなく、電気光学的特性にも悪影響を与える
ことから好ましくない。
ラビングないし斜方蒸着を施したパネルを熱処理炉等で
高温（等方性液体温度以上）に保持し、スメクチック液
晶を等方性液体状態で注入した後、長時間かけて徐冷し
つつＳＡ相を結晶成長させる。その後所定の強誘電性を
示すスメクチック相、例えばカイラルスメクチックＣ相
（ＳＣ−ｘ相）やカイラルスメクチックＦ相（ＳＦ＋相
）を示す温度領域までゆっくりと降温処理を行い、目的
とする強誘電性を示すスメクチック相のモノドメイン化
を行なっている。この様な方法で作成したスメクチック
液晶パネルを偏光顕微鏡下で観察すると、非常に多くの
欠陥が在シ、その欠陥を境界とした多くのドメインの集
合体であり、ミクロ的に見てモノドメイン化されていな
い。このことは表示装置としてはコントラストの低下を
招くばかりでなく、電気光学的特性にも悪影響を与える
ことから好ましくない。
通常スメクチック液晶は分子配列の異なる相をその温度
領域ごとに幾つか併せ持っている事が多い。
領域ごとに幾つか併せ持っている事が多い。
例えばＳＣ＊相を有する液晶化合物を加熱し、等方性液
体とした後に冷却すれば次の様な相変化を示す。
体とした後に冷却すれば次の様な相変化を示す。
等方性液体相−スメクチックＡ相（ＳＡ相）−８Ｃ＊相
→カイラルスメクチツクＨ相（ＳＨ＊相）−結晶相 ＳＡ相は層内の分子位置に規則性が無く、ダイレクタは
層の面に対して直角である。またＳＡ相の組織（テクス
チャア）は通常ファンシェイブ組織と呼ばれる菱形を長
く延し、少し歪んだ形の組織を持っている。そしてＳＡ
相からＳＣ＊相に変化すると、ファンシェイプ組織の各
菱形の中にストライブが等間隔に現れてくる。
→カイラルスメクチツクＨ相（ＳＨ＊相）−結晶相 ＳＡ相は層内の分子位置に規則性が無く、ダイレクタは
層の面に対して直角である。またＳＡ相の組織（テクス
チャア）は通常ファンシェイブ組織と呼ばれる菱形を長
く延し、少し歪んだ形の組織を持っている。そしてＳＡ
相からＳＣ＊相に変化すると、ファンシェイプ組織の各
菱形の中にストライブが等間隔に現れてくる。
この様な相変化を利用することにより目的とするスメク
チック相をモノドメイン化することが出来る。そのため
には約０．１℃程度の精度での温度コントロールが必要
であシ、且つモノドメイン化を誘起させるための配向制
御膜の材質及び形状が重要であるし、またパネル内にス
メクチックのモノドメイン化を阻害する様なもの、例え
ば従来用いられていたグラスファイバー等の不規則に分
散されているスペーサはパネル構成上好ましくない。
チック相をモノドメイン化することが出来る。そのため
には約０．１℃程度の精度での温度コントロールが必要
であシ、且つモノドメイン化を誘起させるための配向制
御膜の材質及び形状が重要であるし、またパネル内にス
メクチックのモノドメイン化を阻害する様なもの、例え
ば従来用いられていたグラスファイバー等の不規則に分
散されているスペーサはパネル構成上好ましくない。
すなわちスメクチック液晶をモノドメイン化して用いる
強誘電性スメクチック液晶表示パネルに於て上で述べた
如〈従来のＴＮパネルの様にグラスファイバー等のスペ
ーサを分散したパネルにスメクチック液晶を注入すると
、グラスファイバーを核としてスメクチック液晶がバラ
バラの方向に結晶成長してしまい多くの欠陥が発生して
しまう事からモノドメイン化出来ない。
強誘電性スメクチック液晶表示パネルに於て上で述べた
如〈従来のＴＮパネルの様にグラスファイバー等のスペ
ーサを分散したパネルにスメクチック液晶を注入すると
、グラスファイバーを核としてスメクチック液晶がバラ
バラの方向に結晶成長してしまい多くの欠陥が発生して
しまう事からモノドメイン化出来ない。
発明が解決しようとする問題点
すなわち上記理由により従来より行なわれているスペー
サを分散してパネル間隙を制御する方法で作られたパネ
ルではモノドメイン化したパネルとする事が出来ないこ
とがら配向が良好なパネルは得られないし、また強誘電
性を示すスメクチック液晶パネルに適合した１μｍ〜３
μｍ程度のパネル間隙が得る事が困難であることから従
来とは異なるパネル間隙の形成方法が望まれている。
サを分散してパネル間隙を制御する方法で作られたパネ
ルではモノドメイン化したパネルとする事が出来ないこ
とがら配向が良好なパネルは得られないし、また強誘電
性を示すスメクチック液晶パネルに適合した１μｍ〜３
μｍ程度のパネル間隙が得る事が困難であることから従
来とは異なるパネル間隙の形成方法が望まれている。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上下両基板間の少なくとも表示に影響の無い部
分に有機高分子材料を用いてその上下基板間に柱を形成
することにより所定のパネル間隙を得るとともに、特に
強誘電性を示すスメクチック液晶のモノドメイン化に悪
影響を及ぼさない様に配慮したことを特徴とした液晶表
示パネルの製造法である。
分に有機高分子材料を用いてその上下基板間に柱を形成
することにより所定のパネル間隙を得るとともに、特に
強誘電性を示すスメクチック液晶のモノドメイン化に悪
影響を及ぼさない様に配慮したことを特徴とした液晶表
示パネルの製造法である。
作 用
発明者らは、研究の結果、所定の基板上に有機高分子材
料を用いて柱を形成することにより目的のパネル間隙を
精度良く得るとともに、特に強誘電性を示すスメクチッ
ク液晶にたいしてはモノドメイン化に悪影響を及ぼさな
いばかりでなく、上記有機高分子材料を用いて形成した
スペーサとしての柱が在ることによりそれが配向制御に
も役立ち、有機高分子材料が核となシモノドメイン化か
誘起されることから、より一層モノドメイン化しやすく
なり、偏光顕微鐘下の観察によシ欠陥の数が大きく減少
している事が確認された。このことは電気光学的効果を
利用する表示装置のみならず光学機器の光シヤツターに
利用される液晶パネルを製造する上での工法としてはな
はだ重要な意義を持つものである。
料を用いて柱を形成することにより目的のパネル間隙を
精度良く得るとともに、特に強誘電性を示すスメクチッ
ク液晶にたいしてはモノドメイン化に悪影響を及ぼさな
いばかりでなく、上記有機高分子材料を用いて形成した
スペーサとしての柱が在ることによりそれが配向制御に
も役立ち、有機高分子材料が核となシモノドメイン化か
誘起されることから、より一層モノドメイン化しやすく
なり、偏光顕微鐘下の観察によシ欠陥の数が大きく減少
している事が確認された。このことは電気光学的効果を
利用する表示装置のみならず光学機器の光シヤツターに
利用される液晶パネルを製造する上での工法としてはな
はだ重要な意義を持つものである。
次に本発明をより一層明確なものとする為の一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
実施例
少なくとも一方が透明な電圧印加用電極３，４゜５．６
，７，８，９．１０を付与した２枚の絶縁性上下両基板
１，２どちらか片方の表示に影響の無い部分に有機高分
子材料、例えば熱架橋性ポリイミド又は光感光性ポリイ
ミドを用いてリフトオフ法、印刷法又はフォトプロセス
法により第１図に示した如く四角柱状にポリイミドによ
るスペーサ１１．１２，１３．１４を形成する。この様
にして四角柱状にポリイミドによるスペーサを形成した
基板を所定の方法により第２図のように貼り合わせて液
晶パネルを作る。
，７，８，９．１０を付与した２枚の絶縁性上下両基板
１，２どちらか片方の表示に影響の無い部分に有機高分
子材料、例えば熱架橋性ポリイミド又は光感光性ポリイ
ミドを用いてリフトオフ法、印刷法又はフォトプロセス
法により第１図に示した如く四角柱状にポリイミドによ
るスペーサ１１．１２，１３．１４を形成する。この様
にして四角柱状にポリイミドによるスペーサを形成した
基板を所定の方法により第２図のように貼り合わせて液
晶パネルを作る。
その中に強誘電性を示すスメクチック液晶あるｐ−デシ
ルオキシベンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルプチル
シンナメイト（ＤＯＢＡＭＢＣ）すなわち次の構造式を
有する液晶化合物を等方性液体状態で封入する。
ルオキシベンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルプチル
シンナメイト（ＤＯＢＡＭＢＣ）すなわち次の構造式を
有する液晶化合物を等方性液体状態で封入する。
その後パネル内に設けられた発熱体又は外部からの熱源
をコントロールして第２図の上から下方向に温度勾配を
つけながら上記液晶化合物を°等方性液体状態からＳＡ
相への転移温度である１１７℃まで１分間に約０．１℃
の割合で徐冷する。そして更に冷却を行いＳＡ相からＳ
Ｃ＊相への転移温度である９３℃より低い温度、例えば
９０℃まで徐冷をしてストライプドメインを形成させつ
つモノドメイン化させる。この様にすることでＳＣ＊相
の均一なモノドメイン構造を持つスメクチック液晶パネ
ルが出来る。この際第２図に示したスペーサは配向制御
膜としても機能してモノドメインの領域を拡大する効果
もある０また本発明によるスペーサを従来のラビング処
理した配向膜の上に設けることによりその効果はより一
層良好なものとなった。
をコントロールして第２図の上から下方向に温度勾配を
つけながら上記液晶化合物を°等方性液体状態からＳＡ
相への転移温度である１１７℃まで１分間に約０．１℃
の割合で徐冷する。そして更に冷却を行いＳＡ相からＳ
Ｃ＊相への転移温度である９３℃より低い温度、例えば
９０℃まで徐冷をしてストライプドメインを形成させつ
つモノドメイン化させる。この様にすることでＳＣ＊相
の均一なモノドメイン構造を持つスメクチック液晶パネ
ルが出来る。この際第２図に示したスペーサは配向制御
膜としても機能してモノドメインの領域を拡大する効果
もある０また本発明によるスペーサを従来のラビング処
理した配向膜の上に設けることによりその効果はより一
層良好なものとなった。
発明の効果
本発明による有機高分子材料によるスペーサは上下両基
板間の間隙を所定の厚さに制御するだけでなくモノドメ
インの領域を拡大する効果もあることが判明した。また
この様な機能を持つ有機高分子材料としては上記ポリイ
ミドの他にポリエチレンテレフタレイト、ポリカーボネ
イト、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル等を用い
た場合でも良好な結果を得ることができた。
板間の間隙を所定の厚さに制御するだけでなくモノドメ
インの領域を拡大する効果もあることが判明した。また
この様な機能を持つ有機高分子材料としては上記ポリイ
ミドの他にポリエチレンテレフタレイト、ポリカーボネ
イト、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル等を用い
た場合でも良好な結果を得ることができた。
第１図、第２図は本発明になる有機高分子材料によるス
ペーサの実施例を説明するための図である０ １．２・・・・・・電圧印加用電極を付与した絶縁基板
、３．４，５，６，７，８，９．１０・・・・・・電圧
印加用電極、１１．１２，１３．１４・・・・・・本発
明になる有機高分子材料を用いたスペーサ、１５・・・
・・・シール樹脂、１６・・・・・・液晶。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏男 ほか１基筒 １
図 ｆｌ、ｆ２．／、３．１４ 、＝本夕を耳１てｔａｂ膚
禮゛易子ルｂ畔を川・またスペーサ 第２図
ペーサの実施例を説明するための図である０ １．２・・・・・・電圧印加用電極を付与した絶縁基板
、３．４，５，６，７，８，９．１０・・・・・・電圧
印加用電極、１１．１２，１３．１４・・・・・・本発
明になる有機高分子材料を用いたスペーサ、１５・・・
・・・シール樹脂、１６・・・・・・液晶。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏男 ほか１基筒 １
図 ｆｌ、ｆ２．／、３．１４ 、＝本夕を耳１てｔａｂ膚
禮゛易子ルｂ畔を川・またスペーサ 第２図
Claims (2)
- （１）少なくとも上下両基板間の表示に影響の無い部分
に有機高分子材料を用いてその上下基板間に柱を形成す
ることにより所定のパネル間隙を得るとともに、液晶の
モノドメイン化に悪影響を及ぼさない様に配慮したこと
を特徴とした液晶表示パネルの製造法。 - （２）液晶が強誘電性を示すスメクチック液晶であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示パ
ネルの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2384985A JPS61183625A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 液晶表示パネルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2384985A JPS61183625A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 液晶表示パネルの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183625A true JPS61183625A (ja) | 1986-08-16 |
Family
ID=12121854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2384985A Pending JPS61183625A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 液晶表示パネルの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183625A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0258848A2 (en) * | 1986-09-04 | 1988-03-09 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by printing |
| EP0273246A2 (en) * | 1986-12-27 | 1988-07-06 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal cell and manufacturing method thereof |
| US4810061A (en) * | 1987-06-24 | 1989-03-07 | Alps Electric Co., Ltd. | Liquid crystal element having conductive wiring part extending from top of transistor light shield to edge |
| US5757451A (en) * | 1995-09-08 | 1998-05-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device spacers formed from stacked color layers |
| US5831710A (en) * | 1997-02-06 | 1998-11-03 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display |
| US5959710A (en) * | 1996-08-26 | 1999-09-28 | Si Diamond Technology, Inc. | Display device with spacers made of carbon, graphite or diamond and method of making same |
| US5978061A (en) * | 1995-09-06 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
| US6888608B2 (en) | 1995-09-06 | 2005-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP2384985A patent/JPS61183625A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0258848A2 (en) * | 1986-09-04 | 1988-03-09 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by printing |
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| US6445437B1 (en) | 1995-09-06 | 2002-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
| US6888608B2 (en) | 1995-09-06 | 2005-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
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